3.

1 DISPOSITIVOS DE UNION
3.1.1 DIODOS

Qu es un diodo semiconductor?


El diodo semiconductor es el
dispositivo semiconductor ms
sencillo y se puede encontrar,
prcticamente en cualquier circuito
electrnico. Los diodos se fabrican
en versiones de silicio (la ms
utilizada) y de germanio.
Viendo el smbolo del diodo en el grfico se observan: A - nodo, K ctodo.
Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P,
separados por una juntura llamada barrera o unin. Esta barrera o unin es de
0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en
el diodo de silicio.
Principio de operacin de un diodo
El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y
el semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones)
Cuando una tensin positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los
electrones en el lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a
travs del material P ms all de los lmites del semiconductor. De igual
manera los huecos en el material P son empujados con una tensin negativa al
lado del material N y los huecos fluyen a travs del material N.
En el caso opuesto, cuando una tensin positiva se aplica al lado N y una
negativa al lado P, los electrones en el lado N son empujados al lado N y los
huecos del lado P son empujados al lado P. En este caso los electrones en
el semiconductor no se mueven y en consecuencia no hay corriente
El diodo se puede hacer trabajar de 2 maneras diferentes:
Polarizacin directa
Es cuando la corriente que circula por
el diodo sigue la ruta de la flecha (la del
diodo), o sea del nodo al ctodo.
En este caso la corriente atraviesa el diodo
con mucha facilidad comportndose prcticamente como un corto circuito.
Polarizacin inversa
Es cuando la corriente en el diodo desea
circular en sentido opuesto a la flecha (la
flecha del diodo), o sea del ctodo al nodo.
En este caso la corriente no atraviesa el
diodo, y se comporta prcticamente como un circuito abierto.
Nota: El funcionamiento antes mencionado se refiere al diodo ideal, sto
quiere decir que el diodo se toma como un elemento perfecto (como se hace en
casi todos los casos), tanto en polarizacin directa como en polarizacin
inversa.
Aplicaciones del diodo
Los diodos tienen muchas aplicaciones, pero una de las ms comunes es el
proceso de conversin de corriente alterna (C.A.) a corriente. En este caso se
utiliza el diodo como rectificador
3.1.2 DIODO ZENER

Lo primero, antes de explicar el diodo zener y para los que todava no lo
saben, vamos a explicar que es un diodo.

Un diodo es un componente electrnico (semiconductor) que permite el paso
de la corriente "solo en un sentido". Veamos el diodo real y su smbolo.



Como vemos para que la corriente pase a travs de diodo debe conectarse el
nodo al positivo y el ctodo al negativo.

Cuando el diodo permite el paso de la corriente decimos que est polarizado
directamente. Si est conectado de forma que la corriente no pasa por l
decimos que est polarizado inversamente. Veamos que ocurre cuando
conectamos un diodo con una lmpara en serie.


No vamos hablar ms del diodo, si quieres saber ms te recomendamos este
enlace: Diodo.

Ahora vamos a conocer al Diodo Zener.

Qu es un Diodo Zener?

Los diodos zener, zener diodo o simplemente zener, son diodos que estn
diseados para mantener un voltaje constante en su terminales, llamado
Voltaje o Tensin Zener (Vz) cuando se polarizan inversamente, es decir
cuando est el ctodo con una tensin positiva y el nodo negativa.



Aqu tienes la imagen de un diodo zener real:



Funcionamiento del Diodo Zener

Cuando lo polarizamos inversamente y llegamos a Vz el diodo conduce y
mantiene la tensin Vz aunque la aumentemos. La corriente que pasa por el
diodo zener en estas condiciones se llama corriente inversa (Iz).
Se llama zona de ruptura por encima de Vz.

Como ves es un regulador de voltaje o tensin.

Cuando est polarizado directamente el zener se comporta como un diodo
normal.

Pero OJO mientras la tensin inversa sea inferior a la tensin zener, el diodo
no conduce, solo conseguiremos tener la tensin constante Vz, cuando est
conectado a una tensin igual a Vz o mayor. Aqu puedes ver una la curva
caracterstica de un zener:



Para el zener de la curva vemos que se activara para una Vz de 5V (zona de
ruptura), lgicamente polarizado inversamente, por eso es negativa. En la
curva de la derecha vemos que sera conectado directamente, y conduce
siempre, como un diodo normal.

Sus dos caractersticas ms importantes son su Tensin Zener y la
mxima Potencia que pueden disipar = Pz (potencia zener).

La relacin entre Vz y Pz nos determinar la mxima corriente inversa,
llamada Izmx. OJO si sobrepasamos esta corriente inversa mxima el diodo
zener puede quemarse, ya que no ser capaz de disipar tanta potencia.

Un ejemplo: Tenemos un diodo zener de 5,1V y 0,5w. cual ser la mxima
corriente inversa que soportar?

Recordamos P = V x I; I = P/V. En nuestro caso Izmx = Pz/Vz = 0,5/5,1 =
0,098A.

Para evitar que nunca pasemos de la corriente inversa mxima, los diodos
zener se conectan siempre con una resistencia en serie que llamamos
"Resistencia de Drenaje".

Vamos a ver como sera la conexin bsica de un diodo zener en un
circuito:



La Rs sera la resistencia de drenaje y la Rl la Carga a la salida del zener.
Te das cuenta que la conexin es inversa?. As se conectan siempre el zener
diodo.

En el circuito anterior la tensin de salida se mantendr constante, siempre
que sea superior a la Vz, y adems ser independiente de la tensin de
entrada Vs. Esto nos asegura que la carga siempre estar a la misma tensin.

Si aumentamos por encima de Vz la tensin de entrada Vs a la salida
tendremos siempre la tensin constante igual a Vz.

La Rs absorbe la diferencia de tensin entre la entrada y la salida. Cmo se
calcula la Rs?

Rs = (Vs- Vo)/ (Il + Iz)

Siendo Vs la tensin de entrada del regulador, Vo la tensin de salida, que
ser igual a Vz, Il es la intensidad de carga mxima e Iz la intensidad o
corriente a travs del diodo zener.

Esta ltima se escoge siempre de un valor del 10% o del 20% de la corriente
mxima.

Tambin tenemos que decir que estos diodos se utilizan como reguladores
de tensin para determinadas tensiones y resistencias de carga, por encima de
ellos el zener puede bloquearse e incluso destruirse. Vamos a poner un
ejemplo.

Se desea disear un regulador zener de 5,1V para alimentar una carga de 5
ohmios, a partir de una entrada de 9V. Para ello utilizaremos un zener de 5,1V
y 1w. Calcular:

a) La resistencia necesaria de drenaje, asumiendo una corriente de zener del
10% de la corriente mxima.

b) Los lmites de variacin del voltaje de entrada dentro de los cuales se
mantiene la regulacin. Se asume que la carga es constante.

c) La potencia nominal de la resistencia de drenaje.

Vamos a resolver el problema:

Para calcular la resistencia de drenaje ya sabemos que es:

Rs = (Vs- Vo)/ (Il + Iz); en nuestro caso:

Vs = 9V; Vo = 5,1V;

Il = Vo / Rl = 5,1/5 = 1,02A;

Iz = Il / 10 = 1,2 /10 = 0,102A (el 10%)

Si ponemos estos valores en la frmula de la Rs tendremos:

Rs = (9V-5,1V)/(1,02A-0,102A)= 3,48.

Como este valor de resistencia no existe en la realidad escogeremos el valor
de una resistencia de 3,3 que si existe en la realidad y se comercializa.

Vamos ahora a resolver el apartado b).

Los valores mximos y mnimos de la tensin de entrada entre los cuales el
circuito mantiene regulada la tensin de salida, podemos despejarlos de la
frmula anterior, despejando Vs y teniendo en cuenta que la Iz, corriente a
travs del zener, no puede ser superior a su valor mximo Izmx ni inferior a
cero. Despejamos Vs:

Vs = (Il + Iz) x Rs + Vo;

El valor mnimo para Vs ser cuando Iz es igual a cero.

Vsmnimo= Il x Rs + Vo;

El valor mximo ser cuando Iz es igual a Izmx.

Vs = (Il + Izmx) x Rs + Vo;

Los valores para nuestro ejercicio son:

Il = 1,02A; Rs = 3,3; Vo = 5,1V y la Izmx ser:

Izmxima= Pz/Vz = 1/5,1= 0,196A. Si ponemos los valores en las frmulas
anteriores, tenemos:

Vsminimo = 1,02 x 3,3 + 5,1 = 8,47V

Vmxima = (1,02 + 0,196) x 3,3 + 5,1 = 9,11V.

Qu significa esto? Pues que la tensin de entrada puede ser entre 8,47V y
9,11V para que exista regulacin de tensin del diodo zener.

Si el zener tiene una tensin inferior a 8,47V deja de conducir y si es superior
a 9,11V se destruye por sobrecalentamiento. Este ser el rango del que
hablamos anteriormente y por lo que los zener no se pueden usar para todos
los casos.

En ambos casos no habr regulacin de tensin y el circuito se comportar
como un divisor de tensin normal.

Conclusin a esto es que los diodos zener solo se pueden utilizar para un
rango limitado de tensiones de carga o corrientes de carga.

Para manejar tensiones elevadas se debe utilizar junto con un transistor, que
se encargar de transportar la corriente d carga sin alterar la tensin aplicada a
ella. Pero para eso tendramos que entender el transistor. Si te interesa aqu
tienes el enlace: Transistor.

Por ltimo calculemos el apartado c).

La potencia nominal mnima de la resistencia de drenaje se calcula con la
frmula:

Ps = (9,11V -5,1V)/3,3= 4,87w.

Segn esto debe escogerse como mnimo una resistencia d 3,3 y que
aguante una potencia de 5w. En la prctica, por seguridad se elegir una de
3,3 y de 10w de potencia.

Tipos de Diodos Zener

Actualmente se pueden encontrar diodos zener de valores Vz desde 0,2V
hasta 200V y de Pz hasta los 50 vatios.

Hay principalmente dos variedades de zener, los ZD o ZDP que son los
europeos y los 1N que son americanos.

Los ZDP por ejemplo el ZPD12 significa que tienen una tensin zener de
12V. Para el resto tendremos que mirar sus caractersticas en la tabla de
fabricante, aunque normalmente su tensin de ruptura viene impreso sobre el
mismo diodo zener.

3.1.3 DIODO TUNEL

Diodo tnel. Es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se
produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa
en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. La presencia del
tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo
(amplificador/oscilador).
Diodo tnel.
Es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el
efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto
intervalo de la caracterstica corriente-tensin. La presencia del tramo
de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo
(amplificador/oscilador).


Descubrimiento
Este diodo fue inventado en 1958 por el fsico japons Leo Esaki, por lo cual
recibi un Premio Nobel en 1973. Descubri que los diodos semiconductores
obtenidos con un grado de contaminacin del material bsico mucho ms
elevado que lo habitual exhiben una caracterstica tensin-corriente muy
particular. La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la
tensin aplicada hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente de
cresta.
A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente
comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mnimo, llamado
corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la
corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez ms rpido hasta
llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera.
Efecto tnel
Los diodos de efecto tnel son dispositivos muy verstiles que pueden operar
como detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una regin de juntura
extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos
voltajes de polarizacin directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la
corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.
Estos dispositivos presentan una caracterstica de resistencia negativa; esto es,
si aumenta la tensin aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una
disminucin de la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva
caracterstica del diodo). Este fenmeno de resistencia negativa es til para
aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los osciladores, los cuales
pueden generar una seal senoidal a partir de la energa que entrega la fuente
de alimentacin.
El efecto tnel es un fenmeno nanoscpico por el que una partcula viola los
principios de la mecnica clsica penetrando una barrera potencial o
impedancia mayor que la energa cintica de la propia partcula. Una barrera,
en trminos cunticos aplicados al efecto tnel, se trata de una cualidad del
estado energtico de la materia anlogo a una "colina" o pendiente clsica,
compuesta por crestas y flancos alternos, que sugiere que el camino ms corto
de un mvil entre dos o ms flancos debe atravesar su correspondiente cresta
intermedia si dicho objeto no dispone de energa mecnica suficiente como
para imponerse con la salvedad de atravesarlo.
A escala cuntica, los objetos exhiben un comportamiento ondular; en la teora
cuntica, un cuanto movindose en direccin a una "colina" potencialmente
energtica puede ser descrito por su funcin de onda, que representa la
amplitud probable que tiene la partcula de ser encontrada en la posicin
allende la estructura de la curva. Si esta funcin describe la posicin de la
partcula perteneciente al flanco adyacente al que supuso su punto de partida,
existe cierta probabilidad que se haya desplazado "a travs" de la estructura,
en vez de superarla por la ruta convencional que atraviesa la cima energtica
relativa.
Descripcin del diodo tnel
El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se
produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa
en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. Los diodos Tunel
son generalmente fabricados en Germanio, pero tambin en silicio y arseniuro
de galio.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como
componente activo (amplificador/oscilador). Una caracterstica importante del
diodo tnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes
de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente
disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tunel puede
funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente,
este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran
microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin.
Si durante su construccin a un diodo invertido se le aumenta el nivel de
dopado, se puede lograr que su punto de ruptura ocurra muy cerca de los 0V.
Los diodos construidos de esta manera, se conocen como diodos tunel. Estos
dispositivos presentan una caracterstica de resistencia negativa; esto es, si
aumenta la tensin aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una
disminucin de la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva
caracterstica del diodo). Este fenmeno de resistencia negativa es til para
aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los osciladores, los cuales
pueden generar una seal senoidal a partir de la energa que entrega la fuente
de alimentacin.
Estos diodos tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv
muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin
incluso ms rpido que los diodos Schottky.
Curva caracterstica del diodo tnel
Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tnel empieza a conducir (la
corriente empieza a fluir). Si se sigue aumentando esta tensin la corriente
aumentar hasta llegar un punto despus del cual la corriente disminuye. La
corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un "valle" y
despus volver a incrementarse. Esta ocasin la corriente continuar
aumentando conforme aumenta la tensin.
Los diodos tnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e
Iv muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin
incluso ms rpido que los diodos Schottky.
Aplicaciones
Este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una
corriente de fuga muy grande cuando estn polarizados en reversa. As estos
diodos slo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores
de alta frecuencia.
3.1.4 DIODO PARACTOR

Diodo varicap.
El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que
basa su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la barrera
de potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada
entre sus extremos.
Funcionamiento
El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que
basa su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la barrera
de potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada
entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa
barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un
condensado variable controlado por tensin. Los valores de capacidad
obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1
V.
La capacidad formada en extremos de la unin PN puede resultar de suma
utilidad cuando, al contrario de lo que ocurre con los diodos de RF, se busca
precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual est
situado el diodo.
Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, adems de las zonas
constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una
resistencia de muy bajo valor hmico, lo que conforma un condensador de
elevadas prdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la
resistencia paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el
diodo se pueda comportar como un condensador con muy bajas prdidas. Si
aumentamos la tensin de polarizacin inversa las capas de carga del diodo se
espacian lo suficiente para que el efecto se asemeje a una disminucin de la
capacidad del hipottico condensador (similar al efecto producido al distanciar
las placas de un condensador estndar).
La capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo. Si la tensin
aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye, Si la tensin disminuye la
capacitancia aumenta.


Aplicacin
La utilizacin ms solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir a
complejos sistemas mecnicos de condensador variable en etapas de sintona
en todo tipo de equipos de emisin y recepcin.
Ejemplo, cuando se acta en la sintona de un viejo receptor de radio se est
variando (mecnicamente) el eje del condensador variable que incorpora ste
en su etapa de sintona; pero si, por el contrario, se acta sobre la ruedecilla o,
ms comnmente, sobre el botn (pulsador) de sintona del receptor de TV a
color lo que se est haciendo es variar la tensin de polarizacin inversa de un
diodo varicap contenido en el mdulo sintonizador del equipo.
Curva caracterstica y simbologa del diodo Varicap.
Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe en la unin P-N
cuando el elemento est polarizado inversamente. En condiciones de
polarizacin inversa, se estableci que hay una regin sin carga en cualquiera
de los lados de la unin que en conjunto forman la regin de agotamiento y
definen su ancho Wd. La capacitancia de transicin (CT) establecida por la
regin sin carga se determina mediante:
CT = E (A/Wd) donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores,
A es el rea de la unin P-N y Wd el ancho de la regin de agotamiento.
Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho
de la regin de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de
transicin. El pico inicial declina en CT con el aumento de la polarizacin
inversa. El intervalo normal de VR para [diodo] s varicap se limita
aproximadamente 20V. En trminos de la polarizacin inversa aplicada, la
capacitancia de transicin se determina en forma aproximada mediante: CT = K
/ (VT + VR)n
Dnde:
K = constante determinada por el material semiconductor y la tcnica de
construccin.
VT = potencial en la curva segn se defini en la seccin
VR = magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado
n = para uniones de aleacin y 1/3 para uniones de difusin


3.1.5 DIODO PIN
Un diodo PIN es un diodo con una amplia, ligeramente 'cerca' de la regin
semiconductor intrnseco dopado entre un semiconductor de tipo p y una regin
de semiconductor de tipo n. Las regiones de tipo p y de tipo n son tpicamente
fuertemente dopados ya que se utilizan para los contactos hmicos.
La regin intrnseca amplia es en contraste con un diodo PN ordinaria. La
regin intrnseca amplia hace que el diodo PIN un rectificador inferiores, pero
hace que el diodo PIN adecuado para atenuadores, interruptores rpidos, foto
detectores, y aplicaciones de electrnica de potencia de alta tensin.
Operacin
Un diodo PIN opera bajo lo que se conoce como la inyeccin de alto nivel. En
otras palabras, la regin intrnseca "i" se inunda con los portadores de carga de
las regiones de "n", "p" y. Su funcin se puede comparar a llenar un cubo de
agua con un agujero en el lado. Una vez que el agua alcanza el nivel del
agujero en el que comenzar a derramar. Del mismo modo, el diodo conducir la
corriente una vez que los electrones y los huecos inundados llegan a un punto
de equilibrio, donde el nmero de electrones es igual al nmero de agujeros en
la regin intrnseca. Cuando el diodo est polarizado hacia adelante, la
concentracin de portadores inyectada es tpicamente varios rdenes de
magnitud ms alta que la concentracin de portadores nivel intrnseco. Debido
a esta inyeccin de alto nivel, que a su vez se debe al proceso de agotamiento,
el campo elctrico se extiende profundamente en la regin. Este campo
elctrico ayuda en la aceleracin del transporte de portadores de carga desde
la P a la regin N, que se traduce en un funcionamiento ms rpido del diodo,
por lo que es un dispositivo adecuado para operaciones de alta frecuencia.
Caractersticas
Un diodo PIN obedece a la ecuacin del diodo estndar para seales de baja
frecuencia. A frecuencias ms altas, el diodo se parece a una resistencia casi
perfecta. Hay una gran cantidad de carga almacenada en la regin intrnseca.
A bajas frecuencias, la carga se puede quitar y el diodo se apaga. A
frecuencias ms altas, no hay tiempo suficiente para retirar la acusacin, por lo
que el diodo no se apaga nunca. El diodo PIN tiene un mal tiempo de
recuperacin inverso.
La resistencia de alta frecuencia es inversamente proporcional a la corriente
continua de polarizacin a travs del diodo. Un diodo PIN, adecuadamente
sesgado, por lo tanto, acta como una resistencia variable. Esta resistencia de
alta frecuencia puede variar en un amplio intervalo.
La regin intrnseca amplia tambin significa que el diodo tendr una
capacitancia baja cuando polarizado inversamente.
En un diodo PIN, la regin de agotamiento existe casi por completo dentro de la
regin intrnseca. Esta regin de agotamiento es mucho ms grande que en un
diodo PN, y casi constante de tamao, independiente de la polarizacin inversa
aplicada al diodo. Esto aumenta el volumen en el que los pares electrn-hueco
pueden ser generados por un fotn incidente. Algunos dispositivos foto
detectores, tales como fotodiodos PIN y fototransistores, utilizan una unin pin
en su construccin.
El diseo de diodo tiene algunas ventajas y desventajas de diseo. El aumento
de las dimensiones de la regin intrnseca permite que el diodo se vea como
una resistencia a frecuencias ms bajas. Se afecta negativamente el tiempo
necesario para apagar el diodo y su capacitancia en derivacin. Diodos PIN se
adaptarn para un uso particular.
Aplicaciones
Diodos PIN son tiles como conmutadores de RF, atenuadores, y foto
detectores.
Interruptores de RF y microondas
Bajo el sesgo cero o inversa, un diodo PIN tiene una capacidad baja. La baja
capacidad no va a pasar mucho de una seal de RF. En virtud de un sesgo
hacia adelante de 1 mA, un diodo PIN tpico tendr una resistencia de RF de
aproximadamente 1 ohmio, por lo que es un buen conductor de RF. En
consecuencia, el diodo PIN hace que un interruptor de RF buena.
Aunque los rels de RF se pueden utilizar como interruptores, cambian muy
lentamente. Un interruptor de diodo PIN puede cambiar mucho ms
rpidamente.
La capacitancia de un diodo PIN fuera discreta podra ser 1 pF. A 320 MHz, la
reactancia de 1 pF trata-J500 ohms. Como un elemento de la serie en un
sistema de 50 ohmios, la atenuacin de estado desactivado sera -20 veces la
base 10 de registro de la relacin de la impedancia de carga a la suma de la
carga, el diodo y la fuente de impedancias, o ms o menos 20 dB, lo que no
puede ser adecuada. En aplicaciones donde se necesita un mayor aislamiento,
tanto la derivacin y elementos de las series se pueden utilizar, con los diodos
de derivacin sesgadas de manera complementaria a los elementos de la serie.
Adicin de elementos de derivacin reduce de manera efectiva la fuente e
impedancias de carga, la reduccin de la relacin de impedancia y el aumento
de la atenuacin del estado de desactivacin. Sin embargo, adems de la
complejidad aadida, la atenuacin en estado de encendido se incrementa
debido a la resistencia en serie del elemento de bloqueo en estado de
encendido y la capacitancia de los elementos de derivacin en estado
desactivado.
Interruptores de diodos PIN se utilizan no slo para la seleccin de la seal,
pero tambin se utilizan para la seleccin de componentes. Por ejemplo,
algunos osciladores de bajo ruido de fase utilizan diodos PIN de inductores
gama de interruptores.
RF y microondas atenuadores variables
Al cambiar la corriente de polarizacin a travs de un diodo PIN, es posible
cambiar rpidamente la resistencia RF.
A altas frecuencias, el diodo PIN aparece como un resistor cuya resistencia es
una funcin inversa de la corriente directa. En consecuencia, el diodo PIN se
puede utilizar en algunos diseos atenuador variable como moduladores de
amplitud o circuitos de nivelacin de salida.
Diodos PIN pueden ser utilizados, por ejemplo, como el puente y las
resistencias en derivacin en un puente-T atenuador. Otro enfoque comn es
utilizar diodos PIN como terminaciones conectadas a los 0 grados y -90 grados
puertos de un hbrido en cuadratura. La seal a ser atenuada se aplica al
puerto de entrada, y el resultado se toma atenuada desde el puerto
aislamiento. Las ventajas de este enfoque ms de los enfoques puente-T y PI
son no se necesitan unidades de polarizacin del diodo PIN complementarias
la misma polarizacin se aplica a los dos diodos y la prdida en el atenuador es
igual a la prdida de retorno de las terminaciones, que se puede variar en un
gama muy amplia.
Limitadores
Diodos PIN veces se utilizan como dispositivos de proteccin de entrada para
sondas de prueba de alta frecuencia. Si la seal de entrada est dentro del
rango, el diodo PIN tiene poco impacto como una pequea capacidad. Si la
seal es grande, entonces el diodo PIN se inicia para llevar a cabo y se
convierte en una resistencia que desva la mayor parte de la seal a tierra.
Clula fotoelctrica y fotovoltaica
El fotodiodo PIN fue inventado por Jun-ichi Nishizawa y sus colegas en 1950.
Fotodiodos PIN se utilizan en las tarjetas de red de fibra ptica y los
interruptores. Como una foto detectora, el diodo PIN est polarizado
inversamente. En polarizacin inversa, el diodo normalmente no realiza. Un
fotn entrar en la regin intrnseca libera un portador. El campo de polarizacin
inversa barre el portador fuera de la regin y crea una corriente. Algunos
detectores pueden usar la multiplicacin de avalancha.
La clula fotovoltaica PIN funciona en el mismo mecanismo. En este caso, la
ventaja de utilizar una estructura PIN por unin semiconductora convencional
es la respuesta de longitud de onda ms larga de la primera. En caso de
irradiacin de longitud de onda larga, los fotones penetran profundamente en la
clula. Pero slo los pares electrn-hueco generados en y cerca de la regin de
agotamiento contribuyen a la generacin actual. La regin de agotamiento de
una estructura PIN extiende a travs de la regin intrnseca, profundamente en
el dispositivo. Esta anchura agotamiento general permite la generacin de par
electrn-hueco profundo en el dispositivo. Esto aumenta la eficiencia cuntica
de la clula.
Normalmente, las clulas de silicio de pelcula delgada amorfa utilizan
estructuras PIN. Por otro lado, las clulas de CdTe utilizan estructura NIP, una
variacin de la estructura PIN. En una estructura de NIP, una capa intrnseca
CdTe se intercala por n-dopado CdS y p-dopado CnTe. Los fotones inciden
sobre la capa de n-dopado a diferencia de un diodo PIN.
Un fotodiodo PIN tambin puede detectar los rayos X y gamma, fotones de
rayos.









3.1.5 DIODO SCHOTTKY
A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una unin PN, el diodo
schottky tiene una unin Metal-N.

Estos diodos se caracterizan por su velocidad de conmutacin, una baja cada
de voltaje cuando estn polarizados en directo (tpicamente de 0.25 a 0.4
voltios).
El diodo Schottky est ms cerca del diodo ideal que el diodo semiconductor
comn pero tiene algunas caractersticas que hacen imposible su utilizacin en
aplicaciones de potencia.
Estas son:
- El diodo Schottky tiene poca capacidad de conduccin de corriente en
directo (en sentido de la flecha).
Esta caracterstica no permite que sea utilizado como diodo rectificador. Hay
procesos de rectificacin (por ejemplo fuentes de alimentacin) en que la
cantidad de corriente que tienen que conducir en sentido directo es bastante
grande.
- El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente
(VCRR).
El proceso de rectificacin antes mencionado tambin requiere que la tensin
inversa que tiene que soportar el diodo sea grande.

Smbolo del diodo Schottky
Sin embargo el diodo Schottky encuentra gran cantidad de aplicaciones en
circuitos de alta velocidad como en computadoras.
En estas aplicaciones se necesitan grandes velocidades de conmutacin y su
poca cada de voltaje en directo causa poco gasto de energa.
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, se llama as en honor del fsico
alemn Walter H. Schottky.
3.2 DISPOSITIVOS OPTICOS
3.2.1 FOTODIODO
El fotodiodo se parece mucho a un diodo semiconductor comn, pero tiene una
caracterstica que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una cantidad de
corriente elctrica proporcional a la cantidad de luz que lo incide (lo ilumina).
Luz incidente

Sentido de la corriente generada
Esta corriente elctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo y se llama corriente de
fuga.
El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues convierte la luz
en electricidad y esta variacin de electricidad es la que se utiliza para informar que hubo un
cambio en el nivel de iluminacin sobre el fotodiodo.

Imagen original de Wikipedia
Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por l circule la corriente en el sentido de
la flecha (polarizado en sentido directo), la luz que lo incide no tendra efecto sobre l y se
comportara como un diodo semiconductor normal.
La mayora de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad de
luz que lo incide, de manera que su reaccin a la luz sea ms evidente.
A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a
iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo
de respuesta ms pequeo.
Si se combina un fotodiodo con una transistor bipolar, colocando el fotodiodo entre el
colector y la base del transistor (con el ctodo del diodo apuntado al colector del transistor),
se obtiene el circuito equivalente de un fototransistor.



3.2.2 DIODO EMISOR DE LUZ

Si alguna vez ha visto, unas pequeas luces de diferentes colores que se
encienden y apagan, en algn circuito electrnico, ha visto los diodos LED en
funcionamiento.




El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo comn, pero
que al ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz. Existen diodos
LED de varios colores que dependen del material con el cual fueron
construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo, entre otros.
Ver la imagen (original de Wikipedia)


Elctricamente el diodo LED se comporta igual que un diodo de silicio o
germanio.
Si se pasa una corriente a travs del diodo semiconductor, se inyectan
electrones y huecos en las regiones P y N, respectivamente.
Dependiendo de la magnitud de la corriente, hay recombinacin de los
portadores de carga (electrones y huecos). Hay un tipo de recombinaciones
que se llaman recombinaciones radiantes (aqu la emisin de luz).
La relacin entre las recombinaciones radiantes y el total de recombinaciones
depende del material semiconductor utilizado (GaAs, GaAsP, y GaP).
Dependiendo del material de que est hecho el LED, ser la emisin de la
longitud de onda y por ende el
color. Ver la tabla ms abajo
Debe de escogerse bien la
corriente que atraviesa el
LED para obtener una buena
intensidad luminosa y evitar que
este se pueda daar.
El LED tiene un voltaje de
operacin que va de 1.5 V a 2.2 voltios aproximadamente y la gama de
corrientes que debe circular por l est entre los 10 y 20 miliamperios (mA) en
los diodos de color rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA) para los
otros Leds.
Los diodos LED tienen enormes ventajas sobre las lmparas indicadoras
comunes, como su bajo consumo de energa, su mantenimiento casi nulo y con
una vida aproximada de 100,000 horas.
El diodo LED debe ser protegido. Una pequea cantidad de corriente en
sentido inverso no lo daar, pero si hay picos inesperados puede daarse.
Una forma de protegerlo es colocar en paralelo con el diodo LED pero
apuntando en sentido opuesto un diodo de silicio comn.
Aplicaciones tiene el diodo LED. Se utiliza ampliamente en aplicaciones
visuales, como indicadoras de cierta situacin especfica de funcionamiento.
Ejemplos
- Se utilizan para desplegar contadores
- Para indicar la polaridad de una fuente de alimentacin de corriente continua.
- Para indicar la actividad de una fuente de alimentacin de corriente alterna.
- En dispositivos de alarma, etc.
Las desventajas del diodo LED son que su potencia de iluminacin es tan
baja, que su luz es invisible bajo una fuente de luz brillante y que su ngulo de
visibilidad est entre los 30 y 60. Este ltimo problema se corrige con
cubiertas difusoras de luz.
Con los ltimos adelantos, en los diodos LED de alta luminosidad, este
problema prcticamente ha quedado en el pasado.











3.2.3 DIODO LASER
La palabra LASER proviene de las siglas en ingls: LightAmplification
by Stimulated Emission of Radiation
Que significa:
Amplificacin de luz por Emisin estimulada de radiacin
Lo anterior se refiere a un extrao proceso cuntico, donde la luz caracterstica
emitida por electrones cuando pasan de un estado de alta energa a un estado
de menor energa, estimula a otros electrones para crear "saltos" similares.
El resultado es una luz sincronizada que sale del material.
Otra caracterstica importante es que la luz emitida no slo tiene la misma
frecuencia (color), sino tambin la misma fase. (Tambin est sincronizada).
Este es el motivo por el cual luz lser se mantiene enfocada an a grandes
distancias.


En el caso de una fuente de luz blanca comn, esta genera todos los diferentes
colores (a sus respectivas frecuencias) en forma de rayos dispersos (van en
diferentes direcciones) y no estn en fase. En el caso de una fuente de luz
lser todos los rayos son del mismo color (monocromticos) o lo que es lo
mismo, tienen la misma frecuencia y estn en fase.
Nota: los colores del grfico no guardan relacin con los colores ni la frecuencia
que irradia la luz en la realidad.
El diodo Lser
El diodo lser se obtuvo como resultado de la continuacin del desarrollo
del diodo LED.
Los diodos LED comunes, irradian una sola luz (son monocromticos), una sola
frecuencia, pero no estn en fase y se propagan en forma dispersa. En cambio
los diodos LASER, producen una luz coherente. Esta luz no slo es
monocromtica (un solo color), sino que es monofsica (estn en fase),
resultando en un rayo de luz muy preciso.
Los diodos LASER tienen una gran cantidad de aplicaciones, lectura y escritura
de discos pticos, donde slo un rayo de luz muy angosto puede ver un rea
microscpica en la superficie de un disco. Para mediciones precisas en donde
es indispensable un rayo de luz que no se disperse.
Algunos diodos lser requieren de circuitos que generen pulsos de
alta potencia, para entregar grandes cantidades de voltaje y corriente en
pequeos instantes de tiempo. Otros diodos lser necesitan de un
funcionamiento continuo pero a menor potencia.
Con el envejecimiento los diodos lser podran necesitar ms corriente para
generar la misma potencia entregada. Pero no hay que olvidarse que estos
elementos tienen una vida muy larga.

















3.2.4 CELDA FOTOVOLTAICA







La palabra fotovoltaica se compone de dos trminos: Foto = Luz, Voltaica =
Electricidad. Es un dispositivo que convierte directamente la luz solar en
electricidad.
Las celdas fotovoltaicas estn hechas de materiales especiales
llamados semiconductores tales como el silicio, que es el material ms usado.
Cuando la luz solar choca en la celda una cierta porcin de ella es absorbida
dentro del material semiconductor. Esto significa que la energa de la luz
absorbida es transferida al semiconductor. La energa golpea los electrones
libres permitindoles fluir libremente.
Todas celdas fv tienen uno o ms campos elctricos que actan para forzar a
los electrones liberados por la accin de la luz para fluir en una cierta direccin.
Este flujo de electrones es una corriente y poniendo los contactos de metal en
la parte superior e inferior de la celda fv podemos dibujar la corriente para
usarla externamente. Esta corriente junto con el voltaje de celda, define la
potencia que puede entregar la celda solar.
El silicio tiene algunas propiedades qumicas especiales, sobre todo en su
forma cristalina. Un tomo de silicio tiene 14 electrones dispuestos en tres
capas diferentes. Las primeras dos capas, las ms cercanas al centro estn
completamente llenas. La capa exterior slo est semi llena, por cuanto tiene
slo cuatro electrones. Un tomo de silicio siempre buscar llenar su ltima
capa con 8 electrones. Para hacer esto compartir cuatro electrones de su
tomo vecino. Este proceso forma la estructura cristalina y esta estructura
resulta ser importante para este tipo de celdas fv. Este silicio puro no sirve
como conductor, por eso se utiliza silicio con impurezas. Normalmente se
utilizan estructuras de silicio con fsforo ya que este al tener 5 electrones, deja
uno libre no atado a la estructura. Al aplicar energa, por ejemplo en forma de
calor, este electrn es liberado de su posicin ms fcilmente que en una
estructura de silicio puro. Este proceso de agregar impurezas al silicio, se
denomina Dopping. Cuando al silicio se le hace doping con fsforo resulta un
silicio llamado tipo-N, porque prevalecen los electrones libres. El silicio tipo-N
es mucho mejor conductor que el silicio puro.
Cuando al silicio se le hace doping con boro, el cual tiene 3 electrones en la
ltima capa, se denomina silicio tipo-P. El silicio tipo-P, en lugar de tener
electrones libres tiene huecos libres. Los huecos son ausencia de electrones,
llevando as carga opuesta a la del electrn, es decir carga positiva. Estos se
mueven igual como lo hacen los electrones.
Las celdas fv sin un campo elctrico no funcionaran. Este campo elctrico lo
podemos formar al poner en contacto un silicio tipo-N y un silicio tipo-P. En la
juntura se produce una barrera que hace difcil que los electrones del lado N
crucen hacia el lado P, tenemos un campo elctrico que separa los 2 lados.
Este campo acta como un diodo permitiendo con ayuda de la aplicacin de
energa externa los electrones fluyan desde el lado P al N.
Cuando la luz en forma de fotn choca con nuestra celda, libera pares de
electrn-hueco. Cada fotn liberar exactamente un electrn dejando un
agujero libre. Si esto sucede lo bastante cerca del campo elctrico, este har
que se envi un electrn al lado N y un hueco al lado P. Esto provoca la ruptura
de la neutralidad elctrica. Si adems se le proporciona un camino externo, los
electrones fluirn hacia su lado original (Lado tipo-P) para unirse con los
agujeros.
Los electrones que fluyen constituyen la corriente y el campo elctrico de la
celda constituye el voltaje. Con la corriente y voltaje tenemos la potencia de la
celda.
Cunta energa solar absorbe la celda fv?
La mayora de las celdas pueden absorber alrededor del 25% y con mayor
probabilidad 15% o menos. Esto es porque la luz visible es slo una parte del
espectro electromagntico. Y la radiacin electromagntica no es
monocromtica. La luz puede
ser separada en diferentes
longitudes de onda.

La luz que golpea tiene fotones
con una gran variedad de
energa, resulta que algunos no
tienen la energa suficiente para
formar el par electrn hueco.
Mientras que otros fotones
tienen mucho ms energa.
Slo se requiere una cierta
cantidad de energa medida en electrn-volt para golpear un electrn libre (para
el caso del silicio cristalino se requiere 1.1 eV). A esto se le llama banda de
intervalo de energa de un material. (Band gap energy)

La banda ptima de
intervalo de energa es
1.4 eV para una celda
hecha de un material
simple.
Existen otras prdidas,
como lo es la resistencia
interna de la celda
llamada resistencia serie. Para minimizar estas prdidas la celda es cubierta
por un a grilla metlica, sobre la grilla se coloca una cubierta antirreflectora y
sobre esta una cubierta de vidrio como proteccin. Esto reduce las prdidas en
un 5%.

Otros Materiales
Existe tambin el silicio poli
cristalino, pero no es ms
eficiente que el silicio cristalino.
Estos materiales tienen
diferentes intervalos de bandas y
parecen estar sintonizados a
diferentes longitudes de onda o a
fotones con diferentes energas.
Se ha probado que el uso de dos
o ms capas de diferentes materiales con diferentes intervalos de bandas de
energa resulta ser muy eficiente. El material con mayor banda se coloca en la
superficie y ms abajo los que requieren fotones con menor energa. Estas
celdas reciben el nombre de multijuntiras, y pueden tener ms de un campo
elctrico.
Materiales densamente cristalinos
Simple silicio cristalino--Rebanado desde simple cristal de silicio crecido,
estas celdas son tienen un grosor de 200 micrones. La celda investigada ha
alcanzado un 24% de eficiencia, los mdulos comerciales exceden el 15%.
Silicio Policritalino--Rebanado de bloques del molde de silicio, estas celdas
son menos caras para fabricar y menos eficientes que las celdas de simples de
cristal de silicio. Las celdas investigadas alcanzan un 18% de eficiencia y los
mdulos comerciales alcanzan un 14%.
Redes Dendrticas--Una pelcula de cristales simples de silicio sacado desde
Silicio fundido, como una burbuja de jabn, entre dos cristales dendrticos.
Arseniuro Galio (GaAs)
Un material semiconductor III-V desde los cuales hacen celdas FV de gran
eficiencia, son usados en sistemas de concentradores y en sistemas de
potencia espacial. Investigaciones dicen que alcanzan 25% de eficiencia bajo
luz solar y 28% bajo luz solar concentrada. Las celdas de multijuntura estn
basadas en GaAs y relacionadas con aleaciones III-V han excedido el 30% de
eficiencia.
Materiales de pelcula delgada
Silicio Amorfo (a-Si)
El silicio amorfo que es una estructura no cristalina. Primer uso en materiales
FV en 1974. En 1996, el silicio amorfo constituy ms del 15% de la produccin
mundial de FV. Pequeos mdulos experimentales de Si-a superan el 10% de
eficiencia, en los mdulos comerciales se alcanza un rango entre el 5-7%.
Usado en productos de consumo, el Si-a es la gran promesa para la
construccin de sistemas integrados, reemplazando los vidrios tintados con
mdulos semi-transparentes.
Telururo de Cadmio (CdTe)
Una delgada pelcula de material poli cristalino, depositado por
electrodeposicin. Pequeos laboratorios se han acercado al 16% de
eficiencia, y con un mdulo comercial de tamao (7200-cm
2
) midieron 8.34%
de eficiencia, y produccin de mdulos de 7%.
Di seleniuro de Cobre Indio (CuInSe2, or CIS)
Una pelcula de material poli cristalino, el cual alcanza una eficiencia de 17.7%,
en 1996, con un prototipo mdulo de potencia alcanza los 10.2%. La dificultad
en tomar esta tecnologa es la dificultad de evitar la formacin de defectos
durante la deposicin que previene la formacin de capas uniformes.
Concentradores
El sistema de concentradores usa lentes para focalizar la luz dentro de las
celdas solares. Los Lentes, con un radio de concentracin de 10x to 500x,
tpicamente focos lineales o puntuales. Las celdas son usualmente de silicio.
Las celdas GaAs y otros materiales tienen alta eficiencia conversin a altas
temperaturas, pero ellos son muy caros. La eficiencia de los mdulos supera el
17%, y concentradores estn diseados para una eficiencia de conversin que
supera el 30%.
Los Reflectores pueden ser usados para aumentar la salida de potencia,
aumentando la intensidad de la luz en los mdulos, o prolongar su tiempo.
Sistema de Concentradores: Las lentes no pueden centrar la luz dispersada,
limitando su uso de reas, como reas del desierto, con un nmero substancial
de das despejados en el ao.

3.2.5 FOTO RESISTOR
Una fotorresistencia o resistor dependiente de la luz es una resistencia cuyo
valor disminuye con el aumento de la intensidad de la luz incidente, es decir,
presenta fotoconductividad.
Un foto resistor est hecho de un semiconductor de alta resistencia. Si la luz
que incide en el dispositivo es de frecuencia lo suficientemente alta, los fotones
absorbidos por el semiconductor dar electrones ligados energa suficiente para
saltar a la banda de conduccin. La resultante de electrones libres conduce la
electricidad, lo que reduce la resistencia.
Un dispositivo fotoelctrico puede ser intrnseca o extrnseca. Un
semiconductor intrnseco tiene sus propios portadores de carga y no es un
semiconductor eficiente, por ejemplo, de silicio. En dispositivos intrnsecos los
nicos electrones disponibles estn en la banda de valencia, y por lo tanto el
fotn debe tener energa suficiente para excitar el electrn a travs de toda la
banda prohibida. Dispositivos extrnsecos tienen impurezas, tambin llamados
dopantes, aadi cuya planta estatal de energa est ms cerca de la banda de
conduccin, ya que los electrones no tienen medida que saltar, fotones de
menor energa son suficientes para activar el dispositivo. Si una muestra de
silicio tiene algunos de sus tomos reemplazados por tomos de fsforo, habr
exceso de electrones disponibles para la conduccin. Este es un ejemplo de un
semiconductor extrnseco. Foto resistores son bsicamente fotoclulas.
Especificacin y modelo
Hay muchos tipos de fotorresitores, con diferentes especificaciones y los
modelos. Foto resistores se pueden recubrir con o empaquetados en diferentes
materiales que varan la resistencia, dependiendo del uso para cada LDR.
Aplicaciones
Foto resistores vienen en muchos tipos. Clulas de sulfuro de cadmio baratos
se pueden encontrar en muchos productos de consumo, tales como cmara
mide la luz, farolas, radio reloj, dispositivos de alarma, relojes al aire libre,
farolas solares y clavos de carretera
Solar
, etc.
Tambin se utilizan en algunos compresores dinmicos junto con una pequea
lmpara incandescente o diodo emisor de luz para controlar la reduccin de
ganancia y tambin se utilizan en lmparas de la cama, etc.