Asignacin #1

Roderick Bernal Len 8-863-615 1IE-131

Jerry Aguilar 8-849-816
Pedro Batista

1. Que es resistividad.
La resistividad es la resistencia elctrica especfica de cada material para oponerse
al paso de una corriente elctrica.

2. Que es conductividad.
La conductividad elctrica es la medida de la capacidad (o de la aptitud) de
un material para dejar pasar (o dejar circular) libremente la corriente elctrica.

3. Que determina la conductividad.
La conductividad depende de la estructura atmica y molecular del material.

4. Dentro de la estructura atmica que son los niveles de energa.
Los niveles de energa son los electrones que estn girando alrededor del ncleo
formando capas. En cada una de ellas, la energa que posee el electrn es distinta.

5. Enuncie el principio de exclusin de Pauli.
Esta regla establece que por cada espacio o tipo de orbital, puede contener
nicamente 2 electrones, y con spin contrario.

6. Que son las bandas de energa.
La teora se basa en el hecho de que en una molcula los orbitales de un tomo se
solapan produciendo un nmero discreto de orbitales moleculares.

7. Que es un electrn-voltio.
El electronvoltio (smbolo eV) es una unidad de energa que representa la energa
cintica que adquiere un electrn cuando es acelerado por una diferencia de
potencial de 1 voltio.

8. Que es material conductor, material semiconductor y material aislante.
Materiales conductores

Todo material formado por tomos que en su nivel de valencia posea entre uno y
tres electrones tiende a desprenderse de ellos, puesto que el coste energtico
necesario para liberarlos es mucho menor que el necesario para completar el nivel
de valencia. Por ejemplo, el cobre solamente posee un electrn en el nivel de
valencia y, por lo tanto, necesita muy poca energa para desprenderse de l. La
tendencia natural a ceder este electrn hace que el cobre sea un material buen
conductor de la electricidad.

Los metales, en general, son buenos conductores de la electricidad porque se
requiere muy poca energa externa para hacer que los electrones de valencia
abandonen esta rbita y queden en libertad para poder circular por el material.
Ejemplos de metales conductores son el oro (Au), la plata (Ag), el cobre (Cu), el
aluminio (Al) y el hierro (Fe). Tambin son conductores de la electricidad los
cidos y las soluciones salinas.

Materiales aislantes

Los materiales aislantes se caracterizan por disponer de un nmero de electrones
de valencia comprendido entre cinco y siete. En esta situacin, el coste energtico
para completar el nivel de valencia con ocho electrones es menor que el que supone
desprenderse de ellos.

Un material aislante presenta una importante oposicin a la circulacin de
electrones, debido a que cualquier electrn libre existente en el entorno prximo de
un tomo es atrapado por ste, lo que impide su circulacin por el material. Son
aislantes naturales el aire seco, el aceite mineral, el vidrio, la porcelana, la mica, el
amianto, etc., y artificiales la baquelita, el cloruro de polivinilo (PVC), el polister,
etc.

Materiales semiconductores

Generalmente cualquier material que contenga cuatro electrones en su ltimo
nivel recibe el nombre de semiconductor. En estos materiales el coste energtico
que supone desprenderse de los electrones de valencia es idntico al necesario para
completar el nivel de valencia con ocho electrones. En la figura 1.9 se mostraba la
estructura del tomo de un material semiconductor.

9. Explique la formacin de las bandas de energa en los conductores, aislantes y
semiconductores.
Dependiendo de la distancia interatmica y del nmero de electrones de enlace
entre otros factores, pueden formarse distintos conjuntos de bandas que pueden
estar llenas, vacas o separaciones entre bandas por zonas prohibidas o bandas
prohibidas, formndose as bandas de valencia, bandas de conduccin y bandas
prohibidas.
As en un aislante la separacin entre la banda de valencia y la banda de
conduccin es muy grande ( 10 eV), y esto significa que un electrn en la banda
de valencia necesita mucha energa para ser liberado y convertirse en un electrn
libre necesario para la conduccin. En un conductor las dos bandas estn
solapadas, no necesitndose ninguna energa para alcanzar la conduccin. En un
semiconductor la banda prohibida es muy estrecha, o lo que es lo mismo, es muy
fcil que un electrn sea liberado y pueda contribuir a la conduccin.
10. Explique que es un enlace covalente.
Un enlace covalente entre dos tomos o grupos de tomos se produce cuando estos
tomos se unen, para alcanzar el octeto estable, comparten electrones del ltimo
nivel.
11. A que llamamos material intrnseco y extrnseco.
Un cristal intrnseco es aqul que se encuentra puro (aunque no existe
prcticamente un cristal 100% puro); es decir, no contiene impurezas;
mientras que un cristal extrnseco es aqul que ha sido impurificado con
tomos de otra sustancia. Al proceso de impurificacin se le llama
tambin dopado, y se utiliza para obtener electrones libres que sean
capaces de transportar la energa elctrica a otros puntos del cristal.
12. Explique el proceso de dopado.
se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un
semiconductor extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin
de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo
de semiconductores a dopar.
13. Cules son los elementos semiconductores ms utilizados y por que.
El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque
idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos
12 y 13 con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (GaAs, PIn, AsGaAl, TeCd,
SeCd y SCd). Se utiliza el silicio mas que cualquier otro porque es el elemento mas
abundante en el planeta tierra despus del oxigeno.
14. Qu es un material tipo P y tipo N.?
Se les llama semiconductores de tipo P a los semiconductores contaminados con
impurezas aceptoras. Las impurezas aceptoras son aquellas que agregan un hueco
en el material. Estas son impurezas con 3electrones en su rbita de valencia
Los semiconductores tipo N son aquellos a los que se le agregan impurezas
donoras (que donan un electrn). Estas impurezas suelen tener 5 electrones.
15. Qu es un par electrn-hueco?
Los cristales de Silicio estn formados a nivel atmico por una malla cristalina
basada en enlaces covalentes que se producen gracias a los 4 electrones de valencia
del tomo de Silicio. Junto con esto existe otro concepto que cabe mencionar: el
de hueco. Los huecos, como su nombre indica, son el lugar que deja un electrn
cuando deja la capa de valencia y se convierte en un electrn libre. Esto es lo que se
conoce como pares electrn - hueco y su generacin se debe a la temperatura (como
una aplicacin, al caso, de las leyes de la termodinmica) o a la luz (efecto
fotoelctrico).
16. Qu efecto tiene el aumento de temperatura en un material intrnseco y en un
material extrnseco?
En un semiconductor intrnseco al aumentar la temperatura T aumenta la conductividad
debido a que se liberan ms pares electrn-hueco, aumentando la concentracin intrnseca
de portadores.
Tomando como referencia el mximo de una rama extrnseca, vemos que hacia las bajas
temperaturas, disminuye la conductividad. Cabe preguntarnos por qu, puesto que
sabemos que a menor temperatura hay una menor accin de los fonones y un
correspondiente incremento de la movilidad. Lo que ocurre es que, por otro lado,
disminuye la concentracin de portadores. Este efecto prevalece, y la conductividad
disminuye.
Hacia las altas temperaturas ocurre lo contrario: la conductividad disminuye por el
predominio de la disminucin la movilidad debida a la mayor interaccin con los fonones,
por sobre el aumento de la concentracin de portadores. Este efecto se acenta para
mayores concentraciones de impureza, puesto que los propios iones de impurezas actan
como centros de dispersin, como ya se dijo.
17. Cules son los portadores mayoritarios y minoritarios?
Llamamos portadores mayoritarios a quien contribuya al paso de la corriente en
mayor medida y, obviamente, los minoritarios sern aquellos que lo hagan en
menor medida.

18. Explique la accin de los portadores de corriente minoritarios en un material
tipo N.
Si tenemos un material tipo N por el que circula corriente, los portadores minoritarios
sern los huecos producidos al marcharse los electrones de su sitio.

19. Como se producen los portadores de corriente minoritarios en un material tipo P.
Para el caso de un semiconductor tipo P, los portadores minoritarios son los electrones, y
esto se produce por una accin trmica.
20. Que es la juntura PN.
Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes
electrnicos comnmente denominados semiconductores,
principalmente diodos y transistores BJT. Est formada por la unin metalrgica de
dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque tambin se fabrican de Germanio (Ge),
de naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se
obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente
con algn otro metal o compuesto qumico. Es la base del funcionamiento de la energa
solar fotovoltaica.

21. Como se produce la regin de vaciamiento.
Parte de una unin PN en la cual no hay electrones o agujeros. Regin de vaciamiento que
previene que la corriente fluya. Se forma debido a que todos los electrones libres y huecos
se combinan y la zona queda vaca de portadores de carga.

22. Explique el comportamiento de la juntura PN en polarizacin directa.
En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,
permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo
polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la
batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos
observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n,
adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales
previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de
carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en
electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo
de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde
el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones
de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta
el final.

23. Explique el comportamiento de la juntura PN en polarizacin inversa.
En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la
zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta
que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen
del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a
la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos
pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el
orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia,
ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten
en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona
p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una
vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente
7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es
que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro
de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones
en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones
negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto
de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de
la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente
inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de
fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la
superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de
suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener
estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como
de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin
dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la
corriente superficial de fuga es despreciable.

24. Qu es el efecto Avalancha y el efecto Zener?
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares
electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es
elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al
chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin.
Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con
ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de
electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores
de la tensin superiores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la
anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como
cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por
tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 310
5
V/cm. En estas
condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia
incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener,
se puede producir por ambos efectos.

25. Qu es el voltaje de umbral?
La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide
en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar
directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la
corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin
externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para
pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de
corriente.

26. Qu es la corriente de difusin y de desplazamiento?
La corriente de difusin aparece en polarizacin directa o favorable. Es el producto de la
intensidad de la corriente de electrones multiplicada por De/Dh.
Una corriente de desplazamiento es una cantidad que est relacionada con un campo
elctrico que cambia o vara en el tiempo. Esto puede ocurrir en el vaco o en un dielctrico
donde existe el campo elctrico. No es una corriente fsica, en un sentido estricto, que
ocurre cuando una carga se encuentra en movimiento o cuando la carga se transporta de
un sitio a otro. Sin embargo, tiene las unidades de corriente elctrica y tiene asociado un
campo magntico.

27. Qu es la capacitancia de transicin y de difusin?
La capacitancia de Transicin y de difusin son dos tipos de capacitancia que se presentan
tanto para la regin de polarizacin directa como para la inversa. En polarizacin directa
tendremos la capacitancia de difusin y en inversa la de transicin. Son en conclusin
efectos capacitivos que debern considerarse a la hora de disear y trabajar circuitos con
altas frecuencias ya que estos poseen una baja reactancia capacitiva.

28. Qu es el tiempo inverso de recobro?
Es la suma de los tiempos de almacenamiento y de decaimiento, y tal periodo de tiempo
nos indica el tiempo total durante el cual, despus de un cambio de polarizacin directa a
inversa en un diodo, no obtenemos la respuesta ideal en el dispositivo, es decir, una seal
rectificada.