Universidad de Concepcin

Facultad de Ingeniera
Departamento Ingeniera Elctrica
1) Modelo de Dalton: los tomos se consideran como esferas
extremadamente pequeas. Para los tomos de un elemento se tiene igual
tamao, masa y propiedades qumicas; no se pueden dividir y que pueden
combinarse en diferentes proporciones para formar compuestos.
Desventajas: no se explican fenmenos como la ionizacin al no considerar
la existencia de partculas como neutrones, protones o electrones.
Disp. Semiconductores 2010-2 2
2) Modelo de Thompson: se considera a los tomos como una nube de carga
positiva en cuyo interior se encuentran incrustadas los electrones que son
partculas de carga negativa. Este modelo permiti explicar el fenmeno de
la ionizacin.
Desventaja: no se explica presencia de radiaciones.
Disp. Semiconductores 2010-2 3
++
e
-
e
-
e
-
e
-
e
-
e
-
3) Modelo de Rutherford: los tomos se forman como un sistema planetario,
donde existe un ncleo formado por neutrones sin carga y protones de carga
positiva orbitados por electrones de carga negativa.
Desventaja: no se cumplen las leyes de Maxwell. Una partcula como el
electrn, orbitando un ncleo debera irradiar energa en forma de un campo
magntico, disminuyendo su energa hasta caer al ncleo. Tampoco se
explican los espectros atmicos.
Disp. Semiconductores 2010-2 4
p
-n
e
-
p
-
n
e
-
4) Modelo de Bhr: es un modelo orbital del tomo de hidrogeno, donde se
postula una naturaleza discreta de las partculas que puede ser descrita en
funcin de los nmeros qunticos.
Primer postulado: el electrn gira alrededor del ncleo en rbitas circulares
sin emitir energa radiante. Al no emitir radiacin electromagntica no pierde
energa ni cae al ncleo.
Segundo postulado: los electrones pueden saltar de un nivel electrnico a
otro sin pasar por estados intermedios. El electrn tiene slo unas pocas
rbitas posibles, las cuales vienen definidas por los valores permitidos para
un parmetro que se denomina nmero cuntico, n; luego se introduce el
concepto de niveles de energa.
Disp. Semiconductores 2010-2 5
p
+
e
-
Tercer postulado: El salto de un electrn de un nivel cuntico a otro implica
la emisin o absorcin de un fotn, cuya frecuencia viene dada por la
diferencia de energa entre dos niveles y la constante de Planck:
Cuando el tomo absorbe (o emite) una radiacin, el electrn pasa a una
rbita de mayor (o menor) energa, y la diferencia entre ambas rbitas se
corresponder con una lnea del espectro de absorcin (o de emisin).
Disp. Semiconductores 2010-2 6
( )
h
E E
v
b a

=
p
+
e
-
p
+
e
-
Fotn
Cuarto postulado: las rbitas permitidas tienen valores discretos o
cuantizados del momento angular orbital L de acuerdo al nmero cuntico n,
denominado nmero cuantico principal o nmero cuantico angular, con n =
1,2,3,
Donde:
Disp. Semiconductores 2010-2 7
2
h
L
t
= n
v L m r = v
2
h
m r
t
= n
L: Momento angular
n: Nmero cuantico principal
h: Constante de Planck (0.626x10
.34
Joule*s).
m: masa del electrn (9.11 10
31
kg )
v: velocidad asociada al electrn.
En un tomo la fuerza electrosttica es igual a la fuerza centrpeta del
electrn:
donde K =4
0
, m es la masa del electrn y v es su velocidad. Del modelo de
Bhr se tiene que el momento angular es:
n toma valores discretos, entonces el radio de cada orbita se denotar por r
n
,
as se llega a:
De las ecuaciones anteriores se obtiene:
Disp. Semiconductores 2010-2 8
2 2
2
v q m
Kr r
=
v
2
h
L m r
t
= = = n n
2 2
2 2
2
v
n
m
r
=
n
2 2 2
2 2
1
n n n
q
Kr mr r
=
n
2 2
2
n
K
r
mq
=
n
q
+
q
-
r
La energa total del electrn en la orbita n es:
La energa potencial se calcula como el producto de la fuerza electrosttica y
la distancia entre las cargas:
La energa cintica viene dada por:
Al reemplazar los valores de la energa cintica y potencial se obtiene:
La diferencia de energa entre las orbitas n
1
y n
2
ser:
Disp. Semiconductores 2010-2 9
4
2 2 2
2
n c p
mq
E E E
K
= + =
n
p c n
E E E + =
2 4
2 2 2
p
n
q mq
E
Kr K
= =
n
4
2
2 2 2
1
v
2 2
c
mq
E m
K
= =
n
4
2 1
2 2 2 2
1 2
1 1
2
n n
mq
E E
K
| |
=
|
\ .
n n
La frecuencia de la luz asociada a una transicin ser entonces:
Disp. Semiconductores 2010-2 10
4
21
2 2 2 2
1 2
1 1
2
mq
v
K h
| | (
=
|
(
\ .
n n
Una importante observacin hecha por Planck es que la radiacin de un
cuerpo calentado se emite en unidades discretas de energa, llamados
cuantos. Estas unidades de energa estaban descritas por hv, donde v es la
frecuencia de la radiacin y h es la constante de Planck.
Einstein interpret los resultados de un importante experimento que
demuestra claramente la naturaleza discreta (cuantizacin) de la luz.
Una placa de metal con carga electrosttica libera electrones al ser irradiada
con luz de una determinada frecuencia. Al graficar la mxima energa
cintica de los electrones expulsados vs. la frecuencia de la luz irradiada se
obtiene una lnea recta.
Disp. Semiconductores 2010-2 11
Einstein propone la existencia de cuantos de luz o fotones, que se propagan
como ondas pero interactan con la materia como partculas. As se explica
que los electrones del metal, absorben al cuanto de luz y luego son
expulsados del metal.
La energa cintica de un fotn E se relaciona con su frecuencia v mediante la
constante de Planck h.
Disp. Semiconductores 2010-2 12
34
/(2 )
6.63 10
E hv
h
h J s
=
t

= =
=
=
Disp. Semiconductores 2010-2 13
Maxwell propone que la luz visible se compone de ondas electromagnticas.
Bsicamente consiste en un componente de campo elctrico y un
componente de campo magntico, que tiene similar longitud de onda y
frecuencia (por tanto igual velocidad), pero en planos perpendiculares.
Las ondas de luz visible se deben al movimiento de electrones en los tomos
y las molculas. Las ondas mas cortas se forman durante cambios ocurridos
en el ncleo del tomo.
Empricamente se comprob que la radiacin emitida (y absorbida) por
sustancias formadas por elementos qumicos aislados (en forma gaseosa)
tena un carcter discreto; es decir, estas sustancias solo emiten (y absorben)
radiacin para un conjunto discreto de frecuencias.
Cuando se somete un gas a una descarga elctrica, se emite radiacin a
frecuencias caractersticas de cada gas. Al medir la intensidad de la luz
emitida como funcin de la longitud de onda se obtienen lneas verticales a
lo largo del espectro.
Disp. Semiconductores 2010-2 14
Como consecuencia se usa la espectrografa para determinar elementos
constitutivos de estrellas, presencia de metales para explotacin o
componentes dentro de una muestra de gas.
Disp. Semiconductores 2010-2 15
Bandas Absorcin Hidrogeno
Bandas Emisin Hidrogeno
Las lneas en el espectro del hidrogeno aparecen en diversos grupos
denominados series de Lyman, Balmer y Paschen.
Una vez que el espectro de hidrogeno estaba establecido, los cientficos
notaron varias relaciones interesantes entre las lneas del espectro.
Las series en el espectro del hidrgeno seguan ciertas formulas empricas:
Disp. Semiconductores 2010-2 16
2 2
2 2
2 2
1 1
, 2, 3, 4,...
1
1 1
, 3, 4, 5,...
2
1 1
, 4, 5, 6,...
3
v cR
v cR
v cR
| |
= =
|
\ .
| |
= =
|
\ .
| |
= =
|
\ .
n
n
n
n
n
n
:
:
:
Lyman
Balmer
Paschen
En este modelo los electrones se describen por una funcin de onda (la
funcin de Schrdinger). Esta funcin de onda depende de los nmeros
cunticos n, l, m y s. El cuadrado de la funcin de onda representa la
probabilidad de existencia del electrn en una zona que denominaremos
orbital.
donde:
La resolucin de la ecuacin de Schrdinger permite ir completando los
orbtales desde las capas internas a las capas mas externas. Estos orbtales
tienen diferentes formas y estados de energa.
Los orbtales se van llenando de modo de tener estados de mnima energa.
Disp. Semiconductores 2010-2 17
2
2
2
V j
m t
c+
V ++ + =
c
Constante de dirac.
+: Funcin de onda.
h: Constante de Planck.
m: masa del electrn.
V: Energa del electrn.
2
h
t
=
Disp. Semiconductores 2010-2 18
Estos orbtales se van completando desde
niveles de menor energa a niveles de mayor
energa, Por ejemplo, en el nivel n=1
tenemos 1 orbital (l=1-1=0) de tipo s que
puede alojar dos electrones. Para el nivel
n=2 (l=0,1) se puede tener 2 orbtales s,
cada uno con la capacidad de alojar 2
electrones. Y as sucesivamente.
Disp. Semiconductores 2010-2 19
Los electrones en un tomo poseen niveles de energa discretos (especficos).
En un slido (muchos tomos) un electrn tiene un rango o banda de energa
permitida, debido a que las funciones de onda de tomos vecinos se cruzan
y un electrn NO necesariamente est localizado en un tomo en particular.
Lo anterior implica que el campo elctrico producido por los electrones de
los tomos vecinos modifica los niveles energticos de los electrones de los
tomos de sus alrededores.
Desde un punto de vista tecnolgico, algunas de las caractersticas que
hacen atractivos a los semiconductores pueden ser:
Aparicin de dos tipos de portadores de carga: electrones y huecos.
Las propiedades fsicas de los semiconductores son altamente
dependientes de la concentracin de impurezas aadidas al material.
La mayora de los componentes electrnicos y opto-electrnicos pueden
realizarse sobre la misma muestra.
Disp. Semiconductores 2010-2 20
A medida que el espacio inter atmico decrece los niveles de energa discreto
se juntan.
En un slido macroscpico hay del orden de 10
23
tomos, luego cada nivel
energtico se divide en un solo nivel casi continuo que constituye una banda.
Se forman 3 bandas:
Bandas de valencia: el ms alto de los intervalos de energas electrnicas,
se encuentra ocupado por 4N electrones (en el cero absoluto).
Bandas de conduccin: por encima de la banda de valencia, permite a los
electrones sufrir aceleraciones por la presencia de un campo elctrico
externo; posee 4N estados vacios lo que finalmente permite la formacin
de una corriente elctrica.
Banda prohibida (gap): es la diferencia de energa entre la parte superior
de la banda de valencia y la parte inferior de la banda de conduccin. No
posee estados disponibles
Disp. Semiconductores 2010-2 21
Disp. Semiconductores 2010-2 22
Carbn: n atmico 6 -> 1s
2
2s
2
2p
2
(2 estados vacios)
N tomos de carbono -> 6N electrones
Disp. Semiconductores 2010-2 23
Disp. Semiconductores 2010-2 24
Disp. Semiconductores 2010-2 25
Para que los electrones respondan al campo elctrico externo (y por tanto
contribuyan a la corriente elctrica), stos deben poder ganar energa y
situarse en estados energticos superiores.
En consecuencia, slo aquellos electrones que posean estados superiores
prximos disponibles vacos y permitidos respondern a la accin del campo
elctrico externo.
Igualmente se nota que aquellos electrones cuyas energas correspondan a
las de una banda completamente llena NO contribuirn a la corriente. Lo
anterior implica que los nicos electrones que participaran en el proceso de
conduccin elctrica sern aqullos situados en las bandas superiores (dado
que las bandas inferiores estarn totalmente llenas).
Disp. Semiconductores 2010-2 26
A T = 0 K, un slido que tenga la BV llena ser un aislante debido a que los
electrones en dicha BV no pueden desplazarse hacia niveles ms altos de
energa en dicha banda bajo la accin de un campo elctrico externo.
La existencia de la BP impedira que estos electrones pudieran desplazarse
hacia la BC.
Por el contrario, si la BV est parcialmente llena, entonces los electrones
pueden desplazarse hacia niveles ms altos de energa en el interior de dicha
banda y el slido se comportar como un conductor.
Un aislante cuya BP sea relativamente pequea se denominar
semiconductor, aunque a T = 0K, tanto el aislante como el semiconductor se
comportan como aislantes perfectos.
Disp. Semiconductores 2010-2 27
Su principal caracterstica es que la banda
prohibida tiene una energa grande >> 6 eV a
0K.
Es posible que algunos electrones de la BV sean
excitados trmicamente a la BC por tanto, que
haya algunos portadores disponibles para la
corriente elctrica.
La probabilidad de salto de electrones de BV a BC
ser directamente proporcional a la temperatura
e inversamente proporcional a la Eg de la BP.
Disp. Semiconductores 2010-2 28
En un conductor metlico las bandas de valencia
y las de conduccin se traslapan. Un elemento
metlico se considera que esta constituido por
cationes metlicos distribuidos regularmente e
inmersos en un mar de electrones de valencia
que mantienen unidos a los cationes metlicos.
Disp. Semiconductores 2010-2 29
Un semiconductor se caracteriza porque la banda
prohibida tiene una energa baja < 1 eV a 0K, de
modo que es mas fcil arrancar un electrn que
contribuya a la conduccin.
La probabilidad de salto de electrones de BV a BC
ser proporcional a la temperatura e
inversamente proporcional a la anchura
energtica, Eg, de la BP.
Disp. Semiconductores 2010-2 30