5V

PROGRAMADOR/LECTOR MANUAL DE MEMORIAS UV-EPROM 27C128, 256 Y 512

5V

(SLO LAS LOCALIDADES 0 - 255)

Salida de datos

R3R4R5R6R7R8R9R10

R20

10k10k10k10k10k10k10k10k

3
5
7
9

12
14
16
18

10k

U2:B

Y3
Y2
Y1
Y0

Y3
Y2
Y1
Y0

Localidad de la memoria (8 bits)

5V

220R

220R

220R

220R

220R

220R

OE

A3
A2
A1
A0
8
6
4
2

19

17
15
13
11

220R

B115V

12
13
15
16
17
18
19

GND

U3:B

Y3
Y2
Y1
Y0

Y3
Y2
Y1
Y0

3
5
7
9

12
14
16
18

B+

U3:A
R11
R12
R13
R14
R15
R16
R17
R18

A3
A2
A1
A0

10k10k10k10k10k10k10k10k

8
6
4
2

OE

74LS244

CE
OE
VPP

A3
A2
A1
A0

74LS244

27C256

SW-SPDT

BAT2

BAT1

12V

5V

SW-SPDT

B+

BOFF

Entrada de datos
(Escritura)

9
10
11
12
13
14
15
16

Salida de datos
(Lectura) SW2

5V

12V

Vpp

SW1

20
22
1

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

OE

GND

A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14

19

8
7
6
5
4
3
2
1

ON

Bit ms significativo (B+ )

Bit menos significativo (B- )

10
9
8
7
6
5
4
3
25
24
21
23
2
26
27

17
15
13
11

OFF

B - U1

B+

12V

R21 R22 R23 R24 R25 R26 R27 R28

220R

B-

GND

B-

74LS244

DSW2
DIPSW_8

B+

A3
A2
A1
A0

OE

9
10
11
12
13
14
15
16

74LS244

B+
U2:A

R19

DSW3
DIPSW_8

ON

10k

GND

Ing. Genaro Alfredo Alczar Marn

Entrada de datos

5V

8
7
6
5
4
3
2
1

GND

Instituto Tecnolgico de Cuautla

V 1.3
GND

19/11/2014