UNION P-N

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applet, dos pginas por cada uno. Utiliza imgenes en tu explicacin.
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_
PN_en_equilibrio_y_polarizada/Applet3.html
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley
_de_Shockley/Applet4.html
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet3/
DiodoConmutaApplet.html

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Diodo de unin PN polarizado

La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin p se le aplica un
potencial mayor que a la regin n. Para ello, tal y como se ve, se debe

conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo (zona p) y el

polo negativo al ctodo (zona n).

En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos:

Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son
empujados hacia la unin por el campo elctrico Epol a que da lugar
la polarizacin. Por lo tanto, se reduce la anchura de la zona de
transicin.
El campo elctrico de la polarizacin Epol se opone al de la unin
Eu.

As, se reduce el campo elctrico de la unin

y,

consecuentemente, la barrera de potencial. Recordar que, como

vimos en el Tema 4, la barrera de potencial sin polarizacin es
VJ=Vo. Con la polarizacin directa de la unin p-n se reduce en la
forma VJ=Vo-V, siendo V la tensin directa aplicada a dicha unin.

La ley de Shockley

Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos

estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se
debe confundir con el diodo de barrera Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas
alternadamente. Es un tipo de tiristor.
La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta
impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del

estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs,

tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente,
haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la
tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para
volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de
mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo,
todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales,
cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I
(Punto A).

Conmutacin del diodo

En este applet se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar

la tensin aplicada en sus bornas de positiva a negativa y viceversa.
Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de
tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de
polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de unin.
Este esquema se situa en la parte superior derecha del applet y se puede
conmutar entre tensiones haciendo "click" con el ratn en la zona entre
las dos fuentes de tensin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje
y una flecha que seala la mencionada zona sensible.

El usuario puede modificar todos los parmetros del circuito presionando el

botn del panel superior con el texto "Parmetros ciscuito". Al presionarlo
aparecer una ventana con tres campos editables donde se pueden introducir

los valores numricos deseados para la tensin directa (VF), la tensin inversa
(VR) y la resistencia de polarizacin (R). Tras introducir los nuevos valores es
necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del
circuito para que tengan efecto los cambios.
Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que varan en el tiempo y donde
se representan los parmetros ms importantes que controlan el
comportamiento del diodo.
La primera grfica representa la tensin seleccionada en el circuito; la segunda
la corriente que circula por el diodo; la tercera la carga acumulada en las zonas
neutras del diodo (aplicando la aproximacin de diodo asimtrico) y la ltima
grfica es la tensin que cae en bornas del diodo. Esta cuatro grficas se van
actualizando en el tiempo y se irn desplazando hacia la derecha conforme
avance el tiempo.

En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que

rigen el comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se

muestran las ecuaciones literales para la carga del diodo, la tensin en bornas
del diodo y para los perfiles de los minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo
debajo de cada una de estas ecuaciones se muestran las mismas pero
sustitutendo cada variable por al valor actual que tiene en la simulacin.
Algunos de los parmetros son constantes en el tiempo (hasta que se
modifican por parte del usuario), pero otros se modifican instantneamente
conforme evoluciona el tiempo. Tambin, a la derecha de las grficas, se
nuestran los valores intantneos para estas funciones temporales.