Master 1 EEA

Capteurs numriques
CCD & CMOS

PLAN DU COURS
1 - Historique, domaine dapplication et gnralits
2 Structure dun capteur CCD
3 Principe de fonctionnement
4 Les capteurs couleurs
5 Aberrations
6 Capteurs CMOS

1 Historique, domaine dapplication et gnralits

Les CCDs (Charge Coupled Devices) ont t inventes au laboratoire

Bell en 1969 par George Smith and Willard Boyle (prix Nobel de
physique 2009).
A lorigine, analogue une mmoire magntique (magnetic bubble
memory), mais base dun semi-conducteur (Silicium).
Le CCD nest pas un bon support mmoire
cause du courant dobscurit (bruit thermique).

Le CCD prsente de part son design des avantages certains pour

faire des vidos ou des images.
Explosions commerciales partir des annes 80 (CCD type n).

 Les CCDs sont utilises dans de nombreuses applications (commerciales,

mdicales, scientifiques & militaires).

Plusieurs modes de fonctionnement (vido, imagerie)

Observatoires

Exemples :

Camescope numrique

Appareil pour lire

les codes barres

Camra numrique

Endoscope avec un CCD

Capteur CCD (une ligne) pour les fax

.
Kepler (exo-plantes)

2 Structure dun capteur CCD

Un capteur CCD est une matrice de

photo-sites permettant de discrtiser

une scne.

+V1

+V2

+V3

Electrodes
(Si polycristallin)
Oxyde
(SiOs)

Canal enterr
(Si dop N)

Couche pitaxiale
(Si dop P)

photo-site

substrat (Si dop P+)

Structure simplifie dun photo-site

Un photo-site est une cellule photo-sensible polarisable.

Phase = lectrode
CCDs 2, 3, 4 phases voire 64 phases !

Bandes dnergie

Cas du sodium

Silicium : semi-conducteur
Bande de
conduction
(vide)

Bande de
conduction

Eg

Eg

Bande de
valence
(sature)

isolant

Chevauchement
entre les bandes de
conduction et de valence

Bande de
valence

conducteur

Semi-conducteur = proprits intermdiaires entre isolant et conducteur /

un e- puisse passer dans la bande de conduction par agitation thermique ou
par lapplication dun champ lectrique.

Lorsquun e- passe dans la bande de conduction, une lacune se cre dans la

bande de valence. Cette lacune peut tre assimile une particule virtuelle
appele trou (charge oppose celle de le-).

Pour le silicium, Eg = 1,12 eV @ 300 K.

Taille et forme des photo-sites

La capacit dun photo-site est proportionnelle la surface de celui-ci.
De petits photo-sites (qq m) favorisent une meilleure rsolution

angulaire, une perte de sensibilit, une diminution de la dynamique et une

augmentation du bruit du fait que la capacit de stockage des charges est
plus faible.
Cration de nouvelles formes et tailles de photo-sites (octogones = 2,3 x

carrs) par Fuji pour rsoudre ce problme.

3 Principe de fonctionnement
1. La gnration de charges

3. La collection et stockage des charges

5. Le transfert de charges (la lecture)
7. La mesure des charges (chane de lecture)

a. La gnration des charges

Les interactions des photons avec le silicium du CCD se font dans le domaine
photo-lectrique.

Lors de ces interactions, un photon cde toute son nergie un lectron

appartenant un atome de silicium.

Ceci donne naissance une ou plusieurs paires

lectron (e-)/trou (h)

Bande de
conduction

photon

Question : A partir de quelle nergie est-il

possible de former des photo-lectrons ?

Eg~1,12 eV

Bande de
valence
trou
photo-lectron
10

Le nombre de paires e-/h formes dpend de lnergie des photons incidents.

Lnergie ncessaire pour produire une paire e-/h est w=3,65 eV pour le
silicium T = 300 K.

1 eV (lectron-volt) = 1.6 10-19 J (nergie dun e- voluant dans un potentiel de 1 V)

Question : dans quelle bande spectrale les capteurs CCD peuvent-ils tre
utiliss ?

11

Lefficacit quantique traduit la capacit dun dtecteur transformer

lnergie des photons en charges (lectrons & trous).

Exemples :

Efficacit quantique des camras

dXMM-Newton MOS

12

Des paires e-/h vont galement tre produites par agitation thermique.

Ces paires constituent un bruit par rapport au signal utile que sont les
photo-lectrons.

Ce bruit thermique est appel courant dobscurit (dark current).

Il augmente de manire exponentielle avec la temprature.

13

b. La collection et stockage des charges

Aprs interactions des photons avec le silicium, les lectrons sont collects
et stocks dans chaque photo-site. Sinon, les charges vont se recombiner au
bout dun temps caractristique . Donc, t col .

On collecte les e- en polarisant les lectrodes implantes sur chaque photosite afin de crer un champ lectrique E.

Seul le signal dlectrons est conserv au niveau du canal enterr.

Une zone dplte i.e. sans

porteurs mobiles (e- et h).

Cette zone est donc nonconductive et agit comme une

capacit stockage des e-.

Les charges vont se dplacer

par diffusion sur une distance
plus faible (Ldiff,FF > Ldiff,S) et
vont pour lessentiel recombiner
trs vite (d au fort dopage P)
dans le substrat ( part la
frontire
avec
la
couche
pitaxiale).

+V1

+V2

+V3

Rgion dplte
Rgion libre de champ (E~0)
(field free region - FF)

Les charges vont se dplacer

sous laction de la diffusion.

La collection des charges dans

cette zone nest que partielle.

substrat (E=0)
14

Le canal enterr agit comme un puits de potentiel qui va permettre de

stocker les lectrons.

-V

+V

-V

15

Canal enterr permet de piger les lectrons collects proche de la

surface du photo-site sans quils puissent diffuser thermiquement vers la
zone P et/ou se recombiner avec les dfauts profonds linterface oxydeSi.

Le puits de potentiel contient la fois des lectrons produits par

les photons et lagitation thermique.
!

Premiers CCDs sans canal enterr problme de

recombinaison linterface isolant-Si.

16

 La capacit des puits de potentiel peut aller de quelques 104 106 lectrons
(voire plus).
La dynamique dun CCD correspond au rapport entre lobjet le plus brillant
et lobjet le plus faible visibles simultanment dans une scne.

Image dune clairire

(zones sombres et lumineuses)

Plus le puits de potentiel est grand et plus la gamme dynamique de la CCD

est grande.
Certains CCDs peuvent avoir des gammes dynamiques trs grandes (> 105).

17

 Certains CCDs peuvent avoir des gammes dynamiques trs grandes (> 105).
Plus la temprature augmente, plus la capacit du puits diminue.
Le registre a des tailles de puits plus importantes que pour les photo-sites
de la matrice par un facteur 2-4.

18

c. Le transfert de charges - Lecture

Une fois que les charges sont stockes, elles vont tre transfres de photosites en photo-sites jusquau noeud de sortie afin de mesurer la charge contenue
dans chaque photo-site.

Principe du transfert de charge :

Nud
de
sortie
Registre
de sortie
19

 Les lectrodes sont couples dun photo-site aux autres.

Ex. : pour un CCD 3 phases, la premire lectrode de chaque photo-site dune

colonne est porte un potentiel V1, la seconde V2 et la troisime V3.

Pour dcaler les charges stockes dans le photo-site ligne par ligne, il suffit

dalterner la valeur des potentiels V1, V2 et V3.

Les e- sont initialement stocks sous les lectrodes 1 et 2.

20

 Le cadensement du basculement des tensions de chaque lectrode est

contrl par des horloges (tat haut tat bas).

Lensemble des cadensements des horloges constitue un chronogramme.

Plus la phase est grande, plus la synchronisation des diffrentes horloges doit
tre prcise.

21

Le mouvement des e- dune lectrode lautre se fait par :

dcalage auto-induit (champ de rpulsion)

diffusion thermique
(champ lectrique sur les bords du puits de potentiel - fringing field)

Pour que le processus de transfert de charges soit satisfaisant, il est

important de limiter les pertes de charges chaque transfert.

Ceci est mesur par lefficacit de transfert (CTE) ou linefficacit de

transfert (CTI) avec CTI = 1 CTE.

Les charges perdues suivent le pixel cible et apparaissent comme des

tranes dans limage.

Pour un bon dtecteur, les niveaux de CTE sont entre 0,99999 et

0,999999 pour des paquets de charges > 1000 e-.

Question : Soit un CCD de 103 x 103 pixels et CTE = 0,99999, quel sera le
CTE du pixel le plus loign du noeud de sortie ?

22

c. La mesure des charges chane de lecture

Lobjectif de la chane de lecture est :

de rcuprer les charges Q de chaque photo-site

de convertir les charges stockes (Q) en signal analogique (tension)

de numriser la valeur
analogique/numrique (CAN).

analogique

grce

un

convertisseur

Les diffrents tages de la chane doivent tre linaires afin de prserver

la relation :

E dep Q V numero du canal

23

La chane de lecture des signaux vido utilise souvent un circuit de type

CDS (Correlated Double Sampling).

Schma de principe dun circuit CDS (Corrected Doubled Sample)

Le but essentiel de cette chane est de garantir un rapport signal sur

bruit optimum i.e. avoir un bruit de lecture minimum grce un filtrage
des bruits basses et hautes frquences (filtrage passe-bande).

Les principales sources de bruits proviennent de la chane lectronique.

Ce sont les bruits blanc, en 1/f et de reset.

La chane assure galement une amplification suffisante pour que le

signal de chaque photo-site exploite toute la gamme dynamique du CAN.

La chane assure seulement la numrisation du signal vido (information

utile + un offset d au bruit rsiduel).

25

* Ltage de pr-amplification

Cet tage est directement mont la sortie du registre.

Il sert la conversion charge (Q) tension (V).

R

Vdr = VREF

Processus destructif i.e. perte de la charge stocke Q.

T2

T1

Vdd

Transistor
satur T1

OTG

Cp

V/eG

Registre horizontal

Diode flottante
(sense node)
quivalent une
capacit CS

Image obtenue avec un

microscope balayage de ltage
de pr-amplification

e- e-

VSUB

Transistor
linaire T2

Vout

RL

-VSS

Schma lectrique du pr-amplificateur

26

Vdr = VREF

T1 (rgime satur) = 2 tats contrls

par R (horloge de reset)

Vdd

Transistor
satur T1

T2 (rgime linaire) pour ladaptation

dimpdance

OTG

V/e-

Cp

Registre horizontal

Diode flottante
(sense node)
quivalent une
capacit CS

Transistor
linaire T2

e e
-

Vout

VSUB

RL

Diode flottante = capacit CS

La sensibilit SV de la diode est gale

S V V /e =q /C S

-VSS

R = tat haut
T1 passant (fil) et CS se charge Vdr (VREF) Etape de
re-ionitialisation de la diode

R = tat bas
T1 bloqu (interrupteur) et tension aux bornes de CS
constante normalement

T1 bloqu non parfait

dcharge partielle de CS.

capacit parasite Cp qui va provoquer une

27

V 1 V

palier de
palier vido rfrence
palier de drain
de reset

28

Le premier tage induit notamment le bruit de reset d aux variations du

palier de rfrence lors de la r-initialisation de la diode flottante.

Afin de supprimer ce bruit, la chane inclut un tage appel clamp

(serrage en franais).

Cette tage permet de forcer la rfrence (et seulement la rfrence)

zro avant la numrisation par le CAN.

Le clamp est contrl au moyen dune horloge clamp.

clamp = tat haut

clamp = tat bas

mise zro
rien

Le clamp est activ avant que la diode flottante ne reoive les charges
du registre horizontal.

29

La numrisation du signal par le CAN ne doit se faire que lorsque le palier

vido est atteint.

Une horloge (can) indique au CAN quand coder.

Le CAN convertit un signal analogique continu en un signal discret et ce de

manire rgulire dpendant de la frquence dchantillonnage tel que :

n1

V N= bi 2 i
i=0

Le codage peut seffectuer sur 8, 10, 12 bits, etc

Plus le nombre de bits utilis pour le codage du signal vido est grand et
plus la prcision de codage sera grande.

Il est important de choisir un CAN qui a une dynamique de codage

compatible avec la dynamique du CCD.

30

Questions : Soit un CCD avec une capacit de 105 e-/photo-site, pour un

CAN 15 bits, quelle est la sensibilit du CAN (en e-/DN) ? Mme question
pour un CAN 10 bits.
Sachant que CS = 0.1 pF, en dduire la variation de tension ncessaire par
canal dun CAN 15 bits et 10 bits.

31

3 Les capteurs couleurs

Obtention de couleurs en utilisant les trois couleurs Rouge, Vert & Bleu

3 techniques utilises :
a)

Filtre mosaque Bayer

c)

Sparation dichroque

e)

Mthode squentielle avec roue filtre

32

a. Filtre de Bayer
Une mosaque de 4 filtres : 2 verts, 1
rouge et 1 bleu repartie sur 4 pixels.

Motif du filter Bayer

Ajout de micro-lentilles sur chaque

photo-site pour augmenter la fraction de
lumire reue par les photo-sites.

Ncessit de disposer dun algorithme de

dmosaquage pour former limage en
couleur.

33

* Loeil humain

Loeil est compos de cnes qui

nous permettent de percevoir les
couleurs
et
btonnets
(luminosit).

Loeil possde plus de cnes

sensibles au vert que de cnes
sensibles au rouge et bleu.

Une mosaque de 4 filtres : 2 verts, 1 rouge et

1 bleu repartie sur 4 pixels.
Motif du filter Bayer

Ajout de micro-lentilles sur chaque photo-site

pour augmenter la fraction de lumire recue par
les photo-sites.

Ncessit de disposer dun algorithme de

dmosaquage (demosaicing algorithm or color
filter array interpolation) pour former limage
en couleur.

Avantage : facile implmenter

Dsavantages :
Perte de rsolution spatiale
Perte de sensibilit car slection dans une
bande donne

Exemple de reconstruction utilisant un algorithme dinterpolation bi-cubique

Filtre vert

Image obtenue par

le filtre de Bayer

Image
photographie

Filtre rouge

Image reconstruite
Filtre bleu

Il existe dautres filtres mosaques (2 x 2)

Filtre Cyan, jaune, vert & magenta (CYGM)

- Meilleure sensibilit la luminance (flux lumineux)
- rendu de couleurs plus approximatif
Filtre Rouge, Vert, Bleu & Emeraude - cyan (RGBE)
- rendu des couleurs plus proches de la vision humaine

Il existe dautres filtres mosaques panchromatiques pour augmenter la

sensibilit toutes les longueurs donde.

White (sans filtre)

Filtres RGBW de Kodak

b Mthode squentielle
On place une roue filtre (RGB)
devant une CCD.

Prise dimages squentielles dans

chaque filtre.

Reconstruction de limage couleur

via un logiciel.

Avantage : tous les pixels du CCD participent la prise dimages pour

un filtre donn Amlioration de la rsolution.

Dsavantages
- Perte en sensibilit car slection dans 3 bandes seulement
- Problme pour les prises dimages rapides du fait quil faille
faire tourner la roue & temps dexposition.
38

c sparation dichroque
Sparation de la lumire par un prisme
dichroque.

3 CCDs pour observer la lumire provenant

du prisme (Rouge, Bleu & Vert).

Logiciel pour recomposer limage couleur.

Principe du prisme dichroque

Avantages :
- Meilleure rsolution & sensibilit
- Capacit la prise dimages rapide

Dsavantages :
- cot plus important car utilisation de 3
CCDs
- complexit de mise en oeuvre

Image scene

39

* Le capteur CMOS Foveon X3

Capteur CMOS de Foveon dont
chaque photo-site contient 3 photodiodes superposes.

Chacune de ces diodes est sensible

une gamme de longueurs donde
(bleu, vert et rouge).

Ceci est obtenu car la profondeur

dinteraction des photons est
dautant plus grande que la longueur
donde est grande.

La lecture des charges dans chaque

canal permet de reconstruire limage
en couleur.
cf. http://www.foveon.com/article.php?a=69

Avantages :
La superposition des 3 diodes est < 5m
chromatique.

faible aberration

Gain en sensibilit car il ny a pas de filtre couleur absorbant une

fraction de la lumire incidente. Bmol, chaque canal ne rpond pas de
la mme manire.

Pas daliasing chromatique.

Dsavantages :
Diffusion des charges possible dans le canal rouge
de nettet sur les bords.

perte

Problme de sparation des couleurs

perte dans la
prcision de rendu des couleurs, notamment pour le rouge.

4 Aberrations

Il existe plusieurs aberrations et effets qui dgradent la qualit de

limage numrique.
Voici quelques exemples :

La non-uniformit de rponse (cf. TP imagerie)

Le bruit thermique et pixels chauds (cf. TPs fonctionnement et imagerie)

Leffet de smearing (cf. TP imagerie)

Le bruit de quantification du CAN

Le bruit d aux interfrences lectromagntiques

Les fuites de lumire (cf. TP imagerie)

Les effets de saturation blooming (cf. TP imagerie)

Laliassage (aliasing)

Les aberrations chromatiques (aliasing chromatique, purple fringing)

Pixel vignetting

43

Bruit d aux interfrences lectromagntiques

Les connections entre le CCD et la chane lectronique peuvent
interfrer par couplage inductif ou capacitif ; ce qui induit du bruit sur
limage.

Les ondes lectromagntiques mises par les appareils lectroniques

peuvent induire des bruits sur limage.

Les problmes de masse de la chane lectronique peuvent galement

crer des interfrences.

Il existe plusieurs techniques permettant de saffranchir de ces

interfrences :
le blindage des connections ;
le blindage de la camra aux rayonnements lectromagntiques
externes ;
le dcouplage des diffrents tages de la chane au moyen de
capacits de dcouplage.

Image montrant linfluence des interfrences lectromagntiques

Aliassage

Une image est compose dun ensemble de hautes et basses frquences.

Les hautes frquences spatiales dans une image sont cres soit par des
lments de petites tailles, soit par des changements dintensit importants entre
pixels contigus.

Une camra CCD effectue

chantillonnage de limage observe.

un

La frquence dchantillonnage de la
camra est limite par la dimension des
photo-sites p.

La frquence de Nyquist de la camra

est : FN = 1/(2p).

Image haute frquence obtenue aprs lapplication dun

filtre basse-haut
46

Les frquences F dans limage suprieures la frquence de Nyquist de la

camra ne seront pas bien chantillonnes par celle-ci.

Exemple dalias apparaissant dans un signal

Ceci gnre des signaux artificiels dans limage avec des frquences F-FN.

Ces signaux parasites sont appels alias et le phnomne est appel aliassage ou
aliasing en anglais.

Afin de pallier ce problme, on rajoute souvent un filtre anti-aliassage sur la

lentille de la camra.

Ce filtre va diminuer le nombre de hautes frquences spatiales en floutant

limage. Le revers de la mdaille est que les bords sont moins nets.

Mme image prise avec une camra munie dun filtre

anti-aliassage et une autre qui en est dpourvue.
48

Aberrations chromatiques
* Aliasing chromatique
Laliassage chromatique est d au filtre couleur prsent sur la CCD.
Une ligne blanche sur un fond noir sera interprte comme une ligne
compose de pixels associs aux couleurs primaires du filtre utilis (ici le
filtre Bayer).

A lcran, la ligne blanche apparatra alors en couleur !

Illustration sur la photo o lon peut

voir que la restitution des couleurs des
cheveux nest pas parfaite.

* Purple fringing
Le terme purple fringing fait rfrence un type daberrations
chromatiques souvent observ en photographie.

Sur les CCDs et les capteurs CMOS, ce type daberrations

chromatiques peut avoir plusieurs origines.

Une des causes vient des micro-lentilles utilises pour focaliser la

lumire.

Ces lentilles sont en gnral calibres pour focaliser la lumire verte.

Les lumires rouge et bleue seront alors incorrectement focalises.

Cest un problme qui est uniforme sur les camras.

Il est plus svre sur les camras avec de petits pixels.

Lautre origine peut venir du dmosaquage dpendant du type dalgo

utilis.

Exemple daberration chromatique de type purple fringing

Seam noise
Les CCDs lecture rapide utilisent plusieurs amplificateurs pour la lecture,
chacun lisant une portion des charges de la matrice CCD.

Ce type de lecture en parallle est efficace, mais souffre dun problme

majeur appel seam noise.

Ce bruit provient du fait que chaque amplificateur prsente ses propres

caractristiques de gain, doffset et de non-linarit.

Ceci cre diffrentes zones dans limage numrique (cf. exemple au

transparent suivant).

Loeil est trs sensible ce type de bruit. Ainsi, pour une image avec un flux
homogne, loeil est capable de dtecter une diffrence de signal entre 2 pixels
de seulement 0,2%.

La correction de ce bruit est trs dlicate car il faut compenser pour les
diffrences de gain, doffset et de non-linarit.

Image montrant leffet du seam noise

pour diffrents rapports signal sur bruit

Bruit de quantification au niveau du CAN

Soit un CAN idal, sa fonction de transfert est donne ci-dessous :
Signal numrique (DN)

Signal dentre (V)

Chaque palier de la rponse en escalier du CAN est donn par :

G a les units de DN/V (DN = digital number i.e. un nombre)

G=

N CAN
V in

Vin est la tension en entre du CAN et NCAN est le nombre de palier du

CAN avec NCAN = 2N-1 (N = nombre de bits pour le codage).

Lorsquun signal analogique (tension) est numris en valeur discrte, une

incertitude est introduite au moment du codage. Cette incertitude est le
bruit de quantification.

Le bruit de quantification est gal (en e- rms) : QN (e-) = 0,288675 K(e/DN) avec K le gain ou sensibilit de la camra.

Ce bruit doit tre pris en compte dans le bruit de lecture de la chane

analogique.

Le bruit total de la chane est alors donn par :

Ne = Q2N e +R 2e

Augmentation du bruit de lecture

Augmentation du bruit de lecture

Images montrant la disparition du bruit de quantification

lorsque le bruit de lecture alatoire augmente.

Le bruit de quantification devient ngligeable par rapport au bruit de

lecture lorsque K (e-/DN) = R (e-).

Le nombre de paliers requis pour coder la charge maximale dun photosite i.e. Q = SFW (puits plein) est donn par :
S FW e
N CAN =
K e / DN

Dans ce cas, on a :
de la camra CCD.

S FW e
N CAN =
Reet
NCAN correspond alors la dynamique

Le nombre de bits requis pour coder NCAN est :

N bit =

log N CAN
log2

5 Capteurs CMOS
La technologie Complementary Metal/Oxyde/Semiconductor a t
invente juste avant les CCDs, mais le faible taux de fiabilit de cette
technologie lpoque na pas permis son expansion tout de suite.

La technologie CMOS est maintenant trs bien matrise.

Elle est au coeur de tous les circuits intgrs modernes.

Elle a lavantage dtre bien miniaturisable, de faibles cots et de faible

consommation.

Lide de capteurs CMOS en tant que matrice de pixels photo-sensibles

remonte ~30 ans.

De nos jours, les capteurs CMOS constituent un concurrent srieux des

CCDs.

Comme les CCDs, les capteurs CMOS se prsentent sous forme de

matrice de pixels qui vont permettre dchantillonner une scne.

Une diffrence majeure vient du fait que chaque pixel contient une photo-diode (qui
sert la conversion photon-charge et au stockage des charges) et un amplificateur
qui va permettre de convertir les charges en tension dans le pixel lui-mme.

Linformation de chaque pixel peut ainsi tre lue de manire indpendante sans faire
de transfert. Ce qui fait que le temps de lecture est fortement rduit.

Lecture de la charge Q non destructive. Possibilit de faire plusieurs mesures et de

moyenner le rsultat afin de rduire le bruit.

Une autre diffrence majeure vient du fait que la photo-diode peut tre constitue
dun matriau autre que le silicium. Ceci permet une grande versalit dapplications
diffrentes longueurs donde.

Comparaison entre capteurs CCD et CMOS

Lutilisation de la technologie
CMOS permet dintgrer une
camra
complte
(matrice,
scanners horizontal & vertical,
CAN, etc) sur un mme support
silicium.

Exemple dun APS 3T (gauche) et

dun SCA 3-D (droite)

Lutilisation damplificateurs par pixel impose que leurs caractristiques ne

sont par trop diffrentes de pixels pixels afin dviter une non-uniformit
de rponse (fixed pattern noise) trop importante.

Pour pallier ce problme, les fabricants intgrent directement sur la

matrice des chanes de type CDS pour supprimer le bruit de reset (kTC
noise) et rduire fortement la non-uniformit de rponse.

Dans certains cas, il est utile de rajouter des circuits externes pour
corriger les dfauts de non-uniformit.

Mode de lecture

Schma montrant les modes de lecture principaux des capteurs CMOS actuels

Capteur CMOS monolithique (APS)

SF = Montage suiveur
(adaptation dimpdance)

Diode flottante

Schma de 2 types dAPS utilisant 3 transitors 3T (gauche) et 4 transistors 4T (droite)

Le capteur CMOS est dit monolithique lorsque la photo-diode et le circuit de lecture

sont faits base de silicium. On parle alors dActive Pixel Sensor ou APS.
Leur sensibilit est limite au visible et proche IR. Ils sont oprs en front-illuminated
rduction de lefficacit quantique.

Les capteurs 4T et 3T utilisent normalement un obturateur glissant.

Le capteur 4T utilise une chane type CDS.

Le facteur doccupation de la photo-diode sur un pixel est <100%, car le circuit de

lecture est mont sur le pixel galement.

Exemple dun APS 3T

Capteur CMOS hybride (Sensor Chip Assembly - SCA)

Les capteurs CMOS hybrides sont composs de 2 parties :

Une matrice de pixels assurant la collection des charges

Le circuit de lecture (Readout integrated circuit - ROIC)

Les 2 parties sont relies grce des liaisons en Indium (Indium bump
interconnection)

Les photo-diodes peuvent tre faites dans un matriau diffrent que le

silicium (cf. le prochain transparent).

Leur efficacit quantique est trs bonne.

Le taux doccupation de la photo-diode est 100%.

Ils existent dans des formats suprieurs 1000 x 1000.

Image dun Indium bump

Obturation
La prsence dAPS par pixel rend lutilisation dobturateur mcanique inutile sur
les capteurs CMOS.

On utilise la place un obturateur lectronique : type instantan (scnes avec

mouvements rapides) ou type glissant (scnes lentes ou statiques).

Schma expliquant le fonctionnement dun obturateur instantan (gauche) et glissant (droite)

Lutilisation dun obturateur glissant (rolling shutter) peut crer des aberrations
dformations de limage
effet de gele (jello effect) vibration de limage
exposition partielle (pour des mouvements rapides et des flashs de lumire)

Images montrant leffet de

lexposition partielle

cf. votre tlphone portable

Images montrant des dformations