REDES ESPACIALES Y SISTEMAS CRISTALINOS

Redes Espaciales
La estructura fsica de los materiales tiene una gran importancia,
principalmente en cunto a la disposicin de los tomos, iones o
molculas que constituyen el slido y de las fuerzas de enlace entre ellos.
Si los tomos o iones estn ordenados segn una disposicin que se
repite en las tres dimensiones, forman un slido que posee estructura

cristalina . Ejemplos son los metales, las aleaciones y ciertas cermicas.

La disposicin atmica en los slidos cristalinos, se puede representar
considerando a los tomos como los puntos de interseccin con una red
de lneas en tres dimensiones. Esta red se denomina red espacial .

Cada punto de la red espacial tiene idntico entorno. Una red espacial se
puede describir especif icando la disposicin de los tomos en una celda

unitaria , que se repita segn las tres direcciones de un sistema de

coordenadas.
El tamao y forma de la celda unitaria, puede describirse mediante tres
vectores a , b y c , con un vrtice comn en la celda unidad. Las longitudes
de los ejes a , b y c y sus ngulos , y son las constantes reticulares
de la celda unidad.

Sistemas Cristalinos
Se

pueden

construir

celdas

unitarias

de

distinto

tipo,

pero

las

cristalogrf icas han demostrado que slo son necesarios siete sistemas
cristalinos para describir todas las redes posibles.

Bravais , (cristalgrafo francs) mostr que catorce celdas unitarias,

describan todas las redes posibles.

Posiciones atmicas en celdas unitarias cbicas

Para localizar las posiciones atmicas en las celdillas unitarias cbicas,
vamos a usar un sistema x , y , z . En cristalografa, el eje positivo x es
normalmente la direccin hacia fuera del papel, el eje positivo y es la
direccin hacia la derecha del papel, y el eje positivo z es la direccin
hacia

arriba,

de

acuerdo

la

f igura

que

esta

continuacin

del

texto(a).Las direcciones negativas son las opuestas a las descriptas ms

arriba.
Las posiciones atmicas se localizan usando distancias unitarias a lo largo
de los ejes x , y , z como se indica en la misma f igura (b). Por ejemplo, la
posicin en coordenadas para los tomos en la celdilla unidad BCC se
muestra en la f igura (b). Las posiciones atmicas para los ocho tomos
situados en los vrtices de la celdilla unidad BCC son:
(0, 0, 0) (1, 0, 0) (0, 1, 0) (0, 0, 1)
(1, 1, 1) (1, 1, 0) (1, 0, 1) (0, 1, 1)
9

El tomo central de la celdilla unidad BCC tiene de coordenadas (,,).

Por simplicidad, a veces se especif ican slo dos posiciones atmicas de la
celdilla unidad BCC como son (0,0,0) y (,,). Las posiciones atmicas
restantes de la celdilla unidad BCC se consideran sobreentendidas.
Anlogamente, se pueden localizar las posiciones atmicas de la celdilla
unidad FCC.

POSICIONES DE PLANOS CRISTALOGRFICOS EN CELDILLAS UNIDAD CBICAS

ndices de Miller
El conjunto de tomos, iones o molculas que conf iguran la red cristalina,
pueden considerarse como ubicados en planos que los contienen. Ahora
bien,

esos

planos

no

estn

necesariamente

ubicados

en

posiciones

horizontales o verticales, sino que pueden describirse multitud de planos

orientados en distintas direcciones, y de hecho conteniendo un nmero
variable de tomos. Se dice entonces que hay planos con alta poblacin o
escasa poblacin. Es evidente que los planos de escasa poblacin, son de
menor importancia fsica, debido a que los escasos tomos agregan pocas
fuerzas de atraccin al plano y no afectan signif icativamente al sistema.
En tanto que en planos de alta poblacin, todas las fuerzas interatmicas
que actan, hacen importante al mismo cuando el cristal es sometido a
cualquier factor fsico o qumico.
De todo esto surge la importancia de poder conocer la orientacin
cristalogrf ica de uno o varios de estos planos. Para ello se emplea el
mtodo desarrollado por Miller (cristalgrafo ingls) conocido actualmente
como ndices de Miller.
El procedimiento para determinar los ndices de Miller es el siguiente:
10

1. Se elige un plano que no pase por el origen en (0, 0, 0)

2.

Se

determinan

las

intersecciones

del

plano

con

los

tres

ejes

cristalogrf icas x , y , z para un cubo unidad. Estas intersecciones pueden

ser fracciones.
3. Se obtienen los recprocos de estas intersecciones.
4. Se eliminan las fracciones y se determina el conjunto ms pequeo de
nmeros enteros que estn entre s en la misma relacin que las
intersecciones. Estos nmeros enteros son los ndices de Miller de un
plano cristalogrf ico y se encierran entre parntesis sin usar comas. Se
utiliza la notacin ( hkl ) para indicar ndices de Miller en un sentido
general, donde h, k y l , son los ndices de Miller de un plano de un cristal
cbico para los ejes x , y , z , respectivamente

1 2

3 , 3 ,1

3 3 1
1 , 2 ,1

3 3 1
1 , 2 ,1

.2

6 3 2

Un ejemplo permitir aclarar las cosas. Supongamos que sometemos una

barra metlica a un esfuerzo de traccin y que disponemos de un medio

ideal imaginario, que permite visualizar el proceso.

En tanto ste (el proceso de traccin) avanza se puede observar que la
deformacin del cristal, no se lleva a cabo en forma uniforme, sino que
tiene lugar a travs de ciertos planos paralelos a aquellos de alta
densidad de tomos. Este mecanismo se conoce como deslizamiento y
pone de relieve, reiteramos, la importancia de conocer la poblacin de
ciertos planos.
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La ubicacin de estos planos y su poblacin se lleva a cabo determinando

los ndices de Miller correspondientes. Ms adelante se volver sobre este
tema.
POLIMORFISMO O ALOTROPA
Muchos elementos y compuestos existen con ms de una estructura
cristalina, segn sean las condiciones de temperatura y presin. A este
fenmeno se lo llama polimorf ismo o alotropa. Ejemplo:

ANLISIS DE ESTRUCTURAS CRISTALINAS

El conocimiento actual de las estructuras cristalinas se ha obtenido
principalmente a partir de tcnicas de difraccin de rayos x, usando rayos
x de longitudes determinadas. stos al incidir sobre slidos cristalinos
interf ieren, y por medios fotogrf icos, pueden determinarse parmetros
estructurales. La produccin de rayos x se ver en forma general, al
estudiar ensayos no destructivos. Pero para el caso que nos ocupa, el
generador se modif ica de forma de obtener rayos x de longitud de onda
compatibles con las distancias interplanares. Esto se debe entender como
que la longitud de onda de Rx, y la distancia interplanar deben ser
sensiblemente iguales.
Difraccin: Cuando un haz de luz, de propagacin rectilnea en un medio
homogneo, atraviesa una abertura de ancho prximo a la longitud de
onda del haz, ste se desva un cierto ngulo.
Por el principio de Huygens , el haz de luz, que ahora lo vamos a
considerar como un frente de ondas, si pasa a travs de varias aberturas,
talladas en un material plano, similares a la anterior, cada abertura se
transforma en emisor de un nuevo frente de ondas. Estos nuevos frentes
de onda interactan entre s (interf ieren) y dan como resultado zonas de
luz y de sombra. Hecho que puede visualizarse con facilidad, haciendo
12

incidir la luz que emiten las ranuras sobre una pantalla blanca o mejor
una pelcula fotogrf ica. La placa, provista de aberturas bien def inidas, se
conoce como red de difraccin.
El fsico alemn von Lane, fue quien conf irm, experimentalmente, los
diagramas de difraccin e interferencia. W.H. Bragg y su hijo, estimaron,
en base a lo precedente, que un cristal podra actuar como red de
difraccin tridimensional.
En rigor, el mtodo que desarrollaron los Bragg, considera a los planos
cristalinos como una red de reflexin, pero los resultados son igualmente
vlidos. Esto condujo a la importante ley de Bragg. Para ello consider a
un cristal como una red de reflexin para rayos x de longitud de onda
uniforme.
Cada tomo puede producir la dispersin de los Rx, en una extensin que
depende del nmero de electrones y cada plano de tomos en un cristal.
Consideremos un mnimo de planos reticulares, idnticos, cuyas secciones
estn representadas por las lneas AA, BB, CC, etc.

Consideremos los rayos X incidentes 1 y 2 conforme se indica en la f igura,

para que estos rayos estn en fase la distancia extra de recorrido del rayo
2, que es igual a MP + PN , tiene que ser igual a un nmero entero de
longitudes de onda . As,
n = MP + PN

13

Donde n = 1, 2, 3,... y se llama orden de difraccin. Puesto que MP y PN

son ambos iguales a d h k l sen , donde d h k l es el espaciamiento o distancia
interplanar de los planos del cristal de ndices (hkl) , la condicin para
interferencia constructiva (por ejemplo, la produccin de un pico de
difraccin de radiacin intensa) tiene que ser:
n = 2 d h k l sen
Esta ecuacin, conocida como ley de Bragg, establece la relacin entre las
posiciones angulares de los haces difractados, la longitud de onda de la
radiacin de rayos X incidente y las distancias interplanares de los planos
cristalinos. En la mayor parte de los casos se utiliza el primer orden de
difraccin donde n = 1 y en este caso la ley de Bragg toma la forma
= 2d h k l sen
IMPERFECCIONES CRISTALINAS
Los cristales no poseen estructuras perfectas, sino que aparecen con
frecuencia defectos o imperfecciones que afectan sensiblemente sus
propiedades fsicas y mecnicas.
Las imperfecciones ms comunes son:
I.- Defectos puntuales de dimensin cero.
II.- Defectos de lnea o de una dimensin, llamadas dislocaciones .
III.- Defectos de dos dimensiones, que incluyen superf icies externas y
lmites de grano.
IV.- Defectos macroscpicos, poros, f isuras e inclusiones extraas.
Defectos puntuales: Es un hueco creado en la red cristalina, por
prdida de un tomo que se encontraba en ese lugar, dejando un lugar
vacante.
Vacancia

14

Pueden

producirse

perturbaciones

durante

locales.

la

solidif icacin

Vacantes

como

adicionales

en

resultado

metales,

de

pueden

producirse por deformacin plstica, por enfriamiento rpido, o por

bombardeo con neutrones.
En

los

cristales

inicos

tipo

ClNa,

pueden

producirse

casos

ms

complejos.
1) Cuando en un cristal inico faltan dos iones cargados con signo
opuesto, se produce una vacante conocida como defecto Schottky .
Cuando en un cristal inico, un catin se desplaza a un hueco intersticial
en el cristal, la vacante catinica que se crea se llama defecto de
Frenkel .
La presencia de estos
conductibilidad elctrica.

defectos

en

un

cristal

inico,

aumenta

su

2) Los defectos de lnea o dislocaciones en slidos cristalinos, son

defectos que dan lugar a una distorsin de la red en torno a una lnea.
Las dislocaciones se producen durante el proceso de solidif icacin de los
slidos cristalinos. Tambin pueden formarse por deformacin plstica o
por condensacin de vacantes.
Hay dos tipos de dislocaciones, de cua y helicoidal . Puede haber una
tercera, mezcla de las dos anteriores.
Las dislocaciones de cua se crean por insercin de un semiplano
adicional de tomos en un cristal.

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La distancia de desplazamiento de tomos cercanos a una dislocacin se

llama vector de Burgers.
La dislocacin helicoidal puede formarse en un cristal perfecto por la
accin de esfuerzos de corte.

En cualquiera de los casos las dislocaciones son defectos de desequilibrio

y almacenan energa en la zona cercana distorsionada. Su presencia
permite interpretar, el comportamiento anormal de muchos materiales.
Las dislocaciones se pueden observar con ayuda de un microscopio
electrnico de transmisin (TEM).
En la f igura se observa la representacin esquemtica de la disposicin
del sistema de lentes en un microscopio electrnico de transmisin. Todas
las lentes estn colocadas en una columna a la que se le hace vaco
durante la operacin. El camino del haz de electrones desde la fuente de
16

electrones hasta el f inal de la imagen transmitida proyectada esta

indicada con flechas. La muestra debe ser suf icientemente delgada para
que el haz de electrones sea transmitido a travs de ella y esta colocada
entre el condensador y el objetivo.

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