Grupo 57 - Actividad 10

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD
CEAD JOSE ACEVEDO Y GOMEZ

Escuela Ciencias Bsicas, Tecnologa e Ingeniera
Fsica Electrnica

TRABAJO COLABORATIVO 2

FISICA ELECTRONICA 100414

RICARDO ARTURO MORENO MARTINEZ
C.C. 79513667

GRUPO 57

TUTOR
MIGUEL ANDRES HEREDIA

CEAD JOSE ACEVEDO Y GMEZ
INGENIERA INDUSTRIAL
BOGOT
2012

Fsica Electrnica

OBJETIVO
Aplicar los temas que abordamos en el modulo respecto a los tipos de materiales, para ser
aplicados en un software de simulacin, se tendr en cuenta los comentarios de los
participantes del grupo colaborativo para su mejor comprensin.

OBJETIVOS ESPECIFICOS

Aprender a identificar y los tipos de materiales y su caractersticas.
Aplicar el Software de simulacin para verificar el comportamiento de estos materiales en los
circuitos descritos en la gua.

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FASE 1

1. Enuncie las principales caractersticas y diferencias existentes entre un material aislante,
un conductor y un semiconductor. De algunos ejemplos de cada grupo.

MATERIALES AISLANTES
Los materiales aislantes tienen la funcin de evitar el contacto entre las diferentes partes
conductoras (aislamiento de la instalacin) y proteger a las personas frente a las tensiones
elctricas (aislamiento protector). La mayora de los no metales son apropiados para esto
pues tienen resistividades muy grandes. Esto se debe a la ausencia de electrones libres. Los
materiales aislantes deben tener una resistencia muy elevada, requisito del que pueden
deducirse las dems caractersticas necesarias.
Propiedades elctricas.
Resistividad de paso PD: Es la resistencia que presenta un cubo de 1 cm de arista.
Resistencia superficial y resistencia a las corrientes de fugas: En altas tensiones
pueden aparecer corrientes elctricas como consecuencia de depsitos sobre la
superficie de los aislantes. Al cabo de un cierto tiempo la corriente podra atacar a
estos materiales. Precisamente los plsticos son muy sensibles a ello, pues al ser
sustancias orgnicas contienen carbono.
Rigidez dielctrica ED en kV / mm.: Se mide la tensin a la que se produce una
descarga disruptiva entre dos electrodos. La rigidez dielctrica no es una magnitud
lineal, sino que depende de una serie de factores.
Permitividad relativa Er: Es importante que la permitividad relativa de los aislantes
sea pequea, pero por otro lado los aislantes empleados como dielctricos en los
condensadores debern presentar una gran permitividad. Adems para poder valorar
las propiedades del material debe saberse en que forma depende Er de la frecuencia.
Comportamiento electroesttico: La carga electrosttica es posible debido a las
altsimas resistencias de los plsticos. Junto a las propiedades elctricas ya citadas
los aislantes deben reunir tambin una serie de requisitos trmicos mecnicos
qumicos y tecnolgicos que dependen de los fines para los que se destinen.
Termofijos
Estn constituidos por materiales que se caracterizan porque, mediante un proceso de
vulcanizacin, se hace desaparecer su plasticidad y se aumente su elasticidad y la
consistencia mecnica. Estos aislamientos se aplican generalmente por extrusin y se
someten a un proceso de vulcanizacin elevando la temperatura a los valores requeridos.
Los aislantes termofijos ms usados son el hule natural y los hules sintticos, conocidos con
el nombre genrico de elastmeros y ms reciente algunos derivados del polietileno.

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El hule natural fue, con el papel, uno de los materiales usados para el aislamiento de cables.
Se obtiene del ltex de un rbol tropical originario de Brasil. Para utilizarlo como aislamiento
se mezcla con otras substancias:
Plastificantes, agentes de vulcanizacin (1 a 2% de azufre) y modificadores y
vulcanizado se emplea mucho en baja tensin y con menos frecuencia para tensiones
mas elevadas hasta de 25 Kv. Los hules sintticos mas utilizados como aislamientos
de cable son :
El estireno-butadieno conocido comercialmente con las iniciales SBR sus
cualidades elctricas y mecnicas son ligeramente inferiores a las del hule natural.
En cambio sus cualidades de resistencia a los agentes qumicos y al
envejecimiento son algo superiores, por sus caractersticas y su bajo precio se ha
utilizado principalmente en el aislamiento de cables de baja tensin.
El butilo es un hule sinttico cuya propiedad principal es poder trabajar a
temperaturas mas elevadas que el hule natural su temperatura de operacin es de
85 C. Tambin ofrece una mayor resistencia a la ionizacin lo que permite usarlo
para tensiones ms altas, una gran flexibilidad y resistencia a la humedad superior
a la del hule natural. Aunque la materia prima para este tipo de aislamiento es
barato su proceso de fabricacin es elevado por lo que el precio final es costoso.
Tiene aplicaciones para corta longitud, para aplicaciones especiales.
Materiales Cermicos Empleados en Electrotecnia
Los aislantes cermicos se forman a partir de silicatos pulverizados y otros xidos y otros
xidos metlicos, y se cuecen a continuacin. Se trata de un proceso de sinterizacin. Luego
se les suele proveer de un revestimiento vitrificado para evitar la entrada de agua al
desgastarse los poros. Los materiales cermicos se clasifican en distintos grupos
subdivididos a su vez segn sus materias primas. El rasgo caracterstico que tienen en
comn todos estos materiales es que son compuestos de metales y no metales.
Los materiales cermicos se caracterizan por ser:
Duros
Muy frgiles
Resistentes a las roturas por cargas estticas
Resistente a las lejas
Resistente a los cidos
Resistente a la traccin

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MATERIALES CONDUCTORES
Un conductor se caracteriza porque no existe la banda prohibida entre la banda de
conduccin y la banda de valencia. Estas dos bandas son contiguas o se superponen. Por
este motivo los electrones requieren poca energa para pasar de Bv a Bc, Al aplicar un
campo elctrico o aumentar la temperatura del conductor los electrones adquieren la
suficiente energa para pasar a la banda de conduccin. Se deduce que el nivel de Fermi
est en la banda de conduccin.

Por otro lado, un aumento de la temperatura para facilitar el salto de los electrones y, por
tanto, aumentar la conductividad, tambin produce un incremente en la agitacin trmica de
tomos y electrones aumentando los choques entre stos, y, por tanto, aumentando la
resistividad del material. En general un buen conductor se caracteriza por poseer una
densidad alta de portadores de carga y muchos niveles ocupados en la banda de
conduccin.
Los materiales conductores pueden clasificarse en dos grupos:
Materiales de alta conductividad (baja resistividad): Corresponden materiales que se
emplean, fundamentalmente, para transportar corriente elctrica con baja prdida, por ej.
cobre, plata, aluminio y ciertas aleaciones como el bronce.
Materiales de alta resistividad (baja conductividad): Est compuesto por materiales que se
emplean, cuando se necesita producir una cada de potencial, por ej. se los emplea para la
construccin de resistores, lmparas incandescentes, etc.
Materiales Conductores de Alta Conductividad
Los materiales de alta conductividad mas tpicos son: la plata (=0,016), cobre (=0,0172 a
0,0175) y el aluminio (=0,026 a 0,028).
Plata (=0,016; =0.036): La plata es, de los materiales conocidos, el ms conductor
(un 10% ms que el cobre que ocupa el segundo lugar), pero su uso como material
elctrico es muy limitado debido a su elevado costo. Se encuentra en la naturaleza
bajo la forma de: sulfuros, cloruros o plata nativa; para obtener plata qumicamente
pura, una vez elaborada, se la refina por va generalmente electroltica.
La plata es un material muy maleable y dctil, que puede soldarse a s misma por
martilleo (batido), a una temperatura inferior a la de fusin (temperatura de fusin:
960C); su dureza no es muy elevada, y se haya comprendida entre la del oro y el
cobre. Como material conductor se emplea: en fusibles (para cortocircuitos elctricos),
fundamentalmente por su alta conductividad, su inoxibilidad y su precisin para la
fusin; en contactos de interruptores o relevadores para bajas intensidades, por su

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alta conductividad elctrica y trmica; en instrumentos mdico elctricos
(termocauterio); etc.
Cobre (=0,0720,0175; =0,0036): El cobre es el material de uso mas generalizado
como conductor elctrico, debido a su conductividad elevada y a su costo moderado.
Es un elemento muy difundido en la naturaleza, corrientemente se encuentra bajo la
forma de: sulfuros, xidos o carbonatos, excepcionalmente como cobre nativo (USA).
El cobre puro (cobre electroltico), se obtiene por refinado electroltico. El cobre es un
metal altamente maleable y dctil, que puede ser fundido, forjado, laminado, estirado y
trabajado. El trabajo mecnico lo endurece, pero el recocido lo devuelve a su estado
dulce. Tiene una elevada resistencia a la traccin, una gran estabilidad a la corrosin, y
es fcil de estaar y de soldar. Con el objeto de mejorar las cualidades mecnicas del
cobre, se le adicionan otros elementos formando aleaciones, como el bronce y el latn.
El Bronce es una aleacin de cobre y estao (generalmente con un 80% a un 95% de
Cu), que se caracteriza por su tenacidad y dureza). Suele usarse como conductor
elctrico, pese a que su conductividad elctrica es inferior a la del cobre. Los bronces
modernos, son frecuentemente aleaciones ternarias o cuaternarias (otros elementos
componentes de la aleacin suelen ser: el fsforo, el silicio, el magnesio, el berilio, el
cadmio, etc.); algunos bronces llevan el nombre del elemento que se les adiciona
(ejemplo: bronce fosforoso, bronce al silicio, etc.).

El latn es una aleacin de cobre (50% a 70%) y zinc (30% a 50%), a los que se les
agrega, a veces, otros materiales (estao, plomo, hierro), pero en pequeas
cantidades. Se caracteriza por la facilidad con que puede ser estirado y estampado y
se usa como material conductor, pese a que su conductividad elctrica es inferior a la
del cobre. Cuando se requieren conductores de elevada resistencia mecnica, se
suelen utilizar el hierro o el acero, recubiertos de una pelcula protectora y muy
conductora de cobre; poseen como ventaja la gran resistencia propia del hierro o el
acero, combinada con la elevada conductividad del cobre. Ejemplo:
CopperWeld.

Aluminio (=0,0260,028; =0,004030,00429): El aluminio ocupa el tercer lugar por
su conductividad, despus de la plata y el cobre. La conductividad del aluminio es slo
un 63% de la conductividad del cobre, pero a igualdad de longitud y peso tiene el doble
de conductancia. Se lo obtiene de la bauxita, mineral abundante y muy distribuido en el
globo. El aluminio es un material ms blando que el cobre. Su resistencia a la traccin
es mucho menor, y su soldadura presenta dificultades, pero es un material dctil que
puede ser trabajado fcilmente por laminado, estirado, hilado, extrusin y forjado. Est
siempre cubierto por una capa delgada e invisible de xido, que es impermeable y
protectora. El aluminio expuesto a la atmsfera ordinaria, tiene estabilidad y larga vida.
Para aumentar su resistencia mecnica se le agrega silicio, magnesio, hierro, etc.,
obtenindose diversas variaciones de uso elctrico. Ejemplo: almenec, aldrey, etc.

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Materiales Conductores de Alta Resistividad
Este grupo est compuesto de aleaciones de alta resistividad. Estas aleaciones tienen
composiciones muy variadas y se encuentran en el mercado bajo distintas denominaciones.
Los principales elementos empleados en estas aleaciones son: cobre, cromo, hierro, nquel,
manganeso, aluminio, zinc, silicio, etc.
Las principales aleaciones de alta resistividad son:
Aleaciones de cobre y nquel: Son aleaciones que poseen coeficientes de resistividad
relativamente bajos respecto a otras aleaciones (alrededor de 0,5 Wmm/m).
Una aleacin de este tipo es el constantn (60%cobre 40%nquel). Esta aleacin
tiene una elevada f.e.m. respecto al cobre, por lo que no es adecuada para
instrumentos de medida de precisin, pese a tener un bajo coeficiente de temperatura.
Aadiendo zinc a la aleacin cobrenquel, se obtiene el argentan que tiene
0,37Wmm/m, y un elevado coeficiente de temperatura.
Con la adicin de manganeso, se obtiene la niquelina (67%Cu31%Ni2%Mn
aproximadamente), que tiene 0,40Wmm/m y coeficiente de temperatura y
f.e.m. respecto al Cu, prcticamente despreciables, por lo que se emplean en los
instrumentos de precisin.

Aleaciones de nquel y cromo: Son aleaciones que poseen coeficientes de resistividad
ms elevados (alrededor de 1Wmm/m), coeficientes de temperatura bajos y
pequeas f.e.m. con respecto al Cu. Son aleaciones adecuadas para trabajar a
temperaturas elevadas (1.000C o algo mas), pues el conductor se recubre de una
capa de xido que lo protege del ulterior ataque del oxgeno.
Las aleaciones nquelcromo se encuentran en el mercado con distintas

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denominaciones comerciales. Con la adicin de hierro, se obtiene un aumento de la
resistividad y menor costo, pero los conductores no son aptos para trabajar a
temperaturas superiores a los 800C, y a veces presentan fenmenos de oxidacin.
Para temperaturas de hasta 1.350C se fabrican aleaciones de hierro, aluminio, cromo
y cobalto (kanthal).
Caracterstica y Clasificacin de las Aleaciones de Alta Resistividad
En general, las caractersticas ms importantes a tener en cuenta en las aleaciones de alta
resistividad son:
Alta resistividad.
Bajo coeficiente trmico de resistividad.
Resistencia a la corrosin.
Constancia en el tiempo.
Pequea fuerza termoelectromotriz con respecto al cobre.
Alto punto de fusin.
Ductibilidad, maleabilidad y soldabilidad.

La importancia de cada una de estas caractersticas vara segn el uso al
que est destinada la aleacin. Las aleaciones de alta resistividad suelen agruparse en tres
clases:
Clase A: Aleaciones para resistores de precisin (cajas de resistencia, resistores
patrones, etc.).
A las aleaciones de clase A, Ej.: Manganita (84%Cu 12%Mg 4%Ni), se les exige:
Alta resistividad.
Pequea fuerza termoelectromotriz, con otros metales (sobre todo cobre).
Coeficiente trmico de resistividad prximo a cero.
Constancia en el tiempo.
Alta estabilidad contra la corrosin.

Clase B: Aleaciones para resistores comunes (resistores y restatos).
A las aleaciones de clase B, Ej.: Constantn (CuNi) y Niquelina (CuNiMg) y en
general aleaciones a base de cobre, se les exige fundamentalmente:
Alta resistividad.
Poco costo.
Pequeo coeficiente trmico de resistividad.

Clase C: Aleaciones para elementos electrotrmicos (hornos, etc.).

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A las aleaciones de clase C, Ej.: Nicromo (NiCr), ferronicromo, aleacin ferrocromo
aluminio, cromal (CrAl), kanthal (FeCrAlCo), se les exige fundamentalmente:
Alta resistividad
Poco costo
Resistencia mecnica
Elevado punto de fusin
Resistencia a la oxidacin y corrosin.
Este ltimo grupo suele subdividirse, segn la temperatura mxima de uso, en
subclases:
Subclases C1: temperatura mxima 350C
Cabe recordar que en atmsferas sulfurosas no se deben emplear las aleaciones con Ni
para evitar la corrosin.

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MATERIALES SEMICONDUCTORES

Los semiconductores son materiales cuya conductividad vara con la temperatura, pudiendo
comportarse como conductores o como aislantes. Resulta que se desean variaciones de la
conductividad no con la temperatura sino controlables elctricamente por el hombre.

Para conseguir esto, se introducen tomos de otros elementos en el semiconductor. Estos
tomos se llaman impurezas y tras su introduccin, el material semiconductor presenta una
conductividad controlable elctricamente. Existen dos tipos de impurezas, las P y las N, que
cambian la conductividad del silicio y determinan el tipo de cristal a fabricar. Por tanto, como
hay dos tipos de impurezas habr dos tipos fundamentales de cristales, cristales de
impurezas P y cristales de impurezas tipo N.

El material semiconductor ms utilizado es el Silicio (Si), pero hay otros semiconductores
como el Germanio (Ge) que tambin son usados en la fabricacin de circuitos. El silicio est
presente de manera natural en la arena por lo que se encuentra con abundancia en la
naturaleza. Adems, el Si presenta propiedades mecnicas y elctricas buenas. Su
purificacin es relativamente sencilla (llegndose a Si puro del 99,99999%) y el Si se presta
fcilmente a ser oxidado, formndose SiO2 y constituyendo un aislante que se utiliza en
todos los transistores de la tecnologa CMOS.

Semiconductores Intrnsecos: En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de
electrones y huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por
accin de la energa trmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo
tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero

Semiconductores Extrnsecos: Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le
aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes,
el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las
impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente
tomo de silicio.

Cristal De Silicio Puro

Se denomina semiconductor puro aqul en que los tomos que lo constituyen son todos del
mismo tipo, es decir no tiene ninguna clase de impureza. La disposicin esquemtica de los
tomos para un semiconductor de silicio podemos observarla en la figura, Las regiones
sombreadas representan la carga positiva neta de los ncleos y los puntos negros son los
electrones, menos unidos a los mismos. La fuerza que mantiene unidos a los tomos entre s
es el resultado del hecho de que los electrones de conduccin de cada uno de ellos, son
compartidos por los cuatro tomos vecinos. A temperaturas bajas la estructura normal es la
que se muestra en la figura en la cual no se observa ningn electrn ni hueco libre y por
tanto el semiconductor se comporta como un aislante.

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Conduccin del Cristal de Silicio Puro

A la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones entre los tomos
se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como consecuencia de ello algunos
de los electrones pasan a ser libres. En la figura siguiente se representa esta situacin. La
ausencia del electrn que perteneca a la unin de dos tomos de silicio se representa por un
crculo. Cuando un electrn puede vencer la fuerza que le mantiene ligado al ncleo y por
tanto abandona su posicin, aparece un hueco, y le resulta relativamente fcil al electrn del
tomo vecino dejar su lugar para llenar este hueco. Este electrn que deja su sitio para llenar
un hueco, deja a su vez otro hueco en su posicin inicial, De esta manera el hueco
contribuye a la corriente lo mismo que el electrn, con una trayectoria de sentido opuesto a la
de ste.

2. Cmo se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P? Qu cualidades o caractersticas
adquiere este material con respecto al semiconductor puro?

2.1. Cristal Tipo N. Conduccin

Es el que est impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas
pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n,
reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les
denomina "portadores minoritarios". Al aplicar una tensin al semiconductor de la figura,
los electrones libres dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos
lo hacen hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de
los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco.
Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del cristal, donde
entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batera. El nmero de electrones libres
se llama n (electrones libres/m3).

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2.2. Cristal Tipo P. Conduccin
Es el que est impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes.
Como el nmero de huecos supera el nmero de electrones libres, los huecos son los
portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios. Al aplicarse una
tensin, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la
derecha. En la figura, los huecos que llegan al extremo derecho del cristal se recombinan
con los electrones libres del circuito externo.

En el circuito hay tambin un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres dentro
del semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores
minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito. Hay tantos huecos como
impurezas de valencia 3 y sigue habiendo huecos de generacin trmica (muy pocos). El
nmero de huecos se llama p (huecos/m3).

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3. Consulte sobre otros tipos de diodos, diferentes al rectificador, el LED, el zner y el
fotodiodo.

Tipos de diodos

Existen varios tipos de diodos, este tipo de componente lo encontramos en todos los
aparatos electrnicos, ya que es un componente de importancia. Aqu se resaltan los ms
usados:

3.1. Diodos Rectificadores: Los diodos rectificadores son los que en principio mas se
conocen, facilitan el paso de la corriente continua en un slo sentido (polarizacin
directa), si se hace circular corriente alterna a travs de un diodo rectificador esta
solo lo har en la mitad de los semiciclos, aquellos que polaricen directamente el
diodo, por lo que a la salida del mismo se obtiene una seal de tipo pulsatoria pero
continua. Se conoce por seal o tensin continua que no vara su polaridad.

3.2. Diodos de Tratamiento de Seal (Rf): Los diodos de tratamiento de seal
necesitan algo ms de calidad de fabricacin que los rectificadores. Estos diodos
estn destinados a formar parte de etapas moduladoras, demoduladoras, mezcla y
limitacin de seales, etc. Uno de los puntos ms crticos en el diodo, al momento
de trabajar con media y alta frecuencia, se encuentra en la "capacidad de unin",
misma que se debe a que en la zona de la Unin PN se forman dos capas de carga
de sentido opuesto que conforman una capacidad real. En los diodos de RF (radio
frecuencia) se intenta que dicha capacidad sea reducida a su mnima expresin, lo
cual ayudar a que el diodo conserve todas sus habilidades rectidficadoras, incluso
cuando trabaje en altas frecuencias. Entre los diodos ms preparados para lidiar
con las altas frecuencias destaca el diodo denominado Schottky. Este diodo fue
desarrollado a principio de los sesenta por la firma Hewletty, deriva de los diodos de
punta de contacto y de los de unin PN de los que han heredado el procedimiento
de fabricacin.

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3.3. Diodos de Capacidad Variable (Varicap): La capacidad formada en los extremos
de la unin PN puede resultar de gran utilidad cuando, al contrario de lo que ocurre
con los diodos de RF, se busca precisamente utilizar dicha capacidad en provecho
del circuito en el cual se est utilizando el diodo. Al polarizar un diodo de forma
directa se observa que, adems de las zonas constitutivas de la capacidad
buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo valor hmico,
lo que conforma un capacitor de elevadas prdidas. Sin embargo, si se polariza el
mismo, en sentido inverso la resistencia en paralelo que aparece es de un valor
muy alto, lo cual hace que el diodo se pueda comportar como un capacitor con muy
bajas prdidas. Si se aumenta la tensin de polarizacin inversa las capas de carga
del diodo se esparcan lo suficiente para que el efecto se asemeje a una
disminucin de la capacidad del hipottico capacitor (el mismo efecto producido al
distanciar las placas de un capacitor estndar). Por esta razn se puede terminar
diciendo que los diodos de capacidad variable, ms conocidos como varicap's,
varan su capacidad interna al ser alterado el valor de la tensin que los polariza de
forma inversa. La utilizacin ms solicitada para este tipo de diodos suele ser la de
sustituir a complejos sistemas mecnicos de capacitor variable en etapas de
sintona en todo tipo de equipos de emisin y recepcin, ejemplo, cuando
cambiamos la sintona de un receptor antiguo, se vara mecnicamente el eje de un
capacitor variable en la etapa de sintona; pero si por el contrario, pulsamos un
botn de sintona de un receptor de televisin moderno, lo que hacemos es variar la
tensin de polarizacin de un diodo varicap que se encuentra en el mdulo
sintonizador del TV.

3.4. Diodo Zener: Cuando se estudian los diodos se recalca sobre la diferencia que
existe en la grfica con respecto a la corriente directa e inversa. Si se polariza
inversamente un diodo estndar y aumentamos la tensin llega un momento en que

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se origina un fuerte paso de corriente que lleva al diodo a su destruccin. Este
punto se da por la tensin de ruptura del diodo. Se puede conseguir controlar este
fenmeno y aprovecharlo, de tal manera que no se origine la destruccin del diodo.
Lo que tenemos que hacer el que este fenmeno se d dentro de mrgenes que se
puedan controlar. El diodo zener es capaz de trabajar en la regin en la que se da
el efecto del mismo nombre cuando las condiciones de polarizacin as lo
determinen y volver a comportarse como un diodo estndar toda vez que la
polarizacin retorne a su zona de trabajo normal. En resumen, el diodo zener se
comporta como un diodo normal, a no ser que alcance la tensin zener para la que
ha sido fabricado, momento en que dejar pasar a travs de l una cantidad
determinada de corriente. Este efecto se produce en todo tipo de circuitos
reguladores, limitadores y recortadores de tensin.

3.5. Fotodiodos: Algo que se ha utilizado en favor de la tcnica electrnica moderna es
la influencia de la energa luminosa en la ruptura de los enlaces de electrones
situados en el seno constitutivo de un diodo. Los fotodiodos no son diodos en los
cuales se ha optimizado el proceso de componentes y forma de fabricacin de
modo que la influencia luminosa sobre su conduccin sea la mxima posible. Esto
se obtiene, por ejemplo, con fotodiodos de silicio en el mbito de la luz
incandescente y con fotodiodos de germanio en zonas de influencia de luz
infrarroja.

3.6. Diodos Led (luminiscentes): Este tipo de diodos es muy popular, sino, veamos
cualquier equipo electrnico y veremos por lo menos 1 ms diodos led. Podemos
encontrarlos en diferentes formas, tamaos y colores diferentes. La forma de operar
de un led se basa en la recombinacin de portadores mayoritarios en la capa de
barrera cuando se polariza una unin Pn en sentido directo. En cada recombinacin
de un electrn con un hueco se libera cierta energa. Esta energa, en el caso de

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determinados semiconductores, se irradia en forma de luz, en otros se hace de
forma trmica. Dichas radiaciones son bsicamente monocromticas (sin color). Por
un mtodo de "dopado" del material semiconductor se puede afectar la energa de
radiacin del diodo. El nombre de LED se debe a su abreviatura en ingles (Light
Emmiting Diode). Adems de los diodos led existen otros diodos con diferente
emisin, como la infrarroja, y que responden a la denominacin IRED (Diodo emisor
de infra-rojos).

3.7. Diodo avalancha: Diodos que conducen en direccin contraria cuando el voltaje en
inverso supera el voltaje de ruptura. Elctricamente son similares a los diodos
Zener, pero funciona bajo otro fenmeno, el efecto avalancha. Esto sucede cuando
el campo elctrico inverso que atraviesa la unin p-n produce una onda de
ionizacin, similar a una avalancha, produciendo una corriente. Los diodos
avalancha estn diseados para operar en un voltaje inverso definido sin que se
destruya. La diferencia entre el diodo avalancha (el cual tiene un voltaje de reversa
de aproximadamente 6.2V) y el diodo zener es que el ancho del canal del primero
excede la "libre asociacin" de los electrones, por lo que se producen colisiones
entre ellos en el camino. La nica diferencia prctica es que los dos tienen
coeficientes de temperatura de polaridades opuestas.

3.8. Diodo de Silicio: Suelen tener un tamao milimtrico y, alineados, constituyen
detectores multicanal que permiten obtener espectros en milisegundos. Son menos
sensibles que los fotomultiplicadores. Es un semiconductor de tipo p (con huecos)
en contacto con un semiconductor de tipo n (electrones). La radiacin comunica la
energa para liberar los electrones que se desplazan hacia los huecos,
estableciendo una corriente elctrica proporcional a la potencia radiante.

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3.9. Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de contacto. El diodo cristal consiste de un
cable de metal afilado presionado contra un cristal semiconductor, generalmente
galena o de una parte de carbn. El cable forma el nodo y el cristal forma el
ctodo. Los diodos de cristal tienen una gran aplicacin en los radio a galena. Los
diodos de cristal estn obsoletos, pero puede conseguirse todava de algunos
fabricantes.

3.10. Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con su compuerta
conectada a la fuente, y funciona como un limitador de corriente de dos terminales
anlogo al diodo Zener, el cual limita el voltaje. Ellos permiten una corriente a travs
de ellos para alcanzar un valor adecuado y as estabilizarse en un valor especfico.
Tambin suele llamarse CLDs (por sus siglas en ingls) o diodo regulador de
corriente.

3.11. Diodo tnel o Esaki: Tienen una regin de operacin que produce una resistencia
negativa debido al efecto tnel, permitiendo amplificar seales y circuitos muy
simples que poseen dos estados. Debido a la alta concentracin de carga, los
diodos tnel son muy rpidos, pueden usarse en temperaturas muy bajas, campos
magnticos de gran magnitud y en entornos con radiacin alta. Por estas
propiedades, suelen usarse en viajes espaciales.

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3.12. Diodo Gunn: Similar al diodo tnel son construidos de materiales como GaAs o InP
que produce una resistencia negativa. Bajo condiciones apropiadas, las formas de
dominio del dipolo y propagacin a travs del diodo, permitiendo osciladores de
ondas microondas de alta frecuencia.

3.13. Diodo lser: Cuando la estructura de un LED se introduce en una cavidad
resonante formada al pulir las caras de los extremos, se puede formar un lser. Los
diodos lser se usan frecuentemente en dispositivos de almacenamiento pticos y
para la comunicacin ptica de alta velocidad.

3.14. Diodo trmico: Este trmino tambin se usa para los diodos convencionales
usados para monitorear la temperatura a la variacin de voltaje con la temperatura,
y para refrigeradores termoelctricos para la refrigeracin termoelctrica. Los
refrigeradores termoelctricos se hacen de semiconductores, aunque ellos no
tienen ninguna unin de rectificacin, aprovechan el comportamiento distinto de
portadores de carga de los semiconductores tipo P y N para transportar el calor.

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3.15. Diodo con puntas de contacto: Funcionan igual que los diodos semiconductores
de unin mencionados anteriormente aunque su construccin es ms simple. Se
fabrica una seccin de semiconductor tipo n, y se hace un conductor de punta
aguda con un metal del grupo 3 de manera que haga contacto con el
semiconductor. Algo del metal migra hacia el semiconductor para hacer una
pequea regin de tipo p cerca del contacto. El muy usado 1N34 (de fabricacin
alemana) an se usa en receptores de radio como un detector y ocasionalmente en
dispositivos analgicos especializados.

3.16. Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una seccin central sin doparse o en otras palabras
una capa intrnseca formando una estructura p-intrinseca-n. Son usados como
interruptores de alta frecuencia y atenuadores. Tambin son usados como
detectores de radiacin ionizante de gran volumen y como fotodetectores. Los
diodos PIN tambin se usan en la electrnica de potencia y su capa central puede
soportar altos voltajes. Adems, la estructura del PIN puede encontrarse en
dispositivos semiconductores de potencia, tales como IGBTs, MOSFETs de
potencia y tiristores.

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3.17. Diodo Schottky: El diodo Schottky estn construidos de un metal a un contacto de
semiconductor. Tiene una tensin de ruptura mucho menor que los diodos pn. Su
tensin de ruptura en corrientes de 1mA est en el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual
los hace tiles en aplicaciones de fijacin y prevencin de saturacin en un
transistor. Tambin se pueden usar como rectificadores con bajas prdidas aunque
su corriente de fuga es mucho ms alta que la de otros diodos. Los diodos Schottky
son portadores de carga mayoritarios por lo que no sufren de problemas de
almacenamiento de los portadores de carga minoritarios que ralentizan la mayora
de los dems diodos (por lo que este tipo de diodos tiene una recuperacin inversa
ms rpida que los diodos de unin pn. Tienden a tener una capacitancia de unin
mucho ms baja que los diodos pn que funcionan como interruptores veloces y se
usan para circuitos de alta velocidad como fuentes conmutadas, mezclador de
frecuencias y detectores.

3.18. Stabistor: El stabistor (tambin llamado Diodo de Referencia en Directa) es un tipo
especial de diodo de silicio cuyas caractersticas de tensin en directa son
extremadamente estables. Estos dispositivos estn diseados especialmente para
aplicaciones de estabilizacin en bajas tensiones donde se requiera mantener la
tensin muy estable dentro de un amplio rango de corriente y temperatura.

4. Cuales son las principales caractersticas y diferencias existentes entre un transistor NPN
y uno PNP.

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La
denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar al desplazamiento de

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portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran
utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su
impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores ms
conocidos y se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas
aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de
unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento
normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en
inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es
muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y
estado de actividad.

4.1. Estructura

Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la
regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un
transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal,
denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede
apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor.

La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de
material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la

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regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de
la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque
mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran .

El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un
dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que
el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso.
Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para
funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de
y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en
modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de
simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El
emisor est altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado,
permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-
base antes de que esta colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa
durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es
para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores
inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran
ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor
deben provenir del emisor. El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales
muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseados
simtricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo
activo y modo inverso. Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales
base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie
significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de
entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por
tensin, pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas
por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base.

Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT
modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los
transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio,
especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.

4.2. Funcionamiento

En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base-
colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico
que existe entre la base y el colector.

Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la

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unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo,
cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los
portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada
se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la
regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta
concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al
colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que
la base est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores
mayoritarios en la base.

La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser
menor al ancho de difusin de los electrones.

Control de tensin, carga y corriente: La corriente colector-emisor puede ser vista como
controlada por la corriente base-emisor (control de corriente), o por la tensin base-
emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-corriente de la unin base-
emisor, la cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir,
un diodo).

4.3. NPN

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a
que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los
transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base")
entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en
configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector. La flecha en el
smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la
que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

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4.4. PNP

El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a
las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores
usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la
mayora de las circunstancias. Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP
son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal
positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una
pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor
circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP est en el terminal
del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo est en funcionamiento activo

5. Cul es la importancia de los elementos semiconductores en el actual desarrollo
tecnolgico?
Los semiconductores son uno de los adelantos tecnolgicos que ms relevancia han
tenido en el siglo pasado principalmente por haber permitido un desarrollo extremo de la
electrnica general. Su antecesor, el tubo termoinico o vlvula de vaco es un dispositivo
caro, grande, frgil, lento y que requiere un consumo de potencia no despreciable slo
para hacerlo funcionar. Con l nunca se hubiesen podido alcanzar niveles que a da de
hoy nos parecen de lo ms normal como integrar decenas de millones de transistores en
el tamao de una ua, y esto se debe al bajo precio, reducido tamao y bajo consumo
que permite la tecnologa de los semiconductores. En el diseo electrnico siempre
existen fenmenos que alejan a los componentes de su comportamiento terico, se
suelen denominar efectos parsitos y no es posible sacar el mximo partido de un diseo
sin conocerlos. Incluso en el campo digital, la implementacin est sujeta a fenmenos
analgicos que si no se tienen en cuenta impedirn un correcto funcionamiento. Conocer
los mecanismos fsicos de los semiconductores y su construccin interna permite
comprender por qu suceden las cosas, y estas cosas pueden ser fenmenos de
segundo orden, como la no linealidad de la capacidad parsita, o de vital importancia
como la tensin de ruptura en inversa de un diodo. Permite saber qu componente ser el
ptimo en cada caso, porque no es lo mismo usar un mosfet que un BJT en un circuito de
bajo ruido. Tambin permite comprender qu variacin supondrn fenmenos externos
como temperatura, radiacin, luz... en ellos.

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FASE 2
Simulacin de Circuitos Electrnicos:

5.1. Polarizacin del Diodo Comn.
Circuito del Diodo

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Polarizacin del Diodo

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Explicacin de la Actividad

Con el primer circuito el diodo se polariza en directo, y por eso se observa que el diodo se
pone de color rojo, en el cual hay presencia de voltaje en la resistencia con el paso de la
corriente y el voltaje en la resistencia es el producto de la intensidad por resistencia. Con el
segundo circuito el diodo esta polarizado inversamente, ya que el nodo tiene un voltaje ms
negativo que el ctodo, lo que ocasiona que no haya paso de corriente, entonces como la
corriente es cero, el voltaje en la resistencia es cero.

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5.2. Aplicacin del Diodo como Rectificador.

a. Rectificador de Media Onda

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Grafica del Rectificador de Media Onda

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Explicacin de la Actividad.

Con el rectificador de media onda en la resistencia solo se ve la mitad de la seal de voltaje
total, en el grafico es posible observar que en el semiciclo positivo (polarizacin directa), la
tensin sobre la resistencia sigue a la seal de la fuente, mientras que en el semiciclo
negativo (polarizacin inversa) la tensin sobre la resistencia es nula, se recorta la seal
debido a que el diodo no permite el flujo de corriente.

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b. Rectificador de Onda Completa con Puente de Graetz

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Grafica Rectificador con Puente de Graetz

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Explicacin de la Actividad.

En la figura se observa que se obtienen semiciclos positivos de tensin sobre la resistencia
tanto cuando la fuente est en su semiciclos positivo o negativo. En la grafica se observa que
la base de estos semiciclos es aproximadamente una constante. Teniendo la conduccin de
los diodos en tiempos diferentes, la seal de alimentacin se hace en los dos polos.

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5.3. Aplicacin del Transistor como Amplificador.
Transistor

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Grafica del Transistor

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CONCLUSIONES

Con esta actividad se pudo poner en prctica las caractersticas de los diodos y como vara
su funcionamiento de acuerdo al tipo polarizacin que se utilice en ellos.

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BIBLIOGRAFIA

Tllez Acua Fredy Reynaldo. (2008). Mdulo Fsica Electrnica. Bogot. UNAD.
Tllez Acua Fredy Reynaldo. (2008). Protocolo Fsica Electrnica. Bogot. UNAD.
Galindo C. Jairo Alberto. Normas APA.
Software Electronics Workbench.
http://www.pcpaudio.com/pcpfiles/doc_amplificadores/semiconductores/semiconductores.html
http://html.rincondelvago.com/conductores-semiconductores-y-aislantes.html
http://diego-electronicabasica.blogspot.com/2009/02/materiales-conductoressemiconductores.html
http://www.asifunciona.com/electrotecnia/ke_conductores/ke_conductor_3.htm
http://www.ayudaelectronica.com/

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