UNIVERSITATEA "POLITEHNICA" BUCURESTI

DEPARTAMENTUL DE FIZIC
LABORATORUL DE FIZICA ATOMICA SI FIZICA CORPULUI SOLID
BN 031 B

FOTODIODA

FOTODIODA
Scopul lucrrii.
Studiul efectului fotovoltaic. Conversia direct a energiei luminoase n energie
electric.
Teoria lucrrii.
Efectul fotovoltaic const n apariia unei tensiuni electromotoare ntr-o jonciune p -n
cnd aceasta este iluminat. Prin acest efect se realizeaz conversia direct a energiei
luminoase n energie electric.
Intr-un semiconductor intrinsec conducia electric este realizat att de electronii care
trec din zona de valen n zona de conducie sub aciunea cmpului electric extern unde se
r
deplaseaz liber i creaz densitatea de curent de electroni Jn , ct i de golurile din zona de
valen, rezultate n urma plecrii electronilor, i care din punct de vedere al conduciei se
comport ca sarcini elementare pozitive i creaz densitatea de curent de goluri J p . Densitile
r
r
de curent Jn i J p sunt:
r
r
J n = n e n E
(1)
r
r
Jp = p e p E
(2)
unde n este concentraia de electroni din zona de conducie, p este concentraia de goluri din
zona de valen, e = 1,6 1019 C i este sarcina electric elementar, n i p sunt
(3)
mobilitile electronilor i respectiv golurilor. In semiconductorul intrinsec n p
i densitatea total de curent este:
r
r
j = n e n + p e p E

(4)

In semiconductorurii extrinseci (semiconductori dopai) conducia se realizeaz prin

electroni n semiconductorii dopai cu impuriti donoare - semiconductorii de tip n i
respectiv prin goluri n semiconductori de
de
r tip p dopai cu impuriti acceptoare. densitatea
r
curent n semiconductorii de tip p este Jn (1) iar n semiconductorii de tip p este J p (3) unde

n p.
Jonciunea p - n este zona care separ, n acelai monocristal, dou regiuni cu
conducii diferite: p i n. In fiecare dintre aceste regiuni micarea purttorilor liberi are un
caracter dezordonat, electronii difuzeaz spre regiunea p iar golurile spre regiunea n. La
ntlnirea dintre electron i gol are loc fenomenul de recombinare care determin o scdere a
concentraiei de electroni n zona n i de goluri n zona p. Acest fenomen face ca regiunea n
s devin electropozitiv comportndu-se ca o veritabil surs electric. In jonciune apar
astfel un cmp electric dirijat de la regiunea n spre regiunea p, care limiteaz migrarea
purttorilor.

Difuzia purttorilor prin jonciunea p - n poate fi stimulat prin iluminarea acestia.

Datorit fotonilor se realizeaz ionizarea atomilor i se creaz astfel noi purttori de sarcin
liber capabili s mreasc tensiunea electromotoare din jonciune, fenomenul respectiv
purtnd denumirea de efect foto. Randamentul conversiei energiei luminoase n energie
electric depinde de natura materialului semiconductor, de compoziia spectral a luminii de
caracteristicile dispozitivului folosit, dispozitiv care poart numele de fotodiod.

Fig.1

Piesa principal a unei fotodiode este o plcu de germaniu de tip n n interiorul

creia s-a realizat jonciunea p - n. S-a folosit urmtoarea tehnologie:
pe plcu s-a aezat o bobi de indiu, indiu are o temperatur de topire mai mic dect
temperatura de topire a germaniului. Prin nclzire bobia s-a topit i atomii de indiu au
difuzat n plcua de germaniu.
Spaiul n care au ptruns atomii de indiu devine o regiune cu conducie prin goluri
(conducie de tip p). La limita acestei regiuni se formeaz jonciunea p - n. La cele dou
regiuni s-au ataat firele de legtur, apoi s-a incapsulat ntr-un tub de sticl nnegriy n
ntregime cu excepia captului superior care cu forma de lentil. Lentila are scopul (de a
concentra lumina pe jonciunea p - n, apare astfel excesul de sarcin (n i p).
Creterea fluxului luminos determin creterea concentraiei n exces (n i p), ceea ce
duce la mrirea tensiunii electromotoare, precum i a intensitii curentului electric generat.
Intensitatea curentului depinde de rezistena circuitului exterior, cu ct rezistena va fi mai
mare, la o aceeai iluminare, cu att intensiatea curentului generat va scdea. In lucrare se va
urmri modul cum variaz intensitatea curentului electric n funcie de iluminare, al diferite
valori ale rezistenei exterioare.

Dispozitivul experimental

Fig. 2

Montajul experimental este prezentat n fig. 2 unde S este un banc optic pe care
culiseaz lampa electric L i fotodioda F. Lampa electric este alimentat de la reeaua de
220 V, curent alternativ. Bancul optic este gradat n centimetri. Fotodioda debiteaz pe
circuitul electric din fig. 2 care cuprinde un microampermetru (A) legat n serie cu o cutie de
rezisten cu ploturi. Fiecare rezisten poate fi introdus n circuit prin ridicarea plotului
corespunztor.
Modul de lucru.
Varianta A
Se verific schema electric. Se conecteaz lampa la priz, se scoate capacul opac cu
care este acoperit fotorezistena. Lampa st nemicat tot timpul lucrrii. Pentru rezisten
exterioar R nul (cutia are toate platurile) se deplaseaz fotodioda la distanele r date n
tabelul1. Pentru fiecare r se citete valoarea curentului electric indicat de microampermetrul i
se trec n tabel. Se fac toate citirile corespunztoare indicaiilor din tabel.
Tabelul 1.

r (cm)
r

10

12

15

20

1/r2
0
100

R()

500
1000
5000

30

50

80

Prelucrarea datelor experimentale.

Admind c sursa de lumin are dimensiuni mici n raport cu distana r, se poate
considera c intensitatea luminoas scade proporional cu inversul ptratului distanei r (cu
1
1

2 ). Cu datele din tabel se traseaz, pe aceeai hrtie milimetric, cinci grafice I = f 2
r
r
pentru R = ct. Pentru un r dat se determin tensiunea fotovoltaic (Ufv)
(1)
U fv = J R , la r = ct.

1
Se traseaz pe aceeai hirtie milimetric cinci grafice U fv = f 2 .
r
Varianta B.
Distana dintre lampa electric L i fotodioda F este fix. n faa lui L este aezat o
diafragm reglabil pentru modificarea fluxului luminos ce cade pe fotodiod. Montajul
electric este cel corespunztor variantei A. Se modific fluxul luminos prin modificarea
diafragmei n poziiile 1, 2, ..., 10. Se consider fluxul luminos proporional cu deschiderea
diafragmei. Pentru valori constante ale fluxului (deschidere constant a diafragmei) se
1
traseaz, pe aceeai hrtie milimetric, graficele I = I , unde R este rezistena circuitului
R

exterior al fotodiodei care se modific prin scoaterea ploturilor din cutia de rezistene.
Pentru valori constate ale rezistenei se traseaz dependenele curentului electric din
circuitul fotodiodei, de fluxul luminos:
I = I ( ) la R = ct.
Datele se trec n tabelul 2.
Variaia fotocurentului n funcie de rezistena i flux la distan fix.
Tabelul 2
(u.r)
Nr.
crt.

R(k)

10

Obs.
u. r.=uniti
relative

I ( ) la
R = ct.

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
4

10.

Din dependenele I = I( 1/R ) se determin pantele dreptelor respective care reprezint

tensiunea fotovoltaic corespunztoare unui flux luminos constant i se traseaz dependena,
U fv = U fv ( ) .

Intrebri.
1) Ce se nelege prin efect fotovoltaic?
2) Ce este o jonciune p - n?
3) Ce este o fotodiod?