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Los pines A0 a A10 indican el bus de direcciones, el cual dependiendo la combinacion seleccionada se
accede a los datos por medio de los pines I/O.
Los pines I/O0 a I/O7 son los pines por medio del cual se accede a la informacion previamente seleccionada
con (A0-A10) por el cual se ingresan los datos a guardar cuando la memoria se pone en modo escritura.
CE negado : Por medio de este pin se habilita o deshabilita la memoria, para habilitar la memoria se pone
este pin a tierra para deshabilitar la memoria es decir para que ni este a modo escritura ni lectura se pone a
5 volts positivos.
OE negado: Por medio de este pin se configura la memoria para que trabaje de modo lectura escritura.
Cuando este pin se pone a tierra la memoria esta en modo escritura y cuando este pin esta a 5 volts
positivo esta en modo lectura.
WE negado: Por medio de este pin la memoria se configura para tener el voltaje necesario para escribir los
datos o leerlos. Cuando el pin se pone a tierra la memoria tiene el voltaje necesario para escribir en ella y
cuando esta a 5 volts positivos tiene el voltaje necesario para realizar la lectura.
Vcc y Gnd : Por medio de estos pines se alimenta la memoria Vcc a 5 volts y Gnd a tierra.
En el siguiente post "Manejo de una memoria EEPROM 28c16 Parte 2" veremos un ejemplo practico de
como se implementa un circuito fisico para operar en modo lectura .
MEMORIAS
A todo dispositivo que sirva para almacenar informacin se le asigna el nombre de
memoria, en una memoria debe existir la posibilidad de poder extraer la informacin que
fu previamente almacenada.
En un sistema la informacin se almacena en forma de datos y de instrucciones, de tal
manera que la memoria debe estar en condiciones de recibir palabras que son datos y
palabras que son instrucciones, en cualquier momento, o poder ceder dicha informacin
cuando as se requiera, para realizar esta funcin se necesita un sistema de control para la
transferencia de informacin, que se encuentra dentro de la memoria.
La memoria esta constituida por localidades con casilleros individuales para cada bit de
informacin, (BIT significa BInary digIT), cada localidad corresponde a una direccin
determinada, la estructura de una memoria es similar al barrio de una ciudad, en el que
cada casa corresponde a su nmero..
Una vez que dicha informacin haya sido incluida dentro de la memoria de un sistema,
cada informacin, ya sea dato o instruccin puede alcanzarse nicamente a travs de su
direccin.
La memoria esta caracterizada por tres propiedades fundamentales;
* Capacidad de la memoria
* Tiempo de acceso
* Costos por bit
CAPACIDAD DE LA MEMORIA
La capacidad de la memoria o capacidad de almacenamiento viene definida por el
nmero de bits de almacenamiento existente y el nmero de la longitud de palabras, la
capacidad de la memoria se indica en Kbytes, en un sistema la capacidad puede
ampliarse indefinidamente, sin que tengan que cambiarse las unidades de E/S ni la CPU,
las etapas de ampliacin pueden ser;
1,024
2,048
4,096
8,192
16,384
32,768
65,536
131,072
262,144
Kbytes
Kbytes
Kbytes
Kbytes
Kbytes
Kbytes
Kbytes
Kbytes
Kbytes
TIEMPOS DE ACCESO
El tiempo de acceso es el tiempo que se necesita para localizar y leer una informacin
almacenada; el tiempo de acceso es una caracterstica importante para determinar la
velocidad de resolucin de un sistema, conociendo el tiempo de acceso se puede predecir
el tiempo necesario para procesar un trabajo, si algunas localidades de la memoria se
alcanzan ms rpidamente que otras se suele tomar el valor promedio de todas ellas, se
habla entonces del tiempo de acceso promedio.
COSTOS POR BIT
Los costos por bit comprenden los gastos de adquisicin de una memoria referidos
nicamente a un solo bit, si al adquirir una memoria se establece un limite de gastos que
no ha de ser sobrepasado, puede apreciarse que cuando ms grande se elija la capacidad
de la memoria, mayor ser el tiempo de acceso, en cambio si se requiere una capacidad
mnima los costos disminuirn a medida que aumentan los tiempos de acceso.
OPERACIN DE LECTURA
Un dato ser ledo del dispositivo de almacenamiento RAM 6116, mediante la aplicacin
de un nivel alto en la terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y estando en nivel bajo la
terminal (OE)', con estas conexiones se dispone que se pueda leer la memoria RAM
6116, si se coloca un nivel alto en la terminales (OE)'. y/o (CS)' las lineas de E/S y/o la
pastilla 6116 se ponen en estado de alta impedancia, respectivamente.
(CS)' posee la funcin de controlar la activacin de la pastilla, la cual puede ser usada por
un sistema con microprocesadores para la seleccin del dispositivo.
La terminal (OE)' habilita las salidas, o las pone en estado de alta impedancia, la cual
puede ser habilitada cada vez que el microprocesador requiera leer la memoria.
OPERACIN DE ESCRITURA
Un dato es escrito en el dispositivo RAM 6116 mediante la aplicacin de un nivel bajo en
la terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y un nivel alto o bajo en la terminal (OE)'.
La terminal (WE)' al ser activa provoca que las terminales E/S de la memoria RAM 6116
se habiliten para aceptar la informacin, en estas condiciones la terminal (OE)' posee la
opcin de ser colocada en estado de alto bajo, para realizar as la operacin de escritura.
Disipacin
OPERACIN DE ESCRITURA
(modo de programacin de + 5 Volts)
El ciclo de escritura es iniciado por la aplicacin de un nivel bajo en Vpp, 200 nseg,
mientras que (OE)' debe estar en estado alto y (CE)' en estado bajo, la direccin es
doblemente almacenada a la cada y a la salida de Vpp, una vez realizado esto la
arquitectura interna de la memoria borrara automticamente el dato seleccionado y
proceder a escribir el nuevo dato en un tiempo de l0 mseg, mientras tanto las terminales
E/S o E/S; permanecern en estado de alta impedancia durante un tiempo igual al de la
operacin del proceso de escritura,
La EEPROM 2816 se escribe y se borra elctricamente utilizando un voltaje de +5 Volts
para grabar y leer, la condicin de grabado es "borrado antes de escribir", esta memoria
es del tipo ROM reprogramable, en caso de que se desconecte el circuito de alimentacin
de la energa la informacin no se pierde, se puede usar el modo de "stanby" para que la
informacin no se borre.
La 2816 se borra y se programa elctricamente y no pticamente como lo requieren
normalmente las EPROMS, en estas, se borra la informacin con luz ultravioleta, el
dispositivo EEPROM 2816 ofrece flexibilidad para borrar un solo bit o todo el chip si as
se desea.
Para escribir en una localidad en particular, el bit existente se borra antes de escribir el
nuevo bit, los niveles de las terminales E/S deben ser compatibles con la tecnologa TTL
en cuanto a sus equivalentes de niveles lgicos deseados como niveles de grabacin, la
programacin debe durar mnimo 9 msg y un mximo de 15 mseg.
OPERACIN DE BORRADO
Si se desean borrar todas las direcciones de la EEPROM 2816, el dispositivo ofrece una
funcin para borrado inmediato de todas las localidades, cuando esta funcin se lleva a
cabo ... (seguir)