Apostila Eletronica Mod - II PDF

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ESCOLA DE EDUCAO PROFISSIONAL SENAI PLNIO GILBERTO KROEFF
Manuteno de Circuitos
Eltricos
Mdulo II
Material didtico desenvolvido para o curso
Tcnico em Eletrnica
Fbio de Castro Pea, Gabriel de Abreu Fernandes Rosa
SENAI-RS SERVIO NACIONAL DE APRENDIZAGEM INDUSTRIAL

DEPARTAMENTO REGIONAL DO RIO GRANDE DO SUL
SENAI/CETEMP - Tcnico em Eletrnica
3
CONSELHO REGIONAL
Presidente Nato
Heitor Jos Mller Presidente do Sistema FIERGS
Conselheiros Representantes das Atividades Industriais - FIERGS

Titulares
Suplentes
Ademar De Gasperi
Pedro Antnio Leivas Leite
Paulo Vanzzeto Garcia
Astor Milton Schmitt
Arlindo Paludo
Eduardo R. Kunst
Ricardo Wirth
Nelson Eggers
Representantes do Ministrio da Educao

Titular
Antnio Carlos Barum Brod
Suplente
Renato Louzada Meireles
Representante do Ministrio do Trabalho e Emprego

Titular
Leonor da Costa
Suplente
Flvio Prcio Zacher
Representante dos Trabalhadores

Titular
Jurandir Damin
Suplente
Enio Klein
Diretor Regional e Membro Nato do Conselho Regional do SENAI-RS

Jos Zortea
DIRETORIA SENAI-RS
Jos Zortea Diretor Regional
Carlos Artur Trein Diretor de Operaes
Carlos Heitor Zuanazzi Diretor Administrativo e Financeiro
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SUMRIO
INTRODUO ...................................................................................................................................................... 6
CAPTULO I .......................................................................................................................................................... 7
1.3.2 Principais caractersticas operacionais ................................................................................... 12
1.4.2
Principais caractersticas operacionais ..................................................................... 14
2.1 SEMICONDUTOR INTRNSECO ........................................................................................................... 23
1.1
SEMICONDUTOR EXTRNSECO ............................................................................................. 26
1.1.1
Semicondutor tipo N ..................................................................................................... 26
1.1.2
Semicondutor tipo P ..................................................................................................... 27
1.2
JUNO PN.......................................................................................................................... 28
1.2.1
Juno PN com polarizao reversa ......................................................................... 28
1.2.2
Juno PN com polarizao direta ............................................................................ 29
1.3
DIODO DE JUNO ............................................................................................................... 30
1.3.1
Curva caracterstica do diodo ..................................................................................... 30
1.3.2
Diodo polarizado diretamente ..................................................................................... 32
1.3.3
Diodo polarizado reversamente.................................................................................. 32
1.3.4
Modelos (circuitos equivalentes) para diodo ............................................................ 33
1.3.5
Teste de diodos ............................................................................................................ 36
2
APLICAES DE DIODOS SEMICONDUTORES ............................................................................. 37

2.1
2.2
2.3
2.3.1
2.3.2
2.4
2.5
2.6
2.7
TRANSISTORES BIPOLARES .............................................................................................................. 51

3.1
3.1.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.7.1
3.7.2
3.8
3.8.1
3.8.2
CONSTRUO BSICA E PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO ................................................... 51

Funcionamento ............................................................................................................. 52
OPERAO DO TRANSISTOR ................................................................................................ 52
CURVAS CARACTERSTICAS DE COLETOR ........................................................................... 55
REGIES DE OPERAO: RETA DE CARGA .......................................................................... 56
POTNCIA DISSIPADA: DISSIPADORES ................................................................................. 60
CONEXO DARLINGTON ....................................................................................................... 61
CIRCUITOS DE POLARIZAO............................................................................................... 61
Polarizao por corrente de base constante ............................................................ 62
Polarizao por divisor de tenso na base ............................................................... 62
REGULADORES DE TENSO ................................................................................................. 65
Regulador de tenso em srie ................................................................................... 65
Reguladores de tenso integrados de trs terminais .............................................. 66
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO ............................................................................................... 70

4.1
4.1.1
4.1.2
4.1.3
4.2
4.2.1
4.2.2
4.2.3
RETIFICADOR DE MEIA ONDA ............................................................................................... 38

RETIFICADOR DE MEIA ONDA COM FILTRO CAPACITIVO ....................................................... 40
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA...................................................................................... 41
Retificador de onda completa com center tap .......................................................... 42
Retificador de onda completa em ponte ................................................................... 44
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA COM FILTRO CAPACITIVO ............................................. 46
PONTE RETIFICADORA COMO COMPONENTE ....................................................................... 47
DOBRADOR DE MEIA ONDA................................................................................................... 47
DIODO ZENER ...................................................................................................................... 48
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE JUNO ................................................................ 70

Curvas caractersticas de dreno ................................................................................. 72
Curva caracterstica de transferncia ........................................................................ 73
Exemplo de JFET comercial ....................................................................................... 74
TRANSISTOR MOSFET ....................................................................................................... 75
Funcionamento do MOSFET tipo crescimento ........................................................ 76
Funcionamento do MOSFET tipo depleo ............................................................. 79
MOSFET de potncia................................................................................................... 81
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS .................................................................................................. 82

5.1
5.2
TERMINAIS DE ENTRADA E RESPOSTA ASSOCIADA .............................................................. 84

CARACTERSTICAS PRINCIPAIS DOS APLIFICADORES OPERACIONAIS ................................ 85
5
5.3
5.4
5.5
5.5.1
5.5.2
5.5.3
5.5.4
5.5.5
5.5.6
5.6
5.6.1
5.6.2
5.6.3
5.6.4
5.7
6
CARACTERSTICAS DE TRANSFERNCIA DOS AMPLIFICADORES OPERACIONAIS ............... 90

AMPLIAO DA REGIO LINEAR DE OPERAO ................................................................... 91
CIRCUITOS COM AMPLIFICADORES OPERACIONAIS ............................................................ 92
Amplificador Inversor ................................................................................................... 92
Amplificador No Inversor ........................................................................................... 94
Amplificador Seguidor de Tenso .............................................................................. 96
Amplificador Somador .................................................................................................. 97
Amplificador Subtrator ................................................................................................. 99
Comparadores de tenso ............................................................................................ 99
CIRCUITOS OSCILADORES ................................................................................................. 102
Oscilador senoidal em Ponte de Wien com Amplificador Operacional .............. 102
Oscilador de onda quadrada com Amplificador Operacional ............................... 103
Gerao de sinais triangulares ................................................................................. 103
Circuito Integrado temporizador 555 ....................................................................... 104
MODULAO POR LARGURA DE PULSO (PWM PULSE W IDTH MODULATION).............. 109
SENSORES ............................................................................................................................................. 110

6.1
6.1.1
6.1.2
6.1.3
6.1.4
6.1.5
6.1.6
6.2
6.2.1
6.2.2
6.3
6.3.1
6.3.2
6.3.3
6.4
6.4.1
SENSORES DE PRESENA.................................................................................................. 111

Reedswitch .................................................................................................................. 111
Microchaves ................................................................................................................ 111
Sensores de presena Indutivos .............................................................................. 112
Sensores de presena Capacitivos ......................................................................... 113
Sensores ticos.......................................................................................................... 114
Sensores Ultra-snicos .............................................................................................. 115
SENSORES DE TEMPERATURA ........................................................................................... 116
Termorresistncias ..................................................................................................... 116
Termopares ................................................................................................................. 118
SENSORES DE PRESSO .................................................................................................... 119
Sensores de presso capacitivos ............................................................................ 120
Sensores de presso piezo eltricos ....................................................................... 120
Sensores de presso indutivos ................................................................................ 121
SENSORES DE LUMINOSIDADE ........................................................................................... 121
LDR ............................................................................................................................... 122
6
Introduo
Manuteno de Circuitos Eltricos:
a unidade curricular que compe o currculo, no 2 mdulo do curso de eletrnica,
constituda, numa viso interdisciplinar, por conjuntos coerentes e significativos de
fundamentos tcnicos e cientficos ou capacidades tcnicas, capacidades sociais,
organizativas e metodolgicas, conhecimentos, habilidades e atitudes profissionais,
independentes em termos formativos e de avaliao durante o processo de aprendizagem.
Nesta unidade curricular, os alunos tero que manter circuitos eletrnicos analgicos
atravs da elaborao de planos de manuteno, atendendo as especificaes do
fabricante; elaborao de diagramas eletrnicos, utilizando ferramentas de desenho assistido por
computador; montagem de placas eletrnicas, atendendo as especificaes do projeto;
Instalao e manuteno de circuitos eletrnicos analgicos, atendendo as especificaes
do projeto, desenvolvendo a logstica e realizando o comissionamento; aplicao de normas
tcnicas e especificaes de catlogos, manuais e tabelas na instalao de sistemas
eletrnicos.
7
CAPTULO I
1 Medidas eltricas e instrumentos de medio
1.1 Conceitos bsicos
Medir estabelecer uma relao numrica entre uma grandeza e outra, de

mesma espcie, tomada como unidade. Medidas eltricas s podem ser realizadas
com a utilizao de instrumentos medidores, que permitem a quantificao de
grandezas cujo valor no poderia ser determinado atravs dos sentidos humanos.
Padro a grandeza que serve de base ou referncia para a avaliao da
quantidade ou da qualidade da medida; deve ser estabelecido de tal forma que
apresente as seguintes caractersticas:
permanncia, significando que o padro pode se alterar com o passar do
tempo nem com a modificao das condies atmosfricas;
reprodutibilidade, que a capacidade de obter uma cpia fiel do padro.
Erros so inerentes a todo o tipo de medidas e podem ser minimizados, porm
nunca completamente eliminados. Em medidas eltricas, costuma-se considerar trs
categorias de erros:
a) Grosseiros
So sempre atribudos ao operador do equipamento e, de uma maneira geral,
pode-se dizer que resultam da falta de ateno. A ligao incorreta do instrumento, a
transcrio equivocada do valor de uma observao ou o erro de paralaxe so
alguns exemplos.
Esses erros podem ser minimizados atravs da repetio atenta das medidas,
seja pelo mesmo observador ou por outros.
b) Sistemticos
Devem-se a deficincias do instrumento ou do mtodo empregado e s
condies sob as quais a medida realizada. Costuma-se dividi-los em duas
categorias:
instrumentais: inerentes aos equipamentos de medio, tais como escalas
mal graduadas, oxidao de contatos, desgaste de peas e descalibrao; podem
ser minimizados usando-se instrumentos de boa qualidade e fazendo-se sua
manuteno e calibrao adequadas.
ambientais, que se referem s condies do ambiente externo ao aparelho,
incluindo-se aqui fatores tais como temperatura, umidade e presso, bem como a
existncia de campos eltricos e/ou magnticos; para diminuir a incidncia desses
erros pode-se trabalhar em ambientes climatizados e providenciar a blindagem dos
aparelhos em relao a campos eletromagnticos.
c) Aleatrios
Tambm chamados erros acidentais, devem-se a fatores imponderveis
(incertezas), como a ocorrncia de transitrios em uma rede eltrica ou outros rudos
8
eltricos. Como no podem ser previstos, sua limitao impossvel.

No tratamento de erros, os termos exatido e preciso - embora sejam muitas
vezes usados como sinnimos - tm significado diferentes:
Exatido: a propriedade que exprime o afastamento que existe entre o valor
lido no instrumento e o valor verdadeiro da grandeza que se est medindo.
Preciso: caracterstica de um instrumento de medio, determinada atravs
de um processo estatstico de medies, que exprime o afastamento mtuo entre as
diversas medidas obtidas de uma grandeza dada, em relao mdia aritmtica
dessas medidas. A preciso , portanto, uma qualidade relacionada com a
repetibilidade das medidas, isto , indica o grau de espalhamento de uma srie de
medidas em torno de um ponto.
Para ilustrar a diferena, imagine-se um atirador tentando atingir um alvo, como
ilustrado na Figura 1.1. Em (a) no houve exatido nem preciso por parte do
atirador; em (b) pode-se dizer que o atirador foi preciso, pois todos os tiros atingiram
a mesma regio do alvo, porm no foi exato, j que esta regio est distante do
centro; em (c) conclui-se que o atirador foi exato, alm de preciso.
2.1 - Exemplo da relao entre exatido e

preciso.
Voc sabia? A preciso um pr-requisito da exatido,
embora o contrrio no seja verdadeiro. Assim, dizer que um

instrumento preciso no implica, necessariamente, que seja exato.
1.2 Classificao dos instrumentos de medidas eltricas
Os instrumentos de medidas eltricas podem ser classificados de vrias

formas, de acordo com o aspecto considerado. Os principais aspectos so:
a) Quanto grandeza a ser medida:
ampermetro: para a medida de corrente;
voltmetro: adequado para a medida de tenso;
wattmetro: capaz de medir potncia ativa;
varmetro: para a medida de potncia reativa;
fasmetro (ou cosifmetro): apropriado para a medida de defasagem (cos );
ohmmetro: para a leitura de resistncia;
capacmetro: capaz de medir capacitncia;
9
frequencmetro: que mede frequncia, etc.

Muitos desses instrumentos so especificados para operao em corrente
contnua (CC) ou corrente alternada (CA).
b) Quanto forma de apresentao dos resultados:
analgicos, nos quais a leitura feita de maneira indireta, usualmente atravs
do posicionamento de um ponteiro sobre uma escala, como o mostrado na figura
1.2a;
digitais, que fornecem a leitura diretamente em forma alfa-numrica num
display, exemplificado na figura 1.2b.
2.2 - Exemplos de multmetros: (a)

analgico (Minipa Mod. ET-3021); (b)
digital (Fluke Mod. MT330).
Os instrumentos digitais ganham a cada dia destaque entre os dispositivos de

medidas eltricas. Dois fatores so apontados para seu sucesso:
comodidade do operador muito mais fcil ler o resultado diretamente no
display do que deduzi-lo a partir da posio de um ponteiro sobre uma escala;
queda dos preos nos ltimos anos o custo dos instrumentos digitais
reduziu-se vertiginosamente.
No entanto, a utilizao de medidores analgicos ainda muito intensa devido
a fatores tais como:
grande nmero de instrumentos de oficinas e painis de controle de indstrias
ainda tm por base instrumentos analgicos;
de uma maneira geral, instrumentos analgicos so mais robustos que os
digitais, tornando aqueles mais apropriados em determinadas situaes;
em algumas aplicaes onde h variaes rpidas da grandeza a ser medida
(VU meters, por exemplo), mais interessante observar o movimento de um ponteiro
do que tentar acompanhar a medida atravs de dgitos.
c) Quanto capacidade de armazenamento das leituras:
indicadores, capazes de fornecer somente o valor da medida no instante em
que a mesma realizada;
registradores, capazes de armazenar certo nmero de leituras;
10
totalizadores, que apresentam o valor acumulado da grandeza medida.

A Figura 1.3 mostra exemplos desses instrumentos.
2.3 - Exemplos de instrumentos classificados quanto sua

capacidade de armazenamento de leituras: (a) indicador; (b)
registrador; (c) totalizador.
d) Quanto ao princpio fsico utilizado para a medida:

bobina mvel;
ferro mvel;
ferrodinmico;
bobinas cruzadas;
indutivo;
ressonante;
eletrosttico.
Esses tipos de medidores so tipicamente analgicos; os aparelhos digitais utilizam
majoritariamente circuitos eletrnicos comparadores.
e) Quanto finalidade de utilizao:
para laboratrios: aparelhos que primam pela exatido e preciso
industriais: embora no sejam necessariamente to exatos quanto os de
laboratrio, tm a qualidade da robustez, mostrando-se apropriados para o trabalho
dirio sob as mais diversas condies.
f) Quanto portabilidade:
de painel, fixos;
de bancada, portteis.
11
1.3 Instrumentos Analgicos
O instrumento analgico tem como fundamentao bsica a medida de

corrente (ampermetro); adaptaes feitas neste medidor permitem que seja usado
para a medida de outras grandezas, como tenso e resistncia.
1.3.1 Caractersticas construtivas
Os instrumentos analgicos baseiam sua operao em algum tipo de fenmeno
eletromagntico ou eletrosttico, como a ao de um campo magntico sobre uma
espira percorrida por corrente eltrica ou a repulso entre duas superfcies
carregadas com cargas eltricas de mesmo sinal. So, portanto, sensveis a campos
eltricos ou magnticos externos, de modo que muitas vezes necessrio blind-los
contra tais campos.
O mecanismo de suspenso a parte mais delicada de um instrumento
analgico. ele quem promove a fixao da parte mvel (geralmente um ponteiro) e
deve proporcionar um movimento com baixo atrito.
A escala um elemento importante nos instrumentos analgicos, j que
sobre ela que so feitas as leituras. Entre suas muitas caractersticas podem-se
ressaltar as seguintes:
Fundo de escala ou calibre: o mximo valor que determinado instrumento
capaz de medir sem correr o risco de danos.
Linearidade: caracterstica que diz respeito maneira como a escala
dividida. Quando a valores iguais correspondem divises iguais, diz-se que a escala
linear (como as apresentadas na figura 1.4), caso contrrio, a escala chamada
no-linear, como a que aparece acima do espelho da Figura 1.5.
Posio do zero: a posio de repouso do ponteiro, quando o instrumento no
est efetuando medidas (zero) pode variar muito: zero esquerda, zero direita,
zero central, zero deslocado ou zero suprimido (aquela que inicia com valor maior
que zero). Na Figura 1.4 so mostrados alguns tipos de escalas que se diferenciam
quanto posio do zero.
2.4 - Classificao de escalas de acordo com a posio do

zero: (a) zero direita; (b) zero central; (c) zero
suprimido; (d) zero deslocado.
12
Costuma-se explicitar a posio do zero atravs da designao da escala. Por

exemplo:
0 200 mA Miliampermetro, escala com zero esquerda.
120 0 120 V - Voltmetro, escala com zero central.
40 0 200 V Voltmetro, escala com zero deslocado.
10 200 Ampermetro, escala com zero suprimido.
Correo do efeito de paralaxe: muitos instrumentos possuem um espelho
logo abaixo da escala graduada, como mostrado na Figura 1.5; neste caso, a
medida dever ser feita quando a posio do observador tal que o ponteiro e sua
imagem no espelho coincidam.
2.5 - Espelho para correo do erro

de paralaxe.
1.3.2 Principais caractersticas operacionais

Sensibilidade: todos os instrumentos analgicos possuem uma resistncia
interna, devida existncia dos enrolamentos, conexes e outras partes; portanto,
quando inseridos em um circuito, esses aparelhos causam uma mudana na
configurao original.
A sensibilidade (S) uma grandeza que se relaciona resistncia interna dos
instrumentos; no caso de medidores analgicos, ela calculada tomando-se como
base a corrente necessria para produzir a mxima deflexo no ponteiro (I mx).
Ento:
Considerando a Lei de Ohm, para a qual

dada em ohms por volts (/V).
, deduz-se que a sensibilidade
Quanto maior for a sensibilidade de um instrumento, melhor este ser. De uma

maneira geral, os instrumentos de bobina mvel so aqueles que apresentam
melhor sensibilidade entre os medidores analgicos, podendo atingir valores da
ordem de 100K/V.
Resoluo: determina a capacidade que tem um instrumento de diferenciar
13
grandezas com valores prximos entre si. No caso de instrumentos analgicos, a

diferena entre esses valores dada por duas divises adjacentes em sua escala.
Tenso de prova: simbolizada por uma estrela encerrando um algarismo, o
qual indica a tenso (em KV) que deve ser aplicada entre a carcaa e o instrumento
de medida para testar a isolao do aparelho (figura 1.6). Na ausncia de algarismo,
a tenso de prova igual a 500V.
2.6 - Smbolo da tenso de prova.
1.4 Instrumentos Digitais

Se nos instrumentos analgicos o modelo bsico o ampermetro, a operao
dos aparelhos digitais tem como fundamento a medida de tenso (voltmetro). A
alterao da configurao inicial permite que sejam medidas outras grandezas,
como corrente, resistncia, frequncia, temperatura e capacitncia.
1.4.1 Caractersticas construtivas
A caracterstica bsica dos instrumentos digitais a converso dos sinais
analgicos de entrada em dados digitais. Esta converso tambm chamada
anlogico-digital ou A-D.
A parte mais evidente em um instrumento digital seu display (visor), que pode ser
de 2 tipos:
a) Display de LEDs, dispositivos semicondutores capazes de emitir luz quando
percorridos por corrente eltrica. Esses displays tm fundo escuro, para proporcionar
maior destaque ao brilho dos LEDs.
b) Display de cristal lquido (LCD), constitudos por duas lminas transparentes
de material polarizador de luz, com eixos polarizadores alinhados
perpendicularmente entre si; entre as lminas existe uma soluo de cristal lquido,
cujas molculas podem se alinhar sob a ao da corrente eltrica, impedindo a
passagem da luz.
A Figura 1.7 mostra alguns modelos desses displays acima mencionados.
2.7 - Exemplos de displays de LEDs e

de cristal lquido (LCD).
14
A Tabela a seguir apresenta as principais vantagens e desvantagens de cada

um desses tipos de display. O conhecimento dessas caractersticas pode auxiliar na
tomada de deciso sobre qual tipo de visor mais adequado s condies da
medida.
Tipo
LED
LCD
Vantagens
pode
ser
visualizado
virtualmente de qualquer ngulo;
proporciona leituras mais fceis
distncia;
via de regra mais durvel que
os LCDs;
pode ser usado em ambientes
com
pouca luz;
seu tempo de resposta varia
muito pouco com a temperatura
ambiente;
pode ser usados em condies
ambientais mais adversas.
permite leituras em ambientes
externos, mesmo sob incidncia
direta de luz solar;
consumo de energia muito
baixo.
Desvantagens
consumo de energia mais

elevado que os LCDs;
difcil leitura sob a luz solar.
uso em ambientes com pouca luz

exige
iluminao
de
fundo
(Backlight);
tempo de resposta decresce em
baixas temperaturas.
1.4.2 Principais caractersticas operacionais

Resoluo: como no caso dos instrumentos analgicos, esta caracterstica
est relacionada capacidade de diferenciar grandezas com valores prximos entre
si. Em um instrumento digital, a resoluo dada pelo nmero de dgitos ou
contagens de seu display.
Um instrumento com 3 dgitos tem 3 dgitos completos (isto , capazes de
mostrar os algarismos de 0 at 9) e 1 meio dgito, que s pode apresentar 2
valores: 0 (nesse caso o algarismo est apagado) ou 1; portanto, este instrumento
pode contar at 1999. Outro instrumento de 4 dgitos tem maior resoluo, pois
pode apresentar 19999 contagens.
Exatido: de forma semelhante aos instrumentos analgicos, a exatido dos
medidores digitais informa o maior erro possvel em determinada condio de
medio. expresso atravs de percentual da leitura do instrumento. Por exemplo,
se um instrumento digital com 1% de exatido est apresentando uma medida de
100 unidades em seu display, o valor verdadeiro estar na faixa de 99 a 101
unidades.
Categoria: esta caracterstica diz respeito segurana, tanto do instrumento
em si como de seu operador. No basta que a proteo se d pela escolha de
instrumento com escalas com ordem de grandeza suficiente para medir o que se
quer: necessrio levar-se em considerao, ainda, a possibilidade da existncia de
transientes de tenso, que podem atingir picos de milhares de volts em
15
determinadas situaes.
Os instrumentos digitais so hierarquizados em categorias numeradas de I a
IV, cada uma delas abrangendo situaes s quais o medidor se aplica, como
mostra a figura 1.8.
2.8 - Categorias dos instrumentos digitais de medidas eltricas

(Fluke do Brasil).
True RMS: a maioria dos medidores de tenso e corrente fornecem

indicaes bastante exatas quando operam grandezas constantes (CC) ou formas
sinusoidais puras (CA); no entanto deixam a desejar quando a grandeza sob anlise
tem outra forma de onda. Nesse caso, somente os instrumentos classificados com
True RMS daro a indicao exata.
1.5 Instrumentos bsicos de medidas eltricas

Neste trabalho, denominamos bsicos os instrumentos destinados medida das
grandezas eltricas bsicas: corrente e tenso. Outras grandezas eltricas como
potncia, resistncia, e capacitncia podem ser determinadas a partir de
adaptaes feitas nesses medidores bsicos.
1.5.1 Ampermetro
Utilizado para medir intensidade de corrente eltrica, sempre ligado em srie
16
com elemento cuja corrente quer-se medir; isto significa que um condutor dever ser
aberto no ponto de insero do instrumento, como mostra a Figura 1.9a. O smbolo
do ampermetro est mostrado no diagrama esquemtico da Figura 1.9b.
2.9 - Medida de corrente com ampermetro: (a) conexo do

instrumento; (b) diagrama da ligao.
Se a interrupo do circuito impraticvel pode-se usar um ampermetroalicate (figura 1.10), capaz de medir a corrente pelo campo magntico que esta
produz ao passar no condutor.
2.10 - Instrumento digital de alicate.
A resistncia interna de um ampermetro deve ser a menor possvel, a fim de

que o instrumento interfira minimamente no circuito sob inspeo. Um ampermetro
ideal aquele que tem resistncia interna igual a zero, ou seja, equivale a um curtocircuito. Na prtica, a menos que se busque grande exatido em uma medida, podese considerar que os ampermetros so ideais.
Por vezes faz-se necessrio medir correntes de magnitudes superiores s de
fundo de escala do ampermetro; para isso, liga-se em paralelo com o instrumento
um resistor (chamado derivao ou shunt), que desviar a parcela de corrente que
excede o fundo de escala. Este procedimento, chamado multiplicao de escala,
mostrado na figura 1.11a; a figura 1.11b mostra dois tipos de resistores de
derivao.
17
2.11 - Processo de multiplicao de escala de um ampermetro: (a)

esquema de ligao; (b) resistores de derivao (shunt).
Em muitos modelos de ampermetros analgicos deve-se atentar para a

ligao, relativamente ao sentido da corrente, pois uma inverso na mesma far com
que o ponteiro se desloque no sentido errado da escala; quando isso acontece,
devem-se inverter os terminais da conexo.
1.5.2 Voltmetro
Instrumento destinado medida de tenses, o voltmetro deve ser ligado em
paralelo com o elemento cuja tenso quer-se determinar (figuras 1.12a e 1.12b).
2.12 - Medida de tenso com o voltmetro: (a) conexo do

instrumento; (b) diagrama de ligao.
Tambm no caso dos voltmetros possvel a ampliao de escalas, isto ,

utilizar um voltmetro com fundo de escala inferior tenso que se quer medir. Para
tanto, conecta-se em srie com o instrumento um resistor cujo valor seja apropriado
para receber o excesso de tenso (figura 1.13).
A mesma observao relativa ligao dos ampermetros analgicos vale para
os voltmetros: a inverso na conexo do instrumento ocasiona a inverso do sentido
de deslocamento do ponteiro.
18
2.13 - Esquema de ligao para a ampliao de escala de um voltmetro.
1.6 Multmetro
Multmetros ou multitestes como os exemplos apresentados na figura 1.14 so
instrumentos projetados para medir diversas grandezas. Todo o multmetro capaz
de medir, pelo menos, tenso (CC e AC), corrente (normalmente s CC) e
resistncia.
2.14 - Multmetro analgico (esquerda) e digital (direita),

com seus componentes principais.
Multmetros analgicos so baseados nos ampermetros; a insero de

resistores em srie permite a medida de tenso e a adio de uma fonte externa
(uma bateria de 9V, por exemplo), permita que se meam resistncias. Por
conveno, a ponta de prova preta ligada ao terminal (COMUM) e a vermelha ao
terminal + (vivo); alguns instrumentos tm terminais apropriados para medidas
especficas, como por exemplo, valores mais elevados de corrente.
1.7 Osciloscpio
O osciloscpio um instrumento que permite visualizar graficamente sinais
eltricos. Na maioria das aplicaes, o osciloscpio mostra de que forma um
19
determinado sinal eltrico varia no tempo. Neste caso, o eixo vertical (YY)
representa a amplitude do sinal (tenso) e o eixo horizontal (XX) representa o tempo.
A intensidade (ou brilho) do trao por vezes chamada de eixo dos ZZ (figura 1.15).
2.15 - Eixos X-Y-Z num osciloscpio (Tektronics, 1997).
Um grfico deste tipo poder dizer-nos diversas coisas sobre determinado

sinal, tais como:
Permite determinar valores de tenso e temporais de um sinal;
Permite determinar a frequncia de um sinal peridico;
Permite determinar a componente contnua (CC) e alternada (CA) de um
sinal;
Permite detectar a interferncia de rudo num sinal e, por vezes, elimin-lo;
Permite comparar dois sinais num dado circuito, nomeadamente a entrada e a
sada, permitindo tirar as mais variadas concluses, tais como se um dado
componente est avariado.
Outras potencialidades surgem na utilizao do modo xy, bem como nos
osciloscpios digitais, que incorporam muitas funcionalidades adicionais.
O painel frontal do osciloscpio possui comandos divididos em grupos,
organizados segundo a sua funcionalidade. Existe um grupo de comandos para o
controle do eixo vertical (amplitude do sinal), outro para o controle do eixo horizontal
(tempo) e outro ainda para controlar os parmetros do trao (intensidade, focagem,
etc).
2.16 - Exemplo de osciloscpio digital (Tektronics, 1997).
20
Os sinais peridicos, tambm denominados de ondas, representam a variao

de grandezas que se repetem (periodicamente) no tempo. So exemplos tpicos as
ondas as senoidais, quadradas (ou retangulares) e as triangulares (ou dente-deserra).
1.7.1 Grandezas eltricas mensurveis
Entre as grandezas eltricas que podem ser medidas a partir da utilizao de
um osciloscpio, as mais comuns so as dos tpicos seguintes.
1.7.1.1 Perodo e Frequncia
Se um sinal se repete no tempo, ele tem uma frequncia de repetio. Esta
frequncia (f) medida em Hertz (Hz) e igual ao nmero de vezes que o sinal se
repete por segundo (nmero de ciclos por segundo). Analogamente, um sinal
peridico tem um perodo (T), que o tempo que o sinal leva a completar um ciclo.
O perodo e a frequncia so inversos um do outro, isto , f = 1/T. A Figura
1.17 serve como exemplo, onde a onda senoidal tem um perodo de 1/3 de segundo,
correspondendo a uma frequncia de 3Hz (3 ciclos por segundo).
2.17 - Perodo e frequncia (Tektronics, 1997).
1.7.1.2 Amplitude (de tenso)

Com um osciloscpio podem medir-se amplitudes de sinais, denominadas
amplitudes de pico e pico-a-pico. A forma de onda apresentada como exemplo na
figura 1.18 tem uma amplitude (de pico) de 1V e uma amplitude de pico-a-pico igual
a 2V.
2.18 - Amplitude de uma onda senoidal (Tektronics, 1997).
21
MEDIO DE TENSO CONTNUA

Uma tenso contnua aparece na tela do osciloscpio como uma linha
contnua. Para medir seu valor, conta-se na tela o numero de divises, a partir da
referncia zero, e multiplica-se esse nmero por volts/diviso:
Para realizar a medio, deve-se obter a linha contnua ajustando a base de

tempo, manter a entrada em GND e deslocar o trao para uma posio adequada
na primeira linha, por exemplo.
Escolhe-se um ganho vertical compatvel com o valor a ser medido. Em geral, a
tela tem oito divises. Portanto, a mxima tenso que pode ser medida se o ganho
vertical for 1V/div ser 8V; qualquer valor acima de 8V far com que o trao saia da
tela (levando em conta que o zero est na primeira linha). Deve-se evitar utilizar um
valor muito pequeno, pois se torna difcil ler o nmero de divises.
2.19 - Medindo 5V: (a) 5V/div, (b) 1V/div e (c) 2,5V/div.
De acordo com a figura 1.19, para obter-se a mxima preciso, deve-se

escolher o menor escala de volts/div possvel que permita o surgimento do trao na
tela (figura 1.19a).
MEDIO DE TENSO ALTERNADA
A tenso alternada apresenta duas variveis bsicas que podem ser
mensuradas: a tenso de pico-a-pico e o perodo.
O procedimento para medir a tenso alternada semelhante ao utilizado para
medir-se a tenso contnua, ou seja, escolher adequadamente o ganho vertical
(volts/div) e a base de tempo (ms/div). A figura 1.20 mostra uma tenso senoidal de
10VP (20VPP) e frequncia de 1KHz para diferentes ajustes do ganho vertical. Em
todos os casos a base de tempo est fixada em 0,2ms/div e o ganho vertical varia
em 5V/div (figura 1.20a), 20V/div (figura 1.20b) e 2V/div (figura 1.20c).
Claramente o melhor ajuste do ganho vertical o primeiro, em que o sinal
ocupa a maior parte da tela sem perda de informao.
22
2.20 - Trs representaes medindo uma tenso senoidal

de 20Vpp/1KHz com ganho vertical ajustado em: (a) 5V/div, (b)
20V/div e (c) 2V/div.
Para a medio do perodo, ou seja, o inverso da frequncia, a escolha da

base de tempo fundamental. Na figura 1.21, em todos os casos o ganho vertical
est fixado em 5V/div e a base de tempo varia em 0,2ms/div, 2ms/div e 50s/div.
Observe que a figura 1.21a permite melhor visualizao para efetuar medidas
de tempo e tenso.
2.21 - Trs representaes medindo perodo de senoide de

1KHz com ganho horizontal ajustado em: (a) 0,2ms/div, (b) 2ms/div e
(c) 50s/div.
2. Semicondutores
De maneira bem simples, a classificao dos materiais em relao a seu
comportamento eltrico feita dividindo-os em isolantes e condutores.
Os condutores so materiais que permitem a passagem da corrente eltrica em
seu interior quando submetidos a uma diferena de potencial, pois possuem cargas
eltricas livres. Exemplos: alumnio, cobre, ferro, etc.
Os isolantes so materiais que, em condies normais, no permitem a
passagem da corrente eltrica em seu interior, pois no possuem cargas eltricas
livres. Exemplos: madeira, plsticos, porcelana, fenolite, etc.
Existe outro tipo de material que apresenta caractersticas eltricas
intermedirias entre os isolantes e os condutores: os semicondutores (que tambm
23
poderiam ser chamados de semi-isolantes).

Os principais semicondutores so o silcio e o germnio, apesar de existir
grande variedade de outros materiais.
A classificao dos materiais quanto a capacidade de conduzir ou no a
corrente eltrica pode ser feita de acordo com sua condutividade ou resistividade. A
figura a seguir mostra a classificao dos materiais segundo sua condutividade.
2.22 - Classificao dos materiais segundo sua condutividade.
2.1 Semicondutor Intrnseco

O semicondutor em seu estado puro chamado de intrnseco, tendo pouca ou
nenhuma utilidade quando est nessas condies. Como j foi citado, os principais
semicondutores usados so o silcio (Si) e o germnio (Ge), apesar de existirem
outros.
O estudo de semicondutores pode ser feito de duas maneiras: por meio do
conceito de bandas de energia (anlise que utiliza conceitos da Fsica) ou por meio
do conceito de ligao covalente (que uma abordagem da Qumica). Usaremos a
segunda por apresentar significado mais concreto.
A figura a seguir mostra, de maneira simplificada, a estrutura do tomo de Si,
que possui quatro eltrons na ltima camada, conhecida como camada de valncia.
Para facilitar o entendimento, representamos na figura o tomo de silcio
somente com o ncleo e a camada de valncia.
2.23 - Estrutura simplificada do tomo de Si (a) com todas

as camadas e (b) com o ncleo e a camada de valncia.
24
Como o nmero de eltrons igual ao nmero de prtons, o tomo dito

neutro. Muitas vezes refere-se ao silcio como cristal de silcio, porque o arranjo
geomtrico de seus tomos feito de forma simtrica e regular em todas as
direes, motivo pelo qual e chamado de cbico. Nesse arranjo um tomo de Si se
liga a quatro tomos vizinhos por ligaes covalentes, em que cada tomo fornece
um eltron, formando, na ltima camada, oito eltrons, o que configura uma situao
estvel. A figura a seguir ilustra, no plano, o arranjo espacial dessa configurao.
2.24 - Estrutura cristalina do Si temperatura de 0K

(273 C) - Comportamento de isolantes.
importante notar que, nas condies indicadas na figura anterior, o silcio se

comporta como isolante, pois no existem cargas livres. No entanto, com o aumento
da temperatura, a energia trmica fornecida ao cristal provoca a quebra de
algumas ligaes covalentes, liberando, assim, eltrons de valncia. Os espaos
vazios deixados por causa de tais rompimentos se comportam como cargas eltricas
positivas, denominadas lacunas ou buracos.
A figura 2.4 representa a mesma estrutura da figura 2.3, mas com algumas das
ligaes covalentes rompidas. A quantidade de energia necessria para quebrar
uma ligao depende do tipo do semicondutor; no caso do Ge, e 0,72 eV e, no do Si,
1,1 eV.
2.25 - Estrutura do Si a uma temperatura acima de 0K

(acima de 273 C): Gerao de pares eltron-lacuna.
A aplicao de uma diferena de potencial na estrutura do silcio possibilita o

movimento dessas cargas eltricas (eltron livre e lacuna): os eltrons se dirigem
para o polo positivo da fonte externa e as lacunas, para o polo negativo.
Para entendermos o mecanismo de conduo de eltrons e lacunas,
consideremos as figuras 2.5, 2.6 e 2.7. Na figura 2.5, o eltron livre est
representado por um ponto preto e sua ausncia (a lacuna), na ligao covalente,
25
por um ponto branco. O sentido do campo eltrico tal que o eltron se movimenta
para a esquerda, onde esta o polo positivo da bateria que fornece a ddp.
2.26 - Cristal de Si submetido a um campo

eltrico (tenso eltrica) em um instante t1.
A figura 2.6 mostra o instante seguinte, em que um eltron de valncia com

energia suficiente pode preencher a lacuna, demonstrando que ela se deslocou para
a direita, no sentido do polo negativo da bateria.
2.27 - Cristal de Si submetido a um campo

eltrico (tenso eltrica) num instante t2 > t1.
Esse fenmeno se repete para outro eltron de valncia, como ilustra a figura
2.7. Assim, existe no semicondutor uma corrente de eltrons livres da direita para a
esquerda e uma corrente de lacunas da esquerda para a direita, e essas correntes
se somam. E importante notar que os eltrons de valncia que se deslocam para a
esquerda eventualmente encontraro a borda do cristal e, portanto, o polo positivo
da bateria, transformando-se em eltrons livres. A corrente total no cristal ser a
soma do fluxo de eltrons com o fluxo de lacunas:
2.28 - Cristal de Si submetido a um campo eltrico

(tenso eltrica) em um instante t3 > t2.
26
1.1 Semicondutor Extrnseco

Na prtica, no usamos o semicondutor intrnseco, e sim o extrnseco. O
semicondutor extrnseco e obtido pela adio de elementos chamados de impurezas
(tipos de tomos), cuja principal finalidade e alterar algumas propriedades eltricas,
principalmente a resistividade em relao ao fluxo de eltrons. Existem dois tipos de
semicondutores extrnsecos: o material N e o material P.
1.1.1 Semicondutor tipo N

obtido adicionando ao cristal puro (de silcio ou germnio) um material
pentavalente, isto , que tem em sua ltima camada cinco eltrons de valncia. Em
geral, o material mais utilizado e o fsforo (P).
O que acontece, ento, quando tomos de fsforo so adicionados ao cristal
do semicondutor? Tomemos como exemplo um semicondutor de silcio. Alguns de
seus tomos sero substitudos pelo tomo do fsforo, e, como o nmero de tomos
da impureza muito menor que o de tomos do semicondutor, essa impureza se
ligar a quatro tomos de silcio, conforme ilustra a figura 2.8a. Observe que cada
tomo de silcio contribui com um eltron para que ocorra uma ligao
compartilhada, sobrando um eltron. Esse quinto eltron est fracamente ligado ao
tomo, bastando uma energia diminuta para torn-lo livre. O importante dessa
situao que no foi gerada nenhuma lacuna (figura 2.8b).
2.29 - (a) tomo de fsforo ligado a quatro

tomos de silcio; (b) o quinto eltron livre gera um
on positivo preso estrutura cristalina.
Esse processo pode ser mais bem compreendido se imaginarmos a

temperatura variando do zero absoluto. A partir desse valor, o quinto eltron est
preso; portanto, no existe portador de carga livre e o material se comporta como
isolante.
Aumentando gradativamente a temperatura, o quinto eltron liberado e o
material passa a conduzir corrente eltrica. Quanto mais a temperatura aumenta,
mais ligaes covalentes comeam a se quebrar, gerando mais eltrons livres e
lacunas. Assim, o material torna-se neutro, motivo pelo qual recebe o nome de
semicondutor tipo N. Observe na figura 2.8 que o cristal neutro, pois para cada
quinto eltron liberado a impureza fica ionizada positivamente.
Como os eltrons esto em maioria no material, so chamados de portadores
27
majoritrios e as lacunas, de portadores minoritrios. extremamente importante

notar que a quantidade de impureza adicionada determina a principal caracterstica
eltrica, que a condutividade, pois, quanto maior o nmero de eltrons livres
existentes, maior a capacidade de conduzir. Outro ponto fundamental que a
temperatura afeta significativamente essa propriedade, porque, quanto maior a
temperatura, maior o nmero de eltrons e de lacunas.
Dependendo da aplicao, essa uma condio indesejvel. Nos
computadores, por exemplo, uma falha no cooler (responsvel por evitar o
superaquecimento dos componentes semicondutores) pode causar travamento.
Essa uma desvantagem do semicondutor quando comparado com a vlvula
terminica, mas mesmo assim os pontos positivos superam de longe os negativos.
1.1.2 Semicondutor tipo P

obtido adicionando quantidades controladas de impureza trivalente ao
material puro (semicondutor intrnseco). Um exemplo desse tipo de impureza o
boro (B). Como o boro trivalente, seus trs eltrons de valncia sero
compartilhados com quatro tomos de silcio das vizinhanas, porm uma das
ligaes no se completar. A ausncia de um eltron nessa ligao poder se
comportar como lacuna (figura 2.9). E como isso acontece?
Inicialmente, em temperaturas prximas do zero absoluto, os eltrons de
valncia de um tomo vizinho ao da impureza no tem energia suficiente para
preencher a ligao, e, portanto, o material se comporta como isolante. Conforme a
temperatura aumenta, um eltron de valncia do tomo vizinho recebe energia
suficiente para se deslocar e ocupa a vaga na ligao no completada com um dos
eltrons do boro. Desse modo, como o tomo estava neutro e passa a ter um eltron
a mais, torna-se um on negativo. A vaga deixada por esse eltron pode se
comportar como lacuna. Ento, foi gerada lacuna sem o aparecimento de eltron
livre, e por isso o material e chamado de P.
2.30 - (a) tomo de boro ligado a quatro tomos de

Si abaixo da temperatura de ionizao; (b) a vaga (lacuna)
preenchida por um eltron de valncia de um tomo
prximo, gerando um on negativo preso estrutura
cristalina acima da temperatura de ionizao.
Se a temperatura aumentar mais ainda, alm da temperatura de ionizao,

sero gerados os pares eltron-lacuna. Nesse caso, as lacunas so portadores
majoritrios e os eltrons livres, portadores minoritrios.
28
1.2 Juno PN
Se uma barra de material P ligada metalurgicamente a uma barra de material
N, cria-se uma juno PN, cujas caractersticas permitem a produo de todos os
dispositivos eletrnicos.
A diferena de concentrao de lacunas e eltrons livres entre as duas regies
da juno PN possibilita a ocorrncia de um fenmeno chamado de difuso:
deslocamento (corrente eltrica) de lacunas do lado P para o N e de eltrons livres
do lado N para o P.
A difuso no e um processo contnuo, pois o deslocamento de eltrons e
lacunas faz surgir uma regio de cargas negativas (tomos de impurezas receptoras
que aceitaram esses eltrons) e positivas fixas (figura 2.10). Nessa regio,
denominada regio de cargas espaciais (RCE) ou regio de depleo, no existem
cargas livres, uma vez que, em razo do campo eltrico gerado pelas cargas
espaciais, caso aparea uma carga livre (eltron livre ou lacuna), ela ser acelerada
por esse campo, deslocando-se para o lado N ou P. As cargas fixas criam uma
barreira de potencial que se ope a difuso de mais portadores majoritrios
lacunas no lado P e eltrons livres no lado N. Essa corrente representada por
IDifuso.
Os portadores minoritrios de ambos os lados da juno esto movimentandose aleatoriamente por causa da temperatura. Se algum dos portadores minoritrios
(aqueles gerados pela temperatura) eltrons livres no lado P ou lacunas no lado N
se aproximar da RCE, ser acelerado pelo campo eltrico existente nessa regio e
passar para o outro lado da juno. Essa corrente e chamada de corrente de deriva
(IDeriva).
As duas correntes podem ser observadas na figura 2.10. Quando a juno est
em equilbrio, a soma das correntes da juno zero, isto , IDeriva = IDifuso.
2.31 - Juno PN em aberto

mostrando as duas correntes: de
difuso e de deriva.
1.2.1 Juno PN com polarizao reversa

Quando a tenso aplicada tem polaridade como a indicada na figura 2.11, isto
, o lado P negativo em relao ao lado N, a largura da regio de depleo
aumentar, elevando a altura da barreira de potencial e dificultando a passagem dos
portadores majoritrios de um lado da juno para o outro.
Atravs da juno existir uma corrente constituda de portadores minoritrios,
29
os quais dependem apenas da temperatura. Essa corrente e chamada de corrente

reversa de saturao (IS) e sua intensidade da ordem de nA (Si) ou A (Ge).
2.32 - Juno PN com polarizao reversa.
1.2.2 Juno PN com polarizao direta

O que acontece se invertermos a polaridade da tenso na figura 2.11? Imagine
a tenso da bateria comeando de zero. Inicialmente, como a corrente e desprezvel,
toda a tenso externa aplicada na juno, diminuindo a barreira. No entanto, a
corrente comea a aumentar quando a tenso aplicada na juno for
aproximadamente 0,6 V.
Em princpio, toda a tenso estar aplicada diretamente na regio da juno,
baixando a barreira de potencial e tornando desprezvel a queda de tenso no
material N e no P. Desse modo, a corrente e controlada pela variao da altura da
barreira (regio no linear da curva caracterstica). medida que a corrente
aumenta, a tenso externa se distribui entre o material e a barreira. Nesse instante a
corrente comea a ser controlada pela resistncia direta do material, passando a ter
comportamento aproximadamente linear com a tenso.
A corrente total atravs da juno (I) constituda de duas correntes: a de
saturao e a de difuso (figura 2.12). A corrente de difuso muito maior que a de
saturao.
2.33 - Juno PN com polarizao direta.
30
Da figura 2.12, podemos concluir que:

em que ID a corrente de difuso.
A equao da corrente atravs da juno dada por:
em que:
IS a corrente reversa de saturao;
VD tenso aplicada na juno;
uma constante que vale aproximadamente 1 para Ge e 2 para Si;
VT uma constante que depende da temperatura, valendo 26mV
temperatura ambiente (T = 300K).
Com a juno polarizada diretamente (VD > 0), I positiva; com a juno
polarizada reversamente (VD < 0), I negativa.
1.3 Diodo de juno

Diodo de juno um componente constitudo de uma juno PN, tendo todas
as suas caractersticas, ou seja, permite a passagem da corrente em um nico
sentido quando adequadamente polarizado (polarizao direta) e bloqueia a corrente
quando a polaridade da tenso inverte (polarizao reversa).
A figura 2.13 mostra a representao esquemtica do diodo de juno com
seus terminais hmicos anodo (A) e catodo (K) , seu smbolo e exemplos de
diodos comerciais.
2.34 - (a) Diodo de juno com terminais

hmicos, (b) smbolo do diodo de juno e (c) diodos
de uso geral.
1.3.1 Curva caracterstica do diodo

O grfico da figura 2.14 mostra a curva caracterstica de um diodo de juno de
Silcio:
31
2.35 - Curva caracterstica de um

diodo de juno de Silcio.
O comportamento anotado nesse grfico corresponde seguinte equao:
No grfico da figura 2.14, possvel observar a corrente resultante da tenso

aplicada no diodo em trs regies bem definidas:
1. Regio de polarizao direta: VD > 0,6 V
2. Regio de polarizao reversa: VD < 0 V
3. Regio de ruptura: VD < VBK
Quando em polarizao direta, a expresso matemtica que representa o
comportamento do diodo a mesma equao dada para a corrente atravs da
juno, ou seja:
em que:
IS a corrente reversa de saturao;
VD a tenso aplicada no diodo;
uma constante que depende da forma como o diodo foi construdo;
VT uma constante que depende da temperatura, valendo aproximadamente
26mV a 20 C.
Portanto, para VD > 0 e VD >> 26mV, o termo negativo dentro dos parnteses
desprezado:
Para VD < 0 e em modulo muito maior que 26mV, a expresso da corrente ser
aproximadamente igual IS.
Existe um valor de tenso que provoca a ruptura da juno, destruindo o diodo
por efeito Joule (aumento excessivo de calor). Essa tenso de ruptura (breakdown)
representada por VD < VBK, que na literatura costuma aparecer como VBR e no
manual dos fabricantes como VRRM (mxima tenso reversa de pico repetitiva). Em
32
alguns casos, o diodo construdo especialmente para operar nessa regio, como o
diodo Zener.
A figura 2.15 apresenta os dados de diodos de uso geral, para 1A (I F(AV)) e de
diferentes tenses reversas.
2.36 - Folha de dados parcial diodos de uso geral.
1.3.2 Diodo polarizado diretamente

O comportamento similar ao da juno PN. Em conduo, um diodo de silcio
apresenta queda de tenso de aproximadamente 0,7V. Assim, por exemplo,
podemos estimar a corrente de um circuito de 10V e 1k simplesmente escrevendo
a equao da malha:
O circuito do exemplo esta ilustrado na figura 2.15.

importante observar que, para efeito de clculo, consideramos que a queda
de tenso, no caso de diodo polarizado diretamente, 0,7V. Alguns autores adotam
0,6V, mas na prtica no faz muita diferena.
2.37
- Circuito com
diodo polarizado diretamente.
1.3.3 Diodo polarizado reversamente

Quando o diodo est polarizado reversamente, a corrente que se estabelece
atravs dele da ordem de nA, ou seja, praticamente nula (figura 2.17). Essa
corrente reversa, tambm chamada de corrente de fuga, depende de aspectos
fsicos do material, como dopagem e dimenses, e de fatores externos, entre eles a
33
temperatura de trabalho (o valor dobra a cada aumento de 10C). Importante:

quando o diodo est polarizado reversamente, a tenso da fonte est aplicada nos
terminais do diodo, o qual deve ter capacidade para suportar a tenso reversa; caso
contrrio, pode ocorrer um fenmeno denominado avalanche, que, em geral, causa
a ruptura da juno.
2.38 - Circuito com diodo polarizado reversamente.
A corrente de fuga e a soma da corrente reversa de saturao com a corrente

superficial. A corrente de saturao depende da dopagem do semicondutor e da
temperatura de trabalho; a corrente superficial, das dimenses fsicas do diodo,
variando de acordo com a tenso aplicada. Por essa razo, observando a curva do
diodo em polarizao reversa, possvel notar uma ligeira inclinao, que indica um
pequeno aumento na corrente quando a tenso aumenta.
1.3.4 Modelos (circuitos equivalentes) para diodo

Estabelecer um modelo para um componente eletrnico (resistor, fonte de
tenso, fonte de corrente, capacitor e indutor) significa represent-lo em um circuito
por meio de componentes bsicos, o que permite usar as leis de circuito para
analis-lo.
Alm do modelo adotado pelo fabricante do simulador, existem modelos
simples que o projetista de circuitos pode utilizar, dependendo da complexidade e da
preciso que ele deseja obter.
Por exemplo, no caso do diodo, quando polarizado reversamente,
representado por um circuito aberto (chave aberta); quando ligado em polarizao
direta, utiliza-se um dos modelos ou circuitos equivalentes descritos a seguir.
MODELO 1 DIODO IDEAL
o circuito equivalente (modelo) mais simples. Consiste em representar o
diodo por uma chave fechada (curto-circuito), quando polarizado diretamente, e por
um circuito aberto, quando polarizado reversamente.
O grfico da figura 2.18 representa a curva caracterstica para esse modelo e o
circuito equivalente.
34
2.39 - Diodo ideal (chave): (a) curva

caracterstica e (b) circuito equivalente.
A figura 2.19a representa um circuito com um diodo real (1N4001) ligado a uma
bateria de 100V e a figura 2.19b mostra o mesmo circuito, porm com o diodo
substitudo por uma chave fechada. No primeiro caso, a corrente vale 99,2mA e, no
segundo, 100mA, mas na prtica essa diferena de valores desprezada, o que
significa que o modelo pode ser usado.
2.40 - (a) Simulao e (b) circuito com o modelo 1.
Existe alguma limitao no uso desse modelo? Essa forma de representar um

diodo pode sempre ser usada? Na figura 2.20, ao invs de 100V, a bateria utilizada
de 1,5V. Nesse caso, a diferena entre as duas medidas alta (66%), o que
significa que o modelo no adequado.
2.41 - (a) Simulao e (b) circuito com o modelo 1

(inadequado).
Ento, conclui-se que, se o valor da tenso da bateria for da mesma ordem de

grandeza da barreira de potencial (0,6V), o modelo de chave no pode ser usado.
35
MODELO 2 BATERIA
Um modelo mais elaborado considera o diodo conduzindo corrente eltrica
como se fosse uma pequena bateria de 0,6V (valor a partir do qual o diodo inicia a
conduo). Portanto, se a tenso aplicada no diodo for menor que 0,6V, ele se
comportar como uma chave aberta; se a tenso estiver acima de 0,6V, o diodo ser
substitudo por uma bateria de 0,6V. A figura 2.21 mostra a curva caracterstica
representativa desse modelo e o circuito equivalente.
2.42 - Modelo com bateria: (a) curva caracterstica e

(b) circuito equivalente.
Na figura 2.22, pode-se verificar que os valores obtidos no diodo real e no

modelo so muito prximos.
2.43 - (a) Simulao e (b) circuito com o modelo 2.
O modelo com bateria deve ser usado quando a tenso de polarizao for
maior que 0,6V e da mesma ordem de grandeza.
MODELO 3 BATERIA E RESISTNCIA (MODELO LINEARIZADO POR
TRECHOS DE RETA)
Pode-se obter maior preciso levando em conta a resistncia do diodo quando
est em conduo. A figura 2.23a ilustra a curva caracterstica linearizada por dois
trechos de reta, que representa a bateria em srie com resistncia de baixo valor.
36
2.44 - Modelo que considera resistncia direta: (a) curva

caracterstica e (b) circuito equivalente.
A figura 2.24a mostra o valor da corrente em um diodo real e no circuito com o

modelo, com resistncia direta de 5 e resistncia de carga de 1k.
2.45 - (a) Simulao e (b) circuito com o modelo

3.
A figura 2.25 reproduz a mesma anlise, porm com uma resistncia de carga
menor, 100.
2.46 - (a) Circuito com diodo simulao no

MicroCap e (b) circuito com o modelo que representa dois
trechos de reta.
Podemos observar que, nos dois casos (1k e 100), os valores das correntes
so muito prximos; no primeiro (1k), a diferena se deve ao fato de que o trecho
linearizado no coincide com a curva. Assim, quanto maior o valor da corrente, mais
ocorre coincidncia da curva com a reta.
1.3.5 Teste de diodos

Em muitas situaes de trabalho na rea eletrnica, necessrio realizar
testes em semicondutores para saber quais so seus terminais (anodo e catodo) e
37
verificar se esto com defeito (aberto, em curto-circuito ou com fuga). O teste de

semicondutores baseia-se no fato de que, sob polarizao direta, uma juno PN
apresenta resistncia baixa (10, por exemplo) e, sob polarizao reversa,
resistncia alta (> 1M).
O teste de semicondutores pode ser realizado com um multmetro digital ou
analgico. A figura 2.26 mostra como realizar o teste usando o multmetro digital,
com a chave posicionada no smbolo do diodo. Quando o diodo est em boas
condies, em polarizao direta, o display exibe um valor de tenso de 650mV a
700mV e, em polarizao reversa, uma barra vertical do lado esquerdo, indicando
resistncia muito alta (figura 2.26a). Se no display aparecem zeros, o diodo est em
curto-circuito (figura 2.26b). Quando se v a barra vertical nos dois sentidos, o diodo
est aberto (figura 2.26c).
2.47 - Teste com multmetro

digital: (a) diodo em bom estado, (b) diodo
em curto-circuito e (c) diodo aberto.
2 Aplicaes de diodos semicondutores

A alimentao de todos os circuitos eletrnicos feita por meio de tenso
contnua, porm a tenso na rede alternada. Os circuitos que convertem tenso
CA em CC so chamados de conversores ou retificadores. Sua funo converter a
tenso senoidal em pulsante, que, em seguida, filtrada e eventualmente aplicada
em um regulador de tenso. O dispositivo utilizado para obter a retificao o diodo
de juno, estudado no captulo anterior.
38
2.1 Retificador de meia onda

O circuito retificador de meia onda composto por um nico diodo acoplado na
sada de um transformador. Em virtude dessa configurao, aps a passagem pelo
diodo, observam-se somente semiciclos positivos, pois durante o semiciclo negativo
a tenso na carga nula.
Quando a tenso de entrada (Ve) for positiva, o diodo conduzir e a tenso na
carga ser igual tenso de entrada descontados 700mV da queda de tenso no
diodo. Se a tenso de pico de entrada (VP) for muito maior do que 0,7V, a tenso na
carga ser praticamente igual a Ve. No semiciclo negativo (Ve < 0), o diodo estar
cortado e toda a tenso estar aplicada entre seus terminais; por isso, o diodo deve
ter uma tenso de ruptura maior que VP. A figura 3.1 apresenta situaes do circuito
e formas de onda.
2.1 - (a) Circuito retificador de meia onda; (b) circuito equivalente no

semiciclo positivo; (c) circuito equivalente no semiciclo negativo; (d) formas de
onda de entrada, na carga e no diodo.
A funo de um retificador manter uma tenso contnua na sada. A tenso

na carga tem um componente contnuo, aqui denominado V CC (VDC, em ingls), que
se calcula por:
Portanto, a corrente na carga vale:
Obs.: A tenso mdia (Vcc) deve ser medida a partir de um voltmetro CC.
Para essa mesma forma de onda, o valor da tenso eficaz dado por:
39
As expresses anteriores so verdadeiras quando o valor de pico muito maior

do que 0,7V; caso contrrio, deve-se subtrair 0,7V de VP (figura 3.2). Nesse caso, os
valores da tenso mdia e da tenso eficaz so calculados, respectivamente, por:
2.2 - Formas de onda de entrada e sada quando a entrada

da ordem de grandeza da barreira de potencial.
importante lembrar que o diodo deve ser dimensionado de acordo com seus
valores de corrente e tenso.
DIMENSIONAMENTO DO DIODO
Os principais limites eltricos encontrados no Datasheet (folha de dados) de
um diodo so:
VRRM = mxima tenso de pico reversa
VRMS = mxima tenso eficaz
VCC = mxima tenso CC reversa
IAV = mxima corrente contnua
Para esse retificador de meia onda, os valores das tenses e corrente do diodo
devem ter no mnimo os seguintes limites:
VRRM > VP
IAV>VP/RL.
VRMS > VP/2
VCC > VP/
Para o diodo 1N4001, por exemplo, os limites so:
VRRM = 50V
IAV = 1A
VRMS = 35V VCC = 50V
Consideremos que no circuito da figura 3.1 VP = 17V e o diodo 1N4001 com RL

= 100.
Os valores so:
40
Pode-se observar que esses valores esto bem abaixo dos limites.
2.2 Retificador de meia onda com filtro capacitivo

Esse tipo de retificador apresenta, alm do diodo retificador, um capacitor
associado em paralelo com a carga. A funo do capacitor e diminuir o ripple.
Quanto menor for o ripple da tenso de sada de um retificador, melhor ser sua
qualidade.
A figura 3.3 ajuda a entender o que o ripple. Nela, uma tenso senoidal de 1V
de pico est sobreposta a uma tenso CC (tambm chamada de nvel de offset) de
4V. Se usarmos um voltmetro CC para medir essa tenso, ele indicar exatamente
4V.
2.3 - Tenso senoidal com nvel de offset

ilustrando o conceito de ripple.
Para uma tenso retificada de meia onda, se o valor de pico for muito maior
que o ripple, este pode ser estimado aproximadamente por:
em que:
VP o valor da tenso de pico alternada (em Volt);
C o valor da capacitncia do capacitor (em Farad);
f a frequncia (em Hertz) do ripple (meia onda = 60 Hz e onda completa =
120 Hz);
R o valor da carga (em Ohm).
A figura 3.4 mostra o circuito e as formas de onda da tenso na carga (R L) e na
entrada do retificador, para uma tenso senoidal de alimentao.
41
2.4 - Retificador de meia onda com filtro capacitivo: (a) circuito

e (b) formas de onda da tenso na carga e de entrada
(secundrio do transformador).
Na figura 3.4b, durante o intervalo de tempo T 1, o diodo conduz, porque o valor

da tenso de entrada maior que o valor da tenso na carga. Desse modo, o
capacitor se carrega at atingir o valor de pico da tenso de entrada.
Durante o intervalo de tempo T2, a tenso de entrada menor que a tenso na
carga. Assim, o diodo corta a corrente e o capacitor se descarrega na carga RL (na
prtica, a carga um circuito qualquer que consome corrente). Quando novamente a
tenso de entrada passa a ser maior do que a tenso na carga, o diodo volta a
conduzir, repondo a carga perdida durante o intervalo T 2.
Observe que, ao aumentar a capacitncia, o tempo de carga diminui e,
consequentemente, o valor de pico da corrente no diodo aumenta. Por isso,
preciso ter cuidado ao projetar circuitos com valores de capacitncia elevados.
2.3 Retificador de onda completa

Um retificador de onda completa formado por dois diodos, aproveitando,
portanto, os dois semiciclos da tenso senoidal da rede. Em consequncia, o valor
da tenso contnua na carga aumenta e o ripple diminui, em comparao com o
circuito de meia onda.
Nos retificadores de onda completa, a conexo dos diodos pode ser feita de
duas maneiras, resultando em dois tipos de retificadores com caractersticas
distintas: com center tap e em ponte.
42
2.3.1 Retificador de onda completa com center tap

Esse tipo de retificador utiliza um transformador com tomada central (center
tap). Os diodos so ligados em cada uma das sadas opostas ao center tap e, como
resultado, obtm-se duas tenses defasadas de 180 entre si.
Ao aplicar tenso no primrio do transformador, observa-se que, durante o
semiciclo positivo da tenso de entrada, o diodo D1 conduz e o D2 corta. No
semiciclo negativo da tenso de entrada, invertem-se as condies: D2 conduz e D1
corta.
As figuras 3.5b, 3.5c, 3.5d e 3.5e mostram as formas de onda no secundrio do
transformador e na carga.
2.5 - (a) Circuito do retificador de onda completa

com center tap; (b) tenso de entrada Vsec1; (c)
tenso no diodo D1; (d) tenso de entrada Vsec2; (e)
tenso na carga.
Observe que as duas tenses dos terminais em relao ao terra (terminal

central do secundrio) esto defasadas de 180 entre si. Consideraremos como
tenso de entrada cada uma das tenses no secundrio, entre uma extremidade e o
terra (center tap), com valor de pico igual a VP e defasadas de 180, isto :
Calcula-se a tenso contnua na carga por:
43
Note que ela o dobro da tensao CC no caso de meia onda.

A corrente mdia na carga obtida por:
Para essa mesma forma de onda, o valor eficaz (tenso medida por um
voltmetro RMS) calculado por:
Para esse circuito, o diodo deve ter no mnimo os seguintes limites:
VRRM > 2 VP
Como a corrente mdia por diodo a metade da corrente mdia na carga:
Mxima tenso eficaz:
Mxima tenso contnua reversa:
As figuras 3.6 e 3.7 mostram o comportamento dos diodos nos semiciclos

positivo e negativo. Para facilitar a compreenso, eles esto representados no
modelo simplificado (chave fechada e chave aberta).
No semiciclo positivo, o diodo D1 conduz e o diodo D2 corta (figura 3.6).
2.6 - Retificador de onda completa com

center tap conduo no semiciclo positivo.
No semiciclo negativo, o diodo D2 conduz e o diodo D1 corta, mas o sentido da

corrente na carga no muda (figura 3.7).
44
2.7 - Retificador de onda completa com center tap

conduo no semiciclo negativo.
2.3.2 Retificador de onda completa em ponte

O retificador de onda completa apresentado na figura 3.8 no necessita de
transformador com tomada central (somente quando h inteno de transformar a
tenso) e utiliza quatro diodos. A tenso de entrada (Ve) pode ser tanto a tenso da
rede como a do secundrio de um transformador.
2.8 - Retificador de onda

completa em ponte.
Observando a tenso senoidal aplicada na entrada, pode-se perceber que,

durante o semiciclo positivo da tenso de entrada, os diodos D 1 e D4 esto
polarizados diretamente e os diodos D2 e D3 cortados. Como existem dois diodos
conduzindo ao mesmo tempo e eles esto em srie, a queda de tenso ser igual a
1,4V. Isso significa que, para haver tenso na carga, a tenso de entrada deve ser
maior do que 1,4V.
2.9 - Retificador de onda completa em

ponte conduo no semiciclo positivo.
45
Como mostra a figura 3.10, no semiciclo negativo, invertem-se as condies:

os diodos D2 e D3 conduzem e os diodos D1 e D4 esto cortados; o sentido da
corrente na carga continua o mesmo.
2.10 - Retificador de onda completa em

ponte conduo no semiciclo negativo.
A mxima tenso de pico inversa que cada diodo deve suportar

aproximadamente igual a -VP, onde VP o valor de pico da tenso senoidal de
entrada.
A figura 3.11 ilustra as formas de onda de entrada e na carga. Observe a perda
de tenso (1,4V) ao longo do caminho da corrente. Esse valor deve ser descontado
no clculo da tenso mdia e da tenso eficaz na carga.
2.11 - Formas de onda: (a) de entrada e (b) na carga.
Calcula-se a tenso contnua na carga por:
Para essa mesma forma de onda, o valor eficaz (tenso medida por um
voltmetro RMS) obtido por:
46
Para esse circuito, o diodo deve ter no mnimo os seguintes limites:
VRRM > VP
A mxima corrente contnua:
Mxima tenso eficaz:
Mxima tenso contnua reversa:
2.4 Retificador de onda completa com filtro capacitivo

Como apresentado no retificador de meia onda, a adio de um capacitor
diminui o ripple e aumenta o valor da tenso contnua. A figura 3.12 mostra os
grficos das tenses no secundrio e na carga para um valor de pico de tenso de
entrada igual a 100V, em circuito meia onda com capacitor.
2.12 - Retificador de onda completa com filtro capacitivo: (a) circuito

e (b) formas de onda da tenso na carga e de entrada (secundrio do
transformador).
47
Observando a figura 3.12, possvel notar o aumento em relao aos valores

mdio e eficaz, assim como a diminuio do ripple, em comparao com o retificador
de meia onda, que utiliza valores semelhantes de capacitor e carga.
2.5 Ponte retificadora como componente

Para construir um retificador em ponte, podem ser utilizados quatro diodos ou
um nico componente com os quatro diodos conectados internamente. A figura 3.13
mostra o aspecto fsico de um tipo de ponte retificadora.
2.13 - Ponte
retificadora.
2.6 Dobrador de meia onda

um circuito eletrnico utilizado para obter valores elevados de tenses CC a
partir de tenso CA. No circuito da figura 3.14a, a entrada e senoidal, com V P de
pico. No semiciclo negativo, o capacitor (C1) se carregar com o valor de pico da
tenso de entrada e, com a polaridade indicada na figura 3.14b, o diodo D1
conduzir e o D2 estar cortado. No semiciclo positivo (figura 3.14c), o diodo D 1
cortar e o D2 conduzir, fazendo C2 se carregar at aproximadamente 2 VP.
48
2.14 - (a) Dobrador de meia onda; (b) carga de C1 durante o

semiciclo negativo; (c) carga de C2 durante o semiciclo
positivo.
2.7 Diodo Zener

Os diodos Zener so projetados para operar na regio de ruptura, onde
grandes variaes de corrente produzem pequenas variaes de tenso, permitindo,
assim, que se construa um regulador de tenso. A figura 3.15 mostra a curva
caracterstica com a regio de operao, no joelho, o smbolo e o aspecto fsico do
diodo Zener.
2.15 - Diodo Zener: (a) curva caracterstica, (b) smbolo e

(c) aspecto fsico.
A regio de trabalho do diodo Zener est compreendida entre IZmn (menor

corrente que mantm a regulagem) e IZmx (mxima corrente antes de ocorrer a
destruio do componente por efeito Joule). Esto associados aos valores de
corrente mxima e mnima os valores de tenso (que so muito prximos). A tenso
nominal e a tenso de especificao (VZnom). Outra especificao importante a
potncia mxima que o diodo pode dissipar (PZmx). Esse valor est relacionado
tenso aproximadamente por:
PZmx = VZnom IZmx (visto que VZnom aproximadamente igual a VZmx).
Desta forma, podemos determinar:
E em geral, podemos estimar IZmn por:
49
Os valores de potncia mais conhecidos so: 0,25W, 0,5W, 1W, 5W, 10W e
50W.
Os valores de tenso Zener esto compreendidos entre 3,3 V e 75 V.
Exemplos de diodos Zener comerciais: 1N4729A para 3,6V, 1N4730A para
3,9V e 1N4735A para 6,2V.
Se escolhermos o 1N4735A de 1W, a mxima corrente que ele pode conduzir
:
e a mnima corrente aproximadamente 16 mA.
2.16 - Circuito regulador com

Zener.
No circuito da figura 3.16, a resistncia RS deve ser dimensionada

considerando que o circuito mantenha a regulao mesmo que a carga varie entre
valores mximo e mnimo e ao mesmo tempo a tenso de entrada varie entre dois
limites (Vemx e Vemn) e a potncia dissipada no Zener no exceda o limite (PZmx).
Para que o Zener regule de maneira correta, a corrente no pode cair abaixo de um
mnimo (IZmn) nem superar um valor mximo, pois nesses casos o Zener sofrer
danos.
EXEMPLO
Considere o diodo Zener 1N4735 de 0,5W (VZ = 6,2V, I Zmx = 80mA e IZmn =
8mA) instalado no circuito da figura 3.17. Determine os limites que pode ter RL para
que o Zener opere na regio de regulao.
2.17 - Circuito regulador com

Zener.
50
Soluo:
Considerando que o Zener est operando normalmente (VL = VZ = 6,2V), a
corrente IS valer sempre:
2.18 - Circuito regulador

com Zener.
O que acontece se RL diminuir seu valor? Passar a drenar maior valor de

corrente, fazendo diminuir a corrente no Zener. Portanto, pode-se admitir que RLmn
est associado menor corrente no Zener. Vamos impor entao I Z = IZmn = 8mA.
Nessas condies, a corrente na carga RL vale:
o que significa uma resistncia de:
No entanto, se RL aumentar seu valor, consequentemente a corrente na carga

diminuir e a corrente no Zener aumentar. Por exemplo, se R L for infinito (circuito
aberto), toda a corrente em RS (96,6mA) circular no Zener, o que resultar em sua
destruio. Para evitar isso, necessrio que exista uma resistncia de carga que
drene o excesso de corrente. Consideremos agora o caso limite superior de corrente
no Zener.
2.19 - Circuito regulador

com Zener.
A corrente na carga ser igual a: IL = 96,6mA 80mA = 16,6mA, o que significa

uma resistncia de:
51
3 Transistores bipolares
O transistor foi desenvolvido nos laboratrios da Bell em Murray Hill, New
Jersey, Estados Unidos em 1947, pelos cientistas John Bardeen, Walter Brattain e
William Shockley. O desenvolvimento desse componente semicondutor foi de grande
relevncia para a histria da eletrnica e da informtica, pois ele est presente em
inmeras invenes eletroeletrnicas, modificando vertiginosamente nossa
sociedade.
3.1 Construo bsica e princpio de funcionamento

O termo transistor a contrao de duas palavras em ingls: transfer resistor
(resistor de transferncia). Existem dois tipos bsicos de transistores de acordo com
o tipo de dopagem de cada terminal (base, coletor e emissor), NPN e PNP.
A figura 4.1 ilustra, de maneira simplificada, a simbologia e a estrutura interna
de um transistor bipolar. A construo fsica diferente.
Analisando a figura 4.1, possvel observar que no existe simetria, isto , as
regies NPN no possuem as mesmas dimenses, como s vezes a literatura
sugere, e, portanto, no possvel confundir o emissor com o coletor. As reas cinza
de cada lado da juno representam as regies de carga espacial ou de depleo.
3.1 - Tipos de transistor e simbologia: (a) NPN e

(b) PNP.
Cada uma das regies do transistor apresenta caractersticas prprias:

A base a regio mais estreita, menos dopada (com menor concentrao de
impurezas) e extremamente fina.
O emissor a regio mais dopada (com maior concentrao de impurezas),
onde so emitidos os portadores de carga (eltrons no caso de transistor NPN e
lacunas no caso de transistor PNP).
O coletor a regio mais extensa, porque nesta que a potncia se dissipa.
52
3.1.1 Funcionamento
Vamos entender como um transistor funciona, tomando como exemplo o
transistor NPN, por ser o mais utilizado. De maneira simplificada, para compreender
a operao de trabalho do PNP, basta inverter o sentido das tenses e correntes.
Consideremos uma situao em que as duas junes foram polarizadas
diretamente, assim as correntes que circulam sero altas (da ordem de mA). Se as
duas junes estiverem polarizadas reversamente, todas as correntes sero
praticamente nulas. No entanto, se a juno da base com o emissor for polarizada
diretamente e a outra juno polarizada reversamente, tambm as correntes de
coletor e emissor sero altas, aproximadamente de mesmo valor. Como se explica
isso? Em polarizao normal (como amplificador), a juno base-emissor e
polarizada diretamente e a juno base-coletor reversamente.
Na configurao ilustrada na figura 4.2, como a juno base-emissor est
polarizada diretamente, os eltrons so emitidos no emissor (que possui alta
dopagem), isto , passa a existir uma corrente (de eltrons) indo do emissor para a
base. Os eltrons atingem a base e, por ela ser muito fina e pouco dopada, quase
todos atingem a regio de carga espacial (regio de depleo) da juno basecoletor, onde so acelerados pelo campo eltrico e direcionados para o coletor. Dos
eltrons emitidos no emissor, apenas pequena parcela (1% ou menos) consegue se
recombinar com as lacunas da base, formando a corrente de base; os outros (99%
ou mais) atingem a juno do coletor. Observe que externamente o sentido indicado
e o convencional para as trs correntes: de base (IB), de coletor (IC) e de emissor
(IE). A maneira como o transistor est conectado chamada de ligao base
comum.
3.2 - Transistor: ligao base comum.
3.2 Operao do transistor

Na estrutura definida na figura 4.2 ligao base comum , a juno baseemissor polarizada diretamente e a juno base-coletor reversamente. A
polarizao direta faz aparecer um fluxo de eltrons indo do emissor para a base e,
como essa regio muito estreita e com baixa dopagem, poucos eltrons se
recombinam com lacunas existentes na base (1% ou menos dos eltrons emitidos).
Quase todos os eltrons emitidos conseguem atingir a regio de carga espacial da
juno base-coletor, onde so acelerados em direo ao coletor. A corrente de base
originada da corrente das lacunas, que se difunde no emissor, e dos eltrons, que
se recombinam com lacunas na base. A corrente de base apresenta valor muito
pequeno, normalmente 200 vezes menor que a de emissor. Retorne a figura 4.2 e
53
observe a indicao das trs correntes do transistor, considerando o sentido

convencional.
Em um transistor podemos adotar a seguinte relao entre as trs correntes:
Define-se:
como o ganho de corrente na ligao base comum. Importante: o parmetro a

e um nmero sem unidade, menor que 1, porm prximo de 1 (ex.: a = 0,99).
A configurao ilustrada na figura 4.2 est agora representada pelo circuito
eltrico da figura 4.3, com o smbolo usual do transistor NPN.
3.3 - Representao por meio de

esquema eltrico de um transistor NPN do
circuito da figura 4.2.
Em um transistor podemos adotar a seguinte relacao entre as tres tensoes:
Note que a tenso abreviada por V e que a primeira letra do ndice

representa o ponto de maior potencial; por exemplo, no caso da tenso entre a base
e o emissor (VBE), a base mais positiva. Em um transistor PNP, a notao para
essa mesma tenso VEB.
Podemos representar o transistor como indicado na figura 4.4. Nesse caso, a
ligao chamada de emissor comum. A polarizao das duas junes continua
como antes, juno base-emissor polarizada diretamente e juno base-coletor
reversamente. A operao a mesma da ligao base comum.
3.4 - Transistor: ligao emissor

comum.
54
Para essa configurao, define-se o ganho de corrente como:
Nesse caso, o valor do parmetro muito maior do que 1 e tambm no tem

unidade (ex.:
= 300).
A relao entre os dois parmetros dada por:
A configurao ilustrada na figura 4.4 est agora representada pelo circuito

eltrico da figura 4.5, com o smbolo usual do transistor NPN.
3.5 - Representao por meio de

esquema eltrico de um transistor
NPN do circuito da figura 4.4.
A relao entre as tenses continua valendo, ou seja:
A figura 4.6 apresenta alguns exemplos de transistores comerciais.
3.6 - Transistores comerciais.
A tabela 4.1 mostra parte da folha de dados dos transistores BC546, BC547 e
BC548 (NPN) com os principais limites.
55
3.7 - Caractersticas eltricas mximas.
3.3 Curvas caractersticas de coletor

So grficos que relacionam a corrente de coletor com a tenso entre coletor e
emissor, considerando como parmetro a corrente de base. Essas representaes
so chamadas tambm de curvas caractersticas de sada. No circuito representado
no grfico da figura 4.7a, a corrente de base fixada em determinado valor por
exemplo, 1mA. A tenso entre coletor e emissor varivel e, para cada valor de V CE,
atribuda uma medida de corrente de coletor. Em seguida, esses valores so
colocados em um grfico (IC VCE), como mostra a figura 4.7b.
3.8 - Curvas caractersticas de coletor do transistor MJE240.
Analisando o primeiro grfico, possvel notar que na regio de saturao,

para uma pequena variao em VCE, ocorre aumento demasiado de IC. Quando a
juno base-coletor passa a ser polarizada reversamente, o transistor entra na
regio ativa, tambm chamada de regio de amplificao. A partir desse ponto, a
corrente de coletor praticamente no varia quando V CE aumenta. Nessa regio, o
transistor se comporta como fonte de corrente constante. Na prtica, ocorre aumento
na corrente de coletor quando VCE se eleva por efeito Early. Como a polarizao
reversa da juno base-coletor aumenta, a largura da regio de carga espacial
avanar mais na base e, portanto, mais eltrons emitidos podero ser capturados
em direo ao coletor.
56
Para IB = 1mA, IC = 150mA, o que significa um ganho de aproximadamente:
Nessas condies, poderamos esperar que, se IB aumentasse para 2mA, o

valor da corrente de coletor tambm dobraria. Isso, porem, no acontece, pois I C
aumenta aproximadamente para 260mA. Outra expectativa seria em relao s
curvas caractersticas, que deveriam estar espaadas igualmente, mas o que se
verifica que a separao diminui medida que as correntes aumentam. A
explicao para esse fato que o ganho de corrente no se mantm constante, e
sim varia conforme a corrente de coletor.
O grfico da figura 4.9 foi obtido da folha de dados do transistor BC548 e
mostra a dependncia do ganho com a corrente de coletor para dada temperatura e
tenso coletor-emissor. Observao: Muitas vezes o ganho de corrente vem com a
notao hFE, isto , = hFE.
3.9 - Dependncia do ganho de

corrente com a corrente de coletor.
Como possvel observar na figura 4.9, o ganho de corrente (hFE) varia com
a corrente de coletor, temperatura e tenso coletor-emissor. O grfico do ganho de
corrente normalizado, isto , para a corrente de 4mA, o ganho 100%. Para
correntes menores ou maiores que 4mA, o ganho apresenta outros valores: para
0,4mA, por exemplo, o ganho ser 70% do ganho a 4mA.
3.4 Regies de operao: reta de carga

O circuito da figura 4.10 simboliza um transistor com as curvas caractersticas
apresentadas na figura 4.8b.
57
3.10 - Ligao emissor comum.
Na figura 4.9, o equacionamento do circuito de coletor resulta em:
Essa a equao de uma reta, denominada reta de carga, que representada

no plano IC x VCE das curvas caractersticas de coletor.
Para traarmos essa reta, utilizamos dois pontos:
Primeiro ponto: igualando IC = 0 na equao anterior, obtemos VCE = VCC, o
que fisicamente representa o corte. Como no corte as duas junes esto
polarizadas reversamente e, portanto, todas as trs correntes so muito pequenas
(nA), podemos admitir que nessas condies o transistor se comporta como uma
chave aberta (figura 4.11b).
Obs.: para cortar um transistor de Si, basta fazer VBE < 0 V; para um transistor
de Ge, VBE < 0,4V.
3.11 - Transistor no corte: (a) circuito e (b)

modelo simplificado.
Segundo ponto: fazendo VCE = 0, obtemos
, o que fisicamente
representa a saturao. Na saturao, o transistor se comporta como uma chave

fechada e as duas junes esto polarizadas diretamente. Para garantirmos que o
transistor sature, temos de impor algumas condies, uma delas considerar
.
No entanto, para obtermos essa condio, devemos ter IC < IB; como o ganho de
corrente de um transistor varia entre um mnimo e um mximo, usamos o valor
mnimo (mn); portanto, IC < mn IB.
58
A figura 4.12a mostra o circuito de um transistor na saturao e a figura 4.12b,

o modelo simplificado para ele (chave fechada).
3.12 - Transistor na saturao: (a) circuito e (b)

modelo simplificado.
Aps a determinao desses dois pontos, devemos uni-los, traando a reta de

carga.
Obrigatoriamente, o ponto de operao, tambm chamado de ponto
quiescente, representado por Q (valores de IBQ, ICQ, VCEQ), estar sempre sobre a
reta de carga.
3.13 - Curvas caracterstica de coletor com a reta de

carga.
No grfico da figura 4.13, observe que, no ponto Q, temos I BQ = 2mA, ICQ =

273mA e VCEQ = 4,6V. Os limites da reta de carga so a saturao, quando V CE = 0,
e o corte, quando IB = 0. Entre esses dois pontos (saturao e corte), o transistor
opera como amplificador, isto , a relao entre IC e IB dada por IC = IB. Nessa
regio (regio ativa), o transistor usado como amplificador.
Para entender como o transistor passa a funcionar como amplificador,
considere o circuito apresentado na figura 4.14a. Nessa situao, um pequeno valor
de tenso alternada somado tenso de polarizao V BB. Desse modo, no
semiciclo positivo, a corrente de base se eleva acima de IBQ, fazendo a corrente de
coletor aumentar proporcionalmente e a tenso de coletor diminuir. A tenso obtida
no coletor costuma ser maior do que a tenso aplicada na base, ou seja, houve
59
amplificao de tenso. Alm disso, essa configurao causa defasagem de 180 na

tenso de sada em relao de entrada. O grfico da figura 4.14b mostra essa
operao.
3.14 - Amplificao: (a) circuito e (b) anlise

grfica.
Com base nessa anlise, podemos concluir que o ponto de operao (Q) deve
ser bem localizado para que seja possvel obter a mxima sada de pico a pico sem
distoro. A melhor localizao no meio da reta de carga (
, pois permite
um valor VCC de mxima sada. Observe os trs casos representados na figura
4.15. No primeiro (figura 4.15a), a mxima sada de pico a pico possvel de 10V,
antes que ocorra o ceifamento (distoro) por saturao ou corte; nos outros dois
(figuras 4.15b e 4.15c), de 4V em ambos os casos, se a entrada aumentar, o
sinal de sada distorcer.
3.15 - Influncia da localizao do

ponto Q: (a) meio da reta, (b) prximo da
saturao e (c) prximo do corte.
60
3.5 Potncia dissipada: dissipadores

Em um transistor, a maior parte da potncia dissipada no coletor. A potncia
dissipada calculada aproximadamente por:
Em relao capacidade de dissipar potncia, os transistores podem ser

classificados em trs tipos: de baixa potncia (ex.: BC548 e BC109), de mdia
potncia (ex.: BD140 e TIP41) e de alta potncia (ex.: 2N3055). A figura 4.16 mostra
os principais encapsulamentos de transistores de baixa, mdia e alta potncia.
Observe que os encapsulamentos preveem local para a colocao do dissipador
alguns apresentam furos que facilitam a unio entre o transistor e o dissipador.
3.16 - Encapsulamentos usuais.
Como vimos, os semicondutores so sensveis s variaes de temperatura.

Uma das maneiras de amenizar a ao do excesso de temperatura nesses
dispositivos fixar ao corpo do transistor uma placa metlica chamada dissipador de
calor. Os dissipadores de calor usados em eletrnica so feitos de alumnio ou
cobre. Os dissipadores de alumnio so mais baratos, porm menos eficientes que
os de cobre.
Por vezes, o dissipador est acoplado a um pequeno ventilador, chamado
cooler, que auxilia na retirada do ar quente para o meio externo. A figura 4.17 mostra
o sistema de arrefecimento da CPU de um computador. Observe que esse sistema
constitudo de um dissipador fixado CPU por parafusos e pasta de silicone, que
facilita a transferncia de calor e elimina as bolhas de ar, e de um cooler, que aspira
o ar quente prximo ao dissipador.
61
3.6 Conexo Darlington

Conexo Darlington uma ligao realizada entre dois transistores quando se
deseja obter um transistor equivalente com valor de ganho de corrente elevadssimo.
3.18 - (a) Conexo Darlington

e (b) transistor equivalente.
O transistor equivalente tem ganho de corrente igual a = 1 2 , em que 1

e 2 so os ganhos dos transistores TR1 e TR2, respectivamente. A tenso baseemissor quando em conduo vale VBE = VBE1 + VBE2.
Esse tipo de conexo usado na sada de estgios de potncia, em fontes de
alimentao e em qualquer situao em que for necessrio obter variaes de
corrente extremamente baixas com fornecimento de grandes correntes.
3.7 Circuitos de polarizao

Polarizar um transistor significa determinar valores de tenso e corrente que se
mantenham estveis de acordo com a temperatura de trabalho, o desgaste das
partes internas caractersticas de vida til do componente e a prpria substituio do
componente. Ao polarizar um transistor, preciso levar em conta que valores de
ponto de operao (ponto Q, quiescente) estabelecidos devem garantir baixo grau
62
de distoro, de modo a no prejudicar o sinal amplificado.

Considerando amplificadores de pequenos sinais, a melhor localizao do
ponto Q no meio da reta de carga, isto , a tenso coletor-emissor (VCE) deve
medir aproximadamente metade da tenso da fonte (V CC). Isso garantir que a sada
de pico a pico seja a mxima possvel e sem distoro do sinal. A seguir
apresentam-se dois tipos de polarizao: por corrente de base constante e por
divisor de tenso na base.
3.7.1 Polarizao por corrente de base constante

o circuito de polarizao mais simples e consiste em aplicar uma corrente
constante na base, como exemplificado na figura 4.19.
3.19 - Circuito de
polarizao por corrente de
base constante.
O clculo dessa corrente determinado por:
Como a corrente de coletor dada por IC = IB, ento:
Como o ganho de corrente de uma famlia de transistor pode variar entre um

valor mnimo e um valor mximo, podemos concluir que esse tipo de polarizao
altamente instvel com a troca de transistor e temperatura.
3.7.2 Polarizao por divisor de tenso na base

O circuito de polarizao por corrente de base constante explicado na seo
anterior apresenta algumas caractersticas importantes que devem ser levadas em
conta. Esse tipo de polarizao, alm de depender muito do valor , apresenta alta
instabilidade com o aumento de temperatura. Isso pode acarretar um efeito
conhecido por disparo trmico, ou seja, um ciclo em que, a cada aumento de
temperatura, ocorre uma elevao de corrente e, consequentemente, outro aumento
63
de temperatura.
possvel, porm, polarizar o transistor de maneira que no fique vulnervel
variao de . Na configurao da figura 4.20, chamada de circuito de polarizao
por divisor de tenso na base, a realimentao negativa em CC estabiliza o ponto Q,
isto , quando a temperatura aumenta, a corrente de emissor e a tenso V E tambm
aumentam. No entanto, como a tenso na base (VB) constante, obrigatoriamente
VBE diminui, despolarizando a base e reduzindo as correntes que tinham aumentado
com a temperatura. Claramente, o circuito possui um controle interno por causa
dessa realimentao.
3.20 - (a) Circuito de polarizao por divisor de

tenso na base e (b) circuito com equivalente na base.
Para analisar o circuito, tomemos o equivalente Thevenin na base (figura

4.20a):
Observando o circuito equivalente da figura 4.20b, temos as seguintes

equaes na malha de entrada:
e, como
resultando:
64
Se calcularmos os componentes de forma que
, ento:
Portanto, teremos um circuito no qual o ponto de operao (corrente de coletor)

no depende de .
A seguir, descrevem-se os passos para determinar os valores das resistncias
do circuito de polarizao de divisor de tenso na base. Essas orientaes so de
carter essencialmente prtico, e pode-se ate afirmar que constituem uma receita,
com fundamentao terica nas expresses anteriores.
Em geral, so especificados a tenso de alimentao (VCC), a corrente
quiescente de coletor e o transistor que ser utilizado; portanto, so conhecidos mn
e mx.
Para que toda a receita tenha validade, devemos admitir que o valor da
corrente de base muito menor que o da corrente atravs do divisor de tenso,
como se a base estivesse aberta.
PASSOS PARA DETERMINAR OS VALORES DO DIVISOR
1. Adotar os seguintes percentuais da tenso de alimentao:
VCE = 0,5 VCC, VRE = 0,1 VCC e VRC= 0,4 VCC
2. Como IC conhecido, possvel calcular RE:
3. Como IC = IE e VRC = 4 VRE, ento RC = 4 RE.

4. R2 0,1 mn RE (em geral, escolhe-se um valor igual a 0,1 mn RE. Em
momento oportuno vamos avaliar que a escolha de um valor muito baixo para R 2
leva a uma diminuio na impedncia de entrada). No faremos a deduo dessa
expresso, mas ela intuitiva, ou seja, R2 no pode ser de grande valor, pois nesse
caso a condio de corrente de base desprezvel no seria verdadeira.
5. Conhecido o valor de R2 para calcular R1, preciso lembrar que os dois
resistores esto em srie, portanto:
em que U2 = 0,7 + VRE e U1 = VCC U2.

Exemplo
Projete um circuito de polarizao por divisor de tenso na base, considerando
os valores da tenso de alimentao, o tipo de transistor e o valor da corrente de
coletor.
Dados: VCC = 12V, mn = 100 e ICQ = 5mA.
Soluo:
VRE = 0,1 VCC = 0,1 12V = 1,2V
65
Ento:
Valores adotados: RE = 220, RC = 820, R2 = 2k2 e R1 = 12k.

Esses valores so comerciais e prximos dos valores calculados.
3.8 Reguladores de tenso

Na maioria dos casos, a tenso senoidal deve ser retificada e filtrada antes de
alimentar um circuito com componentes eletrnicos. Hoje, as fontes retificadoras
fornecem tenso de sada com baixos valores de ripple, porm alguns componentes
eletrnicos no suportam nenhum valor mnimo de ripple. Nesses casos,
recomenda-se a utilizao de reguladores de tenso para amenizar a variao da
tenso contnua que alimenta o circuito eletrnico. Os circuitos reguladores de
tenso podem ser construdos utilizando-se transistores e circuitos integrados
especficos.
3.8.1 Regulador de tenso em srie

Sabe-se que o diodo Zener um regulador de tenso que pode ser instalado
em paralelo com a carga. Nessas condies, enquanto a corrente no Zener estiver
dentro da faixa de regulao, a tenso de sada na carga se mantm praticamente
constante.
O regulador de tenso em srie consiste basicamente no regulador Zener da
figura 4.21a, acrescido de um seguidor de emissor (amplificador coletor comum).
As figuras 4.21b e 4.21c ilustram o circuito desse regulador. Observe que o
circuito da figura 4.21c essencialmente o mesmo da figura 4.21b.
3.21 - (a) Regulador com Zener; (b) e (c) circuitos de

regulador de tenso em srie com transistor.
66
Os reguladores de tenso em srie apresentam vantagens quando

comparados aos reguladores de tenso em paralelo, principalmente considerando
que nos circuitos em srie somente o Zener utilizado pode ser de menor potncia e o
valor de impedncia de sada, baixo, caractersticas tcnicas importantes para uma
fonte retificadora.
Exemplo
A figura 4.22 apresenta um circuito com regulador de tenso em srie.
Considerando os dados a seguir, calcule VL, VCE, IZ, PZ, PTR, PRs e IC.
Dados: VBE = 0,7V e = 100.
3.22 - Regulador de
tenso
em
srie
com
transistor.
Soluo:
A tenso em RS 15V 6V = 9V; portanto, o valor da corrente sobre RS ser:
A tenso na carga 6V 0,7V = 5,3V; portanto, a corrente na carga vale:
A corrente de base vale

e a corrente no Zener, IZ = 60mA
0,53mA = 59,47mA.
A potncia dissipada PZ = 6V 59,47mA = 356,82mW.
A tenso entre coletor e emissor vale VCE = 15V 5,3V = 9,7V e a potncia
dissipada, PTR = 9,7V 53mA = 514,1mW. A potncia dissipada em R S PRs = 9V
60mA = 540mW.
3.8.2 Reguladores de tenso integrados de trs terminais

So reguladores que requerem poucos ou nenhum componente externo para
viabilizar sua operao. Esto disponveis em diversos valores de tenso e corrente,
e em vrios modelos de encapsulamento; o mais comum o TO-220.
REGULADOR DE TENSO FIXA
O regulador integrado de trs terminais um circuito que fornece uma tenso
altamente regulada a partir de uma tenso qualquer (em geral, utilizado na sada
de um retificador com filtro). Esse componente pode fornecer tenses reguladas
positivas ou negativas com valores entre 5V e 24V. Uma de suas aplicaes na
67
construo de um regulador no local, pois ele elimina problemas associados

distribuio das tenses quando existe uma nica fonte de alimentao. Os
reguladores integrados possuem proteo interna contra sobrecarga de corrente e
elevao de temperatura. Esto disponveis em vrios encapsulamentos. Os
modelos mais conhecidos so o TO-220 e o TO-3, com capacidade de corrente de
ate 2A (deve-se consultar o datasheet, pois, dependendo do fabricante, esse valor
pode mudar).
As principais famlias de reguladores integrados de trs terminais so:
78XX: reguladores de tenso fixa positiva;
79XX: reguladores de tenso fixa negativa.
Observao: XX representa o valor de tenso regulada na sada. Por exemplo:
7805 fornece na sada uma tenso regulada de 5V e 7912, tenso regulada de
12V.
A figura 4.23 mostra a pinagem para encapsulamento TO-220 para reguladores
da famlia 78XX e 79XX. Os reguladores 78XX e 79XX tm pinagem diferente um do
outro e, caso a corrente solicitada esteja prxima da mxima, deve ser usado um
dissipador de calor.
3.23 - Encapsulamentos TO -220 para reguladores

(a) 78XX e (b) 79XX.
A figura 4.24a apresenta a configurao bsica para esses reguladores.

importante enfatizar que, para funcionamento adequado, a tenso mnima de
entrada deve ser 2,5V maior do que a tenso nominal do regulador. Assim, no caso
do regulador 7805, para obter 5V na sada, o valor de entrada mnimo tem de ser
7,5V. Existe tambm um valor de tenso de entrada mximo, que, em geral, no
pode exceder 30V ( importante consultar o valor exato no datasheet do fabricante).
Recomenda-se o uso dos capacitores C1 e C2, porm, sem eles, o circuito funciona.
O C1 deve ser utilizado quando o capacitor do filtro do retificador estiver fisicamente
distante do regulador e o capacitor C2 melhora a resposta transiente de proteo
contra rudos.
O circuito da figura 4.24b apresenta um regulador para tenso positiva com
reforo de corrente na sada. Nesse modelo, a corrente de sada (I L) calculada por:
em que o ganho de corrente do transistor (mdia ou alta potncia) e I REG a
corrente no regulador.
68
3.24 - (a) Circuito bsico para reguladores de sada fixa positiva

ou negativa e (b) sada de alta corrente.
A figura 4.30 mostra uma aplicao do regulador KA78XXE como fonte de

corrente. Observe que a tenso regulada (VXX) fornecida pelo componente
aplicada no resistor R1, e, portanto, a corrente e a tenso em R1 so constantes.
Desse modo, a corrente na carga tambm ser constante e valer:
em que VXX a tenso regulada para o circuito integrado 7805, por exemplo,
VXX = 5V e IQ a corrente de polarizao, normalmente da ordem de A.
3.25 - Regulador de corrente

constante.
REGULADOR DE TENSO AJUSTVEL

Esse regulador (figura 4.26) fornece uma tenso de referncia da ordem de
1,25V e indicado para a construo de fontes ajustveis. Existe grande variedade
de modelos, entre os quais o mais conhecido o LM317, que fornece at 1A de
corrente (dependendo do encapsulamento) na faixa de tenso entre 1,25V e 35V.
Esse modelo necessita de um circuito com dois resistores e possui proteo
contra sobrecorrente e sobrecarga trmica.
69
O LM317 gera uma tenso de referncia fixa de 1,25V entre o terminal de

sada (OUT) e o terminal de ajuste (ADJ). Em uma primeira anlise, se
considerarmos a corrente de polarizao (IADJ) desprezvel em relao s outras
correntes, podemos afirmar que I1 = I2. Ento, equacionando na malha de sada,
temos:
Se levarmos em conta IADJ, devemos incluir na expresso acima o termo R2

IADJ. importante ressaltar que as resistncias R1 e R2 devem ter valores baixos
para garantir que a corrente de polarizao seja desprezvel. Uma aproximao
razovel considerar que a soma das duas resistncias no exceda 5k.
As funes dos demais componentes do circuito apresentado na figura 4.26b
so as seguintes:
C1: no funcional, mas recomendado, em especial se o filtro do retificador
no estiver prximo do regulador.
C2: melhora a resposta transiente e deve ser usado, principalmente, para
prevenir que rudos prejudiquem o funcionamento de dispositivos ligados na sada
do regulador.
C3: melhora a rejeio ao ripple da fonte, sobretudo quando o ajuste feito
com ganho elevado. Caso esse capacitor seja usado, melhor colocar os diodos de
proteo.
D1 e D2: so utilizados para providenciar um caminho de baixa impedncia
caso a entrada seja zero, evitando que os capacitores se descarreguem na sada do
circuito integrado.
70
4 Transistor de Efeito de Campo

O transistor efeito de campo (FET, Field Effect Transistor) um dispositivo que
controla o fluxo de corrente por meio da tenso aplicada em um de seus terminais,
diferentemente do transistor bipolar (BJT, Bipolar Junction Transistor), em que o
fluxo de corrente depende da corrente aplicada em seus terminais. O princpio de
funcionamento desse dispositivo est baseado na modulao aplicada em seus
elementos (portas), que vai controlar a corrente que circular em uma regio
denominada canal.
Existem basicamente dois tipos de transistor efeito de campo: MOSFET (MetalOxide-Semiconductor FET), tambm chamado de IGMOS (Insulated Gate MOS) ou
transistor MOS, e JFET (Junction FET). Os MOSFETs so mais usados,
principalmente em circuitos integrados e como dispositivos de potncia. Esses
transistores podem ser encontrados com polaridades de canal N e canal P.
Existem muitas diferenas entre o transistor de efeito de campo e o transistor
bipolar; as principais so:
Controle do fluxo da corrente: no FET por tenso e no BJT por corrente.
Impedncia de entrada: no FET muito alta (> 1 M) e no BJT baixa (por
causa da juno PN polarizada diretamente).
Tipo de portador: no FET um eltron livre ou lacuna e no BJT so eltrons e
lacunas.
Ganho de tenso: no FET menor do que no BJT.
4.1 Transistor de Efeito de Campo de Juno

A figura 5.1a mostra, de maneira simplificada, a estrutura fsica de um
Transistor de Efeito de Campo de Juno canal N. As figuras 5.1b e 5.1c ilustram a
simbologia para canal N e canal P, respectivamente. Observe que o dispositivo tem
trs terminais: o dreno (D, drain em ingls), a fonte (S, source) e a porta (G, gate). A
dopagem da regio da porta muito maior do que a do canal; desse modo, a regio
de depleo (regio de carga espacial) ser muito maior do lado do canal.
Observe nas figuras 5.1b e 5.1c que a posio da seta no meio ou prxima
fonte pode sugerir que possvel trocar o dreno pela fonte, o que permitido em
alguns modelos, mas no em todos; a simbologia em que a seta est mais prxima
fonte identifica os dispositivos que permitem essa troca. Na literatura sobre o tema,
possvel encontrar as duas simbologias. O sentido da seta indica o sentido de
conduo, como em um diodo comum de juno ponte-canal (PN).
71
4.1 - a) Estrutura fsica de JFET canal N,

b) simbologia para JFET canal N e c)
simbologia para JFET canal P.
Para entendermos o funcionamento, vamos analisar o modelo JFET canal N.

Para o modelo JFET canal P, basta inverter o sentido da corrente e das tenses.
Consideremos inicialmente, na figura 5.2a, a tenso V DS = 0 e a tenso VGS
polarizando reversamente a juno PN. Nessas condies, o canal entre o dreno e a
fonte est totalmente aberto e com determinado valor de resistncia. Como a tenso
aplicada nessa resistncia zero, a corrente tambm zero (ID = 0). Se elevarmos a
tenso de porta, a polarizao reversa aumenta, o que faz a regio de carga
espacial avanar no canal at fech-lo totalmente (figura 5.2b). Observe que a
regio de depleo avana mais no canal do que no lado da porta, porque a
dopagem da porta maior.
4.2 - a) Polarizao da porta com tenso negativa e b)

fechamento total do canal.
O valor da tenso de porta (VP) que provoca o fechamento total do canal

chamada de tenso de pinamento (pinch-off, em ingls), apresentando valor
negativo para canal N e positivo para canal P.
Agora, vamos considerar VGS = 0 e aplicar uma tenso entre o dreno e a fonte
com a polaridade indicada na figura 5.3. O que acontece com a corrente quando V DS
varia?
Inicialmente, como o valor de VDS baixo, a regio do canal praticamente no
se altera e, dentro de certos limites, o dispositivo se comporta como resistncia
72
(figura 5.3a). medida que VDS aumenta (figura 5.3b), a corrente de dreno se eleva,
causando queda de tenso ao longo do canal e seu afunilamento. A corrente de
dreno provoca entre o ponto A e a fonte uma tenso VA e entre o ponto B e a fonte
uma tenso VB, ou seja, VA > VB. Essas tenses so aplicadas na juno de maneira
reversa, e no ponto onde a tenso reversa maior a regio de carga espacial
avana mais no canal, isto , o estreitamento maior prximo ao dreno.
4.3 - a) Polarizao do dreno com tenso pequena (0,1V) e b)

pinamento atingido (Vp).
O estreitamento mximo ocorre quando o valor da tenso de dreno igual (em

mdulo) de pinamento. Se a tenso de dreno continua aumentando, o dispositivo
passa a se comportar como fonte de corrente constante. Isso porque as regies de
carga espacial no se unem e o estreitamento aumenta ao longo do canal (figura
5.4). Desse modo, a corrente de dreno se mantm aproximadamente constante em
IDSS. Na prtica, existe pequeno aumento em ID quando VDS se eleva alm de VP. Se
a tenso de dreno continuar aumentando, provocar a ruptura da juno, destruindo
o dispositivo. Essa tenso designada por BVDSS.
4.4 - Aspecto do canal quando a

tenso de dreno aumenta alm de
Vp.
4.1.1 Curvas caractersticas de dreno

A figura 5.5 ilustra o grfico do comportamento do JFET canal N com VP = 2V,
VGS = 0 e tenso de dreno variando. Quando V DS = 0, a corrente de dreno ID tambm
zero. Conforme VDS aumenta e se mantm com valor menor que V P, o
73
comportamento o de um resistor, isto , se a tensao de dreno se eleva, o valor da

corrente de dreno aumenta proporcionalmente. A regio de operao chamada de
regio hmica. medida que a tenso de dreno se aproxima da tenso de
pinamento, o canal se aproxima do estreitamento mximo e a curva comea a se
inclinar. Se a tenso aumenta alm desse valor, a variao da corrente de dreno
praticamente no existe. Diz-se que o dispositivo entrou na regio de saturao ou
de amplificao. O significado de saturao no FET diferente do que no transistor
bipolar. O valor da tenso de dreno para a qual ocorre o pinamento mximo V DS =
2V = |VP|.
Vamos considerar um exemplo em que a tenso de porta e V GS = 1V e a
tenso de dreno est variando. Nesse caso, obtm-se uma curva semelhante da
figura 5.5, porm com valor de corrente na saturao menor do que IDSS.
4.5 - Curva caracterstica de dreno para VGS = 0 V para

JFET com Vp = 2V.
A figura 5.6 mostra a curva caracterstica de dreno para alguns valores de

VGS. Observe que elas no so equidistantes nem lineares.
4.6 - Curva caracterstica de dreno para diversos

valores de VGS.
4.1.2 Curva caracterstica de transferncia

Consideremos, para o grfico da figura 5.7a, um dispositivo com VDS = 4 V.
Associado a cada valor de VGS existe um valor de ID. Se desenharmos o grfico de ID
74
VGS, obteremos a curva caracterstica de transferncia, pois os valores de entrada

so transferidos para a sada. A figura 5.7a mostra como obter nas curvas
caractersticas de dreno os dados para traar o grfico da figura 5.7b.
4.7 - Curvas caractersticas de dreno.
A equao que relaciona corrente de dreno com tenso de porta dada

aproximadamente por:
em que IDSS a corrente de dreno na saturao para VGS = 0 e VP a tensao de

pinamento.
4.1.3 Exemplo de JFET comercial

Vamos considerar apenas um exemplo de JFET comercial, o BF245A. A figura
5.8 mostra a pinagem e o aspecto desse dispositivo; na tabela da figura 5.9,
encontram-se os limites mximos; e a tabela da figura 5.10 apresenta algumas
caractersticas eltricas.
4.8 - Aspecto
fsico do JFET BF245A,
com encapsulamento TO92.
4.10 - Limites mximos do JFET BF245A (TC = 25C).
75
4.2 Transistor MOSFET

Como j visto, existe mais de um tipo de transistor de efeito de campo. O
transistor de juno (JFET) usa a tenso reversa aplicada em uma juno PN para
variar a largura da regio de carga espacial na regio do canal, alterando, desse
modo, sua condutividade. O outro tipo de transistor de efeito de campo o MOSFET
(Metal-Oxide-Semiconductor FET) ou IGFET (Insulated Gate FET). Esse dispositivo
controla tambm a condutividade do canal condutor por meio da tenso aplicada
entre o canal e a porta, criando um caminho que conecta o dreno e a fonte com um
isolante. Assim, mesmo invertendo a tenso, no haver corrente de porta.
Existem basicamente dois tipos de MOSFET: depleo e intensificao;
crescimento ou acumulao (enhancement), cada um deles podendo ter canal N ou
canal P.
A figura 5.11 mostra a estrutura simplificada e a simbologia de dois MOSFETs
tipo intensificao, um canal N e outro canal P.
O MOSFET fabricado com uma base chamada substrato (no caso de
MOSFET canal N, essa regio P). Duas regies fortemente dopadas tipo N so
criadas no substrato, originando o dreno e a fonte. Uma camada isolante de dixido
de silcio ultrapuro com espessura entre 3nm e 20nm depositada sobre a regio do
substrato entre o dreno e a fonte. No incio da indstria eletrnica, aplicava-se uma
camada de metal (o M de MOSFET) sobre a camada de dixido.
Atualmente, para atender as necessidades tecnolgicas, essa camada de
silicio policristalino.
76
Na maior parte das aplicaes, o substrato ligado fonte (S), o que no

altera o funcionamento do circuito. Existem casos em que o substrato pode funcionar
como uma segunda porta, fazendo com que uma tenso aplicada no substrato altere
a corrente de dreno. Em nossas anlises, consideraremos o substrato sempre ligado
fonte.
4.2.1 Funcionamento do MOSFET tipo crescimento

Para entendermos a operao desse dispositivo, vamos considerar o MOSFET
tipo crescimento canal N da figura 5.12, que mostra a polaridade das tenses (V GS e
VDS) e o sentido da corrente de dreno (ID).
Com a aplicao de uma tenso positiva na porta, os eltrons (minoritrios) do
substrato so atrados para a regio abaixo do xido de porta e as lacunas livres do
substrato se movem para baixo. Na regio de silcio abaixo da porta, quando a
densidade de cargas livres negativas for maior do que a de positivas, ser induzido
um canal condutor, ligando a regio da fonte do dreno. Nessa condio, o valor da
tenso de porta resultante chamado de tenso de limiar (threshold voltage, V T). O
valor de VT controlado durante a fabricao do dispositivo, podendo variar de 1V a
5V. Quanto maior a diferena de tenso entre os valores de V GS e de VT, maior ser
a induo de cargas negativas no canal, o que, consequentemente, aumentar a
condutividade do canal, ou seja, a condutividade do canal proporcional a V GS VT.
Portanto, a corrente de dreno controlada pelo valor da tensao de porta.
4.12 - MOSFET tipo

crescimento com tenses de
polarizao.
77
Se levarmos em conta o aumento da tenso V DS, a corrente de dreno se

elevar, e, inicialmente para pequenos valores de V DS, a corrente de dreno ser
proporcional tensao de dreno. O transistor, ento, se comportar como resistncia
controlada por tenso. Aumentando o valor de VDS, para VDS = VGS VT = VDSsat
(tenso de saturao), o canal prximo ao dreno ficar muito estreito (figura 5.13).
4.13
MOSFET
tipo
crescimento com VGS VT e
VDS = VGS VT = VDSsat.
Continuando a anlise, vamos considerar a tenso de dreno aumentando alm

da tenso de saturao. Nesse caso, observaremos o estreitamento aumentando no
sentido da fonte (figura 5.14), e, a partir desse valor, a corrente de dreno ficar
praticamente constante.
4.14 - MOSFET tipo crescimento

com VGS > VT e VDS > VGS
VT.
A figura 5.15 mostra a curva de dreno para um valor de VGS e as trs regies
de operao (triodo, saturao e corte).
78
4.15 - Regies de operao do

MOSFET.
A figura 5.16a apresenta as curvas de dreno para um transistor com V T = 1V, e

a figura 5.16b, a operao com baixo VDS, demonstrando que possivel utilizar esse
dispositivo como resistncia controlada por tenso.
4.16 - a) Curvas caractersticas de dreno MOSFET tipo crescimento

canal N e b) operao do MOSFET como resistncia controlada por
tenso.
A figura 5.17 mostra a curva de transferncia ou de transcondutncia. A parte

inicial da curva representa o momento em que VGS = VT. Quando VGS menor do
que VT, a corrente de dreno praticamente nula. Quando maior, o dispositivo entra
em conduo e a corrente de dreno passa a ser controlada pela tenso de porta.
A corrente para VGS 0 muito pequena, da ordem de alguns nA. Quando V GS
> 0, a corrente de dreno se eleva devagar e depois acentuadamente com o aumento
de VGS. O fabricante indica um valor de tenso de porta para o qual a corrente de
dreno atinge determinado valor por exemplo, 20A. A corrente ID (on) representa o
valor mximo da corrente de dreno e VGS (on), o valor de tenso de porta
correspondente. A relao entre a corrente de dreno e a tenso de dreno
aproximadamente quadrtica, isto :
em que a constante K est relacionada com parmetros fsicos.
79
4.17 - Curva caracterstica de

transferncia.
4.2.2 Funcionamento do MOSFET tipo depleo

Quando estudamos o JFET, vimos que a condutividade do canal pode ser
alterada aumentando a polarizao reversa, isto , fazendo com que a regio de
depleo (regio desprovida de portadores de cargas livres) avance sobre o canal.
A figura 5.18 mostra a estrutura simplificada e a simbologia de dois MOSFETs
tipo depleo, um canal N e outro canal P. Observe que eles possuem um canal
ligando o dreno fonte, isto , mesmo sem tenso de porta haver corrente de
dreno.
4.18 - Estrutura fsica de MOSFETs tipo depleo: a) canal N e

b) canal P, com as respectivas simbologias.
A figura 5.19 ilustra a operao de acordo com VGS no modo depleo.
80
4.19 - MOSFET tipo depleo canal N operando com: a) VGS = 0, b) VGS >
0 e c) VGS < 0.
Quando a porta positiva em relao ao canal, os eltrons so atrados do

substrato, aumentando a condutividade do canal (figura 5.19). Quando a porta
negativa, os eltrons so repelidos para fora do canal, diminuindo a condutividade
deste. Se a tenso de porta suficientemente negativa, o estreitamento do canal
pode atingir o valor mximo, anulando a corrente de dreno. A figura 5.20 apresenta
as curvas caractersticas de dreno. Analisando-as, possvel verificar como ocorre a
variao de tenso nos modos depleo e crescimento.
4.20 - Curvas caractersticas de dreno

MOSFET tipo depleo canal N.
A figura 5.21 mostra a curva de transferncia ou de transcondutncia.
81
4.21 - Curva caracterstica de

transferncia.
4.2.3 MOSFET de potncia

A inveno do MOSFET de potencia veio suprir a deficincia dos transistores
bipolares de potncia utilizados em eletrnica (transistores de potncia so aqueles
que suportam correntes de no mnimo 1A).
Os transistores bipolares de potncia sao controlados por corrente. Assim, para
controlar uma corrente de valor elevado, e necessaria uma corrente de base
relativamente alta. Para cortar o transistor com rapidez, a corrente reversa de base
deve ter valor elevado, porm, por possuir lacunas como portadores de carga, o
tempo para mudana de estado tambm aumenta. Os MOSFETs podem operar com
grandes velocidades de comutao quando ligados em tenses abaixo de 200V.
Os MOSFETs de potncia tm aparncia diferente dos outros transistores e,
por isso, so chamados de MOSFETs verticais (V-MOS, do ingls vertical MOSFET).
H vrios tipos de MOSFETs, projetados para diversas aplicaes. Um deles,
por exemplo, de estrutura similar do transistor tradicional, usado especificamente
nos estgios de sada de amplificadores de udio.
A figura 5.22 mostra a pinagem, o aspecto e algumas caractersticas eltricas
do MOSFET de potncia IRF2804S-7P, para uso automotivo, e a tabela da figura
5.23, os limites mximos do componente.
4.22 - Aspecto fsico e algumas caractersticas eltricas do

IRF2804S-7P.
82
5 Amplificadores Operacionais
Os amplificadores operacionais, tambm denominados AOs ou AMPOPs so
circuitos eletrnicos com caractersticas que se aproximam s de um amplificador de
sinais ideal. O amplificador operacional (AO) foi desenvolvido na dcada de 1960.
De incio montado em uma placa com componentes discretos (transistores,
resistores e capacitores), hoje, com o avano da indstria eletrnica e o
desenvolvimento de dispositivos minsculos, construido em circuitos integrados,
conhecidos por chips (pastilhas de silcio), com dezenas de transistores e outros
componentes de pequenas dimenses.
5.1 - Aspecto de um CI amplificador

operacional genrico.
Os amplificadores operacionais tm diferentes aplicaes em eletrnica, como:

Amplificadores lineares Trata-se de sua principal aplicao, nos casos em
que necessrio obter ganho estvel independentemente da temperatura, tempo e
mudanas no ganho de tenso em malha aberta.
83
Amplificadores no lineares Amplificam o sinal de uma polaridade e no da

outra por exemplo, em retificadores de preciso.
Comparadores Por apresentarem altssimo ganho, possibilitam que a sada
seja alterada de nvel alto para baixo ou vice-versa, quando as tenses de entrada
esto em valores prximos a dcimos de mV.
Filtros Permitem maior seletividade do filtro, pois possvel obter
atenuaes maiores do que 20dB/dcada, impedncia de entrada muito alta e de
sada muito baixa, no havendo, portanto, necessidade de efetuar casamentos de
impedncia. Possibilidade de ganho de tenso.
Amplificadores logartmicos Usados quando na malha de realimentao h
dispositivos no lineares, como diodos e transistores, proporcionando relao
logartmica entre a sada e a entrada. Esses circuitos so chamados muitas vezes
de compressores e expansores (comuns em circuitos de udio ou vdeo).
Multivibradores So basicamente os circuitos biestvel, monoestvel e
estvel.
A grande vantagem em relao aos circuitos digitais que a alimentao pode
ser maior, oferecendo, portanto, a possibilidade de adicionar potncia.
Geradores de forma de onda Geram diferentes formas de onda: senoidais,
quadradas (tempos alto e baixo variveis) e triangulares (inclinaes positiva e
negativa variveis).
A denominao Amplificador Operacional origina-se do fato de que estes
circuitos eletrnicos foram utilizados inicialmente para realizar operaes
matemticas como adio, subtrao e multiplicao.
O smbolo utilizado para representar o Amplificador Operacional um tringulo
que aponta no sentido do fluxo do sinal. Ao tringulo so acrescentados terminais
que representam os pontos de conexo com o circuito externo, de acordo com a
figura 6.2.
5.2 - Terminais do Amplificador

Operacional.
Os Amplificadores Operacionais na maioria das aplicaes so alimentados por

duas tenses simtricas, por exemplo +15V e -15V:
5.3 - Alimentao do Amplificador

Operacional.
84
Isto est relacionado com a necessidade que o Amplificador Operacional tem

de produzir sinais positivos ou negativos. Contudo, internamente o Amplificador
Operacional obtm o 0V, como apresentado na figura 6.4:
5.4 - Gerao de 0V
internamente ao Amplificador
Operacional.
Independente disso, os componentes ou circuito externos ao Amplificador

Operacional podem estar conectados ao 0V (GND ou terra), o que pode ser obtido
no terminal 0V da fonte simtrica, de acordo com a figura 6.5.
5.5 - Exemplo de circuito com

Amplificador Operacional.
5.1 Terminais de entrada e resposta associada

A principal finalidade de um Amplificador Operacional realizar uma
amplificao tanto de tenses contnuas quanto alternadas. Em relao s duas
entradas de sinais dos Amplificadores Operacionais, podemos defin-las da seguinte
forma:
ENTRADA INVERSORA (-)
Para sinais aplicados essa entrada, o Amplificador Operacional se comporta
como um amplificador com RELAO DE FASE DE 180O entre sada e entrada, isto
, se o sinal aplicado na entrada inversora (-) torna-se mais positivo, o sinal da
sada torna-se mais negativo.
85
5.6 - Resposta associada a um sinal de entrada aplicado entrada

inversora.
ENTRADA NO INVERSORA (+)

Para sinais aplicados essa entrada, o Amplificador Operacional se comporta
como um amplificador com RELAO DE FASE DE 0O entre sada e entrada, isto ,
se o sinal aplicado na entrada inversora (-) torna-se mais positivo, o sinal da sada
torna-se mais positivo.
5.7 - Resposta associada a um sinal de entrada

aplicado entrada no inversora.
5.2 Caractersticas principais dos Aplificadores Operacionais

IMPEDNCIA DE ENTRADA
O Conceito de impedncia nos traz que essa a carga resistiva total de um
circuito em corrente alternada.
A impedncia de entrada de um Amplificador Operacional a impedncia que
existe entre os terminais de entrada do dispositivo, que se denomina Z i:
5.8 - Representao da impedncia de

entrada
de
um
Amplificador
Operacional.
86
Um Aplificador Operacional ideal deve apresentar impedncia de entrada

infinita (
). Essa caracterstica determina que as entradas do Amplificador
Operacional no absorvem corrente.
Como
IMPEDNCIA DE SADA
Pode ser representada como um resistor em srie com a sada do Amplificador
Operacional, que denominada Zo:
5.9 - Representao da
impedncia de sada de um
Um Amplificador Operacional ideal deve apresentar impedncia de sada nula,

comportando-se como uma fonte de tenso ideal para a carga, sem resistncia
interna.
GANHO DE TENSO DIFERENCIAL
O sinal a ser amplificado pode ser aplicado ao Amplificador Operacional de trs
formas: Entre a entrada (-) e GND; Entre a entrada (+) e GND; Entre as duas
entradas (+) e (-).
Quando o sinal aplicado entre as duas entradas, o Amplificador Operacional
atua como amplificador diferencial, amplificando a diferena entre as duas tenses
de entrada:
5.10 - Sinal aplicado entre as

entradas (+) e (-) do Amplificador
Operacional.
Nesta situao, o ganho obtido denominado ganho de tenso diferencial, e

ainda pode ser definido em malha aberta ou malha fechada.
Nas folhas de dados, os fabricantes fornecem o ganho de tenso diferencial em
malha aberta, que a amplificao fornecida pelo Amplificador Operacional sem
realimentao, ou seja, quando no h ligao externa entre o terminal de sada e
qualquer das entradas.
87
Representa-se o ganho diferencial em malha aberta como A d ou AVO, e

idealmente esse valor deve ser infinito.
Os Amplificadores Operacionais modernos apresentam Ad que variam entre 103
e 109. Esse ganho normalmente expresso em decibis (dB) nos manuais:
O ganho propiciado por um Amplificador Operacional pode ser reduzido e

determinado por uma malha de realimentao, que so componentes externos ao
Amplificador Operacional que interligam a sada com a entrada, conforme
apresentado na figura 6.11.
5.11 - Malha de realimentao

aplicada
ao
Amplificador
Operacional.
TENSO DE OFFSET DE SADA

a tenso presente na sada de um Amplificador Operacional quando suas
duas entradas esto com potencial nulo, assim como na figura 6.12:
5.12 - Entradas do Amplificador

Operacional com potencial nulo.
Um Amplificador Operacional ideal deve ter uma tenso de OFFSET nula,

contudo, nos dispositivos reais esta da ordem de poucos mV.
Alguns Amplificadores Operacionais possuem terminais que possibilitam
atravs de circuito externo, ajustar a tenso de sada para zero quando as entradas
estiverem ao potencial de terra. Este ajuste denominado OFFSET NULL:
88
5.13 - Representao dos terminais de

ajuste de OFFSET do Amplificador
Operacional.
REJEIO DE MODO COMUM

Quando as entradas do Amplificador Operacional recebem sinais, o dispositivo
deve atuar como amplificador diferencial, amplificando a diferena entre as duas
tenses:
5.14 - Circuito com tenses

aplicadas s duas entradas do
Onde Ad o ganho diferencial.

Se no existe diferena entre as tenses, a sada deve ser igual a zero.
Logo:
Denomina-se rejeio de modo comum (CMRR) a capacidade de um

Amplificador Operacional de no amplificar tenses que sejam comuns s duas
entradas do dispositivo.
Um Amplificador Operacional ideal deve ter uma rejeio de modo comum
infinita (
).
Exemplos
Supondo-se um Amplificador Operacional ideal, com ganho Ad = 100:
89
5.15 - Circuito com tenses

aplicadas s duas entradas do
Calcule Vo para as situaes a) e b):

a) Va = 1,1V
Vb = 1,0V
Va Vb = 0,1V
Vo = Ad.(0,1V) = 10V
b) Va = 6,1V
Vb = 6,0V
Va Vb = 0,1V
Vo = Ad.(0,1V) = 10V
Diz-se que nos dois casos, o Amplificador Operacional rejeitou o valor comum
s duas entradas, e amplificou apenas a diferena. Este Amplificador Operacional
tem
.
Um Amplificador Operacional real amplifica tambm as tenses comuns aos
dois terminais de entrada, mas com ganho muito menor, o que por exemplo pode
resultar em valores de Vo maiores do que 10V no caso acima (V O = 10,01V; VO =
10,06V; etc).
Diz-se nesse caso que o Amplificador Operacional no rejeitou completamente
os valores de tenso comuns s duas entradas.
O valor de CMRR para os Amplificadores Operacionais reais dado em
decibis (dB).
BANDA DE PASSAGEM
Os Amplificadores Operacionais podem apresentar ganhos diferenciais em
malha aberta (Ad) da ordem 100.000 a 200.000.
Contudo, esse ganho diferencial no constante ao longo de toda a faixa de
frequncias. O grfico da figura 6.16 apresenta a resposta em frequncia genrica
dos Amplificadores Operacionais:
5.16 - Grfico de banda de passagem (resposta

em frequncia) de um Amplificador Operacional.
A banda de passagem a faixa de frequncias em que o ganho se mantm

maior do que 70% do ganho mximo, o que corresponde a uma reduo de -3dB.
90
5.3 Caractersticas de transferncia dos Amplificadores

Operacionais
O ganho de um Amplificador Operacional em malha aberta altssimo e atinge
valores da ordem de 100.000. Isto significa que para uma diferena de 10mV entre
as duas entradas, a sada ser por exemplo:
Contudo, a tenso de sada nunca se estabelece acima das tenses de

alimentao, como pode-se notar no exemplo da figura 6.17.
5.17
Amplificador
Operacional alimentado com
fonte simtrica +/-15V.
Quando a tenso de sada de um Amplificador Operacional atinge valores

iguais (ou prximos) s tenses de alimentao, diz-se que o Amplificador
Operacional atingiu a saturao positiva ou negativamente.
Na prtica, a saturao sempre fica ligeiramente menor do que a alimentao.
O grfico sobre o comportamento dos Amplificadores Operacionais nesse contexto
o apresentado na figura 6.18.
5.18 - Regies de operao do

Amplificador Operacional: saturao e linear.
No grfico, quando
obedece a equao:
est entre VCC e +VCC, a tenso de sada VO
Isso caracteriza uma operao linear nessa regio, que por consequncia
denominada regio linear de operao.
Um Amplificador Operacional operando como amplificador de sinais, deve
trabalhar na regio linear.
91
5.4 Ampliao da regio linear de operao

Devido ao alto ganho em malha aberta, a regio linear de operao de um
Amplificador Operacional muito estreita.
Se um Amplificador Operacional sem realimentao fosse utilizado como
amplificador de sinais, o sinal de entrada deveria estar limitado a poucos mV.
Entretanto, a regio linear de operao pode ser ampliada atravs da reduo
do ganho do Amplificador Operacional, usando de realimentao negativa.
A realimentao negativa consistem em retornar uma parte do sinal de sada
para a entrada inversora, atravs de um circuito externo.
5.19
Amplificador
Operacional realimentado
negativamente.
Supondo-se que o circuito com a realimentao da figura 6.19 estabelea um

ganho de tenso Ad = 1000 e considerando-se que VCC = +15V/-15V, podemos
determinar a regio linear de operao:
Supondo-se agora uma reduo ainda maior de ganho, para A d = 100, tm-se
um aumento da regio linear de operao:
Comparando-se graficamente os resultados:
5.20 - Aumento da regio linear ocasionado

pela realimentao negativa implementada.
92
5.5 Circuitos com Amplificadores Operacionais

Os circuitos que utilizam Amplificadores Operacionais na regio linear so
denominados circuitos lineares. As principais configuraes que podem ser adotadas
com Amplificadores Operacionais so apresentadas nos tpicos seguintes.
5.5.1 Amplificador Inversor

Nessa topologia o sinal aplicado na entrada inversora (-), o que implicar na
inverso de fase (ou defasagem) de 180o entre sada e entrada.
5.21 - Inverso de fase de 180 entre sada e entrada

no amplificador inversor.
Para que o Amplificador Operacional trabalhe na regio linear se faz

necessrio acrescentar uma malha de realimentao negativa ao circuito:
5.22 - Topologia do
amplificador inversor.
Para analisarmos o ganho nessa topologia, precisa-se admitir que a

impedncia de entrada do Amplificador Operacional infinita tal como no ideal,
dessa forma, no h circulao de corrente entre as entradas do dispositivo, e a
queda de tenso na impedncia de entrada igual a zero.
5.23 - Representao
da impedncia de entrada do
Verifica-se que tanto a entrada no inversora (+) (ligada ao terra) quanto a

entrada inversora (-) tm potencial de 0V, embora a entrada inversora no esteja
conectada fisicamente ao terra.
93
5.24 - Terra virtual do Amplificador

Operacional.
Este ponto denominado terra virtual do circuito.

FUNCIONAMENTO DO CIRCUITO
Ao aplicar-se uma tenso entrada do amplificador inversor, circula sobre R 1
uma corrente dada por
, j que o terra virtual tem potencial de 0V:
5.25 - Corrente nula na entrada

do Amplificador Operacional.
Uma vez que a entrada do Amplificador Operacional no absorve corrente, a

mesma corrente que circula por R1, circula atravs de R2.
Como R2 est ligado entre a sada do Amplificador Operacional e ao terra
virtual (0V), a tenso sobre R2 igual tenso de sada VO. Essa tenso pode ser
calculada pela Lei de Ohm:
Dispondo-se das equaes de VO e Vi, pode-se determinar o ganho do circuito

amplificador inversor:
O sinal negativo - que antecede a equao acima indica a inverso de fase do

sinal de sada em relao entrada.
Simplificando-se a equao acima, temos:
Por essa equao pode-se perceber que o ganho do circuito depende apenas
dos componentes que compem a malha de realimentao.
Exemplo
Calcule o ganho do circuito:
94
5.26 - Amplificador
inversor exemplo.
IMPEDNCIA DE ENTRADA DO AMPLIFICADOR INVERSOR

Admitindo-se que o terminal de entrada inversora um terra virtual, a
impedncia de entrada do circuito (Zi) ser o prprio valor do resistor onde se aplica
o sinal:
5.27 - Impedncia de
entrada
do
amplificador
inversor.
IMPEDNCIA DE SADA DO AMPLIFICADOR INVERSOR

A impedncia de sada (ZO) do amplificador inversor sempre muito menor do
que a impedncia de sada do prprio Amplificador Operacional.
Valores tpicos de ZO so menores do que 1.
5.5.2 Amplificador No Inversor

Para obteno de um amplificador no inversor, utiliza-se a entrada no
inversora do Amplificador Operacional, o que resulta em um sinal de sada V O em
95
fase com o sinal de entrada Vi:
5.28 - Relao de fase entre sada e entrada no

amplificador no inversor.
A malha de realimentao (R1 e R2) necessria para manter o Amplificador

Operacional na regio linear de funcionamento.
O ganho do amplificador no inversor normalmente determinado
considerando-se o Amplificador Operacional como sendo ideal, dessa forma a
impedncia de sada nula (
), a impedncia de entrada infinita (
), e
o ganho diferencial infinito (
).
Com estas aproximaes (que no prejudicam o resultado prtico), a equao
do ganho do amplificador pode ser deduzida. Como entre as entradas no circula
corrente, a mesma tenso Vi aparece na entrada inversora e tm-se:
Da mesma forma, como as entradas do Amplificador Operacional no

absorvem corrente,
, assim:
Como
, ento:
Finalmente:
Pode-se perceber que neste caso no h sinal negativo, o que indica que a
sada est em fase com a entrada.
96
IMPEDNCIA DE ENTRADA DO AMPLIFICADOR NO INVERSOR

Como nesta topologia o sinal de entrada aplicado entrada no inversora do
Amplificador Operacional, a impedncia de entrada (Zi) a prpria impedncia de
entrada do Amplificador Operacional.
IMPEDNCIA DE SADA DO AMPLIFICADOR NO INVERSOR

A impedncia de sada (ZO) do amplificador no inversor tambm sempre
menor do que a impedncia de sada do prprio Amplificador Operacional.
Valores tpicos de ZO so menores do que 1.
5.5.3 Amplificador Seguidor de Tenso

O circuito Seguidor de Tenso , tambm conhecido como Buffer, um
amplificador com ganho unitrio.
5.29 - Amplificador Operacional em topologia Seguidor de

Tenso (Buffer).
Esta topologia representa um tipo particular de amplificador no inversor (com

e
). Dessa forma, o ganho do Buffer dado por:
IMPEDNCIAS DO CIRCUITO SEGUIDOR DE TENSO

Em relao s impedncias de entrada e sada, o Buffer se comporta da
mesma forma que o amplificador no inversor:
97
O Buffer utilizado para isolar e conectar um estgio de alta impedncia de

sada a uma carga de baixa impedncia de entrada.
5.5.4 Amplificador Somador

um circuito com Amplificador Operacional capaz de fornecer na sada uma
tenso igual soma das tenses aplicadas s entradas:
5.30
Topologia
Amplificador Somador.
do
Considerando-se que a entrada inversora no absorve corrente e que esta

um terra virtual, pode-se analisar o comportamento do somador.
Ao aplicar-se as tenses V1 e V2 s entradas, por R1 e R2 circularo
respectivamente as correntes I1 e I2:
e
Essas correntes se somam no n A a seguir e circulam atravs do resistor R3,
uma vez que a entrada inversora (-) no absorve corrente.
5.31 - Correntes somadas no n

A no Amplificador Somador.
A tenso de sada pode ser dada pela Lei de Ohm:
Ou ainda:
Se os valores de R1, R2 e R3 forem iguais, tem-se:

Assim,
98
A tenso de sada numericamente igual soma de V 1 e V2, porm com sinal

negativo, relativo inverso de fase.
Observao 1: Se for necessrio obter-se a soma de V1 e V2 com sinal correto
da operao matemtica, pode-se utilizar um amplificador inversor com ganho 1 na
sada do circuito somador.
Observao 2: Quando uma das tenses a ser somada for negativa, a
corrente nessa entrada ser diminuda das demais:
5.32 - Circuito somador com tenso

negativa em uma das entradas.
O circuito somador pode ser implementado com qualquer nmero de entradas:
5.33 - Circuito somador

mltiplas entradas de sinal.
com
Se R1 = R2 = R3 = ... = Rn, ento:
Observao 3: Quando o circuito somador possui todos os resistores com

valores de igual resistncia, todas as tenses tm pesos iguais no somatrio. Se os
resistores no tiverem igual valor, devemos utilizar a equao:
99
5.5.5 Amplificador Subtrator

O Amplificador Operacional pode configurar um circuito que realiza a subtrao
entre tenses. O efeito de subtrao obtido aplicando-se uma tenso na entrada
inversora e outra na no inversora.
5.34 - Topologia para o

Amplificador Subtrator.
Se todos os resistores forem de igual valor, a tenso de sada do circuito ser

dada por:
O sinal negativo indica a inverso do sinal do resultado da subtrao e pode

ser eliminado da mesma forma que no circuito somador.
Este tipo de circuito pode ainda ser implementado de tal forma que R 1 = R2 e
R3 = R4. Neste caso, o circuito realiza a subtrao e amplifica o resultado conforme a
razo R4/R1. A equao se torna:
5.5.6 Comparadores de tenso

Os circuitos comparadores com Amplificadores Operacionais operam nas
regies de saturao positiva e negativa do dispositivo, por no contar com a
realimentao negativa que limita o ganho do circuito. Nesse tipo de topologia
comum utilizar-se o terra (0V) como alimentao negativa (-VCC).
5.35 - Comparador de tenso com referncia

estabelecida na entrada no inversora.
100
5.36 - Comparador de
estabelecida na entrada inversora.
tenso
com referncia
Como o ganho em malha aberta do Amplificador Operacional muito alto,

qualquer diferena de tenso entre as entradas faz com que o dispositivo sature
positiva ou negativamente, dependendo apenas dos nveis de tenso nas entradas.
Se aplica-se na entrada no inversora uma tenso maior do que na entrada
inversora, a relao
positiva. Aplicando a essa o ganho de malha aberta
infinito, temos que o Amplificador Operacional satura positivamente.
Por sua vez, se na entrada no inversora aplica-se uma tenso menor do que
na entrada inversora, a relao
negativa. Aplicando agora o ganho de
malha aberta infinito, temos ento nessas condies o Amplificador Operacional em
saturao negativa.
Exemplo de aplicao
Sensor de nvel de tanque com bomba de enchimento.
5.37 - Exemplo de aplicao para circuito comparador de

tenso.
Considerando que o Sensor de nvel da figura 6.37 conta com uma boia que
fixada mecanicamente ao cursor da resistncia varivel (deslizante), de modo que a
tenso na entrada inversora do Amplificador Operacional (Vin) seja diretamente
proporcional ao nvel de combustvel contido no tanque.
Enquanto o nvel de lquido no tanque alto, V in se mantm prximo ao valor
de +VCC. Nessas condies, a tenso na entrada inversora maior do que a tenso
de referncia na entrada no inversora, e o Amplificador Operacional est em
saturao negativa, no caso em 0V.
Quando o nvel de lquido no tanque decresce, a tenso V in tambm decresce
proporcionalmente at o momento em que a tenso na entrada inversora seja menor
do que a tenso de referncia na entrada no inversora, e o Amplificador
Operacional passar saturao positiva, em +VCC.
101
Imagine que ao sinal de sada VO comande o acionamento do motor M.

Enquanto VO estiver saturado negativamente, o motor estar desligado. Quando V O
estiver em saturao positiva, o motor ligado e inicia-se enchimento do tanque, at
que o nvel de lquido seja correspondente a uma tenso V i maior do que a tenso
de referncia da entrada no inversora. O grfico da figura 6.38 apresenta a
resposta do sistema em relao tenso Vi.
5.38 - Representao grfica

da resposta do sistema.
Percebe-se que quanto mais rpida a atuao do motor, mais rpido o nvel do
tanque aumenta e maior a frequncia de chaveamento da sada, podendo ento
ocorrer o problema de chaveamento infinito. Nesse contexto se insere a idia da
topologia do comparador com histerese.
COMPARADOR COM HISTERESE
O
circuito comparador com histerese elimina a frequncia infinita de
chaveamento, gerada no ponto de VRef do circuito comparador simples. Essa
topologia utiliza realimentao positiva, o que possibilita ter-se uma referncia
dinmica, variando com o nvel de tenso na sada, que pode estar saturada positiva
ou negativamente.
5.39 - Circuito e grfico de resposta do

comparador com histerese.
O grfico apresentado na figura 6.39 representa a janela de histerese do

comparador. A tenso de referncia pode ser dada por
pela equao:
(
102
E a sada VO depender da tenso
, dada por:
5.6 Circuitos Osciladores

Em muitas aplicaes necessrio gerar um sinal que pode ter as mais
diversas formas, retangular, senoidal, triangular, etc. Contudo, o nico sinal
disponvel contnuo da prpria alimentao do circuito.
Os osciladores podem ser compostos das mais diversas formas, porm, por via
de regra utilizam realimentao positiva, a fim de compensar a energia consumida
na gerao do ciclo anterior.
5.6.1 Oscilador senoidal em Ponte de Wien com Amplificador

Operacional
Uma topologia clssica entre os osciladores senoidais a Ponte de Wien, que
consegue fornecer um sinal senoidal com baixssima distoro.
5.40 - Oscilador
Ponte de Wien
com
A frequncia de oscilao desse circuito dada pela equao:
O circuito de difcil implementao pois opera no limite da estabilidade, da a

necessidade de ter-se um dos resistores da malha de realimentao negativa
varivel, para ajuste do ponto de oscilao, a partir do ajuste do ganho do circuito. O
ganho do circuito no pode ser to baixo a ponto do circuito deixar de oscilar, e nem
to alto a ponto de saturar a sada e deformar a senide.
103
5.6.2 Oscilador de onda quadrada com Amplificador Operacional

Essa topologia muito comum para produzir sinais de Clock para circuitos
digitais.
5.41 - Oscilador de onda quadrada com Amplificador

Operacional.
O tempo de comutao do circuito da figura 6.41 dado atravs da

realimentao negativa, onde o capacitor C carrega-se exponencialmente at atingir
a referncia positiva UTP, nesse ponto o capacitor comea a descarregar at atingir
a referncia LTP. Percebe-se a semelhana dessa operao com o comparador com
histerese.
O tempo de ciclo dado pela equao:
(
5.6.3 Gerao de sinais triangulares

Para gerao de sinais triangulares, devemos contar com um circuito oscilador
de onda quadrada, e ento aplicar esse sinal entrada de um circuito chamado
integrador. Este circuito apresentado na figura 6.42.
5.42 - Circuito Integrador: gerao de sinal

triangular a partir de onda quadrada.
104
Quando um sinal constante positivo aplicado no capacitor C, ele produz uma

rampa linear descendente, e se o sinal for constante e negativo, a rampa ser
ascendente. Essa inverso ocorre devido ao fato do circuito integrador ser inversor.
5.6.4 Circuito Integrado temporizador 555

O Circuito Integrado 555 utilizado basicamente como temporizador em
diversas aplicaes industriais e em projetos simples com finalidades educativas.
Esse dispositivo foi desenvolvido inicialmente como NE-5555 pela Signetics na
dcada de 1970. Hoje fabricado por muitas empresas, como a Fairchild (NE555), a
National Semiconductor (LM555) e a Philips (NE555).
Para entendermos o funcionamento desse circuito, vamos usar o diagrama de
blocos da figura 6.43.
5.43 - Diagrama de blocos do Circuito

Integrado 555.
Os pinos do dispositivo 555 so representados pelos terminais numerados de 1

a 8 na figura 6.44 e apresentam as seguintes finalidades:
1. GND (terra)
2. Trigger (disparo)
3. Sada
4. Reset
5. Control (controle de tenso)
6. Threshold (limiar)
7. Descarga
8. VCC
Entre os vrios tipos de encapsulamento para esse dispositivo, o mais utilizado
o DIP (Dual in Line Package) com quatro pares de pinos de acordo com a figura
6.44.
105
5.44 - CI 555 encapsulamento

DIP-8.
Existe um dispositivo denominado 556, que armazena no encapsulamento dois

circuitos integrados 555 (figura 6.45). Essa verso tem 14 pinos (DIP-14).
5.45 - Dispositivo 556,

equivalente a dois circuitos
integrados 555.
Retomando a figura 6.43, podemos observar o divisor de tenso formado pelos

trs resistores de 5K. Foram esses componentes que deram origem ao nome 555.
Os blocos indicados na figura citada so:
1 e 2: Comparadores de tenso So elementos que promovem uma
resposta na sada a partir da comparao das entradas: se V+ > V, a sada ter
nvel alto; se V+ < V, a sada ter nvel baixo.
3: Flip-flop RS (FF RS) um biestvel que muda de estado de acordo com o
nvel estabelecido nas entradas e responde de acordo com a tabela verdade
respectiva.
4: Buffer de sada o estgio de potncia do 555, responsvel pela
razovel capacidade de corrente que esse dispositivo pode fornecer ou consumir
(aproximadamente 200 mA).
5: Transistor de descarga Opera como chave nas seguintes situaes:
quando Q = 1, satura descarregando o capacitor externo; quando Q = 0, atua como
chave aberta.
5.6.4.1Circuito integrado 555 como monoestvel

A figura 6.46 mostra o circuito bsico para a operao monoestvel, a que
106
necessita apenas dois resistores e dois capacitores para complementar a topologia.
5.46 - CI 555 em
topologia
monoestvel:
circuito bsico.
A figura 6.47, apresenta a mesma topologia, porm de forma que seja

mostrada juntamente com o diagrama de blocos interno do circuito integrado 555, o
que torna a anlise de funcionamento mais fcil.
5.47 - CI 555 como monoestvel: circuito com

diagrama de blocos interno.
Observe, na figura 6.47, as tenses de referncia nas entradas dos

comparadores. A tenso de valor
est aplicada na entrada inversora (pino 5)
do comparador 1 e comparada com a tenso no inversora (pino 6), que a
tenso no capacitor. A tenso de referncia de valor
est aplicada na entrada
no inversora do comparador 2 e comparada com a tenso no pino 2 do circuito
integrado.
Para o circuito em anlise, a condio estvel ocorre quando V S = 0, pois
nesse caso a base do transistor TR est com nvel alto e o transistor saturado;
portanto, o capacitor C no consegue se carregar. Se a chave CH est aberta, a
tenso no pino 2 passa a ser igual a VCC, maior que
; logo, S = 0.
Como estamos admitindo que a sada igual a zero, podemos concluir que o
transistor interno est saturado, e, assim, a tenso nos pinos 6 e 7 igual a 0V,
apresentando valor menor que
; portanto, R = 0. Como as entradas do FF so
iguais a zero, o estado mantido, e a saida permanece em zero indefinidamente.
Se a chave CH pressionada momentaneamente, o pino 2 passa a nvel baixo,
o que faz com que a sada do comparador 2 e, portanto, a entrada S tenham nvel
alto.
Essas condies (S = 1 e R = 0) levam o Flip Flop a ter valor 1 e, logo, Q = 0,
107
cortando TR e impondo 1 (VCC) na sada. Observe que, mesmo quando a chave e

aberta, S = R = 0, o que mantm o estado atual.
A partir da, o capacitor comea a se carregar com constante de tempo R C, o
que leva a tenso a tender para +VCC. Quando a tenso no capacitor, que a
mesma do pino 6, e superior a
, temos R = 1 e S = 0, o que impe Q = 0 e,
portanto, Q = 0. Como consequncia, TR satura, descarregando de modo
instantneo o capacitor e fazendo a sada reduzir a zero. A figura 6.48 mostra
graficamente a operao do monoestvel.
5.48 - Formas de onda

para a configurao monoestvel.
A durao do estado instvel determinada por:
Observaes
1. O fabricante recomenda que o valor do resistor de temporizao (R) no seja
baixo R 1K, por questes de segurana), para evitar a saturao do transistor,
pois quando o TR est saturado, a corrente que circula por ele determinada por:
2. A durao do pulso de disparo (tempo que o pino 2 fica em zero) deve ser
menor do que a durao da temporizao T.
5.6.4.2Circuito integrado 555 como astvel

O circuito bsico apresentado na figura 6.49a, e seu diagrama de blocos
internos, na figura 6.49b.
Como o circuito da figura 6.49 um oscilador, devemos considerar uma sada
em cada instante e analisar o circuito a partir desse ponto. Nessa anlise, vamos
levar em conta as seguintes informaes: sada alta (Q = 1); capacitor carregandose (Q = 0); transistor interno cortado com tenso tendendo a +VCC (figura 6.50a).
Quando h tenso em C, existe tenso nos pinos 2 e 6. Nesse momento, se a
tenso em C maior do que
, ento R = 1 e S = 0, o que impe: Q = 0 (Reset)
e Q = 1.
108
Com isso, a sada (pino 3) vai a zero e o transistor TR satura, fazendo com que
o capacitor se descarregue por meio de RB e do transistor interno (figura 6.50b).
Quando a tenso em C fica abaixo de
, ento R = 0 e S = 1, o que impe:
Q = 1 e Q = 0. Desse modo, o transistor interno levado condio de corte e o
capacitor volta a se carregar (a partir de
), e o ciclo se repete.
5.50 Situaes para o capacitor: a)

carga e b) descarga.
A figura 6.51 mostra as formas de onda no capacitor e na sada do circuito da

figura 6.49a.
O perodo das oscilaes dado por:
em que TH o tempo alto e TL o tempo baixo. Assim:
109
5.51 - Formas de onda da tenso na

sada (Vs) e no capacitor (Vc) do circuito da
figura 6.49a.
Observao
Se
, os tempos alto e baixo sero aproximadamente iguais. Lembre
que a resistncia RA deve ser maior que 1K para proteger o transistor interno.
5.7 Modulao por Largura de Pulso (PWM Pulse Width

Modulation)
Tambm conhecida por PWM, do ingls Pulse Width Modulation, este tipo de
modulao mantm a amplitude dos pulsos constantes e varia-se a sua largura, a
fim de variar o valor mdio de amplitude do sinal.
5.52 - Sinal modulado por largura

de pulso.
Dessa forma, seja um sinal modulado em largura de pulso, o valor mdio de

tenso dado por:
A principal vantagem do uso da modulao PWM como controladores contra os

circuitos resistivos est relacionada eficincia. Enquanto o PWM trabalha com
eficincia quase igual a 1, um circuito resistivo por exemplo apresenta perdas por
consumo de corrente para funcionamento, alm das perdas por efeito Joule
(aquecimento nos resistores).
Uma outra grande vantagem que, na modulao de largura de pulso, os
pulsos esto com o valor nominal de pico, gerando um maior torque nos motores.
Um controlador resistivo, j que dever ter uma tenso reduzida, poder causar
parada de um motor devido ao torque reduzido.
110
Uma das desvantagens do PWM a complexidade e a possibilidade de gerar

interferncia de rdio freqncia. A interferncia de RF pode ser minimizada
colocando o controlador perto da carga e em alguns casos, usando filtros adicionais.
Os sinais triangulares podem ser utilizados como meio intermedirio de
controle na modulao PWM, conforme a proposta mostrada na figura 6.53 a seguir:
5.53 - Circuito para modulao PWM com

comparador de tenso.
O circuito apresentado capaz de atuar na velocidade do ventilador

modulando a largura do pulso, alterando dessa forma a tenso mdia sobre o
dispositivo. O transistor serve como driver para o circuito, e o diodo opera como
Diodo de Roda Livre conectado aos terminais do ventilador.
5.54 - Alterao do valor mdio de tenso a partir

da variao da tenso de referncia.
Percebe-se pela figura 6.54 que a alterao da tenso de referncia varia

diretamente a tenso mdia da sada, a partir da modulao da largura de pulsos.
Para a topologia apresentada na figura 6.53, quanto maior a tenso de referncia
Vref, maior a tenso mdia sobre o ventilador, portanto maior ser a velocidade do
dispositivo.
6 Sensores
Existem diversos tipos de sensores utilizados em equipamentos eletrnicos.
Podemos usar simples chaves ou dispositivos de acionamento momentneo do tipo
mecnico, at transdutores especiais que convertem alguma grandeza fsica numa
grandeza eltrica como, por exemplo, uma tenso. Esses sensores servem para
informar um circuito eletrnico a respeito um evento que ocorra externamente, sobre
111
o qual ele deva atuar, ou a partir do qual ele deva comandar uma determinada ao.
Equipamentos mais simples podem usar apenas um sensor, mas um rob, uma
mquina industrial ou um equipamento mdico complexo podem empregar muitos
sensores e de tipos diferentes.
Nos tpicos seguintes, sero relacionados os principais tipos de sensores que
encontramos nas aplicaes eletrnicas, com suas respectivas caractersticas.
6.1 Sensores de presena

So dispositivos que verificam a existncia de determinado objeto numa
posio, sem efetuar a medio dimensional da posio em que o objeto se
encontra.
Os sensores de presena so largamente utilizados em processos industriais e
manufatura, algumas vezes aplicados como dispositivos de segurana.
Existem diversos tipos nessa famlia de sensores, cada tipo possui
caractersticas prprias de construo e funcionamento, tal como detalhado nos
tpicos a seguir.
6.1.1 Reedswitch
Consistem de um bulbo de vidro com duas lminas metlicas, ligadas por
terminais ao circuito eltrico de acionamento. A presena do campo magntico move
as lminas de sua posio, possibilitando o fechamento do contato. A figura 7.1
representa essa ao.
6.1 - Representao do acionamento do sensor do tipo Reedswitch.
Os sensores do tipo Reedswitch tm larga aplicao em sensores de alarme de

portas, bias, sensores de fim de curso de cilindros pneumticos ou hidrulicos. So
de custo bastante baixo e sua grande vantagem que no necessita de contato
mecnico para operar, j que o acoplamento realizado de forma magntica.
6.1.2 Microchaves
So chaves bastante robustas que exigem baixo esforo mecnico para
acionamento, e por isso muito utilizadas como dispositivos sensores. A figura 7.2
apresenta um exemplo desse tipo de sensor.
112
6.2 - Exemplo de
microchave.
Uma vantagem desse dispositivo que existem opes de mercado com

capacidade suficiente de corrente para acionamento eltrico direto de outros
dispositivos.
6.1.3 Sensores de presena Indutivos

O sensor do tipo indutivo a formado por um oscilador, um circuito de disparo,
um circuito de sada e um indutor que fica posicionado na extremidade.
Quando uma pea metlica aproxima-se do campo gerado pelo indutor, ela
absorve a energia. O oscilador passa a trabalhar em outro regime de oscilao. O
circuito de disparo detecta a mudana de comportamento e aciona o sinal de sada.
6.3 - Esquema genrico dos sensores indutivos.
Os sensores indutivos so robustos e tm resposta muito rpida, contudo, eles

detectam apenas a presena de materiais metlicos, que so os que modificam o
fluxo magntico entre as bobinas do sensor. Tm tambm a vantagem de no
necessitar contato mecnico para acionamento. A alimentao desses sensores em
geral realizada com 24Vdc, e eles podem ser encontrados nas verses NPN e
complementar PNP. Os diagramas de ligao e o aspecto fsico real dos sensores
indutivos podem ser vistos a seguir na figura 7.4.
6.4 - Sensores indutivos: (a) aspecto real; (b)

esquema genrico de ligaes NPN e PNP.
113
6.1.4 Sensores de presena Capacitivos

O sensor formado por duas placas metlicas dispostas na extremidade do
sensor, de tal modo que representem um capacitor. Alm disso, o sensor
constitudo de um oscilador, um circuito de disparo e um circuito de sada.
6.5 - Esquema genrico dos

sensores capacitivos.
Quando um objeto posicionado de forma que altere o campo eltrico do

capacitor, o oscilador passa a trabalhar em outra frequncia. Isso ocorre porque a
insero do objeto representa uma alterao do material dieltrico entre as placas do
capacitor. O circuito de disparo detecta a mudana de comportamento e aciona o
sinal de sada.
Os sensores capacitivos so robustos como os sensores indutivos, porm, tm
resposta mais lenta. Eles detectam a presena de qualquer tipo de material que
modifique a constante capacitiva do meio, inclusive deve-se tomar cuidado com a
limpeza do sensor, pois o acmulo de resduos pode faz-lo operar indevidamente.
Tm tambm a vantagem de no necessitar contato mecnico para acionamento. A
alimentao desses sensores em geral realizada com 24Vdc, e eles podem ser
encontrados nas verses NPN e complementar PNP. Os diagramas de ligao e o
aspecto fsico real dos sensores indutivos podem ser vistos a seguir na figura 7.6.
6.6 - Sensores capacitivos: (a) aspecto real;

(b) esquema genrico de ligaes NPN e PNP.
Os sensores capacitivos so largamente utilizados na indstria, pois detectam

qualquer tipo de material. Um exemplo de aplicao a deteco de nvel de lquido
contido em um tanque, tal como mostrado na figura 7.7.
114
6.7 - Exemplo de
aplicao
do
sensor
capacitivo.
6.1.5 Sensores ticos

Os sensores ticos so de forma geral, constitudos de um elemento emissor e
um receptor.
Uma configurao possvel de aplicao a dita barreira, na qual um feixe
tico infravermelho percorre a distncia entre os dois elementos, e se o feixe
interrompido, a presena detectada e o sinal de sada ativado, bem como
apresentado na figura 7.8.
6.8 - Aplicao "barreira"

para o sensor tico.
Outra configurao possvel a chamada difuso-reflexiva. Nessa, os

elementos emissor e receptor esto montados num s dispositivo. Um feixe
direcional emitido, e parte dessa emisso retornada, dependendo da presena
ou no de um objeto frente do sensor. A figura 7.9 esboa essa aplicao.
6.9 - Aplicao "difuso-reflexiva"

para o sensor do tipo tico.
Os sensores ticos conceitualmente no necessitam contato mecnico para

acionamento, e detectam qualquer tipo de material, inclusive opacos. So sensores
muito robustos, rpidos e precisos onde essa preciso fruto do estreito feixe
emitido. Por esse motivo, para muitas aplicaes, so necessrios ajustes eltricos e
mecnicos do sistema.
A figura 7.10 apresenta o aspecto fsico real de vrios modelos de sensores
115
ticos existentes no mercado.
6.10 - Exemplos de modelos de

sensores ticos existentes.
6.1.6 Sensores Ultra-snicos

Os sensores de presena ultra-snicos podem ser usados como dispositivos de
deteco sem contato em muitas reas da automao. Permitem detectar de forma
precisa, flexvel e confivel objetos de materiais, formas, cores e texturas diversos.
As possibilidades de aplicao so diversas tais como: deteco de nvel e
altura, medida de separao, medida de dimetro em bobinas, contagem de objetos
materiais transparentes, independentes de cor e presentes em ambientes sujos ou
com vapores, podendo at mesmo estar em estado lquido, podem ser detectados
com total segurana.
O princpio de funcionamento dos sensores ultra-snicos est baseado na
emisso de uma onda sonora de alta frequncia, e na medio do tempo levado
para a recepo do eco produzido quando esta onda se choca com um objeto capaz
de refletir o som.
Eles emitem pulsos ultra-snicos ciclicamente. Quando um objeto reflete estes
pulsos, o eco resultante recebido e convertido em um sinal eltrico.
6.11 - Princpio de funcionamento dos sensores

ultra-snicos.
A deteco do eco incidente, depende de sua intensidade e esta da distncia

entre o objeto e o sensor ultra-snico. Os sensores ultra-snicos funcionam medindo
o tempo de propagao do eco. Isto , o intervalo de tempo medido entre o impulso
sonoro emitido e o eco do mesmo. A construo do sensor faz com que o feixe ultrasnico seja emitido em forma de um cone.
A figura 7.12 apresenta os modos possveis de operao dos sensores do tipo
ultra-snico.
116
6.2 Sensores de temperatura

So ditos sensores de temperatura, os dispositivos transdutores que alteram
uma ou mais de suas propriedades fsicas de acordo com a variao da temperatura
do meio onde esto inseridos.
Se estes dispositivos alteram diretamente ou indiretamente propriedades
eltricas, podemos consider-los sensores eletrnicos de temperatura. Os tpicos a
seguir apresentaro alguns dos mais importantes tipos de sensores eletrnicos de
temperatura, conceitos e aplicaes que os envolvem.
6.2.1 Termorresistncias
Os Termorresistores ou termistores tal como o nome sugere, so dispositivos
que tm sua propriedade principal a resistncia alterada com a variao de
temperatura do meio. So em geral, construdos com materiais que tenham altos
coeficientes de variao da resistncia em relao temperatura, e obedecem
equaes do tipo:
Onde:
E a1 e a2 so os coeficientes de temperatura relativos aos materiais de

construo dos dispositivos, que podem ser positivos ou negativos.
Os termistores podem ser classificados em dois tipos, dependendo do sinal dos
coeficientes. Se os coeficientes de temperatura so positivos, a resistncia aumenta
com o aumento da temperatura e o dispositivo denominado PTC (Positive
Temperature Coefficient). Se os coeficientes de temperatura so negativos, a
resistncia diminui quando h um aumento da temperatura e o dispositivo
denominado NTC (Negative Temperature Coefficient). Dessa forma, pode-se afirmar
que a medio realizada com termistores do tipo absoluta, onde cada valor de
117
temperatura est relacionado a uma resistncia que obedece certa proporo.

Os resistores comuns (que no so termistores) so desenhados para ter
coeficientes com valores muito prximos a zero, assim, mantm sua resistncia
praticamente constante, para uma larga faixa de temperaturas.
Um modelo comercial muito comum no mercado o PT100. O comportamento
da resistncia desse componente pode ser notado na tabela da figura 7.13.
6.13 - Comportamento
Resistncia X Temperatura.
do
PT100:
Tabela
O PT100 assim denominado, pois oferece uma resistncia igual a 100

quando exposto a uma temperatura igual a 0 oC. Em forma grfica, o comportamento
do PT100 pode ser notado na figura 7.14.
6.14 - Comportamento do PT100:

Grfico Resistncia X Temperatura.
Os termistores so utilizados nas mais diversas aplicaes, tais como na

indstria qumica, farmacutica, alimentares e bebidas, uso domstico, entre outras.
Para essa ampla utilizao, os termistores podem ser montados em vrios tipos de
poos de medio, adaptando-os ao tipo de utilizao.
118
6.15 - Exemplos de poos de medio

para os termistores.
6.2.2 Termopares
Os dispositivos chamados termopares tm funcionamento baseado no efeito
Seebeck (1821). Dois fios construdos com metais diferentes so soldados e
dispostos tal como apresenta a figura 7.16. Se as extremidades dos materiais so
expostas a temperaturas T1 e T2, surge entre as extremidades soltas dos fios, uma
tenso eltrica V, que depende da natureza dos metais envolvidos e da diferena
de temperatura (T2 T1).
6.16 - Efeito Seebeck.
Os terminais que esto expostos temperatura T 1 comumente so conhecidos

como junta fria, que normalmente referenciada temperatura ambiente. A junta
que est exposta T2, dita junta quente, e refere-se ao ponto que se quer medir.
Dessa forma, tem-se que a medio de temperatura realizada com termopares
do tipo relativa, j que representa a diferena (T 2 T1). Deve-se ento, considerar
a temperatura da junta fria T1 para obteno da temperatura absoluta T 2. Assim, a
tenso decorrente do efeito Seebeck pode ser representada por:
Os valores de tenso decorrente do efeito so muito pequenos, da ordem de

mV. Cada liga metlica oferece uma variao de tenso dentro de uma faixa de
temperaturas, por isso, para cada aplicao deve-se utilizar a liga metlica
apropriada. A tabela da figura 7.17 apresenta os tipos de ligas mais comuns
existentes, bem como suas principais caractersticas.
119
6.17 - Principais ligas metlicas dos termopares e suas

respectivas caractersticas principais.
Assim como os termistores, os termopares so utilizados em diversos tipos de

aplicao. Dessa forma, podem ser montados em vrios tipos de poos de medio,
adaptando-os ao tipo de utilizao, bem como apresenta a figura 7.18.
6.18 - Exemplos de poos de

medio para os termopares.
6.3 Sensores de presso

A medio de presso uma medio do tipo relativa, j que h uma
referncia presso atmosfrica. A presso pode ser positiva ou negativa em
relao presso atmosfrica, no segundo caso, diz-se que tende ao vcuo. A
figura 7.19 mostra essa relao.
6.19 - Medio relativa da presso.
120
6.3.1 Sensores de presso capacitivos

De forma simplificada, pode-se considerar o sensor de presso capacitivo
como um conjunto que utiliza um diafragma dieltrico e duas placas metlicas.
Quando h uma diferena de presso atravs do conjunto, o diafragma se deforma
alterando a distncia entre as placas e, consequentemente, modificando a
capacitncia do circuito.
6.20 - Capacitor
genrico.
De modo mais especfico, nos sensores capacitivos de presso, medida a

capacitncia eltrica entre o diafragma e duas cavidades, onde so aplicadas as
presses. A cavidade de medio preenchida com um lquido com determinada
capacitncia especfica. Todo o conjunto isolado do meio onde ser efetuada a
medio por intermdio de dois selos mecnicos.
6.21 - Sensor de
presso capacitivo.
As vantagens dos sensores capacitivos de presso incluem a sua alta

sensibilidade, resposta rpida, boa resistncia a atmosferas adversas, ausncia de
aquecimento por efeito Joule e largas faixas de operao. As desvantagens incluem
respostas no-lineares, erros de medio devidos a rudos de capacitncia e a
necessidade de circuitos sofisticados.
6.3.2 Sensores de presso piezo eltricos

Os sensores piezo eltricos podem ser utilizados para medio da presso
atravs da deformao de cristais piezo eltricos, os quais geram uma diferena de
potencial ou carga eletrosttica quando submetidos a tenses ou presses ao longo
de planos especficos.
121
Os cristais mais utilizados para construo de sensores piezo eltricos so o

quartzo, o Sal de Rochelle, o ADP (amnia dihidrogenada de fosfato) e o titanato de
brio. A carga eltrica induzida sobre o cristal proporcional fora ou presso
aplicada.
A principal vantagem dos sensores piezo eltricos a boa resposta em
frequncias at 200Hz. Em contraste, so muito sensveis s variaes de
temperatura, vibrao mecnica e ao rudo externo. So inadequados para a
medio de presso esttica.
6.3.3 Sensores de presso indutivos

O transdutor de indutncia varivel utiliza uma bobina primria, uma bobina
secundria e um ncleo magntico que fica entre as duas bobinas. O ncleo
conectado mecanicamente a um diafragma, de forma que quando ocorre uma
variao da presso, este ncleo se movimenta e altera o fluxo magntico entre as
bobinas. Devidamente configuradas, para uma tenso fixa no primrio, ir haver
variao de tenso no secundrio, que ser proporcional presso aplicada.
6.22 - Esquema
simplificado do sensor de
presso indutivo.
O tipo mais comum de transdutor de indutncia varivel o LVDT

(transformador diferencial linear varivel). Tem a vantagem de possibilitar o
monitoramento contnuo da presso e ter a capacidade de indicar uma alterao da
presso com uma pequena deflexo do diafragma, podendo assim medir diferenas
bem reduzidas de presso se utilizado um diafragma de baixa espessura.
6.4 Sensores de luminosidade

O sensor eletrnico de luminosidade um dispositivo que tem suas
122
caractersticas alteradas de forma proporcional quantidade de luz incidente sobre o

mesmo. Este tipo de sensor tem vasta aplicao na eletrnica, temos como
exemplos:
Economia de energia;
Iluminao pblica;
Controle de iluminao em ambientes abertos ou fechados;
Ativao de dispositivos eletrnicos de pequeno porte (diretamente);
Ativao de dispositivos eltricos de mdio e grande porte (indiretamente).
6.4.1 LDR
O LDR (do ingls Light Dependent Resistor ou em portugus Resistor
Dependente de Luz) um tipo de resistor cuja resistncia varia de acordo com a
intensidade de radiao do espectro visvel que incide sobre ele.
6.23
Simbologia
LDR.
do
Um LDR feito de sulfeto de cdmio (CdS) ou seleneto de cdmio (CdSe). Sua

resistncia diminui quando a luz muito alta, e quando a luz baixa, a resistncia
no LDR aumenta. Um ohmmetro pode ser usado para encontrar a resistncia na
escurido ou na presena de luz intensa. Estes so os resultados tpicos para um
LDR padro:
Escurido : resistncia mxima, geralmente acima de 1M;
Luz muito brilhante : resistncia mnima, aproximadamente 100.
Existem LDRs das mais diversas dimenses, de 5mm a 1300mm, o aspecto
fsico apresentado na figura 7.24.
6.24 - Aspecto fsico

do LDR.
LDRs podem ser soldados de maneira simples, nenhuma precauo especial

requerida ao faz-lo. Apenas deve-se ficar atento com aquecimento excessivo, como
com qualquer outro componente.
O LDR muito frequentemente utilizado nas chamadas fotoclulas que
comandam o acionamento da iluminao pblica e luzes em prdios.
123
REFERNCIAS
Granner, Alfred D. Anlise de Circuitos Transistorados. Rio de Janeiro: Livros

Tcnicos e Cientficos, 1973;
Cipelli, Antnio Marcos V.. Teoria e Desenvolvimento de Projeto de Circuitos
Eletrnicos. Otvio Markus, Waldir Joo Sandrini 23 Edio. So Paulo rica
2002.
Senai SP. Diviso de Material Didtico. Reviso de Eletrnica, Rev. Oswaldo
Lohaz Maia e Ricardo Figueirado Terra. So Paulo, 1986. 314 p.
Malvino, Albert Paul. Eletrnica: Volume 1. So Paulo: Persona Makran Books,
1997.
Malvino, Albert Paul. Eletrnica: Volume 2. So Paulo: Persona Makran Books,
1997.
L. W. Turner. Bibliotca Profissionalizante de Eletrnica. Circuitos e
Dispositivos Eletrnicos. So Paulo, Editora Hemus.
Boylestad, Robert L. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos, 8 Edio.

So Paulo: Pearson Prentice Hall, 2004.
124
MINICURRCULO DOS AUTORES

Gabriel de Abreu Fernandes Rosa
O autor Organizador graduando em Engenharia Eltrica Unisinos Universidade
do Vale dos Sinos, possui formao tcnica em Eletrnica, j atuou em automao
industrial, automao bancria e eletromedicina. Atualmente docente de eletrnica
e automao no Centro Tecnolgico de Mecnica de Preciso SENAI CETEMP.
Gabriel de Abreu Fernandes Rosa

O autor colaborador graduando em Engenharia Eltrica Unisinos Universidade
do Vale dos Sinos e graduando em Engenharia da Computao Unilasalle Centro
Universitrio La salle, possui formao tcnica em Eletrnica Industrial, j atuou em
automao industrial, manuteno de hardware, pesquisa e desenvolvimento de
hardware e software, atualmente docente de eletrnica e automao no Centro
Tecnolgico de Mecnica de Preciso SENAI CETEMP.
125

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Conselheiros Representantes das Atividades Industriais - FIERGS

Representantes do Ministrio da Educao

Representante do Ministrio do Trabalho e Emprego

Representante dos Trabalhadores

Diretor Regional e Membro Nato do Conselho Regional do SENAI-RS

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APLICAES DE DIODOS SEMICONDUTORES ............................................................................. 37

TRANSISTORES BIPOLARES .............................................................................................................. 51

CONSTRUO BSICA E PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO ................................................... 51

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO ............................................................................................... 70

RETIFICADOR DE MEIA ONDA ............................................................................................... 38

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE JUNO ................................................................ 70

AMPLIFICADORES OPERACIONAIS .................................................................................................. 82

TERMINAIS DE ENTRADA E RESPOSTA ASSOCIADA .............................................................. 84

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CARACTERSTICAS DE TRANSFERNCIA DOS AMPLIFICADORES OPERACIONAIS ............... 90

SENSORES ............................................................................................................................................. 110

SENSORES DE PRESENA.................................................................................................. 111

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Medir estabelecer uma relao numrica entre uma grandeza e outra, de

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eltricos. Como no podem ser previstos, sua limitao impossvel.

2.1 - Exemplo da relao entre exatido e

Voc sabia? A preciso um pr-requisito da exatido,

embora o contrrio no seja verdadeiro. Assim, dizer que um

1.2 Classificao dos instrumentos de medidas eltricas

Os instrumentos de medidas eltricas podem ser classificados de vrias

frequencmetro: que mede frequncia, etc.

2.2 - Exemplos de multmetros: (a)

Os instrumentos digitais ganham a cada dia destaque entre os dispositivos de

totalizadores, que apresentam o valor acumulado da grandeza medida.

2.3 - Exemplos de instrumentos classificados quanto sua

d) Quanto ao princpio fsico utilizado para a medida:

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1.3 Instrumentos Analgicos

O instrumento analgico tem como fundamentao bsica a medida de

2.4 - Classificao de escalas de acordo com a posio do

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Costuma-se explicitar a posio do zero atravs da designao da escala. Por

2.5 - Espelho para correo do erro

1.3.2 Principais caractersticas operacionais

Considerando a Lei de Ohm, para a qual

, deduz-se que a sensibilidade

Quanto maior for a sensibilidade de um instrumento, melhor este ser. De uma

grandezas com valores prximos entre si. No caso de instrumentos analgicos, a

2.6 - Smbolo da tenso de prova.

1.4 Instrumentos Digitais

2.7 - Exemplos de displays de LEDs e

A Tabela a seguir apresenta as principais vantagens e desvantagens de cada

consumo de energia mais

uso em ambientes com pouca luz

1.4.2 Principais caractersticas operacionais

2.8 - Categorias dos instrumentos digitais de medidas eltricas

True RMS: a maioria dos medidores de tenso e corrente fornecem

1.5 Instrumentos bsicos de medidas eltricas

2.9 - Medida de corrente com ampermetro: (a) conexo do

2.10 - Instrumento digital de alicate.

A resistncia interna de um ampermetro deve ser a menor possvel, a fim de

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