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F.I.S.E.I.

Nombre: Rafael Santana


Curso: 5 B Ind.
Materia: Electrnica de Potencia
Tema: Vjt, Vmosfet

Transistor Bipolar
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos,
puede ser de germanio o silicio.
En ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor, la base y el
colector.
Smbolos de los transistores bipolares NPN y PNP - Electrnica Unicrom
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la
corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo
de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base
(B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que
tiene la flecha en el grfico de transistor.
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le
introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el
entregar por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se
llama amplificacin.

Regiones Operativas:
Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas,
definidas principalmente por la forma en que son polarizados:
Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni
en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa.
En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la
corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y
de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta
regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador de seal.

Regin inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en


modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En
este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que
la mayora de los BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente
en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al
presente en modo activo.
Regin de corte: Un transistor est en corte cuando: corriente de colector =
corriente de emisor = 0,(Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje
de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada
de voltaje, ver Ley de ohm.). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 (Ib =0)
Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: corriente de
colector = corriente de emisor = corriente mxima,(Ic = Ie = Mxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin
del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en
ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente
de colector veces ms grande. (Recordar que Ic = * Ib).
Seal de salida:

Regiones

Diferencia entre los transistores BJT y los MOSFET


La diferencia que presenta estos dos transistores es que el BJT necita una
corriente de base inferior a la que se requiere en el colector, a diferencia del
mosfet que acta solo con la presencia de tensin en la puerta. La puerta del
Mosfet solo requiere corriente para cargar y descargar las capacidades
presentes. Adems su conexin mosfet se facilita mas para conexiones tipo

paralelo, losBJT presentan menos cadas de tensin a comparacin de un


mosfet las cuales son mayores.

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)


El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales: el drenador (D, drain), la
puerta (G, gate), el surtidor o fuente (S, source) y el sustrato (B, bulk). La
corriente en el interior del dispositivo puede ser en forma de electrones o
huecos, fluye desde la fuente hasta el drenador, y es controlada por la puerta.
El terminal de sustrato se utiliza para fijar la tensin umbral del transistor,
mediante la aplicacin de una tensin constante.

Smbolos

TIPOS DE MOSFET:
MOSFET de tipo de enriquecimiento

Este tipo de MOSFET est diseado de tal manera que slo admite la forma de
trabajo en modo de enriquecimiento. La aplicacin fundamental de este
transistor se realiza en circuitos digitales, microprocesadores, etc.
Para el funcionamiento ms habitual, los transistores MOSFET de acumulacin
se polarizan tal y como aparece en la Figura

MOSFET de tipo empobrecimiento (deplexion)


Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario
suministrar corriente al terminal de puerta o graduador. Teniendo en cuenta
esto, se puede aislar totalmente la estructura de la puerta de la del canal. Con
esta disposicin se consigue eliminar prcticamente la corriente de fuga que
apareca en dicho terminal en los transistores JFET. En la siguiente figura se
puede apreciar la estructura de un MOSFET de canal N.

Curvas caractersticas

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