Curso de Tecnologia em Sistemas de Computao

2
a
Avaliao Distncia de Fsica para Computao - 2013/I
Gabarito
21 de maio de 2013
1
a
Questo
(a) (1,0 ponto) Calcule o campo eltrico no ponto P da Figura 1.
(b) (1,0 ponto) Faa q
1
= 3, 0nC e q
2
= 2, 0nC e calcule o valor numrico do campo.
q
1
q
2

4m
3m
P
Q
Figura 1:
Resposta:
(a) Sabemos que o campo eltrico dado por
E = k

q
i
r
2
i
r
i
.
Observando que
r
r
2
=
r
r
3
, obtemos:
E = k
q
1
(4m + 3m )
(5m)
3
+k
q
2
3m
(3m)
3
= k
q
1
(4 + 3 )
125m
2
+k
q
2

9m
2
.
(b) [Corrigida] [Corrigida] Substituindo os valores numricos, obtemos:
E = 9, 010
9
Nm
2
C
2

3, 0 10
9
C(4 + 3 ))
125m
2
+
2, 0 10
9
C
9m
2

= 9, 0
N
C

12 + 9
125
+
2
9

= (0, 86+2, 7 )
N
C
.
1
2
a
Questo
(a) (1,0 ponto) Encontre a capacitncia equivalente do conjunto de capacitores mostrado na Figura 2, con-
siderando que aplicamos uma diferena de potencial V. Os valores das capacitncias so: C
1
= 7, 0 F,
C
2
= 9, 0 F e C
3
= 4, 0 F.
(b) (1,0 ponto) A diferena de potencial aplicada ao circuito da Figura 2 V = 12, 0V . Qual a carga de
C
1
?
C
1
C
2
C
3
V
A
B
Figura 2:
Resposta:
(a) Os capacitores 1 e 2 esto ligados em paralelo entre si, ento existe a mesma ddp entre as placas de um
e de outro. A capacitncia equivalente C
12
dos dois capacitores ento:
C
12
= C
1
+C
2
= 7, 0F + 9, 0F = 16, 0F
Assim, podemos substituir o arranjo dos capacitores 1 e 2 no circuito, entre os pontos A e B, por um nico
capacitor de capacitncia C
12
. Esse novo capacitor 12 est ligado em srie com o capacitor 3, portanto
podemos substitu-los por um capacitor equivalente C
123
:
1
C
123
=
1
C
12
+
1
C
3
=
1
16, 0F
+
1
4, 0F
= 0, 31F
1
C
123
=
1
3, 1F
1
= 3, 2F
(b) Vamos usar os capacitores equivalentes encontrados na letra (a) para resolver o problema. Se o circuito
fosse formado apenas pelo capacitor equivalente C
123
, com a ddp V = 12, 0V teramos:
q
123
= C
123
V = (3, 2F)(12, 0V ) = 38, 4C
Capacitores em srie tm a mesma carga, portanto C
12
e C
3
(que em srie so equivalentes a C
123
) devem
ter a mesma carga que C
123
. Assim, q
12
= q
123
= 38, 4C. Usando novamente a denio de capacitncia,
podemos achar a ddp nos terminais do capacitor equivalente C
12
(entre os pontos A e B):
V
12
=
q
12
C
12
=
38, 4C
16, 0F
= 2, 4V
2
Os capacitores 1 e 2 tm a mesma ddp entre suas placas que capacitor C
12
, portanto a ddp nos terminais do
capacitor 1 V
1
= V
12
= 2, 4V . Assim podemos encontrar a carga no capacitor 1:
q
1
= C
1
V
1
= (7, 0F)(2, 4V ) = 16, 8C
3
a
Questo
Uma espira condutora em forma de circunferncia e de resistncia R encontra-se numa regio onde h um
campo magntico que varia com o tempo. A direo do campo magntico xa e perpendicular espira
como mostra a Figura 3, mas sua intensidade varia periodicamente.
(a) (1,0 ponto) Determine o sentido (horrio ou anti-horrio) da corrente induzida na espira quando o campo
est crescendo.
(b) (1,0 ponto) Se o campo variar com o dobro da frequncia (duas vezes mais rpido), o que acontecer com
a corrente induzida?
Figura 3:
Resposta:
(a) Para manter o uxo de campo magntico constante na espira a corrente induzida ser no sentido horrio,
gerando um campo que aponta para dentro do plano do papel, contrabalanando o campo externo crescente.
(b) Se o uxo variar duas vezes mais rpido, a fora eletromotriz induzida ser duas vezes maior. Como
E
ind
= Ri, e a resistncia da espira no muda, a corrente induzida ser duas vezes maior tambm.
4
a
Questo
Considere um anteparo com duas fendas sendo iluminado por um feixe de luz monocromtica de comprimento
de onde , mostrado na Figura 4. A distncia entre a fenda A e um ponto P no anteparo AP, e a distncia
entre a fenda B e o ponto P BP.
(a) (1,0 ponto) Qual a condio sobre AP e BP para que haja interferncia destrutiva no ponto P? (Pense
na diferena entre os caminhos).
(b) (1,0 ponto) Desenhe o perl de intensidade que se forma no anteparo. Explique qualitativamente o que
causa esse perl.
Resposta:
(a) Para que a interferncia seja destrutiva, preciso que a diferena entre os caminhos percorridos partindo
de A e de B seja um mltiplo mpar de metade do comprimento de onda (ou um mltiplo qualquer do
comprimento de onda mais meio comprimento de onda). BP AP =

n +
1
2

. Isso faz com que a diferena

3
P
A
B
Figura 4:
de fase entre as ondas vindo de A e de B seja de meio comprimento de onda, superpondo os picos de uma
com os vales da outra, e causando a interferncia destrutiva.
(b) O perl alterna pontos de alta intensidade com pontos de baixa intensidade pois para cada ponto a
distncia relativa BP AP varia, gerando fases relativas diferentes. Os pontos de intensidade zero so
os de interferncia perfeitamente destrutiva, e os pontos de mximo so os de interferncia perfeitamente
construtiva.
Figura 5:
5
a
Questo
O efeito fotoeltrico um fenmeno de interao entre luz e matria onde um fton, ao transmitir sua energia
para um material, possibilita que eltrons desse material venam o potencial de ligao, e sejam ejetados.
(a) (1,0 ponto) Escreva a frmula que relaciona a energia cintica do eltron K
e
depois da absoro de um
fton, a energia E = hf =
hc

do fton e a funo trabalho (energia de ligao) do eltron. Explique por

que essa frmula tem a forma que tem.
(b) (1,0 ponto) Desenhe um grco representando essa frmula onde o eixo y representa a energia cintica
4
do eltron K
e
e o eixo x representa a frequncia f do fton. Interprete o signicado do ponto de limiar f
0
,
onde K
e
= 0. O que acontece se muitos ftons de frequncia f < f
0
incidem sobre o material? Os eltrons
so arrancados?
Resposta:
(a) A frmula hf = K
e
+ ou K
e
= hf , e representa a conservao da energia durante a interao. A
energia inicial do fton E = hf vai em parte servir para vencer o potencial de ligao e se ainda houver
energia restante, ela contribui para a energia cintica do eltron. Nesse caso, consideramos que nenhuma
energia se perde por outros processos.
(b) No ponto f
0
temos que K
e
= 0 porque a energia do fton nesse ponto E = hf
0
= , e s consegue
vencer a energia potencial, mas no sobra energia para dar velocidade ao eltron. Esse o ponto de limiar
pois abaixo dele, no possvel arrancar eltrons do material. Isso quer dizer que mesmo com muitos ftons
de frequncia menor do que f
0
, no poderemos arrancar nenhum fton, pois cada eltron s absorve um
fton, e se a energia no for suciente para libert-lo, ele permanece preso ao material.
f
K
e
f
0
Figura 6:
5