UNIVERSIDADE DE SO PAULO USP

ESCOLA DE ENGENHARIA DE LORENA

Relatrio para apresentao em sala de aula
Eletrnica e Instrumentao
LASER SEMICONDUOR
Lorena
2010
Murilo Parodi Ricci Grilo 07M012 5866691
R!a! "rir 07M0#8 58669#0
Introduo ao semicondutor:
Semicondutores so slidos cristalinos de condutividade eltrica
intermediria entre condutores e isolantes. Os elementos semicondutores podem
ser tratados quimicamente para transmitir e controlar uma corrente eltrica.
Seu emprego importante na fabricao de componentes eletrnicos tais
como diodos, transistores e outros de diversos graus de complexidade tecnolgica,
microprocessadores, e nanocircuitos usados em nanotecnologia. ortanto
atualmente o elemento semicondutor primordial na ind!stria eletrnica e
confeco de seus componentes.
"iodo semicondutor um dispositivo ou componente eletrnico composto
de cristal semicondutor de sil#cio ou germ$nio numa pel#cula cristalina cu%as faces
opostas so dopadas por diferentes gases durante sua formao.
& o tipo mais simples de componente eletrnico semicondutor, usado como
retificador de corrente eltrica. ossui uma queda de tenso de ',( ) e ',* )
dependendo do material que utili+ado.
O diodo um componente eltrico que permite que a corrente atravesse,o
num sentido com muito mais facilidade do que no outro.
Tipos de diodo:
Os diodos so pro%etados para assumir diferentes caracter#sticas- diodos
retificadores so capa+es de condu+ir altas correntes eltricas em baixa freq./ncia,
diodos de sinal caracteri+am,se por retificar sinais de alta freq./ncia, diodos de
c0aveamento so indicados na conduo de altas correntes em circuitos c0aveados.
"ependendo das caracter#sticas dos materiais e dopagem dos semicondutores 0
uma gama de dispositivos eletrnicos variantes do diodo-
Diodo
Diodo
zener
Diodo
Schottky
Diodo
tnel
Diodo emissor
de luz
Fotodiodo Varicap SCR
Introduo ao laser:
Laser 1cu%a sigla em ingl/s significa Light Amplification by Stimulated
Emission of Radiation, ou se%a, 2mplificao da 3u+ por 4misso 4stimulada de
5adiao6 um dispositivo que produ+ radiao eletromagntica com
caracter#sticas muito especiais- ela monocromtica 1possui freq./ncia muito bem
definida6 e coerente 1possui rela7es de fase bem definidas6, alm de ser colimada
1propaga,se como um feixe6.
O efeito f#sico por trs de seu funcionamento a emisso estimulada,
descoberta pelo f#sico 2lbert 4instein, como condio necessria ao equil#brio
trmico da radiao com a matria. 4instein descobriu, atravs de considera7es
tericas, que no apenas um tomo absorve um fton 1a partcula de luz6 incidente
e o reemite ao acaso aps certo tempo 1emisso espont$nea6, mas que tambm este
mesmo tomo deve reemitir seu fton absorvido se um segundo fton interage com
ele. O fton reemitido tem a mesma freq./ncia do fton que o estimulou e,
igualmente importante, tem a mesma fase.
8m laser funciona desde que se consiga excitar um n!mero m#nimo de
tomos de determinado material para um n#vel de energia superior, de modo a se
obter uma inverso de populao 1quando existem mais tomos excitados do que
tomos no estado fundamental6.
9uando isso ocorre, a emisso espont$nea de ftons, que acontece
naturalmente a todo tempo, amplificada pelos tomos vi+in0os, que vo emitir
ftons estimulados pelos primeiros.
4stes ftons, por sua ve+, estimulam a emisso de outros, num efeito
cascata. ara que tudo isso funcione, entretanto, necessria uma realimentao,
ou se%a, sempre manter ftons emitidos estimuladamente interagindo com os
tomos. :sso obtido com uma cavidade ptica, uma regio do espao em que se
confina lu+ por algum tempo com o uso de espel0os altamente refletores e
convenientemente alin0ados. ; tambm os lasers super radiantes, como o laser de
nitrog/nio e alguns lasers de corante que no precisam de espel0os para funcionar.
4ntretanto, para se compreender perfeitamente um laser, fa+,se necessrio o uso da
mec$nica qu$ntica.
Tipos de laser-
3asers de gs
3asers qu#micos
4xcimer lasers
3asers de estado slido
<iber
Histrico do laser semicondutor:
2 primeira demonstrao de emisso de lu+ coerente por parte de um diodo
foi feita no centro de pesquisa da =eneral 4lectric por 5obert >. ;all e pela sua
equipe. O primeiro laser vis#vel foi constru#do por >ic? ;olon@a? nos finais do
mesmo ano. Aomo qualquer tipo de laser, o laser semicondutor produ+ lu+
fortemente monocromtica, coerente, com polari+ao e direo bem definidas. O
funcionamento do laser semicondutor similar ao funcionamento do diodo. 2
diferena est na gerao de ftons que, para o caso do diodo, tem origem na
emisso espont$nea enquanto que no laser semicondutor tem origem na emisso
estimulada. "a# se utili+ar muito o termo laser diodo para descrever o laser
semicondutor. 4m ve+ de meios ativos slidos ou gasosos, o laser diodo utili+a
uma %uno p,n para este efeito. 2s %un7es p,n podem ser por sua ve+ %un7es do
tipo Bp,p,nB c0amadas de 0etero%un7es. 4ste novo tipo de %un7es confina a +ona
ativa do laser numa regio muito pequena. Outra diferena entre o laser diodo e os
lasers do estado slido e gasosos reside na fonte de energia. Os lasers do estado
slido e gasosos utili+am lu+ como fonte de energia 1l$mpadas com espectro de
emisso largo6. O laser diodo utili+a por sua ve+ corrente eltrica atravs de
%un7es p,n para in%etar eltrons na +ona de conduo e lacunas na +ona de
val/ncia. O coeficiente de gan0o deste tipo de laser situa,se entre os C''' e D''''
m E D. O mtodo de produo mais utili+ado na ind!stria semicondutora para a
produo destas %un7es p,n o FG4 1molecular beam epitax@6.
2s cavidades utili+adas no laser semicondutor so tipicamente cavidades de
<abr@,erot. 4stas caracter#sticas gerais deste tipo de laser fa+ com que se%a um
dispositivo extremamente pequeno 1pode atingir dimens7es da ordem dos '.D mm6
para implement,lo na tecnologia eletrnica. & de referir com algum destaque que
a maioria dos dispositivos eletrnicos que utili+am lu+, por exemplo, para
transmisso de informao, funcionam com base neste tipo de laser.
Princpio de funcionamento:
Hodos os diodos laser semicondutores prticos t/m uma 0etero%uno dupla
1";6, cu%o diagrama da banda de energia est na figura I.I(. O diagrama de
banda de energia de um diodo laser polari+ado est na figura I.I(a e I.I(b.
>este caso os semicondutores so 2l=a2s com 4g J e) e =a2s com 4g
D,K e). 2 regio p,=a2s uma fina camada, normalmente entre ',D,',J Lm, e
constitui a camada ativa onde a emisso estimulada acontece. 2mbos os
semicondutores p,=a2s e p,2l=a2s so profundamente dopados pM
1NburacosO6. 9uando uma grande polari+ao direta aplicada, a energia de
conduo 14c6 do semicondutor n,2l=a2s se aproxima muito da 4c do p,
=a2s que leva a uma grande in%eo de eltrons da banda de conduo do n,
2l=a2s para a do p,=a2s. 4sta in%eo de eltrons fica confinada na banda de
conduo do p,=a2s, pois existe uma barreira P4c entre os semicondutores p,
=a2s e p,2l=a2s, devido Q mudana na banda de =2.
2 camada p,=a2s profundamente dopada. 2ssim o topo da sua banda de
val/ncia est repleto de NburacosO, isso quer di+er que todos os estados eletrnicos
acima do 4
fp
esto va+ios na camada. "evido Q grande polari+ao direta aplicada
uma grande concentrao de eltrons do n,2l=a2s entra na banda de conduo da
camada p,=a2s. Aonseq.entemente, como mostrado na figura I.I(c, existe uma
grande concentrao de eltrons na banda de conduo e estados eletrnicos
totalmente va+ios no topo da sua banda de val/ncia, o que significa que existe uma
inverso de populao. 8m fton que entra com energia 0.v
o
acima da 4g pode
estimular um eltron de conduo na camada p,=a2s a decair da banda de
conduo para a banda de val/ncia e assim emite um fton por emisso estimulada
como mostrado na figura I.I(c. 4sta transio c0amada Np0oton,stimulated
electron,0ole recombinationO ou N3asing recombinationO. 8ma avalanc0e de
emiss7es estimuladas na camada ativa prev/ uma amplificao ptica dos ftons
com energia 0.v
o
nesta camada. 2 amplificao depende da extenso da inverso de
populao e, portanto, da corrente aplicada. O dispositivo funciona como um
amplificador ptico semicondutor que amplifica um sinal ptico que atravessa a
camada ativa. 4xiste um valor baixo de corrente onde no 0 emiss7es estimuladas
e amplificao ptica.
ara se construir um laser semicondutor com uma emisso de laser
sustentvel necessrio incorporar Q camada ativa dentro de uma cavidade
ptica, que se refere a espel0os seletivos que somente refletem o comprimento
de onda dese%ado, desta maneira a cavidade ptica acumula oscila7es pticas
no comprimento de onda requerido. 2 cavidade ptica refle os ftons coerentes
para frente e para trs o que os leva a interfer/ncias construtivas dentro da
cavidade, como na figura I.IK. :sto leva a uma oscilao eletromagntica de
alta energia na cavidade. 8ma parte desta energia eletromagntica lanada
para fora como radiao de sa#da e outra parte refletida. or exemplo, um tipo
de cavidade ptica, mostrado na figura I.IK, tem um refletor especial, c0amado
refletor de Gragg distribu#do 1G5"6, de um lado reflete apenas comprimentos
de onda espec#ficos de volta a cavidade. O G"5 uma estrutura peridica
ondulada, como uma grade de reflexo, colocada em um semicondutor que
reflete apenas um comprimento de onde espec#fico relacionado com a
periodicidade da ondulao no refletor. 4ste refletor de Gragg tem uma
periodicidade da ondulao de tal forma que apenas reflita um comprimento de
onda dese%vel, que se insere no gan0o ptico da regio ativa. 4sta reflexo
seletiva do comprimento de onda leva a um !nico modo de radiao
eletromagntica existente na cavidade, o que leva a um espectro de sa#da muito
estreito- c0amado Nsingle-mode outputO, que se caracteri+a como um pico
estreito, mostrado na figura I.IC, a largura da lin0a espectral deste laser
tipicamente de R ',D nm.
2 0etero%uno dupla tem muitas vantagens. Semicondutores com banda de
=2 maior geralmente tem menores #ndices de refrao, o que significa 2l=a2s
tem um #ndice de refrao menor do que =a2s. 2 mudana entre os #ndices de
refrao define um guia de onda dieltrico ptico que confina os ftons na regio
ativa da cavidade ptica e assim redu+ as perdas de ftons e aumenta a
concentrao de ftons. 4ste aumento na concentrao dos ftons aumenta a taxa
de emiss7es estimuladas e a efici/ncia do laser.
ara alcanar o numero necessrio de emiss7es estimuladas de um diodo laser
e acumular as oscila7es pticas necessrias dentro da cavidade 1para superar
todas as perdas pticas6 a corrente aplicada deve exceder certo limiar de
corrente 1H
t0
6 como mostrado na figura I.ICa. 2baixo desta corrente existe uma
fraca energia ptica, que causada pela recombinao de eltrons in%etados e
NburacosO na camada ativa, o comportamento do diodo laser nesta condio se
parece com o de um 34" fraco. 2 lu+ de sa#da de um 34", entretanto aumenta
quase que na proporo da corrente do diodo. 2 lu+ de sa#da de um diodo laser
uma radiao coerente, enquanto a de um 34" um raio de lu+ de ftons
incoerentes.
Materiais utilizados
2 maioria dos lasers atuais utili+a quatro tipos de materiais. 2 utili+ao
destes quatro tipos de materiais depende da +ona do espectro que se pretende
utili+ar. Hr/s destes tipos de materiais so formados pelos c0amados
semicondutores do tipo :::,). O outro formado pelos semicondutores do tipo ::,
):. 4stes quatro tipos so c0amados- 2rseneto de =lioS fosfeto de #ndioS seleneto
de +incoS nitreto de glio. Os lasers baseados no AsGa operam na gama dos I(C
nm , T*' nm 1vermel0o e infravermel0o prximo6. "entro deste espectro temos
AlGaInP 1I(C nm ,*T' nm6, AlGaAs 1*T' nm , T(' nm6 e InGaAs 1UK' nm6.
2tualmente os leitores de disco compacto utili+am o AlGaAs como material
base do laser. 4m contraste aos A"s os ")"s utili+am o AlGaInP como material
base. 2 diferena entre estes dois tipos de tecnologias est relacionada com a
capacidade de arma+enamento 1a escrita depende fortemente do comprimento de
onda6. Os lasers baseados no fosfeto de #ndio operam no infravermel0o 1D.CC Vm6.
4ste tipo de material muito utili+ado na transmisso em fibras pticas a
longas dist$ncias. O nitreto de glio deve ser o semicondutor mais importante a
seguir ao sil#cio. 4ste material consegue operar na +ona do a+ul e ultravioleta. 8ma
das tecnologias mais promissoras na atualidade precisa de lasers nesta +ona. O Glu,
ra@ consegue arma+enar cerca de J' gigab@tes recorrendo a esta +ona do espectro
fa+endo com que este material ten0a um futuro garantido a curto e mdio pra+o. Os
tr/s tipos de materiais discutidos so baseados nos semicondutores :::,).
Aomo foi dito o seleneto de +inco o !nico semicondutor do tipo ::,): e
produ+ lu+ na +ona do a+ul e do verde 1KI' nm , CJ' nm6. Aomo o comprimento
de onda pequeno na gama destes dois !ltimos materiais os efeitos qu$nticos t/m
de ser tomados em conta e a teoria dos poos qu$nticos tem de ser considerada
para tratar o dispositivo devidamente
Aplicaes na tecnologia:
O laser d#odo o tipo de laser mais comum na tecnologia atual. 4m J''K
este tipo de laser superou as *(( mil07es de vendas em comparao com as D('
mil vendas de outros tipos de lasers. 2 utili+ao desta tecnologia est em quase
toda na eletrnica atual. 4m telecomunica7es o laser d#odo usado para enviar
sinais pticos nas fibras pticas. 2pontadores lasers vermel0os e verdes tambm
so fabricados com base nesta tecnologia semicondutora assim como as
impressoras a laser, leitores de cdigos de barras, scanners, lasers de cirurgia, etc.
Os leitores de A"s e ")"s usam lasers d#odos na +ona do infravermel0o e
vermel0o do espectro enquanto que os leitores de ;" ")" e Glu,ra@ utili+am,na
na +ona do violeta e ultravioleta. 2 espectroscopia de absoro laser tambm utili+a
este tipo de tecnologia. Aomo os semicondutores so relativamente baratos 1por
serem mais abundantes6 em comparao com os materiais de outras tecnologias,
podemos di+er que o d#odo laser o dispositivo mais competitivo no mercado
eletrnico. O fato de no necessitar de grande manuteno como outros tipos de
lasers como o laser gasoso 1troca de gases periodicamente6 fa+ com que ten0a mais
uma vantagem em relao aos outros. 2s dimens7es tambm colocam o laser d#odo
entre os lasers favoritos nos nossos dispositivos eletrnicos 1atualmente menores
do que o mil#metro6.
i!liografia:
Wasap, S. O., rinciples of eletronic materials and devices, (
a
4d.
Xernec?, Farcelo Fartins, Hransdutores e :nterfaces, 3HA.
Xi?ipdia