Como conectar un mosfet de potencia a un microcontrolador

En este artculo describo en modo simple y ejemplificado, la conexin de mosfets a

microcontroladores u otros circuitos digitales para controlar motores, leds o cualquier
dispositivo de potencia que trabaje con baja tensin continua (DC).
Los mosfets de potencia (power mosfets) son componentes electrnicos que nos permiten de
controlar corrientes muy elevadas. Como en el caso del los mosfets comunes, tienen tres
terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate (D, S y G). La corriente principal pasa
entre Source y Drain (ISD) mientras que el control de esta corriente se obtiene aplicando una
tensin sobre el terminal Gate (respecto al terminal Source), conocida como VGS.

Conexin directa de un Mosfet a un microcontrolador

En condiciones de reposo, la corriente de Gate es prcticamente nula porque al interno del

componente, el terminal Gate se encuentra conectado a una especie de capacitor. Por lo tanto
circula corriente de Gate solo cuando cambiamos el nivel de tensin de entrada (cambio de
estado lgico) y este es el motivo por el cual el consumo de los mosfet (como en el caso de
todos los circuitos lgicos MOS) aumenta en proporcin a la frecuencia de conmutacin.
Existen power mosfets de dos tipos: los de canal N y los de canal P. La diferencia entre estos
est en la polaridad de conexin Source-Drain y en el hecho que la tensin de Gate de los
mosfet de canal P es negativa (las mismas diferencias que existen entre los transistores NPN y
PNP).

Smbolos de los mosfet

En base a la aplicacin, un mosfet de potencia puede trabajar en la regin lineal o en

saturacin. En los sistemas analgicos, como por ejemplo en las etapas de salida de los
amplificadores de audio, los mosfets trabajan en la regin lineal mientras que en los sistemas
digitales, en los cuales se usan como interruptores digitales de potencia, estos trabajan en
corte (OFF) o saturacin (ON). En este artculo analizaremos solamente los mosfet usados
como interruptores digitales.
Cuando un mosfet se encuentra en saturacin, el valor de resistencia interno entre Source y
Drain (Rsd) es muy bajo y por lo tanto, la disipacin de potencia en l ser poco significativa
no obstante la corriente que lo atraviesa pueda ser muy elevada.

Mosfet usado como simple interruptor de potencia

Para llevar un mosfet a la saturacin, es necesario que la tensin de control en el terminal

Gate sea suficientemente alta y esto podra ser un problema si usramos directamente la baja
tensin de salida de un microcontrolador. Me explico mejor con un ejemplo. Para saturar un
transistor bipolar (tipo BC548) se necesita superar la tensin de umbral de la base que es
solamente de 0,6V. Una tensin de control de 0,6V se pueden obtener con cualquier sistema
digital alimentado con 5V, 3,3V y hasta 1,8V. Por el contrario, la tensin necesaria para poner
en conduccin un mosfet (llamada tensin de umbral o Vth) es mucho ms elevada (algunos
volts) y depende del modelo de mosfet. Es ms, aunque si alcanzramos este valor, no sera
suficiente porque deberamos salir de la regin lineal de trabajo para llevarlo a la saturacin. Si

no fuera as, la conduccin no sera plena y por lo tanto parte de la potencia se disipara en el
mosfet en forma de calor porque la potencia disipada por el mosfet es el resultado de la
multiplicacin entre la cada de tensin y la corriente que pasa por l (Pmosfet = Vsd * Isd).

Curvas de conduccin de un hipottico mosfet con las dos regiones de trabajo (lineal y saturacin) para
distintas tensiones de Gate

En el diseo podemos ver las curvas de conduccin de un tpico mosfet de canal N con
distintas tensiones de Gate en las dos regiones de trabajo (regin lineal a la izquierda del
grfico y saturacin a la derecha). Como podemos observar, si quisiramos obtener una
corriente de salida mxima, la tensin de Gate (VGS) debera ser de 7,5V. Este valor vara en
base al modelo de mosfet usado. Para resolver este problema existen dos posibilidades: usar
un adaptador que aumente los niveles de salida del microcontrolador o conseguir un mosfet
que trabaje con tensiones de Gate ms bajas. Los mosfets con baja tensin de Gate son
conocidos con el nombre de logic level power mosfet (mosfet de potencia para nivel lgico).

Comparacin entre un mosfet Logic level y un mosfet comn

En el diseo podemos ver la curva de conduccin de un mosfet logic level IRL530 (en verde)
comparada con un clsico mosfet IRF530 (en azul). La lnea vertical a rayas indica un nivel
lgico de 4,75V (tpico nivel de salida de un microcontrolador alimentado con 5V). Como
podemos observar, la corriente de salida mxima con el IRF530 no supera los 2,6A no
obstante este modelo sea en grado de entregar mucha ms corriente mientras que el IRL530
supera ampliamente los 20A (plena conduccin). Si nuestro microcontrolador trabajara con
3,3V el IRF530 no lograra ni siquiera entrar en conduccin.

Ejemplo de conexin directa de un mosfet logic level

Por lo tanto, elegir un mosfet de tipo logic level es la mejor eleccin cuando trabajamos con
circuitos digitales. En la figura podemos observar la conexin de un mosfet logic level a un
microcontrolador para encender una tira de leds.
Como explicado al principio de este artculo, cuando cambia el nivel lgico de control, por un
instante el mosfet absorbe una cierta corriente que carga el capacitor interno del terminal
Gate. La resistencia de 4,7K sirve para limitar esta corriente inicial. Podramos usar cualquier
valor de resistencia pero un valor bajo permite la carga rpida de este capacitor y por lo tanto
una conmutacin ms veloz del mosfet, til si quisiramos usar una regulacin de potencia por
impulsos (PWM). En este tipo de regulacin, si la conmutacin del mosfet fuera lenta, este se
encontrara por ms tiempo en la zona lineal y por lo tanto aumentara la disipacin de
potencia en l, especialmente si trabajamos con frecuencias elevadas. Una vez que el mosfet
ha conmutado, el Gate no absorbe ms corriente. Por lo tanto si pensamos de usar nuestro
mosfet para simples encendidos y apagados, el valor de esta R puede ser de 10K. Por el
contrario, si deseamos modular la potencia de salida a travs de la modulacin PWM, nos
conviene un valor de resistencia de 4,7K, 3,3K o 1,2K inclusive. La mejor eleccin depende
fundamentalmente de la frecuencia PWM.
La resistencia de 100K a masa sirve para definir un estado lgico preciso en el caso que el
micro no lo hiciese como por ejemplo en la fase de inicializacin del mismo.
Si tuviramos la necesidad de conectar un mosfet no logic level a un circuito digital,
podemos agregar un transistor que nos permita aumentar la tensin de control como podemos
observar en la figura siguiente.

Ejemplo de conexin de un mosfet no logic level de canal N

El principio de funcionamiento es muy simple. Cuando la salida del microcontrolador tiene un

nivel lgico bajo (0 volt), el transistor no conduce y por lo tanto, su colector, que se encuentra
conectado al Gate del mosfet tendr un potencial positivo de 12V a travs de la resistencia a
positivo. Cuando la salida del microcontrolador pasa a nivel alto, (1,8V, 3,3V o 5V), el
transistor conduce y lleva el Gate del mosfet a 0V, por lo tanto el mosfet deja de conducir.
Como podrn observar, este circuito tiene el defecto que trabaja al contrario es decir, se activa
cuando el nivel de salida del micro es bajo. No obstante esto, tiene la ventaja que la tensin
de Gate alcanza la tensin mxima de alimentacin garantizando la completa saturacin de
cualquier tipo de mosfet que conectemos. El valor de la resistencia de gate conectada a
positivo modifica la velocidad de conmutacin del mosfet como explicado en el caso anterior.
(valores altos para conmutaciones lentas y valores bajos para conmutaciones veloces
(modulacin PWM).

Ejemplo de conexin de un mosfet no logic level de canal P

Si quisiramos usar un mosfet comn (no logic level) con lgica de control no invertida,
podemos cambiarlo por uno de canal P como se observa en la figura. Noten que la potencia de
salida (en el ejemplo, la tira de leds) se conecta hacia masa (negativo) en lugar del positivo. El
nico problema que presenta esta ltima solucin es no se puede usar si quisiramos controlar
una tira de leds RGB con 3 canales porque estas tiras, generalmente tienen el nodo en comn
(positivo nico) mientras que a nosotros nos servira una tira RGB con ctodo comn (negativo
comn). De cualquier manera, esta solucin es muy til en numerosos casos. Como en los
otros ejemplos, el valor de la resistencia de gate conectada a positivo modifica la velocidad de
conmutacin del mosfet (valores altos para conmutaciones lentas y valores bajos para
conmutaciones veloces (modulacin PWM).

Haciendo un breve repaso de los conceptos elementales a tener en cuenta en

nuestro desarrollo, donde ser necesario controlar la velocidad, el sentido de giro
y el frenado de un motor de corriente continua, podemos citar los principales
fundamentos:

La velocidad ser controlada mediante modulacin de ancho de pulsos (PWM).

La inversin de giro ser supervisada por un puente H.

Para un frenado dinmico del motor, utilizaremos los transistores de las ramas
inferiores del puente H con inclusin de PWM para variar la intensidad del frenado.

Para un frenado regenerativo del motor, utilizaremos los diodos volante

incorporados a cada transistor MOSFET de los cuatro que forman el puente H.

Con estos fundamentos bien razonados, asimilados y comprendidos, podemos dar

paso al desarrollo de los programas (firmware) que utilizaremos en nuestra placa
de entrenamiento vista en el artculo anterior. Como valor agregado, aqu te
ofrecemos el modelo propuesto de circuito impreso para que puedas realizar
tambin t una placa de entrenamiento y logres experimentar todo lo necesario
hasta descubrir cada uno de los misterios y secretos que encierra el
funcionamiento de un motor gobernado por un puente H. Para el montaje y
distribucin de componentes sobre el PCB puedes guiarte con las imgenes del
artculo anterior, el diagrama esquemtico sugerido y los videos explicativos de
aquel y del presente artculo. Adems, queremos hacer hincapi en un detalle
importante: no dejes de visitar los enlaces sugeridos en los puntos enumerados
ms arriba para refrescar los conceptos que darn soporte al desarrollo de este
artculo.

Circuito impreso propuesto para el PCB de ensayos

Vista de los componentes montados, segn el software de diseo del PCB

El programa inicial
Como siempre, tomaremos el trabajo por su lado ms sencillo para obtener,
adems de resultados inmediatos y con poco esfuerzo, aprendizajes importantes
que sirvan a la comprensin de algunos secretos ocultos que encierran los
puentes H, especialmente para aquellos que nunca han incursionado en su
utilizacin. El primer ejemplo de lo mencionado se inicia en el artculo anterior.

Para quienes no lo recuerdan, el avance (CW Colckwise) en el sentido de las

agujas del reloj o el retroceso (CCW Counterclockwise) en el sentido inverso
de giro, lo obtenamos mediante la activacin en forma opuesta de los
transistores de las ramas superiores e inferiores (marcadas en azul en el grfico
inferior).

Ahora, no solo volveremos a invertir el giro del motor sino que adems, lo
haremos controlando la velocidad de funcionamiento mediante la utilizacin
de la modulacin de ancho de pulsos. Cmo se te ocurre que podemos realizar
este trabajo sobre el puente H? Aplicando PWM a los Gates de los transistores
que antes activbamos de manera fija? Por supuesto que no amigo! Lo que
haremos ser tan sencillo como activar de manera fija (con un estado alto a la
salida correspondiente del PIC) el Gate del MOSFET de la rama inferior para
obtener el giro esperado y solamente aplicaremos PWM al transistor de la
rama superior. Como ejemplo puedes ver en la figura anterior que para el
movimiento de avance, activaremos de manera fija a Q4 y
aplicaremos PWM sobre Q1.
De este modo, evitars conmutaciones innecesarias en la rama inferior del puente
H con los eventuales problemas de desfasaje de tiempos en la conmutacin entre
uno y otro transistor. Por sobre todas las cosas, el programa del PIC se abrevia y

simplifica junto con los problemas de hardware que otros diseos pueden
acarrear. Un claro ejemplo de esto seran temperaturas de funcionamiento
indeseadas en los transistores. Comprendes la idea? La rama inferior se hace
conducir en forma permanente (se la utiliza como una llave fija) y el verdadero
control de velocidad se obtiene sobre un solo transistor. Algo que pereca tan
complejo se simplifica a un solo transistor. Por lo tanto, el funcionamiento se
reducira a lo mostrado en el siguiente diagrama:

http://www.sigmaelectronica.net/emg30-p-1263.html
http://www.emelectronics.com.ec/