UNIDAD III

3.1 ECUACION DE CONTINUIDAD.

Cuando los semiconductores estn en contacto, la diferencia en la concentracin de
portadora a uno y otro lado de la unin da lugar a que existan corrientes de difusin para
alcanzar el equilibrio termodinmico. En el lado n de la unin tendremos una difusin de
electrones mayoritarios hacia el lado p movindose en la banda de conduccin y en el
lado p tendremos una corriente de huecos, tambin mayoritarios, que cruzan en direccin
opuesta hacia el lado n por la banda de valencia.
Despus de cruzar la unin, los electrones y huecos mayoritarios se recombinan en el lado
opuesto, originando una regin de carga espacial en las proximidades de la unin.
La regin de carga espacial est asociada a la carga de las impurezas ionizadas que quedan
sin compensar a cada lado de la unin.
ECUACIONES FUNDAMENTALES
Las ecuaciones bsicas que gobiernan el comportamiento microscpico de los
semiconductores son:
Densidad de corriente de electrones

Densidad de corriente de huecos

Ecuaciones de continuidad para electrones y huecos, respectivamente

Teorema de Gauss. Conservacin de la carga

En todas ellas, q, es el valor numrico de la carga del electrn y s es la constante

dielctrica absoluta del semiconductor.
Las movilidades y constantes de difusin cumplen las relaciones de Einstein

El parmetro U representa la relacin de recombinacin, es decir, el nmero de

portadores recombinados por unidad de volumen y tiempo, y su expresin ms sencilla,
en el caso de que no exista generacin de portadores, es:

Siendo
los tiempos de vida medios y n0 y p0 las concentraciones de electrones y
huecos en el equilibrio termodinmico.
Suele resultar til introducir en el sistema de ecuaciones dado los seudoniveles de Fermi
junto al potencial electrosttico, como nuevas variables en sustitucin de p, n y . La
relacin entre estas variables y las anteriores es:

Siendo n y p los potenciales correspondientes a los seudoniveles de Fermi y n i la

densidad intrnseca de portadores que es una constante del semiconductor para una
temperatura dada:

Donde Ego es la anchura de la banda prohibida extrapolando al cero absoluto.

3.2 INYECCION DE UNA CARGA MINORITARIA.

3.3 VARIACION DEL PONTENCIA EN UN SEMICONDUCTOR.

3.4 CORRIENTE ENUNA UNION PN

Solamente una pequea fraccin de los portadores mayoritarios de uno y otro lado tienen
energa superior a la barrera y son los que pueden pasar por difusin al lado opuesto de la
unin. Sin embargo en el equilibrio este movimiento de carga por difusin hacia un lado,

corriente

Id,

esta compensado siempre por una corriente de arrastre,

Ia,

sentido

opuesto, debido al campo elctrico E originado en las proximidades de la unin.

En el proceso de difusin continua hasta que el campo elctrico Eo debido a la carga
espacial se opone al movimiento de carga debido a la difusin. La presencia de este
campo a su vez da lugar a una diferencia de potencial Vo entre uno y otro lado. Existe una
diminucin de las bandas de energa al pasar del lado p al n, representada por el valor
qVo, lo cual viene dada por la diferencia de energa de los niveles de Fermi cuando los
semiconductores estaban separados.
{

Con tensin directa a la unin PN.

Con tensin inversa en la unin PN.

En este caso se produce un desplazamiento de las bandas en sentido opuesto al anterior,
disminuyendo la energa de los electrones en el lado n y de los huecos en lado p. La altura
de la barrera aumenta en una cantidad igual a qV y la regin de carga espacial se
ensancha. Ahora existe una menor fraccin de electrones y huecos mayoritarios con
energa suficiente para cruzar la barrera, por lo que el desplazamiento de los portadores
mayoritarios por difusin se reduce frente al movimiento de los portadores minoritarios
por arrastre del campo elctrico. Dado que la concentracin de portadoras minoritarias es
siempre baja, la corriente neta a travs de la unin es en estas condiciones muy baja.
Adems el sentido de esta corriente es opuesto a la corriente de difusin de los
portadores mayoritarios.
La densidad de corriente de electrones viene dado por la siguiente ecuacin:

La densidad de corriente de huecos viene dado por la siguiente ecuacin: