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CURSO: ELECTRONICA DE POTENCIA -2012 -I

PROBLEMAS PROPUESTOS
1. (2 Ptos) En el circuito (R-L-C) de la Fig.1, con una fuente de 100v, R=10, L=2.5 mH y
C=220uF. Se cierra el interruptor en wl instante inicial (t=0). Determine:
a) La frecuencia de oscilacin fo y factor de atenuacin .
b) La corriente i(t) instantneo y voltaje en la inductancia vL(t).
2. (2 Ptos)En el rectificador monofsico de onda completa, de la Fig. 2, de conmutacin no
instantnea, dado vs=220 2 sen.2.60.t, con carga altamente inductivo, con corriente de carga
Id=100 A, inductancia de la fuente Ls=1 mH. Determine:
a) El valor medio de la tensin en la carga.
b) Si inductancia de la fuente Ls=0. Calcule IS1 y IS3.
3. (2 Ptos) En el diodo semiconductor de potencia cuyo tiempo de recuperacin inversa como
muestra la Fig. 3, trr= 4 us, en la conmutacin de conduccin a bloqueo de corriente, cuya
derivada de corriente di/dt = 40 A/us, asumiendo que el tiempo de almacenamiento en el cuerpo
del semiconductor tb es despreciable frente al tiempo de almacenamiento en la regin de
agotamiento de la unin ta . Calcule.
a) La carga de almacenamiento QRR.
b) La corriente Inversa pico IRR.
4. (2 Ptos) En el circuito rectificador semi-controlado mostrado en la Fig.4 Con alimentacin en el
secundario del transformador de tensin eficaz de fase Vs= 220v, 60 Hz, con carga R=5 con
tensin media de salida de 50% de la tensin media mxima. Determine:
a) La potencia media Pd.
b) La eficiencia de rectificacin y el factor de potencia de entrada PF
5. (2 Ptos). En el circuito de la Fig. 5 , si voltaje de entrada de base VB= 5 v, Rc=5, =10,
VCE(sat)=1.0 v, VBE(sat)=1.5 v, el voltaje de fuente Vs= 100 voltios y factor ODF = 3. Determine:
a) Corriente de base IB que lleva al transistor a saturacin,
b) La perdida de potencia PT en el transistor.
6. (4 Ptos) Responda:
a) Dibuje y explique las zonas de operacin de las curvas caractersticas del MOSFET.
b) Qu es el rea de operacin segura (FBSOA) e (RBSOA) del transistor BJT?
c) Cmo cambia el factor de potencia al incrementar el ngulo de disparo de los tiristores
en los rectificadores controlados?.
d) Cmo se protege al transistor en el proceso de conmutacin?
7. (4 Ptos) En el diseo del rectificador trifsico totalmente controlado, Fig.6, con tensin de fase
Vs=220v., con carga R= 5 , tensin media de carga Vd= 206 voltios. Determine:
a) La corriente media IA de cada tiristor
b) La corriente eficaz IRMS en la carga.
c) La eficiencia
d) El factor de potencia de entrada PF.
8. (2 Ptos) En el circuito de la Fg.7:
a) Completar las ondas de iDm y iL. en condiciones ideales.
b) Enuncie los problemas de la conmutacin en el circuito y las soluciones.
9. (2 Ptos) En el circuito (L-C) de la Fig.8, con una fuente de 100v, L=10 mH y
C=220uF. Se
cierra el interruptor en el instante inicial (t=0). Determine
a) La tensin media en la inductancia L.
b) El voltaje medio en el condensador C.
10. (2 Ptos) En el rectificador monofsico de onda completa, de la Fig. 8 de conmutacin no
instantnea, con carga altamente inductivo. Desarrolle
a) Dibuje el circuito equivalente en el intervalo de conmutacin ( 0<t<).

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b) Cul es el efecto de la inductancia de fuente Ls en la tensin media de carga?

11. (2 Ptos) Desarrolle:
a) En Fig.9 el diodo semiconductor de potencia, con trr= 5 us en la conmutacin de
conduccin a bloqueo de corriente, con carga QRR=100uC, asumiendo que tb es
despreciable respecto a ta . Calcule di/dt.
b) Los tiristores de potencia Qu limitaciones tienen en su utilizacin?
12. (2 Ptos) En el circuito Fig.10 el SCR puede soportar una dvAK/dt=40v/us. La descarga inicial del
condensador sobre el SCR debe ser limitada a 3 A, con fuente alterna de voltaje eficaz Vs=220v,
RL=20 , al activarse el SCR en =/2 desde el cruce por cero. Calcule:
a) La resistencia R de proteccin.
b) El condensador Cs de proteccin.
13. (2 Ptos) Describa:
a) Cmo est polarizado la junturas JBE y JCB del transistor BJT, cuando opera en la zona
de corte, activa y saturacin?. Qu es efecto de ruptura secundaria?
b) En los IGBTs. Y MOSFETs Cmo se realiza el control de encendido y apagado?.
Describa sus caractersticas en estado de conduccin.
14. (2 Ptos) En el circuito rectificador semi-controlado mostrado en Fig.11 Con tensin eficaz de
lnea VL= 380.6v, 60 Hz, en el secundario, con carga R=10 con tensin media de salida de
50% de la tensin media mxima. Determine:
a) La potencia media Pd.
b) La eficiencia de rectificacin y el factor de potencia de entrada PF
15. (2Ptos) Responda:
a) Qu relacin existe entre el factor de potencia PF y el ngulo de disparo de los
tiristores en los rectificadores controlados?.
b) Cmo se protege al transistor de la Fig.12 en proceso de conmutacin?
16. (4 Ptos) En el diseo del rectificador trifsico totalmente controlado, Fig.13, con tensin de fase
vs(t)=311.1sen(2..60.t)voltios en secundario, con carga R=10 , tensin media de carga Vd=
206 voltios. Calcule:
a) La corriente media IA de cada tiristor
b) El factor de potencia de entrada PF.
17. (2 Ptos) En rectificador trifsico con carga fuertemente inductivo con io= Id= 100 A, tensin
eficaz de fase en la fuente Vs= 110v, de la Fig.14. Determine.
a) Factor de distorsin armnica THD.
b) Factor de forma FF del rectificador.
18. (1Ptos) Anote verdadero (V) Falso (F).
a) En el diodo Schottky el Vf= 0.3v y VRM ( 50 100v), aplicado en circuitos digitales
Rpta
(--)
b) El transistor BJT en circuito de conmutacin con carga inductiva, opera en la zona de
saturacin y corte solo requiere proteger de la corriente transitoria cuando conmuta de
saturacin a corte y viceversa.
Rpta (--)
19. (3 Ptos) Responda.
a) En el transistor BJT de la Fig.15 las junturas JBE y JCB se comportan como juntura PN
del diodo Qu condiciones debe cumplirse para que estas junturas no operen como
diodos?
b) Por qu se dice que el Transistor MOSFET es sensible al voltaje de control y como se
protege?
c) Cmo esta construido los MOSFET y IGBT para aplicaciones en alta potencia?
20. (4 Ptos) En ele circuito de disparo con PUT donde voltaje del diodo Zener Vz= 24v, = 60% Vv=
2v, Ip= 10 uA Iv= 5mA, C=0.1uF, Fig.16 . Determine:
a) El voltaje pico Vp.
b) La resistencia (Rs+Rv)
c) R1 y R2
d) Dibuje la forma de onda en los extremos de diodo Zener y en RK.

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21. (2 Ptos)En el rectificador monofsico de onda completa, de conmutacin no instantnea, dado

la tensin eficaz de fase Vs=220, f=60 Hz con carga altamente inductivo, con corriente de carga
Id=100 A, inductancia de la fuente Ls=2.5 mH. Determine:
a) El valor medio de la tensin en la carga.
b) Dibuje la forma de onda de la corriente de fuente is(t).
22. (2 Ptos) En el circuito de la Fig. 17 con control de GTO, de ngulo de extincin =/3. Si la
tensin eficaz de fuente Vs= 220 Voltios. Determine:
a) El voltaje medio.
b) El factor de Potencia del rectificador
23. (2 Ptos) En el circuito rectificador semi-controlado mostrado en la Fig.4 Con alimentacin en el
secundario del transformador de tensin eficaz de fase Vs= 220v, 60 Hz, con carga R=10 con
tensin media de salida de 50% de la tensin media mxima. Determine:
a) La potencia media Pd.
b) La eficiencia de rectificacin y la corriente eficaz de cada tiristor IR.
24. (2 Ptos) Responda:
a) En conmutacin En qu zonas de curva caracterstica trabaja el MOSFET?.
b) En los convertidores controlados Cmo cambia el factor de potencia al incrementar el
ngulo de disparo de los tiristores?.
25. (2 Ptos) En el diseo del rectificador trifsico totalmente controlado, Fig.6, con tensin de fase
Vs=220v., con carga R= , corriente media en carga Id= 40 amp. Determine:
a) La corriente media IA de cada tiristor
b) La eficiencia
26. (2 Ptos) En rectificador trifsico con carga fuertemente inductivo con io= Id= 200 A, tensin
eficaz de linea en la fuente VL= 380.6v, de la Fig.14. Determine.
a) El valor medio de la tensin en la carga Vd.
El factor de distorsin armnica THD del convertidor
Grafica correspondiente a los problemas:

Fig. 2
Fig. 1

Fig. 3 y 9

Fig. 4 y 11

Fig.5

Fig. 6 y 13

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Fig. 8
Fig.7

Fig. 10
Fig.12

C
NP
B

N+
E

Fig. 15
Fig. 14

Fig. 17
Fig. 16