Praa Expedicionrio Assuno, 168 Bairro Centro

Nova Lima MG CEP: 34.000-000

Telefone: (31) 3541-2666


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SENAI Servio Nacional de Aprendizagem
Industrial
Centro de Formao Profissional
AFONSO GRECO





Presidente da FIEMG
Olavo Machado

Gestor do SENAI
Petrnio Machado Zica

Diretor Regional do SENAI e
Superintendente de Conhecimento e Tecnologia
Lcio Sampaio

Gerente de Educao e Tecnologia
Edmar Fernando de Alcntara
























Sumrio



PRESIDENTE DA FIEMG .................................................................................................................... 2
APRESENTAO .............................................................................................................................. 6
INTRODUO .................................................................................................................................... 7
FSICA DOS SEMICONDUTORES .................................................................................................... 8
ESTRUTURA ATMICA ........................................................................................................................ 8
CRISTAIS .......................................................................................................................................... 9
DOPAGEM ....................................................................................................................................... 10
DIODOS ............................................................................................................................................ 13
POLARIZAES DO DIODO ................................................................................................................ 13
COMPONENTES LINEARES ................................................................................................................ 14
CARACTERSTICAS DOS DIODOS ....................................................................................................... 14
LINHAS DE CARGA ........................................................................................................................... 16
APROXIMAES DO DIODO ............................................................................................................... 16
TESTE ESTTICO DO DIODO.............................................................................................................. 17
CIRCUITOS COM DIODOS .............................................................................................................. 18
LIMITADOR ...................................................................................................................................... 18
ASSOCIAO DE IIMITADORES .......................................................................................................... 19
GRAMPEADOR DE CC ...................................................................................................................... 19
DETETOR DE PICO A PICO ................................................................................................................ 19
OUTROS TIPOS DE DIODOS .......................................................................................................... 20
DIODO EMISSOR DE LUZ (LED) ........................................................................................................ 20
INDICADOR DE SETE SEGMENTOS ..................................................................................................... 21
FOTODIODO .................................................................................................................................... 21
OPTOACOPLADOR COM FOTODIODO ................................................................................................. 22
DIODO SCHOTTKY ........................................................................................................................... 22
VARACTOR ..................................................................................................................................... 23
DIODOS DE CORRENTE CONSTANTE.................................................................................................. 24
DIODOS DE RECUPERAO EM DEGRAU ............................................................................................ 24
DIODOS DE RETAGUARDA ................................................................................................................ 25
DIODO TNEL .................................................................................................................................. 26
VARISTORES ................................................................................................................................... 26
LDR - LIGHT DEPENDENT RESISTOR (RESISTOR DEPENDENTE DE LUZ) .............................................. 27
TERMISTORES ................................................................................................................................. 27



CIRCUITOS RETIFICADORES ........................................................................................................ 29
RETIFICADOR DE MEIA ONDA (RMO) ................................................................................................ 29
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA(CONVENCIONAL ROC) ..................................................... 31
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE(RCOP) ...................................................................... 33
FILTROS EM FONTES DE ALIMENTAO ............................................................................................. 33
RETIFICADOR DE MEIA ONDA COM FILTRO ......................................................................................... 34
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA COM FILTRO A CAPACITOR. ........................................................... 35
RETIFICADOR EM PONTE COM FILTRO A CAPACITOR ........................................................................... 35
O DIODO ZENER ............................................................................................................................. 37
REGULAO DE TENSO .................................................................................................................. 38
O REGULADOR ZENER ..................................................................................................................... 39
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO (TBJ) ................................................................................. 41
ESTRUTURA FSICA .......................................................................................................................... 41
SMBOLOS DOS TRANSISTORES NPN E PNP ..................................................................................... 45
CONEXES DO TRANSISTOR BIPOLAR ............................................................................................... 46
CARACTERSTICAS ELTRICAS DO TRANSISTOR ................................................................................. 49
ESPECIFICAES DE UM TBJ ........................................................................................................... 52
O MODO DE OPERAO COMO CHAVE ............................................................................................... 53
RETA DE CARGA CC PARA CIRCUITOS TRANSISTORIZADOS ................................................................ 54
OUTROS TRANSISTORES ESPECIAIS .................................................................................................. 59
POLARIZAO DO TRANSISTOR BIPOLAR ........................................................................................... 61
REGULADORES DE TENSO ........................................................................................................ 71
REGULADOR SHUNT OU PARALELO ................................................................................................... 71
REGULADOR SRIE .......................................................................................................................... 71
REGULADOR COM REALIMENTAO DA TENSO ................................................................................ 72
LIMITAO DE CORRENTE ................................................................................................................ 73
REGULAO DE TENSO .................................................................................................................. 74
REGULADORES MONOLTICOS .......................................................................................................... 74
AMPLIFICADORES DE POTNCIA EM UDIO ............................................................................. 78
CLASSE A ....................................................................................................................................... 78
CLASSE B ....................................................................................................................................... 84
AMPLIFICADOR PUSH PUII ................................................................................................................ 85
AMPLIFICADOR PUSH PULL CLASSE B POLARIZADO OU CLASSE AB ..................................................... 87
DISSIPADORES DE CALOR ................................................................................................................ 90
TRANSISTOR DE JUNO POR EFEITO DE CAMPO (JFET OU FET) ...................................... 91
COMPARAO ENTRE FET E TRANSISTOR BIPOLAR ........................................................................... 91
TIPOS DE FET ................................................................................................................................ 91



TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE JUNO (JFET) ..................................................................... 91
APLICAES DO JFET COMO CHAVE ................................................................................................ 97
FET DE XIDO METLICO (OU DE PORTA ISOLADA) - MOSFET DEFINIES TEIS .............................. 98
IGBT (!NSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR) ............................................................................. 106
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS .............................................................................................. 111


















Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 6/111
Apresentao



Muda a forma de trabalhar, agir, sentir, pensar na chamada sociedade do
conhecimento.
Peter Drucker



O ingresso na sociedade da informao exige mudanas profundas em todos os
perfis profissionais, especialmente naqueles diretamente envolvidos na produo,
coleta, disseminao e uso da informao.

O SENAI, maior rede privada de educao profissional do pas,sabe disso , e
,consciente do seu papel formativo , educa o trabalhador sob a gide do conceito
da competncia: formar o profissional com responsabilidade no processo
produtivo, com iniciativa na resoluo de problemas, com conhecimentos
tcnicos aprofundados, flexibilidade e criatividade, empreendedorismo e
conscincia da necessidade de educao continuada.

Vivemos numa sociedade da informao. O conhecimento , na sua rea
tecnolgica, amplia-se e se multiplica a cada dia. Uma constante atualizao se
faz necessria. Para o SENAI, cuidar do seu acervo bibliogrfico, da sua infovia,
da conexo de suas escolas rede mundial de informaes internet- to
importante quanto zelar pela produo de material didtico.


Isto porque, nos embates dirios,instrutores e alunos , nas diversas oficinas e
laboratrios do SENAI, fazem com que as informaes, contidas nos materiais
didticos, tomem sentido e se concretizem em mltiplos conhecimentos.

O SENAI deseja , por meio dos diversos materiais didticos, aguar a sua
curiosidade, responder s suas demandas de informaes e construir links entre
os diversos conhecimentos, to importantes para sua formao continuada !

Gerncia de Educao e Tecnologia










Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 7/111
Introduo
Este estudo tem como objetivo diferenciar alguns dos mais variados tipos de
componentes eletrnicos, concebidos a partir de semicondutores, apontando
caractersticas fsicas e construtivas dos mesmos. Analisaremos tambm o
funcionamento eletroeletrnico destes, a fim de que possamos entender com mais
clareza e objetividade o funcionamento de diversos circuitos que empregam tais
componentes.

Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 8/111
Fsica dos semicondutores
Estrutura atmica
Sob o ponto de vista da fsica, sabemos que os corpos, constitudos de
diversos tipos de matria, podem ser divididos em partes menores. A menor
poro da matria a molcula, que, por sua vez, pode ser dividida em partes
ainda menores, denominados tomos. A estrutura atmica de diversos tipos de
materiais pode ser estudada detalhadamente pela qumica, no constituindo,
entretanto, papel relevante em nosso estudo. Contudo, de fundamental
importncia entendermos a estrutura do tomo, que mostrada abaixo pelo
modelo planificado de Bohr. Nela, podemos perceber claramente que o tomo
formado por um ncleo, contendo prtons com carga positiva e nutrons com
carga nula, e, girando em rbitas elpticas em torno desse ncleo, os eltrons com
carga negativa. (Fig. 1.1)


Nveis de energia
Cada camada ou rbita pode ser representada, em um grfico, como
sendo nveis de energia, onde os eltrons distam do ncleo raios proporcionais
fora de interao mtua entre eles e o ncleo. A figura 1.2 ilustra o que foi
descrito.

Bandas de energia
As bandas de energia so rbitas controladas por cargas de tomos
adjacentes. A banda de energia mais externa do tomo denominada banda de
valncia, local onde ocorrem as reaes qumicas. Os tomos que tm quatro
(04) eltrons na ltima camada (de valncia) so denominados semicondutores.
Podemos citar como exemplos os tomos de silcio e germnio, que tm nmero
atmico igual a 14 e 32, respectivamente.
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 9/111


Cristais
Os cristais so combinaes de tomos iguais, por exemplo de silcio, unidos
atravs de ligaes covalentes, conforme a figura 1.4.

Lacuna
Denomina-se lacuna o buraco que fica quando um eltron de valncia
levado, por meio de uma energia externa, a um nvel mais alto. Considerando
este fato, podemos afirmar que a lacuna age como uma carga positiva, pois
significa ausncia de eltron.
Conduo em cristais
Em uma rede cristalina, temperatura zero absoluto (-273
0
C), no h fluxo de
corrente eltrica, pois os eltrons esto fortemente presos s ligaes covalentes.
A figura 1 .5 ilustra o que foi descrito.

Acima do zero absoluto, a rede cristalina recebe energia trmica, ocorrendo
quebras de ligaes covalentes. Eltrons da banda de valncia passam para a
banda de conduo, gerando pares eltrons - lacunas. Com o aumento da
temperatura tem-se mais eltrons na banda de conduo. (Fig. 1 .6)

O silcio no isolante nem condutor; , portanto, um semicondutor.
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 10/111
Silicio x germnio
Na temperatura ambiente, o silcio praticamente no tem eitrons livres,
comparado com o germnio. Esta a principal razo para que o si! cio tenha
maior aplicao na fabricao de dispositivos eletrnicos.
Corrente de lacunas
Um semicondutor oferece dois trajetos para a corrente: um, atravs da banda
de conduo (eltrons); e outro, atravs da banda de valncia (lacunas). Nos
condutores temos apenas corrente de eltrons, o que os diferencia dos
semicondutores. (Fig. 1.7)


Observao
Um eltron na banda de conduo gera uma lacuna na banda de valncia.
Aumentando-se o nmero de eltrons na banda de conduo, garante-se o
aumento do nmero de lacunas na banda de valncia (pares eltrons - lacunas).


Recombinao
A recombinao ocorre quando eltrons da banda de conduo se dirigem
para a banda de valncia, preenchendo uma lacuna, caso a banda de conduo
intercepte a banda de valncia de outro tomo. Assim a lacuna desaparece. O
tempo mdio entre a criao e o desaparecimento de uma lacuna de nano
segundos (ns) e microssegundos (~ts).
Dopagem
Uma rede formada por apenas um tipo de tomo semicondutor origina uma
estrutura cristalina denominada semicondutor intrseco ou cristal puro. O processo
pelo qual introduzimos tomos de impurezas num cristal, de modo a aumentar
tanto o nmero de eltrons livres quanto o de lacunas, denomina-se dopagem.
Dopagem tipo N
Significa aumentar o nmero de eltrons na banda de conduo,
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 11/111
acrescentando tomos pentavalentes (cinco eltrons na ltima camada).


Percebemos pela figura 1.9 que, com a dopagem N, obtm-se aumento no
nmero de eltrons na banda de conduo, enquanto na banda de valncia temos
apenas o surgimento de algumas lacunas, originadas pela energia trmica. Assim,
denominamos os eltrons como portadores majoritrios, e as lacunas, portadores
minoritrios. Podemos dizer, ento, que temos um semicondutor do tipo N.
Exemplo de impurezas doadoras: fsforo, antimnio, arsnio.
Dopagem tipo P
Significa aumentar o nmero de lacunas na banda de valncia, acrescentando
tomos trivalentes (trs eltrons na ltima camada).

Percebemos pela figura 1.10 que, com a dopagem P, obtm-se um
aumento no nmero de lacunas na banda de valncia em relao ao nmero de
eltrons na banda de conduo. Assim, denominamos os eltrons portadores
minoritrios, e as lacunas, portadores majoritrios. Podemos dizer, ento, que
temos um semicondutor do tipo R Exemplos de impurezas aceitadoras:
alumnio, boro, glio.
Resistncia de corpo
Resistncia de corpo a caracterstica intrnseca do semicondutor dopado. Um
semicondutor levemente dopado tem resistncia de corpo alta. Aumentando-se a
dopagem a resistncia diminui.
Diodo no polarizado (juno PN)
Podemos observar a juno de dois semicondutores, um dopado R e outro
dopado N, na figura 1.11. Prximo regio da juno ocorre o fenmeno da
recombinao, ou seja, eltrons da regio N atravessam a juno, preenchendo
as lacunas prximas desta, originando um campo eltrico que diminui esse efeito
medida que isso ocorre. Com isso, origina-se uma camada nas proximidades da
juno, que se comporta como uma barreira de potencial entre as duas regies,
denominada zona ou camada de depleo, valendo aproximadamente 0,7V para
o silcio e 0,3V para o germnio, temperatura ambiente.

Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 12/111

Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 13/111
DIODOS
Polarizaes do diodo

Existem duas formas de se polarizar um diodo:

polarizao direta;

polarizao reversa.

Polarizao direta
A partir do momento em que o valor da fonte supera a barreira de potencial, a
corrente se torna alta, tendo seu valor vinculado ao valor da fonte.

Polarizao reversa
A camada de depleo se alarga medida que aumenta a diferena de
potencial da fonte. Existe apenas uma pequena corrente de portadores
minoritrios.



Corrente de saturao (Is) - Corrente de saturao a corrente reversa
produzida por portadores minoritrios. Esta tem seu valor dobrado para cada
1000 de aumento de temperatura.

Corrente de fuga superficial (IFs) - Origina-se devido a impurezas da superfcie
criarem um caminho hmico para corrente.

Corrente reversa (IR) - Geralmente dada para uma determinada tenso reversa
(VR) e uma temperatura ambiente (
T
a)
s FS r
I I I + =
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Curso Tcnico 14/111
Exemplo
O diodo 1 N91 4 tem uma corrente reversa (IR) igual a 25nA, para uma tenso
reversa de 20V, a uma temperatura ambiente de 2500.
Tenso de ruptura (VR) - Nvel de tenso reversa para a qual o diodo conduz.
Para retificadores, V R >50V.
Avalanche - Ocorre quando, na camada de depleo, um eltron deslocado
ganha velocidade, podendo desalojar um eltron de valncia. O par de eltrons
deslocados continua ganhando velocidade, e quanto maior for a polarizao
reversa, maior ser a velocidade, desalojando mais eltrons de valncia. Devido
ao elevado nmero de eltrons livres, o diodo conduzir intensamente e ser
danificado pelo excesso de potncia dissipada.
Terminologias
A seguir temos algumas terminologias empregadas na determinao de
caractersticas eltricas de diodos, com seus respectivos significados.
VBR: Tenso de ruptura VRWM:Tenso reversa mxima de trabalho
PIV: Tenso de pico inversa PRV: Tenso reversa de pico
BV: Tenso de ruptura VRM: Tenso reversa mxima
Componentes lineares
Os componentes cujo grfico tenso x corrente origina uma reta so de-
nominados componentes lineares. O grfico 1 ilustra, com detalhes, o que foi
descrito.

Caractersticas dos diodos
Grfico do diodo
Podemos distinguir duas regies distintas no grfico 2. No primeiro quadrante,
inicialmente no h corrente fluindo pelo diodo. Aumentando-se gradativamente a
polarizao direta, atinge-se um ponto no qual o diodo inicia a conduo. Para
diodos de silcio, esta tenso de limiar de aproximadamente 0,7V, denominada
tenso de joeiho. A partir da, aumentos sucessivos na tenso de polarizao
implicam grandes variaes na corrente direta. No terceiro quadrante,
aumentando-se gradativamente a polarizao reversa, obtm-se apenas o fluxo
de uma corrente inicialmente desprezvel (corrente de fuga, da ordem de nano
ampres). Caso esta tenso atinja o valor de ruptura (dado pelo fabricante - BV),
o diodo conduzir intensamente e ser destrudo por causa da dissipao
excessiva de potncia.
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Curso Tcnico 15/111

Smbolo do diodo
A figura 2.3 ilustra o smbolo esquemtico de um diodo retificador. O lado N
chamado de ctodo e o lado P o nodo. A figura 2.4 ilustra o circuito com diodo.



Resistncia de carregamento
Abaixo de 0,7V predomina a resistncia no-linear da camada de depleo e,
em funo disso, o aumento da tenso de polarizao no provoca aumento na
corrente. Acima de 0,7V, a nica oposio corrente a resistncia linear das
regies P e N.
Especificao de potncia e de corrente
As folhas de dados dos fabricantes de diodos trazem, entre outras,
informaes dos limites mximos de dissipao de calor (potncia) e de conduo
de corrente, sendo que, uma vez desrespeitados tais limites, pode-se danificar
irreparavelmente os mesmos. A seguir apresentamos dois exemplos de
especificao de potncia e corrente de diodos:

diodo 1 N91 4, potncia mxima igual a 250mW;
diodo 1 N4002, corrente mxima igual a lA.
Classes de diodos
Os diodos so classificados, de acordo com sua potncia mxima, em diodos
de sinais, cuja potncia menor que meio Watt (1/2W), e retificadores, cuja
potncia maior que meio Watt (1/2W).
Exemplos
Diodo 1N914, pequeno sinal (0,25W).
Diodo 1 N4003, retificador (1W).
Resstor limitador de corrente (R
5
)
Conforme visto anteriormente, elevando-se a tenso de polarizao direta do
diodo acima da tenso de joelho ele conduz, e a nica oposio elevao desta
corrente a resistncia de corpo, ou seja, a resistncia linear das regies P e N.
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 16/111
Isso originaria um valor alto de corrente, que destruiria o diodo. A fim de evitar
que isto ocorra, e inserido um resistor (R~) em srie com o diodo, que tem como
funo limitar a mxima corrente direta do mesmo.
Linhas de carga
Uma forma de determinar com exatido os valores de tenso e corrente do diodo
atravs da linha (reta) de carga. Dois pontos determinam a reta de carga, sendo
eles a saturao e o corte. Para a saturao consideramos o diodo como uma
chave fechada, isto , com uma tenso direta (VD) igual a zero; e para o corte,
como uma chave aberta, ou seja, sem fluxo de corrente (1=0). A corrente de
trabalho (quiescente) determinada levando-se em conta a queda de tenso da
barreira de potencial do diodo e a relao entre a fonte e o resistor limitador (R
5
)
(Fig. 2.5). A interseo entre a curva do diodo e a reta de carga determina o ponto
de trabalho do circuito ou ponto quiescente (ponto Q). As coordenadas deste
ponto so os valores de tenso de trabalho (V
0
) e corrente de trabalho (IQ).
(Grf3).



Aproximaes do diodo
Para anlise de circuitos eletrnicos, devemos lembrar que respostas
matematicamente exatas no tm muito sentido, do ponto de vista prtico, se
considerarmos que dispositivos tais como resistores, diodos etc.., possuem
tolerncia de valores. necessario, portanto conhecer tais variveis, a fim de que
se possam aproximar ao mximo os valores tericos dos prticos. A seguir
apresentaremos as aproximaes, considerando diodos de silcio.
Primeira aproximao - diodo ideal
Considera-se como diodo ideal, ou primeira aproximao, o fato do mesmo agir
como um condutor perfeito, isto , queda de tenso zero quando polarizado
diretamente; e isolante perfeito, corrente zero, quando polarizado reversamente.

Segunda aproximao
Para que o diodo comece a conduzir, necessrio que a tenso de
polarizao ultrapasse o valor da barreira de potencial. Em se tratando de diodos
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 17/111
de silcio, o limiar da conduo situa-se prximo de 0,7V. A idia comparar o
diodo a uma chave ideal ligada em srie com uma bateria de 0,7V, que se fecha
assim que a tenso de polarizao direta ultrapassa este valor, e que se abre
toda vez que ela se torna menor que 0,7V ou reversa (negativa). A figura 2.7
ilustra com detalhes o que foi descrito.

Terceira aproximao
Como terceira aproximao do diodo, inclui-se ao circuito da segunda
aproximao uma resistncia ligada em srie com a bateria, que representa a
resistncia linear das regies P e N (resistncia de corpo - RD).
A corrente direta, fluindo atravs desta resistncia, origina uma queda de
tenso, que varia proporcionalmente ao aumento da corrente; isto , quanto maior
a corrente, maior ser a queda de tenso atravs de RD. A tenso total, atravs
do diodo (VF), igual soma da tenso de limiar (0,7V) com a queda de tenso
atravs da resistncia de corpo (
D
R ) A figura 2.8 ilustra o que foi descrito.

) . ( 7 , 0
D F F
R I V V + =
Observao
Geralmente, utiliza-se a segunda aproximao para resoluo de circuitos
envolvendo diodos.
Resistncia de corrente contnua (CC) de um diodo
Na polarizao direta, a resistncia CC do diodo diminui medida que a
corrente aumenta; e na polarizao reversa o mesmo acontece, medida que a
tenso de polarizao reversa se aproxima do valor da ruptura.
Teste esttico do diodo
Utilizando o ohmmetro, podemos detectar se um diodo encontra-se em curto
ou aberto. Isto possvel atravs da relao entre as medidas de resistncia
direta e reversa do mesmo. Um diodo ser considerado em bom estado, pelo
teste esttico se a relao entre as medidas de resistncia direta pela reversa for
igual ou maior que 1/1000.







Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 18/111
Circuitos com Diodos
Limitador
Sua funo limitar sinais de tenso abaixo ou acima de um determinado
nvel, variando assim a forma dos mesmos. Os imitadores podem ser positivos,
negativos e polarizados.
Limitador positivo
Tambm chamado ceifador, o circuito retira partes positivas do sinal. No
primeiro semiciclo do sinal de entrada (Ve), o diodo est polarizado diretamente e
conduz. Assim, a tenso de sada (a) fica limitada ao valor de conduo do diodo
(0,7V). Quando inverte o sinal de entrada, o diodo fica polarizado reversamente,
indo para o corte (chave aberta). Assim teremos, idealmente, todo o sinal de
entrada sobre a carga (na sada, V
0
). Fazendo uma relao entre a carga (RL) e o
resistor imitador (R) maior ou igual a 100, obtm-se sobre a carga praticamente
todo o sinal de entrada.

Limitador negativo
Invertendo-se a polaridade do diodo, obtm-se um imitador negativo.


Limitador polarizado
Consiste em ligar em srie um gerador CC com o diodo, a fim de conseguir
ceifar o sinal em V + 0,7V para limitadores positivos e -v - 0,7V para limitadores
negativos, conforme as figuras 3.3 e 3.4.




Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 19/111
Associao de Iimitadores
Podemos, em algumas situaes, necessitar de limitao do sinal de entrada
em ambos os semiciclos, ou seja, positivo e negativo. Para tal, utilizamos os
circuitos limitadores associados, de forma que possamos obter o efeito desejado,
de acordo com a figura 3.5.


Grampeador de CC
Sua funo somar uma tenso contnua ao sinal de entrada.
Grampeador positivo
No primeiro semiciclo negativo da tenso de entrada, o diodo est polarizado
diretamente e conduz, levando o capacitor a carregar at aproximadamente
P
V

Pouco depois do pico negativo, o diodo corta. Fazendo a constante RLC muito
maior que o perodo (T) do sinal de entrada, o capactor permanece carregado
completamente durante todo o tempo em que o diodo estiver cortado.


Invertendo-se a polaridade do diodo, obtm-se um grampeador negativo.
Detetor de pico a pico
Consiste em associar em cascata um grampeador de CC e um retificador de
pico (D
2
). Devemos fazer a constante RLC muito maior que o perodo do sinal de
entrada, a fim de obtermos uma tenso contnua de aproximadamente
P
V 2 e uma
ondulao de sada pequena.





Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 20/111
Outros tipos de Diodos
Diodo emissor de luz (LED)
o LED difere dos diodos comuns pelo fato de que, quando polarizado
diretamente, irradia energia em forma de luz, enquanto nos diodos comuns ela
irradiada em forma de calor.
Consiste em um cristal com juno PN. Quando ocorre polarizao direta,
movem-se os eltrons da regio N em direo s lacunas da regio P. Desta
maneira h uma recombinao (eltrons livres + lacunas), ocasionando liberao
de energia, a qual se propaga em forma de luz. A figura 4.1 ilustra o funcio-
namento do LED.


Vantagens - Baixo consumo de potncia, vida longa e chaveamento rpido
(liga/desliga).
Detalhes construtivos - So utilizados elementos tais como glio, arsnio e o
fsforo, podendo irradiar-se no vermelho, verde, amarelo, azul, laranja ou
infravermelho. A figura 4.2 ilustra a forma fsica de um LED.

Tenso e corrente no LED - A tenso do LED ) (
LED
V varia de aproximadamente
1,35 a 3V, e a corrente ) (
LED
I mxima 1 3OmA, sendo considerados como
valores usuais V V
LED
2 = e mA I
LED
20 =
Smbolo do LED
A figura 4.3 ilustra o smbolo esquemtico do LED


Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 21/111

Orientao para projeto - Utilizar fonte (
S
V ) e resistor (
S
R ) altos para obter brilho
aproximadamente constante com LEDs.
Exemplo
Para o TIL 222 (verde)
V a V
LED
3 8 , 1 =
mA I
LED
25 =

Utilizando uma fonte (
S
V ) igual a 20V e um resistor (
S
R ) de 750W,
LED
I igual
a: mA
R
V V
R
V V
I
S
LED S
LED
24
750
2 20
=

=
Indicador de sete segmentos
Consiste de um arranjo com sete LEDs, cada um constituindo um segmento
de base numrica, cujo formato se assemelha ao nmero oito. Tal arranjo tem um
terminal comum, podendo ser tanto o ctodo quanto o nodo. O indicador
apresentado na figura 4.5 de nodo comum, podendo ser tambm de ctodo
comum.

Fotodiodo
O fotodiodo um dispositivo semicondutor que converte intensidade luminosa
em quantidade eltrica. Sua operao est limitada regio reversa. A figura 4.6
mostra um arranjo bsico de sua construo.

Smbolo do fotodiodo
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 22/111

Circuito
medida que a luz se torna mais brilhante, a corrente reversa aumenta,
diminuindo a queda de tenso no diodo e aumentando a queda no resistor
imitador de corrente R
5
.

Optoacoplador com fotodiodo
O optoacoplador associa um LED e um fotodiodo em um s invlucro. Este
dispositivo muito utilizado para interfaceamento de circuitos eletrnicos com
isolao, pois a conexo atravs da luz.

Diodo Schottky
Para melhor compreendermos o funcionamento do diodo Schottky, devemos
esclarecer dois pontos de fundamental importncia, que so o armazenamento de
cargas e o tempo de recuperao reversa.
Armazenamento de cargas
Denomina-se armazenamento de cargas o efeito causado pelo fato de eltrons
livres e lacunas perdurarem, por um breve espao de tempo, em diferentes
bandas de energia prximas da juno, em um diodo diretamente polarizado.
Quanto maior a corrente direta, maior o armazenamento de cargas.
Tempo de recuperaao reversa (
RR
t )
O tempo de recuperao reversa (tRR) o tempo que a corrente reversa,
originada pelo armazenamento de cargas, leva para desligar um diodo
diretamente polarizado. Tal efeito mais acentuado em altas freqncias (MHz).
Efeito na retificao - O efeito causado pelo tempo de recuperao reversa em
circuitos retificadores de alta freqncia ilustrado na figura 4.10, onde podemos
ver claramente que, no momento em que a tenso do sinal que est sendo
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 23/111
retificado se torna negativa, polarizando reversamente o diodo, no acontece o
corte do mesmo, ou seja, ele continua conduzindo durante um pequeno espao
de tempo (
RR
t ). O diodo Schottky a soluo para esse problema.

Caractersticas fsicas
Sabe-se que os metais no tm lacunas e os eltrons livres do lado N ocupam
rbitas menores. Quando o Schottky polarizado diretamente, estes ganham
energia suficiente para ocupar rbitas maiores, atravessando a juno e
penetrando no metal, produzindo uma grande corrente direta. Como no h
lacunas nos metais, no h armazenamento de cargas nem tempo de
recuperao reversa (
RR
t ).

Smbolo do diodo Schottky

Queda de tenso tpica = 0,25V

Aplicao: Fontes de alimentao de baixa tenso; circuitos de alta freqncia.
Circuito retificador com Schottky


Varactor
Tambm conhecido por capacitncia de tenso varivel, epicap, varicap e
diodo de sintonia, o varactor otimizado para sua capacitncia varivel. Tem
inmeras aplicaes em equipamentos de comunicao, dentre os quais
podemos citar receptores de televiso e FM.
Seu princpio de funcionamento baseia-se no controle da capacitncia atravs
da tenso, quando reversamente polarizado. Se a tenso reversa e/ou a
freqncia aumentam, a capacitncia de transio diminui.

Smbolo do varactor
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 24/111


Circuito equivalente
Na figura 4.15 apresentado o circuito equivalente de um diodo reversamente
polarizado com a respectiva curva da capacitncia de transio x tenso:

Especificaes do varactor
Valor de referncia de capacitncia medida a uma tenso reversa, tipicamente
iguala -4V.
Exemplo
Diodo 1N5142,15pFem -4V.
Faixa de sintonia e faixa de tenso: para o 1N 5142, a faixa de sintonia 3:1 e
a faixa de tenso, de -4V a - 60V.
Exemplo
pF a pF C
t
5 15 = A , quando 60 4 = A a V
Conectando-se um indutor em paralelo com o varactor, obtm-se um circuito
ressonante, cuja freqncia de ressonncia dada por:
LC
f
r
t 2
1
=
A largura da faixa de sintonia depende do nvel de dopagem. Uma maior
concentrao de cargas nas proximidades da juno leva a uma camada de
depleo mais estreita e, com isso, a uma capacitncia maior.
Diodos de corrente constante
Estes dispositivos mantm a corrente constante dentro de um determinado
intervalo de tenso.
Exemplo
1 N5305, corrente tpica 2mA, faixa de tenso de 2 a 100V.
Compliance
Denomina-se compliance o alcance de tenso ao longo do qual o diodo pode
funcionar. Para o diodo 1 N5305, este valor de 98V.
Diodos de recuperao em degrau
Os diodos de recuperao em degrau tm um perfil de dopagem, de modo que
a densidade de portadores diminui perto da juno, conforme o grfico 4.
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 25/111

Funcionamento
Durante o semiciclo positivo, o diodo conduz como qualquer outro diodo de
silcio, mas durante o semiciclo negativo cria-se uma corrente reversa por um
breve instante, devido s cargas armazenadas; a, subitamente, a corrente cai a
zero como se de repente o diodo se abrisse. A figura 4.16 ilustra o que foi dito,
bem como o smbolo do diodo. Sua aplicao se d em circuitos multiplicadores
de freqncia, onde a freqncia de sada um mltiplo da freqncia de
entrada, utilizando-se circuitos ressonantes para filtrar as harmnicas em relao
freqncia fundamental (2f, 3f .... nf).


Diodos de Retaguarda
So diodos otimizados para conduo melhor no sentido reverso do que no direto.
Analisando a curva caracterstica I x V do diodo de retaguarda, vemos claramente
esse fato. Isso conseguido aumentando-se o nvel de dopagem do diodo zener.
Sua aplicao se d na retificao de sinais fracos, cuja amplitude se situe entre
0,1 e 0,7V.


Smbolo e circuito
O seu smbolo se assemelha ao de um diodo zener e o circuito aplicativo
mostrado na figura 4.17.

Na polarizao direta, temos aproximadamente 0,5V sobre o diodo e a sada,
V
0=
0. Na polarizao reversa temos, aproximadamente, 0,1V sobre o diodo e,
portanto, 0,4V na sada, obtendo assim um retificador de meia onda (RMO).

Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 26/111
Diodo tnel
Constitui um diodo tnel um diodo de retaguarda fortemente dopado, de forma
a se obter a ruptura prxima de 0V. Esse aumento na dopagem faz com que a
curva direta seja distorcida, conforme o grfico 6. Analisando este grfico,
observamos a conduo imediata na polarizao direta. Quando a tenso atinge
um valor Vp (pico), a corrente atinge um valor mximo Ip, (pico). A partir dai,
medida que a tenso aumenta, a corrente diminui. Quando a tenso atinge um
valor
V
V (tenso de vale), a corrente atinge um valor
V
I (corrente de vale). A
regio compreendida entre Vp e
V
V considerada regio de resistncia negativa,
pois a corrente diminui com o aumento da tenso. Isso til em circuitos de alta
freqncia, chamados osciladores, que so capazes de converter potncia CC em
potncia CA.
.

Smbolo do diodo tnel

Varistores
Tambm chamados supressores de transitrio, tm por funo filtrar a linha de
alimentao, eliminando os problemas causados pelos transitrios (descargas,
falha na linha de alimentao, chaveamento de carga reativa etc...). So
fabricados para diversos valores de tenso de ruptura e corrente de pico.
Varistores so resistncias dependentes da tenso com uma curva
caracterstica V x I simtrica, conforme o grfico 7.

Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 27/111
No exemplo dado, a especificao 510V - 810K 150, fornecida pelo manual da
lcotron, significa:
SIOV - varistor de xido metlico
S1OK - dimetro nominal do disco (lOmm);
150-tenso eficaz nominal 150
ef
V ou aproximadamente 2l2
mx
V
Smbolos dos Varistores


LDR - Light Dependent Resistor (resistor dependente de luz)
Constitudo de material semicondutor, caracteriza-se por possuir resistncia
que varia em funo da incidncia de luz.
No escuro, a resistncia do LDR alta, e, medida que aumenta a incidncia
de luz, esta resistncia sofre redues que no so lineares, conforme o grfico 8.

Os LDRs podem ser do tipo sulfeto de cdmio, cuja curva espectral abrange
parte das radiaes visveis, ou sulfeto de chumbo, cuja curva espectral est fora
do alcance da viso humana (infravermelho).
Smbolos dos LDR

Aplicaes
Utilizados principalmente em dispositivos sensores, como contagem de
objetos, controle automtico de brilho, deteco de dispositivos pela cor, em
fotmetros para otimizao de processos fotogrficos etc.
Termistores
Os termistores so componentes semicondutores cuja resistncia varia com a
temperatura. So utilizados como transdutores de temperatura em sinal eltrico.
Dependendo da forma como a resistncia se altera em funo da temperatura, os
termistores se classificam em PTC (Positive Temperature Coeficient) e NTC
(Negative Temperature Coeficient). Assim, temos que o PTC aumenta sua
resistncia quando a temperatura aumenta, e o NTC diminui sua resistncia
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 28/111
quando a temperatura aumenta. A seguir, so ilustradas as curvas caractersticas
de resistncia versus temperatura de cada um deles. (Grf. 9)


Smbolos dos termistores

Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 29/111
Circuitos retificadores
Os retificadores so circuitos cuja funo converter uma tenso alternada em
contnua, visto que a maioria dos dispositivos eletrnicos precisam de tenso
contnua para seu funcionamento adequado. Os retificadores podem ser de meia
onda ou de onda completa.
Retificador de meia onda (RMO)

Funcionamento
Durante o semiciclo positivo, na entrada, o diodo est polarizado diretamente e
conduz. Ento, o semiciclo positivo aparece na sada. Durante o semiciclo
negativo, na entrada, o diodo est polarizado reversamente e no conduz. Assim,
o semiciclo negativo no aparece na sada, ficando sobre o diodo.
Forma de onda de tenso na sada (V
0
)

O valor mdio da tenso de sada (
CC
V ) vale aproximadamente 31,8% do valor de
pico ou mximo (
P
V ), dado por
P
P
V
P
V
381 , 0 = ou seja, aproximadamente 45% da
tenso eficaz de entrada (0,45
ef
V ).
ef med
V Vcc V 45 , 0 = =
Devido ao fato da tenso contnua na sada ser pulsante, isto , ainda conter
variaes da componente alternada de entrada, possvel determinar o valor da
tenso eficaz na sada (Vac). Este valor, nos retificadores de meia onda,
corresponde metade do valor de pico ou mximo (Vp), expresso
matematicamente por:
2
Vp
V
ac
=
A intensidade da corrente mdia no diodo (
med
I ) igual corrente de carga (
L
I ) e
vale:
RL
V
I I
CC
L md
= =

A freqncia de sada do circuito (f
0
) igual freqncia de entrada (fe) visto
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 30/111
que os perodos das formas de onda de tenso de entrada (
ent
V ) e tenso de
sada (V
0
) so iguais.
E O
F F =
O diodo deve ser especificado, respeitando-se o valor de corrente direta (
F
I )
e tenso reversa (
R
V ).
L md F
I I I = =
mx R
V PIV V = =
Observao
PIV significa tenso de pico inversa.

Formas de onda de tenso de entrada (Ve) sada (lIa) e sobre o diodo (VD)


Fator de ripple (q )
Fator de ripple a relao, na sada de um retificador, entre a tenso alternada
e a tenso contnua, dada em percentual.
% 100 .
cc
AC
V
V
= q
Transformador
O transformador, dispositivo sem partes necessariamente em movimento,
utilizado para abaixar ou elevar a tenso alternada da rede eltrica. constitudo
basicamente por dois enrolamentos, sendo um primrio e o outro secundrio.
Relao de transformao ( n ou R
t
) - E a relao entre a tenso no primrio (Vp
ou V
1
) e no secundrio (Vs

ou V
2
) ou entre o nmero de espiras do primrio (Np) e
o nmero de espiras de secundrio (Ns), expresso por:
S
P
S
P
N
N
V
V
=
Princpio de funcionamento - Baseia-se na induo mtua, ou seja, uma
corrente varivel ao circular pelo enrolamento primrio produz um campo
magntico varivel.
As linhas de foras deste campo magntico varivel cortam o enrolamento
secundrio, induzindo no mesmo uma tenso. Quando N
S
<Np,Vs<Vp e quando
Ns>Np, Vs>Vp. O transformador no funciona com CC pura. Normalmente,
utiliza-se uma derivao central (center tape) no enrolamento secundrio, a fim de
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 31/111
se conseguir duas tenses iguais e opostas (simtricas). O enrolamento primrio
tambm pode ser constitudo de forma que possa proporcionar uma ligao bivolt,
isto 110/220V.

As tenses
ac
V e
bc
V esto defasadas de 180 entre si.
As correntes eltricas no transformador - A relao entre a corrente do
primrio (Ip) e a do secundrio (Is) igual relao entre o nmero de espiras do
enrolamento secundrio (Ns) e do enrolamento primrio (Np), expresso por:

S
P
P
S
N
N
I
I
=
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA(convencional ROC)

A tenso (Vcc) na carga igual a:
t
mx
md o cc
V
V V V
2
= = =
A tenso eficaz (vac) na sada igual a:
2
mx
ac
V
V =

Funcionamento
Sempre teremos um diodo conduzindo e outro cortado. Quando A for positivo,
B negativo e teremos D
1
conduzindo e D
2
cortado. Quando A for negativo, B
positivo e teremos D
1
cortado e D
2
conduzindo. Considerando a freqncia de
entrada igual a 60Hz, teremos cada diodo conduzindo 60 vezes por segundo, e na
sada, portanto, 120 pulsos por segundo. Conclui-se assim que a freqncia na
sada dobra, ou seja, igual a 120Hz.
A corrente mdia na carga (IL) vale:
RL
V
I
cc
L
=
A corrente mdia em cada diodo (Ia) vale:
2
2 !
L
D D
I
I I = =
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 32/111
A freqncia de sada (f
0
), conforme visto anteriormente, igual ao dobro da
freqncia de entrada (fe)
O PIV nos diodos igual ao dobro da tenso mxima de cada enrolamento
secundrio, ou seja,
ac
V 2 2 ou PIV = 2
ab
V
Fator de ripple (q ):
% 100 .
cc
AC
V
V
= q
Assim sendo, o rendimento da ordem de: % 48 = q
Formas de onda de corrente nos diodos (
2 1 d d
I e I ),corrente na carga (
L
I ),
tenso na carga (
o
V ) e tenso nos diodos (
2 1 d d
V e V )






Observao
O valor da tenso mxima na sada igual ao valor mximo de cada
enrolamento , desprezando-se a queda de tenso no diodo em conduo.
2
mx
ac
V
V =

Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 33/111
Retificador de onda completa em ponte(RCOP)


A tenso Vcc na carga igual a:
t
mx
md o cc
V
V V V
2
= = =
Funcionamento
O princpio de funcionamento idntico ao de onda completa convencional.
Diferi apenas no fato de ter dois diodos conduzindo e dois cortados por vez.
Filtros em fontes de alimentao
A tenso na sada dos retificadores apresenta uma ondulao (variao)
muito grande, o que a torna inadequada para alimentao de circuitos eletrnicos.
O filtro tem a funo de tornar a forma de onda da sada (tenso de sada)
prxima de uma corrente contnua pura. Podemos dizer que o filtro reduz a
ondulao na sada.



O filtro mais utilizado constitudo de um capacitor (C) de alta capacitncia ligado
em paralelo com a carga (RL).
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 34/111
Retificador de meia onda com filtro

Funcionamento
Quando a tenso de entrada positiva, o diodo conduz e o capacitor se
carrega com o valor da tenso mxima (
mx
V ). Ao inverter a polaridade da entrada
o diodo est cortado e o capacitor se descarrega lentamente sobre a carga. O
capacitor ser recarregado com uma freqncia igual da rede de entrada. O
ngulo de conduo de diodo diminui e representado, no grfico 14, pela rea
hachurada. A tenso de sada no volta mais a zero.

2
ond
cc mx
V
V V +
2
ond
mx cc
V
V V =
Clculo da tenso de ondulao (Vond)
c f
I
V
ond
.
= sendo que
2
ond
mx cc
V
V V =
c f RL
V
V
mx
cc
. . 2
1
1+
=
Clculo de Vcc em funo de Icc(quando RL no dado)
c f
I
v V
cc
mx cc
. 2
= e
) ( 2
cc mx
cc
v v f
I
C

=

Pode-se tomar como regra prtica o dimensionamento do capacitor de filtro na
proporo de 1uF/mA.
A tenso de pico reversa sobre o diodo igual ao dobro da tenso mxima, ou:
PIV=2vmx



Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 35/111
Retificador de onda completa com filtro a capacitor.



2
ond
mx cc
V
V V =
Pelo grfico 15 apresentado, podemos verificar que a freqncia de sada do
filtro igual ao dobro da freqncia da rede de entrada, visto que cada diodo
conduz um semiciclo.
O capacitor ser recarregado o dobro de vezes em relao ao circuito de meia
onda. Com isso, conclui-se que a tenso de ondulao (Vond) diminui.
Se retirarmos a carga (RL) obteremos, na sada, um sinal contnuo no valor de
Vmx, conforme o grfico 16.


Retificador em ponte com filtro a capacitor



Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 36/111
Consideraes finais - Em se tratando de sinais de entrada pequenos,
considera-se a queda de tenso no diodo (0,7V) para RMO e ROC convencional e
1,4V para ROC em ponte na determinao da tenso mxima de sada, ou seja:
7 , 0
) ( ) (
=
mx e mx o
V V ou 4 , 1
) ( ) (
=
mx e mx o
V V
Como regra prtica adota-se - Desprezar a queda de tenso no diodo para
RMO e ROC convencional quando o sinal de entrada for maior ou igual a 10V.
Desprezar a queda de tenso nos diodos para ROC em ponte quando o sinal
de entrada for maior ou igual a 20V.
Corrente de surto (a)
Considerando um retificador com filtro capacitivo de entrada, temos uma
condio crtica no momento em que o circuito ligado. O capacitor est
inicialmente descarregado, da a sada do retificador ser colocada
temporariamente em curto, visto que a alta corrente de carga inicial do capacitor
flui atravs do retificador e do secundrio do transformador. Sabendo-se que as
nicas resistncias que limitam esta corrente so as resistncias de corpo do(s)
diodo(s) e do secundrio do transformador, podemos obt-la por:

sec
) . ( R r n
V
I
b
p
s
+
=

Onde

Is -corrente de surto, em ampre n - n
2
de diodos em conduo
N n de diodos em conduo
rb - resistncia de corpo do diodo
R sec - resistncia do secundrio do transformador

Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 37/111
O diodo zener
O diodo zener otimizado para trabalhar na regio de ruptura. Ao contrrio dos
diodos retificadores, os diodos zener trabalham melhor na regio de ruptura. O
diodo zener tem um nvel de dopagem superior ao do diodo retificador. Variando o
nvel de dopagem, o fabricante pode produzir diodos com tenses de ruptura de 2
at 200V. Quando polarizado diretamente, o diodo zener se comporta como um
diodo retificador, conduzindo a aproximadamente 0,7V. Na regio de polarizao
reversa (entre o zero e a ruptura) ele apresenta apenas uma pequena fuga ou
corrente reversa. Quando o polarizamos reversamente e atingida a ruptura, o
diodo zener conduz, mantendo a tenso reversa entre seus terminais
praticamente constante (Vz), com valores que podem variar de acordo com
especificaes do fabricante, O diodo zener a parte importante dos reguladores
de tenso, circuitos que mantm a tenso na carga praticamente constante
mesmo que ocorram variaes da linha ou da resistncia de carga.
Smbolo do diodo zener

Curva caracterstica I x V

Especificaes

Vz- tenso zener

Izt - corrente zener de teste

Izm - corrente zener mxima especificada

Pzm - potncia especificada

A potncia dissipada num diodo zener igual ao produto da sua tenso pela
corrente. Ou seja:

Pz = Vz x Iz

Um diodo zener de 10V, com potncia especificada de 500mW, tem uma
corrente mxima especificada de:
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 38/111
mA
V
mW
I
ZM
50
10
500
=
No exemplo dado, o diodo zener funcionar sem se danificar se a corrente que
fluir por ele no ultrapassar o valor de 50mA.
Resistncia zener
Quando um diodo zener trabalha na regio de ruptura, se variamos a corrente
zener notamos uma ligeira variao na tenso zener (Vz). Isto indica que o diodo
zener tem uma pequena resistncia de corpo. Os fabricantes especificam a
resistncia zener para a mesma corrente de teste utilizada para medir Vz. A
resistncia zener para esta corrente de teste simbolizada por RzT (ou Zzt).
Regulao de tenso
O diodo zener , as vezes, chamado de diodo regulador de tenso porque
mantm uma tenso de sada praticamente constante. Em funcionamento normal,
o diodo zener deve ser polarizado reversamente, e, para produzir a ruptura, a
tenso da fonte deve ser maior que a tenso zener Vz. Ao ligarmos o diodo zener,
sempre utilizamos um resistor conectado em srie com a fonte a fim de limitar a
corrente mxima a um nvel dentro da especificao do fabricante, pois, se a
potncia dissipada no componente for superior especificada, o diodo
provavelmente se danificar. A figura 7.2 mostra a forma de ligar o diodo zener
para trabalhar como regulador de tenso.
No circuito da figura 7.2, se fizermos Vz = 10V, Vs= 20V e Rs=1kohm,
podemos determinar o ponto de interseo vertical (ponto de saturao) fazendo
Vz igual a zero, e calculando o valor de Iz obteremos 2OmA. Da mesma maneira
podemos obter o ponto de interseo horizontal (ruptura) fazendo Iz igual a zero
(diodo zener aberto) e determinando o valor de Vz, que ser de 20V. Para uma
fonte Vs

= 30V, os valores de Iz e Vz sero respectivamente 3OmA e 30V. A
seguir, veremos duas retas de carga cujos extremos foram obtidos acima.
Podemos observar, no grfico 19, que tivemos dois pontos de interseo na curva
do diodo (Q1 e Q2) para Vz = 20V e Vs = 30V. Comparando os pontos Q1 e Q2
notamos que a corrente sobre o diodo zener variou em 10mA, porm a tenso Vz
manteve-se praticamente inalterada (10V). Esta a idia bsica de regulao de
tenso. A tenso de sada manteve-se praticamente inalterada, mesmo que a
tenso de entrada sofresse variaes.


Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 39/111
O diodo zener ideal
Para algumas anlises de defeito podemos considerar a regio de ruptura
como um valor constante de tenso, mesmo que a corrente varie, o que
equivale a desconsiderar a resistncia zener. Um diodo zener na regio de
ruptura se comporta como uma bateria. Para anlises podemos substituir o
diodo zener por fonte de tenso Vz. A figura 7.3 mostra a aproximao ideal
para um diodo zener.

Em uma segunda aproximao, considerando agora a resistncia zener,
devemos analisar o diodo zener como uma fonte de tenso Vz em srie com
uma resistncia Rz. A figura 7.4 mostra-nos o diodo zener em uma segunda
aproximao.

A resistncia zener relativamente pequena e provoca uma queda de tenso
maior a cada aumento da tenso Vs. Isto quer dizer que, se a tenso Vs variar, a
corrente Iz ir variar tambm, fazendo com que a tenso zener Vz varie
ligeiramente. Este fato pode ser descrito em uma equao, que veremos a seguir.

O regulador zener

A figura 7.5 mostra o diodo zener utilizado para regular a tenso na resistncia
de carga. Neste caso teremos duas malhas, sendo que a corrente Irs ser igual
soma da corrente no zener com a corrente na carga.

A corrente Iz jamais deve ultrapassar o valor de Izmx determinado a partir da
potncia mxima especificada pelo fabricante. Para que o diodo zener mantenha
constante a tenso entre seus terminais, necessrio que haja uma corrente
mnima que garanta a ruptura. Esta corrente mnima determinada com 10% de
Izmx.
Para verificarmos se teremos tenso suficiente para colocar o zener em
ruptura, devemos tirar o zener do circuito e calcular o divisor de tenso formado
entre Rs

e a carga RL, como na figura 7.6.
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 40/111


O valor da tenso VRL dever se maior que a tenso Vz, pois, caso contrrio,
o zener no entrar em conduo, no havendo assim regulao de tenso.

Ondulao no resistor de carga

Um regulador, normalmente, alimentado por um retificador com um filtro
capacitivo. A tenso de carga mantida praticamente constante, apesar da
ondulao do retificador. O regulador zener reduz consideravelmente a
ondulao, mas no totalmente. Determinaremos agora o valor de ondulao
residual no regulador, considerando a segunda aproximao para o diodo zener.

Vimos, anteriormente, que a variao na tenso zener determinada pelo
produto da variao da corrente zener pela resistncia zener.

Z Z Z
R I V . A = A

Da mesma forma, poderemos determinar a variao da tenso na fonte Vs

como sendo o produto da corrente pelo valor do resistor Rs.
S S S
R I V . A = A
Considerando a relao entre as variaes de entrada e de sada, teremos:

S S
Z Z
S
Z
R I
R I
V
V
.
.
A
A
=
A
A

Para uma resistncia de carga constante, a variao na corrente zener igual
variao na corrente da fonte.
Com a primeira condio satisfeita, garantimos que o regulador sener tenha
variaes menores que a variao da fonte(pelo menos de100 vezes). No caso da
segunda condio, o regulador zener comporta-se como fonte de tenso
estabilizada.
Coeficiente de temperatura
Da mesma forma que em todos os dispositivos semicondutores, variaes
trmicas no ambiente causam variaes na tenso zener. O efeito da temperatura
apresentado nos manuais de fabricante como coeficiente de temperatura.
importante saber que, para diodos zener com tenses de ruptura menores que
5V, o coeficiente de temperatura negativo. Para os diodos zener com tenses
de ruptura maiores que 6V,o coeficiente de temperatura positivo. Portanto, os
diodos Zener com tenses de ruptura entre 5 e 6V tm seu coeficiente de
temperatura variando do negativo para o positivo, permitindo-nos determinar um
ponto no qual o diodo zener tenha um coeficiente de temperatura nulo.

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Transistor bipolar de juno (TBJ)
Aps o estudo do diodo de juno, que o componente essencial de dois
terminais, vamos agora comear a abordar dispositivos semicondutores de trs
terminais. Eles so muito mais utilizados e de funes mais complexas, que vo
desde amplificao de sinais at a lgica digital. O nome transistor bipolar reflete
o fato de o fluxo de corrente nestes elementos ser bidirecional, ou seja, uma parte
formada por eltrons e outra por lacunas.
Outro fato curioso est no nome: o prefixo TRANS vem da palavra inglesa
TRANSFER e o sufixo ISTOR de RESISTOR. Combinando ambas, temos algo
semelhante a resistor de transferncia. A medida que nos aprofundarmos no
estudo do dispositivo mostraremos esta caracterstica fundamental.
Enfim, o transistor de juno (que fora desenvolvido no incio da dcada de
50) revolucionou a tecnologia at alcanar o estgio atual. Para se ter uma idia
do significado da inveno do transistor, historiadores da cincia referem-se
nossa poca como a Era do Transistor!
Estrutura fsica
Afigura 8.1, a seguir, mostra duas estruturas cristalinas: uma NPN e outra
PNP. Visualmente percebem-se trs regies: emissor, base e coletor. O emissor
dopado fortemente, pois dele partem os eltrons para a outra regio, a base. Na
base, que fina e fracamente dopada, a maioria dos eltrons injetados pelo
emissor passa para o coletor. O coletor a maior das trs regies, pois nele
gerada uma quantidade de calor maior, e assim designado pelo fato dos
eltrons da base convergirem para l (diz-se que o coletor junta os eltrons da
base). O nvel de dopagem do coletor intermedirio, est entre o da base e o do
emissor.

Modo de acomodao de cargas
Vimos, no estudo do diodo semicondutor, o que ocorre quando unimos um
material tipo P com outro tipo N. Quando a juno feita, a repulso interna entre
os eltrons livres no material N provoca a difuso desses atravs da juno,
originando o fenmeno da recombinao no lado P. Dessa maneira so formadas
duas camadas de depleo, uma em cada diodo. Veja que a camada situada no
diodo emissor mais estreita que a do diodo coletor. O nvel de dopagem o
responsvel direto destas dimenses, pois quanto mais portadores majoritrios
uma regio possuir (o emissor densamente dopado), maior ser a quantidade
de ons formados em uma regio fronteiria de menor dimenso. Isso justifica as
dimenses mostradas, mas os desenhos no so via de regra e, sim, uma
representao esquemtica.
Faremos a abordagem dos transistores de silcio pelos mesmos motivos que
nos levaram a fazer tal escolha para o diodo, objeto de nossos estudos anteriores.
Tais motivos eram as especificaes de tenso/corrente mais altas e a menor
sensibilidade temperatura. Lembre-se, tambm, que a 25
0
C a barreira de
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potencial era aproximadamente 0,7V. Na figura 8.2 temos a ilustrao da
estrutura cristalina NPN com as regies sombreadas. Estudaremos a estrutura
PNP mais adiante.


Modos de operao - polarizao
Observe, nas figuras anteriores, que existem duas junes nas estruturas
cristalinas: uma entre base-coletor e outra entre base-emissor. O diodo situado
entre base-emissor denominado diodo emissor e o outro, entre base-coletor,
diodo coletor. Como so dois diodos, temos quatro hipteses para polarizao
simultnea de todos eles. Veja o quadro a seguir:

Denominao do modo de
polarizao
Diodo
emissor
Diodo
coletor
Corte Reverso Reverso
No se aplica Reverso Direto
Ativo Direto Reverso
Saturao Direto direto

Os modos de corte e saturao so aqueles em que o transistor usado para
operar como chave eletrnica em circuitos lgicos (por exemplo, em
computadores). No modo ativo, o transistor opera como fonte de corrente e
capaz de amplificar sinais. Vejamos, adiante, a descrio da operao em cada
um dos modos.
Modo ativo do transistor NPN - polarizao direta-reversa - Esta situao est
ilustrada na figura 8.3. Duas fontes de tenso externas so usadas para
estabelecer as condies de operao. A tenso VBE faz com que a base tipo P
esteja em um potencial mais alto do que o emissor tipo N; portanto, se a d.d.p.
entre as duas regies for aproximadamente 0,7V, este diodo est diretamente
polarizado. A tenso na juno base-coletor VCB faz com que o coletor tipo n
esteja em um potencial mais alto do que a base tipo P; portanto, este diodo est
reversamente polarizado.

O fluxo de corrente no TBJ NPN na polarizao direta - reversa - Na
descrio que faremos do fluxo de corrente, no circuito da figura 8.3, sero
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considerados os componentes da corrente de difuso. A corrente de deriva,
devido aos portadores minoritrios gerados termicamente, muito pequena e
pode ser desprezada.
Se a fonte VBB for suficiente para garantir 0,7V em VBE, os eltrons livres do
emissor invadem a base em grande quantidade, devido repulso causada pelo
plo negativo de VBB. Na regio da base tipo P, poucos eltrons provenientes do
emissor recombinam-se com as lacunas (a base fracamente dopada!) e os que
encontram lacuna so solvidos pelo positivo de VBB, descendo pelo terminal da
base. Contudo, a maior parte dos eltrons livres no encontra lacuna para se
recombinar e passa atravs da larga camada de depleo do coletor. Ao vencer a
barreira de ons negativos dentro da regio-base, mas na fronteira do coletor, os
eltrons sofrem grande repulso e entram, definitivamente, na regio do coletor,
sendo atrados para fora do transistor pelo potencial positivo de Vcc.
A base fina e fracamente dopada, essencialmente, determina a quantidade de
eltrons que formam a corrente de coletor. Observe que a corrente do coletor a
maior parcela da corrente de emissor, visto que, pela base, a recombinao
propositadamente pequena. A pequena corrente que escoa pelo terminal da base,
freqentemente, denominada corrente de recombinao, sendo constituda
pelos eltrons que encontraram lacuna nessa regio. Por isso, alguns autores de
livros textos dizem que a espessura da base d a quase todos os eltrons livres
injetados pelo emissor vida mdia para se difundirem atravs da regio do
coletor.
Aqui, cabe frisar alguns aspectos do funcionamento do transistor. Para vencer
a camada de depleo do coletor, grande parte da energia dos eltrons
dissipada em forma de calor, e o transistor deve ser capaz de troc-la com o meio
ambiente o mais depressa possvel. A primeira tentativa dos fabricantes, que
fazem a regio do coletor a maior de todas (quanto maior a rea de um corpo,
mais calor ele troca com o meio circundante). Outra soluo o uso externo de
irradiadores para aumentar a transferncia de calor, normalmente feito pelo
usurio.
Acompanhe passo a passo, na figura 8.4, a seqncia descrita atravs das
ilustraes:


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Relao entre as correntes Ib, Ic e Ie - Voc j tem conhecimento sobre a ordem
de grandeza entre as correntes que circulam no transstor polarizado direta e
reversamente. Esta relao depende do nvel de dopagem entre as regies
constituintes do transstor. Como foi mencionado, a base, o coletor e o emissor
so fraca, mdia e intensamente dopados, respectivamente. Na prtica, os
transstores modernos de baixa potncia tm corrente de coletor, que so cerca
de 99% da corrente de emissor. Portanto, resta base 1 %.
Dados estes percentuais, razovel admitir e relacion-las por meio de
nmeros adimensionais denominados o e |. A relao o mede quo prxima a
corrente de coletor Ic est de Ie ou seja, o quociente entre elas. | a razo
entre Ic e Ib, e basicamente nos permite dizer o quanto os portadores majoritrios
do emissor (os eltrons) fluem pelo coletor e qual a taxa que se recombina na
base. Matematicamente, temos:
E
C
I
I
= o e
B
C
I
I
= |

Observao
E freqente o uso de
fe
h (ndices maisculos) para representar o | envolvendo Ic
e Ib contnuos. Muitos se referem a ele como |cc. O |cc representado por
fe
h
(ndices minsculos).
Exemplo
Um transstor tem as seguintes correntes: Ie = 40,8mA, Ic= 4OmA Ib = 0,8mA.
Assim, podemos calcular o e | usando as relaes anteriores:
E
C
I
I
= o =0,98
B
C
I
I
= | =50
As bandas de energia no TBJ NPN
De maneira semelhante ao diodo, podemos analisar o funcionamento do
transistor bipolar usando diagramas de energia. Lembrando que usamos apenas
as bandas de valncia e de conduo - pois do ponto de vista da eletrnica
onde ocorre a circulao de corrente - verificamos que existem duas regies de
transio entre as bandas, uma devido ao diodo emissor e outra ao diodo coletor.
Observe-as:

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Curso Tcnico 45/111
Foram colocadas as polaridades das fontes VBB e Vcc

no lado esquerdo,
direito e no meio da regio da base. O negativo do lado esquerdo refere-se s
duas fontes, o positivo na base fonte VBB e o smbolo de mais positivo (++)
fonte Vcc. O negativo repele os eltrons livres na regio do emissor (se VBB>
0,7V) e esses atravessam a primeira camada de depleo; no esquema o
primeiro desnvel emissor-base. O diagrama mostra que a regio da base est a
um nvel de energia maior que o emissor; por isso os eltrons devem receber, no
mnimo, esse desnvel para mudar de regio. Na base, os eltrons so portadores
minoritrios (a base P), porm em maior quantidade. Alguns eltrons
interceptam as poucas rbitas vazias (lacunas) e se recombinam, sendo atrados
pelo potencial positivo da base. A grande maioria segue o percurso da regio do
coletor descendo pelo segundo desnvel (base-coletor), que no esquema o mais
acentuado, atrados pelo potencial mais positivo de Vcc. A razo do desnvel mais
acentuado a maior dissipao de potncia na regio do coletor (diodo
reversamente polarizado), isso correspondendo claramente a uma queda no nvel
de energia (observe que o emissor tem mais energia que o coletor).
Em suma, a anlise acima similar feita utilizando-se as estruturas
cristalinas. No entanto, pelo diagrama de energia podemos discriminar onde os
processos ocorrem, enquanto para a estrutura cristalina no h esse nvel de
compreenso.
Smbolos dos transistores NPN e PNP
Apesar de estarmos estudando a estrutura transistora tipo NPN, apresentamos
a seguir os smbolos de ambos os tipos.




Preste bastante ateno s setas nos transistores. Elas representam a regio
do emissor e indicam o sentido convencional da corrente. At agora temos
trabalhado com o sentido real, corrente entrando pelo emissor e saindo pela base
e pelo coletor. Mas, como de costume, usamos o sentido convencional e, para o
TBJ NPN, elas entram pela base (
B
I )e pelo coletor (
C
I ), saindo pelo emissor (
E
I )
Observe o smbolo do transistor PNP: ele est de cabea para baixo. de
praxe desenh-lo assim e o motivo ser explicado futuramente.

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Conexes do transistor bipolar
Nossa avaliao do funcionamento do transistor tem sido realizada sob o
circuito montado com a estrutura cristalina NPN. Existem configuraes tpicas
elaboradas com o TBJ e essencial aprender a reconhec-las apenas com um
olhar lanado sobre um circuito transistorizado. So trs as configuraes com
terminal em comum: base, emissor e coletor. Observe-as:


Observao
Se voc retornar ilustrao da estrutura cristalina NPN em funcionamento, ver
que se trata de uma configurao em base comum, pois este terminal comum a
VBB e Vcc.

Anlise na configurao Emissor-Comum (EC)
Entre as trs configuraes do TBJ, a mais utilizada, na prtica, a em
emissor comum, requerendo assim uma anlise mais cuidadosa. Faremos o
emprego da estrutura cristalina do TBJ NPN pela ltima vez, pois daqui para
frente sempre empregaremos o smbolo em nossas anlises.
Para analisar a ligao Ec, primeiramente colocamos o transistor na vertical,
com o emissor em baixo. Cuidamos para que esse terminal seja realmente
comum s duas fontes, ligando os negativos nele. Dois resistores Rb e Rc

limitam
a corrente na base e no coletor, nessa ordem. Veja a ilustrao da figura 8.8.

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Achamos mais conveniente apresentar as trs etapas de funcionamento
acompanhadas de ilustraes apropriadas. Vamos omitir as fontes e os resistores
para simplificar, mas admita que Vcc

VBB, com VBB > 0,7V, e que utilizaremos
o sentido real para as correntes.




1 Etapa - injeo de portadores no emissor - Nesta etapa, a polarizao
correta do diodo emissor permite s fontes injetarem eltrons no interior do
emissor pela repulso mtua entre eltrons das fontes e os livres e em excesso
pertencentes a essa regio.

2 Etapa - entrada dos eltrons na base e recombinao com as lacunas -
Nesta etapa, os eltrons do emissor tm energia suficiente para vencer a barreira
de potencial do diodo emissor e penetrar na base. L, poucos eltrons livres
encontram lacuna em sua trajetria, mas os que conseguem se recombinam e
formam a corrente da base. A grande maioria mantm a trajetria em direo ao
coletor pela repulso contnua provocada pelo campo eltrico das fontes.

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3 Etapa - eltrons atravessando o diodo coletor e formando a corrente -
Aqui, os eltrons livres do emissor, que no conseguiram se recombinar na base,
atravessam a grande regio de depleo do coletor (diodo reverso) deixando boa
parte da energia adquirida das fontes e sendo atrados pelo forte potencial
positivo de V
cc
.

Leis de Kirchhoff no TBJ na configurao EC - As leis de kirchhoff aplicadas ao
transistor na ltima das etapas anteriores fornece:
IE = IB +Ic e Vce= VBE + VCB

Onde
IE - corrente do emissor
IB- corrente da base
IC- corrente do coletor
VCE - tenso de coletor relativa ao emissor
VBE - tenso de base relativa ao emissor
VOB - tenso de coletor relativa baseC
Exemplo

Um estudante testa um circuito transistorizado. Ele mede uma IB =6OmA e um
VCB =24,3V. Sabe, tambm, que o transistor que est analisando tem um | =100.
Se o transistor de silcio e est polarizado no modo ativo, qual o valor de IC,IE e
VCE ele deve ter obtido?
Resoluo
Usando a definio de | e as leis de Kirchhoff, temos:
IC=|.IB IC=6mA IE=IB+IC IE=6,06mA

Se o transistor est no modo ativo, o valor de VBE deve, necessariamente,
ser 0,7V. Ento,
VCE= VCB + VBE:. VCE=25V
Resumo da operao no modo ativo - Vamos sintetizar o funcionamento do
transistor na regio ativa, visto que os amplificadores transistorizados operam
nessa regio. Resumindo, temos as seguintes condies para operao ativa
(linear):
diodo emissor diretamente polarizado;
diodo coletor reversamente polarizado;
como sabemos do estudo dos diodos, tenses reversas suficientemente
grandes podem provocar a destruio da juno PN. Como o diodo coletor deve
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Curso Tcnico 49/111
ser polarizado reversamente, pode ocorrer avalanche trmica se a tenso exceder
a especificao do fabricante. Dessa maneira, devemos estar certos de que a
tenso sobre o diodo coletor seja menor que a de ruptura.

Modelo equivalente Ebers-MoIl
Definimos anteriormente a relao o, que exprimia quo prxima a corrente
IC estava de IE. Podemos dizer, tambm, que o aponta a porcentagem dos
eltrons injetados pelo emissor que seguem o caminho do coletor. Ento, na
regio ativa, plausvel assumir que o transistor em circuitos lineares uma fonte
de corrente de valor o.IE em srie com o diodo emissor. Esse o modelo Ebers-
Moll e ser muito til na anlise de amplificadores. Veja-o a seguir:

Segundo o grande didata e autor de livros Albert Paul Malvino, devemos:
1. Fazer VBE igual a 0,7V para os transstores de silcio.
2. Tratar IC como igual a IE, porque a aproxima-se da unidade.
3. Aproximar IB a IE/|, porque IC praticamente igual a IE.
4.
Corrente controlando corrente - No modelo Ebers-Moll, o coletor uma fonte
de corrente de valor o X IE. Se, ao invs de considerarmos que a fonte de
corrente de coletor controlada pela corrente de emissor, admitirmos que a
relao IC=|.IB seja uma relao de controle, passaremos a assumir que um
transistor bipolar um dispositivo eletrnico no qual corrente controla corrente. A
corrente de controle a corrente da base, e a corrente controlada, a do coletor.
Concluindo o estudo quantitativo do transistor no modo ativo, relembramos
que, pela lei de Kirchhoff, IE=IC+IB e que ICIE. Portanto, a corrente de base na
maioria dos casos uma corrente desprezvel.
Caractersticas eltricas do transistor
O transistor bipolar tem muito mais correntes e tenses que um diodo. Por isso
temos muito mais curvas e parmetros eltricos a analisar. Nosso circuito teste
ser o seguinte:


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Curso Tcnico 50/111


As curvas de base
Pelo fato da juno base-emissor ser um diodo de se esperar que a curva de
base seja a curva de um diodo. De fato o que obtemos quando plotamos
IB x VBE no transistor. Porm, como dissemos no incio, o transistor tem muito
mais variveis eltricas que o diodo. Assim, a curva de base no transistor torna-se
em: as curvas de base, uma para cada valor de VCE. A questo a seguinte:
quanto maior a tenso reversa no diodo coletor, maior a regio de depleo
dentro da base, estreitando ainda mais a regio, que de fbrica j fina. Com a
regio diminuda, a probabilidade de encontrar lacunas nesse espao diminui
abruptamente e, como a corrente de base formada pela recombinao dos
eltrons livres injetados pelo emissor com as lacunas da base, a corrente de base
tem que diminuir. Ocorre, entretanto, algo extraordinrio com a tenso VBE: ela
aumenta! Isso significa deslocar a curva de base para a direita. A justificativa
tcnica para esse fenmeno complexa e preferimos omiti-la. Porm, o estudante
interessado pode consultar algumas das bibliografias citadas no final. O
fenmeno, conhecido como efeito Early, normalmente desprezvel na anlise
casual dos circuitos transistorizados, exceto nas situaes em que so requeridos
tratamentos minuciosos. Veja, a seguir, as curvas de base:


As curvas de coletor
O circuito precedente tambm serve como referencial para construo das cur-
vas de coletor. A idia fixar a corrente na base atravs de VBB e variar Vcc,
anotando os valores de IC e VCE. Se tentssemos desenhar grficos envolvendo
as trs grandezas variando simultaneamente, teramos grficos tridimensionais,
que so sempre difceis de interpretar. Quando desenhamos IC x VCE com IB
fixo, o resultado a curva mostrada a seguir:


Podem-se observar trs regies de particular interesse na curva: a que se
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Curso Tcnico 51/111
estende de O at VCESAT, a de VcEsAT at BVCEO e a regio alm de BVCEO.
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A regio compreendida entre O e VCESAT chamada regio de saturao,
pois nela os transistores funcionam como chave eletrnica. O funcionamento na
regio de saturao ser feito um pouco mais frente em nosso estudo. Por ora
dizemos que, nela, a relao IC=|.IB no mais vlida, pois a corrente de coletor
passa a depender muito mais da fonte Vcc

e Rc

do que da prpria corrente de
base, O nome saturao tem o sentido de cheio, repleto, farto e estagnado, e
caracteriza a perda de controle da corrente da base na de coletor. Essa perda
de proporcionalidade IC passa a no aumentar com respectivos aumentos em IB.
Aspecto interessante: a regio saturao est vinculada polarizao reversa do
diodo coletor! Discutiremos mais acerca disso.
A regio situada entre Vcesat e BVceo a regio ativa. Ela caracterizada
pela polarizao reversa do diodo coletor e por obtermos praticamente os
mesmos valores de IC para qualquer valor de Vce pertencente a esta faixa.
A regio acima de BVceo a regio de ruptura. L o transistor est prestes ou
na iminncia de ser destrudo. O diodo coletor polarizado reversamente o
responsvel por ela. Isso no chega a ser um infortnio, pois a faixa de Vce dos
transistores comerciais ampla e escolhida pelo usurio.
A seguir temos o resultado de vrias correntes de base fixadas e de medies
sucessivas de Ic e de Vce: a famlia de curvas do coletor.

Especificaes de um TBJ
Pretendemos, aqui, apresentar algumas especificaes teis do transistor bipolar.
Deixamos claro que o uso do manual do fabricante ou Databook de vital
importncia e que o aluno no deve se contentar em saber apenas as
especificaes que apresentaremos. O quadro abaixo apresenta as principais
caractersticas de um TBJ com a descrio de cada uma.

Parmetro
Descrio (o fabricante pode fornecer valores mnimos, tpicos
ou parmetro mximos)

IB Corrente de base
IC Corrente de coletor
IE Corrente de emissor
PD Potncia dissipada
Vceo Tenso de coletor ao emissor com a base aberta
Vcbo Tenso de coletor base com emissor aberto
Vebo Tenso de emissor base com o coletor aberto
AP Fator de degradao
Rthj Resistncia trmica da juno
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Curso Tcnico 53/111
As trs primeiras especificaes so bvias. Especificar a potncia PD
importante para evitar o inconveniente de destruir o transistor por excessiva
dissipao de calor. Matematicamente, podemos encontr-la por:
PD=VCE.IC
Esta no toda a potncia que o transistor dissipa, mas est prxima dela,
pois as componentes da potncia dissipada nos diodos emissor e coletor so
desprezveis em comparao com ela.
As trs tenses: Vceo, Vcbo e Vebo so importantes na escolha do transistor.
Vceo e Vebo so boas aproximaes para as tenses de ruptura dos diodos
coletor e emissor, respectivamente.
Todas as especificaes de componentes eletrnicos so feitas a
determinadas temperaturas. AP mede o fator de degradao da especificao de
potncia medida que nos distanciamos das temperaturas ideais de
funcionamento.
O ltimo parmetro importante para a escolha do irradiador de calor,
visto que, em algumas circunstncias, a quantidade de calor gerada na juno
no trocada com o meio ambiente. Nestas circunstncias, o irradiador de calor
bem dimensionado muitas vezes resolve o problema.
O modo de operao como chave
Outra aplicao fantstica do transistor a capacidade de operar como chave
eletrnica. Isso feito imprimindo-se duas polarizaes iguais aos diodos,
emissor e coletor. Estamos falando, ento, dos modos de polarizao direto-direto
e reverso-reverso. A seguir temos a apresentao das duas polarizaes da
estrutura cristalina NPN:

Na polarizao direta-direta, ambos os diodos conduzem forados pela
polarizao das duas fontes. Vcc

e VBB polarizam diretamente os diodos coletor e
emissor, respectivamente. As correntes ICe IE somam-se formando a corrente de
base (o sentido mostrado j o convencional). O resultado mais expressivo pode
ser visualizado acima na analogia feita com diodos: a tenso VCE 0V, o que
corresponde a uma chave fechada entre os dois terminais, coletor (C) e emissor
(E).
Na polarizao reversa, a barreira de potencial dos dois diodos (coletor e
emissor) assume o valor de Vcc e VBB nessa ordem. A corrente circulante, em
qualquer um dos terminais, 0 A e a tenso resultante entre coletor e emissor a
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Curso Tcnico 54/111
diferena entre Vcc

e VBB. Essa situao equivale a uma chave aberta entre (C) e
(E).
Convm dizer aqui que as definies de o e | no se aplicam na configurao
chave, pois perdemos o controle sobre as correntes de coletor e de emissor, que
passaram a depender mais das fontes Vcc

/ VBB e dos resistores externos do que
propriamente dessas relaes.
Reta de carga CC para circuitos transistorizados
Durante o estudo do diodo, tivemos o primeiro contato com a reta de carga.
Ela consiste, basicamente, de um meio geomtrico para localizar o ponto de
operao de um circuito contendo algum componente eletrnico.
A via de regra, aqui, primeiro escrever a equao das tenses para malha
de coletor e, em seguida, usar a idia da chave eletrnica entre coletor-emissor,
ou seja, fazer Vce = 0V (chave fechada) e encontrar a corrente IC que circula.
Esta ser a corrente Icsat. Depois fazer IC=0 (chave aberta) e encontrar a tenso
Vce. Esta ser a tenso de corte VceCORTE. Com VceCORTE e ICSAT somos
capazes de traar uma semi-reta sobre as curvas de coletor, interceptando-as.
Em alguma curva do coletor est localizado o ponto de operao.
Para plotar o ponto de operao na reta de carga usamos a malha da base.
L, escrevemos a equao das tenses e a manipulamos para encontrar alguma
corrente de operao; ou a da base IB ou a do emissor IE (lembre-se que IC=IE).
Com a corrente de operao IC, calculamos a tenso Vce de operao.


Se no circuito genrico passado Vcc= 18V; VBB= 4,7V; Rb=100k; Rc=4k e
| = 50, vamos traar a reta de carga .

A reta de carga permite tirar algumas concluses imediatas. Em um circuito
transistorizado, qualquer corrente de operao normal sempre menor que a
corrente de saturao. Assim, se voc sabe que um circuito satura com uma IC =
10mA e ao tentar calcular a corrente de operao normal achar 15mA, descarte-a,
pois a maior corrente admissvel neste circuito 10rnA. A corrente ICSAT a
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Curso Tcnico 55/111
maior que pode circular no coletor do circuito a transistor em questo e no a
mxima corrente que o transistor pode suportar. A primeira, quem define o
usurio, e a segunda, o fabricante.
Uso do terra em circuitos
Em esquemas eletrnicos usual desenharmos circuitos com o smbolo do
terra para simplific-los. A regra aterrar o ponto em comum entre as fontes e
componentes, simbolizando o outro plo que resta por um crculo ou tringulo. O
circuito anterior poderia ter sido apresentado como:

Observe que foram mostrados os plos positivos de VBB e Vcc. Deve ser
assimilado que os plos no mostrados no esquema encontram-se ligados ao
terra. Em termos eltricos, nada alterado, pois o terra continua sendo mais
negativo que os pontos de aplicao das tenses VBB e Vcc. Ento, as correntes
continuam tendo os mesmos sentidos e a magnitude do esquema tradicional.
Sempre que possvel usaremos o recurso do terra, visto que rotina analisarmos
esquemas comerciais e/ou industriais empregando-o.

O transistor como chave
O primeiro circuito que estudamos com o transistor a configurao tpica de
uma chave. Com um projeto consistente, o transistor opera apenas no modo de
saturao e corte. Esta aplicao o cerne do funcionamento dos computadores
e circuitos digitais. Estude-a com ateno e perspiccia, pois futuramente voc
entrar em contato direto com os circuitos digitais e a base da operao destes
ser vista aqui.
Esquema do circuito - A chave eletrnica com o transistor feita usando-se o
terminal da base como controle e a sada retirada no coletor, ambos relativos ao
terra. Veja a figura 8.18:

O controle , tipicamente, um sinal quadrado que varia de O a um nvel fixo, que
5V para circuitos denominados TTL (Transistor - Transistor Lgico). Quando o
sinal de controle est em 0V, a malha da base est submetida a 0V de d.d.p.;
portanto, no h corrente na base e, por conseguinte, no coletor tambm no.
Como Ic=0A ,a queda de tenso em Rc

nula e, para que a lei de Kirchhoff das
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Curso Tcnico 56/111
tenses continue vlida, VCE tem de assumir o valor da fonte Vcc, chave aberta.
No instante em que o pulso sobe para o nvel alto - nvel fixo de tenso - h
corrente na base e, se esta corrente for suficientemente alta, o transistor entra na
regio de saturao tornando Vce prximo 0V. A corrente circulante no coletor
ICSAT e, de coletor para emissor, o transistor se assemelha a uma chave
fechada. Novamente para a lei de Kirchhoff permanecer inalterada, o resistor de
coletor Rc

tem entre seus terminais a tenso da fonte Vcc.
Como pode ser notado na figura 8.18, o sinal quadrado de sada exatamente
o oposto ao do controle. Isto devido s condies em que ocorrem os
chaveamentos. Quando controle 0V, a sada = Vcc. Caso contrrio, se controle =
VBB a sada = 0V. Por isso, os sinais so recprocos.
Condio suficiente para o funcionamento da chave eletrnica - A condio
necessria e essencial que a corrente IB seja grande o suficiente para levar IC
saturao. Os profissionais que projetam chaves a transistor usam uma regra
super-dimensionada para escolha dos resistores RB e Rc. Eles adotam um |= 10.
Este | praticamente no se encontra, mesmo em transistores de potncia que so
conhecidos por terem betas pequenos. Dessa maneira dividimos o projeto em trs
etapas:
1 etapa - O resistor Rc

normalmente a carga que se deseja acionar.
imprescindvel conhecer sua resistncia eltrica ou a corrente de funcionamento.
Esta corrente dever ser tida como ICSAT.
2 etapa - Podemos calcular IB usando um beta crtico igual a 10. Portanto,
IB=ICSAT/10
3 etapa - Encontramos o valor de RB usando a lei de Ohm, j que sabemos que
a tenso nos terminais dele deve ser VBB 0,7V e IB acabamos de encontrar:
RB=(VBB -0,7V) / IB.
Durante a montagem do circuito, na prtica, o beta provavelmente ser maior
que 10. Isto um fator benfico, porque IB a mesma corrente especificada no
projeto, j que ela depende apenas de VBB e de RB (IB=[VBB-0,7V] /RB).Se lB
a mesma e o beta aumentou, significa que teramos no coletor uma IC ainda
maior (IC=|.IB). Sabemos que essa situao no existir, j que o circuito do
coletor satura no mesmo valor de ICSAT que estipulamos.
Reta de carga no modo chave - Como desejamos que o transistor atue como
chave, a reta de carga para o circuito deve ter o ponto de operao Q oscilando
entre a saturao e o corte. Quaisquer outros pontos que no sejam as
extremidades da reta esto proibidos de ocorrer quando adotamos a regra de
projeto acima estudada.
Acionando cargas com o transistor - No estudo feito acima, buscamos
especificar um resistor de base para que o transistor saturasse
irremediavelmente. Na prtica, a chave muito usada para acionar rels, motores
CC de pequena capacidade, lmpadas de baixa potncia, LEDs indicadores etc.
Veja alguns exemplos destas aplicaes:

Acionando LED e lmpadas incandescentes de baixa potncia.
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 57/111


Usando rels para ligar (ou desligar) cargas CA


Observao 1
Toda vez que um transistor chavear cargas indutivas necessrio acrescentar um
diodo, reversamente polarizado, em paralelo com a carga. Isto porque quando a
carga est sendo acionada (transistor saturado) a indutncia da carga recebe
energia da fonte. Durante o desligamento (transistor indo para o corte) ocorre a
inverso da tenso nos terminais da carga (lei de Lenz) para manter a corrente
circulando no mesmo sentido. Essa tenso pode ser suficientemente alta e
destruir o diodo coletor. O diodo D1 faz o retorno da corrente e dissipa a energia
armazenada na indutncia da carga, protegendo o transistor.
Observao 2
As especificaes Vebo (tenso reversa no diodo emissor) so relativamente
pequenas, se comparadas com o diodo coletor Tipicamente, situam-se na faixa de
4 a 10V O diodo D
2
limita a tenso reversa no diodo emissor em - 0,7V j que ele
est em antiparalelo com a juno base emissor.
- Motor CC de baixa potncia


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Curso Tcnico 58/111
Observao
O motor CC uma carga RLE (resistncia -indutncia - tenso gerada).
O transistor como fonte de corrente
Fizemos o estudo do transistor como chave e constatamos que o ponto de
operao Q podia situar-se apenas nas extremidades da reta. A outra vasta
aplicao do transistor - fonte de corrente - requer o ponto Q em algum lugar
entre as extremidades, ou seja, no interior da reta. A forma de conseguir isso
polarizar o transistor na regio ativa, como fizemos durante o estudo das retas de
carga.
A razo de usar o transistor como fonte de corrente est no fato de que, nesta
configurao, o transistor capaz de amplificar sinais CA! Veremos um pouco a
frente, em nossos estudos, como polarizar circuitos transistorizados na regio
ativa e prepar-los para a amplificao. Por ora, vamos apenas estabelecer os cri-
trios de funcionalidade da fonte de corrente. Veja a configurao tpica do
circuito:

Aplicando a lei de Kirchhoff nas malhas da base e do coletor (como j fizemos
antes), obtemos os seguintes resultados:

E C
CC
CSAT
R R
V
I
+
=

CC CECORTE
V V =

E
BB
CQ
R
V
I
7 , 0
=
) (
E C CQ CC CEQ
R R I V V + =

Observe a equao da corrente ICQ e veja que ela depende apenas de VBB e
RE. Se garantirmos a estabilidade destas duas grandezas, temos que a corrente
ICQ ser fixa e independente do beta. Independente porque o beta no aparece
explicitamente na equao da corrente, mas se fizermos IB= o claro que IC
tambm o ser.
Aqui temos uma situao diferente da encontrada quando estudamos o
transistor chave. L houve a necessidade de fixarmos um beta mnimo igual a 10
para assegurar o funcionamento do circuito. Agora, o beta apenas define corrente
de base que circula medida que escolhemos diferentes valores de VBB e RE.
Lembre-se, porm, que a corrente de operao ICQ necessariamente, menor
que ICSAT, Caso contrrio, a fonte de corrente estar comprometida.
Volte a observar a equao para ICQ. Nela no aparece RC. por isso que o
circuito chamado fonte de corrente, pois para qualquer valor de RC

no coletor a
corrente no resistor seria a mesma. E claro que isso no acontece na prtica, mas
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Curso Tcnico 59/111
se a escolha de R
0
for adequada - para garantir que o transistor no sature - a
corrente no coletor do transistor no depender do valor do resistor RC.
Reta de Carga e o Ponto Q - Uma fonte de corrente tem o ponto Q em algum
lugar da reta, diferente dos dois pontos extremos. Por razes que ficaro bvias
no estudo dos amplificadores, a melhor localizao do ponto O est no centro
geomtrico da reta de carga. Veja o grfico 26:

Condies suficientes para o funcionamento da fonte de corrente - Vamos
apresentar uma boa tcnica para garantir que o ponto Q esteja localizado no
centro da reta de carga. Considerando o circuito da fonte de corrente visto, as
regras so as seguintes:
1 regra - faa VCEQ a metade da fonte Vcc. Matematicamente: VCEQ =
Vcc

/ 2.
2 regra - faa Vrc

= 0,4Vcc.
3 regra - faa VRE = 0,1Vcc.
4 regra - escolha a corrente de saturao ICSAT de modo que ela seja o
dobro do valor desejado para ICQ.
5regra - calcule os resistores Rc

e RE para o funcionamento correto da
fonte de corrente.
Outros transistores especiais
Fototransistor - um transistor otimizado para operar a partir da luz. Existe urna
janela transparente para incidncia de luz (ftons). A luz converge para a juno
base-coletor reversa, diodo reverso, e quebra ligaes covalentes na banda de
valncia. Os eltrons so elevados banda de conduo e podem circular l
como eltrons livres. A quantidade de eltrons na banda de conduo
proporcional intensidade da luz adequada ao funcionamento do dispositivo,
aquela que possui o comprimento de onda certo e pode ser visvel ou no.
Em um circuito com transistor, se abrimos o terminal do emissor (IE = 0A) e
usarmos a relao IC=|.IB devemos achar IC=0A (com o diodo coletor polarizado
reversamente). Se, no entanto, montarmos o circuito na prtica e usarmos um
instrumento sensvel a correntes na faixa dos nA, iremos medir uma Ic e,
baseados na equao anterior, no teremos como explicar o surgimento desta. A
resposta para essa questo est nos portadores criados terrnicamente. Essa
corrente que circula recebe a designao de Icbo (corrente de coletor para base
com o emissor aberto).
Os ftons da radiao luminosa do origem a uma corrente denominada CEO
quando aplicados janela, porque na maior parte das aplicaes o terminal da
base permanece aberto. A relao desta com a ICBO :
CBO CQ
I I . | =
Como ICBO a corrente reversa no diodo coletor e ela a mesma que circula
no fotodiodo, conclumos que o fototransistor produz beta vezes mais corrente
que o precursor a diodo.
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Curso Tcnico 60/111
Veja na figura 8.23 o smbolo e as analogias funcionais para facilitar a
compreenso do componente. O terceiro esquema mostra uma forma de controle
de sensibilidade luz do circuito, atravs do resistor varivel RB. Todavia, a
maneira mais empregada na prtica com a base aberta.

Optoacoplador com fototransistor - Como o fototransistor um receptor de luz
e atua somente na presena dela, os fabricantes oferecem um pequeno Cl que
incorpora o par emissor-receptor. Este par bastante aplicado na isolao eltrica
entre circuitos eletrnicos. Veja a figura 8.24.


Transistor multiemissor e multicoletor - Este no um novo transistor, apenas
uma conexo de vrios TBJs, conforme o esquema a seguir:

Observao
No caso do transistor multiemissor, basta que um dos transstores tenha o
emissor colocado, por exemplo, no terra para que todas as bases estejam em
0,7V De forma equivalente, se no smbolo um dos emissores vai ao terra, a base
assume 0,7V de potencial e circulam as correntes e IB correspondentes
quantidade de emissores em conduo. No caso do multicoletor necessrio que
pelo menos um dos transstores tenha o coletor em VCC atravs de Rc, para
existir IB e IE.
Transistor Darlington
Consiste em uma conexo de dois transistores. O emissor do primeiro vai base
do segundo; os coletores so ligados juntos e base do primeiro. O emissor do
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Curso Tcnico 61/111
segundo e a conexo em comum dos coletores so: a base, o emissor e o coletor
do Darlington, respectivamente. A razo principal da conexo a obteno de um
transistor cujo beta o produto de |1 e |
2
Observao
Note que o VBE, para este transistor, vale 1,4V
Polarizao do transistor bipolar
Esta seo apresenta algumas formas de polarizar um transistor para que ele
funcione linearmente (na regio ativa), o que significa estabelecer o ponto Q
prximo ao meio da reta de carga. Os amplificadores de pequeno sinal e os da
classe A exigem o ponto O nesta localizao. Vamos mostrar, por fim, algumas
formas de polarizao que no fixam o ponto Q no centro da reta de carga, teis
em amplificadores da classe B.
Todos os circuitos vistos anteriormente usavam duas ou mais fontes. Agora
iremos estudar condies de polarizao para circuitos transistorizados a partir de
uma fonte de tenso e redes resistivas. Comearemos analisando o pior deles,
avaliando os aspectos que o tornam ruim, e evoluiremos at chegar a excelentes
circuitos polarizadores do TBJ.

As tcnicas de anlise de circuitos polarizadores so as leis de Kirchhoff, de
Ohm e a relao entre Ic e Ib (|) no transistor, quando necessria. Poderamos
descrevlas em etapas genricas, assim:
1 etapa - aplique a lei de kirchhoff para tenses em uma malha que tenha
pontos em comum da base com o coletor e/ou emissor.
2 etapa - na relao obtida aparecero IB, IC e IE (eventualmente) como
incgnitas. Faa Ic = IE quando necessrio, e use Ic=|.IB para lidar com apenas
uma varivel desconhecida. Escolha a que melhor lhe convm.
3 etapa - trace a reta de carga e marque o ponto Q para verificar a
localizao do mesmo. Isto evita possveis transtornos com o ponto indo
saturao ou ao corte.

Polarizao da base
Use a configurao transistor como chave, mas evite polarizar o transistor no
corte ou na saturao. A fonte VBB foi eliminada atravs da conexo do resistor
RB fonte VCC. Desta maneira, a corrente iB provm da fonte VCC

e alimenta a
base. A juno base-emissor polarizada diretamente, com a base 0,7V acima do
terra. Necessita-se, ento, providenciar uma corrente Ic - e conseqentemente
uma IB - que torne a tenso V
c
maior 0,7V, visando reverter a polarizao do
diodo coletor. Avalie a configurao ilustrada na figura 8.27.
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 62/111

Polarizao por realimentao do coletor
Tambm chamada autopolarizao, constitui avano significativo em relao
polarizao da base. Esta forma alternativa til quando o requisito economia
prevalece. A estrutura contm um mnimo de componentes (dois resistores
apenas) e tem uma resposta no estvel, mas satisfatria. Observe-a:


Ao da realimentao - Realimentar, em eletrnica, significa ter a sada, ou
parte dela (como mais usual), conduzida de volta entrada. uma das idias
mais profundas e notveis da eletrnica. Aqui vamos apenas mostrar a ao da
realimentao para estabilizar a polarizao do transistor. Os conceitos
fundamentais da reaiimentao sero desenvolvidos no futuro.
Admita que a temperatura se eleve, aumentando o valor da corrente Ic do
transistor. To logo a corrente aumente, a queda de tenso em Rc

tambm
aumenta, tornando Vce menor. Como Vce a tenso aplicada malha da base,
temos que Ib tambm diminui. Se Ib diminui, Ic volta a diminuir, compensando o
aumento do beta.
Na prtica, a compensao no perfeita, pois a proporo em que Ic
aumenta no a mesma em que Ib diminui. Isto explica a mudana no ponto Q
quando ocorrem variaes no beta ou na corrente do coletor / base.
Polarizao por divisor de tenso (ou polarizao universal)
a polarizao com fonte simples mais usada em circuitos lineares. O
esquema a seguir ilustra a configurao. Observe que, basicamente, temos a
fonte de corrente anteriormente estudada, com a fonte VBB substituda por um
divisor de tenso.

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Curso Tcnico 63/111
Aplicando o teorema de Thevenin na base
Abra o terminal da base e aplique o teorema de Thevenin no divisor de tenso.
O resultado o circuito vislumbrado na figura 8.30:

Sendo VTH e RTH dados por:

RTH= R
1
.R
2
VTH= Vec.R
2

R
1
+R
2
R,+R
2

Somando as tenses ao longo da malha da base da figura acima, resulta:
VTH IB x RTH IE x RE - VBE =0
Como Ic~Ie, ento Ib~Ie/|cc
Se RE for muito maior, por exemplo 100 vezes, do que RTH / |cc ento o
segundo termo poder ser abolido e a equao ficar simplificada:

E
CC
C E
R
V
I I
7 , 0
= =
Um circuito de polarizao por divisor de tenso estabilizado aquele que
satisfaz a condio:

RTH < 0,01|cc .RE
O divisor de tenso firme menos rgido e constitui-se em uma segunda
opo, pois s vezes um projeto estabilizado resulta em valores to pequenos de
R
1
e R
2
que surgem outros problemas, como consumo excessivo. Neste caso,
muitos projetos so ajustados utilizando-se esta regra:
RTH < 0,1|cc .RE
Esta regra deve ser satisfeita para o |cc mnimo encontrado sob quaisquer
condies. Por exemplo, se um transistor tiver um |cc que varie de 80 at 400,
use o valor menor.
Existe uma outra interpretao para a equao completa da corrente de
coletor
Tenses teis do transistor na polarizao universal - conveniente medir
algumas tenses dos transistores com relao ao terra. As tenses Vc, Ve e Vb
so, respectivam ente:
Vc= Vcc ICQ.Rc
Ve=ICQ.Re=Vth-Vbe
Vb=Vth
Polarizao do emissor
Outra excelente maneira de polarizar um transistor usar a polarizao do
emissor. A diferena essencial que o emissor polarizado negativamente em
relao base, que normalmente fica no terra atravs de um resistor. Esta uma
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Curso Tcnico 64/111
excelente configurao de polarizao quando se dispe de uma fonte simtrica.
Observe o esquema da figura 8.31:

e
BE EE
E CQ
R
V V
I I

= =
) (

Polarizao por espelho de corrente
Suponha, no circuito a seguir, que Ib seja muito menor que Ir e Id de forma
que Ib=IR. Note que o diodo D est em paralelo com a juno base-emissor.
Se a curva do diodo D for idntica curva do diodo emissor, a corrente do
emissor ser igual corrente no diodo D. Como Ic~Ie verifica-se que Ic
praticamente a mesma corrente que circula no diodo D.


A noo de espelho vem do ltimo comentrio anterior; a corrente no coletor
o reflexo da corrente do diodo D.
Esta idia bastante empregada em circuitos integrados lineares, pois
durante a integrao fcil casar a curva do diodo D com a do diodo emissor.
Abaixo temos uma ilustrao sobre o que foi dito:

Se existe diferena na sobreposio das curvas, as correntes deixam de ser
iguais; e se o desvio for favorvel Ic (deslocamento da curva do diodo emissor
para a esquerda), pode ocorrer dissipao de potncia excessiva no transistor, o
que faz a temperatura aumentar. A temperatura do transistor aumentando
acarreta novo aumento em Ic (pois a curva do diodo emissor desloca-se mais
esquerda), que, por conseguinte, eleva mais ainda a temperatura do transistor.
Esse processo conhecido como deriva trmica e, se no for contido, pode ser
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Curso Tcnico 65/111
destrutivo para o transistor. Atente ao grfico a seguir:


Observao
As folhas de dados dos fabricantes especificam o quanto VBE varia com a
temperatura. Na falta do dado correto, uma boa aproximao que VBE diminui
2mV a cada grau Celsius de aumento na temperatura. Por exemplo: se um diodo
emissor tem uma queda de 0, 7V a 25
0
C, a 100
0
C a tenso cai para 0,55V
Polarizao do par diferencial
A figura 8.33 mostra a configurao bsica do par diferencial com TBJ. Ela
consiste de dois transistores casados, Q1 e Q2 cujos emissores esto
conectados juntos e polarizados por uma fonte de corrente. Essa fonte
usualmente implementada com transistor como fonte de corrente ou por meio de
um resistor RE usando a polarizao de emissor. Embora cada coletor esteja
conectado ao positivo da fonte Vcc

atravs de resistores Rc, essa conexo no
essencial ao funcionamento do par e, em algumas aplicaes, podem ser
conectados a outros transistores em vez de cargas resistivas. A sada do circuito
tomada estrategicamente entre os coletores de Q1 e Q2 sendo denominada
equilibrada ou desequilibrada. As entradas so normalmente conectadas no modo
diferencial, ou seja, a diferena entre elas que faz o ponto Q deslizar sobre a
reta de carga. Observe o circuito:




E
BE EE
CQ E
R
V V
I I
2
) (
= =
Aplicando uma tenso diferencial na entrada
Para entender como o par diferencial funciona, considere primeiro o caso em que
as duas bases esto conectadas juntas e ligadas a uma tenso VCM (VCM > 0V),
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Curso Tcnico 66/111
chamada tenso em modo comum. Isto , conforme indicado na figura a seguir,
VIN
1
= VIN
2
= VCM.

Como Q
1
e Q2 esto casados, implica diviso da corrente do resistor RE
igualmente entre os dois transistores, como verificamos anteriormente. Assim, a
tenso no emissor dada por:
VE = VCM - VBE
A tenso Vc ser Vcc-ICQ. Rc em cada coletor e a diferena de potencial
entre V
01
e V
02
continua sendo 0V. Conclumos que o valor em modo comum entre
as entradas VIN
1
e VIN2 rejeitado. Essa uma importante caracterstica do par
diferencial quando ele usado em CIs para construo do amplificador
diferencial.
Faamos nova investigao do circuito. Ajustamos agora VIN
2
para 0V e VIN
1
para +1V. Afigura 8.35 indica essa nova situao:

Com um pouco de anlise pode ser observado que Q1 estar conduzindo toda
a corrente IE e que Q
2
estar em corte. Devido conduo de Q1, o emissor dos
transistores ter 0,3V, que mantm juno base-emissor de Q2 reversamente
polarizada. As tenses de coletor sero Vc
1
= Vcc - ICQ.Rc

e Vc
2
= Vcc. Portanto,
VO=ICQ.RC.
Seja, agora, VIN
2
para 0V e VIN
1
para -1V, como ilustra a figura 8.36.
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Curso Tcnico 67/111

Outra vez pode ser observado que Q
1
estar em corte e Q2 conduzir toda a
corrente Ie O emissor dos transistores ter - 0,7V, implicando polarizao reversa
da juno base-emissor de Q1 em 0,3V. As tenses de coletor sero Vc
1
= Vcc e
Vc
2
= vcc ICQ.Rc. Portanto, Vo=ICQ.Rc

Pelos resultados obtidos, notamos que o par diferencial certamente responde
no modo de diferena ou modo diferencial. Realmente, com diferenas de
potenciais relativamente pequenas, somos capazes de controlar a corrente de
polarizao total de um lado do par para o outro. Essa propriedade permite us-lo
at em circuitos lgicos, embora quase todas as aplicaes sejam circuitos
lineares integrados.
Para o par com sada desequilibrada, todos os valores das correntes
permanecem os mesmos e a anlise matemtica inteiramente anloga. A
diferena essencial que sempre a sada V
0
retirada do resistor Rc

de Q2
Transistores PNP
Temos dado preferncia gratuita ao transistor NPN sem nenhuma justificativa
plausvel. A questo da utilizao prtica no influenciou nossa deciso, pois
ambos (NPN e PNP) so igualmente empregados. At mesmo os autores de
livros fazem o estudo de um transistor e depois introduzem o outro como
extenso natural. Nosso caminho ser o mesmo.
Polarizao do transistor PNP
Lembre-se que nosso interesse primordial operar o transistor na regio ativa
ou linear, porque estamos prontos para introduzir os circuitos amplificadores.
Nessa regio a juno base-coletor deve ser polarizada diretamente, enquanto a
juno baseemissor deve estar reversamente polarizada. Como no transistor PNP
mudam-se todas as polaridades em relao ao NPN, a base deve estar 0,7V mais
negativa que o emissor e positiva em relao ao coletor, ou seja, o coletor deve
estar mais negativo que a base para reverter a polarizao do diodo coletor. A
seguir temos uma ilustrao mostrando os dois transistores. Sugerimos que voc
memorize uma polarizao e, sempre que precisar, inverta todas as polaridades

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Curso Tcnico 68/111
Observao
No estranhe o desenho do transistor PNP de cabea para baixo. Em esquemas
eletrnicos ele normalmente aparece assim. A razo da inverso do transistor
PNP ser dada ainda nesta seo.
Outro detalhe que devemos avaliar o sentido convencional das correntes no
transistor PNP. Obviamente, so todas ao revs das correntes do transistor NPN.
Observe as figuras mostrando todos os sentidos nos dois transistores:

Diodo a partir do transistor
Para construir diodos a partir de transistores bipolares basta conectar a base
ao coletor e usar o diodo emissor como um diodo comum. Essa tcnica
bastante empregada em espelhos de corrente em CIs, pois mais fcil ajustar as
curvas do diodo emissor se os transistores forem idnticos. Veja as conexes:


Deslocando o terra
No h misticismo envolvendo o smbolo de terra em esquemas de circuitos
eletrnicos. Ele apenas um referencial no qual so ligadas muitas conexes em
comum, normalmente plos de fontes (mais comumente o negativo). Desde que
um e apenas um dos plos de uma fonte seja conectado ao terra, podemos
desloc-lo de um lado para o outro sem comprometer o funcionamento do circuito
(se se conectam os dois plos de uma mesma fonte ao terra, fica caracterizado
um curto-circuito). Vamos elucidar essa questo com exemplos.
Exemplo
Redesenhar a polarizao universal com o positivo da fonte V
00
ligado ao terra,
em vez do negativo.


Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 69/111

No fizemos absolutamente nada ao circuito original acima. Inicialmente, o n
1 estava Vcc

volts mais positivo que o terra (onde criamos o n 2). No circuito
redesenhado, continuamos tendo o n 1 Vcc

volts mais positivo que o n 2, mas
agora o terra est ligado nele. As correntes permanecem circulando com os
mesmos sentidos e valores originais. A nica diferena significativa que o
circuito redesenhado est em uma forma no muito convencional de desenhar e
parece estranho aos olhos da maioria dos profissionais da eletrnica. Algum
poderia perguntar: Mas j que a alterao no afeta em nada as correntes e
tenses, por que tivemos o trabalho de redesenhar o circuito? Nossa resposta :
Pretendemos usar a idia, no muito proveitosa aqui, para tornar as polarizaes
de transistores PNP aprazveis aos olhos.
A seguir observa-se algo que jamais deve ser feito na prtica: o uso de dois
terras em referenciais diferentes.


Observao
Na etapa 1, desenha-se o circuito mostrando a fonte e qual plo est ligado ao
terra. Na etapa seguinte, desloca-se o terra para o outro plo, deixando sem
referencial o plo que possua o terra. Por ltimo, mostra-se o novo referencial
aterrado, omite-se o plo onde est ligado o terra e troca-se o sinal da fonte de
tensao.
Circuitos polarizadores com transistor PNP

Abaixo temos exemplos de duas polarizaes envolvendo transistor PNP.
Observe que apenas retiramos o transistor NPN e invertemos a fonte em cada
caso. Em seguida usamos o deslocamento do terra para redesenhar os circuitos
com o transistor de cabea para baixo:
polarizao por divisor de tenso;

polarizao da base.
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 70/111


Da penltima para a ltima etapas, faz-se uma rotao de maneira que traga o
positivo da fonte Vcc para cima e o terra para baixo, como de costume. Isto pe
o transistor PNP com o emissor em cima ou de cabea para baixo.

Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 71/111
Reguladores de tenso
Reguladores de tenso so circuitos eletrnicos que mantm, em sua sada,
uma tenso eltrica constante, mesmo que os valores de carga e da tenso de
entrada variem, logicamente, dentro de uma faixa mxima de variao prefixada.
A forma bsica de um regulador de tenso o regulador shunt ou regulador
paralelo.
Regulador shunt ou paralelo
Um regulador shunt fica localizado em paralelo com a carga RL. O regulador
shunt bsico construdo empregando-se um diodo zener, sendo que a tenso de
entrada V para este e para os outros circuitos reguladores habitualmente a
sada de um retificador de onda completa, que utiliza um filtro capacitivo. A figura
9.1 mostra um circuito regulador shunt com diodo zener.

As equaes que podem ser usadas para este circuito so:
IL= Ii - Iz
VL=V - I.Rl

A seguir mostraremos um regulador shunt utilizando transistor em conjunto
com o diodo zener. A tenso em cima da carga a soma da tenso zener V~ com
a queda de tenso VBE do transistor.


VL = Vz + VBE

Regulador srie
As caractersticas de uma regulador de tenso podem ser melhoradas
consideravelmente, usando-se dispositivos ativos tais como o transistor. Na figura
9.3 temos o regulador de tenso tipo srie a transistor mais simples possvel.
Nesta configurao podemos dizer que o transistor se comporta como um resistor
varivel cuja resistncia determinada pelas condies de operao.
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 72/111

Para uma carga RL decrescendo ou crescendo, RI deve mudar da mesma
maneira e na mesma proporo a fim de manter a mesma diviso de tenso.
Devemos lembrar que a regulao de tenso determinada a partir das
variaes na tenso dos terminais, em funo da demanda da corrente de carga.
Para o circuito acima, uma demanda de corrente crescente associada a um RL
decrescente resultar em uma tendncia de VL diminuir. Aplicando a lei de tenso
de Kirchhoff malha de sada, teremos:
VL = Vz + VBE
Uma diminuio em VL (sabendo que Vz uma tenso fixa) resultar em
aumento em VBE. Como conseqncia, este efeito produzir aumento no nvel de
conduo do transistor, resultando em diminuio na resistncia em seus
terminais (coletor-emissor). Este efeito faz com que a tenso VL se mantenha
constante.
Regulador com realimentao da tenso
O coeficiente de temperatura de um diodo zener varia de negativo a positivo
entre 5V e 6V. Desta forma, os diodos zener com tenses de ruptura nesta rea
tero coeficientes de temperatura de aproximadamente zero. Em aplicaes
crticas, as tenses zener prximas de 6V so utilizadas porque se mantm
praticamente constantes quando a temperatura varia ao longo de uma grande
faixa. Esta estabilidade da tenso zener, s vezes chamada de tenso de
referncia, pode ser amplificada atravs de um amplificador com realimentao
negativa, obtendo-se, desta forma, uma tenso de sada com valores mais
elevados e com a mesma estabilidade de temperatura que a tenso de referncia.
A figura 9.4 mostra um regulador com realimentao da tenso discreto. O
transistor Q2 chamado de transistor de passagem, pois toda a corrente de carga
passa por ele. Na sada temos um divisor de tenso que amostra o valor da
tenso na carga e emite uma tenso de realimentao VF para a base de Q1. A
tenso de realimentao VF controla a corrente do coletor de Q1, que, por sua
vez, controla a corrente de emissor de Q2 o qual controla a tenso de sada.

Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 73/111
A tenso de entrada V proveniente de um retificador com filtro capacitivo com
ondulao tpica de pico a pico (ripple) de aproximadamente 10% da tenso CC.
A tenso de sada VL praticamente no tem ondulao, sendo quase
perfeitamente constante, mesmo que a tenso de entrada e a corrente de carga
possam variar. Isso ocorre porque qualquer variao na tenso de sada produz
uma tenso de erro que compensa automaticamente a variao tendida.
Por exemplo: se a tenso de sada tende a aumentar, o sinal VF tambm
aumenta, proporcionando uma corrente de coletor maior para 01, fazendo com
que a corrente de base de Q2 diminua, provocando diminuio da tenso de
sada.

Equaes
VF = Vz + VBE

F L
V
R
R R
V .
2
2 1+
=
O transistor de passagem est em srie com a carga. por isso que o circuito
chamado de regulador srie. A principal desvantagem de um regulador srie a
dissipao de potncia no transistor de passagem.
C CE D
I V P . =
Quando a corrente de carga intensa, o transistor de passagem precisa
dissipar muita potncia. Isto implica maiores dissipadores de calor e uma fonte de
alimentao mais potente.
Limitao de corrente
A figura 9.5 mostra uma forma simples de limitar a corrente de carga em valores
seguros, mesmo que a sada seja curto-circuitada. O resistor R
4
um sensor de
corrente. Esse resistor produz uma tenso que aplicada aos terminais base-
emissor do transistor Q3. Se a corrente de carga IL for menor que VBE/R
4
, a
tenso VR
4
ser menor que VBE de Q3. Nesse caso, Q3 est em corte e o
regulador funciona normalmente. Quando a corrente de carga IL for maior que
VBE/R
4
, a tenso sobre o resistor R
4
ser maior que VBE de Q3, fazendo, com
que este transistor entre em conduo. A corrente de coletor de 03 circula atravs
de R
3
, diminuindo a tenso na base de Q2 Isto faz com que haja diminuio de
tenso na carga. Na realidade temos uma realimentao negativa, pois o
aumento inicial de corrente na carga produz diminuio na tenso de carga. Essa
realimentao negativa se torna mais intensa para uma queda em R
4
entre 0,6 e
0,7V.

Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 74/111
Regulao de tenso
A qualidade dos circuitos reguladores depende basicamente da tenso de
carga, corrente de carga, regulao de carga e de linha, ondulao e outros
fatores. Veremos agora duas caractersticas muito importantes: regulao de
carga e regulao de linha.
Regulao de carga
Um regulador tem boa regulao de carga quando o valor da tenso de sada
sem carga o mais prximo possvel do valor da tenso de sada com carga
mxima. A regulao de carga pode ser expressa em porcentagem e calculada
conforme a equao:

%LR = VNL VFL .100%
VFL

Onde
LR - regulao de carga
VNL - tenso de carga sem corrente de carga
VFL- tenso de carga com corrente de carga mxima

Regulao de linha
A tenso da rede eltrica tem valor nominal em torno de 127V para alguns
locais e 220V para outros. Dependendo da demanda de energia, essa tenso da
rede pode assumir valores diferentes de 127V ou 220V. Variaes na tenso de
rede de at +/- 10% so admissveis, pois isto est previsto em contrato com a
concessionria de energia. A tenso de rede alimenta normalmente um
transformador, que, por sua vez, alimenta um retificador de onda completa. A
sada filtrada deste retificador tem seu valor de tenso proporcional ao valor de
tenso da rede e ser ligada entrada do regulador. Se houver alguma variao
na tenso de rede, provavelmente haver variao na tenso de entrada do
regulador, o que poder ocasionar variao na tenso de sada do regulador de
tenso. Quando houver variaes na tenso de rede e a tenso de sada regulada
permanecer praticamente inalterada, o regulador de tenso ter boa regulao de
linha. A regulao de linha pode ser calculada a partir da equao:

%SR VHL - VLL .100%
Vnom

Onde
SR - regulao de linha
VHL - tenso de carga com tenso de linha alta
VLL - tenso de carga com tenso de linha baixa
Vnom - tens o de carga nominal

Reguladores monolticos
Os reguladores monolticos so reguladores de tenso sob a forma de circuitos
integrados disponveis em invlucros de trs terminais. O circuito interno
incorpora uma fonte de tenso de referncia com compensao de temperatura,
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 75/111
um circuito amplificador de erro, um circuito imitador de corrente e estabilizador
trmico, e finalmente um transistor de passagem. Estes dispositivos podem
fornecer correntes de carga de 100mA a 5A, e tm grandes vantagens como
baixo custo e facilidade de utilizao. A figura abaixo mostra o diagrama em
blocos de um regulador monoltico. Notemos, no diagrama em blocos, a indicao
de uma corrente IQ, corrente quiescente que flui pelo ponto comum do regulador.
Esta corrente quiescente de aproximadamente 8mA, e um dado do fabricante
do regulador.

As sries 78XX e 79XX
As sries 78XX e 79XX so sries de reguladores positivos no caso da 78XX e
negativos no caso da 79XX. Tanto a srie 78XX quanto a 79XX tm valores
variados de tenso de sada. A identificao da tenso de sada de cada
regulador feita da seguinte forma: no lugar de xx descrito o valor da tenso
para a qual o regulador foi projetado para operar. Por exemplo: o Cl 7805 um
regulador para tenso positiva de sada igual a 5V. Outro exemplo: o 7912 um
regulador para tenso negativa de sada de -12V. Os valores para tenso fixa
regulada de sada mais comuns, tanto para a srie 78XX como para a srie 79XX,
so: 5V e - 5V, 6V e - 6V, 12V e -12V, 15V e -15V, e finalmente 24V e -24V. Os
reguladores das sries 78XX e 79XX so disponveis em encapsulamentos do
tipo 10 92 e 10220.
Ligando o regulador - A figura 9.7 mostra a forma na qual devemos conectar os
terminais dos reguladores da srie 78XX e tambm a disposio dos pinos para o
encapsulamento do tipo TO220. Os capacitores de desvio C
1
e C
2
tm a funo de
minimizar os efeitos de indutncias produzidas por fios condutores e melhorar a
resposta a transientes da tenso de sada regulada.

Utilizando regulador fixo para obter tenso ajustvel - Apesar dos reguladores
das sries 78XX serem reguladores de tenso fixos, h uma forma de obtermos
tenso de sada ajustvel dentro de uma faixa que sempre acima da tenso fixa
estabelecida pelo fabricante. Acrescentando dois resistores externos R
1
e R
2
,
poderemos mudar o valor da tenso fixa de sada do regulador. Os reguladores
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 76/111
de tenso da srie 78XX tm sua tenso de sada fixa em relao ao terminal
comum do mesmo. Se o terminal comum de um 7805 estiver conectado ao 0V,
teremos 5V em relao referncia zero volt, mas se aplicarmos uma referncia
diferente de zero volt ao terminal comum teremos uma tenso de sada que ser
a soma da tenso fixa com a tenso de referncia aplicada, isto em relao ao
zero volt. A figura 9.8 nos mostra a forma como devemos ligar o regulador para
obtermos tenses diferentes do valor fixado pelo fabricante e a equao para
calculo da tenso de sada V
0
.

2 ).
1
( R
R
V
I V V
reg
Q reg O
+ + =
Onde

Vo - tenso de sada
Vreg - tenso de sada fixa do regulador (dado do fabricante,)
IQ- corrente quiescente (dado do fabricante, aproximadamente 8mA)
Reforadores de corrente para reguladores monolticos
Os reguladores de tenso de trs terminais tm uma corrente mxima de
carga que eles so capazes de fornecer antes que o desligamento trmico ocorra.
Se necessitarmos de correntes mais elevadas nos reguladores, uma forma
eficiente de conseguir este acrscimo mostrada na figura 9.9. Veja que a
corrente de carga a soma da corrente do regulador com a corrente do coletor de
Q1.

A corrente mxima que ir circular pelo regulador determinada por R~, pois
quando a queda de tenso em Rs for de 0,6V o transistor Q1 entrar em
conduo, suprindo corrente extra para a carga. A equao para calcular Rs
demonstrada logo em seguida.

Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 77/111
Io = Is + Isc
VRS = VBE
VBE = Rs.IRs
Rs= VBE
IRS
Com a opo de colocar um transistor reforador de corrente, perdemos a
caracterstica de limitao de corrente mxima do regulador. Afigura 9.10 mostra
uma forma de termos um limitador de corrente para proteo do circuito


Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 78/111
Amplificadores de potncia em udio
Os estgios amplificadores, estudados at este ponto, tratam da amplificao
de sinais com maior nfase no ponto de vista de tenso. Porm, para que
possamos aplicar estes sinais carga, que geralmente tm valor de resistncia
baixo, alguns poucos Ohms, necessrio que eles sofram tambm uma
amplificao de corrente. Do exposto, entende-se claramente que os sinais a
serem amplificados passam por estgios amplificadores de tenso e corrente, isto
, so amplificados em potncia para acionar a carga. Os transistores do estgio
final de amplificao (potncia) dissipam grande quantidade de calor, visto que,
neste, a potncia do sinal elevada (acima de 0,5W). Deve-se tomar o cuidado
de mont-los em irradiadores de calor (dissipadores), a fim de que possam trocar
de calor com o meio externo, evitando a sua destruio por dissipao excessiva
de potncia. Os transistores dos estgios iniciais so de potncia inferior (abaixo
de 0,5W) e no necessitam de dissipadores. Estes estgios recebem a
denominao de pr-amplificadores.
Os amplificadores de potncia que discutiremos operam em trs classes
distintas, que so: A, B e AB.
Classe A
Na operao classe A, o transistor polarizado na regio linear ou ativa, isto ,
no entrar em corte ou saturao durante todo o ciclo do sinal de entrada.
O ponto Q deve situar-se aproximadamente no meio da linha de carga CC.
Analisaremos, a seguir, parmetros importantes dos amplificadores EC, a fim de
que possamos entender melhor o funcionamento em classe A.

Linha de carga CC
Vimos que, fazendo os capacitores anlogos a chaves abertas, o circuito
anterior reduzido ao seu equivalente CC, de onde podemos obter as equaes
dos pontos de saturao e corte da linha de carga CC. A figura 10.2 ilustra o que
foi descrito.

Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 79/111

Re +
=
Rc
V
I
CC
CSAt
(Saturao)
Vcc Vce = (corte)
O ponto de trabalho ou quiescente (Q) encontra-se plotado na linha de carga
CC, evidenciando a corrente quiescente de coletor (ICQ) e a tenso quiescente
de coletor
(VCEQ).
Linha de carga CA
Do ponto de vista da corrente alternada, fazemos os capacitores anlogos a
chaves fechadas e a fonte (Vcc) em curto, obtendo assim o circuito equivalente
CA, mostrado na figura 10.3, de onde equacionamos e traamos a linha de carga
CA.

Para a saturao, VCE = 0, a corrente ICSAT dada por:

c
CEQ
CQ CSAT
r
V
I I + =
E no corte Ic = 0, a tenso CA de coletor dada por:

C CQ CEQ CECORTE
r i V V . + =
Sendo
ICSAT - corrente CA de saturao
ICQ - corrente contnua do coletor
VCEQ - tenso CC do coletor-emissor
rc -resistncia CA vista pelo coletor (Rc// RL)
O grfico 34 ilustra as duas linhas de carga (CC e CA) sobrepostas em um
nico grfico, a fim de que se possa visualizar o quanto podemos deslocar o
ponto quiescente (Q) sem distoro do sinal (ceifamento).






Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 80/111
Compliance CA de sada (PP)
Compliance CA o mximo valor de tenso pico a pico na sada de um
amplificador sem ceifamento, ou seja, quanto o ponto Q pode se deslocar ao
longo da linha de carga CA sem atingir os pontos de corte e saturao. O grfico
35 ilustra o que foi descrito.

Sabendo-se que a tenso CA de corte igual VCEQ + ICQ. rc, a maior
excurso positiva do sinal partindo do ponto Q ser VCEQ + ICQ.rc
-
VCEQ,
portanto igual a ICQ.rc
Analogamente, considerando a tenso CA de saturao idealmente zero, a
mxima excurso negativa partindo do ponto Q ser 0 - VCEQ, portanto igual a
-VCEQ.
A compliance CA de sada de um amplificador EC dada pelo menor destes
dois valores aproximados:
PP = 2ICQ.rc ou 2VCEQ
Sendo a linha de carga CA o recurso mais importante para o clculo da
compliance CA de sada, passaremos a analisar a linha de carga de outros
amplificadores.
Coletor comum ou seguidor de emissor






Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 81/111
Sabendo que o sinal de sada retirado no emissor do transistor, a resistncia
CA vista neste ponto (re) igual a:
re =Re //RL
A corrente CA de saturao e a tenso VCE de corte so obtidas por meio de
dedues matemticas idnticas s que foram apresentadas para o amplificador
EC, sendo seus respectivos valores iguais a:
re
V
I I
CEQ
CQ CSAT
+ = e re I V V
CQ CEQ CEcorte
. + =
A compliance CA de sada menor que:
PP=2ICQ.re ouPP=2VCEQ

Base comum

As anlises feitas para o amplificador EC so vlidas para o amplificador em
base comum, considerando-se a grande aproximao entre eles. Assim sendo, a
compliance de sada aproximadamente a mesma. Ento, temos:
rc= Rc// RL
PP =2ICQ.rC ou PP =2VCEQ
Amplificador Linearizado (com realimentao parcial) no emissor

Sero, mais uma vez, omitidas as dedues matemticas para a linha de
carga CA, visto que so idnticas s j apresentadas. Portanto, temos que a
corrente de saturao igual a:

1 Re +
+ =
re
V
I I
CEQ
CQ CSAT
e ) 1 Re .( + + = re I V V
CQ CEQ CEcorte

A compliance CA de sada igual a:
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 82/111
PP =2ICQ.rC ou PP =2VCEQ
1 Re + rc
rc

Compliance mxima de sada
Em se tratando de amplificador para grande sinal, a localizao do ponto Q de
fundamental importncia para obtermos, na sada, a mxima compliance.
Conforme visto anteriormente, com o ponto Q no meio da reta de carga CC, no
podemos ter excurses iguais positivas e negativas do sinal, uma vez que o des-
locamento do ponto Q ao longo da linha de carga CA maior em direo
saturao do que em direo ao corte. O grfico 36 ilustra o que foi descrito.


Assim, devemos satisfazer as seguintes relaes para cada amplificador
bsico, a fim de obtermos a mxima excurso positiva e negativa do sinal ao
longo da linha de carga CC:

ICQ . rc = VCEQ, para estgio em emissor comum;
ICQ . re = VCEQ, para estgio em coletor comum;
ICQ . rC = VCEQ
1 Re + rc
rc
,para estgio com realimentao parcial de
emissor.
Analisaremos, a seguir, alguns parmetros importantes do amplificador classe A
mostrado na figura 10.7.


Ganho de tenso (Au)
Conforme j estudado, o ganho de tenso a relao entre a tenso de sada e a
tenso de entrada. Usando um pouco de lgebra podemos determinar, por uma
relao direta, o ganho de tenso sem carga e com carga, conforme mostrado a
seguir:
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 83/111

e r
Rc
Av
'
= (sem carga)
Como rc= Rc

II RL, tem-se:

e r
rc
Av
'
= (com carga)




Ganho de corrente (Ap)

O ganho de corrente a relao entre as correntes CAs de coletor e de base,
podendo ser aproximada ao | com erro desprezvel.

| ~ =
b
c
i
i
Ai
Ganho de potncia (Ar)
O ganho de potncia a relao entre a potncia de sada (P
0
) e a potncia
de entrada (P
in
) de um amplificador, expresso matematcamente por:

Ap= P
0
/ Pin,

Sendo

P
0
=-V
0
.ic e Pin= Vin.ib, temos:

Ai Av Ap . =
Onde

Ap - ganho de potncia
Av- ganho de tenso
Ai - ganho de corrente
Vo - tenso de sada
Ic-- corrente de coletor
Vin- tenso de entrada
Ib- corrente de base

Potncia na carga (PL)
Corresponde ao valor de potncia CA na sada do amplificador, isto , sobre a
carga.
Considerando os valores de tenso eficaz e de resistncia de carga, a potncia
(PL) dada por:

RL
V
P
L
L
2
=

sendo VL=0,707Vmx e Vmx=Vpp / 2,tem-se:

2
707 , 0 Vpp
V
L
=

Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 84/111
Ento, substituindo na equao da potncia na carga, tem-se:


RL
pp V
P
L
8
2
=
Considerando que o maior valor de tenso pico a pico no ceifado na sada de
um amplificador igual compliance do mesmo (PP), podemos rescrever a
equao anterior para a mxima potncia na carga (Plmx) Assim, teremos:
RL
PP
P
LMX
8
2
=

Potncia de dissipao do transistor (PD)
Deve-se tomar o cuidado de especificar a potncia nominal do transistor como
sendo maior que a potncia quiescente (PDo) visto que a condio crtica de
dissipao de potncia ocorre quando no h sinal na entrada do mesmo, ou
seja, PD diminui medida que a tenso pico a pico na carga aumenta. Assim,
conclui-se que:
PDO= VCEQ. ICQ
P D(mx)>PDO
Sendo
PDO - potncia de dissipao quiescente
VCEQ - tenso entre coletor-emissor quiescente
ICQ-corrente de coletor quiescente
PD(mx) - potncia de dissipao mxima
Rendimento ou eficincia do amplificador em porcentagem (r~%)
Corresponde relao entre a potncia CA em RL com a potncia entregue
pela fonte V
cc
.
% 100 .
Pcc
P
L
= q
Sendo
PL- potncia CA em RL
Pcc- potncia da fonte V~
0


O rendimento mximo da classe A com acoplamento RC de 25%.
Classe B
Na operao em classe B, o transistor polarizado de modo a operar no corte;
o mesmo s conduzir quando for aplicado o sinal.

Para o transistor conduzir, deve-se ter uma tenso VBE acima de 0,5V (limiar
da conduo dos transistores de silcio).
Como no h polarizao CC de base, tem-se que o transistor s ir conduzir
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 85/111
quando o sinal Vg ultrapassar 0,5V. Isto ocasiona, na sada, uma deformao no
sinal denominada distoro de cruzamento (crossover). O grfico 37 ilustra o que
foi descrito.


Abaixo so mostradas a curva Ic x VBE e a linha de carga CA do circuito
apresentado.

ICQ=0
VCEQ=Vcc

Eficincia ou rendimento do estgio (ii)
a relao entre a potncia na sada e a potncia contnua, dada em
percentual e expressa matematicamente por:
% 100 .
Pcc
P
L
= q
Amplificador push puII

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Curso Tcnico 86/111


Linhas de carga CC e CA - Pelo fato dos transistores estarem polarizados no
corte, a linha de carga CC vertical, representando risco de surgimento de
correntes elevadas, visto que uma reduo significativa no VBE, com a variao
da temperatura, pode deslocar o ponto O para cima na reta de carga CC, uma vez
que o resistor de coletor no existe. No entanto, aceitaremos por ora que o ponto
Q firme no corte, afastando assim esta hiptese. Para a linha de carga CA,
considerando ICQ=0 VCEQ = Vcc/2 e re = RL, temos:
ICSAT =ICQ+ VCEQ
re
ICECORTE= VCEQ + ICQ.re
ento:

RL
Vcc
I
CSAT
2
=
e
2
Vcc
I
CECORTE
=
O grfico 39 ilustra o que foi descrito.

Funcionamento

Quando o sinal de entrada (Vg) for positivo, temos somente Q1 conduzindo.

Quando Vg for negativo, temos somente Q2 conduzindo.

A tenso de sada est em fase com Vg.

A fonte (Vcc) s fornecer corrente quando o transistor (Q1) conduzir.

Os transistores Q1 e Q2 esto na configurao seguidor de emissor (coletor
comum) e, com isso, temos:

|
rb
e r Zsaida + = '
Sendo rb a resultante da associao paralela das resistncias conectadas
base dos transistores.

Alta impedncia de entrada (na base).


Zent (base) = |(RL + re)

Alto ganho de corrente (Ai).

A
1
=|
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Curso Tcnico 87/111

Ganho de tenso unitrio (A~).

Av = 1
'
~
+ e r RL
RL


Menor distoro no-linear, visto que os dois semiciclos tm a mesma forma.
A compliance CA na sarda de um amplificador push-pull classe B maior do que
no amplificador classe A, visto que o transistor que estiver conduzindo pode
deslocar o ponto Q at o extremo da linha de carga (saturao ou corte). Este
valor pode, ento, ser expresso matematicamente por:

PP~ Vcc

A potncia CA da carga dada por:


RL
pp V
P
L
8
2
=

Considerando a mxima potncia na carga, temos:


RL
PP
P
LMX
8
2
=

Potncia de dissipao no transistor - Quando no existe sinal aplicado
entrada do amplificador push pull, praticamente no flui corrente pelos
transistores, ocasionando uma potncia dissipada extremamente baixa.
Entretanto, com sinal, os transistores tm grandes excurses de corrente, o que
caracteriza grande dissipao de potncia.
A potncia mxima dissipada pelo transistor em conduo pode ser
determinada por:
RL
PP
P
DMX
40
2
=
Rendimento ou eficincia do estgio (qI) - A classe B tem rendimento maior
que a classe A, visto que produz uma potncia de sada mais alta, com menor
potncia contnua. Conforme dito anteriormente, o rendimento mximo em classe
B dado por: % 100 .
Pcc
P
L
= q
Amplificador push pull classe B polarizado ou classe AB
O mtodo consiste em associar as caractersticas da classe A e da classe B.
O transistor polarizado no limiar da conduo, isto , prximo do corte. Proce-
dendo assim, a distoro crossover praticamente eliminada.
A forma mais simples de polarizar um push pull com divisor de tenso, conforme
ilustrado na figura 10.11.
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 88/111

Foi acrescentado o resistor R
3
, de modo a prefixar as tenses VBE de Q
1
e Q2.
A queda de tenso sobre R
3
ser:

2 1 3 BE BE R
V V V + =
Deve-se ter uma compensao trmica para os transistores Q
1
e Q
2
, visto que,
aumentando a temperatura, aumenta a corrente de fuga. Tambm h um
deslocamento da caracterstica Ic x VBE, ou seja, VBE diminui de
aproximadamente 2mV para cada grau Celsius de aumento de temperatura
(-2mV/
0
C). Como o potencial de R
3
fixo, pode-se desenvolver uma corrente cada
vez maior de coletor, levando o transistor destruio (regio de dissipao
excessiva).
Para evitar que isto ocorra, pode-se adotar o mtodo de polarizao por
diodos, aplicando a tcnica de espelho de corrente, bastando fazer casar as
curvas VBE dos transistores com os diodos. Assim, qualquer aumento na
temperatura ir reduzir a tenso de polarizao, imposta pelos diodos
compensadores (D
1
e D
2
). Pode-se melhorar ainda mais a compensao trmica,
inserindo no terminal de emissor dos transistores dois resistores de fio (R
4
e R
5
) a
fim de se limitar o valor da corrente mxima de coletor (ICQ).
Assim, se ICQ tende a aumentar com a elevao da temperatura, e
considerando que os diodos estabilizam a tenso em aproximadamente 1,2V, o
seu valor ser limitado a:

5 4
2 2 , 1
R R
V
I
BE
CQMX
+

=
A fim de que no haja perda de energia significativa nos resistores (R
4
e R
5
),
devese fazer:
10
5 4
RL
R R s =
Afigura 10.12 ilustraoque foi descrito:

Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 89/111


A fim de tornar mais fcil e preciso o casamento das curvas VBE dos
transistores com as dos diodos de compensao trmica, pode-se utilizar
transistores iguais a Q1 e Q2 de tal forma que se comportem como diodos, ou
seja, com os terminais de base ecoletorem curto, conforme ilustrado na figura
10.13.

Outra maneira de fazer a compensao trmica utilizando termistor NTC
entre os terminais de base dos transistores Q1 e Q2 Aumentando a temperatura,
a resistncia do NTC diminui, o que faz diminuir a tenso entre as bases, no
deixando Q
1
e Q2 conduzir intensamente. A figura 10.14 ilustra o que foi descrito.


Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 90/111
Para aumentar a sensibilidade do NTC, utiliza-se o mesmo juntamente com
um transistor, conforme mostrado na figura 10.15.

Aumentando a temperatura, a tenso entre os pontos A e B (VAB) diminui,
devido ao fato de a resistncia do NTC diminuir.
Em altas potncias, deve-se utilizar transistores Darlington no lugar de 01 e
(Fig. 10.16). Neste caso temos:

impedncia de sada (Zo) muito baixa
alto ganho de corrente (Ai);
impedncia de base maior (Zbase).
Dissipadores de calor
A potncia desenvolvida sob forma de calor no coletor dos transistores de sada
muito alta, fazendo valer algumas consideraes importantes. Por exemplo,
temperatura ambiente (25
0
C), a troca de calor entre o meio ambiente e a cpsula
(invlucro) do transistor, que poder ser metlica ou plstica, pode ser suficiente
para uma determinada condio de funcionamento do equipamento. Porm, com
o aumento desta temperatura, esta troca de calor para a mesma condio anterior
de trabalho poder no serto eficiente, fazendo com que os transistores
permaneam quentes por uma faixa de tempo, tendo como conseqncia o
surgimento de uma corrente reversa nos terminais de coletor. Esta corrente,
somada ao nvel quiescente, faz com que a dissipao de potncia nos
transistores seja ainda maior. Este efeito cumulativo e termina por levar os
transistores destruio. A este fenmeno denominamos deriva trmica.
Uma forma de minimizar este efeito fazer com que a rea da superfcie do
encapsulamento do transistor seja aumentada. Para isso utilizamos os
dissipadores de calor, que so massas metlicas (chapas de metal) de modelos
variados, podendo ou no ser alteradas, com o propsito de melhorar a
transferncia de calor do encapsulamento para o meio ambiente. Em alguns
casos, o terminal de coletor conectado a uma placa metlica ou carcaa do
encapsulamento, a fim de facilitar a conexo com o dissipador e melhorar a
dissipao de calor. Quando isso acontece, necessrio, s vezes, isolar o
terminal de coletor do terra do circuito. Para isso, so utilizados isoladores de
mica, por se tratar de um material que bom isolante eltrico e condutor trmico.
Outros acessrios so amplamente utilizados, como, por exemplo, isoladores
plsticos (buchas) para isolar terminais e/ou parafusos de fixao, pasta trmica
para reduzir a resistncia trmica entre o dissipador e o encapsulamento, entre
outros.

Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 91/111
Transistor de juno por efeito de campo (JFET ou FET)
um dispositivo semicondutor que requer um campo eltrico para o controle
de sua corrente de operao. E, tambm, conhecido como transistor unipolar, por
possuir apenas um tipo de portador de corrente (eltrons ou lacunas).
JFET = Junction Field Effect Transistor
Comparao entre FET e transistor bipolar
O FET tem impedncia de entrada muitas vezes maior.
O FET tem comutao mais rpida.
O FET apresenta elevada sensibilidade trmica.
O FET quase no gera rudos.
O FET tem ganhos e potncias de trabalho menores.
Tipos de FET
Classificao da famlia FET
De juno (FEl) Tipo depleo Canal tipo N e tipo P
De porta isolada
(MOSFET ou IGFET)
Tipo depleo Canal tipo N e tipo P
Tipo
intensificao/Induo
Canal tipo N e tipo P
VMOS! DMOS ! TMOS Canal tipo N e tipo P
Hbrido com TBJ
(IGBT)

De arsenieto de glio - GaAs
GaAsFET ou MESFET
Tipo depleo
Canal N


Transistor de efeito de campo de juno (JFET)
A figura 11.1 mostra a seo em corte de um JFET canal N. A regio
denominada substrato feita de material do tipo P, no qual est incrustado o
material do tipo N para produzir o canal. Os terminais nas extremidades do canal
so conhecidos como dreno (D - drain) e fonte (S - source). No centro do material
tipo N existe outra regio tipo P, denominada porta (G - gate).

Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 92/111
Polarizao de um JFET
As ilustraes mostram as formas corretas de polarizao da juno porta-
canal para os dois tipos de JFET de depleo existentes.

Normalmente o substrato conectado internamente no terminal de porta.
Como veremos, isso aumenta o controle sobre o canal.
Note que no h necessidade de resistncia na porta, pois em ambos os
casos a juno porta-canal deve estar reversamente polarizada. A polarizao
direta na porta-canal no tem significado, em termos de controle da corrente IDS
e deve ser evitada para manuteno das caractersticas do JFET.
Princpio de funcionamento
Juno porta-canal com polarizao reversa VGS =0V - Circular uma
corrente no canal (IDs) que ser diretamente proporcional ao valor de VDS
aplicado. O canal comporta-se como um resistor e, devido ao sentido da corrente,
o potencial no dreno (D) ser mais positivo que na fonte (S), para o JFET canal
tipo N. Se o JFET for canal do tipo P, o potencial em (D) ser mais negativo que
em (S).
Fazer VGS= 0V significa conectar a porta fonte eletricamente. A corrente IDS
provoca, internamente, quedas de tenso bem distribudas e isto reverte a
polarizao da juno porta-canal de forma variada. A camada de depleo ser
esticada em direo ao dreno e estreitada na fonte (para o JFET canal N).
Esta polarizao produz uma regio de depleo no canal que limita a corrente
atravs dele. Quanto maior a queda de tenso no canal (VDS maior), mais larga
a regio de depleo que se forma e mais reduzida ser a corrente. Estes dois
efeitos se opem e, a partir de uma determinada tenso VDS, eles estaro em
equilbrio e a corrente DS permanecer constante. Esta tenso conhecida como
tenso de pinamento (pinch-off) e simbolizada por Vp. A tal corrente
remanescente denominada corrente mxima do dreno IDSS especificada para
VDS> Vp e VGS = 0V. Perceba os detalhes na figura 11.3
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 93/111

Juno porta-canal com polarizao reversa VGS<O - Nestas condies, a
camada de depleo se alargar devido polarizao reversa adicional imprimida
pela fonte VGS. O campo eltrico formado pela camada de depleo provocar o
estreitamento do canal e, conseqentemente, um aumento na sua resistncia e
diminuio na corrente IDS. Assim, variaes na tenso entre a porta e a fonte
refletem-se em variaes na corrente do canal. Outra vez, devido queda de
tenso interna no canal, a camada de depleo ser mais esticada em direo
ao dreno.
Se continuarmos a aumentar (negativamente) VGS, ser atingido um valor no
qual a regio de depleo ocupar todo o canal. Com esse valor de VGS o canal
fica completamente deplecionado de portadores de carga - eltrons no canal N e
lacunas no canal P-; o canal em efeito desaparece. Essa tenso VGS
denominada tenso de corte VGs(CORTE) ou VGS(OFF), a qual obviamente
negativa para o JFET canal N e positiva para o canal P.
Observe as ilustraes alusivas condio anterior.

Polarizao direta da juno porta-canal Vgs>0- O JFET no foi otimizado
para funcionar neste modo. Esta polarizao produz corrente pelo canal, o que
pode danificalo. Ademais, a juno porta-canal No pode exceder a 0,7v, j que
ela basicamente um diodo.
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 94/111

Observao
No JFET simtrico, a fonte e o dreno podem ser usados indistintamente, ou seja,
pode-se troclos de posio e o funcionamento permanecer inalterado.
Exemplos de JFET simtrico:
2SK30A, 2SK68A, 2SK72A etc.
No JFET assimtrico a ordem dreno-fonte deve ser preserva da, sob pena de
incorrer no funcionamento inadequado do componente. Exemplos de JFET
assimtrico: 2N5457, BF244, J11O, J2N3955, MPF38 19, B5R58 etc.
Curvas de dreno
- JFET tem curvas caractersticas para o dreno bastante semelhantes quelas
estudadas para o coletor do transistor bipolar. Observe-as:

Regio hmica ou de triodo - O JFET comporta-se como um resistor de dreno
para fonte cuja resistncia depende da tenso VGS. Nestas aplicaes tomam-se
valores baixos de V
DS
(tipicamente menores que 100mV) para aproveitar a
linearidade das curvas de dreno. Se nessa regio a corrente varia linearmente
com a tenso, a lei de Ohm (Rds

= VDS/ IDS)pode ser aplicada em toda a sua
simplicidade. Observe que nos referimos a um trecho reduzido da curva.
Localmente o JFET hmico, mas globalmente no. Nessas situaes
encontramos um sem-nmero de aplicaes do JFET denominadas VDR
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 95/111
(Resistncia Varivel com a Tenso). Observe:

A denominao triodo traz-nos reminiscncias da era em que as vlvulas
eletrnicas de gs a baixa presso dominaram. De fato, os JFETs e os
MOSFETs so a verso atual das vlvulas.
Regio de amplificao - O valor de VDS maior que o da tenso Vp. A
corrente permanece praticamente constante para as variaes de VDS, sendo
controlada apenas por VGS. E nesta regio que devemos polarizar um JFET
quando desejamos oper-lo como amplificador.
Regio de corte - O valor de VGS maior (em mdulo) que VGs(OFF). No h
praticamente corrente e circula uma corrente reversa na juno porta-canal
(IGSS) desprezvel, situada entre nA e pA.

Regio de ruptura - O valor de VDS maior que BVDSS e existe o perigo de
destruir o componente.

Algumas terminologias importantes

IDSS - corrente mxima que um JFET pode conduzir. Dada para um
determinado valor de VDS e VGS= 0V.

IGSS - corrente reversa na juno porta-canal.

VGS(CORTE) = VGS(OFF) - valor de tenso reversa na juno porta-canal,
que fecha completamente o canal e torna ID= 0A.

Vp - tenso de pinch-off, pinamento ou constrio. Valor de tenso VDS a
partir da qual a corrente ID torna-se constante.

BVGsS - mxima tenso que pode ser aplicada juno porta-canal.

BVDSs - mxima tenso que pode ser aplicada entre dreno e fonte.

Curva de transcondutncia
Grfico da corrente ID em funo da tenso VGS, para VDs maior que Vp.
Em eletrnica, o prefixo TRANS relaciona uma variedade de sadas por uma
variedade de entradas. Observe que, tivessemos dividido a corrente da porta
IGSS pela tenso VGS, obteramos uma condutncia. Porm, estamos avaliando
o comportamento de ID (sada) quando VGS (entrada) varia. O grfico da
transcondutncia um arco de parbola descrito por:
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 96/111

( )
2
1
(
(

=
OFF GS
GS
DSS D
V
V
I I





Observe que iD funo apenas de VGS, pois IDSS e VGS(0FF) so
constantes para cada JFET.

Circuitos polarizadores do JFET
Ao contrrio do que fizemos para o transistor bipolar, vamos abordar apenas a
polarizao por divisor de tenso, porque h outras aplicaes diferentes e
importantes que iremos ressaltar. Voc pode estudar outras olhando as
referncias bibliogrficas que citamos no final.
Para a polarizao de um JFET necessrio estabelecer a tenso VGS que
resulte na corrente de dreno desejada. A corrente de dreno ID no pode
ultrapassar IDSS. A eficincia do circuito polarizador medida em relao
permanncia ID constante, apesar de possveis variaes em IDSS e VGs.

Polarizao universal ou por divisor de tenso
O esquema da polarizao o mesmo que havamos estudado para o transistor.
Observe-o:

Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 97/111
Aplicaes do JFET como chave
Dentre as aplicaes mais importantes e populares do JFET, encontramos
algumas que realmente so bastante distintas das encontradas para o transistor
bipolar.
Novamente, se queremos operar um componente como chave devemos
trabalhar com apenas dois pontos da reta de carga dele. Aqui bastante fcil
faz-lo operar assim. Se VGS =0V, o canal est completamente aberto, de forma
que, de dreno para a fonte, o JFET assemelha-se a um chave fechada. Se o VGs

= VGS(0FF), o canal estar fechado e o JFET assemelha-se a um chave aberta.
A chave srie e paralela
Se desejarmos chavear uma pequena tenso CA (menor que 100mV) atravs
de uma carga, uma boa escolha usar as configuraes srie e paralela de
chave a J FET.
Na chave srie, os terminais dreno-fonte so colocados em srie com a carga.
Fazendo VGS = 0V ou VGS = VGS(OFF), controla-se a permanncia ou no do
sinal na sada, respectivamente. Deve-se considerar a resistncia rdS(ON) e usar
a regra do divisor de tenso para achar a tenso na carga. Observe o esquema

Na chave paralela, os terminais dreno-fonte esto em paralelo com a carga.
Fazendo VGS VGs(OFF) ou VGS = 0V, permite-se ou no a presena de tenso
na sada, respectivamente. Se a chave estiver ligada, a resistncia rdS(ON)
colocada em paralelo com RL e o equivalente (RL II rdS(ON)) usado na regra do
divisor com para encontrar VS. Caso a chave esteja aberta, apenas RL entra no
clculo da tenso de sada, usando a regra do divisor de tenso. Observe a figura
11.11.


Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 98/111
Multiplexao analgica
Uma aplicao bastante interessante til a multiplexao de sinais no
tempo. A idia consiste em transmitir vrios sinais eltricos analgicos em um
mesmo fio, mas em tempos diferentes.
Vamos analisar um Mux de trs canais (entradas) com JFET. Na verdade so
trs chaves srie com um terminal em comum. Atravs dos terminais de controle
VGs1,VGS2 e VGS3 permitimos ou no a passagem dos sinais pelos JFETs.
Lembramos que os sinais devem ter amplitudes menores que 100mV.
Observao
Um sinal analgico aquele que tem infinitos valores num intervalo de tempo
determinado.


FET de xido metlico (ou de porta isolada) - MOSFET Definies teis
MOSFET - Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.
IGFET - lnsulated Gate Field Effect Transistor.
MESFET - Gallium Arseneide (GaAs) Devices - The Mesfet.
IGBT - lnsulated Gate Bipolar Transistor.
NMOS = N - Channel Metal Oxide Semiconductor.
PMOS P - Channel Metal Oxide Semiconductor.

MOSFET tipo depleo
A grosso modo, o MOSFET tipo depleo um JFET com a possibilidade de
aplicao de tenses VGS positivas. Observe que se h aplicao de tenso na
porta-fonte o canal est aberto. Por esta razo comum nos referirmos a ele
como dispositivo normalmente ligado. Veja tambm que o substrato est
supostamente ligado fonte (S), conexo que feita na fbrica. possvel
encontrarmos o MOSFET sem esta ligao. Nesse caso, o controle da corrente
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 99/111
no canal pode ser feito por VGS e por uma tenso negativa -VSuB (no caso do
MOSFET canal N) que torna o controle refinado.

Princpio de funcionamento
Juno porta-canal em curto (Vgs

=0) - Circular uma corrente IDS atravs do
canal, diretamente proporcional tenso VDS aplicada. Como num JFET, esta
corrente provoca quedas de tenso ao longo do canal, entre dreno (D) e fonte (S),
forma um campo eltrico do canal para a porta (G) e ocorre a carga do capacitor
formado no Canal-Sio2-Metal (o capacitor real consiste em Metal-isolante-Metal),
com negativo dentro do canal. Para tenses VDS maiores que a tenso de pinch-
off, a corrente estabiliza-se em IDSS Observe os esquemas para os dois
MOSFETs: Tipo-P e Tipo-N. (Fig. 11.14)


Porta-canal com polarizao reversa- VGS <0 (canal N) ou VGS >0 (canal P)
Se o canal for do tipo N, a tenso reversa aplicada de porta a fonte deve ser
negativa, conforme a figura 11.15. Este potencial negativo, por induo, ir repelir
os eltrons livres do canal N, diminuindo o nmero de portadores majoritrios e,
conseqentemente, reduzindo a corrente no canal. Existe um valor de Vgs
reverso que obstrui o canal completa e irremediavelmente, chamado VGSOFF.
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 100/111

Juno porta-canal com polarizao direta
Suponha ainda o canal do tipo N. Aplicando-se um potencial positivo na porta,
ser provocado, por induo, um aumento no nmero de eltrons livres no canal,
elevando a condutividade e a corrente IDS para valores maiores que IDSS.

Podemos perceber duas vantagens do MOSFET tipo depleo sobre o JFET:
a juno porta-canal suporta tenses positivas;
em quaisquer condies, a resistncia de entrada da porta (G) muito
elevada, uma vez que a circulao de corrente est praticamente descartada
(devido ao isolante Si0
2
).
Uma desvantagem de todos os MOSFETs que a camada de dixido de
silcio deve ser suficientemente fina a fim de permitir o controle da largura do
canal pela tenso VGS. O fato que a camada de Si0
2
torna-se susceptvel a
destruio por descargas ou eletricidade esttica, caso haja acumulao
excessiva na regio da porta-canal. essa razo que leva os fabricantes de
MOSFETs a normalmente protegerem os dispositivos, acrescentando diodos
zener da porta fonte ou da porta ao substrato. Outro detalhe que usualmente
encontramos esses componentes com os terminais em contato atravs de es-
ponjas condutoras.
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 101/111

freqente a denominao da regio da porta-canal, onde ficam armazenadas
cargas, de capacitncia parasita. Esta capacitncia a chave do funcionamento
das memrias RAMs dinmicas, que conseguem armazenar muita informao em
pequeno volume.
Curva caracterstica de dreno - As curvas de dreno aqui so semelhantes
quelas estudadas. Entretanto, existem curvas alm da VGS= 0V, VGS > 0V,
casos impossveis para o JFET, pois ele no admite polarizao direta na porta.





Curva de transcondutncia
As definies para Vp, IDSS e rd desenvolvidas para JFET aplicam-se sem
restries ao MOSFET tipo depleo, com uma ressalva: a parte do primeiro
quadrante da curva ID x VDS permitida para este dispositivo. Portanto, a
equao da curva de transcondutncia permanece vlida:
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 102/111


Circuitos polarizadores do MOSFET tipo depleo
Os MOSFETs tipo depleo podem ser polarizados pelos mesmos circuitos j
descritos para os JFTEs: polarizao da porta; autopolarizao; polarizao por
divisor de tenso; polarizao da fonte e polarizao por fonte de corrente a TBJ.
Alm destas, pelo fato de poderem operar com VGS = 0V, os MOSFETs tipo
depleo admitem ainda a denominada polarizao zero. O circuito desta
polarizao encontra-se a seguir:


MOSFETs intensificao
- MOS FEl tipo depleo era conhecido como MOSFET normalmente ligado
pelo fato do canal apresentar-se aberto para VGS=0V. Aqui, as coisas so
bastante diferentes. Observe a estrutura fsica de um MOSFET
intensificao:

Observe que, independentemente da polaridade de uma suposta fonte VDD,
apenas uma das junes PN (J
1
ou J
2
) estar polarizada diretamente. Portanto,
quando VGS=0V, a corrente IDS nula. Por isso, ele conhecido como MOSFET
normalmente desligado.
Antes de explorarmos um pouco mais acerca deste dispositivo, conveniente
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 103/111
fazer uma breve divagao.
As aplicaes nas reas de potncia dos MOSFETs tm crescido
consideravelmente. Sua melhor caracterstica ter velocidade de chaveamento
superior a qualquer outro tipo de dispositivo de alta potncia. A razo para isto o
fluxo de corrente unidirecional, que no causa armazenamento de cargas e, por
conseguinte, sem acomodao das mesmas. Na verdade, a velocidade depende
da carga e descarga da Porta-Fonte - efeito capacitivo -, mas bons circuitos
externos podem propiciar resultados excelentes durante o chaveamento. Diversos
fabricantes colocaram MOSFETs de potncia no mercado, usando designaes
diferentes; a Motorola usa TMOS, a Internacional Rectifier (IR) adotou HEXFET, a
Siemens colocou o seu MQS com canal em V como SIPMOS, VMOS e DM0S
tambm so de uso fluente. Aqui abordaremos os MOSFETs de uma forma geral,
centralizando o nosso foco no VMOS, que, apesar de ter sido o primeiro, ainda
no encontrou concorrente em altas freqncias.
Estrutura convencional de um MOSFET tipo intensificao - Em termos de
semi-condutor, a estrutura do MOSFET bastante singular. Afigura 11.21 ilustra a
mais simples das configuraes de um MOSFET intensificao.


Juno porta-canal em curto (VGS = 0V) - Como no existe corrente eltrica
entre o dreno e a fonte, no h circulao de corrente IDS e o MOSFET est em
corte.
Juno porta-canal polarizada diretamente (VGs> 0V - canal N)
Se um potencial positivo aplicado porta, por induo os eltrons livres do
substrato se deslocaro para a regio prxima camada de Si0
2
, entre dreno e a
fonte. Em um determinado valor de potencial positivo aplicado (VT), o acmulo de
eltrons ser suficiente para formar um canal tipo N (camada de inverso) entre o
dreno e a fonte. A partir da, fluir corrente do dreno para a fonte (IDs) cuja
intensidade ser proporcional ao quadrado da diferena entre VGS e VT. Para o
canal tipo Po processo semelhante. Haver um valor de VGS negativo, que
atrair lacunas o suficiente para formar um canal tipo P. (Fig. 11.22)

Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 104/111

Juno Porta-Canal reversamente polarizada (VGs <0V - canal N) -
Praticamente no haver corrente circulando no MOSFET, seno uma
desprezvel corrente de fuga na porta da ordem de pA.
Smbolos do MOSFET tipo intensificao - Na figura 11.23 apresentamos os
smbolos destes dispositivos.

VMOS (Vertical MOS) - MOSFET tipo intensificao com canal em forma de um
sulco em V. Sua geometria interna o habilita a conduzir altas correntes na vertical,
contornando alguns dos problemas dos MOSFETs convencionais. A estrutura
semicondutora, a seguir, mostra o VMOS internamente:

A camada n- entre as regies p e n+ eleva a tenso de ruptura de dreno-fonte,
visto seu nvel de dopagem ser menor, portanto, sua rigidez dieltrica maior.
Outra vantagem (que no pode ser percebida no esquema) a ausncia de
deriva trmica. O TBJ sensvel temperatura devido a ela, quando aumentos
em Ic refletem-se em respectivos aumentos na dissipao de potncia e,
obviamente, na temperatura. Isto no acontece com VMOS, porque seu
coeficiente de temperatura negativo. Significa que a cada incremento na
temperatura ocorre reduo na corrente, inexistindo, portanto, a deriva trmica.
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 105/111
Funcionamento - Por ser do tipo intensificao, somente haver circulao de
corrente quando a porta for convenientemente polarizada em relao fonte. No
caso do VMOS canal n, uma tenso positiva atrai eltrons livres da fonte e da
regio n- em direo camada p em sulco, que se encontra sem eltrons (seus
portadores minoritrios). Quando o valor de VGS de limiar for atingido, por
induo eles entraro na regio p, interligando as regies n+ e n-. Assim, um
fluxo de eltrons desce na vertical da fonte ao dreno.
A camada de inverso criada na vertical pode conduzir altas correntes, em
velocidade superior aos demais dispositivos da famlia MOS e outros dispositivos
de alta potncia. A ilustrao detalha o funcionamento explicado anteriormente.
(Fig. 11 .25)


Observao
Os smbolos dos MOSFETs canal n e p so os mesmos adotados para o
convencional.
Equao da corrente de dreno - A fsica dos semicondutores prova que os
MOSFETs so dispositivos que obedecem a uma lei quadrtica. Se quadrtica,
a funo de ID x VGS uma parbola (ou um trecho) cujo vrtice situa-se em
GSLLIMIAR
V
Sem mais delongas, podemos escrev-la como:

ID=K(VGS - VGSLMAR)
2

Onde
K - constante que depende da largura e do comprimento do canal e de
constantes cujo produto mCox e dado em ampre por volt ao quadrado.

V GSLIMIR - menor tenso que cria a camada de inverso definitiva.

VGS - tenso em que se deseja conhecer a corrente de dreno.

Notoriamente, VGS deve ser maior do que ou igual a VGSLMAR, pois seno a
corrente de dreno cai num trecho da parbola fora das caractersticas reais do
dispositivo. Observe a curva de transcondutncia do VMOS:
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 106/111

Essa curva muito til em aplicaes lineares com o MOSFET, mas no caso
chaveamento interessante conhecermos VGSLIMIAR e os valores de VGSMx
e IDMX.
Recomendamos o estudo do DMOS, referncia que pode ser obtida no livro
texto:
SEDRA/SMITH, MICROELETRONICA.

IGBT (!nsulated Gate Bipolar Transistor)
O IGBT surgiu da eliso das tecnologia BIPOLAR-MOS e promete revolucionar
o segmento de potncia da eletrnica. A priori, podemos citar suas caractersticas
mostrando o que foi herdado de cada dispositivo:

1. Do MOSFET:

controle da corrente atravs da tenso;
capacitnoia de gate que deve ser carregada e descarregada durante o
chaveamento;
perigo de destruio por descarga eletrosttica.

2. Do TBJ:

tempo de acomodao dos portadores minoritrios, que resulta numa
corrente restante durante o chaveamento indesejvel;
tenso de saturao no estado de conduo depende pouco da corrente de
coletor, ocasionando baixas perdas nesse estado.

Observao
Outras caractersticas se enquadram na comparao, porm so menos
influentes, no comprometendo nossa anlise.
A seguir, apresentamos a estrutura semicondutora do IGBT:
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 107/111

Princpio de funcionamento
Por meio da estrutura interna verificamos que o controle da corrente se
processa pela tenso porta-emissor. Aplicando-se tenso negativa da porta ao
emissor, induzimos nos cantos superiores prximos porta; e vindos da regio p,
cargas positivas entre as regies n e n-, inibindo qualquer fluxo de corrente de
coletor ao emissor. Observe a ilustrao:

O campo eltrico mais intenso prximo s regies p, onde possui lacunas em
excesso, seus portadores majoritrios. Na regio n-, as lacunas em pequena
quantidade so atradas na direo do potencial negativo da Porta. Outro fato
notrio que a porta est mergulhada na camada de dixido de silicio,
completamente isolada.
Quando a polarizao da porta ao emissor for positiva e maior que o limiar,
eltrons das regies n e n- sero atrados para o extremo superior do dispositivo.
A regio p ser inundada por eltrons provenientes das duas regies, e uma
camada de inverso se formar, dando vazo aos eltrons do emissor.
Adentrando em n-, novamente os eltrons tornam-se majoritrios. Saindo da
regio do canal eles penetram numa juno NP fortemente dopada, que
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 108/111
possibilita a conduo em massa da corrente por uma regio de baixa resistncia
e perda, reduzindo os nveis de dissipao de potncia do dispositivo. Esta juno
NP gera um SCR (um dispositivo de quatro camadas usado em circuitos de
potncia) parasita adicional, formado de coletor ao emissor. As vezes a
comutao do IGBT contida pela realimentao desse tiristor, inibindo o
desligamento pelo gatilho. A ilustrao elucida os comentrios tecidos:

Smbolo

Analogia do IGBT (TBJ - MOSFET)

A analogia verdadeiramente viida no estudo e na compreenso do
funcionamento interno do IGBT. As caractersticas mais acentuadas foram
colocadas no modelo:

Dentre os detalhes possveis de observar, est a estrutura tiristora parasita
formada pelo par complementar de transistores. No projeto, os ganhos de
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 109/111
corrente dos transistores so otimizados em busca do no-travamento, mesmo
em correntes diretas e dv/dt mais elevados.

Para chave-lo, basta carregar e descarregar as capacitncias
GE CG
C e C
atravs de circuitos com baixas constantes de tempo RC. A conexo auxiliar E
minimiza as realimentaes negativas de emissor e as oscilaes parasitas
devidas s indutncias dos fios, que no caso so as mais curtas possveis, O
circuito que segue um amplificador de gatilho para o IGBT, que assegura baixos
valores das constantes RCs de porta.

Quando o pulso estiver em nvel alto, o transistor NPN ir saturar, carregando
a capacitncia
GE
C atravs de Ron, ligando o IGBT. O IGBT desligar no instante
em que o pulso retornar a zero, pois o transistor PNP saturar descarregando
GE
C por R
0
ff E, comutando-o.
O capacitor de Vcc

para E filtra ondulaes da fonte e reduz dv/dt originado
pelo chaveamento de altas cargas indutivas. O par de diodos protege contra
realimentao das capacitncias
GE CG
C e C , ocorridas quando altas taxas de dv/dt
tentam carregar ou descarregar as capacitncias parasitas. Se a realimentao
for de tenso positiva, o diodo superior a conduz rapidamente para Ron

e Vcc,
pelo valor reduzido de Ron. Caso a tenso realimentada seja negativa, R
0ff
e o
diodo inferior desviam-na, protegendo o gate.
Por falar em amplificador, os DATABOOKS no recomendavam o uso de
IGBTs na regio linear. Segundo dados, a transcondutncia gfs crescia
linearmente com a temperatura de juno, o que resultava no crescimento da
corrente de coletor para uma mesma tenso de gate.
Entretanto, recentemente, foram publicados vrios circuitos amplificadores de
potncias superiores a 1kW ( isso mesmo!) cujos dispositivos de sada eram
IGBTs e que funcionavam perfeitamente bem.


Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 110/111
Eletrnica analgica
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Curso Tcnico 111/111
Referncias Bibliogrficas
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