1

Les Alimentations de Puissance

Avances rcentes
Tours, le 10 mars 2005 Jean-Paul FERRIEUX
Journe technique sur les Alimentations de Puissance
Conversion absorption sinusodale
Convertisseurs rsonance
Convertisseurs sortie basse tension
Convertisseurs entre basse tension
Intgration en lectronique de Puissance
Conclusions
2
Journe technique sur les Alimentations de Puissance
Conversion absorption sinusodale
Structure deux tages
Structure mono-tage
Objectifs :
Rduire les harmoniques basses frquences
sur le rseau
Gnrer une tension continue rgule
3
Convertisseurs PFC
Structure deux tages :
Prrgulateur
non-isol
iL
iL
Convertisseur
DC-DC isol
Rseau
50 Hz
Filtrage
100 Hz
4
Exemple de PFC : structure Boost
Tension secteur
88-264V
AC
50-60Hz
Secteur
redress
Tension
drain
(MLI)
Tension
continue
Tensions

Courants

5
PFC : Convertisseur Boost
Commande MLI Conduction continue
vT
ve
iT
t
Tr/2 Td


= 1
V
V
2L
V
P
M
M
2
s
r
( ) sin cos
Dformation invitable
au voisinage de zro
Trs bon facteur de puissance (>0,99)
Rgulateurs standards
6
PFC : Convertisseur Boost
Conduction discontinue
iL
iLmoyen
t
Td
iLmax
Absorption sinusodale naturelle
si :
- Mode auto-oscillant
- Temps de conduction fix
T
2LI
V
L
V
P on
M
M M
= =
4
2
Contraintes crtes importantes
Filtrage dlicat lentre
7
PFC : Convertisseur Boost
Avantages :
Convertisseur simple
Rgulation du bus intermdiaire
Respect des normes BF
Inconvnients :
Filtrage CEM dlicat
Montage lvateur (bus > 375 V)
Volume des composants passifs
8
Convertisseurs PFC
Structure mono-tage :
Filtre CEM
+
Redresseur
Structure
DC-DC
isole
Rseau
50 Hz
Filtrage
100 Hz
Un seul convertisseur pour:
Le contrle du courant dentre
La rgulation de sortie
Filtrage 100 Hz en sortie
9
PFC : structure mono-tage
Exemple du Flyback
le
ie
Ce
vr
i2
Vs
ve
i1
Asservissement du courant dentre contrl par
la rgulation de la tension de sortie
Absorption sinusodale naturelle si :
Frquence fixe
Rapport cyclique constant
10
PFC : structure mono-tage
Mode de conduction mixte
0
0.5
1
1.5
2
0 0.005 0.01 0.015 0.02
C
o
u
r
a
n
t


(

A

)
Temps ( s )
0
2
4
6
8
10
12
14
0 0.005 0.01 0.015 0.02
C
o
u
r
a
n
t


(

A

)
Temps ( s )
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
0 0.005 0.01 0.015 0.02
R
a
p
p
o
r
t

c
y
c
l
i
q
u
e
Temps ( s )
Courant dentre
Courant magntisant
Rapport cyclique
(Thse dHassan BENQASSMI, LEG)
11
PFC : structure mono-tage
Exemple dune structure rsonance
Vs
Ve
filtrage
C
e arg ch
R
L
R
C
R
12
Progrs attendus :
MOSFET (mdmesh, coolmos)
Diodes Shottky SiC
0
50
100
150
200
250
0 100 200 300 400 500 600
Vitesse de commutation dI/dt (A/s)

n
e
r
g
i
e

d
e

c
o
m
m
u
t
a
t
i
o
n

(

J
)
Energie de commutation de la cellule de commutation (diode+MOSFET)
en fonction de la vitesse de commutation (dI/dt)
STTA806D
STTH8R06
STTH806TTI
SiC 0,75mm
2
g2
(Thse de Martin COYAUD
LEG, ST Microelectronics Tours)
Convertisseurs PFC
limination du
Recouvrement inverse
Monte en frquence
13
Convertisseurs PFC
Progrs attendus :
Composants magntiques
Poudre de fer, nanocristallins
(Thse dHerv CHAZAL, LEG, LLN, Imphy Ugine Precision)
14
Journe technique sur les Alimentations de Puissance
Convertisseurs rsonance
Structures asymtriques
Forward ZCS et ZVS
Structures symtriques
Rsonance srie
Rsonance srie- parallle
15
Convertisseurs rsonance
Forward Quasi-Rsonant
Commutation en mode ZCS
Frquence variable
Dmagntisation rsonante
Ve
D
n1 n2
Co
Lo
A
TA2
vco
DTR
Is
v1
vT
i1 i2
iD
iDTR
16
Convertisseurs rsonance
t
t
Ve
-Is-I2MA
vT
2mVe
Ve-V2/m
Ve
i1
i2
ico
I2MA
-I2MA
vco
Is
t
iDTR
t2 t3 t1
Is
V2
tdm =
L2Co
t4
o
-o
(t)
I2MA
I2MA
Co
L2
m
I2MA
Co
L2
o
2
o
L
L
2
1
+ 1
1
F
F

o
e S
F
F
mV V
Forward
Quasi-Rsonant
17
Convertisseurs rsonance
Forward Quasi-Rsonant
Commutations en mode ZVS
Frquence fixe

1
V
V
e
Cr
L3
E
L4
Cr
Co
D3
D4
C R
T1
T2
Lf
L1
m
is
Vs
e S
V . m . V
18
Convertisseurs rsonance
Rsonance srie
Vs
E
filtrage
C
e arg ch
R
L
R
C
R
19
Convertisseurs rsonance
Rsonance srie-parallle
m
lo
co
TD1
TD2
DS1
DS2
Ls1
Ls2
Vs
E/2
E/2
(Thse de Christophe ANDRIEU, LEG, Alcatel Converters)
20
Journe technique sur les Alimentations de Puissance
Convertisseurs sortie basse tension
Redressement synchrone
Convertisseurs de faible puissance
Hacheurs commutations synchrones
Alimentations capacits commutes
21
Conversion DC-DC
Alimentations dcoupage sortie
basse tension : redresseurs de sortie
m
m
m
m
Point milieu inductif
Redressement 4 diodes
Redressement asymtrique
Point milieu
deux enroulements
22
Redressement synchrone
Vs
filtrage
L
filtrage
C
e arg ch
R
Secondaire de Forward
Vs
Secondaire point milieu inductif
23
Redressement synchrone
Caractristiques
Gain sur les pertes par
conduction
Commutations
dlicates,
synchronisation
Pertes de commande
Exemple :
hacheur abaisseur
12 V 3,3 V
Mosfet STD40NF3LL
30 V - 0,0095 40 A
Temps mort = 100ns
6
.
10
5
8
.
10
5
1
.
10
6
1.2
.
10
6
1.4
.
10
6
1.6
.
10
6
1.8
.
10
6
2
.
10
6
75
80
85
90
95
100
Comparatif rendements
Frequence (Hz)
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
Rendement redresseur synchrone
36W 100W 1W 36W 100W 1W
Rendement hacheur srie
24
Redressement synchrone
Exemple :
hacheur abaisseur
12 V 3,3 V
Mosfet STD40NF
Influence du temps mort
0 20 40 60 80 100
0
50
100
Puiss = 100W
Puiss = 36W
Puiss = 1W
temps mort (ns)
r
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)

(Thse de Jean-Marc BOGGETTO,
LEG, ST Microelectronics, Tours)
25
Convertisseurs basse tension
Convertisseurs DC-DC non-isols
Entre basse tension
Sortie trs basse tension
Processeurs
Tlphonie mobile
Emploi de:
Mosfet en commutation synchrone
Entrelacement
Possibilit dabaisser ou dlever selon la tension
dentre (batteries)
26
Convertisseurs basse tension
Redressement synchrone
Hacheurs entrelacs
E
R

C
27
Convertisseurs basse tension
Redressement synchrone:circuit de commande
28
Convertisseurs basse tension
Structures accumulation
Association de deux structures directes
Ve
Tp D
C R L, RL
L1, R1
Ve
C
R Cs D Tp
L2, R2
e s
V
1
V

=
Vs
Vs
Buck-boost
Ck
29
Convertisseurs basse tension
Structure
SEPIC
T
L1
L2 Ve
C
R Cs vs
iL2
iL1
iT
vC
D
L1
L2
Ve
C
R Cs vs
iL1
vC
D
T
iL2
Structure
ZETA
30
Convertisseurs basse tension
Structure prfre
+ : une seule inductance
: deux Mosfets et deux diodes (ou 4 Mosfets)
E
VS
(Thse de Ccile HAMON, LEG, ST Microelectronics Grenoble)
31
Convertisseurs basse tension
Exemple de rendement
Vbat = 4 V Vs = 2,3 V
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
96
98
100
Is

%
total
cond
com
conso
Mode
discontinu Mode continu
32
Convertisseurs basse tension
Rendement
0.01 0.1 1
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
96
98
100
Is (A)
(%)
Convertisseur fonctionnant
toujours en mode continu
Gestion du mode
discontinu
Vbat=2V
Vbat=3V
Vbat=5.5V
33
Convertisseurs basse tension
Alimentations capacits commutes
Vs
f C
1
Vbat
Cs
Req=
Vs
Vbat
f
C
Cs
Vc
( )
( )
f . C
1
R
T
V V C
t
Q
i
V V
V V
e
bat s
i
V V
eq
bat s
e
s finale C
bat initiale C
= =

=
=
=

34
Alimentations capacits commutes
Principe
Cs
C
Vbat
Ic
h
Vs
Is
1
2
Ic
Ic
t
Ich
T T
Rendement thorique
Vbat
Vs
Ich Vbat
Ich Vs
Ibat Vbat
Is Vs
Pe
Ps
=


=

= =

35
Structure doubleur de tension
Vbat
1
2
C
Cs Vs
1
2 Vc
i = k.Ich
Vbat
Vs
=
2
1

Ibat
C3 R
2 3
4 9
Is C2
C1
C3 R
2 1 3
4
5
6
8
9
7
Vbat
Vs
i = k.Ich
i = k.Ich
Structure globale
0,5
1
1,5
2
Alimentations capacits commutes
36
Rendement thorique
Vs = 2,2 V
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1

Vbat
0.5
1
1.5
2
Alimentations capacits commutes
37
Journe technique sur les Alimentations de Puissance
Convertisseurs entre basse tension
Structures BOOST
Structures isoles entre inductive
Exemples de la Pile Combustible
38
Convertisseur entre basse tension
Exemple de la Pile Combustible
Conversion DC-DC
Caractristiques dune cellule :
- Tension nominale : 0,6V
- Tension vide : 1V
- Densit de courant : 0,6A/cm
2
Constitution dun stack :
- Association en srie des cellules ( 100) : monte en tension
- Augmentation de la surface : amliorer la capacit en courant
Problmatique :
- Fort courant : pertes dans les SC et les passifs
- Ncessit dlever la tension : sorties 350 V ou 700 V
- Introduction ventuelle dun transformateur
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Densit de courant, [A/cm]
T
e
n
s
i
o
n
,

[
V
]
Caractristique statique d'une cellule
39
Convertisseur Boost
Conversion DC-DC pour PaC
V
PAC
C
V
s
m
branches
T
D
L
R
Avantages :
-Entre inductive
-Entrelacement possible
-Montage lvateur
(< 5 6)
Inconvnients :
-Semi-conducteurs haute tension
-Mise sous tension
-Rendement dgrad lorsque Vs/Ve trop lev
40
Variante : Double-Boost
Conversion DC-DC pour PaC
R
V
PAC
L
D
k1
C
C
i
PAC
T
k1
T
k2
V
Tk1
V
Tk2
D
k2
i
Lk
m
branches
2
Vc
2
Vc
Particularits :
- Dimensionnement en courant rduit des composants
- Filtrage plus facile
- Tension de dimensionnement 2 fois plus faible
- Structure symtrique : point milieu disponible
Exemple :
P
PAC
= 120 kW
6 stacks de 100 cellules
V
PAC
= 330V590V DC
V
S
= 600V800V DC
4 branches
100 litres 60 kg
Projet Europen FEBUSS
Schneider-Electric
41
Conversion DC-DC pour PaC
Structure isole

=
1
V
m V
PAC
C
R
V
PAC
I
PAC
L
1
L
2
L
f
C
m
C
E
L
E
Ecrteur rcupratif permettant le
fonctionnement pour < 0,5
5 , 0
(Thse de Guillaume LEFVRE, LEG, Axane Air Liquide Grenoble)
42
Conversion DC-DC pour PaC
Forme dondes
T . T 2 / T
m / V
S
m / V
S

m / V
S
2 L
I
E
I
t
1 MOS
I
1 MOS
V
Tr
V
mos
I
43
Conversion DC-DC pour PaC
Variante : structure commutation douce
V
PAC
I
PAC
L
1
L
2
L
f
C
E
m
M
1
M
2
D
1
D
2
D
3
D
4
M
4
M
3
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45
0
1
2
3
4
5
6
7
8
2
PAC
S f
V
I . L . m
x =
PAC
S
V . m
V
y =
9 , 0 =
8 , 0 =
7 , 0 =
6 , 0 =
5 , 0 = 4 , 0 = 3 , 0 = 2 , 0 =
Rsultats de simulation sous PSIM
Points obtenus analytiquement
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45
0
1
2
3
4
5
6
7
8
2
PAC
S f
V
I . L . m
x =
PAC
S
V . m
V
y =
9 , 0 =
8 , 0 =
7 , 0 =
6 , 0 =
5 , 0 = 4 , 0 = 3 , 0 = 2 , 0 =
Rsultats de simulation sous PSIM
Points obtenus analytiquement
Ecrteur rversible (M3-M4)
Commutations en ZVS pour
3 zones de fonctionnement
sur 4
44
Journe technique sur les Alimentations de Puissance
Intgration en lectronique de Puissance
Mutualisation des noyaux magntiques
Intgration L- T
Intgration des composants passifs
Intgration L- C - T
Intgration complte
Intgration sur Silicium
Intgration de refroidisseurs
45
Intgration en lectronique de Pu
Mutualisation des noyaux magntiques
Hacheur de CUK : Annulation possible des
ondulations de courants dentre et de sortie
si m = k entre :
- L1 et le primaire
- L2 et le secondaire
D
Ve
Tp
C R
L1 L2
46
Intgration en lectronique de Pu
Mutualisation des noyaux magntiques
Exemple du Forward
Vs
E
filtrage
C
e arg ch
R
47
Intgration en lectronique de Pu
Mutualisation des noyaux magntiques
Flyback entrelacs
Tp1
Tp2
D1
D2
C R
Ve
vs
iT1
iT2
iD1
iD2
i
n2 n1
Bobinages
Transf. 2
Bobinages
Transf. 1
t
t
t
iT2
iD2
iT1
iD1
i
T T (1 + )T 2T

=
2
mV V
e s
48
Intgration en lectronique de Pu
Intgration des composants passifs
Principe du LCT :
Primaire bifilaire formant un condensateur
Inductance de fuite entre primaires et secondaire
P
1
S
1
S
2
P
1
P
2
P
2
E
L
R
C
R
P
1
P
2
P
2
S
2
S
2
49
Intgration en lectronique de Pu
Intgration des composants passifs
LCT = Inductance Condensateur transformateur
Bobin Planar
V V
50
Intgration en lectronique de Pu
LCT : prototype bobin
32mm
20.3mm
13mm
Secondaire
Primaire
Entrefer
Ferrite usin
Ferrite normal
(Thse de Philippe GOUBIER, LEG)
51
Intgration en lectronique de Pu
LCT : prototype planar
V I A S
e n t e r r s
P a s t i l l e s d e
c o n n e x i o n
P a s t i l l e s d e
c o n n e x i o n
L e s c o u c h e s
g r i s e s e t
t u r q u o i s e s
d o i v e n t t r e
i s o l e s .
C o u c h e 1
C o u c h e 2
C o u c h e 3
C o u c h e 4
C o u c h e 5
C o u c h e 6
C o u c h e 7
C o u c h e 8
C o u c h e 9
C o u c h e 1 0
52
Intgration en lectronique de Pu
Intgration complte dune structure
48 V 5 V 12 A 500 kHz
Filtre CEM dentre
Transformateur
Filtre de sortie
(Thse de Franck Wilmot, SATIE, Cachan)
53
Intgration en lectronique de Pu
Intgration complte dune structure
Filtre dentre :
- partie capacitive
- partie inductive
Filtre de sortie :
- partie capacitive
- partie inductive
Couche
composants
actifs
Circuit imprim
Connecteurs
Structure complte trs faible puissance (thse F.Wilmot)
54
4 mm
3 mm
100m
100m
15m
100m
15m
10 spires
L = 1.25H
Bmax = 0.6T
4 mm
3 mm
100m
100m
15m
100m
15m
10 spires
L = 1.25H
Bmax = 0.6T
4 mm
3 mm
100m
100m
15m
100m
15m
10 spires
L = 1.25H
Bmax = 0.6T
Intgration dun inductance sur Silicium

L
C R
SW2
SW1
V
in
V
out

I
out

Commande
I
L I
in
Ralisation au LAAS : paisseur des couches 10m
L = 1H
Imax = 1A
F = 500kHz
FeNi
Cu
Projet
INDUCSIL
55
Intgration en lectronique de Pu
Intgration de refroidisseurs :
Micro-canaux
Cuivre
Silicium
limination de linterface thermique
Refroidisseur double-face
(Alstom)
56
Intgration en lectronique de Pu
Intgration de refroidisseurs :
Caloducs
Silicium rainures (CNES-LETI)
Silicium picots (LAAS-CIME)
Rainures 80 m sur 300 m
Puissances de qq dizaines de W
(Thse dYvan AVENAS, LEG)
57
Conclusions
Autres aspects importants de lEln de Pu :
Systmes de fortes puissances :
Multiniveaux, mise en srie, systme Katium
CEM
Modlisation :
Semi-conducteurs, cblages, composants magntiques
Conception :
Outils doptimisation (volume, choix de la frquence,)