Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
CAPITULO 3
Descripcin del proyecto
uno
Tabla 3.1 Corriente elctrica a plena carga de motores trifsicos de corriente alterna [5]
Figura 3.2 Regla de valores para la eleccin de componentes perifricos, con valores de
corriente para diferentes potencias de motor. Proporcionada por Telemecanique
Figura 3.3 Regla de valores para la eleccin de componentes perifricos, con valores de
corriente para diferentes potencias de motor. Proporcionada por Square D
para 350V. El voltaje entre las terminales del capacitor es finalmente el voltaje
rectificado, listo para proveer potencia a la etapa inversora.
Para propsitos de medicin, se coloc en paralelo un voltmetro de
corriente directa, y en serie una resistencia de 1 ohmio de alta disipacin para
tener una medicin indirecta de la corriente en el bus de CD.
1)
BJT
2)
MOSFET de potencia
3)
IGBT
4)
SIT
IGBT
Los IGBT son transistores de potencia de voltaje controlado. En forma
inherente, son ms rpidos que los BJT, pero no tan rpidos como los
MOSFET. Sin embargo, ofrecen caractersticas muy superiores de activacin y
de salida que las de los BJT. Los IGBT son adecuados para alto voltaje, gran
corriente y frecuencias hasta de 20 Khz., y se consiguen hasta para 1700 V y
2400 A [1].
SIT
Un SIT es un dispositivo de alta potencia y alta frecuencia. En esencia,
es la versin del tubo de vaco trodo, en estado slido, y se parece a un
transistor de unin de efecto de campo (JFET Junction Field-Effect Transistor).
Tiene posibilidades de poco ruido, poca distorsin y alta potencia en alta
audiofrecuencia. Los tiempos de cerrado y abertura son muy cortos, de unos 20
s. La caracterstica de cerrado normal y el alto lmite de cada en estado
cerrado limita sus aplicaciones para conversiones generales de potencia. La
capacidad de corriente de los SIT puede ser hasta de 1200 V, 300 A. Los SIT
son ms adecuados para aplicaciones de gran potencia en alta frecuencia,
como VHF/UHF (muy alta frecuencia/ultra alta frecuencia), y de microondas [1].
Tabla 3.2 Conversin de corriente elctrica mxima a rotor bloqueado para motores polifsicos, para la
seleccin de controladores y medios de desconexin de acuerdo con la tensin elctrica nominal y
potencia nominal en kW. [5]
11
De la tabla 3.2 se puede ver que para un motor de 0.5 Hp, los
dispositivos de conmutacin deben ser capaces de soportar unos 20 Amperes.
Es por esto que despus de probado el prototipo a bajo voltaje, se incrementa
el voltaje de prueba y se utilizan elementos para tensiones mayores y se elige
el transistor MOSFET de canal N, no. IRF640, de Internacional Rectifier [11],
con caractersticas ID = 20 amperes, VDSS = 200 voltios.
Uno de los aspectos ms importantes a tomar en cuenta en el diseo del
inversor, es que existen transitorios de voltaje. stos pueden ser producidos
por las altas velocidades de conmutacin de los transistores, por las corrientes
de recuperacin inversa y la desconexin de la carga. Para resolver ste
problema, se conect un circuito amortiguador RC de potencia, entre el drenaje
y fuente de cada transistor. Con estos elementos se limitan los estados
transitorios de dv/dt y de voltaje pico, para que queden dentro de los
parmetros permitidos.
Se adaptaron disipadores de calor a cada transistor, pues debido a las
prdidas en estado activo y por conmutacin, dentro de cada uno se genera
calor. ste calor se debe transferir del dispositivo a un medio de enfriamiento,
para mantener la temperatura de operacin en la unin dentro de los lmites
especificados.
En los convertidores de potencia se pueden presentar cortocircuitos y
fallas, y las corrientes de falla que resulten deben eliminarse con rapidez. Para
proteger los dispositivos semiconductores se usaron seis fusibles de 1.6
amperios. De sta manera, al aumentar a corriente de falla, el fusible se abre y
12
3.2
13
Figura 3.5 Generacin de las seales de control mediante etapas independientes de variacin
de voltaje y variacin de frecuencia
14
Figura 3.6. Esquema general de la generacin de la seal de control para un transistor del
puente inversor dentro del equipo variador de velocidad de PRISM
se
implementa
en
forma
digital,
por
medio
de
un
15
portadora [3].
Hay armnicos de orden alto que tambin estn presentes en la forma
de onda del voltaje, en los mltiplos impares de p. Es de considerar que si p es
mltiplo de tres, stos armnicos de la portadora y algunos otros del orden
2 p 3 , no incidirn en la carga trifsica [3].
16
magnitud del voltaje del armnico Vk expresado como una fraccin del valor
pico del voltaje fundamental V1max.
La figura 3.8 muestra el voltaje del armnico normalizado
Vk
. Las curvas
V1
Figura 3.7 Contenido armnico de la onda PWM sinusoidal como funcin del ndice de
modulacin. Se muestra la amplitud de un armnico relativo a la amplitud mxima de la
fundamental [ 3]
Figura 3.8 Contenido armnico de la onda PWM sinusoidal como funcin del ndice de
modulacin. Se muestra la amplitud de un armnico, relativo a la amplitud actual de la
fundamental [ 3]
17
En las figuras 3.7 y 3.8 se puede observar que existe una relacin lineal
entre la magnitud de del voltaje fundamental y el ndice de modulacin. El
anlisis de las armnicas muestra que esto se cumple cuando p es mayor que
tres. La amplitud de la fundamental del voltaje de lnea a neutro, para una
carga conectada esta dado por:
V1 = M
VC
2
para
0 M 1
Se tiene que:
p=
fc
mf
=
2 fr
2
mf =
fc
fr
M=
Ar
AC
[1]
18
Donde:
fr
fc
Ar
Ac
mf
ndice de modulacin
De esta manera:
19
M=
Ar
Ac
Ac =
Ar
M
Ac =
311.12
= 317voltios
0.98
p=
fc
2 fr
f c = ( p)(2 f r )
f c = (12) x(2)(60)
f c = 1440 Hz
Los valores de las seales a comparar para obtener la seal PWM
deseada tienen los siguientes valores:
20
Figura 3.9 Circuito diseado en el programa PROTEL, para hacer una simulacin de la
generacin de una onda PWM unidireccional.
21
Para este ejemplo, la onda senoidal tiene una amplitud pico de 317
voltios y su frecuencia es de 60 Hz. El resultado de la simulacin del circuito
anterior se muestra en la figura 3.10
22
Figura 3.11 Resultados de la simulacin del circuito comparador. Se muestran las salidas para
diferentes frecuencias de entrada.
23
Frecuencia Frecuencia
de salida de portadora
(Hz.)
fc ( Hz )
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
219
280
350
420
490
560
630
700
660
720
780
840
900
960
1020
1080
1140
1200
1050
1100
1150
1200
1000
1040
1080
Rel. de
modulacin de
frecuencia mf
73
70
70
70
70
70
70
70
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
50
50
50
50
40
40
40
33
33
33
33
33
33
33
33
27
27
27
27
27
27
27
27
27
27
24
24
24
24
24
18
18
24
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
1120
1160
1200
1240
1280
1320
1360
1400
1440
1480
1520
1560
1600
1230
1260
1290
1320
1350
1380
1410
1440
980
1000
1020
1040
1060
1080
1100
1120
1140
1160
1180
1200
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
30
30
30
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
12
12
12
12
12
12
12
12
7
7
7
7
7
7
7
7
7
7
7
7
Tabla 3.3 Valores de las seales portadora y de referencia para cada frecuencia, utilizadas para la
generacin de las ondas PWM
frecuencias
y la mayora de sus
pines. De sta manera, ste microcontrolador se eligi por contar con los
recursos necesarios para sta aplicacin.
Siguiendo los valores de las ondas PWM unilaterales obtenidas en las
simulaciones, dentro del microcontrolador se generaron seis seales, las
cuales se nombraron como HN1, HN2, HN3, LN1, LN2 y LN3.
Estas seales estn divididas en 2 grupos: H, que corresponden a los medios
ciclos positivos PWM unilaterales, y L, correspondientes a los medios ciclos
negativos PWM unilaterales. Estas seales son aplicadas tal como se muestra
en la figura 3.12
Figura 3.12 Ubicacin de la aplicacin de las seales de control hacia el puente inversor
26
correspondiente
al
programa
generador
de
seales
PWM
unidireccionales.
27
Figura 3.13-a Diagrama de flujo general del programa diseado para la generacin de las
seales de control para el inversor trifsico. Primera parte.
28
Figura 3.13-b Continuacin. Diagrama de flujo general del programa diseado para la
generacin de las seales de control para el inversor trifsico
29
Figura 3.14. Microcontrolador generador de las seales de control para el puente inversor
trifsico
30
Figura 3.15 Diagrama de conexin del sistema generador de las seales de control para los transistores del puente inversor trifsico
31
32
[1]
33
TLP250,
de
Toshiba
(figura
3.18).
El
TLP250
rene
las
34
35
Figura 3.19 Etapa de potencia para el variador de velocidad para motor de corriente alterna trifsico, sin mostrar fuentes
36