Omar

de la cruz Arciniega
Electrnica analgica I
Centro de enseanza tcnica industrial
Guadalajara, Jalisco. Mxico
Email: tencoomar@gmail.com

televisinY ha sido, precisamente,

el descubrimiento del transistor el
culpable de esta revolucin
tecnolgica.

Abstract:
Hemos empezado la asignatura
estudiando los materiales de los que
estn formados los principales
dispositivos electrnicos de estado
slido,
los
semiconductores.
Continuamos con el estudio del
dispositivo
semiconductor
ms
sencillo, el diodo de unin.
Dispositivo, que como hemos visto
en los temas anteriores, consta de
dos partes diferenciadas con un
terminal en cada una de ellas, es
decir, se trataba de un dispositivo
de tres terminales.
Introduccin:
Siguiendo con el estudio de los
dispositivos electrnicos vamos a
avanzar un paso ms y vamos a
estudiar
un
dispositivo
semiconductor que consta de tres
zonas distintas, con dos uniones p-n
y con un terminal en cada una de
las zonas, o lo que es lo mismo,
estamos ante un dispositivo de tres
terminales:
El
transistor.
Sin
ninguna duda, estamos ante uno de
esos grandes inventos que han
marcado un punto de inflexin en la
historia de la humanidad, como en
su da lo fueron el descubrimiento
del fuego, la invencin de la rueda o
la mquina de vapor entre otros. El
descubrimiento del transistor a
principios del siglo XX (1947) marc
el comienzo de la era de la
electrnica. En apenas 60 aos el
desarrollo experimentado y el grado
de penetracin en la vida cotidiana
ha sido tal que hoy en da es difcil
pensar en cmo sera la vida sin los
ordenadores, la telefona, la radio, la

I- Construccin del transistor.

Aunque existen otros tipos de
transistores en esta investigacin
vamos a abordar el estudio del
transistor de unin bipolar, tambin
conocido por la inciales de su
denominacin
en
ingles
BJT
(Bipolar Junction Transistor). El
trmino bipolar hace referencia al
hecho de que en la conduccin de
la corriente intervienen los dos tipos
de
portadores
(electrones
y
huecos). El termino junction (unin)
hace referencia a la estructura del
dispositivo, ya que como veremos a
continuacin tenemos dos uniones
p-n en el transistor y mediante la
polarizacin de estas uniones
conseguiremos
controlar
el
funcionamiento del dispositivo.
El transistor es un dispositivo de
tres zonas o capas. Podemos tener
una zona de material tipo n en
medio de dos zonas de material tipo
p, en este caso se denomina
transistor pnp, o bien tener una
zona tipo p con dos zonas tipo n a
cada lado, en cuyo caso estaramos
hablando de un transistor npn.

Fig.1 estructura del transistor BJT

La zona central se denomina base,

y las laterales emisor y colector.
Cada una de las zonas consta de un
terminal por donde extraer las
corrientes. Estos terminales se

representan por la inicial del nombre

de la zona respectiva: E (emisor), B
(base) y C (colector).
La zona de emisor es la ms
fuertemente dopada de las 3, es la
zona encargada de emitir o
inyectar portadores mayoritarios
hacia la base. Huecos en el caso de
un transistor pnp o electrones en el
caso del transistor pnp.
La base tiene un nivel de dopado
netamente inferior al de la zona de
emisor. Se trata de una zona con un
espesor muy inferior al de las capas
exteriores. Su misin es la de dejar
pasar la mayor parte posible de
portadores inyectados por el emisor
hacia el colector.
La zona de colector, como su propio
nombre indica es la encargada de
recoger
colectar los portadores que
inyectados por el emisor han sido
capaces de atravesar la base. Es la
zona con un nivel de dopado inferior
de las tres.

Fig. 2 sentidos de tensiones y corrientes

del BJT

En la figura aparecen los smbolos

que
se
utilizan
para
la
representacin del transistor de
unin bipolar. Para las corrientes se
han representado los sentidos
reales de circulacin de las mismas.

II.- Zonas de funcionamiento

Cuando hablbamos de la unin p-n
veamos
que
tenamos
dos
posibilidades de polarizacin de la
misma, de tal forma que el diodo
tena dos posibles estados o zonas
de trabajo: en directa y en inversa.
Ahora estamos ante un dispositivo
que tiene dos uniones, una unin
entre las zonas de emisor y base
(que denominaremos a partir de
ahora unin de emisor JE) y otra
unin entre las zonas de base y
colector (de que denominaremos
unin de colector JC), cada una de
las cuales puede ser polarizada en
las dos formas mencionadas
anteriormente. As, desde el punto
de vista global del dispositivo
tenemos
cuatro
zonas
de
funcionamiento posibles en funcin
del estado de polarizacin de las
dos uniones.
De esta forma, si polarizamos las
dos uniones en directa, diremos que
el transistor est trabajando en la
zona de saturacin. En el caso de
que la unin de emisor la
polaricemos en directa y la unin de
colector en inversa, estaremos en la
zona activa.
Cuando las dos uniones se
polarizan en inversa, se dice que el
transistor est en la zona de corte.
Por ltimo, si la unin de emisor se
polariza en inversa y la unin de
colector en directa, el transistor se
encuentra en activa inversa. De las
cuatro zonas, las 3 mencionadas en
primer
lugar
son
las
ms
interesantes desde el punto de vista
del funcionamiento del transistor,
siendo la zona activa inversa una
zona puramente terica y sin inters
prctico.

Fig.3 zona de funcionamiento del transistor

BJT

Notar que en todo momento

hablamos de polarizaciones en
directa o en inversa sin referirnos al
signo de la tensin aplicada a dicha
unin, ya que el mismo depender
del tipo de transistor npn o pnp en
cuestin.

Dado que el emisor es mucho ms

ancho que la base y adems su
nivel de dopado es muy superior, la
cantidad de huecos en el emisor
ser muy superior a la de los
electrones en la base, con lo que el
trmino de corriente predominante
ser el debido a los huecos. Es
decir, la corriente tendr dos
trminos, uno debido a los
electrones y otro debido a los
huecos, siendo predominante el
segundo sobre el primero.

III.- Corrientes en la zona activa

Como acabamos de ver un
transistor est trabajando en la zona
activa cuando la unin de emisor se
polariza en directa y la unin de
colector en inversa. En el caso de
un transistor pnp, para polarizar la
unin de emisor en directa habr
que aplicar una tensin positiva del
lado del emisor, negativa del lado
de la base, o lo que es lo mismo
una tensin VBE positiva. De igual
manera, para polarizar la unin de
colector en inversa hay que aplicar
una tensin VCB negativa.
Vamos a comenzar el estudio
suponiendo que la unin de emisor
est polarizada en directa y que la
unin de colector est sin polarizar
(figura 4.4a). En este caso estamos
ante una unin p-n (la formada por
el emisor y la base) idntica a la que
analizamos
anteriormente
al
abordar la polarizacin de la unin
p-n. En este caso, aparece un
campo elctrico que tiende a
arrastrar a los huecos del emisor
hacia la base y a los electrones de
la base hacia el emisor.
Lo que origina una corriente neta en
el sentido de la zona p hacia la zona
n, es decir, de emisor hacia la base.

Fig.4 polarizacin por separado de las

uniones de emisor-colector

A continuacin vamos a analizar la

unin de colector suponiendo que
est polarizada en inversa y que la
unin de emisor est en circuito
abierto (figura 4). Al igual que en el
caso anterior este caso fue
analizado al tratar la polarizacin
inversa de la unin p-n. Ahora
aparece un campo elctrico de la
zona n hacia la zona p (de la base
hacia el colector) que aleja a los
portadores mayoritarios en las
respectivas zonas de la unin. Sin
embargo, se establece una corriente
debida a los portadores minoritarios
de cada una de las zonas, los
huecos de la base (por ser zona n) y
los electrones del colector (zona p).
De esta forma se establece una
corriente en el sentido de la base
hacia el colector denominada ICO y
que corresponde a la corriente
inversa de saturacin de la unin de
colector.
Analicemos ahora la polarizacin
simultnea de ambas zonas (figura

5), en este caso, los huecos

inyectados por el emisor (que dan
lugar a la corriente IpE) al llegar a la
base, y a travs de un proceso de
difusin, tendern a ir hacia el
colector. En el momento que dichos
huecos alcancen la unin de
colector, el campo elctrico que
tenemos debido a la polarizacin
inversa de la unin de colector
atrapar a los huecos
transportndolos hacia el colector
(corriente IpC). Es decir, este
campo elctrico se encarga de
recolectar los huecos inyectados por
el emisor, evidentemente no todos
los huecos inyectados por el emisor
conseguirn alcanzar el colector, ya
que tienen que atravesar la base
(material tipo n) por lo que algunos
se recombinarn en la zona de base
dando lugar a la corriente IpE
IpC).
Por otra parte, seguiremos teniendo
la corriente InE debida a los
electrones que van de la base al
emisor por efecto de la polarizacin
directa de la unin de emisor. Y en
la zona de colector tendremos la
corriente ICO por estar la unin de
colector polarizada en inversa.

Fig. 5. Zonas de funcionamiento del

transistor BJT.

Por tanto desde el punto de vista de

las corrientes en los terminales del
transistor, y teniendo en cuenta que
estamos en la zona activa,
tendremos:

Si tenemos en cuenta que

, tendremos que
Por otra parte, podemos expresar
, donde alfa representa
la fraccin de portadores que
inyectados por el emisor alcanzan el
colector. Con lo que podemos
expresar la corriente de colector en
la forma:

De la expresin anterior podemos

deducir:

A partir de la cual podemos dar otra

definicin de alfa: Es la relacin
entre el incremento de la corriente
de colector desde el corte (IC =
ICO) y la variacin de la corriente de
emisor desde el corte (IE = 0)
El parmetro alfa es conocido como
ganancia de corriente en continua.
En los transistores comerciales, el
valor real de dicho parmetro suele
estar comprendido entre 0,9 y 0,998
y, en la mayora de los casos, ms
cerca del segundo valor.

Curvas caractersticas en base

comn.
Curvas
entrada.

caractersticas

de

Vamos
a
ver
las
curvas
caractersticas de entrada para un
transistor BJT pnp. Los sentidos
positivos de tensiones y corrientes
son los representados en la figura 6.

Fig. 7 Curvas caractersticas de entrada en

base comn en un BJT pnp

Fig. 6 sentidos positivos de las variables en

las curvas caractersticas de entrada en un
BJT pnp en base comn

Curvas caractersticas de salida.

En las curvas caractersticas de

entrada en base comn se
representa:
Estas
curvas
aparecen
representadas en la figura 4.8. En
principio, si observamos, es como si
tuvisemos la curva caracterstica
correspondiente a la unin de
emisor [IE = f(VEB)], sin embargo,
la relacin entre estas dos variables
se ve influenciada por la tensin que
tenemos a la salida (VCB). As, no
tenemos una nica curva, sino que
tenemos una familia de curvas en
funcin de la tensin VCB,.

Fig. 8 sentidos positivos de las variables

que intervienen en las curvas
caractersticas de salida en un BJT pnp de
base comn

En las curvas caractersticas de

salida
en
base
comn
se
representa:

Fig. 9 Curvas caractersticas de salida en

base comn en un BJT pnp

En
estas
curvas
aparecen
claramente diferenciadas las tres
zonas de inters prctico del
transistor: corte, saturacin y activa.
Regin de corte:
Est delimitada por la curva con IE =
0

Fig. 10 corrientes en un BJT en base

comn en la zona de corte

Si el emisor est en circuito abierto

(IE = 0). La nica corriente que
tendremos en el transistor ser la
que hemos llamado ICO debida a la
polarizacin inversa de la unin de
colector.
Como ICO es del orden de unos
pocos A o incluso de los nA,
aparece pegado al eje.
ICBO es la notacin usada ms
frecuentemente en las hojas de
caractersticas que proporcionan los
fabricantes. ICBO es despreciable
para transistores de propsito
general, pero es muy sensible con
la temperatura, por lo que habr que
tenerlo
presente
segn
que
aplicaciones. La corriente IE ser 0
cuando el emisor est en circuito
abierto, aunque si la unin de
emisor est en inversa (o incluso
an estando en directa pero con
tensiones inferiores a la tensin de
codo), estaremos en una situacin
donde IE es prcticamente 0, por lo
que las corriente por los tres
terminales del transistor son nulas a
efectos prcticos.
En resumen cuando las dos uniones
estn polarizadas en inversa no hay

corrientes por el transistor, por eso

se dice que estamos en la zona de
corte.
Zona activa:

El transistor trabaja en esta zona
cuando la unin de emisor est
polarizada en directa y la unin de
colector lo est en inversa.

Fig. 11 polarizacin de un BJT pnp en la

zona activa

En esta zona se cumple:

Podemos despreciar (Ico) frente

(alfa)IE
Por lo que
como (0,9 <alfa-< 0,998)
Por tanto en la zona activa vemos
como la corriente IC es igual a IE e
independiente de VCB.

Referencias:
http://paginas.fisica.uson.mx/horacio.munguia
/aula_virtual/Cursos/Instrumentacion%20I/Doc
umento

http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/t
ecnicas/electro_gen/teoria/tema-4-teoria.pdf
http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-
sistemas-electronicos/material-de-clase-
1/tema-3.-transistores-de-union-bipolar-bjt.pd

Electrnica: teora de circuitos y dispositivos
electrnicos
Autor: Robert L. Boylestad , Louis Nashelsky
Editorial Pearson