operar como detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una regin de unin extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos voltajes de polarizacin directa y tiene una resistencia negativa, esto es, la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado. Representacin grfica de un diodo tunel y su correspondiente grfica Fotodiodos Son diodos que generan un voltaje de corriente continua proporcional a la cantidad de luz que incide sobre su superficie. Se utilizan como medidores y sensores de luz y en receptores pticos de comunicaciones. Representacin grfica de un Fotodiodo y sus correspondientes curvas caractersticas El efecto bajo el cual opera un fotodiodo es la generacin de pares electrn!ueco debido a la energ"a luminosa. Esto lo diferencia del diodo rectificador en el que, solamente existe generacin t#rmica de portadores de carga. $a generacin luminosa, tiene una mayor incidencia en los portadores minoritarios, que son los responsables de que el diodo conduzca ligeramente en polarizacin inversa. Diodo emisor de Luz (LED) El $E% es un diodo que produce luz visible &o invisible, infrarroja' cuando se encuentra polarizado. El voltaje de polarizacin de un $E% var"a desde (.) * !asta +., *, y la corriente necesaria para que emita la luz va desde ) m- !asta los +. m-. En cualquier unin P/ polarizada directamente, principalmente cerca de la unin, ocurre una recombinacin de !uecos y electrones al paso de la corriente. Esta recombinacin requiere que la energ"a que posee un electrn libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las uniones P/ una parte de esta energ"a se convierte en calor y otra parte en fotones. En el Si y el 0e el mayor porcentaje se transforma en calor y la luz emitida es insignificante. Se utiliza otro tipo de materiales para fabricar los $E%1s, como 2osfuro -rseniuro de de 0alio &0a-sP' o fosfuro de 0alio &0aP'. $os diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores3 verde, rojo, amarillo, mbar, azul y algunos otros. El diodo $E% presenta un comportamiento anlogo al diodo rectificador &diodo semiconductor pn', sin embargo, su tensin de codo tiene un valor mayor, normalmente entre (.+4(., *. Seg5n el material y la tecnolog"a de fabricacin estos diodos pueden emitir en el infrarrojo &diodos 67E%', rojo, azul, amarillo y verde, dependiendo de cual sea la longitud de onda en torno a la cual emita el $E%. Se recomienda que la intensidad que atraviese un $E% no supere los +. m-. S"mbolo3 $a tensin de polarizacin directa * d depende del material con el que est# fabricado el diodo. El color de la luz emitida por el $E% depende 5nicamente del material y del proceso de fabricacin principalmente de los dopados. Material Longitud de Onda Color Vd Tpica AsGa 904 nm IR 1 V InGaAsP 1300 nm IR 1 V AsGaAl 750-850 nm Rojo 1,5 V AsGaP 590 nm Amarillo 1,6 V InGaAlP 560 nm Verde 2,7 V Ci 480 nm A!"l 3 V Diodo Zener $a corriente en la regin 8ener tiene una direccin opuesta a la de un diodo polarizado directamente. El diodo 8ener es un diodo que !a sido dise9ado para trabajar en la regin 8ener. :rabaja con voltajes negativos, la regin 8ener se controla variando los niveles de dopado. ;n incremento en el n5mero de impurezas agregadas, disminuye el voltaje 8ener * 8 . -s", se obtienen diodos 8ener con voltajes 8ener desde (.) * a +.. * y potencias de (<= a ,. >. El diodo 8ener es un dispositivo que cuando !a alcanzado su potencial * 8 se comporta como un corto. Es un ?s@itc!? o interruptor que se activa con * 8 volts. Se aplica en reguladores de voltaje o en fuentes. En el circuito que se muestra en la figura, se desea proteger la carga contra sobre voltajes, el mximo voltaje que la carga puede soportar es =.) volts. Si se elige un diodo 8ener cuyo * 8 sea =.) volts, entonces este se activar cuando el voltaje en la carga sea =.) volts, protegi#ndola de esta manera. En la zona directa se puede considerar como un generador de tensin continua &tensin de codo'. En la zona de disrupcin, entre la tensin de codo y la tensin zener &* z nom' lo podemos considerar un circuito abierto. Auando trabaja en la zona de disrupcin se puede considerar como un generador de tensin de valor * f B * z . Aurva caracter"stica3 aractores Son diodos de silicio perfeccionados para operar con capacitancia variable, se utilizan como sintonizadores en sistemas de comunicaciones, especialmente en 2C. $a mxima capacitancia del varactor se presenta con voltajes de polarizacin cero, cuando la capa de agotamiento es ms delgada. Auanto ms alto es el voltaje inverso aplicado, ms estrec!a es la capa de agotamiento y por lo tanto, la capacitancia disminuye. Estos diodos tambi#n reciben el nombre de diodos *aricap. Auando un voltaje inverso es aplicado a la unin P/, los !uecos en la regin P se atraen a la terminal del nodo y los electrones en la regin / se atraen a la terminal del ctodo, creando una regin de poca corriente ®in de agotamiento' que se comporta como el diel#ctrico de un condensador. $a regin de agotamiento aumenta si el voltaje inverso aplicado a #l aumentaD y puesto que la capacitancia var"a inversamente con el espesor diel#ctrico, la capacitancia de la unin disminuye cuando el voltaje aplicado aumenta. Diodos aristor Es un dispositivo semiconductor utilizado para absorber picos de alto voltaje desarrollados en las redes de alimentacin el#ctrica. Auando aparece un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro valor muy bajo. El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera los componentes sensibles del circuito. $os varistores se fabrican con un material no !omog#neo.&Aarburo de silicio'. Aaracter"siticas3 -mplia gama de voltajes, desde (= * a ,,. * &7CS'. Permite seleccin fcil del componente correcto para cada aplicacin. -lta capacidad de absorcin de energ"a respecto a las dimensiones del componente. :iempo de respuesta de menos de +. ns, absorbiendo el transitorio en el instante que ocurre. *alores bajos de capacidad, lo que !ace al varistor apropiado para la proteccin de circuiter"a en conmutacin digital. -lto grado de aislamiento. Diodo !c"ott#y( Diodo de $arrera) Son dispositivos que tienen una ca"da de voltaje directa &* 2 ' muy peque9a, del orden de ..E * o menos. Fperan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. 7eciben tambi#n el nombre de diodos de recuperacin rpida. ;n diodo Sc!ottGy, se forma colocando una pel"cula metlica en contacto directo con un semiconductor. El metal se deposita generalmente en un tipo de material /, debido a la movilidad ms grande de los portadores en este tipo de material. $a parte metlica ser el nodo y el semiconductor, el ctodo. En una deposicin de aluminio &E electrones en la capa de valencia', los electrones del semiconductor tipo / migran !ac"a el metal, creando una regin de transicin en la ensambladura. Solamente los electrones &portadores mayoritarios de ambos materiales' estn en trnsito. Su conmutacin es muc!o ms rpida que la de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la regin tipo /, siendo necesario re!acer la barrera de potencial &t"picamente de ..E*'. $a 7egin / tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la p#rdida de conduccin, por esto, la tensin mxima soportable para este tipo de diodo est alrededor de los (..*. $a principal aplicacin de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensin, en las cuales las ca"das en los rectificadores son significativas. Diodo Laser $os diodos lser son constructivamente diferentes a los diodos $E% normales. $as caracter"sticas de un diodo lser son3 $a emisin de luz es dirigida en una sola direccin3 un diodo $E% emite fotones en muc!as direcciones. ;n diodo lser, en cambio, consigue realizar un guiado de la luz preferencial una sola direccin. %ebido a estas dos propiedades, con el lser se pueden conseguir rayos de luz monocromtica dirigidos en una direccin determinada y adems tambi#n puede controlarse la potencia emitida. El lser es un dispositivo ideal para operaciones en las que sea necesario entregar energ"a con precisin. Ejemplo de aplicacin3 El lector de discos compactos. %rfica !im$ologa &ipos de Diodos