- 1 -

Cuprins

Cuprins ....1
Notiuni introductive despre MEMS 2

1. Senzori si actuatori piezoelectrici..... 5
1.1. Efectul piezoelectric in materiale cristaline .. 5
1.2. Senzori piezoelectrici . 9
1.3. Senzori giroscopici ..11
1.4. Actuatori piezoelectrici ......12

2. Stabilizarea imaginilor .....15
2.1. Introducere ..15
2.2. Tehnici de stabilizare a imaginilor ....16
2.2.1. Stabilizarea optica ..16
2.2.2. Stabilizare electronica....18
2.2.3. Stabilizare electromecanica....19
2.2.4. Stabilizarea mecanica a imaginii ..22

3. Stabilizare imaginilor folosind MEMS....24

Concluzii.29
Bibliografie 30







- 2 -

Notiuni introductive despre MEMS

Sisteme microelectromecanice(MEMS) este tehnologia de dispositive foarte
mici, se varsa la nano-scara in sistemele nanoelectromechanical(NEMS) si
nanotehnologie.MEMS sunt de asemenea mentionate ca Micromasini(Japonia) ,sau
tehnoogia de sisteme micro-MST (in Europa).[1]
MEMS sunt separate si distincte de la viziunea ipotetic de nanotehnologie
moleculara sau electronice moleculare.MEMS sunt alcatuite din component intre 1 si
100 microni in dimensiune(adica 0.001-0.1 mm) ,si dispositive MEMS in general
,variaza ca marime de la 20 microni la un milimetru.Ele constau,de obicei, dintr-o
unitate central care prelucreaza date(microprocesor) si mai multe component care
interactioneaza cu mediul inconjurator, cum ar fi microsenzori. In aceasta scala de
marime,constructele fizicii clasice nu sunt intotdeauna utile. Datorita suprafetei mari
la volum de MEMS,efecte de suprafata,cum ar fi electrostatica si umectare domina
peste efecte de volum,precum inertie sau masa termica.[1]



Fig.1 MEMS [2]

- 3 -

Fabricarea MEMS a evoluat de la tehnologia de proces in fabricarea de
dispositive semiconductoare,de exemplu ,tehnicile de baza sunt depunderea de straturi
de marteriale,procese de fotolitografie si gravura pentru a produce forme necesare.[1]
Materiale utilizate in realizarea microstructurilor sunt siliciul,cel mai folosit
material in realizarea de circuite integrate utilizate in electronice de consum in
industria moderna, polimerii,ceramica,metale, in functie de necesitate.[1]

Astfel pentru MEMS se poate face o clasificare:
- In fucntie de tipul de utilizare:
-senzor;
-actuator;
-structura.
- In functie de domeniul de aplicare:
Imprimante cu jet de cerneal , care utilizeaz piezoelectrici sau
bule de ejecie termic s depun cerneal pe hrtie.
Accelerometre n mainile moderne pentru un numr mare de
scopuri, inclusiv airbag desfurare n coliziuni.
Accelerometre n dispozitive electronice de larg consum, cum ar fi
controlere de joc , media playere personale / telefoane mobile i o serie de
aparate foto.
MEMS giroscoape folosite n automobile moderne i alte aplicaii
pentru a detecta giraie ;
MEMS microfoane n dispozitive portabile, de exemplu, telefoane
mobile, casti i laptop-uri.
Bio-MEMS aplicaii n tehnologii medicale i de sntate legate de
la Lab-on-chip pentru MicroTotalAnalysis ( biosenzor , chemosensor ), sau
ncorporate n dispozitive medicale, de exemplu stenturi. [1]

n aceast lucrare,se vor studia aplicaii bazate pe MEMS (sisteme micro-
electro-mecanice) etapa XY . In plus, etapa a fost fabricat cu ajutorul procesului de
fabricatie micro/nano bazat pe avantajele de miniaturizare a dispozitiv pentru
realizarea sistemelor de mare precizie.In ceea ce priveste functia de conducere a etapei
XY,un actuator piepetane are un rol foarte important in aplicatiile opticesi sitemul de
pozitionare a sondei,deoarece este usor de controlat cu o precizie foarte mare si un
consum redus de energie.[3]
- 4 -

Etapa electrostatica XY a fost aplicata la scara larga pentru scanarea probelor
microscopice,stocarea de date si control al nano-pozitiilor.[3]




Fig. 2 Senzor de imagine [3]

























- 5 -

CAPITOLUL 1
Senzori si actuatori piezoelectrici

1.1.Efectul piezoelectric in materiale cristaline

Efectul piezoelectric este adesea ntlnit n viaa de zi cu zi, de exemplu n
brichete, difuzoare si semnale sonore. ntr-un gaz mai uor, presiunea pe o
piezoceramic genereaz un potenial electric suficient de mare pentru a crea o
scnteie. La cele mai multe ceasuri electronice pentru alarma nu se folosesc sonerii
electromagnetice, deoarece ceramica piezoelectrica este mai compacta i mai
eficienta.In plus fa de astfel de aplicatii simple, tehnologia piezo s-a impus recent n
ramura de automobile. Supapele de injectare piezo-drive din motoarele diesel ofera
perioade de tranziie mult mai mici dect supapele electromagnetice convenionale,
aducand astfel o funcionare silenioas i emisii mai reduse.[4]
Piezoelectricitatea este proprietatea materialelor de a-i modifica starea de
polarizaie sub aciunea unor fore mecanice (efect piezoelectric direct) i de a se
deforma sub aciunea unor tensiuni electrice aplicate din exterior (efect piezoelectric
invers).[5]
Starea unui material cristalin la echilibru termic cu exteriorul este caracterizat
local, la un moment dat de urmtoarele mrimi de stare:
- mrimi de natur electric, intensitatea cmpului electric
E
i inducia electric
D
;
- mrimi de natur mecanic, tensiunea mecanic
T
i deformaia mecanic
S
.
Pentru definirea acestor mrimi se consider un sistem rectangular drept de axe
arbitrar ales x
1
, x
2
, x
3
, care uneori poate coincide cu sistemul de axe cristalografic (x,
y, z) propriu cristalului analizat. ntr-un astfel de sistem, intensitatea cmpului electric
i inducia electric sunt reprezentate prin vectorii polari E i D (Fig. 1), care la
rndul lor pot fi descrii prin cte trei componente ce constituie proieciile vectorilor
pe cele trei axe:
(
(
(

=
3
2
1
E
E
E
E ;
(
(
(

=
3
2
1
D
D
D
D
- 6 -


Fig.1.1 Descompunerea vectorului
E
pe cele trei axe de coordonate [5]
Tensiunea mecanic i deformaia mecanic ale cristalelor sunt tensori de
ordinul doi n spaiul tridimensional, avnd ntr-un sistem cartezian de coordonate
urmtoarele reprezentri echivalente matriciale:
| | | |
(
(
(

= =
(
(
(

= =
33 32 31
23 22 21
13 12 11
33 32 31
23 22 21
13 12 11
;
S S S
S S S
S S S
S S
T T T
T T T
T T T
T T


Tensorul tensiunilor mecanice descrie aciunea local a forelor elementare
aplicate.
Componentele tensorului S sunt definite cu ajutorul deformaiilor fizice posibile
ale unui corp solid care pot fi de dou tipuri:
deformaii de alungire-contracie (normale);
deformaii de forfecare (tangeniale).

Existena diferitelor elemente de simetrie ntr-un cristal, determin
configuraiile concrete ale coeficienilor matriciali de material, anulnd unele dintre
componentele matriciale i stabilind relaii de legtur ntre altele; important este
faptul c, indiferent de proprietatea fizic pe care o descrie, configuraia unei matrici
care aparine unui cristal caracterizat de un anumit grup de elemente de simetrie nu
depinde dect de grupul de simetrie caracteristic acelui cristal.Deformarea unui corp
solid necesit aciuni exterioare. Forele se pot exercita la suprafaa sa exterioar, prin
contact mecanic sau n interiorul su printr-un cmp intern de fore; efectele cmpului
n interiorul materialului pot fi evaluate prin intermediul unei densiti de for din
unitatea de volum. n solidul deformat apar tensiuni mecanice care tind s-l aduc n
starea de repaus, asigurnd echilibrul materialului. Aceste tensiuni se transmit din
aproape n aproape prin forele de legtur nteratomice, a cror raz de aciune
- 7 -

(cteva distane interatomice) este foarte mic din punct de vedere macroscopic. Dac
tensiunile se caracterizeaz printr-o periodicitate temporal atunci deformaiile
rezultate devin oscilaii mecanice i se pot propaga sub form de unde elastice.[5]
Deoarece efectul piezoelectric expus de materiale naturale, cum ar fi cuarul,
turmalina, sare Rochelle, etc este foarte mic, au fost dezvoltate materiale ceramice
policristaline feroelectrice precum titanat de bariu i plumb (plumb), titanat zirconat
(PZT), cu proprieti mbuntite.Ceramicele PZT (piezoceramice) sunt disponibile n
mai multe variante i sunt nc cele mai utilizate materiale pe scar larg pentru
aplicaiile cu actuatori din prezent. nainte de polarizare, cristalite PZT au celule
unitate simetrice sub forma de cub . La temperaturi sub temperatura Curie, structura
cubica devine deformata i asimetrica. Celulele unitare prezint polarizare spontan
(vezi Fig. 2), cristalitele individuale din PZT sunt piezoelectrice.[4]

Fig.1.2 Structura PZT la temperaturi peste si sub temperatura Curie [6]
Grupurile de celule unite cu aceasi orientare se numesc domenii Weiss.Din
cauza distributiei random din domeniul de orientare din materialele ceramice, niciun
efect macroscopic nu este observabil. Datorit naturii feroelectric a materialului, este
posibila existenta unei fore care aliniaza anumite domenii de orientare, folosind un
cmp electric puternic.Acest proces se numeste poling.Anumite materiale PZT
ceramice sunt polarizate la anumete temperaturi. In materiale se gaseste o urma de
polarizare,care poate fi degradat daca se depasesti limitele mecanice,termice si
electrice. Ceramica prezinta acum proprietati piezoelectrice si isi va schimba
dimensiunile cand este aplicat un potential electric.[4]
- 8 -


Fig.1.3 Ceramica piezoelectrica: 1) inainte de poling ;2) in timpul
poling-ului si 3) dupa poling [7]
Din cauza naturii anizotrope a ceramizcii PZT,efectele piezoelectrice sunt
dependente de directie. Pentru identificare diectiei se vor folosi axele
1,2,3(corespunzatoare axelor ortogonale X,Y,Z) .Axele 5,6,7 vor corespunde rotatiei
(forfecare)
x
,
y
,
z
(de asemenea cunoscute ca U,V,W). Direcia de polarizare (axa 3)
este stabilit n timpul procesului de poling de ctre un cmp electric puternic aplicat
ntre doi electrozi.Pentru aplicatii cu actuatori(traductori)proprietatile piezoeletrice de-
a lungul axei de poling sunt cele mai importante(defelxie mare).[4]
Materialele piezoelectrice sunt caracterizate de mai multi coeficienti:
- d
ij
-coeficienti piezoelectrici de sarcina;

- g
ij
-coeficienti de tensiune;

- k
ij
-coeficient de cuplaj ,acesti coeficieni sunt raporturi de energie care descriu
conversia de la energie mecanic n energie electric sau invers. K
2
este
raportul dintre energia stocat (mecanic sau electric) a energiei (mecanice sau
electrice) aplicat;

- Y-modulul lui Young Y (descrierea proprietilor elastice ale materialului);
-
r
permitivitate dielectrica.
Indicii dubli(cum sunt la d
ij
) se folosesc pentru a descrie relatia dintre parametrii
mecanici si cei electrici. Primul indice indica directia stimululi,iar al doilea reactia
sistemului.Se noteaza cu S,T,E,D conditiile de frontiera electrice sau mecanice.[4]
Coeficienii descriu proprietile materialelor doar in condiii de semnal mic.
Ele variaz n funcie de temperatur, presiune, cmpul electric, factor de form,
condiii mecanice i electrice de frontier, etc.[4]

- 9 -

1.2 Senzori piezoelectrici

Dicionarele din prima parte a anilor '70 nu cuprind cuvntul sensor. Acesta a
aprut odat cu dezvoltarea microelectronicii, mpreun cu alte noiuni de mare
impact, cum ar fi ele de microprocesor, microcontroller, transputer, actuator
etc., adugnd o noiune nou unei terminologii tehnice avnd o anumit
redundan.[8]
Senzorii sunt din ce n ce mai mult folositi pentru aplicatii tehnice. Formnd
interfaa dintre mediu i elementul de control, un senzor este un organ vital pentru un
sistem artificial.Senzorii pot mirosi, gusta, vedea i simi prin msurarea parametrilor
mecanici, biochimici ,termici , magnetici i radiani. Ei sunt clasificai, de obicei, dup
semnalele pe care le msoar.O clasificare uor de neles poate fi analizat n tabelul
urmator. [9]

Forma semnalului Mrimi msurate
Termic Temperatur,cldur, flux de cldur,
entropie, capacitate caloric, etc.
Radiant Raze gamma, raze X, ultraviolete,
lumin
vizibil i infraroie, microunde, unde
radio
etc.
Mecanic Deplasare,vitez, acceleraie, for.
Presiune,
flux de mas, amplitudine i lungime
de und
acustic etc.
Magnetic Cmp magnetic, flux, moment
magnetic,
magnetizare, permeabilitate magnetic
etc.
Chimic Umiditate, nivelul pH-ului si ioni,
concentraie gaz, materiale toxice i
inflamabile, concentraie de vapori i
mirosuri, poluani etc.
Biologic Zaharuri, proteine, hormonii, antigene

Tabel 1. Tipuri de senzori [9]

- 10 -

Astfel, o mare parte din elementele tehnice senzitive sunt ncadrate n categoria
de traductor . Un traductor este un dispozitiv care convertete efecte fizice n semnale
electrice, ce pot fi prelucrate de instrumente de msurat sau calculatoare.[8]
Tendina actual este de a fabric senzori din ce n ce mai mici. Etapele initiale
arata evolutia de la un singur sensor la un sistem inteligent de senzori,cu dimensiuni
extreme de mici.Aa-numitele dispozitive senzoriale inteligente (sau integrate) pot fi
dezvoltate prin integrarea componentelor senzor cu cele de procesare a semnalului.
Tendina este de a integra ntregul sistem sensor ntr-un singur cip. n acest fel, va fi
posibil ca pentru o anumit sarcin, s se msoare i s evalueze toi parametrii
interesani, ntr-un singur loc i la un anumit moment. Un pas important pentru
dezvoltarea n continuare a microsenzorilor este conceperea i proiectarea
procesoarelor de semnal electronic inteligente. Aceasta va conduce la sisteme avansate
de senzori distribuii n care semnalele senzoriale cu zgomot, rezultnd din
intermodulaie sau o insuficient selectivitate, pot fi evaluate cu succes. [9]
Orice tip de material piezoelectric poate fi folosit ca senzor.Cel mai utilizat tip
de piezoceramica este PZT(plumb-zircon-titanat),solutii solide de zirconat de plumb si
titanat de plumb,de multe ori dopate cu alte elemente pentru a obtine proprietati
specifice.Aceasta ceramica este obtinuta prin amestecare in cantitati egale a celor trei
elemente sub forma de pulbere si incalzite la temperaturi de 800-1000 C.Ele
reactioneaza si formeaza pulberea de PZT.Aceasta pulbere este amesteacata cu un
liant si sintetizeaza in forma dorita.In timpul procesului ,materialul sufera o tranzitie
de la paraelectic la feroelectric si celula cubica devine tetragonala.[7]

Fig.1.4 Placuta piezo [7]
Senzorii PZT prezinta majoritatea caracteristicilor de ceramica,respectic modul
de elasticitate mare ,fragilitate si rezistenta la tractiune redusa.Materialul in sine este
izotrop mecanic si datorita procesul de poling se presupune transversal izotrop in
plan perpendicul pe directia de poling ,in ceea ce priveste proprietatile
piezoelectrice. Asta inseamna ca pentru senzorii PZT , s11 = s22, s13 = s23, s44 =
s55, d31 = d32 si d15 =d24.[7]
- 11 -

1.3.Senzori giroscopici

Competitivitatea de senzori MEMS se refera n mare parte la miniaturizare i
procesele de realizare implicate n fabricarea lor, reducand costurile, dimensiunea i
cerinele de putere ale dispozitivului final. Mai mult dect att, miniaturizare deschide
noi perspective i posibiliti pentru dezvoltarea completa de noi clase de senzori, n
cazul n care fenomenele de micro-scar sunt urmrite n mod eficient pentru a obine
rezultate care ar fi imposibil de realizat la o scar macro.[7]
Mai multe tipologi de senzori MEMS au fost comercializate sau au fost
prezentate in literatura de specialitate inca de la inceputul tehnoologiei micrositemelor
acum mai bine de 30 de ani. Senzorii de presiune si acceleratie pentru industria auto
au fost printre primele dispozitive MEMS produse la scara larga si au contribuit la
dezvoltarea tehnologiei MEMS.In ciuda maturitatii lor acest senzori pe baza de siliciu
inca dominca piata ,prin volumul mare de vanzari.Recent un alt micro-senzor relevant
in ceea ce priveste vanzarea,in special pietele electronice auto si de consum,este
senzorul de deviatie unghiulara sau giroscop.[7]
n electronice de consum, senzori inertiali sunt utilizati n Stabilizare optic a
imaginii (OIS) sisteme de camere foto i video ,in sistemele de navigaie personal
Dead Reckoning (fie stand-alone sau integrate n telefoanele mobile i PDA-uri,
cum ar fi iPhone, iPad i iPod touch Apple (Apple, 2011)), n dispozitive 3D de
indicare, cum ar fi controler de joc Nintendo Wii (Wiimote) cu MotionPlus
expansiune (Nintendo, 2011), etc.[7]
Giroscoapele sunt senzori conceputi sa masoare rotatia unghiulara specifica
pentru anumite axe respectand spatiul inertial.Sunt girosoape care masoara rata
rotatiilor(viteza unghiulara) si giroscoape de deplasare(cunoscute ca giroscoape intr-
un unghi) care masoara un unghi de rotatie. Acestea au fost concepute n mod
tradiional, fie ca dispozitive mecanice exploatnd conservarea momentului cinetic
stocat ntr-o roata, sau ca sisteme optice exploatnd efectul Sagnac experimentat de-
propagarea contra fasciculului laser ntr-o cavitate inel sau o bobin de fibr optic.[7]








- 12 -

1.4.Actuatori piezoelectrici

n acest subcapitol se vor detalia cteva aspecte legate de actuatorii
piezoelectrici, care pot constitui, n multe cazuri, cea mai bun soluie de acionare,
datorit unor performane remarcabile, cum ar fi:
Rezoluie teoretic nelimitat, care practic coboar sub limita unui
nanometru; cele mai mici modificri ale tensiunii de alimentare sunt transformate n
micri liniare, fr salturi (praguri);
Dezvoltarea unor fore de acionare foarte mari. Pot poziiona sarcini mai
mari de 10.000 N n limita a cc. 100 mm, cu precizii de ordinul micrometrilor;
Timpi de rspuns sub o milisecund; Alungirea unui actuator
piezoelectric este limitat numai de viteza de propagare a sunetului n materialele
ceramice. Pot fi obinute acceleraii de cteva mii de ori mai mari dect acceleraia
gravitaional.
Absena elementelor n micare, i, implicit, a frecrilor i a jocurilor.
Alungirea unui actuator piezoelectric se bazeaz numai pe deformaia solidului i nu
prezint semne de mbtrnire. Testele de anduran au dovedit c nu exist modificri
n funcionare dup 500 de milioane de cicluri de alungire;
Consum de putere foarte mic. Efectul piezo convertete direct energia
electric n micare liniar. Elementul de acionare absoarbe energie numai n timpul
alungirii, cnd consum un curent electric pentru ncrcare.
Absena cmpurilor magnetice etc. [8]


Principiile de baz ale actuatorilor piezoelectrici

Un actuator piezoelectric este un element de poziionare, controlat electric, care
funcioneaz pe baza efectului piezoelectric. Efectul direct, utilizat, de exemplu, n
cazul senzorilor de for piezoelectrici , presupune generarea unor sarcini electrice ca
efect al solicitrilor mecanice. n cazul actuatorilor se utilizeaz efectul invers,
respectiv un cmp electric, paralel cu direcia de polarizare, determin o alungire a
materialului cristalin, dup aceeai direcie. Cmpul electric genereaz un cuplu
asupra dipolilor electrici din structura materialului, care produce o aliniere a acestora
de-a lungul cmpului i, n consecin, o schimbare a lungimii regiunilor
monocristaline .ntruct materialele monocristaline naturale, cum ar fi cuarul,
turmalina, sarea Rochelle etc. prezint efecte piezoelectrice de mic amploare, au fost
dezvoltate materiale ceramice policristaline, cum ar fi plumbzirconat-titanat (PZT), cu
- 13 -

propieti piezoelectrice superioare. Ceramicile PZT se produc ntr-o gam larg de
variante i reprezint materialele de baz pentru actuatorii piezoelectrici.[8]
Alungirea maxim a unui PZT depinde de materialul ceramic utilizat, de
lungimea lui, L [m], de intensitatea cmpului electric, E [V/m] i de fora, F [N], care
acioneaz asupra lui: Modificarea lungimii, DL [m], poate fi exprimat cu ajutorul
relaiei:

unde dij [m/V] reprezint o constant a materialului, dependent de direcia dup care
se realizeaz alungirea, iar cT [N/m] este constanta elastic a materialului.
Alungirea maxim este limitat de intensitatea cmpului electric la care poate fi
supus actuatorul, fr s fie distrus de ocurile de tensiune. Limitele sunt situate ntre
12 KV/mm. Cu materialele ceramice utilizate se pot obine modificri relative ale
lungimii de 0,100,13%, astfel nct, de exemplu, pentru un PZT n stiv, cu lungimea
de 100 mm, alungirea maxim va fi de 130 mm.[8]
Un PZT este un corp elastic cu o anumit rigiditate, la fel ca orice alt solid.
Dac asupra lui acioneaz o for F, el va fi comprimat cu Ln = F/cT. Constanta
elastic a unui anumit PZT se regsete n tabelul produsului respectiv din catalogul de
firm. Pot fi luate n considerare dou cazuri distincte de comportare a unui PZT sub
sarcin:
a) Sarcin constant (F = constant) partea de sus n fig. 5.41. n aceast
situaie sarcina este o greutate, F = M.g, care rmne constant pe parcursul procesului
de alungire. ntruct capacitatea de alungire a PZT nu este afectat de
sarcin,alungirea maxim va fi aceeai, DL0, ca n cazul cnd PZT nu este solicitat
mecanic (n stare liber), dar punctul zero al domeniului de poziionare se va deplasa
n jos cu valoarea Ln = F/cT.
b) Sarcin variabil (F = F (DL)) partea de jos n fig.5.41. n acest caz,
fora care solicit PZT este dependent de alungire. Toate aplicaiile n care un
element de poziionare acioneaz asupra unui resort sau a unui perete elastic se
ncadreaz n aceast categorie. Cu ct obstacolul elastic (resortul) este mai rigid, cu
constanta elastic, cS , mai mare, cu att se reduce cursa PZT. Alungirea efectiv a
PZT va fi:

Figura 4 permite o constatare important: alungirea unui PZT nu urmrete o
variaie liniar n funcie de tensiunea de alimentare, ci nchide o curb de hysterezis
(curbele A i B din fig.4), cu valori diferite cnd tensiunea crete sau descrete.
- 14 -

Fenomenul de hysterezis este determinat de efectele de polarizare cristalin i efectele
erori de ordinul micrometrilor, care pot fi nesemnificative n anumite aplicaii, dar
importante n altele, cazuri n care impune un control n bucl nchis (closed-loop) a
alungirii PZT, cu o reacie dup poziie.[8]


Fig.1.5 Cazuri de solicitare a unui PZT [8]




















- 15 -

CAPITOLUL 2
Stabilizarea imaginilor
2.1 Introducere
Inca de la inceput fotografia a fost una dintre cele mai frumoase arte.Odata cu
trecerea timpului asa cum tehnologia a inflorit din ce in ce mai repede au aparut si
nevoile obtinerii unei imagini cat mai clare.
Prima companie care a introdus pe piata stabilizarea imaginilor ,in 1995 ,a fost
Canon aducand o letila de stabilizare cu zoom 35mm SLR.A obtinut un brevet care a
fost publicat in Statele Unite intitulat Sistem optic de stabilizare a imaginii cu o
prism variabil.[11]
Corpul uman este mereu n micare. Nici un fotograf nu este capabil de a ina un
aparat de fotografiat, cu minile ntinse, fr a-l muta ntr-o anumit msur; aceast
micare este un fenomen biologic care nu poate fi uor nvins. Mna omului se agit
cu o frecven de 10 la 20 Hz i cnd este ntinsa va deriva la frecvene mai mici. n
fotografie, acest jittering produce un efect adesea menionat ca tremuratul
camerei, cauzand neclaritatea n fotografii. Camere moderne de consum au tendina
de a amplifica acest efect fiind mici i uoare, precum i prin nlocuirea vizorului
tradiional, cu un ecran LCD, ncurajand astfel utilizatorii s in camerele cu braele
ntinse.n fotografia digital, n care senzorii de imagine sunt matrice de pixeli, acest
efect poate fi ignorat n cazul n care se produce un blur peste un pixel sau mai puin.
Cantitatea de blur, care va fi produsa de bruiajul minii pentru o anumit imagine
depinde de timpul de expunere i de unghiul field-of-view corespunzator unui
pixel.n cazul n care un senzor de imagine este expus la lumina doar pentru o scurt
perioad de timp, camera nu se pot deplasa suficient pentru a estompa imaginea; cu
toate acestea,zoom-ul, densitatea mare de pixeli i micrile mici vor produce un blur
semnificativ. In plus cei mai multi dintre acesti senzori se bazeaza pe tehnologia
CMOS.Partea pixelului care absoarbe lumina este mai mica pentru a face loc unui
circuit suplimentar.Acest loc este denumit ca un factor de umplere raportat la
cantitatea actuala de lumina absorbita in zona ocupata de pixel.[12]
2.2. Tehnici de stabilizare a imaginilor
In acest capitol vom prezenta modul de functionare a mai multor tehnici de
stabilizare a imaginilor. Stabilizarea imaginii (IS) este o familie de tehnici utilizate
pentru a reduce neclaritatea asociat cu micarea unui aparat de fotografiat n timpul
expunerii.[13].In ultimul timp, multi producatori de aparate de fotografiat i lentil au
dezvoltat diverse sisteme de stabilizare pentru a compensa efectul de handshake.[14]
- 16 -

Detectarea efectului de handshake prin intermediul senzorilor integrati in
aparatul foto sau a lentilelor, deplasarea rapida a elementelor mecanice si procesarea
digitala a semnalului prin intermediul unui algoritm complex ,a devenit state-of-the-
art.[15]Aceste sisteme sunt mai mult sau mai putin eficace impotriva efectului de
motion blur cauzat de miscarea aparatului foto,dar efectul de motion blur cauzat
de miscarea obicectului nu poate fi recunoscut si redus.[14]
La nceput, singura metod de reducere a efectelor micrii minii era
stabilizarea optic ncorporat n obiectiv. Exist dou metode de stabilizare pentru
reducerea efectelor micrii minii: stabilizarea optic i stabilizarea electronica. Pn
acum, stabilizarea optic a avut rezultate mai bune dect metoda electronic. Spre
deosebire de camerele video, stabilizarea optic pentru camerele foto este eficient
doar n condiiile n care camera foto este dotat cu obiectiv antimicare.Progresul
tehnologic a fcut posibil disponibilitatea stabilizrii electronice i digitale. [16]

2.2.1 Stabilizarea optica
Stabilizarea optica a imaginii este utilizata pentru a reduce efectele miscarii
camerei foto in timpul expunerii.[17] Este un mecanism utilizat sa stabilizeze
imaginea nregistrat prin varierea drumul optic de un sensor.[13]
La timpi de expunere mai lungi decat reciproca distantei focale miscarea
camerei poate avea ca efect inregistraea unei imagini neclare.[9] Stabilizarea optica
este de doua tipuri: a obiectivului si a senzorului.(Fig.2.1).Un grup de lentile mobile
sau o prism cu suprafee mobile se deplaseaz pe traiectoria optic pentru a evita
neclaritile. Micare elementul de corecie este perpendicular pe axa optic n direcia
opus miscarii mainii.[14]

Fig.2.1.Tipuri stabilizare optica [18]
- 17 -

Construit n obiectiv, stabilizatorul optic de imagine (OIS) detecteaz micarea
aparatului foto, folosind doi senzori de vitez unghiular una pentru pitch i unul
pentru yaw.[6] Blur-ul datorat miscarii este redus prin stabilizarea mecanic a
camerei.Dou axe giroscop sunt utilizate pentru a msura micarea aparatului de
fotografiat ,un microcontroler direcioneaz semnalul la mici motoare care muta
senzorului de imagine, compensand astfel micarea aparatului foto. Alte modele muta
un obiectiv undeva n lanul optic n cadrul aparatul de fotografiat. O diagram bloc de
nivel nalt este prezentat n Figura 2.2.[11]


Fig.2.2. Diagrama bloc [19]

Cu oricare dintre aceste metode, rezultatul este c chiar daca corpul camerei este
miscat, lumina loveste pixelii din senzorul de imagine ca i cum aparatul de fotografiat
nu a fost miscat.[11]

Fig.2.3 Stabilizare optica [20]



- 18 -

2.2.2 Stabilizare electronica

Acest tip de stabilizare poate fi pus n aplicare numai n dispozitive cu senzor
de imagine electronic, cum ar fi CCD sau CMOS. Stabilizarea electronic a imaginii
(EIS) nu utilizeaz metoda optica pentru a elimina efectul miscarii mainii pentru
claritatea imaginii.[14]
n loc de corectare a imaginii pe cale de senzorului, acest tip de stabilizare
utilizeaz algoritmi software i un senzor mai mare pentru a procesa imaginile dup ce
au fost capturate. Transformarea are loc n perioada de timp dup ce imaginea a fost
capturat i nainte de a fi nregistrata.[14]
Utilizarea procesului electronic de semnal aduce costuri mici de productie si o
dimensiune mica a sistemului de stabilizare.Efectul miscarii mainii poate fi recunoscut
daca imaginea este capturata de sensor. n acest caz, unele zone de imagine distincte
sunt urmrite n secvena de mai multe cadre. Diferena dintre poziiile dintre aceste
zone pot fi interpretate ca efect al miscarii manii .Dezavantajul acestei metode este ca
deplasare mare intre obiecte poate fi interpretata ca tremur al camerei.O metoda de
inlaturare a efectul de tremur al camerei este de a dota aparatul de captura cu senzori
de miscare.[14]
Stabilizarea electronic funcioneaz uor diferit la camerele video i la
camerele foto. La camerele foto, reduce efectele micrii minii mbuntind
sensibilitatea i mrind viteza obturatorului sau mutnd senzorul CMOS n sensul opus
micrii detectate. La camerele video, reduce efectele micrii minii folosind spaiul
liber al CMOS n timpul inregistrrii.[8]Stabilizatorul de imagine electronic poate fi
integrat in aparat,dar poate fi folosit si extern.In figura 2.4 este prezentat un EIS
extern cu aplicatie in Closed Circuit Television(CCTV ).[14]

Fig.2.4 Stabilizator electronic de imagine extern [14]
- 19 -

Cu toate acestea, stabilizarea electronic extern poate utiliza n mod evident
numai metoda de amplificare digital. [14]
Unii productori se refer la stabilizarea electronica de imagine n aparatele lor
(de exemplu, Anti-Blur la Fuji), ca pote suprima ambele motion blur cauzate de
miscarea mainii si deplasarea obiectelor n scen. Baza acestor situaii neltoare este
amplificarea semnalului de imagine realiza prin creterea efectului ISO
speed.Efectul este scurtarea timpului de expunere, ceea ce face ca influena
handshake aproape imperceptibil. Un timp de expunere mai rapid duce , de
asemenea, la nghearea obiectele n micare . Strict vorbind, aceast tehnic nu
poate fi numita de stabilizare a imaginii. Acesta este doar un truc de marketing menit
s dea un nume nou pentru tehnica veche de stabilizare ca urmare a tendinei. n plus,
aceast metod poate avea un impact mare asupra coninutului imaginii n funcie de
coerena vitezei de declanare, aparat i profunzimea cmpului. Pierderea de rezoluie
i ctigul in zgomot sunt unele din consecinele high ISO speed.[14]


2.2.3. Stabilizare electromecanica

Sistemul electromecanic de stabilizare a imaginii se refera la CCD-Shift
Correction Tehnology fiind introdus prima data de Konica Minolta,ulterior
tehnologia fiind preluata de Sony si introdusa in 2006 in noile camere digitale
,denumita ca Super Stady Shot. Functia EMIS(Electro-Mechanical-Image-
Stabilization) este similara cu cea OIS(Optical Image Stabilization).Principala
diferenta dintre ele este elementul ce trebuie miscat.In EMIS ansamblul CCD este
folosit in acest scop,pe cand la OIS poate fi un grup de lentile sau un element de
prisma.[14]
Caracteristica speciala acestui sistem este imagistica cip-ului care se misca
pentru a compensa efectul de handshake.Spre deosebire de OIS in camerele cu
sistem EMIS este posibila utilizarea oricarui tip de obiectiv.[14]
In figura 2.5 este descrisa in detaliu functionarea dispozitivului Anti-Shake
Konica Minolta.[14] Efectul de handshake este masurat cu ajutorul unui senzor
giroscopic.Aceasta tehnica este de asemenea utilizata si in sistemele cu stabilizarea
optica.EMIS este completat de un dispozitiv de detectare a pozitiei(PSD),cu efectul
magnetic al unui senzor hall este detectata pozitia cip-ului imagine.
- 20 -


Fig.2.5 CCD-Shift [22]

Semnalul de la acest senzor este necesar controlul buclei inchise al mecanismul
de deplasare al cipului (chip-shifting).Semnalele de iesire din cei trei senzori sunt
prelucrate de un microcontroler folosite pentru corectia tremurului.In urma corectiei
suma celor trei semnale este comparata cu pozitia actuala a cipului.SIMD(Smooth
Impact Drive Mechanism) este o parte esential in corectia tremurului,primeste
informatia de corectie si muta cipul in pozitia calculata.SIMD este alcatuit din doua
actuatori piezoelectrici ,cate unu pe fiecare axa. Avantajul folosirii materialului
piezoelectric este dimensiunea mica si raspunsul rapid,aplicand o tensiune acesta se
expandeaza,fara tensiune acesta se contracata foarte rapid. Pentru a realiza micarea n
direcia opus, forma de und a tensiunii este inversat. Cursa total a elementului
piezoelectric este limitat fizic la ctiva micrometri. [14]

50-senzor giroscopic
55-senzor hall
91-microcontroler-ul
2-SIMD
3a,3b-actuactor piezoelectric
31-actuatori piezoelectrici
32-tija
4a-cursor

- 21 -


Fig.2.6 Seciune transversal a unui mecanism de ajustare unghiular [23]

Sistemul Anti-Shake folosete un sistem pe baz de frecare si este ilustrat mai
jos.

Fig.2.7 Principiul piezo-actuator Minolta [23]

Maticea piezoelectrica este alcaturita din mai multi actuatori atasati la o tija cu
un slider mobil.Acest slider contine senzorul de imaginePrimul actuator piezoelectric
se extinde treptats cu o viteza moderata,transportand cursorul datorita frecarii
sale.Cand actuatorii se contracta rapid,sliderul va aluneca pe tija si nu se mai poate
intoarce inapoi. n acest fel, cursorul este deplasat spre nainte din poziia sa iniial i
dispozitivul piezo se poate extinde din nou.[14]
- 22 -

Ricoh a introdus, de asemenea, un sistem de stabilizare electromecanic
AntiShake n cererea de brevet US nr.20020163581.Pentru a mri cursa
dispozitivului piezoelectric se folosesc dou plci elastice.Extinderea elementului
piezo deformeaz plcile, care mic senzorul de imagine asamblat. [14]



Fig.2.8 Actuator-piezo Richo [24]

112-sistem piezoelectric
118a,118b- placi elastice



2.2.4. Stabilizarea mecanica a imaginii

Aceasta este, probabil, cea mai veche modalitate de a reduce tremuratul
camerei. Este evident c cel mai simplu mod de a evita efectul handshake ,deranjant
,este s nu mai tinem camera in mana. Acest mod de stabilizare are un efect asupra
ntregului dispozitiv de capturare, nu doar unele pri din ea. Acesta poate fi utilizat
pentru aparate fotografice de imagini statice i de camere video, de asemenea. Cea mai
veche i, de obicei, cel mai ieftin mod de a sprijini camera este un trepied sau
monopied. Cu toate acestea, camera poate avea tremur si pe trepied , ca urmare a
micrilor mecanice n interiorul camerei (oglind r cu retur-rapid sau perdeaua
obturatorului). Acest tremur al camerei are un caracter diferit efectul hanshake i
poate fi, de asemenea, eliminate cu ajutorul unor sisteme de stabilizare optic (n
conformitate cu revendicrile productorilor).[14]
Exist, de asemenea, alte dispozitive, cum ar fi Steadicam sau Gyro stabilizator.
Avnd n vedere c stabilizatorul nu este construit n corpul aparatului sau obiectivul,
toate tipurile de camere pot folosi acest sistem.[14]
- 23 -




Fig.2.9 Componentele unui StendiCam [25]

Steadicam este un sistem proiectat pentru operatorii de imagini video sau
camere video. Camera, monitorul i bateria sunt fixate pe un suport mobil, susinute de
un bra elastic cu arc . Braul este ataat la o vest, purtata de ctre operatorul camerei.
Greutatea unui astfel de sistem se pot ridica uor la mai multe kilograme. Preul este
foarte mare i se poate ridica la 50.000 . Succesul acestui tip de stabilizare depinde de
abilitile operatorului.[26]













- 24 -

CAPITOLUL 3
Stabilizare imaginilor folosind MEMS
Functia fotografie are un rol din ce in ce mai semnificativ pentru telefoanele
mobile.Datorita cererii consumatorului pentru un numar cat mai mare de pixeli,mai
multe functii noi, fotografice,cum ar fi digital signal-lens reflex(DSLR) sunt incluse
in telefoanele mobile comericale.Tehnologia Anti-Shake este printre cele mai noi
tehnologii dezvoltate pentru telefoanele mobile.Cresterea numarului de pixeli a adus
un efect nedorit imaginii si anume intetosarea,data de miscarea mainii
fotografului.Functia de stabilizare a imaginii este o solutie populara care rezolva
aceasta problema. Printre familiile de tehnici de stabilizare a imaginii se numara lens
shifting , charge coupled device (CCD) shifting i de prelucrarea semnalului .
Prelucrarea semnalului este o tehnica anti-agitare convenional utilizat n telefoanele
mobile. Dei prelucrarea semnalelor nu necesit hardware suplimentar i nu
interfereaz cu modulul sistemului miniaturizare, performana de fiabilitate depinde
semnificativ de algoritmul utilizat.Avand in vedere cererea mare a miniaturizarii
dispozitivului,metoda lens-shifting pentru eliminarea efectului anti-shake este
insuficienta,adaugarea unei lentile mobile provocand o neliniaritate in control care
trebuie compensata de un algoritm de control complex. Dei metoda de CCD-shifting
necesita un sistem de acionare asociat cu senzorul de imagine, senzor de imagine-
deplasare nu afecteaz n mod negativ miniaturizarea. In plus, sistemul mic este mai
eficient dect metoda obiectiv- deplasare. Microstructurile suspendate ntr-un
dispozitiv MEMS poate fi deplasat cu precizie i integrate n circuite microelectronice
monolitice pe un cip.[3]
Vom lua ca exemplu un stabilizator de imagine MEMS pentru anti-agitare cu
aplicatii in telefoanele mobile.Stabilizatorul propus este alcatuit din doua axe de
decuplare, etapa XY de dimensiunea 1.4 x1.4x 0.1 mm
3
,suficient de puternic astfel
incat sa poata suspenda un senzor de imagine anti-agitare pentru functia
fotografica.Acest stabilizator este fabricat prin procese complexe inclusive
ICP(inductively coupled plasma) si tehnica flip-chip de lipire.[3]
Etapa XY n metoda de CCD-shifting este necesara stabilizatorului de imagine
pentru a miniaturiza modulul camerei n telefoanele mobile. Proiectarea unui
stabilizator de imagine MEMS de baza, care este potrivit pentru telefoane mobile, cu o
camera threemegapixel necesit un element de acionare, care se pot deplasa cel
puin 25 m distan de structura, are o structur suficient de puternic, care poate
rezista ncrcturii de 6,36 6,24 0,1 mm3 a unui senzor de imagine i este
- 25 -

decuplat n dou dimensiuni, atunci cnd condusa ntr-o singur direcie sau n dou
direcii. [3]


Fig.3.1 Decuplare in mod XY: (a) pe directia X (b) pe ambele directii X si Y [3]
Prin urmare este proiectata o structura sub forma de pieptene,cu o ratie de
aspect mare si izolata cu 100m siliciu. Patru arcuri principale de supendare si
decuplare sunt lipite de un senzor de imagine de trei megapixeli.Acest aparat este
fabricat intr-un process de gravare anizotropiz al Siliciliul,care include o dubla
litografie, trei procese ICP(three inductively coupled) ,procesele de corodare si lipirea
flip-chip. Acest actuator este conceput ca un stabilizator de imagine care aceleasi
dimensiuni de 6.36x6.24mm
2
ca un sensor de imagine de trei megapixeli.Avand in
vedere legaturile electricedintr-un sensor de imagine,32 de decuplari ale arcurilor sunt
folosite ca semnal de iesire.Pe baza designului firelor de legatura ,senzorul de imagine
poate fi legat cu stabilizatorul de imagine suspendat si cu cele 32 de semnale de
iesire.[3]
Realizarea senzorului de imagine MEMS se bazeaza pe proietarea 2D a unui
actuator de decuplare care poate trimite trei megapixeli unui stabilizator de imagine
pentru a corecta tremurul cauzat de efectul de miscare al mainii in timpul realizarii
fotografiei.[3]
- 26 -



Fig.3.2 Schema senzorului sub forma de pieptane [3]
Proceseul de fabricare al structurilor
a) In timpul curatarii plachetei este depus un strat de Al cu grosimea de
1m,pe ambele parti ale plachetei de Si prin pulverizare.
b) In procesul de fotolotografi sunt slefuite pe ambele parti ale palchetei de
Si. Pe partea frontal a plachetei de Si, este depus stratul de fotorezist n procesul de
corodare al Aluminului.Pe partea din spate a aluminului ,fotorezistul este depus ca o
ancora cu ajutorul unei masti , pentru a proteja structura in timpul procesul de
corodare .
c) Corodarea umeda a Al.Al de pe partea frontal a plachetei de Si ,este
modelat cu ajutorul unei masti in timpul celor doua procese ICP.
d) Pe partea frontal a a plachetei este depus un strat isolator de SiO
2,
intre
structura si circuitul de rutare.



- 27 -

e) Dupa deschiderea ferestrelor prin corodare RIE,Al se pulverizeaza iar
pentru tiparul circuitului de rutare.
f) Primul proces corodare ICP este realizat pentru a realiza o form de
ancor pe spatele plachetei de Si, la o adncime de 130 m.
g) In cele din urma este depus un strat de SiO
2
pe spatele plachetei de Si
pentru a opri corodarea.

Senzorul de imagine este combinat cu stabilizatorul de imagine propus,
utiliznd procesul de lipire de flip-chip. De la stabilizatorul de imagine propus
suspendat n totalitate n aer, este ataarea senzorul de imagine direct la actuator este
extrem de dificila.[3]


Fig.3.3 Procesul de lipire al stabilizatorului de imagine [3]
Proiectarea dispozitivului XY integrat este conceputa pentru a sprijini unui
senzor de imagine de trei megapixeli. Pe baza designul WBAH, senzorul de imagine
poate fi legat cu succes de stabilizatorul de imagine. In plus, semnalele electrice ale
senzorului de imagine poate fi conectat i integrate cu circuitele de ieire n funcie de
designul semnalului. Acest stabilizator de imagine pot fi utilizate de ctre camerele de
telefon mobil disponibile pe pia pentru a oferi o funcie anti-agitare. Prin urmare,
- 28 -

dupa toate experimentele pentru distana de deplasare 25 m este de nevoie de o
tensiune de 38 V. Mai mult dect att, frecvena de rezonan a dispozitivului de
acionare cu senzorul de imagine este 1.123 kHz.[3]

Fig.3.4 Imaginea SEM a unei parti din sensor de stabilizare: (a) structura
suspendat, b) sursa de de semnal, (c) grinzi ndoite i (d)structura pieptene i
ancore.[3]

Fig.3.5 Msurare static a etapei XY n directiile X i Y , cnd este alimentat :
a)numai direcia X i (b) direcia Y[3]

- 29 -

Rezultatele experimentale demonstreaz c o tensiune de 51 V poate provoca o
deplasare de 25 m, n direcia de mers i o deplasare 0,42 m n direcia vertical,
ambele fiind n conformitate cu obiectivul anti-agitare. Rezultatele experimentale
similare se aplic n direcia perpendicular din cauza designului simetric al structurii
propuse. Diferena dintre simulare i rezultatele experimentale este cauzat de
subcotarea degetelor pieptenelui care se produce n timpul procesului de corodare ICP
i neglijnd greutatea cantitii mici de PDMS. Frecvena natural a etapei XY
propuse este evaluat la 1.123 kHz folosind sistemul MMA.[3]

Fig.3.6 Rezultatele de masura ale frecventei de rezonanta[3]
Conculzii
Sistemele giroscop optice si electronice de stabilizare a imaginilor sunt mature
si tehnologia confirma prin calitatea imaginilor.OIS a intrat pe piata DSC foarte rapid
totoodata si rezolutia camerelor a inceput sa creasca,stabilizarea imaginilor devenind
un standard ,o functie de autofosus pentru toate DSC.Inginerii se lupta sa dezvolte
tehnologi avansate de prima clasa pentru telefoanele mobile,de dimensiuni cat mai
mici si costuri cat mai reduse,aceasta fiind principalele lor obiective.Dezoltarea rapida
a senzorilor CMOS ,densitatea pixelilor si efectele special,cum ar fi auto-focus si
zoom optic face ca OIS sa intre pe piata telefoanelor mobil intr-un timp foarte
scurt.Multi designer se lovesc de problema spatiului in care trebuie sa integreze
sistemul de stabilizare,deoarce ele sunt deja aglomerate de alte component.Pana de
curand nu au existat optiuni viabile care sa satisfaca cerintele marimii si
costului.Multumita InvenSenses a inovata solutia MEMS cu dubla-axa,bariera
implementarii in OIS a unei noi generatii de inalta performanta a camerelor foto a
fiind depasita.
- 30 -

Bibliografie

[1] http://en.wikipedia.org/wiki/Microelectromechanical_systems

[2]
http://www.engineersgarage.com/sites/default/files/imagecache/Original/wysiwyg_im
ageupload/4214/What-is-MEMS.jpg
[3] Design, fabrication and actuation of a MEMS-based image stabilizer for
photographic cell phone applications - JOURNAL OF MICROMECHANICS AND
MICROENGINEERING
Received 11 December 2009, in final form 11 May 2010 Published 11 June 2010 -
Online at stacks.iop.org/JMM/20/075025
[4] Piezoelectrics in Positioning Nanopositioning / Piezoelectrics Tutorial on
Piezotechnology in Nanopositioning Applications www.pi.ws

[5] Dispozitive piezoelectrice- Paul Schiopu,Carmen Schiopu ,Editura Matrix Rom
,Bucuresti 2011
[6]
http://resources.edb.gov.hk/physics/articlePic/AtomicPhysics/SamrtMaterials_pic02.gi
f
[7] Fundamental Understanding of Piezoelectric Strain Sensors-JAYANT SIROHI*
AND INDERJIT CHOPRA
Alfred Gessow Rotorcraft Center, Department of Aerospace Engineering, University
of Maryland, College Park, MD 20742

[8] http://webbut.unitbv.ro/Carti%20on-line/BSM/BSM.htm
[9] Tehnologia microsistemelor i microrobotic/ Sergej Fatikow, Ulich Rembold, -
Editura Tehnic Bucureti 1999

[10] Fundamental Understanding of Piezoelectric Strain Sensors-JAYANT SIROHI*
AND INDERJIT CHOPRA
Alfred Gessow Rotorcraft Center, Department of Aerospace Engineering, University
of Maryland, College Park, MD 20742

- 31 -

[11] David Sachs, Steven Nasiri, Daniel Goehl InvenSense, Inc.- Image Stabilization
Technology Overview
[12] Image Stabilization Technology Overview David Sachs, Steven Nasiri, Daniel
Goehl InvenSense, Inc.
[13] http://en.wikipedia.org/wiki/Image_stabilization
[14] Development of a Test Method for Image Stabilizing Systems- Author: Borys
Golik,Cologne ,Matr.-Nr. 11038740
[15] Measurement Method for Image Stabilizing Systems- Borys Golika and Dietmar
Wuellerb sau Digital Photography III, edited by Russel A. Martin, Jeffrey M.
DiCarlo, Nitin Sampat, Proc. Of SPIE-IS&T Electronic Imaging, SPIE Vol. 6502,
65020O, 2007 SPIE-IS&T
[16] http://www.samsung.com/ro/article/understanding-reducing-the-effects-of-hand-
movement
[17] http://www.fotografiistudio.com/articol.php?n=stabilizare-optica-imagine
[18]
http://www.brayebrookobservatory.org/BrayObsWebSite/HOMEPAGE/PageMill_Res
ources/OIS_M%26M/OIS_systems.jpg

[19] Image Stabilization Technology Overview David Sachs, Steven Nasiri, Daniel
Goehl InvenSense, Inc.
[20] http://www.htc.com/www/zoe/stabilization/
[21] Ovation Systems Ltd.. http://www.ovation.co.uk/Video-Stabilization.html
[22] Konica Minolta http://www.konicaminolta-images.com
[23] Konica Minolta Photo Imaging, Inc.: US Patent Application Publication No.
20060056829.
[24] Ricoh Company Ltd.: US Patent Application No. 20020163581
[25] http://science.howstuffworks.com/
[26] Movie College: SteadiCam. www.moviecollege.de