EVALUACIN DE PRDIDA DE RENDIMIENTO EN MDULOS FOTOVOLTAICOS

CON EL TIEMPO DE EXPOSICIN EN SANTIAGO DEL ESTERO.

Jurez C.R.
1
, Fernndez R. A.
2
, Rodrguez R.
3
, Fernndez F.
4
, Vera L.
5


1
Laboratorio de Fsica Centro de Sistemas de Potencia y Energas Renovables (CESPER) -
cesper@unse.edu.ar.
2
Laboratorio de Electrnica Centro de Sistemas de Control y Electrnica de Potencia
(CESCyEP) raf@unse.edu.ar
1234
Instituto de Tecnologas Aplicadas (ITA) Facultad de Ciencias Exactas y Tecnologas.
Univ. Nac. de Santiago del Estero. Av Belgrano (s) 1912 CP 4200 Santiago del Estero.
Argentina.-
5
GER FACENA Univ. Nac. del Nordeste (UNNE) -

RESUMEN: El presente trabajo tiene como objetivo evaluar las caractersticas elctricas
considerando tambin el comportamiento trmico de mdulos fotovoltaicos de celdas de material
silicio policristalino, con el fin de determinar la variacin de la capacidad de generacin como
consecuencia del transcurso natural del tiempo de exposicin, en clima semirido. Se
determinaron, con el instrumento HT I-V 400, las caractersticas elctricas de mdulos, con nueve
y catorce aos de operacin. Dichos dispositivos fotovoltaicos se encontraban instalados en
dependencias de la Facultad de Ciencias Exactas y Tecnologas de la UNSE. Los mdulos se
ensayaron expuestos al sol a temperatura ambiente y con su superficie de captacin limpia.
Durante los ensayos, se realizaron imgenes termogrficas con el fin de registrar el
comportamiento trmico de las celdas. Se busc cuantificar la potencia nominal de los mdulos,
para luego comparar los valores obtenidos con los ofrecidos por el fabricante (comparacin solo
utilizada como referencia ya que no se tienen las curvas exactas de los mdulos antes de la
instalacin) y determinar una tendencia. As tambin se analiz si el mdulo fotovoltaico tuviera
algn tipo de falla en particular. Los resultados obtenidos son consistentes con los publicados por
otros autores que trabajaron en el tema. La experiencia realizada muestra la necesidad de evaluar
los dispositivos con aos de operacin, y a su vez da cuenta de la capacidad tcnica y humana
del Instituto de Tecnologas Aplicadas de la FCEyT - UNSE para realizarla.

Palabras clave: mdulos fotovoltaicos, rendimiento, vida til.

Abstract:
The present study aims to evaluate the electrical characteristics also considering the thermal
behavior of photovoltaic cells polycrystalline silicon material, in order to determine the change in
generation capacity as a result of the natural course of the exposure time in semiarid climate. The
electrical characteristics of modules were determined with the instrument HT IV 400, with nine and
fourteen years of operation. These photovoltaic devices were installed in dependencies of the
Facultad de Ciencias Exactas y Tecnologas of the UNSE. The modules were tested in the sun at
ambient temperature and with its active area cleaned. During the tests, thermal images were
performed in order to register the thermal behavior of the cells. We sought to quantify the power
rating of the modules and compare the values obtained with those offered by the manufacturer
(comparison used for reference only in absence of the exact curves of the modules before
installation) and determine a trend. It was also analyzed whether the PV module had some kind of
failure in particular. The results are consistent with those published by other authors who worked
on the topic. Experience shows on the need to evaluate devices with years of operation, and also
realizes the technical and human capacity of the Instituto de Tecnologas Aplicadas FCEyT -
UNSE to do it.

Keywords: photovoltaic modules, performance, lifetime.



INTRODUCCIN
El envejecimiento de los mdulos y su comportamiento con el transcurso del tiempo de
exposicin es importante para el diseo de plantas generadoras. La certeza, a largo plazo, del
comportamiento de los mdulos fotovoltaicos es importante para asegurar el xito futuro de esta
tecnologa y su implementacin como fuente de energa elctrica. Los periodos de mantenimiento
y garanta deben ser fijados conociendo la fiabilidad de los mdulos y las condiciones de
instalacin, de la misma manera que los clculos de la energa producida al cabo de su vida til
deben hacerse teniendo en cuenta esta informacin.

Para estudiar el envejecimiento de mdulos fotovoltaicos se hacen ensayos simulando un
envejecimiento prematuro en cmaras especialmente diseadas para ello, o bien se realizan
mediciones sobre mdulos expuestos naturalmente al sol.

En el primer caso un ensayo tpico de mdulos comprende una secuencia, a lo largo de 12
meses, en los cuales stos son sometidos a condiciones de radiacin ultravioleta, corrosin por
sprays salinos, ciclos de radiacin trmica, humedad, congelamiento y exposicin en campo en
temporada pico de verano, para finalmente realizar las inspecciones visuales, obtener las curvas I-
V, y hacer un registro fotogrfico y termogrfico (Atlas M.T.T. 2009).

La informacin publicada y disponible en la actualidad sobre este tema est referida a las
tecnologas de silicio monocristalino y policristalino. Aun no se cuenta con suficientes estudios
tericos o reales de otras tecnologas.

Existen artculos cientficos cuyos resultados presentan una disminucin de la potencia de
salida en un rango que va desde 1,8% a 11,8% en un perodo de 6 aos (Vera L. et al., 2006) y
otros realizados en periodos de tiempo ms amplios con prdidas de potencia total de similares
porcentajes (Sidrach de Cardona M. et al, 2010).

Por otro lado, cuando se estudia el envejecimiento de mdulos expuestos naturalmente al
sol, una condicin que puede resultar determinante de la vida til de los mismos es la rigurosidad
del clima en el cual estos estn instalados. Estas condiciones pueden generar mecanismos de
degradacin que no son identificados durante los procedimientos de prueba acelerados, como
erosin del vidrio, oxidacin de la capa antirreflectiva y de la grilla de metalizacin, generacin de
hongos por humedad, perdida de transparencia ptica, etc. En relacin con la rigurosidad del
clima, la zona en la que se encuentran las ciudades de Santiago del Estero y La Banda se
caracterizan por un clima semirido. Los registros correspondientes al periodo 1991-2002 dan
cuenta de un rgimen anual de lluvias promedio de 560 mm, lo cual es relativamente bajo (Galvn
L. et al., 2003), con una irradiacin solar de 4 KWh/m
2
ao (Grossi G., Righini, 2007). Esta
caracterstica climtica, puede considerarse un atenuante al momento de considerar las
filtraciones de humedad como causa posible de envejecimiento. Sin embargo, el clima seco
propicia la presencia de polvo en el aire que se deposita sobre la superficie de los mdulos. Para
evitar la prdida de rendimiento por este motivo es necesario programar limpiezas frecuentes
segn sea necesario.

En mdulos que se encuentran en servicio, el envejecimiento o degradacin puede
deberse a cinco razones principales (Vera L.et al, 2006):
1. Degradacin de la cubierta de Etileno Vinil Acetato (EVA)
2. Acumulacin de polvo sobre el plano activo.
3. Degradacin de la conexin entre las clulas.
4. Ingreso de humedad y aire.
5. Degradacin del semiconductor.

El estudio permite observar que existe una disminucin de la capacidad de generacin, con
el tiempo de exposicin, no uniforme, entre mdulos de igual y distinto fabricante. Estos ensayos
tienen actualmente un relevancia importante ya que a travs de iniciativas de programas de
electrificacin rural se buscar recuperar o repotenciar sistemas fotovoltaicos autnomos que
fueron instalados aos atrs. Por lo tanto, se reafirma la necesidad de evaluar correctamente los
parmetros elctricos de dispositivos fotovoltaicos antes de ser reutilizados, con el fin de evitar
que se presenten prdidas por desacoplamiento cuando estos dispositivos sean instalados
nuevamente.

Para su correcta re-utilizacin, es necesario recurrir a la caracterizacin individual de cada
dispositivo. El instrumento HT IV-400, perteneciente al laboratorio de electrnica de la FCEyT
UNSE, integrado a su vez al Instituto de Tecnologas Aplicadas (ITA) tiene la capacidad de
realizar dichos ensayos.

Se realiz un anlisis de la influencia de los factores mencionados operando
conjuntamente ya que no se pretende individualizar en este trabajo el efecto de cada uno de ellos
sobre el rendimiento del panel fotovoltaico por separado. Se buscaron variaciones que puedan
detectarse por inspeccin visual, por medicin de parmetros elctricos, por modificacin de la
curva caracterstica o debido a la aparicin de puntos calientes. Los resultados obtenidos
permiten conocer la capacidad real de generacin.


METODOS Y ENSAYOS.

El generador fotovoltaico objeto de estudio est compuesto de 6 mdulos de la misma
marca y modelo (Solarex VLX-53), de silicio policristalino de 53 Wp y estuvieron instalados en
dependencias de la Facultad de Ciencias Exactas y Tecnologas de la Universidad Nacional de
Santiago del Estero (FCEyT UNSE).

Este tipo de mdulo est constituido por 36 cldas de silicio policristalino, de 96 mm x
112mm, conectadas en serie. Las cldas estn encapsuladas con acetato de etileno-vinilo (EVA)
entre un vidrio templado de alta transmitancia, una lmina trasera compuesta de Tedlar (PVF) y
polister (PET) con una configuracin PVF/PET/PVF. Cada mdulo tiene caja de conexin tipo II
clase B y marco de aluminio anodizado. Las medidas del mdulo son 500 mm x 937 mm y fueron
limpiados por su lado activo antes de los ensayos de caracterizacin elctrica.

De los 4 mdulos ensayados dos (2) fueron expuestos durante 9 aos (a los que en
adelante se denominaran mdulo 9-1 y mdulo 9-2), y otros dos expuestos durante 14 aos
(mdulo 14-1 y mdulo 14-2).

Los datos del fabricante se presentan en la siguiente tabla.

Tabla 1: Datos de placa de los mdulos ensayados.
Corresponden a Tcel = 25 C, y 1000 W/m
2
.
Pmax 53.0 W
Voc 21.3 V
Isc 3.33 A
Vpmax 17.2 V
Ipmax 3.08

2.5 mA/C o
0.075 %/C
-73mV/C o -
0.343 %/C
-0.38%/C


En la Tabla 1, los parmetros de la primera columna representan:
Pmax: Potencia entregada en el punto de mxima potencia.
Voc: Voltaje de circuito abierto.
Isc: Corriente de cortocircuito.
Vpmax: Voltaje en el punto de mxima potencia.
Ipmax: Corriente en el punto de mxima potencia.
: Coeficiente de temperatura de corriente de cortocircuito
: Coeficiente de temperatura de voltaje de circuito abierto.
: Coeficiente de temperatura de potencia mxima.

Los parmetros elctricos se identifican en la grfica de la figura 1.


Figura 1.- Representacin de los parmetros caractersticos en la curva IV.


Equipo para medir las caractersticas elctricas de los mdulos fotovoltaicos.

La caracterizacin elctrica se realiz en condiciones de radiacin solar con cielo claro,
en horario prximo al medioda solar, en dependencias de la UNSE siguiendo las
recomendaciones del estndar IEC 60904-2006, IEC/EN 60891 e IRAM 210013-2. Para la
verificacin de la caracterstica I-V fue empleado un instrumento comercial denominado HT I-V400
(Figura 2), proyectado en conformidad a las directivas IEC/EN 61010-1 relativas a los
instrumentos de medida electrnicos. El mismo cuenta con una celda de referencia para cristal
mono o poli cristalino y con sensor PT300N para registrar temperatura de celda (con un
acoplamiento trmico apropiado en la parte posterior de los mdulos) y otro para medir
temperatura ambiente.

Figura 2.- Analizador de curvas I-V, marca HT modelo IV-400

El HT I-V400 cuenta con una base de datos de mdulos de marcas comerciales que
constituyen la referencia para las curvas nominales. En caso de no disponer de los datos del
mdulo que se desea ensayar, pueden agregarse los de placa y grabarse en la memoria para
posteriores usos. El instrumento puede mostrar las curvas I-V en las condiciones de operacin al
momento del ensayo, corregidas a condiciones estndar como as tambin a partir de los datos
ofrecidos por el fabricante para realizar la curva nominal.

Para minimizar los errores de cada medida y los de conversin a situacin estndar, se
han impuesto las siguientes condiciones: irradiancia global en el plano de paneles mayor que 800
W/m
2
, variacin mxima de la misma al momento de la medicin < 1%, variacin mxima de la
temperatura de celda durante el tiempo de medicin < 1 C y velocidad de viento < 1m/s.

Al tiempo que se hicieron las mediciones antes mencionadas, se tomaron imgenes
termogrficas haciendo uso de la cmara infrarroja Fluke TI-25, la cual cumple las normas de
seguridad indicadas en la directiva IEC 61010-1 2 Ed.



Figura 3.- Cmara termogrfica Fluke TI 25.


Anlisis y Resultados.

A travs de una inspeccin visual se constat que al momento del ensayo los mdulos no
presentan evidencias de impactos o roturas, ni de penetracin de humedad en el encapsulado
como as tampoco signos de sobrecalentamiento. S muestran evidencia de un deterioro normal
debido a los aos de exposicin a la intemperie (cambio en la textura del marco de aluminio,
deterioro del plstico de la caja de conexiones, etc.).

Debido a que no se cuenta con curvas de ensayo de los mdulos sin uso, se efecta la
comparacin en relacin a la curva nominal solo a los efectos de tener una referencia. Las curvas
fueron trasladadas a condiciones estndar usuales (STC), por el mismo instrumento, HT I-V 400
que sigue el procedimiento descripto en la IEC 60891-2009, con los parmetros de traslacin
dados por el fabricante que fueron grabados oportunamente. Esto nos permitira determinar los
parmetros caractersticos: corriente de cortocircuito, tensin de circuito abierto, factor de llenado,
corriente de punto de mxima potencia, tensin de dicho punto y potencia elctrica mxima.

Los valores de los puntos caractersticos se presentan en la siguiente tabla.


Tabla 2. Parmetros caractersticos obtenidos para cada mdulo en relacin a los valores nominales que
public el fabricante.

Pmax [W] Voc [V] Vmpp [V] Impp [A] Isc [A] FF
Nominal 53.00 21.30 17.20 3.08 3.33 75
9-1 42.35 20.28 15.75 2.69 2.89 72
9-2 45.42 21.27 16.95 2.68 2.95 72
14-1 44.09 21.05 16.57 2.66 2.91 72
14-2 44.95 21.20 16.77 2.68 2.96 72

A continuacin se muestran las caractersticas elctricas representativas de una serie de
mediciones obtenidas para los dos mdulos expuestos durante 9 aos (9-1 y 9-2).




Figura 4. Curva 1: I-V Nominal, Curva 2: I-V en condicin estndar de mdulo con 9 aos de exposicin (9-
1), Curva 3: Caracterstica I-V en condicin estndar de mdulo con 9 aos de exposicin (9-2).

Se observa en la curva 2 una significativa disminucin en la tensin de circuito abierto
indicando una degradacin mayor en el mdulo 9-1 respecto del mdulo 9-2.
Si comparamos entre s los mdulos expuestos durante 14 aos obtenemos lo siguiente:



Figura 5. Curva 1: I-V Nominal, Curva 2: I-V en condicin estndar de mdulo con 14 aos de exposicin
(14-1), Curva 3: Caracterstica I-V en condicin estndar de mdulo con 14 aos de exposicin (14-2).




1
3
2
1
2
3

En este caso puede observarse que si bien uno de los mdulos (el 14-1) muestra mayor
degradacin (respecto al mdulo 14-2) la diferencia es pequea en relacin al caso de los
mdulos expuestos durante 9 aos.

Si comparamos ahora las caractersticas entre 9 aos y 14 aos obtenemos lo siguiente:



Figura 6. Curva 1: I-V Nominal, Curva 2: I-V en condicin estndar de mdulo con 9 aos de exposicin (9-
2), Curva 3: Caracterstica I-V en condicin estndar de mdulo con 14 aos de exposicin (14-1).


Esta figura muestra el caso ms desfavorable para la comparacin entre la curva nominal
y las de los mdulos expuestos durante 9 y 14 aos.

Se considera como una opcin interesante estudiar, en un trabajo futuro, las curvas de
acoplamiento en serie y paralelo de los mdulos con 9 aos de exposicin mostrando lo que
sucede cuando se conectan dispositivos iguales que variaron su caracterstica elctrica con el
tiempo y como esto afecta a la potencia que pueden entregar.

En la Tabla 4 se presentan las diferencias porcentuales relativas a los valores nominales.


Tabla 4. Diferencias porcentuales relativas .

%(Pmax) %(Voc) %(Vmpp) %(Impp) %(Isc) %(FF)
9-1 -20.09 -4.79 -8.43 -12.66 -13.21 -4.00
9-2 -14.30 -0.14 -1.45 -12.99 -11.41 -4.00
14-1 -16.81 -1.17 -3.66 -13.64 -12.61 -4.00
14-2 -15.19 -0.47 -2.50 -12.99 -11.11 -4.00


Si se considera en esta tabla la columna correspondiente a las diferencias porcentuales
en la potencia mxima se evidencia el significativo deterioro del mdulo 9-1 en relacin a los
dems.

1
3
2

Figura 7. Variacin de los parmetros caractersticos de los mdulos fotovoltaicos

En la figura 7 se muestra la diferencia porcentual relativa en cada uno de los parmetros
caractersticos para los mdulos ensayados. Si observamos la columna correspondiente a las
diferencias porcentuales en la potencia mxima se pone nuevamente de manifiesto la significativa
degradacin del modulo 9-1 en relacin a los dems, as como tambin se observa la disminucin
en la tensin de cortocircuito (Voc) del mismo modulo.

De las imgenes termogrficas tomadas hacemos referencia a la de la figura 8, en la que
se observa una desigualdad apreciable en la temperatura de celdas. Esta imagen fue tomada del
lado activo del mdulo 9-2 (representado en la curva 2 de la figura 4) despus de 10 minutos de
exposicin al sol en condicin de corto circuito. Si bien la escala a la izquierda de la imagen no
puede ser considerada confiable, consideramos que s es vlida para indicar una diferencia
relativa de temperatura entre celdas en un rango que podra estar entre 13 C y 15 C. A pesar de
ello, esta diferencia no es significativa como para indicar la presencia de puntos calientes.



Figura 8. Imagen termogrfica de mdulo 9-1. Vista del lado activo despus de 10 minutos en cortocircuito.


CONCLUSIONES

Con el trabajo efectuado verificamos, salvo en el caso de uno de los mdulos (el 9-1), la
tendencia a la disminucin de la potencia mxima capaz de ser producida por mdulos
fotovoltaicos como consecuencia del tiempo de exposicin a la radiacin solar, debida
fundamentalmente a la disminucin en la capacidad del mdulo de producir corriente.

De las mediciones realizadas se observa que los valores de Pm e Isc son los que
experimentaron una mayor variacin respecto de los dems parmetros. Los resultados sugieren
que la disminucin porcentual en la potencia mxima con 9 aos de exposicin puede estar
alrededor del 14,5%, y con 14 aos de exposicin entre 15 y 17 % (16% en promedio), lo cual es
consistente con lo esperado a partir de los resultados publicados en trabajos de referencia. Por
otro lado, el deterioro prematuro del mdulo 9-1 y la disminucin de voltaje de circuito abierto
podra estar indicando la degradacin del material semiconductor. Esto muestra la necesidad de
caracterizar los dispositivos antes de su re-instalacin.

Esta experiencia permiti afianzar las destrezas del grupo investigador para la
caracterizacin de mdulos fotovoltaicos.



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