Aunque el diodo semiconductor de estado slido se populariz antes del diodo
termoinico, ambos se desarrollaron al mismo tiempo.
En 1873 Frederick Guthrie descubri el principio de operacin de los diodos trmicos. Guhtrie descubri que un electroscopio cargado positivamente podra descargarse al acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de que este lo tocara. No suceda lo mismo con un electroscopio cargado negativamente, reflejando esto que el flujo de corriente era posible solamente en una direccin. Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison redescubre el principio. A su vez, Edison investigaba porque los filamentos de carbn de las bombillas se quemaban al final del terminal positivo. El haba construido una bombilla con un filamento adicional y una con una lmina metlica dentro de la lmpara, elctricamente aislada del filamento. Cuando uso este dispositivo, el confirm que una corriente flua del filamento incandescente a travs del vaci a la lmina metlica, pero esto solo suceda cuando la lmina estaba conectada positivamente. Edison diseo un circuito que reemplaza la bombilla por un resistor con un voltmetro de DC. Edison obtuvo una patente para este invento en 1884. Aparentemente no tena uso prctico para esa poca. Por lo cual, la patente era probablemente para precaucin, en caso de que alguien encontrara un uso al llamado Efecto Edison. Aproximadamente 20 aos despus, John Ambrose Fleming (cientfico asesor de Marconi Company y antiguo empleado de Edison) se dio cuenta que el efecto Edison podra usarse como un radio detector de precisin. Fleming patent el primer diodo termoinico en Britain el 16 de noviembre de 1904. En 1874 el cientfico alemn Karl Ferdinand Braun descubri la naturaleza de conducir por una sola direccin de los cristales semiconductores. Braun patent el rectificador de cristal en 1899. Los rectificadores de xido de cobre y selenio fueron desarrollados para aplicaciones de alta potencia en la dcada de los 1930. El cientfico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal semiconductor para detectar ondas de radio en 1894. El detector de cristal semiconductor fue desarrollado en un dispositivo prctico para la recepcin de seales inalmbricas por Greenleaf Whittier Pickard, quin invent un detector de cristal de silicio en 1903 y recibi una patente de ello el 20 de noviembre de 2006. Otros experimentos probaron con gran variedad de sustancias, de las cuales se us ampliamente el mineralgalena. Otras sustancias ofrecieron un rendimiento ligeramente mayor, pero el galena fue el que ms se us porque tena la ventaja de ser barato y fcil de obtener. Al principio de la era del radio, el detector de cristal semiconductor consista de un cable ajustable (el muy nombrado bigote de gato) el cual se poda mover manualmente a travs del cristal para as obtener una seal ptima. Este dispositivo problemtico fue rpidamente superado por los diodos termoinicos, aunque el detector de cristal semiconductor volvi a usarse frecuentemente con la llegada de los econmicos diodos de germanio en la dcada de 1950. En la poca de su invencin, estos dispositivos fueron conocidos como rectificadores. En 1919, William Henry Eccles acu el trmino diodo del griego dia, que significa separado, y ode (de ), que significa camino. Hasta aqu ya tenemos una idea del funcionamiento de un diodo; pero conviene que profundicemos un poco ms en los conceptos elctricos que determinan este funcionamiento. Para ello vamos a servirnos de la curva caracterstica tpica de un diodo semiconductor imaginario, tal como podemos ver en el grfico, el cual nos va a dar datos sobre el comportamiento de este componente electrnico. El comportamiento de los diodos es ms o menos similar al proporcionado por esa curva, pero los valores resultantes pueden cambiar segn la potencia del diodo. Pasemos a explicar el grfico entonces: En primer lugar tenemos la corriente en sentido directo (If) representada en miliamperios (mA) que es la corriente que puede circular por el diodo cuando ste presenta la mnima resistencia. Por otra parte, en la linea horizontal derecha tenemos la escala de las tensiones directas (Vf) expresadas en voltios (V) a que puede ser sometido el diodo para el paso de la corriente. Todo eso contituye la caracterstica directa, es decir, el paso de la corriente en sentido de paso. Un diodo que tuviera las caractersticas representadas en este grfico, al aplicarle una tensin de 20 V ya dejara pasar unos 10 mA, pero entre 20 y 35 V se 'disparara' y dejara pasar ms de 60 mA. En la caracterstica inversa, que est representada por la izquierda y en la parte baja del grfico, se trata de mostrar el funcionamiento del diodo en el sentido de bloqueo. Obsrvese que aqu la tensin inversa (Vr) est en unidades de kilovoltios (kV), es decir, fracciones de 1000 V; y la intensidad (Ir) en fracciones mucho ms pequeas, de microamperios (uA), es decir, fracciones que equivalen a 1/1000000 de amperio. Para que la corriente acceda a pasar en sentido contrario en un diodo como el representado se precisara una tensin entre 500 a 600 voltios con lo cual se producira el paso de corrientes del orden de los 0,50 miliamperios. Los valores de la caracterstica inversa se llaman corrientes de fuga (Ir).