UNION P-N

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http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet3/
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Unin P N:
Son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p y n, por
lo que tambin reciben la denominacin de PN. Hay que destacar que
ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en
cada cristal, el nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que
podemos decir que los dos cristales, tanto el P como el N, son neutros. (Su
carga neta es 0).

Formacin de la zona de carga espacial Al unir ambos cristales, se manifiesta

una difusin de electron Unin P N:

S o n u n i o n e s d e d o s m a t e r i a l e s semiconductores extrnsecos tipos p y n,

por lo que tambin reciben la denominacin de PN . Hay que destacar que
ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en cada
cristal, el nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que p o d e m o s
decir que los dos cristales, tanto el P como el N, son neutros.
( S u carga neta es 0).

Formacin de la zona de carga espacial Al unir ambos cristales, se manifiesta una

difusin de electrones del cristal N al P. Al establecerse estas corrientes
aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que
recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de
agotamiento, de deplexin, de vaciado, etc. A medida que progresa el proceso
de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su anchura
profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la
acumulacin de iones positivos en la zona N y de iones negativos de la zona P,
Crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n
con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de
electrones y terminar detenindolos.

Polarizacin directa de la unin P - N

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga

espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es
decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de la unin P
- N y la negativa a la N. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p,

esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor

que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones
libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del
cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la

zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p
convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es
atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo
hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor
y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo

electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente
elctrica constante hasta el final.

Polarizacin inversa de la unin P - N

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo

positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin
en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como
se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los

cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se
desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres
abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al
verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren
estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, versemiconductor y tomo) y
una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.

El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes

de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de
valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los
tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn
que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres
cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo
que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de
valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones
negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al

efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (versemiconductor) a
ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A)
denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una
denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica,
conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie,
los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los
cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los
tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos
en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs
de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente
superficial de fugas es despreciable

es del cristal N al P. Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas

en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes
denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, de
deplexin, de vaciado, etc. A medida que progresa el proceso de difusin,
la zona de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en
los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de
iones positivos en la zona N y de iones negativos de la zona P,
Crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la
zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr
a la corriente de electrones y terminar detenindolos.
Polarizacin directa de la unin P - N

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de

carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs
de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la
electricidad.
Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de la
unin P - N y la negativa a la N. En estas condiciones podemos observar
que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n,
con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal
p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin pn.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor
que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los
electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar
a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado
hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando
la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona
p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el
electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de

tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se

introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y
atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo
una corriente elctrica constante hasta el final.
Polarizacin inversa de la unin P - N

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo

positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la
tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la
batera, tal y como se explica a continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n,
los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del
cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones
libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran
neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de
conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia,
versemiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que
se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos
trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3
electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces
covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de
valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es
que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona
p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes
adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una
carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga
espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo,
debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco
(versemiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea

corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin.

Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la
cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la
superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn
rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes
necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la
superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su
orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs
de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la
corriente superficial de fugas es despreciable