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Diseo electrnico I.

Primer Trabajo Extraclases:


1- Elabore un resumen con las principales etapas de la Electrnica desde su
surgimiento.
En 1904 al 47 es la etapa del tubo o vlvula de vaco, esta fue la primera componente
electrnica que se ideo y a partir de ella se desarrollaron por ejemplo la radio, la televisin y
muy importante las primeras computadoras, surgidas del inicio de los aos 40 hasta
aproximadamente esta etapa esas primeras computadoras tuvieron una importancia
grandsima.
La importancia de estas computadoras, primero fueron para objetivos militares, para
guiarse, la decodificacin de mensajes, se usaron muchsimo, las primeras computadoras
diseadas por IBM para el clculo de los proyectiles que se lanzaban en la segunda guerra
mundial, eso generalmente es a traves de tablas matemticas y haba gente calculando
para ver donde deban impactar esos proyectiles, a partir de que existen las computadoras
esto se hace mucho mas rpido pero esas computadoras ocupaban edificios completos.
Esas primeras computadoras tuvieron ese primer objeto un objetivo militar y con el tiempo
se siguieron desarrollando, hay un detalle importarte, los fabricantes dijeron que eso no iba
a ser un elemento tan importante, no es algo que se vaya a continuar desarrollando, y
empez la gente a pedirles que desarrollaran nuevas computadoras que hacan falta sobre
todo para las investigaciones , y aquello que pareci que no iba a ser un negocio se
convirti en tremendsimo negocio, surgen entonces las grandes computadoras
desarrolladas con la vlvula de base.
Hay una 2 etapa que viene enmarcada a partir de aproximadamente del 2 de diciembre del
ao 40. En esa fecha se disea el prototipo del primer transistor al cual se le denomino
transistor bipolar. Porque el transistor bipolar tiene la caracterstica de que en su
conduccin hay dos tipos de corrientes, corrientes de vida portadores mayoritarios y
corrientes de vida de portadores minoritarios.
Podemos decir con respecto a la vlvula de vaco, que estos circuitos que se disearon
tenan mucho menor tamao que la vlvula de base, menos espacio, menor consumo,
mayor fiabilidad, si tiene mayor fiabilidad tienen mayor durabilidad. Por lo que se comenz
a ver el transistor con respecto al primer elemento electrnico, se convirti en un elemento
mucho ms factible de producir, de llevarlo a la industria y el transistor comenz a sustituir
a la vlvula de base y aquella computadora que se llevaba un edificio se redujo a una planta
de ese edificio y con todas las buenas cualidades que tena el transistor, bueno el transistor
no solo para las computadoras, para la radio la televisin, para todo el equipamiento
electrnico que se haba diseado tambin fue usado.
Hay que destacar aqu por ejemplo en el ao 1955 la compaa A&T desarrollo otro
transistor el transistor monopolar, conocidos como los transistores mosfet jp o transistor de
efecto de campo en este caso solamente sus componentes de corrientes eran de portadores
mayoritarios, con respecto al bipolar tena una caracterstica importante que era que tenan
mucho menor consumo, el tamao era parecido, tena una dificultad y es que eran ms
lentos que los bipolares.
En 1958 nace el primer circuito integrado, aquellos transistores que eran circuitos nicos se
renen en un chip. Al lograrse el circuito integrado, todo lo bueno que aportaban los
transistores se reunan en ese circuito, el empaquetamiento aumenta, disminuye el
consumo y aumenta la durabilidad. Aparecen las primeras minicomputadoras. A principios
de la dcada de los 70, se siguen desarrollando los circuitos integrados, la microelectrnica
y aparecen los primeros microprocesadores de 4 bits y de 8 bits. Estos primeros
microprocesadores fueron desarrollados por Intel, despus de esta primera generacin
vienen el 8080 y el 8085. Un micro controlador es una computadora en una pastilla, en un
chip.

2- Defina qu son los materiales cristalinos.
Los materiales cristalinos o bien los slidos cristalinos son sustancias o elementos
que manifiestan una repeticin peridica de los tomos que componen su estructura
molecular. Por ejemplo: la sal comn, el Silicio, el Germanio, el Arseniuro de Galio.
tomos o iones colocados ordenadamente.
3- Atendiendo a la teora de las bandas de energa cmo pueden clasificarse
los slidos cristalinos. Puede auxiliarse de esquemas para su explicacin.
Atendiendo a las bandas de energa los slidos se clasifican en: CONDUCTORES,
SEMICONDUCTORES, AISLANTES.
4- Qu es un semiconductor puro?
Es cuando todos los electrones son iguales. Por ejemplo el Silicio.
Qu efectos produce un aumento de la temperatura en un semiconductor
puro?
Con el aumento en la temperatura provoca un aumento de electrones libres y con
ello un aumento en la conductividad (),y una disminucin de la resistividad ().
Surte el mismo efecto en un conductor? Por qu?
No, porque las bandas estn solapadas, coinciden por lo tanto no hay movimiento de
electrones.
Cmo se define la Ley de Accin de Masa de un semiconductor puro?
Despus de someterlo a un proceso de refinacin se logra obtener un semiconductor
intrnseco en los cuales debe cumplir que: n=p Y con ello se puede plantear que
np=ni (n: concentracin de electrones libres, p: concentracin de huecos, ni:
concentracin intrnseca dependiente de T).
5- Explique con lujo de detalles qu sucede cuando a un semiconductor puro se
le aaden impurezas de elementos de los grupos V, VI VII. Posteriormente
es sometido a un aumento de la temperatura.
Si se le aaden impurezas con mas electrones que los propios (grupo V, VI, VII);
favorece la conduccin, porque con menor energa el/los electrones pasan a la banda
de conduccin.
Esto es porque el elemento que se le agrega no forma un enlace covalente con el
semiconductor, por lo que no pertenece a la banda de valencia del semiconductor,
pero tampoco se ubica en la banda de conduccin; se encuentra en la banda
prohibida del semiconductor muy cerca de la banda de conduccin, por lo que con
muy poca energa ser el primer electrn libre en pasar a la banda de conduccin. El
semiconductor tendr electrones libres y todava no tiene huevos, cumplindose que
n>p. Cuando el electrn pasa del nivel ED(Energa donora) al nivel EC del
semiconductor, no deja hueco, pero facilita la creacin de pares electro-hueco.
6- Repita el anlisis anterior pero ahora considerando que aade al
semiconductor puro impurezas de elementos de los grupos I, II III.
Para completar el enlace covalente con tomos del semiconductor, un electrn es
atrado a la banda de valencia dejando un hueco
En este caso el elemento del grupo I, II III va dejar un hueco en la EA, entonces se
necesitara ms energa para poder lograr que los electrones llenen este hueco.
7- Defina los siguientes trminos:
a) Semiconductor tipo n.
Un semiconductor tipo n se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo
un cierto tipo de compuesto, normalmente pentavalente, es decir con 5 electrones
en la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentrar el numero de
portadores de carga libre (en este caso, negativos, electrones libres). Cuando el
material dopante es aadido, este aporta sus electrones mas dbilmente vinculados
a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido
como material donador ya que cede uno de sus electrones al semiconductor. El
propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones libres en el
material.
b) Semiconductor tipo p.
Un semiconductor tipo p se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
aadiendo un cierto tipo de compuesto, normalmente trivalente, es decir con 3
electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el nmero
de portadores de carga libres (en este caso positivos, huecos=. Cuando el material
dopante es aadido, este libera los electrones mas dbilmente vinculados de los
tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material
aceptador. El propsito del dopaje tipo p es el de crear abundancia de huecos.
c) Concentracin de tomos donores.
A las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se les llama tomos
donores.
d) Concentracin de tomos aceptores.
A las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se les conoce como
tomos aceptores.
8- Analice qu significado tiene la siguiente expresin:
ND + p = NA + n
Para mantener la neutralidad elctrica del cristal se debe cumplir esta ecuacin,
donde:
ND = concentracin de tomos donores
NA = concentracin de tomos aceptores
n=concentracin de electrones libres
p=concentracin de huecos

La concentracin de tomos donores ms la concentracin de huecos es igual a la
concentracin de tomos aceptores ms la concentracin de electrones libres.

9- Calcule la densidad de portadores intrnseca para 100K, 150K y 200K,
sabiendo que:
ni = BT


Datos: B = 5.4x10 para el Si, EG = 1.12eV para el Si.



















10- Compruebe que ni= 1.5x10 portadores x cm para el Si, a
temperatura ambiente (T=300K).

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