Coloquios de Física

Métodos de caracterización de nanomateriales: El camino en la

fabricación de nuevo materiales y la cooperación PUCP-Alemania

Roland Weingärtner

PUCP, 29 de Mayo de 2014

Departamento de Ciencias – Sección Física – Grupo Ciencias de los Materiales

Pontificia Universidad Católica del Perú

 Contenido

I El mundo de los materiales

II Semiconductores de banda ancha

III Cooperación con Alemania

El mundo de los materiales
 Redefinicón del kilogramo – proyecto Avogadro

problema:
El kilogramo estándar (en Paris) se cambia con el tiempo

solución:
Buscar nuevo material

Esfera perfecta de silicio:

Reto:

Polishing (Mecanical engineering)

Ultra pure material:

(Materials Science, Crystal Growth)
 Superconductivity - Applications

Current without resistivity: no energy loss of transportation of energy

cable

levitation
 Superconductivity – The hunt to higher Tc

Discovery of HTS: 1986

Alexander Müller

Georg Bednorz
 Carbon Nanotubes

Discovery of carbon nanotubes: 1993

properties:
good heat conductors
high mecanical stability
 Graphene – the twodimensional electron gas

Discovery of graphene: 2004

applications: Andre Geim

Ultrafast transistors

Konstanin Novoselov
Carbon Nanotubes and graphene – the key material
for the space elevator?

Konstantin Tsiolkovski
Carbon Nanotubes – the key material
for the space elevator?
 Optoelectrónica

Emisores
de luz

Convertir luz en energía

 ¿Por qué semiconductores de banda ancha?

Idea principal:
Combinar las ventajas de un aislador y de un semiconductor
Ventaja de un semiconductor:
Circuito electrónico activo, como diodos, transistores, etc
Ventajas de un aislador:
Por su banda ancha las muestras son transparente

100
# of articles from APS journals

Historia:
80

GaN
60 SiC
AlN
40 ZnSe LED azul
basada de GaN
20

0
1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2009
Year
Pequeño resumen de semiconductores

Wide band-gap
 ¿Por qué dopaje con tierras raras en
semiconductores ?

Propiedades de la emisión óptica de las tierras raras:

 Color de emisión no depende del material matriz

 Color es típico por un iono de tierra rara

 Intensidad de la emisión de las tierras raras depende del material:

 band-gap quenching

 temperature quenching

 concentration quenching
Colores en GaN dopado con tierras raras

M. Garter et al. Appl. Phys. Lett. 74 (1999) p.182

 Ejemplos

Catodoluminescensia de RE3+
en a-AlN:RE
1
D2 3
H4 1
G4 3
H6
Intrashell-transitions de f-shells
→ → Tm3+
CL Intensities [a.u.]

5 7
D4 → F5 Tb3+
RE3+ Ion
4
F9/2 →
6
H13/2 Dy3+

5
D0 →
7
F1,2 Eu3+

3+
4
G5/2 →
6
H7/2 4
G5/2 → H9/2Sm
6

3+ 1 y 2: caminos de excitación
2
F5/2 →
2
F7/2 Yb
a y b: caminos de recombinación
200 400 600 800 1000
Wavelength [nm]
 Temperature quenching in AlN:RE

Phenomenological description:

A
I Emission =
 ε 
1 + B exp  − ÷
k
 B  T

From Lozykowski and Jadwisienczak: Phys. Stat. Sol. B 244 (2007) 2109
 Temperature quenching for Er3+ emission

From Zanatta: Appl. Phys. Lett. 82 1395 (2003)

 ¿Por qué a-(SiC)x(AlN)1-x?

Wide bandgap semiconductors:

 incrimiento de emisión Rare earth doping:
 Menos temperature quenching  color de emisión bien definido
 Transparente  Todos los colores posibles
 circuitos electrónicos

a-(SiC)x(AlN)1-x:RE

Amorphous films: Pseudobinary compound:

 Económico  Band-gap engineering (3eV a 6eV)
 producción fácil  un parametro de composición
 Mas incorporación de tierras raras  Sputtering desde target de SiC y AlN
 Los principios de dc-sputtering

-
target
+ 10-2 mbar
1000 V + +
sustrato
+

+ + +
ánodo
+ + ion Ar
Átomo Ar
electrón
Plasma frío: Tion ≈ 300K Problemas:
Telectrón ≈ 12000K  Inestabilidad del plasma
nelectrón ≈ 1010 cm −3  Sólo targets metálicos
 Baja eficiencia
grado de ionización: 10-4
 El magnetrón

portatarget blindaje
Anillo de plasma
target

magnetrón armado S N S
S
N N
El magnetrón en acción: el plasma
 Schematics of the sputtering system

Mass
spectrometer

Control of H2O
mass shutter
spectrometer
Mass flow substrate
controler
targets Pressure
Rf- generator
sensor

Rf-generator flexible
magnetrons

Turbo-
molecular
H2O pump

match control
Mechanical
PC control Ar N2 pump
El sistema de rf-magnetrón sputtering en la PUCP
 Especificaciones

Sistema de vacío:
 Bomba turbomolecular: p < 8 ×10−7 mbar
 Análisis de gases residuales y del proceso con espectrómetro
de masas.
Sistema de gases:
 control de flujo de nitrógeno y argón: 0…100 sccm, 5N
 mezclar nitrógeno, argón y hidrógeno
 presión típica del proceso: 8 ×10−3 mbar < p < 1×101 mbar
Fuentes:
 triple magnetron sputtering, tres targets de dos pulgadas
 tres fuentes rf de potencia hasta 300W con matching
network
 geometría de magnetrones es flexible
Sustratos:
 área de las muestras: 12×8 cm2
 Distancia de las muestras a los targets es variable
 Enfriamiento de portamuestra con agua
 Estructura de a/nc-AlN y a-SiC tratada con 900°C

Transmission electron microscopy (TEM):

diffraction

a/nc-AlN
a-SiC

Substrate (Si)

High resolution transmission electron microscopy (HRTEM):

a/nc-AlN
There are nanocrystals embedded
in an amorphous matrix
 Transmisión óptica

Determinación del band-gap i.e. a-(SiC)0.25(AlN)0.75 :

Energy (eV)
1 2 3 4 5
10
6.0x10
2
α -Plot
α (cm )

fundamental absorbtion
-2

10
4.0x10
Urbach tail
2

10
2.0x10
Eα2= (3.7±0.1) eV
0.0
)
-1/2

1200
Tauc-Plot
(α E) (eV cm

800
1/2

ETauc = (2.4±0.1) eV
400
1/2

0
1 2 3 4 5
Energy (eV)
 Band-gap engineering de a-(SiC)x(AlN)1-x

2
a-(SiC)1-x(AlN)x, α -Gap 6.2 eV
c- AlN
6 a-(SiC)1-x(AlN)x, Tauc-Gap
, c-(SiC)1-x(AlN)x , Ref. [1]
E (eV)

5 c- SiC a-/nc-AlN, Ref [2]

a- SiC
4
4H-SiC
6H-SiC 3
3C-SiC a-AlN, Ref [3]
2

1 [1] Nurmagomedov et al.: Sov. Phys. Semicond. 23 100 (1989)

[2] Gurumurugan et al.: Appl. Phys. Lett. 74 3008 (1999)
SiC [3] Zanatta et al.: J. Phys. D: Appl. Phys. 42 (2009) 025109 AlN
0
0.00 0.25 0.50 0.75 1.00
composition x

Ley de Vegard´s: EGap = x E2 + ( 1 − x ) E1 − b x ( 1 − x )

Parametro de bowing : bα2=(1.98±0.94) eV , bΤauc=(1.96±0.48) eV

 Emisión de ionos de tierras raras
en a/nc-AlN e a-SiC

Cathodoluminescense of RE3+ Cathodoluminescense of RE3+

in a-AlN:RE in a-SiC:RE
1 3 1 3
D2 → H4 G4 → H6 Tm3+
CL Intensities [a.u.]

5 7
D4 → F5 Tb3+

4
F9/2 →
6
H13/2 Dy3+

5
D0 →
7
F1,2 Eu3+

3+
4
G5/2 →
6
H7/2 4
G5/2 → H9/2Sm
6

3+
2
F5/2 →
2
F7/2 Yb

200 400 600 800 1000

Wavelength [nm]
 Activacción térmica de a-/nc-AlN

a) CL Peak Intensities [a.u.] 3+ 4 6

Sm : G5/2 → H7/2
3+ 5 7
Eu : D0 → F1,2
3+ 2 2
Yb : F5/2 → F7/2

as grown

3+
a/nc-AlN: RE

0 200 400 600 800 1000 1200

Temperature [°C]
 crecimiento exponencial con la temperatura de tratamiento
Saturatión de emisión a temperturas de 900°C
 Miembros del grupo

Lider Colaboradores en Alemania

Maestría

Pregrado

Doctorado
 Cooperación con Alemania financiado por la DFG

una cooperación entre la universidad de Erlangen y la PUCP

en el area de ciencias de los materiales

Programa de la postulación:
“Sachbeihilfe”, i.e. apoyo para un proyecto (www.dfg.de)

Postulantes:
A. Winnacker, R. Weingärtner y F. De Zela

Tema:
“Preparation and characterization of amorphous (SiC) 1-x(AlN)x:H-
films using rf magnetron sputtering and their doping with rare
earths.”

Duración:
4 años
 Resultados

 Equipamiento del laboratorio de ciencias de los

materiales
(i.e sputter system y varias donaciones)
 Graduados:
Tres doctorados:
(Gonzalo Galvez, Oliver Erlenbach, Andres Guerra)
4 Maestrias y Licenciaturas
8 “Studienarbeiten” tesis en el marco de intercambio con la
universidad de Ilmenau
 Exito científico:
 Presentación de los resultados en más de 4
conferencias internacionales.
 Publicaciónes de los resuldados en mas de 6 articulos
en revistas internacionales (proceedings and peer
review journals).
 Evaluación positiva por parte de los referees de la
DFG.