INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR DE CENTLA

TECNOLOGA DE LOS MATERIALES

ING. MARCO ANTONIO ZARATE
JULIO ADRIN MNDEZ VERDEJO
2DO SEMESTRE
ELECTROMECNICA








FRONTERA, TABASCO.
20/MARZO/2014
1.1 ESTRUCTURA Y ARREGLO CRISTALINO Y NO CRISTALINO
SLIDOS AMORFOS
Son todos aquellos slidos en los cuales sus partculas constituyentes presentan atracciones lo
suficientemente eficaces como para impedir que la sustancia fluya, resultando una estructura rgida
y ms o menos dura.
No presentan una disposicin interna ordenada por lo tanto no tienen ningn patrn determinado.
Tambin se les denomina vidrios o lquidos sobre enfriados.
A temperaturas altas los amorfos se transforman en lquidos y sus partculas constituyentes tienen
libertad de movimiento, al disminuir lentamente la temperatura, la energa cintica de las partculas
se va haciendo tan baja que se puede producir un acomodamiento entre ellas; pero si el
enfriamiento se produce rpidamente y por debajo del punto de fusin (sobre-enfriamiento), se
origina, como resultado de las menores vibraciones, una contraccin trmica que no permite el
ordenamiento de las partculas aumentando la viscosidad que ya no es posible apreciar flujo y la
sustancia adquiere las caractersticas de un slido: rigidez, dureza, forma y volumen definidos, etc.
Como ejemplos cabe resaltar: el asfalto, ceras, la brea, vidrio y la mayora de los polmeros.
Cuando un slido amorfo se quiebra produce caras y bordes irregulares y al fundirse lo hace en un
rango de temperaturas cambiando lentamente del estado slido al estado lquido.
SLIDOS CRISTALINOS Y REDES DE BRAVAIS
Los slidos cristalinos estn constituidos por minsculos cristales individuales cada uno con forma
geomtrica y poseen la caracterstica de que al romperse producen caras y planos definidos, al
igual presentan puntos de fusin definidos. Como ejemplos podemos destacar: el NaCl, la
sacarosa, metales y aleaciones, y tambin algunos cermicos.
Los tomos o iones de un slido se ordenan en una disposicin que se repite en tres dimensiones,
forman un slido del que se dice tiene una estructura cristalina, se dice tambin que es un slido
cristalino o un material cristalino.
El tamao y la forma de la celda unidad pueden describirse por tres vectores reticulares a, b, c y
por ngulos entre las caras y la longitud relativa de las aristas, denominados parmetros de red,
constantes de red o ejes cristalogrficos.
La importancia en la ingeniera de la estructura fsica de los materiales slidos depende
primordialmente de la disposicin de los tomos, iones o molculas que constituyen el slido y de
las fuerzas de enlace entre ellos.
PRINCIPALES ESTRUCTURAS CRISTALINAS METLICAS
La mayora de los metales elementales (90%) cristalizan en tres estructuras cristalinas densamente
empaquetadas: cbica centrada en las caras FCC, hexagonal compacta HCP y cbica centrada en
el cuerpo BCC debido a que se libera energa a medida que los tomos se aproximan y se enlazan
cada vez ms estrechamente entre s. Por lo tanto dichas estructuras densamente empaquetadas
se encuentran en disposiciones u ordenamientos de energa cada vez ms baja y estable.
Estructura Cristalina Cbica Centrada en el Cuerpo BCC
En esta celda unidad las esferas slidas representan los centros donde los tomos estn
localizados e indican sus posiciones relativas. En esta celda unidad el tomo central sta rodeado
de 8 vecinos ms cercanos y se dice que tiene por lo tanto un nmero de coordinacin de 8. Cada
una de estas celdas unidad tiene el equivalente de 2 tomos por celda unidad. Un tomo completo
sta localizado en el centro de la celda unidad, y un octavo de esfera sta localizado en cada
vrtice de la celda unidad, haciendo el equivalente de otro tomo. De este modo, hay un total de 1
(en el centro) + 8 x 1/8 (en los vrtices) = 2 tomos por celda unidad.
Estructura Cristalina Cbica Centrada en las Caras FCC. En esta celda hay un punto reticular
en cada vrtice del cubo y otro en el centro de cada cara del cubo. El modelo de esferas slidas
indica que los tomos de esta estructura estn unidos del modo ms compacto posible. El APF de
esta estructura de empaquetamiento compacto es 0.74.
Esta celda tiene el equivalente a cuatro tomos por celda unidad. Un octavo de tomo en cada
vrtice (8 x 1/8=1) y seis medios tomos en el medio (1/2 x 6= 3).
Estructura Cristalina Hexagonal Compacta HCP
Los metales no cristalizan en la estructura hexagonal sencilla porque el APF es demasiado bajo. El
APF es 0.74 ya que los tomos estn empaquetados de un modo lo ms cercano posible. Cada
tomo sta rodeado de otros 12 tomos y por tanto su nmero de coordinacin es 12.
La celda HCP posee 6 tomos, tres forman un tringulo en la capa intermedia, existen 6*1/6
secciones de tomos localizados en las capas de arriba y de abajo, haciendo un equivalente a 2
tomos ms, finalmente existen 2 mitades de tomo en el centro de ambas capas superior e
inferior, haciendo el equivalente de un tomo ms.
La relacin c/a de una estructura cristalina HCP ideal es de 1.633 que indica esferas uniformes tan
prximas como sea posible. Los metales Cinc, Cadmio poseen una relacin c/a ms alta que la
ideal, lo que indica que los tomos en estas estructuras estn ligeramente elongados a lo largo del
eje c en la celda unidad HCP. Los metales como el Titanio, Berilio, Magnesio Y Circonio entre otros
tienen relaciones c/a menores que la ideal. Por tanto en estos metales los tomos estn
comprimidos a lo largo de la direccin del eje c.
NDICES DE MILLER
Celdas Cbicas. Los ndices de Miller de un plano cristalino estn definidos como los recprocos
de las intersecciones que el plano determina con los ejes x, y, z de los tres lados no paralelos del
cubo unitario. Las aristas de una celda cbica unitaria representan longitudes unitarias y las
intersecciones de los planos de una red se miden en base a estas longitudes unitarias.
El procedimiento para determinar los ndices de Miller para un plano de un cristal cbico es el
siguiente:
Escoger un plano que no pase por el origen en (0,0,0)
Determinar las intersecciones del plano en base a los ejes x, y, z cristalogrficos para un cubo
unitario. Estas intersecciones pueden ser fraccionarias.
Construir los recprocos de las intersecciones.
Despejar fracciones y determinar el conjunto ms pequeo de nmeros enteros que estn en la
misma razn de las intersecciones. Estos nmeros enteros son los ndices de Miller de un plano
cristalogrfico y se encierran entre parntesis sin usar comas. La notacin (hkl) se emplea para
indicar los ndices de Miller en sentido general, donde h, k, y l son los ndices de Miller para un
plano de un cristal cbico de ejes x, y, y z respectivamente.



1.2 IMPERFECCIONES EN LAS REDES CRISTALINAS
Las imperfecciones se encuentran dentro de la zona de ordenamiento de largo alcance (grano) y
se clasifican de la siguiente manera:
DEFECTOS PUNTUALES (puntos defectuosos):
Defectos puntuales: Los defectos puntuales son discontinuidades de la red que involucran uno o
quiz varios tomos. Estos defectos o imperfecciones, pueden ser generados en el material
mediante el movimiento de los tomos al ganar energa por calentamiento; durante el
procesamiento del material; mediante la introduccin de impurezas; o intencionalmente a travs de
las aleaciones.
*
Huecos: Un Hueco se produce cuando falta un tomo en un sitio normal. Las vacancias se crean
en el cristal durante la solidificacin a altas temperaturas o como consecuencia de daos por
radiacin. A temperatura ambiente aparecen muy pocas vacancias, pero stas se incrementan de
manera exponencial conforme se aumenta la temperatura.
*Defectos intersticiales: Se forma un defecto intersticial cuando se inserta un tomo adicional en
una posicin normalmente desocupada dentro de la estructura cristalina. Los tomos intersticiales,
aunque mucho ms pequeos que los tomos localizados en los puntos de la red, aun as son
mayores que los sitios intersticiales que ocupan; en consecuencia, la red circundante aparece
comprimida y distorsionada. Los tomos intersticiales como el hidrgeno a menudo estn
presentes en forma de impurezas; los tomos de carbono se agregan al hierro para producir acero.
Una vez dentro del material, el nmero de tomos intersticiales en la estructura se mantiene casi
constante, incluso al cambiar la temperatura.
*Defectos sustitucionales: Se crea un defecto sustitucional cuando se remplaza un tomo por otro
de un tipo distinto. El tomo sustitucional permanece en la posicin original. Cuando estos tomos
son mayores que los normales de la red, los tomos circundantes se comprimen; si son ms
pequeos, los tomos circundantes quedan en tensin. En cualquier caso, el defecto sustitucional
distorsiona la red circundante. Igualmente, se puede encontrar el defecto sustitucional como una
impureza o como un elemento aleante agregado deliberadamente y, una vez introducido, el
nmero de defectos es relativamente independiente de la temperatura.
IMPORTANCIA DE LOS DEFECTOS PUNTUALES: Los defectos puntuales alteran el arreglo
perfecto de los tomos circundantes, distorsionando la red a lo largo de quizs cientos de
espaciamientos atmicos, a partir del defecto. Una dislocacin que se mueva a travs de las
cercanas generales de un defecto puntual encuentra una red en la cual los tomos no estn en
sus posiciones de equilibrio. Esta alteracin requiere que se aplique un esfuerzo ms alto para
obligar a que la dislocacin venza al defecto, incrementndose as la resistencia del material.
DEFECTOS LINEALES (dislocaciones):
Las dislocaciones son imperfecciones lineales en una red que de otra forma sera perfecta.
Generalmente se introducen en la red durante el proceso de solidificacin del material o al
deformarlo. Aunque en todos los materiales hay dislocaciones presentes, incluyendo los materiales
cermicos y los polmeros, son de particular utilidad para explicar la deformacin y el
endurecimiento de los metales. Podemos identificar dos tipos de dislocaciones: la dislocacin de
tornillo y la dislocacin de borde.
*Dislocacin de tornillo:
La dislocacin de tornillo se puede ilustrar haciendo un corte parcial a travs de un cristal perfecto,
torcindolo y desplazando un lado del corte sobre el otro la distancia de un tomo.

*Dislocaciones de borde:
Una dislocacin de borde se puede ilustrar haciendo un corte parcial a travs de un cristal perfecto,
separndolo y rellenando parcialmente el corte con un plano de tomos adicional. El borde inferior
de este plano adicional representa la dislocacin de borde.
*Dislocaciones mixtas:
Las dislocaciones mixtas tienen componentes tanto de borde como de tornillo, con una regin de
transicin entre ambas. El vector de Burgers, sin embargo, se conserva igual para todas las
porciones de la dislocacin mixta.
IMPORTANCIA DE LAS DISLOCACIONES:
Aunque en algunos materiales cermicos y polmeros puede ocurrir deslizamiento, el proceso de
deslizamiento es de particular utilidad para entender el comportamiento mecnico de los metales.
En primer trmino, el deslizamiento explica por qu la resistencia de los metales es mucho menor
que el valor predecible a partir del enlace metlico. Si ocurre el deslizamiento, slo es necesario
que se rompa en algn momento una pequea fraccin de todas las uniones metlicas a travs de
la interfaz, por lo que la fuerza requerida para deformar el metal resulta pequea.
Segundo, el deslizamiento le da ductilidad a los metales. Si no hay dislocaciones presentes, una
barra de hierro sera frgil; los metales no podran ser conformados utilizando los diversos
procesos, que involucran la deformacin para obtener formas tiles, como la forja.
En tercer lugar, controlamos las propiedades mecnicas de un metal o aleacin al interferir el
movimiento de las dislocaciones. Un obstculo introducido en el cristal impedir que en una
dislocacin se deslice, a menos que apliquemos mayor fuerza. Si es necesario aplicar una fuerza
superior, entonces el metal resulta ser ms resistente. Estos obstculos pueden ser defectos
puntuales o borde de grano.
En cuarto lugar, se puede prevenir el deslizamiento de las dislocaciones achicando el tamao de
grano o introduciendo tomos de diferente tamao, que son las aleaciones.
En los materiales se encuentran enormes cantidades de dislocaciones. La densidad de
dislocaciones, o la longitud total de dislocaciones por unidad de volumen, generalmente se utiliza
para representar la cantidad de dislocaciones presentes. Densidades de dislocacin de 10-6
cm/cm3 son tpicas en los metales ms suaves, en tanto que se pueden conseguir densidades de
hasta 10-12 cm/cm3 deformando el material.

DEFECTOS PLANARES: (superficies externas y lmite de grano)
DEFECTOS DE SUPERFICIE:
Modelo de cristalizacin en la solidificacin de metales
La estructura final resultante est constituida por un agrupamiento de granos o cristales de forma
irregular pero guardando cada uno una orientacin fija y bien determinada.
MICROESTRUCTURA DE ACERO
Los defectos de superficie son las fronteras o planos que separan un material en regiones de la
misma estructura cristalina pero con orientaciones cristalogrficas distintas, y la superficie externa
de un material. En las superficies externas del material la red termina de manera abrupta. Cada
tomo de la superficie ya no tiene el mismo nmero de coordinacin y se altera el enlace atmico.
Asimismo, la superficie puede ser muy spera, contener pequeas muescas y quiz ser mucho
ms reactiva que el interior del material. En lquidos, los tomos en la superficie tienen mayor
energa porque no tienen todos sus tomos vecinos. Esto hace que al tratar de minimizar la
energa se tiende a reducir el nmero de tomos en esta condicin, por lo tanto tienden a reducir la
superficie respecto al volumen, esto geomtricamente corresponde a una esfera.
CRISTALIZACION
El crecimiento de los cristales que se inicia en los centros o ncleos de cristalizacin en el metal
lquido, no puede ser uniforme a causa de los diferentes factores de la composicin del metal, la
velocidad de enfriamiento y las interferencias que se producen entre ellos mismos durante el
proceso de crecimiento.
DENTRITAS
LIMITES DE GRANO:
La microestructura de la mayor parte de los materiales est formada por muchos granos. Un grano
es una porcin del material dentro del cual el arreglo atmico es idntico. Sin embargo, la
orientacin del arreglo atmico, o de la estructura cristalina, es distinta para cada grano. En la
figura se muestran de manera esquemtica tres granos; la red de cada uno de ellos es idntica
pero estn orientados de manera distinta. La frontera de grano, que es la superficie que separa los
granos, es una zona estrecha en la cual los tomos no estn correctamente espaciados. Esto
quiere decir que, en algunos sitios, los tomos estn tan cerca unos de otros en la frontera de
grano que crean una regin de compresin y en otras reas estn tan alejados que crean una
regin de tensin.
Un mtodo para controlar las propiedades de un material es controlando el tamao de los granos.
Reduciendo el tamao de stos se incrementa su nmero y, por tanto, aumenta la cantidad de
fronteras de grano. Cualquier dislocacin se mover solamente una distancia corta antes de
encontrar una frontera de grano, incrementando as la resistencia del metal. Se puede relacionar el
tamao de grano con la tensin de fluencia del material. Los lmites de grano tienen una influencia
importante sobre las propiedades del metal, su nmero y tamao esta en funcin de la tasa de
nucleacin y los ndices de crecimiento de este. Una vez que el metal se ha solidificado, se puede
modificar el tamao y numero de granos, ya sea por deformacin o tratamiento trmico, lo cual
permitir que sus propiedades mecnicas varen considerablemente, la siguiente ecuacin muestra
su influencia en el esfuerzo de cedencia:
= K1 + K2/ D - 2
Donde es el esfuerzo de Cedencia; K1 y K2 ctes del Material; D es el tamao del Grano
1.3 MOVILIDAD DE LOS TOMOS
CONSIDERACIONES SOBRE LA DIFUSIN EN SLIDOS
La difusin puede ser definida como el mecanismo por el cual la materia es transportada por la
materia. Los tomos de gases, lquidos y slidos estn en constante movimiento y se desplazan en
el espacio tras un perodo de tiempo. En los gases, el movimiento de los tomos es relativamente
veloz, tal efecto se puede apreciar por el rpido avance de los olores desprendidos al cocinar o el
de las partculas de humo. En los lquidos, los tomos poseen un movimiento ms lento, esto se
pone en evidencia en el movimiento de las tintas que se disuelven en agua lquida. El transporte de
masa en lquidos y slidos se origina generalmente debido a una combinacin de conveccin
(movilizacin de fluido) y difusin. En los slidos, estos movimientos atmicos quedan restringidos
(no existe conveccin), debido a los enlaces que mantienen los tomos en las posiciones de
equilibrio, por lo cual el nico mecanismo de transporte de masa es la difusin. Sin embargo las
vibraciones trmicas que tienen lugar en slidos permiten que algunos tomos se muevan. La
difusin de stos en metales y aleaciones es particularmente importante si consideramos el hecho
de que la mayor parte de las reacciones en estado slido llevan consigo movimientos atmicos;
como ejemplo se pueden citar la formacin de ncleos y crecimiento de nuevos granos en la
recristalizacin de un metal trabajado en fro y la precipitacin de una segunda fase a partir de una
solucin slida.

MECANISMOS DE DIFUSIN
Existen dos mecanismos principales de difusin en los tomos en una estructura cristalina: (1)
mecanismo de vacantes o sustitucional, y (2) el mecanismo intersticial.
1. Mecanismo de difusin por vacantes o sustitucional
Los tomos pueden moverse en las redes cristalinas desde una posicin a otra si hay presente
suficiente energa de activacin, proporcionada sta por la vibracin trmica de los tomos, y si
hay vacantes u otros defectos cristalinos en la estructura para que ellos los ocupen. Las vacantes
en los metales son defectos en equilibrio, y por ello algunos estn siempre presentes para facilitar
que tenga lugar la difusin sustitucional de los tomos. Segn va aumentando la temperatura del
metal se producirn ms vacantes y habr ms energa trmica disponible, por tanto, el grado de
difusin es mayor a temperaturas ms altas.
La energa de activacin para la difusin propia es igual a la suma de la energa de activacin
necesaria para formar la vacante y la energa de activacin necesaria para moverla.
2. Mecanismo de difusin intersticial
La difusin intersticial de los tomos en redes cristalinas tiene lugar cuando los tomos se
trasladan de un intersticio a otro contiguo al primero sin desplazar permanentemente a ninguno de
los tomos de la matriz de la red cristalina. Para que el mecanismo intersticial sea efectivo, el
tamao de los tomos que se difunde debe ser relativamente pequeo comparado con el de los
tomos de la matriz. Los tomos pequeos como los de hidrgeno, carbono, oxgeno y nitrgeno,
pueden difundirse intersticialmente en algunas redes cristalinas metlicas. Por ejemplo, el carbono
puede difundirse intersticialmente en hierro alfa BCC y hierro gamma FCC. En la difusin
intersticial de carbono en hierro, los tomos de carbono deben pasar entre los tomos de la matriz
de hierro.
DIFUSIN EN ESTADO ESTACIONARIO
Los valores de la difusividad dependen de muchas variables, las ms importantes son las
siguientes:
El tipo de mecanismo de difusin. El hecho de que la difusin sea intersticial o sustitucional
afectar la difusividad. Los tomos pequeos pueden difundirse intersticialmente en la red
cristalina de tomos mayores del solvente. De esta manera los tomos de carbono se difunden
intersticialmente en la red BCC o FCC. Los tomos de cobre pueden difundirse sustitucionalmente
en una red de aluminio siempre y cuando los tomos de cobre y aluminio sean aproximadamente
iguales.
La temperatura a la cual ocurre la difusin. Si la temperatura aumenta en el sistema la difusividad
tambin se ve incrementada.
El tipo de estructura cristalina de la red matriz. La estructura cristalina BCC que posee un factor de
empaquetamiento de 0.68 ayuda a que la difusividad sea mayor que una red FCC que posee un
factor de empaquetamiento de 0.74. De esta manera los tomos de carbono se pueden difundir
ms fcilmente en una red de hierro BCC que una red FCC.

El tipo de imperfecciones cristalinas. La mayora de estructuras abiertas permiten una difusin ms
rpida de los tomos. Por ejemplo, la difusin tiene lugar ms rpidamente a lo largo de los lmites
de grano que en la matriz del mismo, en metales y cermicos. Las vacantes en exceso
incrementarn las velocidades de difusin en metales y aleaciones.
La concentracin de las especies que se difunden. Las concentraciones mayores de tomos de
soluto difundible afectarn la difusividad. Este aspecto de la difusin en el estado slido es muy
complejo.
DIFUSIN EN ESTADO NO ESTACIONARIO
El estado estacionario, en el cual las condiciones permanecen invariables con el tiempo, no se
presenta con frecuencia en aplicaciones de ingeniera. En la mayora de los casos, la difusin es
en estado no estacionario, en la cual la concentracin de los tomos de soluto en cualquier punto
del material cambia con el tiempo, es la que tiene lugar. Por ejemplo si se difunde carbono en la
superficie de un rbol de levas de acero para endurecer su superficie, la concentracin de carbono
bajo la superficie de cualquier punto cambiar con el tiempo a medida que el proceso de difusin
avanza.
Fuente:
http://descom.jmc.utfsm.cl/proi/materiales/ESTRUCTURAS.htm#IMPERFECCIONESE
NLASREDESCRISTALINAS
http://www.angelfire.com/me3/mambuscay/Art5.htm
http://www.angelfire.com/md2/mambuscay/Art4.htm