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ELEMENTOS ACTIVOS

EL-2207

II SEMESTRE 2008

ITCR - Elementos Activos – II 2008

Dr.-Ing. Paola Vega C.

SchottkySchottky versusversus ÓÓhmicohmico

Curva característica I-V

I

V

Contacto Óhmico

I
I

V

Corriente de reversa 0

Contacto Schottky

Aplicaciones:

conexión entre metal y terminales semiconductoras de dispositivos electrónicos

Símbolo del diodo Schottky

Aplicaciones:

Rectificación Diodos de alta velocidad (diodo Schottky)

Rectificación Diodos de alta velocidad (diodo Schottky) ITCR - Elementos Activos – II 2008 Dr.-Ing. Paola

ITCR - Elementos Activos – II 2008

Dr.-Ing. Paola Vega C.

ElEl DiodoDiodo

– II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C. El El Diodo Diodo Característica IV ideal El diodo
– II 2008 Dr.-Ing. Paola Vega C. El El Diodo Diodo Característica IV ideal El diodo

Característica IV ideal

El diodo ideal actúa como un corto circuito para corrientes de polarización directa y como un circuito abierto para corrientes de polarización inversa

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Dr.-Ing. Paola Vega C.

ElEl DiodoDiodo

Característica IV real

• Comportamiento real definido por:
• Comportamiento real definido por:

– Resistividad del semiconductor

– Efecto de avalancha y efecto Zener

– Corriente de saturación reversa

Característica IV ideal

– Corriente de saturación reversa Característica IV ideal ITCR - Elementos Activos – II 2008 Dr.-Ing.

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Dr.-Ing. Paola Vega C.

EcuaciEcuacióónn dede SchockleySchockley

Curva característica (IV) descrita por la ecuación de diodo de Shockley

I

D

=

I

s

(

e

(

V

D

/ V

t

)

1)

Con k = 1.38 × 10 23 J/K: constante de Boltzmann, q = 1.60 × 10 19 C: carga del electrón y V t : voltaje térmico V t

I s : corriente de saturación de reversa, depende de características físicas del diodo

I

S

=

qA

D

n

n

+

D

p

L

n

L

p

p 0

p

n 0

A: área transversal del diodo, D: coeficiente de difusión

L: longitud de difusión de portadores minoritarios

n p0 : concentración de electrones del lado P, en equilibrio

p p0 : concentración de huecos del lado N, en equilibrio

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ContactosContactos MetalMetal--SemiconductorSemiconductor yy SemiconductorSemiconductor--SemiconductorSemiconductor

ELEMENTOS ACTIVOS

EL-2207

II SEMESTRE 2008

ITCR - Elementos Activos – II 2008

Dr.-Ing. Paola Vega C.

ObjetivosObjetivos

Contactos metal-semiconductor y semiconductor-semiconductor (1 semana)

• Contacto metal-semiconductor (contacto Schottky y contacto óhmico)

• Unión con polarización directa.

• Unión con polarización inversa, corriente inversa y su dependencia con la temperatura.

• Zona de agotamiento y voltaje de difusión.

La unión PN

Objetivo:

• Conocer el comportamiento de los sistemas metal-semiconductor y semiconductor-semiconductor

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Dr.-Ing. Paola Vega C.

DiagramaDiagrama dede BandasBandas dede EnergEnergííaa

Diagrama de bandas = energía en función de la posición

En un diagrama de bandas, V = E / -q definido para un electrón

Estructura básica de un diagrama de bandas de energía de un semiconductor

Energía E

de bandas de energía de un semiconductor Energía E Afinidad electrónica χ Nivel de vacío Banda
de bandas de energía de un semiconductor Energía E Afinidad electrónica χ Nivel de vacío Banda

Afinidad electrónica χ

Nivel de vacíode un semiconductor Energía E Afinidad electrónica χ Banda de conducción (E C ) N i

Banda de conducción (E C ) C )

N i v e l d e F e r m i ( E F Nivel de Fermi (E F )

Banda de valencia (E V ) V )

Función de trabajo Φ (energía de ionización)

Voltaje V

Posición

Afinidad electrónica se define sólo para no metales

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Dr.-Ing. Paola Vega C.

DiagramaDiagrama dede BandasBandas dede EnergEnergííaa

Nivel de vacío:

– Nivel de referencia

– Nivel de energía a la cual un electrón se ha liberado del material, es decir, no ligado al sólido

Afinidad electrónica:

– energía que un electrón en la banda de conducción debe ganar para convertirse en un electrón libre

– Definida para semiconductores

Función de trabajo:

– Diferencia de energía entre el nivel de vacío y el nivel de Fermi

Nivel de Fermi intrínseco:

– Nivel de Fermi de un semiconductor intrínseco

– Nivel de Fermi intrínseco ubicado aproximadamente en la mitad de la banda prohibida

– Dopado modifica el nivel de Fermi de un material intrínseco de acuerdo con la intensidad y el tipo de impureza

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ContactosContactos MetalMetal--SemiconductorSemiconductor

Un trozo de metal y un trozo de material semiconductor (n o p) se unen

Se clasifican en contactos óhmicos y contactos Schottky, dependiendo de la diferencia entre la función de trabajo del metal y la función de trabajo del semiconductor

Nivel

vacío

E F

E C

Metal Semiconductor
Metal Semiconductor
Metal Semiconductor

Metal

Metal Semiconductor

Semiconductor

Metal Semiconductor
Metal Semiconductor
   

Nivel

   

vacío

E

 
 

C

E

 

F

 

E

 

Fi

   

E

Metal

Semiconductor N

V

separación

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ContactoContacto SchottkySchottky

El contacto Schottky conduce corriente en una sola dirección

El semiconductor puede ser de tipo P o N

• Condición para el contacto Schottky: φ > φ para semiconduc tores n M S
• Condición para el contacto Schottky:
φ
> φ
para semiconduc tores n
M
S
φ
< φ
para semiconduc tores p
M
S
Nivel
Nivel
vacío
vacío
E
C
E
F
E F
E
Fi
E C
E
V
Metal
Semiconductor N

separación

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ContactoContacto MetalMetal--SemiconductorSemiconductor

Nivel

vacío

E F

E C

 

distancia

 

Metal

Semicond. N

   

Nivel

   

vacío

E

C

- +
-
+
- +
-
+
- +
-
+

E

E

F C

 

E

E

F

   

Fi

Campo eléctrico

Campo eléctrico

E

Fi

   

E

V

 

E

V

Metal

Semiconductor N

-
-

Electrones

+
+

Donadores ionizados (inmóviles)

N

D

+

N + e

D

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DeformaciDeformacióónn dede BandasBandas ContactoContacto SchottkySchottky

distancia Nivel Nivel vacío vacío Potencial de contacto: Barrera Schottky: Barrera de potencial para electrones
distancia
Nivel
Nivel
vacío
vacío
Potencial de contacto:
Barrera Schottky:
Barrera de potencial para
electrones del semiconductor
Barrera de potencial
para electrones del metal
E C
E F
E F
E
Fi
E
V
Metal
Semiconductor N
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Dr.-Ing. Paola Vega C.

PotencialPotencial dede ContactoContacto yy BarreraBarrera SchottkySchottky

Eo q φ S q χ q φ B q Vbi E C E F
Eo
q φ S
q χ
q φ B
q Vbi
E
C
E
F
E
F
E
V
xn ≅ w

zona de agotamiento

Electrones deben superar

barreras de energía para

pasar de un material a otro después de alcanzar el equilibrio

V bi = φ m - φ s

ϕ B = φ m - χ

Potencial de contacto: barrera para pasar del semiconductor al metal

Barrera Schottky: barrera para pasar del metal al semiconductor

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ContactoContacto SchottkySchottky concon PolarizaciPolarizacióónn InversaInversa

Aumenta barrera de potencial para electrones del semiconductor E φ B ≈ constante E F
Aumenta barrera de potencial para
electrones del semiconductor
E
φ B ≈ constante
E
F
V
bi -V R
E
C
E
qV R
F
V
E
Fi
E
V
Semiconductor N
Metal

Con polarización inversa, el contacto Schottky bloquea el paso de corriente

– Sólo fluye una corriente de reversa muy pequeña I 0

– I reversa = electrones del metal con energía mayor que la barrera Schottky: muy pocos electrones!

Corriente técnica I → 0 0V 1V Metal Semiconductor + -
Corriente técnica I → 0
0V
1V
Metal
Semiconductor
+
-

V R

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ContactoContacto SchottkySchottky concon PolarizaciPolarizacióónn DirectaDirecta

V

E F

Disminuye barrera de potencial para electrones del semiconductor

E

E

E

C

F

Fi

E V

qV F

φ B constante

Metal

Semiconductor N

Corriente técnica Corriente real 0V Metal Semiconductor + -
Corriente técnica
Corriente real
0V
Metal
Semiconductor
+ -

Con polarización directa, el contacto Schottky permite el paso de corriente

-1V

– Polarización directa disminuye el potencial de contacto

– más electrones con energía suficiente para fluir del semiconductor al metal

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ContactoContacto SchottkySchottky DiodoDiodo SchottkySchottky

• Contacto Schottky = contacto rectificante I D – Polarización inversa: bloquea flujo de corriente
• Contacto Schottky = contacto
rectificante
I D
– Polarización inversa: bloquea
flujo de corriente
– Polarización directa: permite
flujo de corriente
I s ≈ 0
– permite el paso de corriente
en un sentido y la bloquea en
el otro sentido
V
D
0.3V
(
V
/ V
)
I
=
I
(
e
D
t
1)
D
s
• Aplicación: diodo Schottky
– Diodo para alta frecuencia
– Bajo potencial de contacto
Semiconductor
Metal
N
Cátodo
Ánodo

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ContactoContacto ÓÓhmicohmico

El contacto óhmico conduce corriente en ambas direcciones

El semiconductor puede ser de tipo P o N

Condición para el contacto óhmico:

φ

M

φ

M

<

>

φ

S

φ

S

para

semiconduc tores n

para

semiconduc tores

p

Nivel

vacío

E F

E C

   

Nivel

   

vacío

 

E

 
 

C

E

 

F

E

 

Fi

   

E

Metal

Semiconductor N

V

separación

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ContactoContacto ÓÓhmicohmico

distancia Campo eléctrico Nivel Nivel vacío vacío E C - - - E F +
distancia
Campo eléctrico
Nivel
Nivel vacío
vacío
E C
-
-
-
E F
+
E C E
F
+
E F
E Fi
+
E Fi E
E C
V
E V
Metal
Semiconductor N
-
Electrones

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DeformaciDeformacióónn dede BandasBandas ContactoContacto ÓÓhmicohmico

distancia

Nivel

vacío

Nivel

vacío

Muy pequeña barrera de potencial

para electrones del metal

No barrera de potencial para electrones del semiconductor

E C

E F

E Fi

E V

E F

E C

del semiconductor E C E F E Fi E V E F E C Semiconductor N
del semiconductor E C E F E Fi E V E F E C Semiconductor N
del semiconductor E C E F E Fi E V E F E C Semiconductor N

Semiconductor N

Metal

Flujo de electrones es posible en ambas direcciones

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PolarizaciPolarizacióónn deldel ContactoContacto ÓÓhmicohmico

No hay barrera para flujo de electrones del semiconductor al metal

Muy pequeña barrera para flujo de electrones metal al semiconductor

Flujo de electrones Flujo de electrones E C E Fm E E Fm i E
Flujo de electrones
Flujo de electrones
E
C
E
Fm
E
E
Fm
i
E
C
E
E
V
i
E
V
-1V
0V
1V
Metal
Semiconductor
0V
Metal
Semiconductor
+ -
-
+

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SchottkySchottky versusversus ÓÓhmicohmico

Curva característica I-V

I V Contacto Óhmico Aplicaciones:
I
V
Contacto Óhmico
Aplicaciones:

conexión entre metal y terminales semiconductoras de dispositivos electrónicos

I
I

V

Corriente de reversa 0

Contacto Schottky

Aplicaciones:

Rectificación Diodos de alta velocidad

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ContactoContacto SemiconductorSemiconductor--SemiconductorSemiconductor

Un trozo de semiconductor N y un trozo de semiconductor P se juntan

P N
P N
P N

P

P N

N

P N
P N
N y un trozo de semiconductor P se juntan P N Mayoritarios: huecos Minoritarios: electrones Unión

Mayoritarios: huecos Minoritarios: electrones

Unión metalúrgica

huecos Minoritarios: electrones Unión metalúrgica Mayoritarios: electrones Minoritarios: huecos •

Mayoritarios: electrones Minoritarios: huecos

• Consideraciones para análisis:

•El sistema está en equilibrio = no está afectado por ninguna perturbación (Ej: voltaje, luz, gradientes térmicos, no está siendo afectado por ningún campo eléctrico o magnético)

•El dispositivo es unidimensional

•En la superficie de unión de los materiales (unión metalúrgica) hay un cambio abrupto del dopado: de material P a material N

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UniUnióónn PNPN

P N
P N
P N

P

P N

N

P N
P N
2008 Dr.-Ing. Paola Vega C. Uni Uni ó ó n n PN PN P N Portadores

Portadores mayoritarios: huecos Portadores minoritarios: electrones

Portadores mayoritarios: electrones Portadores minoritarios: huecos

= Gradiente concentración de portadores de un mismo tipo

Difusión de huecos del lado P al lado N

Difusión de electrones del lado N al lado P

Ionización de átomos dopantes

Ionización de aceptores

Ionización de donadores

N

A

N

D

N + h

A

+

+

N + e

D

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ZonaZona dede AgotamientoAgotamiento

• Difusión de portadores mayoritarios causa la formación de una zona de agotamiento en la unión debido a la ionización de impurezas de dopado

• La zona de agotamiento también se conoce como zona de carga espacial

• Impurezas ionizadas crean un campo eléctrico en la junta, dirigido del lado

N

al lado P

• campo eléctrico crea una corriente de arrastre de dirección opuesta a la

El

corriente de difusión

Jp

Jn

=

=

q

q

p pE - Dp

µ

n nE

µ

+

Dn

dp

dx

dn

dx

= 0

= 0

Corriente neta = 0, los niveles de Fermi se alinean

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ZonaZona dede CargaCarga EspacialEspacial

Campo eléctrico E

de de Carga Carga Espacial Espacial Campo eléctrico E - - + + - + +
- - + + - + + J - J dif,p dif,n P - -
-
-
+ +
-
+ +
J
-
J
dif,p
dif,n
P
-
-
+ +
N
-
-
+ +
-
-
+ +
J drift,p
Donador ionizado
J drift,n
Aceptor ionizado

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PotencialPotencial dede ContactoContacto

Potencial de contacto V BI : caída de tensión debido a campo eléctrico de

la unión

V BI puede calcularse como

V

BI

= V ln

t

N

A

N

D

n

i

2

N A : concentración de aceptores del semiconductor p N D : concentración de donadores del semiconductor n

n i : concentración intrínseca de portadores de carga (1.4 x 10 10 cm -3 )

V t : voltaje térmico (25mV a 300K)

C =

q 1 ε Si = ε Si x n 2 V bi  1 
q
1
ε Si
=
ε Si
x
n 2 V
bi
 1
1
+
N
 N
A
D

Capacitancia de la zona de agotamiento

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AnAnáálisislisis CualitativoCualitativo dede UniUnióónn PolarizadaPolarizada

Polarización directa: voltaje positivo al lado P y negativo al lado N Polarización inversa: voltaje negativo al lado P y positivo al lado N

inversa: voltaje negativo al lado P y positivo al lado N En polarización inversa la zona

En polarización inversa la zona de carga espacial aumenta La polarización refuerza el efecto del voltaje de contacto, no fluye corriente

En polarización directa se puede establecer un flujo de corriente de P a N, si el voltaje aplicado es mayor que el voltaje de contacto

V D 0.7V para juntas de silicio V D 0.3V para juntas de germanio

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ModeloModelo dede BandasBandas dede UniUnióónn PNPN

   

P

 

N

E

C

P

 

N

   

e

E

Fi

 
E Fi     q V bi
 

q V bi

 

(E F - E Fi ) P

     

E

C

E

F

 

E

F

         

E

V

E V (E F - E F i ) N E Fi

(E F - E Fi ) N

E

Fi

 

h

   
 
  q Vbi

q Vbi

+V

+V   E  
 

E

 
 

V

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