1.3.

4 APLICACIONES CON SEMICONDUCTORES

Un material semiconductor es aquel que tiene una conductividad elctrica
intermedia, entre la de los metales y los aislantes; y otras propiedades fsicas
no usuales. Estos se pueden clasificar en dos tipos:
Semiconductores intrnsecos: poseen una conductividad elctrica
fcilmente controlable y, al combinarlos correctamente
adecuadamente, pueden actuar como interruptores, amplificadores
o dispositivos de almacenamiento. Ejemplo: Si y Ge puros.

Semiconductores extrnsecos: estos se forman al agregar,
intencionadamente, a un semiconductor intrnseco sustancias
dopantes. Su conductividad depender de la concentracin de esos
tomos dopantes. Dependiendo de esas impurezas habr dos tipos:
a) Semiconductores de tipo n: En las redes de Si o Ge se introducen
elementos del grupo 15 los cuales debido a que tienen un electrn mas en su
capa de valencia que los elementos del grupo14 se comportan como
impurezas donadoras de electrones o portadores negativos.
b) Semiconductores de tipo p: En este caso se introducen elementos del
grupo 13 que presentan un electrn menos en su capa de valencia, por lo que
se comportan como aceptores o captadores de electrones.

APLICACIONES EN DISPOSITIVOS ELECTRICOS
Se han desarrollado muchos dispositivos electrnicos utilizando las
propiedades de transporte de los semiconductores; el uso de
semiconductores en la industria electrnica ha aumentado de forma
importante. As, veremos algunas de las ms importantes:
Termistores: se basan en la propiedad de que la conductividad depende de
la temperatura para medir dicha temperatura. Tambin se usan en otros
dispositivos, como en alarmas contra incendio.
Transductores de presin: al aplicar presin a un semiconductor, los
tomos son forzados a acercarse, el gap de energa se estrecha y la
conductividad aumenta. Midiendo la conductividad, se puede conocer la
presin que acta sobre ese material.
Rectificadores (dispositivos de unin tipo p-n): se producen uniendo un
semiconductor tipo n con otro tipo p, formando una unin tipo p-n. Los
electrones se concentran en la unin tipo n y los huecos en la unin p. El
desequilibrio electrnico resultante crea un voltaje a travs de la unin.
Transistores de unin bipolar: un transistor se puede usar como
interruptor o como amplificador. El transistor de unin bipolar (BJT), se suele
utilizar en unidades de procesamiento central de computadoras por su rpida
respuesta a la conmutacin.
Transistores de efecto de campo: utilizado frecuentemente para almacenar
informacin en la memoria de los ordenadores. El transistor de efecto de
campo (FET), se comporta de forma algo distinta a los de unin bipolar.

LA UNION P-N
Los dispositivos semiconductores ms comunes dependen de las propiedades
de la unin entre materiales de tipo p y de tipo n. Esta unin p-n se produce
de forma ms habitual por difusin en estado slido de un tipo de impureza
de tipo p sobre un material de tipo n. Aunque tambin se puede obtener un
diodo de unin p-n por crecimiento de un monocristal de silicio intrnseco y
dopndolo primero con un material de tipo n y despus con uno p. Este
diodo p-n se puede encontrar de tres maneras distintas, segn como se
aplique el voltaje:
En el equilibrio: Antes de la unin, ambos tipos de semiconductores son
neutros; en los p los huecos son los portadores mayoritarios y en los n son los
electrones. Despus de la unin, los portadores de esta se difunden a travs
de ella. Despus de algunas recombinaciones, el proceso se interrumpe, ya
que los electrones que van al material tipo p, son repelidos por los iones
negativos; y los huecos son repelidos por los iones positivos del material tipo
n. Los iones inmviles de la unin forman una zona agotada de los
portadores mayoritarios, llamada zona de deplexin. De esta forma no hay
flujo neto de corriente en condiciones de circuito abierto.
Polarizacin inversa: Si se invierte el voltaje aplicado, tanto los huecos
como los electrones se separan de la unin. Sin portadores de carga en la
zona de agotamiento, la unin se comporta como un aislante y casi no fluye
corriente.
Polarizacin directa: Si en la unin p-n se aplica un voltaje externo, de
forma que la terminal negativa este del lado tipo n, los electrones y los
huecos se movern hacia la unin y se recombinarn finalmente. El
movimiento de electrones y de huecos producen una corriente neta. Si se
incrementa esta polarizacin, aumentar la corriente que pase por la unin.

APLICACIONES PARA DIODOS DE UNION P-N.
Diodos rectificadores: Uno de los usos ms importantes de estos diodos de
unin p-n es convertir corriente alterna en corriente continua, lo que se
conoce como rectificacin. Al aplicar una seal de corriente alterna a un
diodo de unin p-n, este conducir slo cuando la regin p tenga aplicado un
voltaje positivo con respecto a la regin n, por lo que se produce una
rectificacin de media onda. Esta seal se suaviza con otros dispositivos y
circuitos electrnicos, para dar una corriente continua estable.
Diodos de avalancha: Tambin se les llama diodos zener; son rectificadores
de S. En la polarizacin inversa se produce una pequea fuga de corriente,
debido al movimiento de electrones y huecos trmicamente activados. Al
hacerse demasiado grande la polarizacin inversa, cualquier portador que
llegue a fugarse se acelerara lo suficiente para excitar a portadores de carga,
causando una corriente elevada en direccin inversa. Debido a este
fenmeno se pueden disear dispositivos limitadores de voltaje. Al dopar
adecuadamente la unin p-n, se puede seleccionar el voltaje de avalancha o
de ruptura. Al aumentar mucho el voltaje, por encima del de ruptura, fluir
una corriente elevada a travs de la unin, as se evita que pase por el resto
del circuito; por eso se utilizan para proteger circuitos contra voltajes
accidentales.

TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR.
Un transistor de unin bipolar es un apilamiento de materiales
semiconductores en secuencia n-p-n-p-n-p. En el transistor se pueden
distinguir tres zonas:
Emisor: emite portadores de carga, como es de tipo n, emite electrones.
Base: controla el flujo de los portadores de carga, es de tipo p. Esta se hace
muy delgada (del orden de 10-3 cm de espesor) y se dopa, de forma que solo
una pequea fraccin de los portadores que viene del emisor se combinar
con los portadores mayoritarios de la base con carga opuesta.
Colector: recoge los portadores de carga provenientes del emisor; la zona
del colector es del tipo n, recoge electrones.






1.4 AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Son dispositivos electrnicos que amplifican seales con una gran ganancia,
tpicamente del orden de 10^5 10^6 veces.
La figura muestra la representacin de un operacional, con la entrada
inversora (-) y no inversora (+) y en el otro lado se representa la salida. El
dispositivo amplificar la diferencia entre ambas entradas.

Las primeras veces que se utilizaron los amplificadores operacionales fue en
los computadores analgicos, hacia mediados del s. XX e implementados con
tubos de vaco. Realizaban sumas, diferencias, multiplicacin, diferenciacin
e integracin, y todo ello de forma analgica. De aqu se deriva su nombre
amplificador operacional.
Las caractersticas principales de un operacional son:

1. La impedancia de entrada es muy alta, del orden de megohms.
2. La impedancia de salida Zout es muy baja, del orden de 1 ohm
3. Las entradas apenas drenan corriente, por lo que no suponen una
carga.
4. La ganancia es muy alta, del orden de 10^5 y mayor.
5. En lazo cerrado, las entradas inversora y no inversora son
prcticamente iguales.


Circuitos bsicos con operacionales:
1. Amplificador no inversor:
Por la caracterstica 5), -vin = vin
R1 y R2 forman un divisor de tensin,
cuya entrada es vout y la salida del
divisor es vin.
O sea:
-vin = vin = vout R1 / (R1+R2)
Ganancia = Av = vout/vin = 1+R2/R1
La impedancia de entrada Zin es muy
elevada, mientras que la impedancia
de salida Zout vale unas dcimas de
ohm.
La seal de salida est en fase con la entrada por ser inyectada por la entrada
no inversora.
2. Amplificador inversor
La entrada no inversora est a tierra, y
por la caracterstica 5), A tambin lo
estar. Por tanto, la tensin en R2 vale
vout, y la tensin en R1 vale vin, y por
tanto la ganancia vale:
Av = -vout / vin = -R2 / R1
El signo menos por ser la seal
invertida en fase.
La impedancia de entrada Zin vale R1,
puesto que como dijimos, A est
puesto a tierra a efectos prcticos. La
impedancia de salida Zout vale una fraccin de ohm.
3. Buffer o seguidor
Se trata de un amplificador no inversor cuya
resistencia R1 vale infinito y R2 vale cero y
ganancia unidad.
Tiene una impedancia de entrada Zin muy
elevada, y una impedancia de salida Zout
muy pequea. Por este motivo se utiliza
principalmente para aislar dos circuitos, de
manera que el segundo no resulte una carga
para el primero, pues la impedancia vista
ser la altsima Zin del operacional. En este
caso se dice que U1 sirve para adaptar
impedancias.
Existen operacionales especiales para utilizarlos como buffers, como el
LM310 o el OPA633.

4. Restador
El circuito de la figura resta las seales
de entrada y el resultado se amplifica
con la ganancia
Av = R2/R1
Es decir:
Vout = R2/R1 (V2-V1)




5. Sumador
El circuito sumador es una
variante del restador presentado
anteriormente.
El punto A es una tierra virtual y
por tanto la corriente de entrada
vale:
Iin = V1/R + V2/R + V3/R
Se obtiene:
Vout = -(V1+V2+V3)
Las entradas pueden ser positivas o negativas. En el caso de que las
resistencias sean diferentes entre s, se obtiene una suma ponderada. Esto
vale por ejemplo para hacer un sumador binario si las resistencias fuesen por
ejemplo R, 2R, 4R, 8R, etc., y de hecho constituye el fundamento de un
convertidor analgico-digital (ADC: Analog to Digital Converter).