Europisches Patentamt

European Patent Office

Numro de publication:

Office europen des brevets

DEMANDE

DE

BREVET

349

A1

EUROPEEN

intCi.5:G11C

Numro de dpt: 90402943.6

0 425

19/28, G11C 2 7 / 0 4

Date de dpt: 19.10.90

THOMSON-CSF, SCPI, Cedex 67
F-92045 Paris la Dfense(FR)
Inventeur: Boucharlat, Gilles
THOMSON-CSF, SCPI, Cedex 67
F-92045 Paris la Dfense(FR)
Inventeur: Coutures, Jean-Louis
THOMSON-CSF, SCPI, Cedex 67
F-92045 Paris la Dfense(FR)

Priorit: 24.10.89 FR 8913908

Date de publication de la demande:

02.05.91 Bulletin 91/18

Etats contractants dsigns:

DE FR GB NL

Demandeur: THOMSON COMPOSANTS

MILITAIRES ET SPATIAUX
50, rue J.P. Timbaud
F-92400 Courbevoie(FR)

Mandataire: Gurin, Michel et al

THOMSON-CSF SCPI
F-92045 PARIS LA DEFENSE CEDEX 67(FR)

Inventeur: Cazaux, Yvon

Registre dcalage haute efficacit de transfert, et procd de fonctionnement.

tage (EP1 EP4) sur K tages, les autres tages
(EU EI4) ne recevant de charges que par l'effet
des dcalages du registre (RD).
Il en rsulte que les reliquats (EQ) de charges
produits chaque dcalage d'un tage pour une
quantit de charges (Q1 Q4) donne ne sont pas
mlangs la quantit de charges qui suit.

L'invention concerne les registre dcalage du

type transfert de charges. Elle a pour but notamment d'amliorer l'efficacit de transfert des charges.
Dans une forme de ralisation de l'invention, le
registre (RD) est du type entres parallles. Il
comporte une succession d'tages (EP1 EP4, EU
EI4). Suivant une caractristique de l'invention,
des signaux d'entres parallles sont appliqus un
ST2-,
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REGISTRE A DECALAGE A HAUTE EFFICACITE DE TRANSFERT, ET PROCEDE DE FONCTIONNEMENT

La prsente invention concerne les registres
dcalage du type transfert de charges (CCD), et
elle concerne aussi les dispositifs de ce type qui
fonctionnent en capteurs d'image.
Un registre dcalage transfert de charges
(en abrg CCD, de l'anglais "Charges Coupled
Device") comprend un ou plusieurs tages (jusqu'
plusieurs milliers dans certains cas) forms l'aide
d'un mme substrat semiconducteur. Chaque tage est photosensible et il doit tre masqu de la
lumire si l'on veut le soustraire aux effets de cette
dernire. Un tage comprend une ou plusieurs
lectrodes auxquelles on applique des signaux de
tension par rapport au substrat. Ces signaux de
tension engendrent dans le substrat des champs
lectriques qui forment dans le substrat des puits
de potentiel et/ou des barrires de potentiel qui
permettent de stocker et/ou de transfrer des charges suivant un sens de transfert.
Plusieurs tages masqus successifs sont couramment utiliss pour constituer des zones mmoires CCD, ou des registres dcalage CCD utiliss
par exemple comme registre de lecture de barrettes linaires photosensibils CCD ou de matrices
photosensibles CCD. Chaque tage peut recevoir
une quantit de charges provenant d'un tage prcdent et peut transfrer ces charges un tage
suivant. Comme mentionn plus haut, s'ils ne sont
pas masqus, les tages d'un registre dcalage
CCD sont photosensibles et produisent des charges en fonction de leur exposition un rayonnement utile (lumire visible ou proche du visible).
Pour leur utilisation en lments photosensibles,
pendant une priode dite d'intgration, les lectrodes de ces tages sont portes un potentiel fixe
qui dtermine pour chacun un puits de potentiel
dans lequel sont stockes les charges produites
durant cette priode d'intgration.
Ainsi d'une part chaque tage peut servir
stocker des charges, qu'il a engendres ou non, ou
peut constituer un tage de transfert, c'est--dire
qu'il peut servir transfrer les charges vers un
autre tage. D'autre part, chaque tage peut constituer un tage non photosensible ou un tage photosensible selon qu'il est abrit ou non du rayonnement utile de lumire, c'est--dire qu'il est masqu
ou non masqu.
Dans le cas par exemple d'un dtecteur photosensible surfacique CCD, des tages photosensibles (tages non masqus) sont disposs suivant
un arrangement matriciel.
La figure 1 montre schmatiquement une architecture classique d'un tel dtecteur d'images CCD
surfacique. La dtecteur d'images comporte des
tages P1 P16 non masqus, c'est--dire sus-

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ceptibles d'tre exposs un rayonnement utile de

lumire. Ces tages photosensibles P1 P16
constituent chacun un point lmentaire d'images
ou pixels, et ensemble ils forment une zone photosensible ZP. Ils sont disposs en ligne L1 L4 et
en colonnes C1 C4, et pour simplifier la figure 1
et la description, seulement quatre lignes et quatre
colonnes de ces pixels P1 P16 sont reprsentes, ce qui limite 16 le nombre de ces tages
photosensibles ou plxeis. Mais bien entendu, il est
courant d'avoir beaucoup plus ou mme moins de
ces colonnes et/ou de ces lignes.
La zone photosensible ZP est prolonge, dans
le sens des colonnes C1 C4, par une zone
mmoire ZM de type CCD elle-mme suivie d'un
registre de lecture RL constitu d'un registre
dcalage CCD. La zone mmoire ZM et le registre
de lecture sont constitus d'tages non photosensibles, c'est--dire qu'ils sont protgs du rayonnement utile par un cran (symbolis sur la figure 1
par des hachures obliques en traits pointills).
Dans l'exemple reprsent, la zone mmoire ZM
comporte un mme nombre d'tages que la zone
photosensible ZP, soit 16 tages non photosensibls M1 M16 qui forment quatre lignes supplmentaires L'i L'4. Chaque tage M1 M16 non
photosensible constitue une case mmoire attribue un pixel P1 P16 donn appartenant la
mme colonne C1 C4.
Le fonctionnement d'un tel dispositif est bien
connu :
- en supposant que la zone photosensible ZP soit
claire en permanence par le rayonnement de
lumire utile, des charges (reprsentant un signal
utile) produites par chacun des pixels P1 P16 ou
tages photosensibles sont stockes dans un puits
de potentiel de stockage (non reprsent) propre
chaque pixel, pendant la priode d'intgration durant laquelle les tensions appliques aux lectrodes
(non reprsentes) de chacun des tages photosensibles sont fixes. D'autre part, durant la priode
d'intgration, des charges contenues dans les mmoires M1 M16 sont transfres simultanment
de lignes L'i l'4 en lignes jusqu'au registre de
lecture RL et sont transfres dans les cases ou
tages CR1 CR4 correspondantes^ ce dernier.
Entre chaque transfert d'une ligne L 1 L 4 une
ligne suivante jusque dans le registre de lecture,
les charges dj stockes dans les cases CR1
CR4 de ce dernier, sont transfres pour tre lues
vers un circuit de lecture CL. Le transfert des
charges au niveau du registre de lecture RL s'effectue dans le sens de ce dernier vers le circuit de
lecture CL comme montr par une flche ST2,
alors que le transfert des charges dans la zone

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mmoire ZM s'effectue dans le sens de cette dernire vers le registre de lecture comme montr par
une flche repre ST1 . Ces transferts de charges
sont accomplis de manire traditionnelle sous l'effet de signaux de transfert (non reprsents)
constitus de crneaux de tension cyclique ayant
des phases diffrentes qui sont appliqus aux cases ou tages du registre de lecture RL et de la
zone mmoire ZM.
- Dans une phase suivante du fonctionnement, toutes les cases ou tages mmoires de la zone
mmoire ZM ayant t vides, les charges produites et stockes au niveau de chaque tage photosensible P1 P16 sont transfres dans un tage
mmoire M1 M16 correspondant, appartenant
une mme colonne ; le transfert de ces charges
s'effectuant suivant les colonnes dans le sens reprsent par la flche ST1. En prenant pour exemple la premire colonne C1 , les charges contenues
au treizime pixel P13 sont transfres la treizime case mmoire ou tage mmoire M13, en
passant successivement par la premire, la cinquime et la neuvime cases mmoires, pendant
que d'une manire semblable les charges initialement contenues au premier, cinquime et neuvime pixels P1, P5, P9 sont transfres respectivement la premire, cinquime et neuvime cases
mmoires M1, M5 et M9. Dans le mme temps,
des oprations semblables sont ralises au niveau
des colonnes C2, C3, C4. Il est noter que dans
cette phase, des signaux de transfert sont appliqus simultanment aux tages photosensibles ou
pixels et aux tages non photosensibles de la zone
mmoire ZM. Il est noter que ces signaux de
transfert sont identiques pour les deux types d'tages photosensibles ou non, et que ces signaux
comportent des phases diffrentes, le transfert s'effectuant de faon classique en mode biphas, en
trois phases, quatre phases ou davantage
(gnralement chaque tage comporte autant
d'lectrodes qu'il y a de phases). Les charges
ayant t transfres dans la zone mmoire ZM,
une nouvelle priode d'intgration dbute et de
nouvelles charges sont engendres et stockes au
niveau de chacun des plxeis P1 P16.
L'architecture et le fonctionnement rsums cidessus sont bien connus et sont largement utiliss.
Ils sont montrs uniquement titre d'exemple, car
de nombreuses autres agencements sont utiliss,
par exemple qui n'utilisent pas de zones mmoires.
Nanmoins, parmi les points qui sont communs tous ces dispositifs CCD, on peut noter le
fait que les tages peuvent tre utiliss avec des
signaux d'entres parallles ou non. Ainsi des tages entre parallle sont constitus par les cases
CR1 CR4 du registre de lecture RL, du fait que,
d'une part, les charges (signaux utiles) contenues
dans ces cases sont transfres d'une case la

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suivante vers le circuit de lecture CL, et que,

d'autre part, ces charges ont t transfres dans
ces mmes cases depuis une colonne C1 C4
suivant le sens de transfert ST1 , ce qui reprsente
les entres parallles, ces charges tant alors des
signaux utiles d'entre parallle. A l'oppos, les
tages qui constituent les cases mmoires M1
M16 constituent dans l'exemple non limitatif reprsent, des tages sans entre parallle et sont
uniquement des tages entres et sorties sries
puisqu'ils ne reoivent des charges ou informations
que dans le sens des colonnes.
Par contre, les tages photosensibles P1 P16
peuvent transfrer des charges ou signaux utiles
d'un tage un tage suivant dans le sens des
colonnes C1 C4, mais ils peuvent aussi recevoir
une autre information ou signal utile sous forme de
lumire, par leur surface photosensible qui constitue ainsi une entre parallle.
II est noter en outre que dans la phase de
transfert, les colonnes C1 C4 fonctionnent comme un registre dcalage.
Les montages ci-dessus dcrits prsentent des
dfauts parmi lesquels certains sont dus des
phnomnes qui ont leur origine aussi bien dans la
priode d'intgration de charges que dans la priode de transfert de charges. Parmi ces phnomnes
nfastes au fonctionnement, on peut citer notamment :
- une diffusion des porteurs qui sont engendrs en
dehors des zones de charges d'espaces de pixels,
pendant la priode d'intgration : lorsque la longueur d'onde des photons est suffisamment leve, ils librent des lectrons en dehors des zones
de charges d'espaces situes sous les lectrodes
des pixels ou tages photosensibles illumins. Ces
charges ne sont soumises aucun champ lectrique et elles diffusent en partie vers les pixels ou
tages voisins, d'o rsulte une dgradation de la
rsolution du capteur d'images.
- Un autre phnomne a pour effet de dgrader
l'efficacit de transfert des charges, lors du transfert d'un tage CCD vers l'tage suivant : lors du
transfert d'une quantit de charges contenues dans
un puits de potentiel vers un second puits de
potentiels appartenant un tage suivant, la quantit de charges n'est qu'incompltement transfre
vers le second puits de potentiel, c'est--dire qu'un
reiiquat de cette quantit de charges subsiste dans
le premier puits de potentiel, il en rsulte un mlange d'informations entre deux tages adjacents,
du fait de ce reliquat laiss en arrire. Cet effet est
particulirement prononc dans les CCD du type
transfert en surface, ou lorsque la temprature est
trs basse (notamment en dessous de 100 K).
- On peut signaler aussi un effet de diaphotie ou
intermodulation appel aussi du terme anglais
"smearing", notamment pour les capteurs CCD

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fonctionnant en mode de type transfert de trames
(architecture semblable celle de la figure 1) : lors
du transfert des charges de la zone image vers la
zone mmoire, les charges sont transfres dans
le sens des colonnes d'un tage photosensible
un tage photosensible suivant c'est--dire d'un
pixel un pixel suivant, alors que le flux lumineux
incident (rayonnement utile) continue tre focalis sur la zone photosensible. Il en rsulte une
intgration brve de charges pendant le transfert,
ces charges produites pendant le transfert des
pixels donns tant ajoutes des charges produites pendant la priode d'intgration des pixels
diffrents. Cet effet parasite cre un bruits fixe,
bruit fixe qui peut tre particulirement gnant si le
rayonnement utile est filtr avec des filtres optidiffrentes
bandes
de
spectrales
ques
(spectroradiomtre) suivant les lignes de pixels.
La prsente invention a pour but de rduire de
manire importante tous ces effets indsirables, en
proposant un agencement nouveau qui peut tre
appliqu tout registre dcalage entres parallles et sortie srie de type CCD.
Selon l'invention, un registre dcalage du
type transfert de charges auquel sont appliqus
des signaux d'entres parallles, comportant n tages successifs, chaque tage recevant une charge
provenant d'un tage prcdent et transfrant cette
charge un tage suivant, est caractris en ce
que, sur au moins une fraction de la longueur du
registre dcalage, les signaux d'entres parallles sont appliqus uniquement des tages
entre parallle appels tages principaux, les autres tages tant appels tages intermdiaires,
deux tages principaux conscutifs tant spars
par au moins un tage intermdiaire.
Par tage entre parallle, nous entendons
dfinir un tage CCD dont le fonctionnement est
prvu pour transfrer une charge qu'il peut recevoir
de deux directions diffrentes, comme c'est le cas
des tages d'un registre dcalage classique du
type entres parallles et sortie srie ; ou bien
dont le fonctionnement est prvu pour, d'une part,
transfrer des charges qu'il reoit d'un autre tage
et, d'autre part, pour transfrer des charges qu'il a
produit lui-mme comme dans le cas des tages
non masqus (tages photosensibles).
L'invention concerne aussi un procd de fonctionnement d'un registre dcalage qui permet
d'amliorer les transferts en rduisant le mlange
de charges rsiduelles et de charges utiles entre
les tages successifs du registre. Ce procd est
applicable aux registres entre parallles comme
aux registres entre srie.
Le procd selon l'invention consiste utiliser
un registre dcalage k fois N cases, k et N
chacun suprieur ou gal 2, appliquer M paquets de charge d'entre au registre, et effectuer

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k fois N dcalages pour transfrer A une sortie

srie du registre les N paquets de charge d'entre.
Dans le cas d'un registre entres parallles, on
applique les paquets de charge une case sur k,
les autres ne recevant de charges que par l'effet
des dcalages du registre. Dans le cas d'un registre entre srie, on applique un paquet de charges l'entre une fois tous les k dcalages.
L'invention sera mieux comprise, et d'autres
avantages qu'elle procure apparatront la lecture
de la description qui suit, faite titre d'exemple
non limitatif en rfrence aux figures annexes,
parmi lesquelles :
la figure 1 illustre l'architecture et le fonctionnement d'un dispositif photosensible transfert de
charges de type connu ;
- la figure 2 est une vue en coupe le long d'un
registre dcalage CCD conforme l'invention
- les figures 2a, 2b et 2c montrent des profils de
potentiels en relation avec la structure de la
figure 2 ;
- la figure 3 est une vue en coupe d'une succession d'tages CCD dans une zone photosensible
- la figure 3a illustre des profils de potentiels en
relation avec la structure de la figure 3.
La figure 2 montre des tages CCD d'un registre dcalage RD entres parallles et sortie
srie conforme l'invention qui, dans l'exemple
non limitatif dcrit, constitue un registre de lecture
dont la fonction est semblable celle qui est
assure par le registre de lecture RL montr la
figure 1. Le registre dcalage RD conforme
l'invention est reprsent par une vue en coupe
paralllement un sens de transfert des charges
ST2 qui est symbolis sur la figure par une flche
ST2.
Le registre dcalage est form sur un substrat 3 dop de type P par exemple. Il est form par
un registre dcalage et suivi, dans le sens de
transfert des charges ST2, par un circuit de sortie
CS partiellement reprsent par un amplificateur
16. Le registre dcalage RD comporte un nombre n d'tages entre parallle, appels tages
principaux dans la suite de la description, n tant
au moins gal 2. Dans l'exemple non limitatif
dcrit, le registre dcalage RD comporte quatre
de ces tages principaux EP1, EP2, EP3, EP4,
mais bien entendu dans l'esprit de l'invention, il
pourrait en comporter davantage.
Selon une caractristique de l'invention, chaque tage principal EP1 EP4 est suivi, suivant le
sens de transfert ST2, d'au moins un tage appel
tage intermdiaire EU EI4 auquel aucun signal
ou information n'est transmis par une entre parallle. Dans l'exemple non limitatif de la description,
pour simplifier cette dernire et la figure 2, seule-

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ment un tage intermdiaire EH EI4 a t reprsent entre deux tages principaux.
Les tages principaux EP1 EP4 et intermdiaires EH EI4 sont en eux mmes classiques et
conus d'une mme manire. Dans l'exemple non
limitatif dcrit, ils comportent tous quatre lectrodes E1 , E2, E3, E4 recevant de manire classique
des signaux de transfert respectivement ST1 , ST2,
ST3, ST4 de phases diffrentes ; le transfert s'effectuant par exemple selon un mode quatre
phases. Ces lectrodes E1 E4 tant formes sur
une couche lectriquement isolante 5 en Si2 par
exemple, elle-mme forme sur le substrat 3.
Suivant une organisation semblable au dispositif montr la figure 1, chaque tage principal EP1
EP4 constitue l'tage rcepteur final d'une succession d'tages tels que ceux contenus dans les
colonnes C1 C4 montres la figure 1. Dans la
figure 2, des colonnes semblables existent mais
sont situes dans un plan perpendiculaire celui
de la figure, aussi elles ne sont pas reprsentes
mais symbolises par des lignes parallles en
traits pointills reprs C1 C4.
Le fonctionnement du registre de lecture
conforme l'invention est illustr l'aide des figures 2a, 2b, 2c qui montrent des profils de potentiels tablis dans le substrat 3 des instants diffrents du fonctionnement ; conformment l'habitude en matire de dispositif transfert de charges,
les potentiels positifs vont en croissant vers le bas.
La figure 2a montre des puits de potentiel
forms sous chacun des tages principaux et intermdiaires EP1 EP4 et EH EI4, aprs que des
quantits de charges Q1 Q4 provenant respectivement de colonnes C1 C4 aient t transfres
respectivement dans les tages principaux EP1
EP4, et avant tout transfert de charges dans le
registre dcalage lui-mme, c'est--dire dans le
sens ST2. La figure 2a montre que le premier puits
de potentiels principal PU1, cr sous le premier
tage principal EP1, contient la premire quantit
de charges Q1 , alors que le premier puits intermdiaire PUI1 cr sous le premier tage intermdiaire EH ne contient aucune charge ; d'une mme
manire les second, troisime et quatrime puits
de potentiels principaux PU2, PU3, PU4 contiennent une charge, respectivement Q2, Q3, Q4, alors
que les premier, second, troisime et quatrime
puits intermdiaire) PUI1, PUI2, PUI3, PUI4 sont
vides.
La figure 2b reprsente les mmes puits de
potentiel que la figure 2a, mais un instant suivant
o les charges ont t dcales d'une case c'est-dire transfres d'un tage dans le sens de
transfert ST2, en direction du circuit de lecture.
Ayant t dcales d'un tage, les charges Q1 ,
Q2, Q3, Q4 initialement contenues dans les puits
de potentiel principaux PU1 PU4 ont t transf-

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res dans les puits de potentiel intermdiaires PU,

PI2, PI3, PI4 o elles sont repres respectivement
Q1 1, Q2i , Q3i , Q4i . Compte-tenu du dfaut prcdemment mentionn de l'inefficacit de transfert
(dfaut particulirement prononc aux basses tempratures et dans le cas des transferts de surface),
le transfert de ces charges a t incomplet, et l'on
retrouve dans chacun des puits principaux PU1
PU4 un reliquat, respectivement EQ1i, EQ2i,
EQ3i , EQ4! .
Dans l'art antrieur o les registres de lecture
sont constitus d'une succession ininterrompue
d'tages entre parallle, le reliquat de chaque
charge initiale est mlang au principal c'est--dire
ce qui reste de la charge initiale qui suit : ainsi
par exemple le reliquat EQ1 1 serait miang avec
la quantit de charges Q2l Avec l'invention au
contraire, du fait qu'entre deux tages entre
parallle c'est--dire tages principaux, existe au
moins un tage intermdiaire qui n'a pas reu de
charges lors du transfert dans le registre dcalage RD, ce mlange est vit, et il n'y a pas
pollution d'une quantit de charges par une autre.
Il est remarquer bien entendu, que c'est
chaque transfert d'un tage d'une quantit de charges Q1 Q4, que cette quantit de charges abandonne dans le puits de potentiel qu'elle quitte un
reliquat de charges. Ainsi dans le cas montr la
figure 2a o le transfert a t effectu sur un tage
: la quantit de charges contenue dans le premier
puits intermdiaire est gal Q1 (1-EQ1). Aussi,
pour reconstituer la quantit de charges Q1 Q4
initiale, il est ncessaire de faire la somme des
charges contenues dans un puits de potentiel principal PU1 PU4 avec la charge contenue dans le
puits de potentiel intermdiaire PU PI4 qui le
prcde directement (dans le sens ST2 de transfert
des charges) ; c'est--dire que pour connatre la
valeur de la charge Q1 initialement transfre dans
le premier puits de potentiel principale PU1, il est
ncessaire de faire la somme des charges qui,
l'instant reprsent la figure 2b, sont contenues
dans le premier puits de potentiel principal et dans
le premier puits de potentiel intermdiaire PU1,
PU .
Il est noter galement que chaque reliquat
laisse subsister lui-mme, au moment de son
transfert, un reliquat dans le puits de potentiel qu'il
quitte, mais la valeur de ce reliquat de second
ordre peut alors tre considre comme ngligeable. Cependant, dans l'esprit de l'invention on peut,
pour prendre en compte ce reiiquat du second
ordre, disposer deux ou plus tages intermdiaires
entre deux tages principaux.
La figure 2c illustre le remplissage des puits de
potentiel quand les charges ont t transfres
d'un tage supplmentaire par rapport la figure
2b. La quantit de charges Q1 1 qui tait contenue

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dans le premier puits de potentiel intermdiaire PU
n'est plus dans le registre de lecture, elle a t lue
par le circuit de sortie CS, et elle a t remplace
dans ce puits de potentiel par un second reliquat
EQI2 qu'elle a laiss subsister ; lequel second
reliquat est ajout au premier reliquat EQ1i qui
dans l'exemple prcdent tait contenu dans le
premier puits de potentiel principal PU1 . De Mme
les quantits de charges Q2i, Q3i, Q4i ont t
transfres dans un puits de potentiel suivant, respectivement dans les puits principaux PU1, PU2,
PU3 o elles sont repres Q22, Q32, Q42 ; bien
entendu elles ont laiss subsister chacune un nouveau reliquat EQ22, EQ32, EQ42 auquel s'est ajout le reliquat prcdent EQ2i , EQ3i , EQ4i .
Ainsi les chantillons ou quantits de charges
d'origine injectes dans les tages du registre
dcalage RD, ne subissent pas de mlange au
cours de leur transfert dans ce registre la sortie
duquel ils sont prsents sous forme d'autant de
signaux qu'il y a d'tages intermdiaires entre
deux tages principaux successifs, de telle sorte
qu'ils peuvent tre reconstitus. La sortie des signaux (en sortie S1 de l'amplificateur 16) s'effectue
une frquence moiti de celle de la frquence de
transfert, c'est--dire moiti de la frquence des
signaux de transfert appliqus aux lectrodes E1
E4.
Les chantillons ou charges initiales Q1 Q4
sont reconstitus en sortie suivant la relation qui
suit :
Qn (1-NE) + N.EQn = Qn ; o Qn est une
quantit de charges donne ; EQn est un reliquat
ou quantit de charges abandonne dans le transfert d'un tage un tage suivant par la quantit
de charges donne Qn ; M est le nombre d'tages
successivement occups par la quantit de charges donne durant son transfert.
La figure 3 reprsente une application de l'invention un dtecteur d'images 10 en vue notamment de rduire des dfauts de diaphotie.
Le dtecteur d'image 10 comporte une zone
photosensible SP. La zone photosensible est reprsente partiellement par une succession d'tages
CCD qui sont montrs par une vue en coupe selon
un sens de transfert ST1 de ces tages ; ces
tages constituent une colonne formant un registre
dcalage qui aboutit une case ou tage d'un
registre de lecture par exemple (non reprsent),
comme dans le cas de la colonne C1 par exemple
montre la figure 1.
Le dtecteur d'images 10 comprend un substrat semiconducteur 21 en silicium dop de type P.
Le substrat 21 comporte une couche dope de
type N, destine constituer un canal enterr 23.
Au-dessus du canal enterr 23 est ralise une
couche lectriquement isolante 24 en SiO2 par
exemple, qui porte une succession d'lectrodes E1

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E4, quatre lectrodes conscutives E1 E4

constituant un tage ; le transfert s'effectuant dans
un mode quatre phases, mais bien entendu dans
l'esprit de l'invention, la structure peut indiffremment tre du type monophas, biphas, trois phases, quatre phases ou virtuelle phase, etc..
Suivant une caractristique de l'invention, la
succession d'tages de la zone photosensible SP
comprend d'une part, au moins deux tages photosensibles (tages non masqus constituant un tage entre parallle) formant chacun un pixel, et
qui sont disposs sur un mme axe de transfert de
charges c'est--dire pouvant assurer un transfert
de charges de l'un l'autre ; elle comprend d'autre
part un ou plusieurs tages non photosensibles
intercals entre les deux tages photosensibles.
Dans l'exemple non limitatif reprsent la
figure 3, la succession d'tages comprend seulement deux tages photosensibles EPH1, EPH2
constituant chacun un tage principal et reprsentant chacun un pixel, mais bien entendu la colonne
que constitue cette succession d'tages peut comporter un nombre beaucoup plus grand de pixels.
Eventuellement un pixel peut tre form l'aide
d'un ou plusieurs tages photosensibles (non masqus) et dans ce dernier cas, un tage photosensible constitue seulement une fraction d'tage principal. De plus, la zone photosensible SP peut comporter comme dans l'exemple de la figure 1, plusieurs colonnes parallles semblables la colonne
constitue par la succession d'tages montre la
figure 3, de manire constituer comme dans la
figure 1, des lignes (non reprsentes) de points
photosensibles ou pixels qui s'tendent dans un
plan perpendiculaire celui de la figure 3.
Dans l'exemple non limitatif de la description,
trois tages intermdiaires EI6, EI7, EI8 forms
d'tages masqus sparent l'un de l'autre les deux
tages principaux EPH1 , EPH2 ; ces tages intermdiaires sont abrits d'un rayonnement utile de
lumire reprsent par des flches 30, par un
cran 31 .
L'cran 31 est interpos entre la succession
d'lectrodes E1 E4 et le rayonnement utile 30, et
il comporte des ouvertures 32 situes sensiblement
en vis--vis des lectrodes E1 E4 des tages qui
doivent tre rendus photosensibles, c'est--dire
des tages principaux EPH1 , EPH2 qui forment les
pixels PX1 , PX2. Dans l'exemple non limitatif montr la figure 3, compte-tenu de la position des
ouvertures 32 que comporte l'cran 31, on trouve
successivement dans le sens de transfert des charges en partant de la gauche de la figure : un tage
intermdiaire EI5 (masqu) suivi d'un tage principal EPH1 (tage non masqu), lui-mme suivi de
trois tages intermdiaires EI6, EI7, EI8 (masqus)
; puis, l'on trouve un tage principal EPH2 (non
masqu) suivi d'un tage intermdiaire EI9 partiel-

11

EP 0 425 349 A1

lement reprsent.
Lors de la priode d'intgration, les tensions
(non reprsentes) appliques aux lectrodes E1
E4 sont les mmes pour les lectrodes des tages
intermdiaires EI5 EI9 et pour les tages principaux EPH1 , EPH2. Durant la priode d'intgration,
ces tensions dterminent de faon classique dans
le substrat des puits de potentiel.
La figure 3a reprsente les profils de potentiel
engendrs dans le substrat pendant la priode
d'intgration ; conformment l'habitude en matire de dispositif transfert de charges, les potentiels positifs vont en croissant vers le bas.
La figure 3a montre qu' chaque tage correspond un puits de potentiel PHI, PH2 pour les
tages principaux EPH1, EPH2 et PI5 PI9 pour
les tages intermdiaires EI5 EI9 ; deux puits de
potentiel conscutifs tant spars par une barrire
de potentiel BV forme sous une lectrode de
chaque tage.
Les puits de potentiel PH1, PH2 forms sous
les tages .principaux ou photosensibles EPH1,
EPH2 sont reprsents contenant respectivement
une premire et une seconde quantits de charges
CM, Q2 engendres par l'exposition de ces tages
photosensibles au rayonnement utile 30 qui passe
par les ouvertures 32. La figure 3a montre que les
puits de potentiel PI5, PI6 et PI8, PI9 qui correspondent aux tages intermdiaires E15, EI6 et EI8,
EI9 contiennent galement des charges respectivement Q5, Q6 et Q8, Q9 en quantit plus faible,
bien que ces tages intermdiaires ne soient pas
exposs au rayonnement utile 30. Ceci provient du
fait que des photons (symboliss sur la figure par
des flches repres PT1 , PT2) qui passent par les
ouvertures 32 peuvent pntrer dans le substrat de
faon relativement profonde s'ils ont une longueur
d'onde suffisamment leve, de telle sorte que ces
photons librent des lectrons en dehors des zones de charges d'espaces qui sont formes sous
chaque pixel. Par suite, ces charges ne sont soumises aucun champ lectrique, et elles diffusent
vers les tages voisins.
Dans l'art antrieur, ces charges qui proviennent d'un phnomne de diffusion sont collectes
par des pixels qui sont voisins de celui qui
l'origine reoit le photon de longueur d'onde leve. Le mlange de charges produites des pixels
diffrents peut engendrer une dgradation importante de la rsolution de l'image. Dans le cas de
l'invention, ces effets sont rduits, voire annuls
par la prsence d'tages intermdiaires entre les
tages photosensibles si ces tages intermdiaires
sont en nombre suffisant et/ou disposs sur une
longueur suprieure la longueur de diffusion des
porteurs dans le substrat. Dans ce cas en effet, ces
charges de diffusion qui chappent leurs pixels,
sont collectes par les tages intermdiaires adja-

io

75

20

25

30

35

40

45

50

55

12

cents et ne polluent pas les pixels voisins. Ceci se

traduit par une nette amlioration de la rsolution,
et tend en outre limiter aussi l'erreur de dtection
colorimtrique, erreur qui se produit notamment
quand des filtres optiques (non reprsents) ayant
des bandes spectrales diffrentes sont disposs
au-dessus des diffrents pixels.
Dans l'exemple non limitatif montr la figure
deux tages principaux ou tages photosenles
3,
sibles EPH1, EPH2 sont spars par trois tages
intermdiaires EI6, EI7, EI8, de telle faon que ces
tages photosensibles sont encadrs chacun sur
leurs deux cts par un tage intermdiaire, les
tages EI5, EI6 pour le premier tage photosensible EPH1 , et EI8, EI9 pour le second tage photosensible EPH2. L'avantage de cette disposition est
qu'elle permet, non seulement d'viter la pollution
d'un pixel par un pixel voisin, mais elle permet
aussi de reconstituer la quantit de charges qui
appartient chaque pixel PX1 , PX2 en faisant par
exemple la somme des charges CM, Q5, Q6, pour
le premier pixel PX1, et Q'2, Q8, Q9 pour le
second pixel PX2.
Un autre intrt de la disposition conforme
l'invention, est qu'elle permet de dterminer la
valeur de l'effet de diaphotie ou effet dit de
"smearing" prcdemment mentionn, effet dans
lequel notamment se produit une intgration brve
de charges pendant le transfert, du fait que la
surface photosensible continue tre claire par
le flux lumineux incident ; d'o il rsulte que les
quantits de charges durant leur transfert sont augmentes d'une quantit de charges d'origine diffrente de celles collectes pendant le temps d'intgration. Avec l'invention, le niveau de diaphotie
tant connu, il peut tre retranch par traitement
externe aprs l'opration de transfert des charges.
A cet effet, au moins un tage intermdiaire
supplmentaire est prvu qui est dispos de faon
ne pas tre proximit immdiate d'un tage
principal ou tage photosensible. Cet tage intermdiaire supplmentaire peut tre par exemple
spar par au moins un autre tage intermdiaire
du ou des pixels les plus proches, comme c'est le
cas par exemple de l'tage intermdiaire EI7 qui
est situ entre les pixels PX1 et PX2 dont il est
spar par un tage intermdiaire EI6 et EI8.
Avec cette disposition, le puits de potentiel PI7
de cet tage intermdiaire supplmentaire EI7 est
loign des pixels PXI, PX2 afin d'viter qu'il n'accumule des charges dues des phnomnes de
diffusion survenus proximit de ces pixels, durant
la priode d'intgration. Le nombre d'tages intermdiaires EI6, EI8 entre cet tage intermdiaire
supplmentaire EI7 et le ou les pixels PX1 , PX2 les
plus proches peut tre plus grand que dans
l'exemple non limitatif montr la figure 3, l'important tant que cet tage . EI7 soit une distance

13

EP 0 425 349 A1

suffisante des pixels PX1, PX2 pour viter toute

collection de charges dues une exposition au
rayonnement utile 30 durant la priode d'intgration (par suite du phnomne de diffusion ci-dessus mentionn).
La quantit de charges Q7 contenue dans le
puits de potentiel PI7 est ainsi ngligeable ou nulle
la fin de la priode d'intgration. Par contre,
durant le transfert des charges, la quantit de charges Q7 va occuper une succession de puits de
potentiel dont certains correspondent des tages
photosensibles, et ces positions des charges
seront ajoutes la quantit de charges Q7. La
quantit de charges ajoute correspond l'effet dit
de "smearing" dont le niveau peut ainsi tre facilement dtermin.
Il est remarquer qu'un autre intrt de la
structure reprsente la figure 3 rside dans le
fait que, lors de la phase de transfert des charges,
on amliore de manire importante l'efficacit du
transfert, d'une manire semblable celle dcrite
en rfrence aux figures 2, 2a, 2b et 2c.
Le procd de fonctionnement qui vient d'tre
dcrit en dtail, consistant en rsum appliquer
N paquets de charge d'entre en parallle un
registre de K fois N cases excutant k fois M
dcalages, est applicable de manire tout fait
intressante des registres entre srie. Dans
ce cas, on applique l'entre du registre de k fois
N cases non pas k fois N signaux (paquets de
charge) successifs comme c'est l'habitude mais
seulement M signaux. On effectue k dcalages
entre l'application de deux signaux conscutifs. Il
faut donc k fois N dcalages pour transfrer la
sortie srie du registre les N signaux. Le nombre k
dans le cas d'un registre entre srie sera de
prfrence 2.
Revendications
1 - Registre dcalage du type transfert de
charges auquel sont appliqus des signaux d'entres parallles, comportant n tages (EP1, EP2,
EU EI4) successifs, chaque tage recevant une
charge provenant d'un tage prcdent et transfrant cette charge un tage suivant, caractris en
ce que, sur au moins une fraction de la longueur
du registre dcalage, les signaux d'entres parallles sont appliqus uniquement des tages
entre parallle (EP1, EP2, EPH1, EPH2) appels
tages principaux, les autres tages tant appels
tages intermdiaires, deux tages principaux
conscutifs tant spars par au moins un tage
(EU EI4) intermdiaire.
2 - Registre dcalage selon la revendication 1,
caractris en ce que les signaux d'entre parallle
sont sous la forme de charges.

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20

25

30

35

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3 - Registre dcalage selon la revendication 2,

caractris en ce que les tages principaux (EP1,
EP2) et les tages intermdiaires (EH EI4) sont
les tages d'un registre A dcalage (RD) utilis
comme registre de lecture.
4 - Registre dcalage selon la revendication 1,
caractris en ce que les signaux d'entre parallle
sont sous la forme d'un rayonnement utile (30).
5 - Registre dcalage selon la revendication 4,
caractris en ce que les tages principaux (EPH1 ,
EPH2) sont des tages photosensibles d'une zone
photosensible (SP).
6 - Registre dcalage selon la revendication 5,
caractris en ce qu'il comporte un cran (31)
opaque ou rayonnement utile (30), l'cran (31)
tant interpos entre le rayonnement utile (30) et le
ou les tages intermdiaires (EI5 EI9).
7 - Registre dcalage selon l'une des revendications 4 ou 5, caractris en ce qu'il comporte en
outre au moins un tage intermdiaire (EI7) spar
du ou des tages photosensibles (EPH1, EPH2)
par au moins un autre tage intermdiaire (EI6,
EI8).
8. Procd de fonctionnement d'un registre dcalage transfert de charges caractris en ce
qu'il consiste utiliser un registre dcalage k
fois N cases, k et N chacun suprieur ou gal 2,
appliquer N paquets de charge d'entre au registre, et effectuer k fois N dcalages pour transfrer une sortie srie du registre les N paquets de
charge d'entre.
9. Procd selon la revendication 8, caractris en
ce que le registre est entres parallles, et en ce
qu'on applique les paquets de charge une case
sur k, les autres ne recevant de charges que par
l'effet des dcalages du registre.
10. Procd selon la revendication 8, caractris
en ce que le registre est entre srie, et en ce
qu'on applique un paquet de charges l'entre
une fois tous les k dcalages.

EP 0 425 349 A1

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Office europen
des brevets

DOCUMENTS
Catgorie

R A P P O R T DE R E C H E R C H E
EUROPEENNE

CONSIDERES

COMME

Numro de la demande
EP

90

40

2943

PERTINENTS
Revendication
concerne

Citation du document avec indication, en cas de besoin,

des parties pertinentes
THE RADIO
& ELECTRONIC ENGINEER, vol. 50, no. 5, mai 1980, pages
205-212, Institution of Electronic and Radio Engineers, Londres, GB; D.J. BURT: "Development of c.c.d. area image
sensors for 625-line tlvision applications"
" Page 206, ligne 25 - page 207, ligne 33; figure 2 *

1-3,7-9

US-A-4 420 773 (TOYODA et al.)

* Colonne 4, ligne 42 - colonne 5, ligne 18; figure 5 *

1-5

US-A-4 696 021 (KAWAHARA et al.)

* Colonne 4, ligne 16 - colonne 6, ligne 47; figures 2-4 *

1,4-6

FR-A-2 620 260 (THOMSON-CSF)

* Page 8, ligne 11 - page 11, ligne 16; figures 5-7 *

4-6

CLASSEMENTDELA
DEMANDE(Int. CI.S)
G
11 C 19/28
G 11 C 27/04

DOMAINESTECHNIQUES
RECHERCHES(Int. Cl.5)
G 11 C 19/00
G 11 C 27/00

Le prsent rapport de recherche a t tabli pour toutes les revendications

Lieu de la recherche

Date d'achvement de la recherche

Examinateur

La Haye

04 dcembre 90

GEOGHEGAN C.H.B.

CATEGORIEDESDOCUMENTSCITES
X: particulirement pertinent lui seul
Y: particulirement pertinent en combinaison avec un
autre document de la mme catgorie
A: arrire-plan technologique
O: divulgation non-crite
P: document intercalaire
T: thorie ou principe la base de l'invention

E: document de brevet antrieur, mais publi la

date de dpt ou aprs cette date
D: cit dans la demande
L: cit pour d'autres raisons
&: membre de la mme famille, document
correspondant