Investigacin Prctica 2

Universidad de San Carlos de Guatemala

Facultad de Ingeniera
Escuela de Ingeniera Mecnica Elctrica
Laboratorio de Electrnica 1
Oscar Emanuel Arias Valenzuela 2012-12768
Juan Francisco Cordero Sosa 2012-13409
Robin Antonio Lpez Pivaral 2009-15258
Grupo: VB-05



Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction
Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo
electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a
travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a
que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos
y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero
de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y
se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin
en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa
TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones
PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin
muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
La zona de emisor es la ms fuertemente dopada de las 3, es la
zona encargada de emitir o inyectar portadores mayoritarios
hacia la base. Huecos en el caso de un transistor pnp o
electrones en el caso del transistor pnp.
La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la
zona de emisor. Se trata de una zona con un espesor muy
inferior al de las capas exteriores. Su misin es la de dejar pasar
la mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor
hacia el colector.
La zona de colector, como su propio nombre indica es la
encargada de recoger o colectar los portadores que inyectados
por el emisor han sido capaces de atravesar la base. Es la zona
con un nivel de dopado inferior de las tres.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial.
En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est
polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa.
Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la
base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de
portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres
estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y
estado de actividad.
Estructura

Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones
semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la
base y la regin del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo
P, y tipo N en un transistor NPN ARIAS. Cada regin del
semiconductor est conectada a un terminal, denominado
emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y
est compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y
de alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor,
haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la
regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el
valor resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por
eso, otorgarle al transistor un gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores,
no es usualmente un dispositivo simtrico. Esto significa que
intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor
deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en
modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor
est usualmente optimizada para funcionar en modo activo,
intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de
y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se
podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en
modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es
principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el
colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el
colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser
aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-base
antes de que esta colapse. La unin colector-base est
polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por
la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la
eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de
portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos
inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la
mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor
deben provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales
muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son
diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia
alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales
base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y
el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser
utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los
BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas
por tensin, pero son caracterizados ms simplemente como
fuentes de corriente controladas por corriente, o por
amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la
base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la
mayora de los BJT modernos estn compuestos de silicio.
Actualmente, una pequea parte de stos (los transistores
bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio,
especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
Funcionamiento

En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza
en directa y la unin base-colector en inversa.
1
Debido a la
agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden
atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base.
A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son
impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el
colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con
la regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la
unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-
colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por
ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin
base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados
trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada
se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados
trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos
electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta
concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja
concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base
son llamados portadores minoritarios debido a que la base
est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como
portadores mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente
delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de
esta en mucho menos tiempo que la vida til del portador
minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de
portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin base-
colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de
difusin de los electrones.
Control de tensin, carga y corriente
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por
la corriente base-emisor (control de corriente), o por la tensin
base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relacin
tensin-corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva
tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir,
un diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es
utilizado debido a que es aproximadamente lineal. Esto significa
que la corriente de colector es aproximadamente veces la
corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados
asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente
constante, y que la corriente de colector es veces la corriente
de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT
con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos
matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.
El Alfa y Beta del transistor
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la
proporcin de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el
colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo dopaje
de la regin de la base pueden causar que muchos ms
electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que
huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente
emisor comn est representada por o por hfe. Esto es
aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la
corriente continua de la base en la regin activa directa y es
tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es
la ganancia de corriente base comn, . La ganancia de
corriente base comn es aproximadamente la ganancia de
corriente desde emisor a colector en la regin activa directa.
Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que
oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente
determinados por las siguientes relaciones (para un transistor
NPN):




Tipos de Transistor de Unin Bipolar
NPN

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los
cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga
mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La
mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son
NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la
movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material
semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de
material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base
en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del
colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del
emisor y apunta en la direccin en la que la corriente
convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.
PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las
letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de
las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados
hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor
desempeo en la mayora de las circunstancias.

Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P.
Los transistores PNP son comnmente operados con el colector
a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de
alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una
pequea corriente circulando desde la base permite que una
corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y
apunta en la direccin en la que la corriente convencional
circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.
Regiones operativas del transistor
Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones
operativas, definidas principalmente por la forma en que son
polarizados:
Regin activa en cuanto a la polaridad:
Ie = ( + 1)Ib ; Ic= Ib
Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni
en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la
regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende
principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de
corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la
ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como
un amplificador de seal.
Regin inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del
funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en
funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del
colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de
los BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente
en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es
drsticamente menor al presente en modo activo.
Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor
es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente
circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se
comporta como un circuito abierto, ya que la corriente que lo
atraviesa es cero.
Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
corriente de colector corriente de emisor = corriente maxima,
(Ic Ie = Imax)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de
alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el
colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta
cuando la diferencia de potencial entre el colector y el emisor
desciende por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el
transistor esta en saturacin, la relacin lineal de amplificacin
Ic=Ib(y por ende, la relacin Ie=(+1)Ib ) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unin CE se
comporta como un cable, ya que la diferencia de potencial entre
C y E es muy prxima a cero.
Como se puede ver, la regin activa es til para la electrnica
analgica (especialmente til para amplificacin de seal) y las
regiones de corte y saturacin, para la electrnica digital,
representando el estado lgico alto y bajo, respectivamente.
Transistor de efecto campo

P

N
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en
ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan
en el campo elctrico para controlar la conductividad de un
"canal" en un material semiconductor. Los FET pueden
plantearse como resistencias controladas por diferencia de
potencial.
La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de
procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea
monocristalina semiconductora como la regin activa o canal. La
regin activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de
pelcula fina) es una pelcula que se deposita sobre un sustrato
(usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFT
es como pantallas de cristal lquido o LCD).
Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son
los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-
Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-
Semiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador
(drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la
base del BJT (Bipolar Junction Transistor). El transistor de efecto
de campo se comporta como un interruptor controlado por
tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que
fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto
al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en
absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la
base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por
las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los
MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo
muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y
diseo de circuitos.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los
de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y
canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva
en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no
conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de
campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital,
y son el componente fundamental de los circuitos integrados
o chips digitales.
El transistor de efecto de campo fue patentado por Julius Edgar
Lilienfeld en 1925 y por Oskar Heil en 1934, pero los
dispositivos semiconductores fueron desarrollados en la prctica
mucho despus, en 1947 en los Laboratorios Bell, cuando el
efecto transistor pudo ser observado y explicado. El equipo
detrs de estos experimentos fue galardonado con el Premio
Nobel de Fsica. Desde 1953 se propuso su fabricacin por Van
Nostrand (5 aos despus de los BJT). Aunque su fabricacin no
fue posible hasta mediados de los aos 80's ..
Tipo de transistores de efecto campo

El canal de un FET es dopado para producir tanto un
semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y la fuente deben
estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs
de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el
caso de FETs en modo agotamiento. Los transistores de efecto de
campo tambin son distinguidos por el mtodo de aislamiento
entre el canal y la puerta.
Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el
mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta:
El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
usa un aislante (normalmente SiO2).
El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n
El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor)
substituye la unin PN del JFET con una barrera Schottky.
En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin
denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material
dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el
cuerpo del transistor.
Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo
para control de potencia. Son comnmente usados cuando el
rango de voltaje drenaje-fuente est entre los 200 a 3000V. Aun
as los Power MOSFET todava son los dispositivos ms
utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.
Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar
una recuperacin ultra rpida del transistor por eso tenemos la
referencia
Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta
como biosensor, usando una puerta fabricada de molculas de
ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales
. La caracterstica de los TFT que los distingue, es que hacen
uso del silicio amorfo o del silicio policristalino.
Caractersticas
Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi
100M).
No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza como conmutador
(interruptor).
Hasta cierto punto es inmune a la radiacin.
Es menos ruidoso.
Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad
trmica.
MOSFET


Estructura del MOSFET en donde se muestran las terminales de
compuerta (G), sustrato (B), surtidor (S) y drenador (D). La
compuerta est separada del cuerpo por medio de una capa de
aislante (blanco).
El transistor de efecto de campo metal-xido-
semiconductor o MOSFET (en ingls Metal-oxide-semiconductor
Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o
conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en
la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o
digitales, aunque el transistor de unin bipolar fue mucho ms
popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de los
microprocesadores comerciales estn basados en transistores
MOSFET.
El trmino 'metal' en el nombre de los transistores MOSFET es
actualmente incorrecto debido a que el material de la
compuerta, que antes era metlico, ahora se construye con una
capa de silicio policristalino. En sus inicios se utiliz aluminio
para fabricar la compuerta, hasta mediados de 1970 cuando
el silicio policristalino comenz a dominar el mercado gracias a
su capacidad de formar compuertas auto-alineadas. Las
compuertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad,
debido a que es complicado incrementar la velocidad de
operacin de los transistores sin utilizar componentes metlicos
en la compuerta. De manera similar, el 'xido' utilizado como
aislante en la compuerta tambin se ha reemplazado por otros
materiales con el propsito de obtener canales fuertes con la
aplicacin de tensiones ms pequeas.
Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales
llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato
(B), el sustrato generalmente est conectado internamente a la
terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar
dispositivos de tres terminales similares a otros transistores de
efecto de campo.
Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada
o IGFET (Insulated-gate field-effect transistor) es un trmino
relacionado que es equivalente a un MOSFET. El trmino IGFET
es un poco ms inclusivo, debido a que muchos transistores
MOSFET utilizan una compuerta que no es metlica, y un
aislante de compuerta que no es un xido. Otro dispositivo
relacionado es el MISFET, que es un transistor de efecto de
campo metal-aislante-semiconductor (Metal-insulator-
semiconductor field-effect transistor).

Conclusiones
Los distintos tipos de transistores pueden ser usados para
diferentes propsitos, pero su funcin principal es transferir una
cantidad de corriente de un punto a otro por medio del cambio
en su resistencia interna, este proceso es el fundamento para el
procesamiento y almacenamiento de datos en estado slido.
Los FET tienen mayor uso en la electrnica digital que los BJT
porque se pueden fabricar en tamaos mucho menores y esto
optimiza el diseo de los componentes.
Bibliografa

Campus Virtual, Universidad del Pas Vasco
http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electr
o_gen/teoria/tema-4-teoria.pdf


http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipol
ar
http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo