Introduccin.

La operacin del fototransistor esta basada en la sensitividad de una unin PN a la energa

radiante, si la energa radiante es de la longitud de onda apropiada para alcanzar la unin, la
corriente en esa unin se incrementara el fenmeno optoelectrnico, dicho dispositivo se usa en
una amplia variedad de aplicaciones. Sin embargo para hacer uso ptimo de los fototransistores, el
diseador debe tener un sonoro soporte de sus principios de operacin y caractersticas.
Si tenemos el diodo colector-base de un transistor bipolar, la corriente fotoinducida es la corriente
de base. La ganancia de corriente del transistor dar como resultado una corriente colector-emisor
de:
IC = (hfe+1) I ,
Donde:
IC es la corriente del colector,
hfe es la ganancia en sentido directo de corriente, y
I es la corriente de base foto inducida.
La terminal de base puede dejarse flotando, o puede ser polarizada a un valor de operacin
deseado. En cualquier caso, la unin colector-base esta polarizada en forma inversa y la corriente
del diodo es la corriente de fuga inversa.

As la foto estimulacin dar como resultado un incremento significativo en la corriente de base del
diodo, y con la ganancia de corriente dar como resultado un incremento en la corriente de colector.
El diagrama de bandas para el foto transistor se muestra en la figura 6. la corriente de base foto
inducida regresa al colector a travs del emisor y la circuiteria externa. Haciendo que los electrones
sean alimentados a la regin de la base por el emisor, donde son jalados hacia el colector por el
campo elctrico .

CARACTERSTICAS ELCTRICAS ESTATICAS DEL FOTO TRANSISTOR.

Respuesta espectral.
La curva de respuesta espectral nos proporciona una indicacin de la habilidad del dispositivo para
responder a las diferentes longitudes de onda. En la figura 9 se muestra la respuesta espectral de un
fototransistor de la serie MRD300 de Motorola expuesto a una radiacin de energa constante.
Como se puede ver la respuesta pico se obtiene alrededor de los 8000 ngstrom o 800 nano Metros.

Alineacin angular.
La ley de Lambert de la iluminacin establece que, la iluminacin de una superficie es proporcional al
coseno del ngulo entre la normal de la superficie y la direccin de la radiacin. As el alineamiento
angular de un foto transistor y su fuente de radiacin es muy significativo. La proporcionalidad
cosenoidal representa una respuesta angular ideal. La presencia de un lente ptico y el limite del
tamao de la ventana afectan tambin la respuesta. Esta informacin se maneja mejor en una grafica
polar de la respuesta del dispositivo. Esta grafica se presenta en la figura 10 para la serie MRD300.

La sensitividad de un foto transistor es una funcin de la eficiencia quantum del diodo colector-base
y tambin de la ganancia de corriente DC del transistor.

Por lo tanto, la sensitividad total es una funcin de la corriente de colector, la figura 11 muestra la
dependencia de la corriente de colector de la ganancia de DC de corriente.

Respuesta de temperatura color.

En muchas ocasiones un foto transistor se utiliza con una amplia gama de fuentes de radiacin,
tales como una lmpara incandescente. La respuesta del foto transistor es por lo tanto dependiente
de la temperatura color de la fuente. Las fuentes incandescentes operan generalmente a una
temperatura color de 2870 K, pero la operacin a temperaturas color mas bajas no esta fuera de
lo comn. Por lo tanto llega a ser deseable saber el resultado que tiene en la sensitividad una
diferencia de temperaturas color, la figura 12 muestra la respuesta relativa de la serie MRD300
como una funcin de la temperatura color.

Coeficiente de temperatura de Ip
Un sin nmero de aplicaciones necesitan usar el foto transistor en temperaturas ambiente fuera de lo
normal en un cuarto. La variacin de la foto corriente con la temperatura cambia de manera lineal
aproximadamente con una pendiente positiva de 0.667%/ C .
La magnitud de este coeficiente de temperatura es primeramente el resultado de un incremento en la
HFE versus la temperatura, dado que el coeficiente de temperatura de la foto corriente colector base
es solamente de alrededor de 0.1%/ C
Caractersticas de colector.
Dado que la corriente de colector es primeramente una funcin de la radiacin incidente, el efecto del
voltaje colector-emisor por debajo del rompimiento, es pequeo. Por lo tanto una grafica de las
caractersticas IC-VCE con la radiacin incidente como parmetro, son muy semejantes a las mismas
caractersticas con IB como parmetro. La familia de curvas del colector para la serie MRD300
aparecen en la figura 13 .
Sensitividad de radiacin.
La capacidad de un transistor dado para servir en una aplicacin es a menudo completamente
dependiente de la sensitividad de radiacin del dispositivo. La sensitividad de radiacin de base
abierta de la serie MRD300 se proporciona en la figura 14. Esto indica que la sensitividad es
aproximadamente lineal con respecto a la radiacin incidente.

Esto indica que la sensitividad es aproximadamente lineal con respecto a la radiacin incidente. La capacidad

adicional del MRD300 de ser prepolarizado le proporciona una elevacin a la sensitividad como una
funcin de la resistencia de base equivalente. La Figura 15 nos da la relacin.

Capacitanca.
La capacitanca de la unin es un parmetro significativo cuando se determina la capacidad en alta
frecuencia de la velocidad de conmutacin del transistor. Las capacitancias de las uniones del
MRD300 como una funcin de los voltajes de unin se proporcionan en la figura 16.

Caractersticas dinmicas del foto transistor.

Linealidad.
La variacin de la hfe con respecto a la corriente de colector da como resultado una respuesta no
lineal del foto transistor sobre ondas de gran seal. Sin embargo la respuesta a pequea seal es
aproximadamente lineal. El uso de la recta de carga en las caractersticas de colector de la figura 17
indicar el grado de linealidad esperado para un rango de excitacin ptica especifico.
Respuesta de frecuencia
La respuesta del dispositivo es plana bajando hacia DC con una frecuencia de corte dependiente de
la impedancia de carga as como tambin del dispositivo. La respuesta esta dada en la figura 17
como la frecuencia de 3dB en funcin de la impedancia de la carga para dos valores de corriente de
colector.

Figura de ruido.
Mientras que la operacin normal de un foto transistor es con la base flotada, una buena aproximacin
cualitativa de las caractersticas de ruido del dispositivo se puede obtener midiendo la figura de ruido
bajo condiciones estndar. La figura de ruido de 1 KHz para el MRD300 se muestra en la figura 18.

Parmetros H de pequea seal.

As como con la figura de ruido, los parmetros h, medidos bajo condiciones estndar dan una
aproximacin cualitativa del comportamiento del dispositivo. Estas se dan como funciones de la
corriente de colector en la figura 19. con esta informacin el dispositivo puede ser analizado con el
modelo hbrido estndar de la figura 19 a, usando la tabla I de conversin, se puede usar el modelo
de parmetro r equivalente de la figura 19 b

Caractersticas de conmutacin del foto transistor.

En aplicaciones de conmutacin, existen dos requerimientos muy importantes que son:
Velocidad.
Voltaje de encendido.
Dado que algunas excitaciones pticas para los foto transistores pueden tener pulsos de luz
rpidos, se aplican estas dos consideraciones.
Velocidad de conmutacin.
Si se hace referencia al modelo de la figura 47, se puede ver que una rpida subida en la corriente
Ix no dar como resultado un incremento instantneo equivalente en la corriente de colector-emisor.
El flujo inicial de Ix debe suministrar corriente de carga a CCB y CBE. Una vez que estas
capacitancias han sido cargadas, Ix fluir a travs de rbe, entonces el generador de corriente gm
vbe comenzar a suministrar corriente. Durante el apagado ocurre algo semejante, mientras que Ix
puede caer instantneamente a cero, la descarga de CCB y CBE a travs de rbe sostendr un flujo
de corriente a travs del colector cuando las capacitancias han sido descargadas, entonces vbe
caer a cero y la corriente gm vbe tambin decaer a cero. Esta discusin asume que las corrientes
de fuga son despreciables.
Estas capacitancias por lo tanto dan como resultado retardos en el encendido y apagado y tiempo
de subida y bajada para aplicaciones de conmutacin justo como se les encuentra en aplicaciones
con transistores bipolares de conmutacin convencionales. Y as como con conmutacin
convencional, los tiempos son una funcin de la excitacin.

La figura 21 muestra la dependencia de la corriente de colector (o de excitacin) del retraso de

encendido y el tiempo de subida. Como se indica el tiempo de retardo es dependiente del dispositivo
solamente; mientras que el tiempo de subida es dependiente de ambos, el dispositivo y la carga.

Si una fuente de alta intensidad, tal como una lmpara flash de xenn se utiliza como excitacin
ptica, el dispositivo se saturar opticamente , a menos que se ponga una gran atenuacin ptica
entre la fuente y el detector. Esto puede resultar en un tiempo de almacenamiento significativo durante
el apagado, especialmente en el modo de base flotada, dado que la carga no tiene una senda directa
desde la regin de base. Sin embargo si se usa una fuente no saturante tal como un diodo de arseniogalio para la excitacin, el retardo en el apagado es bastante bajo como se muestra en la figura 22.

Voltaje de saturacin
Un switch ideal tiene impedancia cero de encendido, o una cada de voltaje de cero cuando esta
encendido. El voltaje de saturacin de encendido del MRD300 es relativamente bajo, de
aproximadamente 0.2 volts. Para una corriente dada de colector, esta es funcin de la excitacin y se
muestra en la figura 23.

FUNCIONAMIENTO
Un fototransistor esta hecho de un semiconductor de alta resistencia.
Si la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por la
elasticidad del semiconductor dando a los electrones la suficiente energa para saltar a la banda de
conduccin. El electrn libre que resulta (y su hueco asociado) conduce electricidad, de tal modo que
disminuye la resistencia.
La luz incide (radiacin ptica) sobre la regin de la base, generando portadores en ella. Esta
carga de base lleva el Transistor al estado de conduccin . El fototransistor es mas sensible que el
fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor.

 Los fotones que llegan al lente (base), generan pares electrn-hueco en la unin C-B, la tensin de
polarizacin inversa de C-B, llevan los huecos a la superficie de la base y los electrones al colector.
La unin B-E polarizada directamente, hace que los huecos se dirijan de la base al emisor, mientras
que los electrones van del emisor a la base. En este momento la funcin del transistor se ejecuta
cuando los electrones cruzan del emisor a la base alcanzando el colector. Esta tensin constituye
una corriente de colector inducida por la luz.
En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexin de base como sin ella y tanto en
capsulas plsticas como metlicas (TO-72, TO-5) provistas de una lente.
Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lpices pticos, etc.
Para comunicaciones con fibra ptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. Tambien se
pueden utilizar en la deteccin de objetos cercanos cuando forma parte de un sensor de proximidad.
Generalmente se usan de forma encapsulada con un LED, que originan interruptores pticos; los
cuales detectan la interrupcin del haz de luz por un objeto.

El fototransistor permite obtener una corriente amplificada en funcin de la luminosidad de la luz.

Utiliza para transmitir la informacin un diodo LED infrarrojo, construido a base de un compuesto
De Arseniuro de Galio, que se enlaza en forma ptica con un detector encargado de capturar esa
Informacin luminosa y transformarla en una seal elctrica.

Aplicaciones de los foto transistores.

El foto transistor se puede usar en muchas aplicaciones, la figura 24 muestra dos fototransistores en
un circuito chopper serie. Cuando Q1 esta encendido Q2 esta apagado, y cuando Q1 se apaga Q2
se enciende.

La circuiteria lgica que muestra la caracterstica de alto aislamiento elctrico de entrada/salida del
foto transistor se muestra en la figura 25.

La figura 26 muestra una aplicacin lineal de un foto transistor. Como se menciono previamente la linealidad se
obtiene para ondas de pequea seal

Un relevador de doble polo un tiro se muestra en la figura 27. En general, el foto transistor puede
ser usado en circuiteria de conteo, indicaciones de nivel, circuitos de alarma, tacmetros y varias
controles de proceso.

OPTOACOPLADORES