Portadores mayoritarios y minoritarios en los

materiales tipo N y tipo P

Instituto Tecnolgico de Celaya
Departamento de ingeniera Mecatrnica
Omar Hassan Vzquez Abdala, chascrk18@gmail.com

Materiales Tipo N
En un semiconductor tipo N, el cual
consiste en un material semiconductor puro
al cual se le han agregado tomos de otro
elemento qumico que posea al menos un
electrn adicional al que posee naturalmente
dicho semiconductor (usualmente Fsforo,
Arsnico o Antimonio); hay en total ms
electrones libres debido a los tomos de las
impurezas agregadas, que huecos, por lo cual
en este tipo de material semiconductor, los
electrones son los portadores mayoritarios,
mientras que los huecos (carencia de un
electrn), son los portadores minoritarios.
Como el nmero de electrones es mayor que
el de huecos, los electrones reciben el
nombre de portadores mayoritarios, y los
huecos portadores minoritarios. Lo anterior
se puede apreciar mejor en la figura nmero
1 mostrada a continuacin.



Materiales Tipo P
Para el caso de un semiconductor
tipo P, que consisten en un material
semiconductor puro al cual se le han
agregado tomos de otro elemento qumico
que pertenece al grupo III de la tabla
peridica de los elementos (usualmente
Aluminio, Galio, e Indio) los portadores
mayoritarios son los huecos (o carencia de
electrones), mientras que los portadores
minoritarios son los electrones.
Ahora los huecos se denominan portadores
mayoritarios, porque superan en nmero a
los electrones libres y stos se denominarn
portadores minoritarios. Lo anterior se
puede apreciar mejor en la figura nmero 2
mostrada a continuacin.






Para
Figura 1 materiales tipo N
Figura 2 Materiales tipo P
Comprenderlo mejor se cuenta con la tabla
nmero 1 y que muestra a continuacin y
que permite observar de una manera ms
grafica que rol se juega dentro de la
estructura del silicio en los materiales tipo N
y tipo P con los portadores mayoritarios y
minoritarios.
Tabla 1
Material Portadores
Mayoritarios
Portadores
Minoritarios
Silicio Puro - -
Silicio tipo P Huecos Electrones
Silicio tipo N Electrones Huecos

Estructuras de atmicas
En un semiconductor intrnseco las
concentraciones de huecos y de electrones
pueden alterarse mediante la adicin de
pequeas cantidades de elementos llamados
impurezas o dopantes, a la composicin
cristalina.
Si la introduccin de impurezas se realiza de
manera controlada pueden modificarse las
propiedades elctricas en zonas
determinadas del material. As, se habla de
dopado tipo P N (en su caso, de silicio P
N) segn se introduzcan huecos o electrones
respectivamente.
Centrmonos ahora en el silicio tipo P. En la
prctica, a temperatura mayor que cero este
material estar formado por:
Huecos procedentes del dopado.
Huecos procedentes de la
generacin trmica de pares e-/h+.
Electrones procedentes de la
generacin trmica de pares e-/h+.
Electrones y huecos procedentes de
impurezas no deseadas.
Habitualmente, a temperatura ambiente, el
nivel de dopado es tal que los huecos
procedentes de l superan en varios rdenes
de magnitud al resto de portadores. Ello
confiere el carcter global P del material. Sin
embargo, ha de tenerse en cuenta que
existen electrones. En este caso, los huecos
son los portadores mayoritarios, y los
electrones los minoritarios. Si se trata de un
material de tipo N, los portadores
mayoritarios sern los electrones, y los
minoritarios los huecos. Con la tabla
siguiente se pretende rematar estos
conceptos.

Figura 3 Estructura de silicio dopada.