Sistemas microelectromecnicos

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Sistemas microelectromecnicos
Un caro cerca de un grupo de engranajes producidos
utilizando MEMS. Cortesa de los Laboratorios
Nacionales Sandia (Sandia National Laboratories),
tecnologas SUMMiTTM, www.mems.sandia.gov.
Sistemas Microelectromecnicos (Microelectromechanical
Systems, MEMS) se refieren a la tecnologa electromecnica,
micromtrica y sus productos, y a escalas relativamente ms
pequeas (escala nanomtrica) se fusionan en sistemas
nanoelectromecnicos (Nanoelectromechanical Systems, NEMS) y
Nanotecnologa. MEMS tambin se denominan 'Micro Mquinas'
(en Japn) o 'Tecnologa de Micro Sistemas' - MST (en Europa).
Los MEMS son independientes y distintos de la hipottica visin
de la nanotecnologa molecular o Electrnica Molecular. MEMS
en general varan en tamao desde un micrmetro (una
millonsima parte de un metro) a un milmetro (milsima parte de
un metro). En este nivel de escala de tamao, las construcciones de
la fsica clsica no son siempre ciertas. Debido a la gran superficie
en relacin al volumen de los MEMS, los efectos de superficie
como electrosttica y viscosidad dominan los efectos de volumen
tales como la inercia o masa trmica. El anlisis de elementos
finitos es una parte importante del diseo de MEMS. La tecnologa
de sensores ha hecho progresos significativos debido a los MEMS.
La complejidad y el rendimiento avanzado de los sensores MEMS
ha ido evolucionando con las diferentes generaciones de sensores
MEMS.
[1]
El potencial de las mquinas muy pequeas fue apreciado mucho antes de que existiera la tecnologa que pudiera
construirlas - vase, por ejemplo, la famosa lectura de 1959 de Feynman "Hay mucho espacio en lo pequeo". Los
MEMS se convirtieron en prcticos una vez que pudieran ser fabricados utilizando modificacin de tecnologas de
fabricacin de semiconductores, normalmente utilizadas en electrnica. Estos incluyen moldeo y galvanoplastia,
grabado hmedo (KOH, TMAH) y grabado en seco (RIE y DRIE), el mecanizado por electro descarga (EDM), y
otras tecnologas capaces de fabricar dispositivos muy pequeos.
Existen diferentes tamaos de empresas con importantes programas MEMS. Las empresas ms grandes se
especializan en la fabricacin de componentes de bajo costo alto volumen o paquetes de soluciones para los
mercados finales como el automotriz, biomedicina, y electrnica. El xito de las pequeas empresas es ofrecer valor
en soluciones innovadoras y absorber el costo de fabricacin con altos mrgenes de ventas.Tanto las grandes como
las pequeas empresas realizan trabajos de I + D para explorar la tecnologa MEMS.
Uno de los mayores problemas de los MEMS autnomos es la ausencia de micro fuentes de energa con alta
densidad de corriente, potencia y capacidad elctrica.
MEMS descripcin
Los avances en el campo de los semiconductores estn dando lugar a circuitos integrados con caractersticas
tridimensionales e incluso con piezas mviles. Estos dispositivos, llamados Sistemas Micro electromecnicos
(MEMS), pueden resolver muchos problemas que un microprocesador ms el software o configuracin no ASIC
(Chip integrados de aplicacin especfica) no pueden. La tecnologa MEMS puede aplicarse utilizando un sin
nmero de diferentes materiales y tcnicas de fabricacin; la eleccin depender del tipo de dispositivo que se est
creando y el sector comercial en el que tiene que operar.
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Silicio
El silicio es el material utilizado para crear la mayora de los circuitos integrados utilizados en la electrnica de
consumo en el mundo moderno. Las economas de escala, facilidad de obtencin y el bajo costo de los materiales de
alta calidad y la capacidad para incorporar la funcionalidad electrnica hacen al silicio atractivo para una amplia
variedad de aplicaciones de MEMS. El silicio tambin tiene ventajas significativas que han surgido a travs de sus
propiedades fsicas. En la forma mono cristalina, el silicio es un material Hookeano (cumple la ley de Hooke) casi
perfecto, lo que significa que cuando est en flexin prcticamente no hay histresis y, por lo tanto, casi no hay
disipacin de energa. As como para hacer movimientos altamente repetibles, esto hace tambin que el silicio sea
muy fiable, ya que sufre muy pequea fatiga y puede tener una duracin de vida de servicio en el rango de billones o
trillones de ciclos sin romper. Las tcnicas bsicas para la produccin de todos los dispositivos MEMS basados en
silicio son la deposicin de capas de material, produciendo un patrn en estas capas por fotolitografa y luego
grabando para producir las formas necesarias.
Polmeros
A pesar de que la industria de la electrnica proporciona una economa de escala para la industria del silicio, el
silicio cristalino es todava un material complejo y relativamente costoso de producir. Los polmeros por el contrario
se pueden producir en grandes volmenes, con una gran variedad de caractersticas materiales. Los dispositivos
MEMS puede hacerse de polmeros, por los procesos de moldeo por inyeccin, estampado o estreo litografa y son
especialmente adecuados para aplicaciones micro fludicas tales como los cartuchos desechables para anlisis de
sangre.
Metales
Los metales tambin se puede usar para crear elementos MEMS. Aunque los metales no tienen algunas de las
ventajas mostradas por el silicio en trminos de propiedades mecnicas, cuando son utilizan dentro de sus
limitaciones, los metales pueden presentar grados muy altos de fiabilidad.
Los metales pueden ser depositados por galvanoplastia, por evaporacin, y mediante procesos de pulverizacin.
Los metales comnmente utilizados incluyen al oro, nquel, aluminio, cromo, titanio, tungsteno, plata y platino.
Procesos MEMS
Procesos de Deposicin
Uno de los elementos bsicos en el procesamiento de MEMS es la capacidad de depsito de pelculas delgadas de
materiales. En este texto asumimos que una fina pelcula puede tener un espesor de entre unos pocos nanmetros a
unos 100 micrmetros. Los procesos de deposicin de uso comn son: Electroenchapado (Electroplating),
Deposicin pulverizada (Sputter deposition), la deposicin fsica de vapor (PVD) y deposicin qumica de vapor
(CVD).
Fotolitografa
Litografa en el contexto MEMS es, por lo general la transferencia de un patrn a un material fotosensible por
exposicin selectiva a una fuente de radiacin, como la luz. Un material fotosensible es un material que experimenta
un cambio en sus propiedades fsicas cuando es expuesto a una fuente de radiacin. Si nosotros exponemos
selectivamente un material fotosensible a la radiacin (por ejemplo, mediante el enmascaramiento de algo de la
radiacin) el patrn de la radiacin sobre el material es transferido al material expuesto, resultando en que las
propiedades de las regiones expuestas y no expuestas difieren.
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Esta regin expuesta puede luego ser eliminada o tratada proveyendo una mscara para el sustrato subyacente. La
Fotolitografa es tpicamente usada con metal u otra deposicin de pelcula delgada, en procesos de grabado secos o
mojados.
Procesos de grabado
Hay dos categoras bsicas de procesos de grabado: grabado mojado y seco. En el primer caso, el material se
disuelve cuando se sumerge en una solucin qumica. En el ltimo, el material se pulveriza o disuelve utilizando
vapor iones reactivos o un grabado de fase vapor. Vase Williams y Muller [1] o Kovacs, Maluf y Peterson [2] para
un poco de visin de conjunto de las tecnologas de grabado MEMS.
Grabado hmedo o mojado
El grabado por mojado qumico consiste en una eliminacin selectiva de material por inmersin de un sustrato dentro
de una solucin que la pueda disolver. La naturaleza qumica de este proceso proporciona una buena selectividad, lo
cual significa que la tasa de grabado del material a grabar es considerablemente ms alta que la del material de la
mscara si se selecciona cuidadosamente.
Algunos materiales mono cristalinos, como el silicio, tendrn diferentes tasas de grabados dependiendo en la
orientacin cristalogrfica del sustrato. Esto se conoce como grabado anisotrpico y uno de los ejemplos ms
comunes es el grabado del silicio en KOH (hidrxido de potasio), donde los planos<111> del Silicio se graban
aproximadamente 100 veces ms lento que otros planos (orientaciones cristalogrficas). Por lo tanto, grabando un
agujero rectangular en un (100)- una oblea de silicio resulta en en un grabado de ranuras en forma de pirmide con
paredes en ngulo de 54.7, en lugar de un agujero con paredes curvas como podra ser el caso del grabado
isotrpico, donde los procesos de grabado progresan a la misma velocidad en todas las direcciones. Agujeros largos
y estrechos en una mscara producirn surcos en el silicio. La superficie de estas ranuras puede ser automticamente
suavizadas si el grabado se lleva a cabo correctamente, con las dimensiones y los ngulos siendo extremadamente
precisos.
El grabado Electroqumico (CEPE) para una eliminacin selectiva del dopante del silicio es un mtodo comn para
automatizar y controlar selectivamente el grabado. Se requiere un diodo de juntura p-n activo, y cualquier tipo de
dopante puede actuar como material resistente al grabado ("detencin del grabado"). El Boro es el dopante ms
comn de detencin del grabado. En combinacin con el grabado mojado anisotrpico como se ha descrito
anteriormente, el ECE se ha utilizado con xito para el control del espesor del diafragma de silicio en sensores de
presin piezo-resistivos de silicio. Las regiones selectivamente dopadas pueden ser creadas tanto por implantacin,
difusin, o deposicin epitaxial de silicio.
Grabado por iones reactivos (RIE)
En el grabado por iones reactivos (RIE), el sustrato se coloca dentro de un reactor en el que se introducen varios
gases. El plasma es pulsado en la mezcla de gases utilizando una fuente de energa de RF, rompiendo las molculas
del gas en iones. Los iones son acelerados y reaccionan con la superficie del material siendo grabado, formando otro
material gaseoso. Esto se conoce como la parte qumica del grabado por iones reactivos. Tambin hay una parte
fsica que es de naturaleza similar al proceso de deposicin por pulverizacin. Si los iones poseen energa
suficientemente alta, pueden impactar a los tomos fuera del material a ser grabado sin una reaccin qumica. Es una
tarea muy compleja desarrollar procesos de grabado en seco que equilibren grabado qumico y fsico, ya que hay
muchos parmetros a ajustar. Al cambiar el equilibrio es posible influir en la anisotropa del grabado, ya que la parte
qumica es isotrpica y la parte fsica altamente anisotrpica, la combinacin puede formar paredes laterales, que
tienen formas desde redondeadas a verticales.
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Grabado profundo de iones reactivos (DRIE)
Una subclase de la RIE, que contina creciendo rpidamente en popularidad es la RIE profunda (DRIE). En este
proceso, las profundidades de grabado de cientos de micrmetros pueden ser alcanzados con paredes casi verticales.
La principal tecnologa se basa en el llamado "proceso de Bosch" [3], llamado luego de que la empresa alemana
Robert Bosch, presentara la patente original, donde dos composiciones de gases diferentes se alternan en el reactor.
Actualmente hay dos variaciones de la DRIE. La primera modificacin consiste en tres pasos (el proceso de Bosch,
tal como se utiliza en la herramienta UNAXIS), mientras que la segunda variacin slo consiste en dos pasos (ASE
utilizado en la herramienta de STB). En la 1 Modificacin, el ciclo de grabado es el siguiente: (i) SF6 grabado
isotrpico; (ii) C4F8 pasivacin; (iii) SF6 grabado anisoptrpico para limpieza de suelo. En la 2 variacin, los
pasos (i) y (iii) se combinan.
Ambas variaciones funcionan de manera similar. El C4F8 crea un polmero sobre la superficie del sustrato, y en el
segunda, la composicin del gas (SF6 y O2) graba el sustrato. El polmero es inmediatamente pulverizado lejos por
la parte fsica del grabado, pero slo en las superficies horizontales y no en las paredes laterales. Desde el polmero
slo se disuelve muy lentamente en la parte de la qumica de grabado, se acumula en las paredes laterales y los
protege de grabado. Como resultado de ello, el grabado se pueden alcanzar relaciones de aspecto de 50 a 1. El
proceso puede ser utilizado fcilmente para grabar completamente a travs de un sustrato de silicio, y las tasas de
grabado son 3-4 veces ms altas que el grabado mojado.
Grabado por difluoruro de Xenon
El difluoruro de Xenon (XeF
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) es un grabador por fase de vapor seco isotrpica para silicio originalmente aplicada
en MEMS en 1995 en la Universidad de California, Los Angeles [4] [5]. Originalmente usada para la liberdarin de
estructuras de metal y dielctricas por medio del cortado del silicio, XeF
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tiene la ventaja de no tener pegado por
viscosidad a diferencia del grabado mojado. Su selectividad de grabado es muy alta, lo que le permite trabajar con
fotoresistencia, SiO
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, nitruro de silicio, y diversos metales para enmascarar. Su reaccin al silicio es "libre de
plasma", es puramente qumico y espontneo y a menudo es operado en modo pulsado. Se encuentran disponibles
modelos de la accin del grabado estn disponibles[6], y laboratorios universitarios y diversas herramientas
comerciales ofrecen soluciones utilizando este enfoque.
Paradigmas de los MEMS de Silicio
Micromaquinado volumtrico
Micromaquinado volumtrico es el paradigma ms antiguo de los MEMS basado en silicio. Todo el grosor de una
oblea de silicio se utiliza para la construccin de las micro-estructuras mecnicas. [2] El silicio es mecanizado
utilizando diversos procesos de grabado. La unin andica de placas de vidrio u obleas de silicio adicionales se
utilizan para aadir caractersticas tridimensionales y para encapsulacin hermtica. El micromquinado volumtrico
ha sido esencial para que los sensores de presin de alto rendimiento y acelermetros que han cambiado la forma de
la industria de los sensores en los 80's y 90's.
Micromquinado superficial
El micromquinado superficial utiliza deposicin de capas sobre la superficie de un sustrato como material
estructural, en lugar de utilizar el sustrato mismo. [7] El micromaquinado superficial se cre a fines de los 80 para
hacer el micromquinado de silicio ms compatibles con la tecnologa de circuito integrado plano, con el objetivo de
la combinacin de MEMS y circuitos integrados en la misma oblea de silicio. El concepto original del
micromaquinado superficial se basa en delgadas capas de silicio policristalino modelado como estructuras mecnicas
mviles y expuestas por grabado de sacrificio de las subcapas de xido. Electrodos en peine interdigital son
utilizados para producir fuerzas en plano y detectar movimientos en plano de forma capacitiva. Este paradigma
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MEMS ha permitido a la manufactura de acelerometros de bajo costo, por ejemplo sistemas de Bolsas de aire para
automviles (Air-bags) y otras aplicaciones donde bajos rendimientos y/o altos rangos de "g" son suficientes.
Mecanismos Analgicos han sido pioneros en la industrializacin del micromaquinado superficial y han realizado la
co-integracin de los MEMS y los circuitos integrados.
Micromaquinado de Alta relacin de aspecto (HAR)
Ambos micromaquinados volumtrico y superficial son todava usados en la produccin industrial de los sensores,
las boquillas de chorro de tinta y otros dispositivos. Pero, en muchos casos, la distincin entre estos dos ha
disminuido. La nueva tecnologa de grabado, el grabado profundo por iones reactivos ha hecho posible combinar el
buen desempeo tpico del micromaquinado volumetrico con estructuras en peine y operaciones en plano tpicas de
micromaquinado superficial. Si bien es comn en el micromaquinado superficial tener espesores de capa
estructurales en el rango de 2 m, en el micromaquinado HAR el espesor es de 10 a 100 m. Los materiales
comnmente utilizados en el micromaquinado HAR son silicio policristalino denso, conocido como epi-poly, y las
obleas pegadas de silicio-sobre-aislante (SOI), si bien los procesos para las obleas de silicio volumetricas tambin
han sido creadas (SCREAM). Pegando una segunda oblea mediante fritura de vidrio, la unin andica o unin de
aleacin se utiliza para proteger las estructuras MEMS. Los circuitos integrados estn normalmente no combinados
con el micromaquinado HAR. El consenso de la industria en este momento parece ser que la flexibilidad y la
reduccin en complejidad obtenidos teniendo las dos funciones separadas parece pesar ms que la pequea penalidad
en el envasado.
Aplicaciones
Aplicaciones comunes incluyen:
Impresoras de inyeccin de tinta, que utilizan piezoelctricos o burbuja trmica de eyeccin para depositar la tinta
sobre el papel.
Acelermetros en los automviles modernos para un gran nmero de finalidades, entre ellas el despliegue de
colchn de aire (airbag) en las colisiones.
Acelermetros en dispositivos de electrnica de consumo, tales como controladores de juegos (Nintendo Wii),
reproductores multimedia personales y telfonos mviles (Apple iPhone) [8] y una serie de Cmaras Digitales
(varios modelos Canon Digital IXUS). Tambin se usa en ordenadores para estacionar el cabezal del disco duro
cuando es detectada una cada libre, para evitar daos y prdida de datos.
Giroscopios MEMS modernos utilizados en automviles y otras aplicaciones de orientacin para detectar, por
ejemplo, un rolido y desplegar una cortina air-bag ms o activar el control dinmico de estabilidad.
Sensores de presin de Silicio, por ejemplo, en sensores de presin de neumticos de automviles, y en sensores
de presin arterial desechables.
Pantallas por ejemplo, el chip DMD en un proyector basado en la tecnologa DLP posee en su superficie varios
cientos de miles de microespejos.
Tecnologa de conmutacin de fibra ptica que se utiliza para tecnologa de conmutacin y alineacin para
comunicaciones de datos.
Proyector de cine digital : Philippe Binant
[2]
realiz, 2000, la primera proyeccin de cine numrico pblico de
Europa, fundada sobre la aplicacin de un MEMS desarrollado por Texas Instruments.
[3]
Aplicaciones Bio-MEMS aplicaciones en medicina y tecnologas relacionadas con la salud desde Lab-On-Chip
(laboratorios en un chip) a Anlisis Micro Total (biosensores, sensores qumicos) para MicroTotalAnalysis
(biosensor, chemosensor).
Aplicaciones IMOD en la electrnica de consumo (sobre todo pantallas en los dispositivos mviles). Se utiliza
para crear tecnologa pantalla de modulacin interferomtrica - reflexiva.
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El Adams Golf DiXX Digital Instruccin Putter usa MEMS, concretamente un microsistema de navegacin
inercial para analizar los factores del movimiento del swing, incluyendo el camino, el tiempo, la velocidad y los
niveles de vibracin de la mano.
Microscopia de fuerza atmica o AFM: Los sensores de fuerza (micropalancas) usados en AFM son en s
sistemas microelectromecnicos producidos con tcnicas de microfabricacin. Con estos pueden obtenerse
medidas de fuerzas en el rango de pN (piconewton) a nN (nanonewton), as como levantar topografas de
superficies a escala atmica.
Investigacin y Desarrollos MEMS
Los investigadores en MEMS utilizan diversas herramientas de software de ingeniera para llevar un diseo desde el
concepto a la simulacin, prototipado y ensayos. El anlisis por elementos finitos (Finite element methods, FEM) es
una parte importante en el diseo de los MEMS. Simulacin dinmica, del calor, y elctrica, entre otras, pueden ser
realizadas por ANSYS y COMSOL, as como por COVENTOR. Otro software, como MEMS-PRO, se utiliza para
producir una composicin del diseo adecuado para la entrega a la empresa de fabricacin. Una vez que los
prototipos estn listos, los investigadores pueden probarlos utilizando diversos instrumentos, entre ellos vibrmetros
de escaneo doppler lser, microscopios, y estroboscopios.
Notas
[1] Introduction to Microelectromechanical Systems Engineering (http:/ / books. google. es/ books?id=20j7IaDKlOUC& printsec=frontcover&
dq=Microelectromechanical+ systems& hl=ca& sa=X& ei=-3L1T9edJuT80QXYjtC5Bw& ved=0CEEQ6AEwAQ#v=onepage&
q=Microelectromechanical systems& f=false). Artech House. 1 June 2004. ISBN 978-1-58053-590-8. . Consultado el 5 July 2012.
[2] Philippe Binant (http:/ / es.encydia. com/ fr/ Philippe_Binant)
[3] Texas Business (http:/ / www. texasbusiness. com/ plano-cinema-firm-to-open-theater-with-digital-projection-self-serve-snacks-cms-2820)
Fuentes y contribuyentes del artculo
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Fuentes y contribuyentes del artculo
Sistemas microelectromecnicos Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=57571301 Contribuyentes: Acratta, AeroPsico, Arst2, Batna05, Damifb, Danigon, Erfil, Foundling,
Gabsimo, Gengiskanhg, GermanX, Gruschenko, Indigenus, Jorge c2010, Mcapdevila, Moustique, Ramon00, Tixel, Tortillovsky, 23 ediciones annimas
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