ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

PREPARATORIO 10
NOMBRE: Ronald Pillajo Grupo: 2

Subgrupo: 2 Fecha: 19/05/2014

Tema: Polarizacin y amplificadores con el uso de JFETs.

1. Consultar las principales caractersticas de los transistores de efecto de campo y
presente un cuadro con las semejanzas y diferencias entre este tipo de transistores y
los de juntura bipolar.
Caractersticas

Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica

Es muy poco ruidoso
Presenta una resistencia de entrada muy alta de alrededor de 100 M
Es un dispositivo controlado por voltaje.
Son ms pequeos en comparacin con un BJT.
Se pueden comportar como si se tratasen de resistencias o condensadores, lo que
posibilita la realizacin de circuitos utilizando solamente FET
Es un dispositivo unipolar.

Diferencias
BJT
Controlado por corriente de base
Altas ganancias de corriente y voltaje
Relacin lineal entre Ib e Ic
Dispositivo bipolar: trabaja con cargas libres
de los huecos o electrones
Con un uso rudo no se daa
Generacin de ruido baja
[3]

FETs
Controlado por tensin entre puerta y
fuente
Ganancias de corriente indefinidas y de
voltaje menores a los BJT
Relacin cuadrtica entre Vgs e Id.
Dispositivo unipolar: trabaja con las cargas
libres de los huecos o electrones.
Se daa con la esttica
Generacin de ruido media.

2. Revisar las hojas de datos de los dispositivos 2N5457 Y 2N3819 Y K161, presente un
cuadro con los valores de los parmetros ms importantes.
2N5457

2N3819

K161

3. Calcular los voltajes de polarizacin para los circuitos de la figura 1.

R1
910k

R4
2.4k

+ V1
18V

Q1
2N3821

R2
220k

R3
1.2k

= 20 ; = 8
=

2
18 220
=
= 3.5
2 + 1 220 + 910
= (1

2
)

= 4.9
= 5.86
= 2,36
= = 12.14
= 4,9

R4
2.4k

Q1
2N3821

R7
3.3k

+ V1
18V

+ V2
20V

Q2
2N3821

R3
1.2k

R6
1k

R5
1000k

= 20 ; = 8 ; = 0
= =
= (1

2
2
) = = (1
)

= 3.36
= 3.36

= = 20 3.36 = 16.64
= 3.36
4. Disee un circuito usando un JFET canal n polarizado con divisor de voltaje con los
siguientes datos: ID=IDSS/2, VDS=10 V, VDD= 20V, VG= 1.5 V y R2=100K. Considere en Vp
de su transistor.
= 20 ; = 8
20
=
= 10
2
=

2
=> 1 = = .
2 + 1
= (1

2
)

= 2.34
= ==> = 3.84
=

3.84
=
= 384
10
=

= = 20 3.84 10 = 6.16

6.16
=
= 660

10
=

5. Disee un circuito usando JFET canal n auto polarizado con los siguientes datos:
ID=IDSS/2, VDS=6 V, VDD= 12V y RG= 1M. Considere el Vp de su transistor.

= 20 ; = 8
20
=
= 10
2
= (1

2
)

= 2.34 =
=

2.34
=
=

10
= 220

= = 12 3.84 6 = 2.16
=

2.16
=
= 216

10
=

6. Simule los circuitos diseados en simulacin y las que calcul tericamente.

TERICOS

R3

R1

2.40k

mA

-3.27

910k

+10.1

Q1

Volts

2N3819

BAT1
18V

+3.50
Volts

R2
220k

R4
1.2k

+3.93
Volts

R3

mA

-0.73

3.3k

+17.6

Q1

Volts

2N3819

BAT1
20V

0.00
Volts

R4

R2

1k

100k

+0.73
Volts

DISEADOS

R3

R1

680

mA

-15.4

1230k

+9.52

Q1

Volts

2N3819

BAT1
20V

+6.25
Volts

R2
100k

R4
390

+6.01
Volts

R3

mA

-2.98

220

+19.3

Q1

Volts

2N3819

BAT1
20V

+0.20
Volts

R2
1000k

R4
220

+0.66
Volts

7. Realizar la simulacin del circuito diseado en la figura 2 en un software

computacional y presentar las formas de onda de entrada y las formas de onda
obtenidas en los terminales del FET.

Entrada Salida

Drain

Gate

Source

Referencias
http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_gen/teoria/tema-7teoria.pdf
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo#Caracter.C3.ADsticas

[3]http://conocimientosfet.blogspot.com/2010/02/diferencias-entre-el-jfet-y-el-bjt.html