TRANSISTORES

El transistor, inventado en 1951, es el componente electrnico estrella, pues inicio una

autntica revolucin en la electrnica que ha superado cualquier previsin inicial.
Es un pequesimo dispositivo electrnico hecho a base de material semiconductor (silicio)
que acta como interruptor, es decir, cierra o abre un circuito generando as impulsos
elctricos. Tambin se utiliza como amplificador de seales. Es el componente bsico de
los chips o circuitos integrados.
Con el transistor vino la miniaturizacin de los componentes y se lleg al descubrimiento
de los circuitos integrados, en los que se colocan, en pocos milmetros cuadrados, miles de
transistores. Estos circuitos constituyen el origen de los microprocesadores y, por lo tanto,
de los ordenadores actuales.
Por otra parte, la sustitucin en los montajes electrnicos de las clsicas y antiguas vlvulas
de vaco por los transistores, reduce al mximo las prdidas de calor de los equipos.
Un transistor es un componente que tiene, bsicamente, dos funciones:
Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una PEQUENA seal de mando.
Funciona como un elemento AMPLIFICADOR de seales.
Hay dos tipos bsicos de transistor:
a) Transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor)
b) Transistor de efecto de campo, FET (Field Efecto Transistor) o unipolar

Transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor)
Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin
del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un
transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado
emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.
NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en
los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores
de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones
del transistor. La mayora de los transistores bipolares
usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad
del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en
los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y
velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material
semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea
corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida
del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.




PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con
las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias
dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos
transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el
NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las
circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el
colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a
travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en que
la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.
Polarizacin del transistor
Se entiende por polarizacin del transistor las conexiones adecuadas que hay que realizar
con corriente continua para que pueda funcionar correctamente.
Si se conectan dos bateras al transistor como se ve en la figura, es decir, con la unin PN
de la base-emisor polarizada directamente y la unin PN de la base-colector polarizado
inversamente. Siempre que la tensin de la base emisor supere 0,7 V, diremos que el
transistor esta polarizado, es decir, que funciona correctamente.

Este montaje se llama con emisor comn.
En este caso, el hecho de que el transistor est en funcionamiento significa que es capaz de
conducir la corriente desde el terminal colector hasta el terminal emisor. Se cumplen dos
expresiones para este caso:
La primera
IE= IB + IC
Donde
IE es la corriente que recorre el terminal emisor.
IC es la corriente que recorre el terminal colector.
IB es la corriente que recorre el terminal base.
Como la corriente de base resulta siempre MUY PEQUEA, se puede decir que la
corriente del colector y la del emisor prcticamente coinciden.
IE IC
La segunda expresin dice:
IC= IB
Donde es una constante que depende de cada transistor llamado ganancia que puede valer
entre 50 y 300 (algunos transistores llegan a 1000). La ganancia de un transistor nos habla
de la capacidad que tiene para amplificar la corriente. Cuanto mayor es la ganancia de un
transistor, mas puede amplificar la corriente.
Se concluye que la corriente por el colector de un transistor bipolar es proporcional a la
corriente por la base, es decir, a mayor corriente en la base, mayor corriente en el colector.
Segn estas dos expresiones el transistor bipolar puede tener tres estados distintos de
funcionamiento:
Corte: En este caso la corriente de base es nula (o casi), es decir, IB = 0, por lo tanto, IC=
IB= 0 = 0 IC= 0
En este caso, el transistor no conduce en absoluto. No est funcionando. Se dice que el
transistor se comporta como un interruptor abierto.
Activa: En este caso el transistor conduce parcialmente siguiendo la segunda expresin
(IC= IB). La corriente del colector es directamente proporcional a la corriente de la
base. Ejemplo: Si = 100, la corriente del colector es 100 veces la corriente de la base. Por
eso se dice que el transistor amplifica la corriente.
Saturacin: En este caso, el transistor conduce totalmente y se comporta como un
interruptor cerrado. Este estado se alcanza cuando la corriente por la base (IB) alcanza un
valor alto. En este caso la expresin (IC= IB) ya no tiene sentido pues, por mucho que
aumente el valor de la corriente de base (IB), no aumenta el valor de la corriente de
colector.
















INSTITUTO TECNOLGICO DE
TUXTEPEC
DOCENTE: Ing. Hugo Castellanos Meneses

MATERIA: Electrnica Analgica

TRABAJO: Investigacin

ALUMNO: Kevin montero Ramrez

ESPECIALIDAD: Ingeniera Electromecnica

FECHA DE ENTREGA: 25/Febrero/2014



San Juan Bautista Tuxtepec, Oaxaca