CARACTERSTICAS DE OPERACIN DEL BJT

Resumen: El transistor BJT es bipolar, est compuesto de tres partes, tres semiconductores una parte de material n y
una parte p y una parte de material n, la parte del centro es delgada y est parcialmente dopada de electrones;
mientras que la parte del emisor est altamente dopada de electrones , la parte del colector esta moderadamente
dopada de electrones, estos semiconductores siguen las mismas reglas que hemos visto hasta ahora en lo que va del
curso las que aplican para el material n aplican para el emisor y colector y p la base.
El BJT es un dispositivo que amplifica la intensidad de corriente. Se caracteriza por que la corriente de salida es
controlada por la corriente de entrada y amplificada por un factor . De ah que se dice que la corriente de salida en
una variable que depende tanto de la intensidad de corriente a la entrada como la del transistor. El comportamiento
del BJT puede analizarse a travs de las curvas caractersticas, de forma similar como se hace con el diodo de unin.
Es el ms comn de los transistores, y como los diodos puede ser de germanio o silicio. Hay tres tipos de
configuraciones tpicas en los amplificadores con transistores, cada una de ellas con caractersticas especiales que las
hacen mejor para cierto tipo de aplicacin y se dice que el transistor no est conduciendo.

Descriptores: base, bipolar, corriente, semiconductor, transistor.

Introduccin: vamos a estudiar un dispositivo semiconductor que consta de tres zonas distintas, con dos uniones pn
y con un terminal en cada una de las zonas, o lo que es lo mismo, estamos ante un dispositivo de tres terminales: El
transistor
Sin ninguna duda, estamos ante uno de esos grandes inventos que han marcado un punto de inflexin en la historia de la
Humanidad, como en su da lo fueron el descubrimiento del fuego, la invencin de la rueda o la mquina de vapor entre
otros. El descubrimiento del transistor a principios del siglo XX (1947) marc el comienzo de la era de la electrnica.
En apenas 60 aos el desarrollo experimentado y el grado de penetracin en la vida cotidiana ha sido tal que hoy en da
es difcil pensar en cmo sera la vida sin los ordenadores, la telefona, la radio, la televisinY ha sido, precisamente,
el descubrimiento del transistor el culpable de esta revolucin tecnolgica. El trmino bipolar hace referencia al
hecho de que en la conduccin de la corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos). El termino
junction (unin) hace referencia a la estructura del dispositivo, ya que como veremos a continuacin tenemos dos
uniones pn en el transistor y mediante la polarizacin de estas uniones conseguiremos controlar el funcionamiento del
dispositivo. El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una zona de material tipo n en medio de
dos zonas de material tipo p, en este caso se denomina transistor pnp, o bien tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a
cada lado, en cuyo caso estaramos hablando de un transistor npn.
La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de las zonas consta de un terminal por
donde extraer las corrientes. Estos terminales se representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emisor),
B (base) y C (colector). La zona de emisor es la ms fuertemente dopada de las 3, es la zona encargada de emitir o
inyectar portadores mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de un transistor pnp o electrones en el caso del
transistor pnp. La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se trata de una zona con un
espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misin es la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores
inyectados por el emisor hacia el colector.
La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger o colectar los portadores que
inyectados por el emisor han sido capaces de atravesar la base. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres.
El objetivo de este laboratorio ser determinar las caractersticas de un transistor BJT.

MATERIALES Y METODOS:

Multmetro digital
Fuente de Voltaje Variable DC
Resistencias indicadas en los circuitos
Q 2N2222
Plantilla de Prueba
Cables de Conexin
CARACTERISTICAS DEL BJT

a) Se obtuvo las especificaciones del fabricante del 2N2222 (, Ic, P, Voltajes, etc).
b) Se midio la del 2N2222 con un medidor de .
c) Se armo el circuito de la figura y estimamos el valor de .

= I
C
/ I
B

d) Comparamos la obtenida en (a), (b) y (c).






REGION DE OPERACIN DEL BJT

Se arm el siguiente circuito.



















a) Ajustamos VBB= 0 V, medimos los voltajes en los nodos B, C y E. y tablamos.
b) Ajustamos VBB en escalones de 2 V hasta 30 V y repetimos las mediciones hechas en (b).

Diseo de un circuito:
a) Se arm el circuito aprobado y obtuvimos en el osciloscopio la presentacin visual de la curva Ic vs
Vce.
b) Se utiliz un trazador de curvas y observamos las caractersticas de salida del emisor comn
Resultados:
1. En la primera parte del laboratorio se obtuvieron las siguientes especificaciones del transistor 2N2222

Los voltajes que se obtuvieron fueron los siguientes:

La medida fue la siguiente:
=100
La estimada es la siguiente:

2. Despus de haber armado el segundo circuito estos fueron los resultados

El circuito est en la regin de corte Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La operacin en sta
regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo aplicaciones de conmutacin en el modo apagado, pues
el transistor acta como un interruptor abierto (IC 0).
En este caso las dos uniones estn polarizadas en inversa, por lo que existen zonas de deplecin en torno a las uniones
BE y BC. En estas zonas no hay portadores de carga mviles, por lo tanto, no puede establecerse ninguna corriente de
mayoritarios. Los portadores minoritarios s pueden atravesar las uniones polarizadas en inversa, pero dan lugar a
corrientes muy dbiles. Por lo tanto, un transistor en corte equivale a efectos prcticos, a un cir

Tabla # 1. Datos obtenidos al variar VBB.

VBB V
B
V
E
V
C
V
BE
V
CE
V
CB
I
C
=((10-
V
c
)/R
c
)
I
B
=((V
B
B
-
V
B
)/9)-
(V
B
/R
C
)
Regin de
operacin
2 v 199.98 mV 2.73 V 9 v 0.19 v 9 v 8.8 v 1 mA 1.11A 900.9 Corte
4 v 398.87 mV 24.56 V 9 v 0.39 v 9 v 8.6 v 1 mA 1.11A 900.9 Corte
6 v 598.51 mV 19.47 mV 8.81 v 0.59 v 8.79 V 8.2 v 1.19 mA 2.22A 536.0 Corte
8 v 791.74 mV 160.4 mV 7.41 v 0.63 v 7.25 V 6.6 v 2.59 mA 10 A 259 Corte
10 v 981.49 mV 329.3 mV 5.73 v 0.65 v 5.4 V 4.7 v 4.27 mA 21.1A 202.4 Zona Activa
12 v 1.16 V 500.2 mV 4.03 v 0.66 v 3.53 V 2.8 v 5.97 mA 44.4A 134.5 Zona Activa
14 v 1.34 V 666.4 mV 2.4 v 0.68 v 1.73 V 1.0 v 7.6 mA 66.7A 113.9 Zona Activa
16 v 1.503 V 813.18 mV 975.5mV 0.69 v 162 mV 527mV 9.02 mA 107 A 84.3 Zona Activa
18 v 1.53 V 837.1 mV 929.12 mV 0.69 v 92 mV 600 mV 9.07 mA 300 A 30.23 Zona Activa
20 v 1.55 V 856.6 mV 931.7 mV 0.69 v 75 mV 620 mV 9.06 mA 497 A 18.22 Zona Activa
22 v 1.57 V 875.5 mV 940.8 mV 0.69 v 65 mV 632 mV 9.06 mA 700 A 12.94 Zona Activa
24 v 1.59 V 894.3 mV 952.6 mV 0.69 v 58 mV 641 mV 9.04 mA 900 A 10.04 Zona Activa
26 v 1.594 V 912.85 mV 965.9 mV 0.70 v 53 mV 649 mV 9.03 mA 1117A 8.08 Saturacin
28 v 1.63 V 931 mV 980 mV 0.70 v 48 mV 655 mV 9.02 mA 1300A 6.93 Saturacin
30 v 1.65 V 949 mV 995 mV 0.70 v 45 mV 661 mV 9 mA 1500A 6 Saturacin



Emisor Comn:












Circuito para representar la curva Ic vs Vce.
Estas caractersticas tambin son conocidas como familia de colector, ya que son las correspondientes a la tensin e
intensidad del colector.
Idealmente, en la Regin Activa, la corriente de colector depende exclusivamente de la de base, a travs de la relacin
IC=+IB. Por lo tanto, en el plano VCE-IC la representacin estar formada por rectas horizontales (independientes de
VCE) para los diversos valores de IB (en este caso se ha representado el ejemplo para =100).













CARACTERISTICA DE SALIDA DEL EMISOR COMUN.


Estas curvas representan, en cierto modo, la forma de funcionamiento del transistor. Se puede comprobar que, para una
tensin constante de colector-emisor, si se producen pequeas variaciones de la corriente de base (del orden de A) esto
origina unas variaciones en la corriente de colector mucho ms elevadas (del orden de mA), de lo cual se deduce la
capacidad del transistor para amplificar corrientes.
En la mayor parte de las curvas, la tensin VCE afecta muy poco a la corriente de colector IC. Si se aumenta
VCE demasiado (por encima de VCEO), la unin del colector entra en la regin de ruptura y ste puede llegar a
destruirse. Sin embargo, si la tensin VCE es muy pequea (por debajo de los 0.7V), la corriente de colector ser muy
dbil, obtenindose una ganancia de corriente muy baja.

Conclusin:
En este laboratorio hemos aprendido sobre el transistor BJT, que es un dispositivo electrnico de tres terminales y
puede ser tanto de silicio como de germanio, estos dispositivos semiconductores suelen utilizarse como amplificadores
o interruptores. El principio bsico de funcionamiento es el uso de voltaje entre dos terminal es para poder
obtener una fuente controlada en la terminal restante cuando se usa como amplificador. Cuando se usa como
interruptor se tiene una seal de control que puede emplearse para cambiar la corriente en la otra terminal
desde un valor casi nulo hasta uno considerablemente grande, siendo este comportamiento la base del
inversor lgico, elemento bsico de la electrnica digital.
Existen tres regiones de operacin estas son de corte, zona de activacin y saturacin. Cuando un transistor BJT trabaja
en regin activa, quiere decir que est trabajando como amplificador de una seal (Corriente o voltaje), esta regin de
funcionamiento se caracteriza porque la corriente de base es muy pequea en comparacin a la de colector y emisor
(que son parecidas), y porque el voltaje colector base no puede exceder los 0.4 o -0.4V (dependiendo si es PNP o NPN).
Mientras que la regin de corte indica que el transistor prcticamente esta apagado, es decir Ib = Ic = Ie =0A. Por
ltimo, un transistor de unin bipolar est saturado cuando Ic=Ie=Imax; En este caso la magnitud de la corriente
depende de la tensin de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en
ambos.

Referencias bibliogrficas:
http://quegrande.org/apuntes/grado/1G/TEG/teoria/10-11/tema_7_-_transistores_bipolares.pdf
http://es.scribd.com/doc/37745038/Trazador-de-Curvas-X-Y
http://dc337.4shared.com/doc/P8liwzys/preview.html
http://www.alldatasheet.es/datasheet-pdf/pdf/75121/MICRO-ELECTRONICS/2N2222.html