Sunteți pe pagina 1din 233

ACADEMIA DE TIINE A MOLDOVEI

INSTITUTUL DE INGINERIE ELECTRONIC


I NANOTEHNOLOGII D.GHIU

Cu titlu de manuscris
C.Z.U.: 539.216.1
URCAN ANA

PROPRIETILE MAGNETO-TERMOELECTRICE ALE


FIRELOR DIN BISMUT N FUNCIE DE ORIENTARE
CRISTALOGRAFIC, DOPARE I DEFORMARE ELASTIC

133.04 FIZICA STRII SOLIDE


Tez de doctor n tiine fizice

Conductor tinific:

_________________

Nikolaeva A.A., dr. hab. t. f.-m.,


conf. cercet.

Consultant tiinific:

_________________

Bodiul P.P., dr. hab. t. f.-m.,


conf. cercet.

Autorul:

_________________

CHIINU, 2014

urcan Ana, 2014

CUPRINS
ADNOTARE (romn, rus, englez)..................................................................................

LISTA ABREVIERILOR..

INTRODUCERE

10

1.

STRUCTURA CRISTALIN I DE BAND A Bi. IMPACTUL EFECTULUI


DE CUANTIFICARE DIMENSIONAL ASUPRA DEZVOLTRII FIZICII
MATERIALELOR TERMOELECTRICE N PELICULE I FIRE DIN
BISMUT PUR I DOPAT............................................................................................

20

1.1. Structura cristalin i electronic a Bi.............................................................................

20

1.2. Efectul de cuantificare dimensional n pelicule i fire din Bi i impactul lui asupra
proprietilor termoelectrice............................................................................................

22

1.3. Cercetarea bismutului dopat, anizotropia fenomenelor de transport...............................

32

1.4. Tranziiile electronice topologice Lifshitz n bismut i aliajele lui.................................

37

1.5. Anizotropia forei termoelectromotoare i materiale pentru termogeneratoare


anizotrope......................................................................................................................... 43
1.6. Concluzii la capitolul 1....................................................................................................
2.

48

METODE EXPERIMENTALE DE PREPARARE A PROBELOR........................ 50

2.1. Obinerea firelor monocristaline din Bi i aliajele lui cu Sn i Te n izolaie de sticl.... 50


2.2. Tehnologia de obinere a firelor cu orientare cristalografic trigonal n izolaie de
sticl.................................................................................................................................

55

2.2.1. Metoda de recristalizare n cmp magnetic......................................................... 56


2.2.2. Metodele de recristalizare zonal i cu laserul aplicate pentru a omogeniza i
schimba orientarea cristalografic a firelor n izolaie de sticl.......................... 58
2.3. Estimarea structurii, diametrului i a orientrii cristalografice a firelor din Bi i
aliajele lui n izolaie de sticl.......................................................................................... 64
2.4. Metoda de msurare a forei termoelectromotoare, rezistenei, efectului ShdH n lipsa
i la deformri anizotrope n fire n nveli de sticl........................................................ 70
2.4.1. Metoda de msurare a proprietilor galvanomagnetice i termomagnetice n
fire n lipsa ntinderii elastice.............................................................................. 70
2.4.2. Metoda de msurare a proprietilor galvanomagnetice i termomagnetice n
fire la ntindere elastic.......................................................................................

72

2.5. Concluzii la capitolul 2....................................................................................................

76

3.

OSCILAIILE

SHUBNIKOV

DE

HAAS

PARTICULARITILE

FENOMENELOR DE TRANSPORT N FIRE DIN BISMUT PUR CU


ORIENTARE CRISTALOGRAFIC TRIGONAL N LUNGUL AXEI
FIRULUI......................................................................................................................... 78
3.1. Magnetorezistena longitudinal i efectul Shubnikov de Haas n fire din Bi cu
orientare cristalografic trigonal....................................................................................

79

3.2. Magnetorezistena transversal i oscilaiile ShdH n fire din Bi cu orientare


cristalografic trigonal...................................................................................................

87

3.3. Rezistena i fora termoelectromotoare n fire din Bi cu orientare cristalografic


trigonal...........................................................................................................................

101

3.4. Impactul deformrii elastice prin ntindere asupra suprafeei Fermi, forei
termoelectromotoare i rezistenei n fire din Bi cu orientare cristalografic trigonal..

107

3.5. Efectul magnetorezistenei negative n cmp magnetic transversal n fire cuantice din
bismut............................................................................................................................... 113
3.6. Concluzii la capitolul 3....................................................................................................
4.

126

ANIZOTROPIA I OSCILAIILE ShdH N FIRE DIN Bi-0.05%atSn CU


ORIENTARE CRISTALOGRAFIC DIFERIT. UTILIZAREA FIRELOR N
GENERATOARE TERMOELECTRICE ANIZOTROPE......................................

128

4.1. Diagramele de rotaie ale magnetorezistenei transversale.............................................. 128


4.2. Oscilaiile ShdH i magnetorezistena n cmpuri magnetice longitudinal i
transversal n fire din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic standard (1011) n
lungul axei firului............................................................................................................. 130
4.3. Oscilaiile ShdH i magnetorezistena n cmpuri magnetice longitudinal i
transversal n fire din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal n lungul
axei firului........................................................................................................................ 139
4.4. Anizotropia

dependenelor

de

temperatur

ale

rezistenei

forei

termoelectromotoare n fire din Bi-0.05%atSn................................................................ 146


4.5. Generatorul termoelectric anizotrop pe baz de fire din semimetale n izolaie de
sticl.................................................................................................................................

149

4.6. Schimbarea topologiei suprafeei Fermi la deformare elastic prin ntindere a firelor
din Bi-0.05%atSn n lungul axelor trigonal i bisectoare..............................................

151

4.7. Dependenele de deformare ale rezistenei i forei termoelectromotoare n fire din BiSn cu orientri cristalografice diferite.............................................................................

163

4.8. Concluzii la capitolul 4....................................................................................................

169

5.

FIRE DIN ALIAJE PUTERNIC DOPATE Bi1-Sn I Bi1-. OSCILAII


SHUBNIKOV

DE

HAAS.

TRANZIII

TOPOLOGICE

INDUSE

DE

IMPURITI................................................................................................................. 171
5.1. Magnetorezistena longitudinal i transversal i oscilaiile ShdH n fire din Bi
dopate puternic cu impuriti acceptoare de Sn...............................................................

171

5.2. Rezistena i fora termoelectromotoare n fire din Bi dopate cu Sn i tranziia


electronic topologic indus de impuriti.....................................................................

188

5.3. Magnetorezistena longitudinal i transversal i oscilaiile ShdH n fire din Bi dopat


cu impuriti donoare de Te.............................................................................................

193

5.4. Tranziia topologic indus de impuriti n fire din Bi puternic dopat cu impuriti
donoare de Te................................................................................................................... 203
5.5. Concluzii la capitolul 5....................................................................................................

206

CONCLUZII GENERALE I RECOMANDRI...............................................................

208

BIBLIOGRAFIA.....................................................................................................................

210

DECLARAIA PRIVIND ASUMAREA RSPUNDERII.................................................

226

CURRICULUM VITAE.........................................................................................................

227

ADNOTARE
Numele, prenumele autorului: urcan Ana
Titlul tezei: Proprietile magneto-termoelectrice ale firelor din bismut n funcie de
orientare cristalografic, dopare i deformare elastic
Gradul tiinific solicitat: doctor n tiinte fizice
Localitatea: or. Chiinu, Republica Moldova.
Anul prezentrii tezei: 2014.
Structura tezei: introducere, cinci capitole, concluzii i recomandri, bibliografie - 225
surse. Teza este expus pe 209 pagini de baz i cuprinde 137 figuri i 8 tabele.
Numrul de lucrri tiinifice publicate: Rezultatele tiinifice sunt publicate n 11
articole n reviste recenzate, 15 articole n culegeri i 46 teze la conferine. Au fost obinute 6
brevete de invenie.
Cuvinte cheie: nanofire, efectul de cuantificare dimensional, anizotropie, tranziii
topologice, eficien termoelectric, deformare elastic.
Domeniul de cercetare: nanotehnologii, tranziii electronice topologice, efecte
dimensionale, termoelectricitate.
Scopul i obiectivele tezei. Scopul tezei a fost de a obine fire singulare monocristaline
din Bi i BiSn n izolaie de sticl, cu orientare cristalografic trigonal i cercetarea fenomenelor
de transport, precum i anizotropia forei termoelectromotoare, dependena ei de diametrul firului
d, impuritatea de aliere i deformare ntr-un diapazon extins de temperaturi (4.2 300 ) pentru
a estima perspectivele de utilizare a firelor n izolaie de sticl n convertoare termoelectrice
anizotrope de energie. Printre obiectivele tezei mai pot fi menionate i: cercetarea
particularitilor efectului de cuantificare dimensional n cmp magnetic n fire cuantice din Bi
cu diametre < 80 nm, obinerea firelor din Bi puternic dopat cu impuriti donoare (Te) i
acceptoare (Sn) n nveli de sticl i scoaterea n eviden a particularitilor de manifestare a
anomaliilor forei termoelectromotoare la tranziii electronice topologice induse prin dopare
puternic i deformare.
Noutatea tiinific i originalitatea rezultatelor obinute. A fost elaborat i brevetat
tehnologia de obinere a firelor monocristaline din Bi i aliajele lui n nveli de sticl, ntr-un
diapazon extins de diametre cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului, ce a
permis s cercetm anizotropia forei termoelectromotoare n fire din Bi pur i dopat cu Sn n
dependen de diametru, temperatur i deformare elastic. n premier, n fire cuantice din Bi a
fost nregistrat efectul magnetorezistenei negative n cmp magnetic transversal. S-a demonstrat
c, anomaliile observate experimental pe curbele forei termoelectromotoare de difuzie n funcie
de temperatur i concentraie n aliajele Bi-Sn i Bi-Te sunt determinate de tranziiile
electronice topologice Lifshitz induse de impuriti.
Problema tiinific important soluionat const n faptul c anizotropia forei
termoelectromotoare nregistrat experimental n premier n fire cuantice din Bi, precum i
efectul magnetorezistenei negative n cmp magnetic transversal sunt atribuite manifestrii
efectelor dimensionale i conform modelului teoretic sunt determinate de cuantificarea
dimensional a spectrului energetic al purttorilor de sarcin.
Valoarea practic a tezei. Firele n nveli de sticl (Bi-Sn), care nregistreaz o valoare
sporit a anizotropiei forei termoelectromotoare la T = 300 K, au fost utilizate pentru crearea
primului model experimental al generatorului termoelectric anizotrop, ce convertete energia
termic a corpului uman n electric i poate fi utilizat n calitate de surs de alimentare n
dispozitive auditive.
Rezultatele obinute din dependenele eficienei termoelectrice i anizotropiei forei
termoelectromotoare n funcie de dopare, diametrul firelor, deformare, pot fi utilizate n
convertoare termoelectrice de energie cu destinaie divers.


, :
: -
,
: .
: . , .
: 2014.
: , , , 225
. 209 , 137 8 .
: 72
: 11 , 15 46
. 6 .
: , , ,
, , .
: , ,
, .
.
Bi Bi-Sn
,
d,

.

Bi
,
Bi.
.
Bi
,
Bi Sn
, .
Bi
. ,

Bi-Sn Bi-
.
,
Bi,


.
. (Bi-Sn),
= 300

,
,
.

, ,
.

SUMMARY
Name, Surname: Turcan Ana
Thesis title: Magneto-thermoelectric properties of bismuth wires in dependence on
crystallographic orientation, doping and elastic deformation
Academic degree: doctor of physics
Place: Chisinau, Moldova
Year of presentation: 2014
Dissertation contents: introduction, five chapters, general conclusions and
recommendations, bibliography 225 references. The work contains 209 pages of the main part,
137 figures and 8 tables.
Number of publications: Scientific results are published in 11 papers in scientific
journals, 15 conference proceedings, 46 conference abstracts and 6 patents.
Key words: nanowires, quantum size effect, anisotropy, topological transition,
thermoelectric efficiency, elastic deformation.
Field of research: nanotechnologies, electron topological transitions, size effects, and
thermoelectricity.
The aim and objectives of the work: The aim of the work was to obtain monocrystalline
single wires of Bi and Bi-Sn alloys in glass insulation with trigonal orientation along the wire
axis and study thermopower anisotropy, its dependence on wire diameter d, doping impurity and
deformation in a wide range of temperatures to estimate the perspectives of use of wires in glass
insulation in anisotropic thermoelectric energy converters. The objectives of the work included
also the study of features of manifestation of the quantum size effect in transverse
magnetoresistance in Bi quantum wires and identifying features of manifestation of the
anomalies on diffusion thermopower at electron topological transitions induced by strong doping
with acceptor and donor impurities of Bi wires.
Scientific novelty and originality of the results. For the first time a technology for
obtaining of single-crystal wires of Bi and its alloys in glass insulation with trigonal orientation
along the wire axis with a wide range of diameters has been developed; this has made it possible
to investigate the thermopower anisotropy in pure Bi and Sn-doped Bi wires in dependence on
diameter, temperature and elastic deformation. For the first time in quantum wires of Bi the
effect of negative magnetoresistance in transverse magnetic fields has been found. The features
of manifestation of this effect correspond to a theoretical model that takes into account the
quantum nature of the electron energy spectrum in Bi. It is shown that experimentally observed
anomalies of concentration and temperature dependences of the diffusion thermopower in
heavily doped Bi-Sn and Bi-Te alloys are due to Lifshits electron topological transitions induced
by impurities.
The scientific problem solved in the field is that both the thermopower anisotropy
experimentally observed in quantum Bi wires for the first time and the negative
magnetoresistance effect in a transverse magnetic field are associated with the manifestation of
size effects and, according to the theoretical model, are determined by the size quantization of
the energy spectrum of charge carriers.
The practical significance of the work. For the first time the wires in glass insulation
(Bi-Sn), in which a significant thermopower anisotropy was found at = 300 , have been used
to create the first prototype of an anisotropic thermoelectric generator converting the heat energy
of a human body into electrical energy, which can be used in hearing aids as a power source.
The results on the dependences of the thermoelectric efficiency and anisotropy of the
thermopower on doping, wire diameter, and deformation can be used in thermoelectric energy
converters of different purpose.

LISTA ABREVIERILOR:

ECD efectul de cuantificare dimensional


SF suprafaa Fermi
TET tranziie electronic topologic
ShdH Shubnikov de Haas
TA termoelement anizotrop
DUMRT diagrama unghiular de rotaie a magnetorezistenei transversale
MR magnetorezisten
MRN magnetorezisten negativ

INTRODUCERE
Actualitatea temei i descrierea situaiei n domeniul de cercetare
Cutarea surselor noi netradiionale de energie electric este n prezent o direcie de
cercetare foarte important i extrem de relevant. Problemele de conversie a energiei au obinut
o direcie nou i profund datorit dezvoltrii intensive a nanotehnologiilor aplicate n
termoelectricitate.
n ultimii ani a aprut o direcie nou de cercetare orientat spre mbuntirea
caracteristicilor termoelectrice a materialelor, care const n utilizarea structurilor de
dimensionalitate redus, dimensiunile crora sunt comparabile cu lungimile de corelare a
electronilor i fononilor, adic sunt n regiunea nanodimensional.
Cele mai promitoare perspective n aceast direcie sunt legate de materialele pe baz
de bismut, n special dup apariia unui ir de lucrri teoretice, n care s-a demonstrat c
micorarea diametrului nanofirelor din Bi i aliajelor lui pn la dimensiunea lungimii de und
de Broglie contribuie la manifestarea tranziiei semimetal-semiconductor datorit efectului de
cuantificare dimensional i la creterea brusc a eficienei termoelectrice ZT

2
T , fapt ce

a stimulat un numr impuntor de lucrri teoretice i experimentale n ultimul deceniu. Efectele


de cuantificare dimensional sunt cercetate intensiv n structuri de dimensionalitate redus
pelicule, fire din Bi.
Acest lucru poate fi explicat, n primul rnd, datorit faptului c materialul Bi posed
mase efective minime i energii caracteristice mici: energia Fermi a electronilor 30 meV, a
golurilor 10meV i energia de ntreptrundere 40 meV. Acest material este unul din cei mai buni
candidai pentru cercetarea transportului cuantic n sisteme 1 D, adic n fire cuantice.
Confirmare experimental a creterii semnificative ZT n nanofire din bismut nu este.
Datele publicate n literatur cu privire la cercetrile experimentale a nanostructurilor n
form de mulimi de nanofire din Bi n matrice de oxid de aluminiu, cu toate c prezint
tranziie semimetal-semiconductor cu o lime extins a benzii interzise de la 17 pn la 40 meV,
datorit efectului de cuantificare dimensional, sunt puin informative pentru cercetri n
cmpuri magnetice transversale, ca urmare a incertitudinii orientrii cristalografice n raport cu
direcia cmpului magnetic, fapt ce exclude manifestarea i observarea efectului de cuantificare
dimensional n cmp magnetic transversal.

10

Cercetarea nanoobiectelor individuale n domeniul termoelectricitii are o serie de


provocri. n primul rnd, informaia despre caracteristicile optime geometrice ale unui nanofir
singular poate fi utilizat pentru sinteza compozitelor, iar n al doilea rnd necesitatea unor astfel
de cercetri este determinat de interesul tiinific fa de efectele de cuantificare dimensional i
procesele de difuzie n nanofire.
Apariia materialelor noi mult mai efective pentru termoelementele anizotrope renvie
interesul fa de efectul termoelectric de tip transversal. Eficiena termoelementului anizotrop, n
mare msur, este determinat de mrimea anizotropiei forei termoelectromotoare.
n timp ce fora electromotoare n termoelementul obinuit nu depinde de mrimea
geometric a termocuplului, n cazul termoelementului anizotrop fora electromotoare este
proporional lungimii l i invers proporional grosimii h i, astfel, putem majora fora
electromotoare mrind lungimea termoelementului anizotrop, pe cnd n probele masive
lungimea l se limiteaz la 1-2 cm. Mai mult ca att, anizotropia forei termoelectromotoare n
nanofirele din Bi i aliajele lui nu a fost cercetat din cauza lipsei firelor cu orientare
cristalografic trigonal. Din literatura de specialitate se cunoate doar o singur lucrare
tiinific n care sunt publicate date cu privire la cercetarea anizotropiei conductibilitii termice
n nanofire singulare din Bi, conform creia anizotropia conductibilitii termice n fire din Bi
este de 4 ori mai mare [1] dect n probele masive.
Din cele menionate mai sus, rezult c, cel mai potrivit material pentru cercetarea att a
transportului cuantic, ct i a anizotropiei proprietilor termoelectrice sunt firele singulare
monocristaline din bismut pur i aliajele lui n izolaie de sticl, cu diferite orientri
cristalografice. Prin urmare, obiectivul principal al tezei de doctorat a fost att cercetarea
transportului cuantic n nanofire din Bi, ct i obinerea i cercetarea nanofirelor din Bi cu
orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului i studiul anizotropiei forei
termoelectromotoare, precum i a eficienei termoelectrice n funcie de diametru, orientare
cristalografic, temperatur, dopare, cmp magnetic, deformare elastic i estimarea
posibilitilor de utilizare a lor n convertoare termoelectrice anizotrope de energie, precum i
cercetarea tranziiilor electronice topologice Lifshitz induse prin dopare i deformare elastic.
Scopul i obiectivele lucrrii
Scopul tezei a fost de a obine fire singulare monocristaline din Bi i BiSn n izolaie de
sticl cu orientare cristalografic trigonal i cercetarea fenomenelor de transport i, n primul
rnd, anizotropia forei termoelectromotoare, dependena ei de diametrul firului d, impuritatea de
aliere i deformare ntr-un diapazon extins de temperaturi (4.2 300 ) pentru a estima

11

perspectivele de utilizare a firelor n izolaie de sticl n convertoare termoelectrice anizotrope de


energie.
Printre obiectivele tezei mai pot fi menionate i: cercetarea influenei caracteristicilor de
manifestare a efectului de cuantificare dimensional n cmp magnetic transversal n fire
cuantice din Bi cu diametre < 80 nm, obinerea firelor din Bi puternic dopat cu impuriti
donoare (Te) i acceptoare (Sn) n nveli de sticl i scoaterea n eviden a particularitilor de
manifestare a anomaliilor forei termoelectromotoare de difuzie la tranziii electronice topologice
induse prin dopare puternic i deformare.
Pentru a atinge obiectivele date au fost soluionate urmtoarele sarcini:
1. Dezvoltarea tehnologiei de obinere a firelor monocristaline din bismut pur i aliat cu
staniu n izolaie de sticl, ntr-un diapazon extins de diametre, cu orientare cristalografic
trigonal n lungul axei firului.
2. Cercetarea anizotropiei forei termoelectromotoare n fire din bismut pur i aliat cu staniu
n funcie de diametru, impuritatea de aliere, temperatur i deformare n intervalul de
temperaturi 4.2 300 K.
3. Estimarea posibilitii de utilizare a firelor n izolaie de sticl pentru crearea
generatoarelor termoelectrice anizotrope n anumite intervale de temperaturi.
4. Cercetarea efectului magnetorezistenei transversale ( I) n fire cuantice din Bi cu d <
80 nm la temperaturi 4.2 i influena particularitilor de manifestare a efectului de
cuantificare dimensional n cmp magnetic, compararea rezultatelor cu teoriile existente.
5. Cercetarea modificrii topologiei suprafeei Fermi i a tranziiilor electronice topologice la
deformare uniaxial a firelor din Bi i Bi-Sn cu orientare cristalografic trigonal prin
metoda oscilaiilor Shubnikov de Haas (ShdH) i compararea rezultatelor cu cercetrile
analogice efectuate n fire cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei
firului. Evaluarea schimbrii factorului de putere (P.f.) la deformare.
6. Studiul complex al oscilaiilor Shubnikov de Haas n direciile cristalografice principale n
fire din Bi puternic dopat cu impuriti acceptoare (Sn) i donoare (Te) pentru a determina
parametrii principali a suprafeei Fermi a golurilor n punctele T i L, i a suprafeei Fermi
a electronilor n punctul L. Estimarea coeficientului de eficien a impuritilor.
7. Cercetarea dependenelor forei termoelectromotoare de difuzie n funcie de temperatur i
concentraie la dopare puternic a firelor din Bi cu impuriti acceptoare i donoare pentru
a determina particularitile caracteristice tranziiilor electronice topologice Lifshitz i a
evalua amplasarea energetic a benzilor grele de electroni T i goluri .

12

Metodele i tehnologiile de cercetare. Pentru a obine probe experimentale ale firelor


monocristaline din Bi i aliajele lui cu Sn i Te n izolaie de sticl cu orientare cristalografic
standard (1011) n lungul axei firului, a fost aplicat tehnologia de turnare a microfirului din faza
lichid dup metoda lui Ulitovschi la instalaia perfecionat ITMF-3. Pentru a schimba
orientarea cristalografic a probelor au fost utilizate tehnologiile: recristalizarea firelor cu laserul
cu aciune continu LTN-101 i recristalizarea zonal orientat a firelor cu agent de cristalizare
la instalaia elaborat i construit n laborator. Pentru a determina diametrul i orientarea
cristalografic a firelor au fost utilizate cele mai contemporane metode de cercetare i anume:
microscoapele electronic de scanare Vega Tescan 5130 MM i cel cu rastru EVO-40 pentru
determinarea diametrului i difractometrul Oxford Diffraction XCALIBUR pentru
determinarea orientrii cristalografice. Msurtori ale oscilaiilor Shubnikov de Haas n fire din
Bi pur i aliaje Bi-Sn i Bi-, cu diferite orientri cristalografice, n izolaie de sticl n diferite
direcii ale cmpului magnetic (pn la 14 T) n raport cu axa firului i diapazonul de temperaturi
1.5 4.2 , au fost efectuate la instalaia automat computerizat Superconducting MN2 cu
utilizarea metodei de modulaie de nregistrare a derivatei dR/d() n Laboratorul Internaional
al Cmpurilor Magnetice Puternice i Temperaturilor Joase (Wroclaw, Polonia). Parametrii
principali a suprafeei Fermi: seciunile extreme, masele ciclotronice a purttorilor de sarcin,
temperatura Dingle, concentraia purttorilor i poziia energetic a nivelului Fermi n fire din Bi
aliat au fost determinate din oscilaiile ShdH n toate direciile cristalografice principale prin
utilizarea modelelor teoretice cunoscute, care sunt descrise detaliat n tez. Dependenele de
temperatur ale rezistenei i forei termoelectromotoare att n lipsa ntinderii, ct i la ntindere
elastic n diapazonul de temperaturi 4.2 300 i cmpuri magnetice pn la 14 T au fost
nregistrate n regim automat la instalaia computerizat n Bitter magnet MB15.
Noutatea tiinific i importana practic a lucrrii
1. A fost elaborat i brevetat tehnologia de obinere a firelor monocristaline din Bi i aliajele
lui n nveli de sticl, ntr-un diapazon extins de diametre, cu orientare cristalografic trigonal
n lungul axei firului.
2. n premier, s-a determinat experimental c, anizotropia forei termoelectromotoare n fire din
Bi pur depinde de diametrul firului d i crete cu micorarea temperaturii, atingnd valoarea de
100 120 V/K n diapazonul 40 < < 100 , ce prezint un factor important pentru
utilizarea lor n convertoare termoelectrice anizotrope de energie la temperaturi joase.
3. S-a constatat c, anizotropia forei termoelectromotoare n fire din Bi aliat cu Sn n
diapazonul 200 300 atinge valoarea 100 120 V/K, ce depete de 2 ori valoarea n

13

Bi pur i deschide posibiliti de utilizare a firelor cu astfel de coninut n generatoare


termoelectrice anizotrope miniaturizate.
4. n premier, firele din Bi-0.05%atSn cercetate au fost utilizate pentru a construi primul
prototip al generatorului termoelectric anizotrop, care poate fi utilizat n aparate auditive n
calitate de surs de energie, ce transform energia termic a corpului uman n electric.
5. Pentru prima dat, n fire cuantice din Bi cu diametrul d < 80 nm n cmp magnetic transversal
( I i < 4.2 ) a fost nregistrat efectul magnetorezistenei negative, particularitile de
manifestare a cruia la diferite orientri cristalografice corespunde modelului teoretic, ce ia n
considerare caracterul cuantic al spectrului energetic a electronilor n Bi.
6. Prin metoda de cercetare a oscilaiilor ShdH s-a demonstrat c, la deformare elastic prin
ntindere a firelor din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal are loc tranziia
electronic topologic 3hL 1Th 1Th n urma creia suprafaa Fermi a golurilor n punctul L se
micoreaz pn la un punct dup care dispare, iar conductibilitatea se realizeaz doar datorit
golurilor T (tranziia la un aliaj cu o singur band actual de purttori). Tranziia este urmat de
creterea rezistenei la temperatura 4.2 K, iar la temperatura 300 K rezistena se micorareaz cu
creterea concomitent a forei termoelectromotoare, ce contribuie la rndul su la creterea
factorului de putere.
7. Cercetrile complexe experimentale ale oscilaiilor ShdH n toate direciile cristalografice
principale n cmpuri magnetice pn la 14 T la temperaturi 4.2 i 2.1 K a firelor monocristaline
din Bi cu diferit grad de aliere cu impuriti donoare i acceptoare, a permis s calculm
parametrii principali a suprafeei Fermi a golurilor n punctul T i electronilor i golurilor n
punctul L a zonei Brillouin i s estimm temperatura Dingle.
8. S-a demonstrat c, anomaliile nregistrate experimental pe curbele forei termoelectromotoare
de difuzie n funcie de concentraie i temperatur n aliaje puternic dopate Bi-Sn i Bi-, sunt
determinate de tranziiile electronice topologice Lifshitz, ce ne-a permis s estimm poziia
energetic a benzii de conducie T i a benzii golurilor .
Tezele naintate spre susinere
1. Tehnologia de obinere a firelor monocristaline din Bi pur i aliajele lui n nveli de sticl,
ntr-un diapazon extins de diametre, cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului.
2. n premier au fost gsite dependenele anizotropiei forei termoelectromotoare n funcie de
diametrul firului d, temperatur, impuritatea de aliere i deformare.

14

3. nregistrat, n premier, efectul magnetorezistenei negative n cmp magnetic transversal n


nanofire cuantice din Bi cu diametrul d < 80 nm, demonstreaz manifestarea efectului de
cuantificare dimensional conform modelului teoretic.
4. Creterea gigant a magnetorezistenei n cmp magnetic transversal n fire din Bi pur cu d >
1 m la temperatura 4.2 K depete semnificativ valorile obinute n pelicule i fire din Bi de
calitate superioar cu orientare cristalografic standard.
5. Particularitile tranziiilor electronice topologice Lifshitz induse de deformare prin ntindere
n fire din Bi i Bi-Sn cu orientare cristalografic trigonal nregistrate cu ajutorul oscilaiilor
ShdH.
6. Specificul manifestrii tranziiilor electronice topologice Lifshitz induse de impuriti n fora
termoelectromotoare de difuzie la dopare puternic cu impuriti acceptoare i donoare a firelor
din Bi n izolaie de sticl ce demonstreaz apariia benzilor grele i .
7. Utilizarea firelor cercetate din Bi-Sn n nveli de sticl, care nregistreaz o valoare sporit a
anizotropiei forei termoelectromotoare la temperatura 300 K, pentru crearea primului prototip al
generatorului termoelectric anizotrop, ce transform energia termic a corpului uman n electric.
A fost soluiona o problem tiinific important: s-a demonstrat c, efectul
magnetorezistenei negative nregistrat n premier n cmp magnetic transversal n fire cuantice
din Bi cu d < 80 nm corespunde modelului teoretic, ce ia n considerare caracterul cuantic al
spectrului energetic a purttorilor de sarcin i este atribuit cuantificrii demensionale a
spectrului energetic al electronilor n Bi. S-a constatat c, anizotropia forei termoelectromotoare
de difuzie n fire din Bi depinde de diametrul firelor, temperatur, dopare i deformare elastic
anizotrop. S-a confirmat c, tranziiile topologice Lifshitz, n fire din Bi dopat puternic cu
impuriti acceptoare de Sn i donoare de Te, sunt urmate de comportamentul anomal al
dependenelor de temperatur i concentraie ale forei termoelectromotoare de difuzie i
determinate de canalul selectiv interzonal de difuzie a purttorilor L n benzile grele cu o
densitate a strilor nalt.
Aprobarea rezultatelor tiinifice
Publicaii. Rezultatele tezei au fost expuse n 11 lucrri tiinifice, n reviste recenzate, cum ar fi
Physica Status Solidi, Surface Engineering and Applied Electrochemistry, Metallofizika
Noveishie Tekhnologii, Journal of Low Temperature Physics, Journal of Thermoelectricity,
Moldavian Journal of Physical Sciences.
Au fost obinute 6 brevete de invenie.

15

Rezultatele cercetrilor, expuse n teza de doctorat, au fost prezentate i discutate la


conferine tiinifice naionale i internaionale: Conferinta Fizicienilor din Moldova CFM-2007,
Chishinau, Moldova, 11-12 octombrie 2007; International conference Physics of lowdimensional structures. Kishinev, Moldova. June, 27-28, 2007; V
, .
, 3-6 2007; ECT-2007 5th European Conference on Thermoelectrics. Odessa,
Ukraine. September 10-12, 2007; XII International forum on Thermoelectricity, Chernovtsy,
Ukraine, July, 16-19, 2007; 25th International Conference on Low Temperature Physics,
Amsterdam, The Nederland, 6 - 13 August, 2008; QFS 2009: International Symposium on
Quantum Fluids and Solids. Chicago, USA; 9th International Conference on Research in High
Magnetic Fields. Dresden, Germany, 2009; XII International Forum on Thermoelectricity. Kiev,
Ukraina, February 10-13, 2009; The 30th International Conference on Thermoelectrics, Traverse
City, Michigan, USA, July 17-21, 2011; 2011 MRS Spring Meeting and Exhibit April 25 - 29,
2011, San Francisco, California; The 9th European Conference on Thermoelectrics, Thessaloniki,
Greece, September 28-30, 2011; VII , , , 15-20
2012; NANO 2013 "Nanostructures: Physics and Technology", June 2428, 2013, St.
Petersburg, Russia; E-MRS 2013 Spring Meeting, Congress Center - Strasbourg, France, May
28-30, 2013 .
Cuvinte cheie: nanofire, efectul de cuantificare dimensional, anizotropie, tranziii topologice,
eficien termoelectric, deformare elastic.
Structura i volumul tezei. Teza de doctorat const din introducere, 5 capitole, concluzii i
recomandri, bibliografie. Lucrarea este espus pe 209 pagini text de baz, 137 figuri, 8 tabele,
225 surse citate.
Coninutul lucrrii
n introducere se motiveaz actualitatea temei tezei de doctorat n plan tiinific i
aplicativ prin prisma elaborrilor i a realizrilor moderne n domeniul nanotehnologiilor aplicate
n termoelectricitate. Sunt formulate scopurile i sarcinile lucrrii, noutatea tiinific i tezele
naintate spre susinere, valoarea tiinific i practic a rezultatelor obinute, se justific alegerea
obiectelor de cercetare, precum i lista conferinelor la care a fost aprobat coninutul lucrrii.
Capitolul nti cuprinde o descriere ampl despre semimetalul bismut, structura lui
cristalin i de band, precum i o sintez a lucrrilor teoretice i experimentale cu privire la
influena efectelor de cuantificare dimensional asupra proprietilor termoelectrice i de
transport n materiale nanodimensionale. S-a demonstrat c, condiiilor de realizare a efectului de
cuantificare dimensional le corespund nanostructurile semimetalice pe baz de bismut, datorit

16

masei efective mici a electronilor, anizotropiei suprafeei Fermi i valorilor mici a energiilor
critice, unele dintre care au fost descoperite pentru prima dat n pelicule din Bi, dup care i n
fire. Tranziia semimetal-semiconductor prezis teoretic n nanofire din bismut trebuie s
contribuie la crearea unor termoelemente, eficiena termoelectric (ZT) a crora este cu un ordin
de mrime mai mare n comparaie cu termoelementele a cror ZT ~ 1. ns, cercetrile
experimentale ale factorului termoelectric de calitate n fire cuantice, masive de nanofire, precum
i nanoobiecte singulare i suprareele din Bi i aliajele lui au confirmat doar parial calculele
teoretice cu privire la creterea factorului termoelectric de calitate datorit efectului de
cuantificare dimensional la micorarea dimensiunilor materialului. Cercetri experimentale ale
anizotropiei proprietilor termoelectrice n materiale de dimensionalitate redus, n special, n
nanofire, practic lipsesc din cauza lipsei obiectelor corespunztoare de cercetare. Sunt descrise
cercetrile teoretice i experimentale de generare a forei termoelectromotoare transversale n
medii anizotrope i metodele de conversie a energiei termice n electric ce se bazeaz pe aceast
generare. Se analizeaz specificul comportamentului impuritilor n bismut i tranziiile
electronice topologice Lifshitz induse de impuriti i deformare elastic, ce se manifest n
comportamentul anomal al forei termoelectromotoare a bismutului dopat cu impuriti donoare
i acceptoare. Din analiza lucrrilor teoretice i experimentale rezult c cele mai potrivite i de
perspectiv materiale att pentru cercetarea transportului cuantic n sisteme 1 D i a tranziiilor
electronice topologice Lifshitz, ct i pentru utilizare practic a firelor n aspect termoelectric, n
special n convertoare termoelectrice anizotrope de energie, sunt firele monocristaline din bismut
pur i aliat n izolaie de sticl cu diferite orientri cristalografice n lungul axei firului.
n capitolul al doilea sunt descrise tehnologiile de obinere a firelor monocristaline din
Bi i BiSn n izolaie de sticl cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului. Este
descris principiul de funcionare i construcia instalaiei experimentale computerizate elaborat
pentru recristalizarea zonal orizontal cu agent de cristalizare a firelor din bismut pur i dopat n
izolaie de sticl.
S-a artat c, din cele trei metode utilizate pentru obinerea firelor cu orientare
criatalografic trigonal n izolaie de sticl, cea mai promitoare metod este cea de
recristalizare zonal cu agent de cristalizare.
Utiliznd metode moderne de control difracia cu raze X, oscilaile Shubnikov de Haas,
diagramele de rotaie ale magnetorezistenei transversale s-a demonstrat c, n premier au fost
obinute fire din Bi i BiSn cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului.
S-a demonstrat c, recristalizarea zonal multipl a firelor din Bi dopat contribuie la
omogenizarea i mbuntirea calitii structurale a lor.

17

Sunt descrise instalaiile experimentale computerizate pentru nregistrarea dependenelor


de temperatur i deformare ale rezistenei i forei termoelectromotoare n intervalul de
temperaturi 4.2 300 , precum i dependenele de cmp magnetic n cmpuri magnetice
longitudinal i transversal pn la 14 T la temperaturi de la 1.5 pn la 300 K i oscilaiile ShdH
n direciile cristalografice principale. Oscilaiile ShdH au fost nregistrate utiliznd metoda de
modulaie.
Sunt descrise metodele de calcul a parametrilor principali a suprafeei Fermi n fire din Bi
dopat din oscilaiile ShdH nregistrate experimental n toate direciile cristalografice principale.
Corectitudinea rezultatelor este confirmat prin reproductibilitatea lor i compararea cu
rezultatele obinute n probe masive. Se estimeaz eroarea de msurare.
Cercetrile n cmpuri magnetice puternice pn la 14 T au fost efectuate n cmpul
solenoidului supraconductor i a magnetului Bitter n intervalul de temperaturi 1.5 300 K n
Laboratorul Internaional de Cmpuri Magnetice Puternice i Temperaturi Joase (Wroclaw,
Polonia).
n capitolul al treilea sunt prezentate rezultatele cercetrilor magnetorezistenei i
oscilaiilor ShdH n cmpuri magnetice longitudinal i transversal pn la 14 T la temperaturi 1.5
4.2 n fire din Bi pur cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului n izolaie de
sticl cu diametre diferite. Sunt prezentate calculele perioadelor oscilaiilor ShdH i masele
ciclotronice n toate direciile cristalografice principale. Rezultatele sunt comparate cu cele ale
altor autori, obinute n probe masive i pelicule monocristaline din Bi.
Sunt prezentate, de asemenea, msurtori ale forei termoelectromotoare i rezistenei n
fire din Bi cu orientare cristalografic trigonal cu diametre diferite, ce sunt comparate i
completate cu datele experimentale obinute n firele din Bi cu orientare cristalografic standard
(1011), ce a permis s analizm anizotropia rezistenei i forei termoelectromotoare n firele din
Bi i dependena ei de diametrul firelor d la temperaturi 4.2 300 .
Experimental, prin metoda de msurare a oscilaiilor ShdH, a fost cercetat impactul
deformrii elastice puternice uniaxiale n lungul axei trigonale a firului asupra rezistenei i forei
termoelectromotoare n fire din Bi ntr-un interval extins de temperaturi i asupra schimbrii
seciunilor suprafeei Fermi.
A fost investigat detaliat magnetorezistena longitudinal ( || 3) i transversal n
direciile || 1/2 i || 2 n cmpuri magnetice slabe i puternice pn la 14 T ntr-un interval
extins de temperaturi n fire din Bi cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului cu
diametre diferite i n fire cuantice din Bi cu d < 100 nm cu orientare cristalografic standard
(1011) n lungul axei firului. O cretere gigant a magnetorezistenei transversale a fost

18

nregistrat n cmp magnetic puternic i efectul magnetorezistenei negative n cmp magnetic


slab transversal n fire cuantice din Bi cu diametre mai mici de 80 nm la temperaturi < 5 . La
interpretarea efectului magnetorezistenei negative observat, se aplic modelul teoretic al firului
cuantic din Bi ce ia n considerare caracterul cuantic al spectrului energetic i caracterul divers al
mprtierii purttorilor de sarcin.
n capitolul patru au fost efectuate cercetri ale unui set de fire monocristaline din Bi0.05%atSn n izolaie de sticl cu orientri cristalografice diferite n lungul axei firului.
O atenie sporit a fost acordat cercetrii anizotropiei forei termoelectromotoare n fire
din aliaj Bi-0.05%atSn, care n acest scop au fost obinute cu orientare cristalografic standard
(1011) i trigonal i cercetate n intervalul de temperaturi 4.2 300 . Se estimeaz
posibilitatea de utilizare a acestor fire n convertoare termoelectrice anizotrope.
A fost cercetat schimbarea topologiei suprafeei Fermi i particularitile tranziiilor
electronice topologice Lifshitz n fire din Bi-0.05%atSn la deformare elastic n lungul axelor
trigonale i bisectoare, precum i impactul deformrii elastice prin ntindere asupra eficienei
termoelectrice.
n capitolul cinci sunt prezentate rezultatele cercetrilor unui set de probe n form de
fire monocristaline din Bi dopate puternic cu impuriti acceptoare (Sn) i donoare (Te) n
izolaie de sticl cu diametre diferite. Sub dopare puternic, n cazul dat, se nelege trecerea la
un aliaj cu o band actual a purttorilor de sarcin n cazul cnd dopm cu Te i trecerea la
conductibilitatea mixt de tip p cu dou benzi actuale a purttorilor de sarcin la dopare cu Sn.
Prin metoda de msurare a oscilaiilor ShdH n toate direciile cristalografice principale n
cmpuri magnetice paralel ( || I) i transversal ( I) au fost determinate perioadele oscilaiilor
ShdH, calculate masele ciclotronice i parametrii principali a suprafeei Fermi a golurilor n T i
a golurilor i electronilor n L a zonei Brillouin n aliaje Bi1-Sn i Bi1-. A fost determinat
coeficientul de eficacitate i dependena lui de coninutul impuritii de aliere a Sn.
A fost cercetat schimbarea topologiei suprafeei Fermi i particularitile tranziiilor
electronice topologice Lifshitz la dopare puternic a bismutului cu impuriti donoare de Te i
acceptoare de Sn, ce se manifest n comportamentul anomal al dependenelor de temperatur i
concentraie a forei termoelectromotoare n intervalul de temperaturi 4.2 300 .

Teza a fost realizat cu suportul parial al proiectelor internaionale: STCU #5050 i


SCOPES IZ73Z0_127968.

19

1. STRUCTURA CRISTALIN I DE BAND A Bi. IMPACTUL EFECTULUI DE


CUANTIFICARE DIMENSIONAL ASUPRA DEZVOLTRII FIZICII
MATERIALELOR TERMOELECTRICE N PELICULE I FIRE DIN BISMUT PUR
I DOPAT
1.1. Structura cristalin i electronic a Bi

Bismutul este un element al grupei V din sistemul periodic de elemente al lui Mendeleev
i mpreun cu antimoniul i arseniul intr n grupa semimetalelor. Reeaua spaial a Bi se
atribuie sistemei romboedrice cu doi atomi n celul i poate fi obinut dintr-o reea cubic
printr-o deplasare mic a dou subreele cu fee centrate n lungul diagonalei cubului spaial cu o
alungire mic ulterioar a reelelor n lungul aceleiai diagonale [2].
Cristalele de tipul Bi au o structur complex. n fiecare strat de Bi, atomii sunt amplasai
n dou plane paralele perpendiculare axei C3 astfel nct au 3 cei mai apropiai vecini amplasai
pe un plan i 3 mai ndeprtai pe alt plan. O astfel de amplasare complex a atomilor contribuie
la o anizotropie puternic a proprietilor n substane de tipul Bi: electrice, termice, mecanice
.a. Legturile chimice au i ele o structur complex. Legtura n interiorul straturilor este
covalent [3], iar legtura ntre vecini este mixt, parial Van der Waals, parial de tipul schimb
de polarizare [4]. Caracteristicile forelor de legtur determin solubilitatea sczut (0.51%at)
n Bi i aliajele Bi-Sb a impuritilor izovalente P i As, precum i a celor mai apropiai vecini
din grupele IV i VI Pb, Sn, , Se [5-7].
Celula elementar a reelei Bi conine doi atomi, deci unei celule elementare i revine
zece electroni de valen. n principiu, electronii de valen n Bi pot umple n totalitate cinci
benzi energetice, ns, din cauza deformrii romboedrice, ce ncalc echivalena punctelor L i
T, ntre banda de valen i banda de conducie n Bi se formeaz o suprapunere mic, ce duce la
apariia deja la temperatura = 0 a electronilor i golurilor cu concentraii egale. Astfel,
proprietile semimetalice ale Bi au legtur direct cu caracteristicile structurale ale reelei
cristaline.
Ca urmare, n condiii obinuite concentraia electronilor i a golurilor n semimetale
atinge 1017 1020 cm-3, n semiconductori puri 1014 1015 cm-3, iar n metale bune N >1021cm-3.
n bismut concentraia electronilor i a golurilor coincide i atinge valoarea N =
(2.90.05)*1017cm-3 [8].

20

Suprafaa Fermi a electronilor n bismut este format din trei suprafee puternic
anizotrope, asemntoare dup form cu elipsoide, cu raportul axelor 1:1,4:14,5, iar suprafaa
Fermi a golurilor dintr-un elipsoid de rotaie cu raportul axelor 1:1:3,2. Trei elipsoide de
electroni amplasai n trei puncte L diferite, dar fizic echivalente al spaiului-impuls, care trec din
unul n altul la rotirea n jurul axei trigonale a cristalului (C3) la 120. Axele lungi ale
suprafeelor de electroni fac un unghi cu planul perpendicular axei trigonale de 623'. Axa
cristalografic binar C2 este orientat n lungul axei scurte a uneia din suprafeele de electroni,
iar axa bisectoare C1 este perpendicular axei C2. Cele trei axe 1, 2, 3 formeaz un sistem de
coordonate cartezian (Figura 1.1 a). Prezena a dou tipuri de purttori de sarcin, electronii i
golurile, n bismut, este o consecin a ntreptrunderii benzilor de conducie L cu cea de valen,
amplasat n apropierea punctului T al spaiului-impuls (Figura 1.1 b) [9]. ntreptrunderea
benzilor n bismut este foarte mic fiecrui atom i revine 10-5 electroni de conducie, i
concentraia purttorilor de curent este cu cinci ordine de mrime mai mic dect ntr-un metal
bine conductor.

Fig. 1.1. (a) Amplasarea elipsoidelor electronilor i golurilor a suprafeei Fermi n Bi n raport cu
axele cristalografice. [9]

Fig. 1.1. (b) Structura de band a Bi. [9]

21

Structura de band a purttorilor de sarcin n punctele L i T a zonei Brillouin este


ilustrat n figura 1.1 b i are urmtoarele caracteristici: ntreptrunderea benzii de valen T cu
banda de conducie L este de =(380.15) meV, energia Fermi a electronilor Fe = 30 meV, a
golurilor Fh = 12 meV, limea benzii interzise n punctul T gT = 25050 meV [7, 10]. Ceva mai
jos pe scara energiei, n Bi, n punctul L al spaiului-impuls, este amplasat banda de valen
complet umplut. Limea benzii interzise n punctul L gL atinge valoarea 10 meV [7].
Elipsoidele electronilor sunt neparabolici i posed un grad nalt de anizotropie.
n lucrrile [8-10] s-a demonstrat c componentele tensorului maselor efective a
electronilor n apropiere de marginea benzii de conducie ating valorile m1e = 0.00139m0, m2e =
0.291m0, m3e = 0.0071m0, m4e = 0.0359m0 (m0 masa electronului liber). Elipsoidul golurilor este
un elipsoid de rotaie. Componentele corespunztoare ale tensorului maselor efective a golurilor
au urmtoarele valori m1h m2h = 0.0059m0, m3h = 0.634m0.
Avnd energii caracteristice mici, bismutul este un reprezentant tipic al materialelor,
spectrul energetic al crora este extrem de sensibil la influena diferitor factori externi: cmpul
magnetic, introducerea impuritilor izovalente i de dopare, comprimare multilateral i
deformare uniaxial, dimensiuni. Un loc aparte l ocup cercetrile teoretice i experimentale,
atribuite efectelor dimensionale.
1.2. Efectul de cuantificare dimensional n pelicule i fire din Bi i impactul lui asupra
proprietilor termoelectrice
Recent, a aprut o nou direcie de mbuntire a caracteristicilor termoelectrice a
materialelor, care a progresat i a dat un nou impuls cercetrilor n acest domeniu. Aceast
abordare const n utilizarea dimensiunilor materialelor, care sunt comparabile cu lungimile de
corelare a electronilor i fononilor, adic sunt n regiune nanodimensional i n care se
realizeaz efectul de cuantificare dimensional.
Esena efectului de cuantificare dimensional (ECD) const n urmtoarele: n cristal,
micrii electronilor cu impulsul P corespunde lungimea de und de Broglie h

2mPF

Dac grosimea structurii dimensional-limitate (pelicul sau fir) este comensurabil cu lungimea
de und de Broglie, atunci, deoarece electronul rmne n interiorul peliculei, aceasta nseamn
c funcia de und a electronului trebuie s tind spre zero la suprafaa ei. Micarea electronului

22

n cristal este similar cu micarea lui n groapa de potenial cu perei infinit de nali, ce coincid
cu planurile limit ale cristalului. Faptul c funcia de und a electronului tinde spre zero pe
suprafeele limit, semnific c pe grosimea peliculei d trebuie s se ncadreze un numr ntreg
de semiunde de Broglie, atribuite micrii electronului transversal probei dimensional-limitate cu
impulsul Pz: n d , (n =1, 2, 3; h ). Astfel, componenta transversal a impulsului
2
Pz
electronilor se cuantific, ca urmare, strile permise sunt doar acele impulsuri, proiecia crora
pe axa pz este multipl /d : Pz =n/d. Energia micrii transversale a electronului Ez este
determinat de mrimea proieciei impulsului Pz i masa efectiv m*z . Prin urmare, unui numr
discret de valori Pz corespunde anumite valori cuantice strict determinate ale energiei micrii
electronului, perpendicular suprafeei peliculei sau firului cuantic:

n
P2
Ez z *
2mz 2m*z d 2

(1.1)

adic, energia micrii transversale se cuantific. Astfel, valoarea minimal Pz Pz =/d n


proba cu grosimea d. Respectiv, diferit de zero este i energia cinetic minimal a electronilor
0 n prob, numit energie nul. Valoarea ei este determinat de expresia E0

2h2
.
2m*z d 2

Schimbarea spectrului energetic contribuie la o schimbare semnificativ a dependenei densitii


strilor de electroni de energia electronilor g(). Funcia g() influeneaz asupra tuturor
caracteristicilor electronice ale corpurilor solide: conductibilitatea electric, conductibilitatea
termic, magnetorezistena, fora termoelectromotoare, momentul magnetic .a. n probele
masive densitatea strilor n apropiere de marginea benzilor are un caracter lin monoton. n
pelicula i firul cuantic g() are forma prezentat n Figura 1.2 [11-16].

(a)

(b)

Fig. 1.2. (a) Structura de band a bismutului ce prezint despicarea subbenzilor datorit efectului
de cuantificare dimensional. (b) Densitatea strilor de energie n materiale 1-D i 3-D.[16]

23

ECD se manifest n dependenele coeficienilor termoelectrici i cinetici a corpurilor


solide n funcie de dimensiunile caracteristice ale lor, cnd ele devin comensurabile cu lungimea
efectiv de und de Broglie = h/P = h/2m*F a excitaiilor elementare.
n experiment, ECD poate fi nregistrat doar la ndeplinirea unui ir de condiii. n primul
rnd comensurabilitatea grosimii probei cu lungimea de und de Broglie , ce definete o clas
de substane, care sunt mai potrivite pentru a observa ECD. n al doilea rnd, distana dintre
nivelele dimensionale E = n+1 - n, trebuie s fie mai mare dect limea lor , n caz contrar
toate caracteristicile spectrului vor fi neclare. Limea nivelului este determinat de mrimea /,
unde - timpul de relaxare. Condiia E >> E = h/ indic faptul c sunt necesare probe cu o
valoare nalt , adic cu lungime mare a parcursului liber. n al treilea rnd, temperatura probei
trebuie s fie destul de joas, pentru ca lrgimea de ordinul (tergerea termic) kT de
distribuie a electronilor pe nivele energetice s fie mai mic dect distana dintre nivelele
dimensionale. n al patrulea rnd, proba trebuie s fie destul de uniform dup grosime, pentru ca
schimbarea poziiei nivelelor dimensionale n diferite regiuni (dup lungime), ca urmare a
variaiei aleatoare a grosimii, s fie mai mic semnificativ dect distana dintre ele. Variaia dup
grosime trebuie s satisfac condiia:

d
2n 1
=
, unde n numrul subbenzii. mprtierea
d
2n 2

electronilor de la hotare trebuie s fie preferenial prin oglind, pentru ca valoarea proieciei
cuasiimpulsului Pz la reflexia de la suprafa s nu se schimbe. Astfel, pentru realizarea i
nregistrarea ECD sunt necesare materiale cu masa efectiv mic a purttorilor, energia Fermi
mic, lungimea mare a parcursului liber al electronilor, mprtierea prin oglind la suprafa,
uniforme dup grosime i experimentele este necesar de efectuat la temperaturi joase. Cel mai
deplin, toate aceste condiii menionate mai sus le satisface - bismutul. Nu nzadar, n bismut a
fost pentru prima dat descoperit ECD i pe baza lui au fost efectuate cel mai mare numr de
cercetri.
Bazele teoretice ale ECD au fost puse nc n lucrrile [11-15], iar confirmare
experimental a fost obinut n pelicule subiri din bismut, proprietile crora au fost cercetate
multilateral ntr-un interval extins de grosimi [17, 18].
Prof. Sandomirski a demonstrat c, existena energiei minime finite, care este determinat
de grosimea peliculei [14], prezint cauza micorrii ntreptrunderii benzilor n semimetale i la
o oarecare grosime d poate duce la tranziia din semimetal n semiconductor [19]. n modelul
groapei dreptunghiulare cu perei infinit de nali pentru semimetalul izotrop grosimea d coincide

24

cu perioada oscilaiilor d. Autorii lucrrii [20] au nregistrat experimental tranziia semimetalsemiconductor la schimbarea grosimii peliculei bismut-stibiu.
Conform lucrrilor teoretice [11-15,17] apariia ECD se va manifesta pe dependenele
oscilatorii de grosime ale conductibilitii electrice. Experimental a fost demonstrat c
dependenele de grosime ale rezistenei, coeficientul Hall, magnetorezistena, precum i
concentraia n pelicule subiri din Bi, depuse pe un substrat de mic, au un caracter oscilatoriu.
La cercetarea ECD, de asemenea, a fost utilizat spectroscopia tunel. Gogadze i Kulik
[21] au artat c, curentul tunel n pelicula cuantificat dimensional este o funcie oscilatorie de
decalare, ce reflect densitatea strilor. n lucrrile teoretice, de regul, se analizeaz modelul
ideal al peliculei monocristaline cu suprafee netede ca oglinda. Prezena defectelor n volum i
suprafaa rugoas contribuie la micorarea amplitudinii oscilaiilor cuantice.
Cu totul altfel stau lucrurile n firele cuantice din Bi i aliajele lui, n special n plan
experimental. Dac n pelicule subiri, experimentele principale pentru a observa ECD se refer
la nregistrarea dependenelor oscilatorii de grosime ale rezistenei, efectul Hall, mobilitatea .a.
n Bi i aliajele lui [17-20], atunci n fire subiri din Bi exist doar o singur lucrare
experimental, n care se prezint prima nregistrare a dependenei oscilatorii a conductibilitii
de diametrul firelor din Bi, atribuit manifestrii ECD [16]. Acest lucru se datoreaz faptului c,
pentru a nregistra efectele oscilatorii pe dependenele de grosime n pelicule, experimental se
realizeaz simplu pasul necesar dup grosime prin metoda de depunere a peliculelor cu pan
cu creterea treptat a grosimii ei pe lungimea peliculei. n cazul firelor, o astfel de cercetare este
necesar de efectuat n fire singulare cu diferite diametre (o serie de fire singulare circa 30-40) cu
aceeai orientare cristalografic, structur, calitate i pasul dup grosime 250 , ce e dificil de
realizat experimental.
Apariia n anul 1993 a lucrrii prof. M. Dresselhaus, dedicat firelor cuantice din bismut,
n care s-a prezis o cretere semnificativ a eficienei termoelectrice datorit ECD, a stimulat un
numr impuntor de grupe de cercetare pentru a studia i investiga firele cuantice din Bi [22-27].
S-a demonstrat c, tranziia semimetal-semiconductor n fire cuantice din Bi, ce are loc datorit
efectului de cuantificare dimensional, depinde de orientarea cristalografic a firelor, diametru i
temperatur (Figura 1.3).

25

Fig. 1.3. Structura subbenzilor la temperatura 77 K n fire cuantice din Bi, orientate n direcia de
cretere (0112), ce indic dependena energiei celor mai superioare subbenzi pentru purttorii de
sarcin golurile n punctul T i golurile n punctul L, precum i a subbenzilor inferioare pentru
suprafeele electroniilor L (A, B, C) n dependen de diametrul firelor. Energia zero se atribuie
fundului benzii de conducie n Bi masiv. Cu micorarea diametrului d, subbenzile benzii de
conducie se ridic pe scara energiei n sus, iar a benzii de valen se deplaseaz n jos. La d =
49 nm fundul celei mai inferioare subbenzi de conducie format de electronii B i C n L
intersecteaz cea mai nalt extremitate a subbenzii benzii de valen n punctul T i are loc
tranziia semimetal-semiconductor. [25]
Calculele factorului de putere P. f . 2 i a factorului de calitate termoelectric

2
ZT
T , unde e conductibilitatea termic a electronilor, r - conductibilitatea termic
e r
a reelei n sisteme cu gropi cuantice i fire [22-24], au artat c asupra acestor valori are un
impact schimbarea densitii strilor electronilor, determinat de micorarea dimensiunilor. Mai
trziu, atenia cercettorilor a fost atras de suprareelele din fire cuantice i puncte [25-27].
Calculele au prezis o cretere semnificativ a P.f. i Z la micorarea dimensiunilor transversale a
gropilor i firelor, determinate de creterea forei termoelectromotoare datorit caracteristicilor
densitii strilor la fundul celei mai inferioare subbenzi de cuantificare dimensional.
ntr-adevr, din expresia (1.1) se vede c, utiliznd caracteristicile densitii strilor n
sisteme cu dimensiuni reduse, poate fi obinut o cretere semnificativ a asimetriei densitii

26

strilor i, respectiv, o cretere a forei termoelectromotoare pe calea schimbrii poziiei nivelului


Fermi n raport cu aceste caracteristici. O astfel de cretere a forei termoelectromotoare a fost
nregistrat experimental n lucrrile [24, 28] n suprareele PbTe/Pb1-xEuxTe. Cu acest efect au i
fost iniial legate speranele axate pe sistemele de dimensiuni reduse.
n fire cuantice, factorul de putere poate crete considerabil n comparaie att cu
materialele masive, ct i cu straturile cuasibidimensionale. Cauza este gradul nalt de limitare
cuantic a micrii purttorilor n ele, ce duce la caracteristici brute ale densitii strilor de
electroni la limita benzii permise. n lucrarea [22] teoretic s-a demonstrat c, factorul de calitate
termoelectric n firul cuantic depinde puternic de grosimea lui. O cretere considerabil a
factorului de calitate are loc la grosimi mai mici dect lungimea de und de Broglie a
electronului. Pentru firele din Bi2Te3 cu grosimea 5 factorul de calitate ZT atinge valoarea 14
la temperatura camerei, pe cnd n probele masive ale acestui material ZT n aceleai condiii
atinge valoarea 0.7 (similar gropilor cuantice, calculele au fost efectuate n aproximaia timpului
de relaxare constant). Aceast concluzie a fost confirmat i ntr-o lucrare aprut ulterior [29],
unde se prezint modelul teoretic simplificat a structurii electronice a Bi, modificat pentru
sistemul unidimensional i n baza lui sunt calculate schimbrile structurii de band i
proprietile termoelectrice n nanofire din bismut n dependen de grosimea lor. A fost analizat
nanofirul cu seciunea transversal n form de ptrat crescut n lungul axei trigonale. La
alegerea corespunztoare a grosimii firului i a concentraiei electronilor, calculul (n continuare
n aproximaia timpului de relaxare constant) a artat o cretere considerabil a factorului de
calitate termoelectric pentru grosimi mici.
Rezultate analogice au fost obinute i n lucrarea [25], unde a fost dezvoltat modelul
teoretic al transportului de electroni n fire cuantice din bismut cu form cilindric. Reieind din
structura de band a bismutului i utilizarea n continuare a teoriei cuasiclasice de transport i
aproximaia timpului de relaxare constant, autorii au calculat ZT pentru fire cu diferite diametre,
orientare cristalografic i dopare (Figura 1.4).
Rezultatele au artat c, pentru aplicare n termoelectricitate cea mai avantajoas este
orientarea trigonal a firului cu diametre mai mici de 10 nm ZT > 1 (Figura 1.5 a). De asemenea,
a fost cercetat rolul golurilor grele n extremul T i s-a constatat c, ZT poate crete n mod
considerabil, n special, n materiale de tipul p, dac ar fi posibil de redus concentraia acestora
(Figura 1.5 b).

27

Fig. 1.4. Valoarea calculat a diametrului critic dc a firelor la tranziie semimetal-semiconductor


n funcie de temperatur pentru nanofire din Bi n lungul diferitor direcii cristalografice. [25]

(a)

(b)

Fig. 1.5. (a) Valoarea Z1DT calculat la temperatura 77 K n funcie de concentraia donorilor Nd
pentru nanofire din Bi de tipul n cu diametrul 10 nm orientate n direciile cristalografice:
trigonal, binar, bisectoare, (1011) i (0112).
(b) Valoarea Z1DT calculat la temperatura 77 K pentru nanofire din Bi de tipul p cu diferite
diametre orientate n lungul axei trigonale n funcie de concentraia impuritilor acceptoare Na.
Curbele ntrerupte prezint rezultatele ce presupun c nu avem goluri n punctul T. Pe inserare
este prezentat dependena Z1DT de Na calculat pentru nanofirul cu d = 5 nm. [25]

28

Trebuie de remarcat c, concluziile obinute n aceste lucrri, n aproximaia timpului de


relaxare constant, trebuie tratate cu precauie. Calculele, efectuate n aceeai aproximaie pentru
gropile cuantice, sunt corecte doar n cazul n care n material predomin mprtierea pe fononii
optici [30, 31]. Calcule mai exacte pentru fire cuantice au fost efectuate n lucrrile publicate
ulterior [32, 33].
O micorare considerabil a conductibilitii termice n nanofire n comparaie cu
materialul masiv a fost prezis teoretic n lucrarea [34]. n lucrarea dat, prin rezolvarea ecuaiei
Boltzmann a fost calculat conductibilitatea electric a reelei pentru firul liber. Reflexia difuz
i prin oglind a fononilor de la suprafaa firului au fost luate n considerare innd cont de
condiiile limit corespunztoare pe funcia de distribuie a fononilor. Drept exemplu a fost
analizat firul liber din GaAs la temperatura camerei.
S-a artat c, efectul de micorare a conductibilitii termice la micorarea grosimii se
manifest mai puternic n fire dect n straturi plane. Aceasta se explic prin raportul mare al
suprafeei ctre volum n nanofir n comparaie cu stratul, ce contribuie la creterea mprtierii
superficiale a fononilor i micorarea conductibilitii termice.
Nanofirele libere, ns, sunt incomode pentru aplicaii practice. Probabil, din aceste
considerente n lucrrile [35, 36] a fost propus o metod de cretere a factorului de calitate
termoelectric cu ajutorul compozitului, n care matricea din material termoelectric InSb sau
b, conine o serie ordonat de fire paralele cu conductibilitate joas, ce formeaz n matrice o
reea dreptunghiular. S-a demonstrat c, datorit efectului de cuantificare dimensional, pentru
electronii matricei, putem obine o cretere a factorului de putere, dac n mod corespunztor se
aleg parametrii structurii, perioada suprareelei i grosimea firului. Creterea estimat a
factorului de putere n comparaie cu materialul matricei este de 2.5 ori n compozitul pe baz de
b i 3.5 ori n compozitul pe baz de InSb la o perioad a structurii 5 10 nm la temperatura
camerei.
Lucrri experimentale, cu privire la proprietile termoelectrice ale nanofirelor, sunt mult
mai puine n comparaie cu cele teoretice.
Cea mai mare parte a lucrrilor experimentale pe fire cuantice din Bi, este dedicat
metodelor de preparare a firelor de dimensiuni nanometrice i nregistrrilor tranziiei semimetalsemiconductor ce are loc datorit efectului de cuantificare dimensional, nregistrat pe
dependenele de temperatur i grosime ale rezistenei. Probele n form de masive de nanofire
din Bi, obinute prin metoda de presare a Bi topit n matricea dielectric poroas Al2O3 sau
membran din policarbonat, cu diametrul porilor predeterminat, sunt obiecte de studiu pentru
marea majoritate a cercettorilor ce investigheaz firele din Bi [37-40].

29

Diametrul firelor poate fi obinut de la 1 nm pn la 1 m, iar densitatea nanofirelor n


matrice este de 104-107 nanofire/mm2.
Prima nregistrare experimental a creterii considerabile a forei termoelectromotoare n
compozite, ce conin nanofire din Bi cu diametrul 9 i 15 nm n oxid de aluminiu poros sau n
silicagel, a fost efectuat n lucrarea [40]. Dependena de temperatur a rezistenei electrice a
artat c probele erau semiconductori cu o lime a benzii interzise 0.17-0.4 meV. Pentru probele
cu fire din Bi cu diametrul 15 nm n SiO2 fora termoelectromotoare era negativ i la
temperatura 100 K valoarea absolut a fost de aproximativ 1*104 V/K, micorndu-se pn la
50 V/K la temperatura 300 K (ultima valoare corespunde bismutului masiv). n probele cu fire
din Bi de 9 nm n Al2O3 fora termoelectromotoare era pozitiv i depea valoarea 2*104 V/K
la temperaturi 100-300 K; n una din probe a fost nregistrat o valoare de aproximativ
2*105V/K. ns, cu toate acestea, rezistena probelor atinge valori de Mega Ohmi, ce n general
nu contribuie la creterea eficienei termoelectrice.
Utilizarea practic a acestor fire este incontestabil n cazul nregistrrii unei eficiene
termoelectrice nalte. ns, lungimea mic a nanofirelor 100 m (grosimea membranei)
complic semnificativ efectuarea experimentelor pentru cercetarea proprietilor termoelectrice
fora termoelectromotoare i, n special, conductibilitatea termic, i necesit elaborarea
metodelor speciale de msurare. Mai mult ca att, numrul canalelor umplute n membran nu
este cunoscut, fapt ce nu permite s determinm chiar i rezistena specific i respectiv factorul
de putere P.f. = 2.
Metodele de depunere chimic, epitaxia cu fascicul molecular, litografia cu fascicul de
electroni, de asemenea se utilizeaz pentru obinerea nanofirelor [41, 42]. ns, firele obinute
prin astfel de metode tehnologice sunt policristaline, fapt ce exclude manifestarea efectului de
cuantificare dimensional.
Exist cteva lucrri cu privire la obinerea firelor singulare din Bi [43-45] majoritatea
din care sunt dedicate specificului de cretere a astfel de obiecte, temperatura de topire,
caracteristicilor structurale. n lucrarea [45] n nanofire singulare (individuale) din Bi cu d =
120nm a fost obinut o valoare nalt a mobilitii electronilor ~ 76900 cm2/(V s) i lungimea
parcursului liber = 1.35 m la temperatura camerei. De asemenea, a fost nregistrat o valoare
gigant a magnetorezistenei transversale (2496%) la temperatura 110 K n nanofire cu diametrul
d = 400 nm i, cum menioneaz autorii, aceast valoare cea mai mare din datele cunoscute n
literatur, vorbete despre perfeciunea structural nalt a firelor. Nectnd la faptul c, conform
lucrrilor teoretice [46], cea mai mare valoare a eficienei termoelectrice Z trebuie de ateptat n
fire cuantice din Bi i Bi1-Sb cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului, exist
30

doar cteva lucrri experimentale n care au fost obinute nanofire din Bi cu orientare
cristalografic trigonal [47, 48]. Se datoreaz acest lucru procesului tehnologic dificil de
obinere a lor. De obicei, indiferent de metodele tehnologice de obinere a firelor, orientarea
cristalografic a lor este (1011) n lungul axei firului (direcia de cretere preferenial a Bi). n
lucrarea [49] este prezentat metoda de recristalizare a nanofirelor din Bi n cmp magnetic
puternic, cu ajutorul creia s-a reuit de a obine fire singulare din Bi cu orientare cristalografic
trigonal n lungul axei firului. ns, cercetri n baza acestor fire nu au fost efectuate. n lucrrile
prof. Heremans [50] i Moor [51] a fost cercetat conductibilitatea termic n nanofire singulare
din Bi crescute prin metoda de depunere din vapori, ce prezint o suprimare considerabil a
conductibilitii termice n comparaie cu Bi masiv.
n literatura de specialitate este cunoscut doar o singur lucrare cu privire la cercetarea
anizotropiei conductibilitii termice n fire monocristaline singulare din Bi cu diferite diametre
i orientri cristalografice [1]. Pentru prima dat a fost nregistrat o anizotropie nalt a
conductibilitii termice (Figura 1.6), adic, conductibilitatea termic n nanofirele din Bi
crescute n direcia (110), care este perpendicular axei trigonale, este de 4 ori mai mic dect n
nanofirele crescute n direcia (102), care formeaz un unghi de 10.85 cu axa trigonal. Cu
micorarea diametrului firelor conductibilitatea termic se micoreaz.

Fig. 1.6. (a) Dependenele conductibilitii termice de diametrul nanofirelor din Bi crescute n
direciile (102) (hexagoane roz) i (110) (circumferine albastre) la temperatura 300 K. Liniile
ntrerupte reprezint adaptarea linear a conductibilitii termice msurate pentru fiecare direcie
de cretere a nanofirelor din Bi. Conductibilitatea termic (triunghi verde) a nanofirului din Bi n
direcie perpendicular axei trigonale msurat de Moor .a. [51].
(b) Direciile de cretere ale nanofirelor din Bi. [1]

31

Pn n prezent, n literatur nu mai sunt cunoscute lucrri cu privire la cercetarea


anizotropiei proprietilor termoelectrice (fora termoelectromotoare i conductibilitatea termic)
n nanofire din Bi.
Exist un ir de lucrri tiinifice n care sunt prezentate rezultatele cercetrilor
proprietilor electrice i termoelectrice n fire monocristaline din Bi n nveli de sticl cu
diametrul miezului pn la 50 nm [52-57]. n aceste lucrri sunt prezentate un ir de efecte noi ce
se atribuie att ECD ce se manifest n proprietile termoelectrice, ct i efectele de interferen,
efecte atribuite manifestrii cuantificrii fluxului magnetic, tranziiile topologice induse prin
deformare, dopare, cmp magnetic, stri de suprafa.
Astfel de fire singulare n nveli de sticl (50-70 nm) lungimea crora atinge civa mm,
sunt obiecte potrivite pentru studiul experimental complex al proprietilor termoelectrice i
magneto-termoelectrice. ns, firele au una i aceeai orientare cristalografic (1011) n lungul
axei firului, ce pe de o parte mpiedic cercetarea anizotropiei proprietilor i dependena ei de
diametru i temperatur, iar pe de alt parte obinerea firelor cu orientare cristalografic trigonal
cu amplasarea simetric a elipsoidelor n raport cu cuantificarea dimensional, n care a fost
prezis o cretere maximal a eficienei termoelectrice, ar permite s efectum cercetri
experimentale a proprietilor termoelectrice i s evalum concluziile i previziunile
elaborrilor teoretice.

1.3. Cercetarea bismutului dopat, anizotropia fenomenelor de transport


Cercetrii probelor masive din Bi dopat sunt dedicate un numr impuntor de lucrri ce
includ monografii, lucrri de sintez, brevete i diverse tehnologii de obinere i control a
structurii i calitii cristalelor [7, 58-69].
Specificul comportamentului impuritilor n semimetale dependena lui de temperatur
T difer de cea n semiconductori, unde aceast dependen crete cu creterea temperaturii. n
metale concentraiile mici de impuriti determin o mprtiere suplimentar a purttorilor de
sarcin fr a schimba concentraia lor, iar n semiconductori ele sunt furnizorii principali a
purttorilor de sarcin neliberi i schimbrile proceselor de relaxare create de ele joac un rol
semnificativ. n semimetale ambii factori influeneaz vizibil asupra proprietilor aliajelor.
ntreptrunderea slab a benzilor n semimetale contribuie la faptul c nivelul de impuriti se
ncadreaz n zona strilor cuasicontinui, dar spre deosebire de metale, trebuie s se localizeze n
apropierea extremelor energetice.

32

La doparea bismutului cinetica purttorilor de sarcin se complic prin anizotropia


puternic a spectrului energetic, n special prin prezena n apropierea nivelului Fermi a ctorva
extreme energetice, neechivalente dup proprietile de simetrie.
S-a determinat c impuritile cu valena, ce difer de valena bismutului mai mult de o
unitate, practic nu schimb concentraia purttorilor i au un nivel foarte sczut de solubilitate.
Cele mai active impuriti n Bi sunt elementele cu valena patru (Sn, Pb) i ase (Te, Se) [5865].
Cercetarea efectelor galvanomagnetice i a oscilaiilor cuantice n probe masive ale
aliajelor Bi1-Sn, Bi1-Pb i Bi1-Te, Bi1-Se au demonstrat c Sn i Pb n raport cu Bi sunt
acceptori, iar Te i Se donori [58-65]. O concentraie destul de mic a purttorilor de sarcin n
bismutul pur n comun cu densitatea mic a strilor n benzile actuale, contribuie la modificri
semnificative ale energiei Fermi chiar i la dopare slab. Astfel, impuritile donoare i
acceptoare permit s deplasm nivelul Fermi n limite extinse (Figura 1.7), ce, pe de o parte, este
necesar pentru a obine dependenele energetice a parametrilor spectrului i realizarea diferitor
tipuri de tranziii electronice topologice, iar din punct de vedere practic doparea permite de a
optimiza parametrii termoelectrici.

Fig. 1.7. Structura de band i poziia nivelului Fermi n aliaje Bi-Sn (stnga) i Bi-Te (dreapta).
Eficiena impuritilor se estimeaz de ctre aa-numitul coeficient de eficien sau
coeficient de eficacitate , egal cu raportul dintre concentraia purttorilor de impuriti ctre
concentraia atomilor de impuriti. n lucrrile [64-66] s-a artat c Sn i Te sunt impuriti
monovalente monoacceptoare i monodonoare ( = 1) n bismut. n lucrrile [7, 69] au fost
nregistrate valori semnificativ mai mici (Pb ~ 0.1, Sn ~ 0.25). Compararea rezultatelor
experimentale a eficacitii impuritilor obinute de diferii autori demonstreaz o
neconcordan semnificativ a lor [7, 62-69]. Probabil, n cazul cnd < 1 nu toi atomii de
impuritate se afl n stare ionizat. S-a constat c elementele uneia i aceleiai grupe posed o

33

eficacitate diferit de aciune asupra proprietilor electrice ale Bi. Impactul Te i Sn este mult
mai puternic asupra rezistenei Bi, dect cel al Se i Pb.
n lucrarea [58] este generalizat un ciclu impuntor de lucrri dedicate cercetrii
fenomenelor cinetice n Bi dopat i aliajele lui la temperaturi ale azotului lichid i a camerei. O
informativitate nalt n studiul structurii de band, realizat pe baza metodelor coeficienilor
cinetici, s-a reuit de a atinge datorit utilizrii largi a considerentelor de simetrie [58, 59].
Anizotropia puternic a spectrului energetic se manifest n anizotropia proprietilor
cinetice. Analiza diagramelor unghiulare, la rotirea probelor monocristaline orientate diferit n
cmp magnetic, va permite s determinm cu certitudine participarea diferitor grupe de purttori
de sarcin la fenomenele de transport prin varierea cantitii impuritilor de dopare i
schimbarea temperaturii; se face concluzia despre actualitatea grupelor corespunztoare a
purttorilor n bismut n dependen de nivelul de dopare i temperatur.
Pe dependenele de temperatur i concentraie se evideniaz clar aliajele cu
conductibilitate mixt electron-gol, cu o band a electronilor, cu una i dou benzi a
conductibilitii golurilor. Astfel, s-a stabilit c impuritile donoare (, Se) mresc concentraia
electronilor i micoreaz concentraia golurilor T, reducnd-o la zero la o anumit cantitate a
atomilor de impuriti. Conform datelor din lucrarea [58] aliaje cu o band actual a purttorilor
de sarcin la temperatura 77 K sunt aliajele ce conin > 0.02%at i > 0.08%atSe, iar la
temperatura 300 K aliajele ce conin > 0.1%at i > 0.3%atSe. Fora termoelectromotoare
diferenial n astfel de aliaje cu o band actual a purttorilor de sarcin este izotrop [70-72].
Doparea cu impuriti acceptoare (Sn, Pb) micoreaz concentraia electronilor pn la
zero, iar determinant devine contribuia golurilor T [73]. La mrirea n continuare a coninutului
de impuriti, n proces se includ golurile uoare L.
Eficacitatea nonintegral a impuritilor n bismut a fost identificat n lucrrile [60, 74]
la cercetarea oscilaiilor cuantice ale susceptibilitii magnetice n aliaje BiPb, Bi1-xTex, Bi1-xSex
la temperatura 4.2 K. Important a fost faptul c, n lucrrile [68, 75] eficacitatea impuritilor
depinde considerabil de temperatur; cu creterea temperaturii de la 77 pn la 300 K
coeficientul de eficacitate a telurului se micoreaz de la 0.7 pn la 0.4. n lucrrile [60, 74] s-a
determinat c coeficientul de eficacitate a plumbului i seleniului n intervalul de temperaturi 1.6
20.4 K practic nu se schimb.
ns, rmne neclar ntrebarea cu privire la dependena eficacitii de temperatur,
precum i nu este clar cauza impactului diferitor factori tehnologici asupra mrimii eficacitii
pentru diverse impuriti.

34

Un numr impuntor de lucrri sunt dedicate cercetrii legilor de dispersie n banda de


conducie L i benzilor de valen L i T [60, 74, 76-83]. n principiu au fost cercetate metodele
oscilatorii: efectul Shubnikov de Haas, oscilaiile magneto-susceptibilitii efectul de Haas van
Alphen, cercetarea spectrelor de reflexie a plasmei [82].
Aplicarea metodelor oscilatorii la cercetarea bismutului dopat a permis s stabilim lipsa
punctelor a la fundul benzilor de conducie i la limita superioar a benzii de valen n Bi, s
determinm asimetria benzilor n punctul L [78], s demonstrm c ntr-un diapazon extins de
concentraii a impuritilor acceptoare pentru Bi rmne veridic modelul benzilor rigide, s
determinm creterea masei ciclotronice mici n punctul T cu energia Fermi [84]. S stabilim c
anizotropia suprafeelor izoenergetice n punctul L practic nu se schimb cu energia, s artm c
spectrul energetic al purttorilor de sarcin n punctul L n Bi este descris n mod satisfctor
prin legea de dispersie simplificat Mc.Clure [85].
La dopare slab N < 1019 cm-3 exist o bun concordan ntre datele experimentale a
diferitor autori, ns la concentraii N > 1019 cm-3 concluziile lucrrilor [79] i [81] cu privire la
legea dispersiei au caractere opuse.
Exist un ir de lucrri teoretice n care se analizeaz strile de impuriti n Bi i alte
materiale similare [86, 87]. n lucrarea [87] n baza modelului Abrikosov i Falkovsky [88] sunt
calculate nivelele posibile de impuriti n Bi.
Estimrile teoretice au artat c din cauza ecranrii potenialului impuritilor de ctre
purttorii de sarcin liberi n punctul L localizarea purttorilor de sarcin pe centrele de
impuriti este puin probabil [86]. Chiar i n cazul formrii nivelului de impuriti el n mod
inevitabil nimerete n spectrul strilor permise, ce trebuie s conduc la delocalizare.
Nu exist dovezi experimentale directe cu privire la existena n spectrul Bi dopat a
nivelelor de impuriti locale sau cuasilocale [89].
O analiz teoretic a strilor de impuriti n astfel de sisteme slabdegenerate, cum sunt
semimetalele, sunt efectuate n lucrarea [89]. n calcule sunt luate n considerare specificul
legturilor chimice n semimetale i natura interaciunii atomilor de impuriti cu atomii din
mediu. n cadrul teoriei cmpului cristalului i a metodei orbitalelor moleculare a fost analizat
comportamentul subsistemei de impuriti, identificat cauza fizic a apariiei strilor de
impuriti localizate n sisteme slabdegenerate i mecanismele de interaciune ale lor. Acestor
stri le sunt specifice dou caracteristici: ele nu se refer la un singur centru, ci aparin ntregii
celule elementare, iar distribuia sarcii electronului este astfel nct cea mai mare popularitate se
gsete la atomul de impuritate. Enegia strilor de impuriti este destul de aproape de nivelul
Fermi n sistemul electronilor liberi. Aceast circumstan, n mod evident, are un impact asupra

35

proprietilor cinetice i termodinamice n sisteme slabdegenerate de tipul bismutului n


condiiile de existen a unui mecanism de amestecare a strilor de impuriti localizate i
celor colectivizate de ctre cmpul cristalului. n calculele prezentate n lucrarea [90] este dedus
expresia analitic pentru coeficientul de eficacitate a impuritilor n dependen de temperatur
i nivelul de dopare. S-a demonstrat c pentru impuritile grupelor IV i VI n bismut este
caracteristic existena strilor localizate i zonale i amestecul lor de ctre cmpul cristalului pe
nodul de impuritate. Vecintatea nivelului de impuritate lng nivelul Fermi al sistemei i
interaciunea amestecului duce la o dependen complex a coeficientului de eficacitate a
impuritilor n funcie de factorii externi (temperatur, concentraia impuritilor, deformarea
cristalului .a.). La concentraii < 0.03%atSn dependena n funcie de poate fi neglijat.
Conform lucrrilor [90, 91] dou valori limit le corespund dou poziii diferite ale atomului
de impuritate n reeaua bismutului. Dac 1, atunci atomul de impuritate tinde s ocupe
poziia vacant a atomului de Bi n matrice i este deplasat n planul perpendicular axei C3 dac
0. Anume n acest sens vorbim despre o tranziie structural n subsistemul impuritilor,
indus de factorii externi. Ins, confirmare experimental direct i exact cu privire la existena
strilor de impuriti n Bi dopat nu este.
n lucrarea [92] la cercetarea monocristalelor cilindrice subiri din bismut, dopate cu
impuriti donoare i acceptoare, s-a obinut c coeficientul de eficacitate al staniului Sn
depete de 3-4 ori, iar a plumbului Pb mai mult dect cu un ordin de mrime, coeficientul n
probele masive din bismut i crete cu micorarea diametrului probelor d la temperatura 4.2 K.
Se presupune c depinde de factorii tehnologici, formarea clusterilor de impuriti, depunerea
impuritilor pe dislocaii, localizarea atomilor de impuritate n interstiii. Specificul de fabricare
a firelor subiri dup metoda lui Ulitovski exclude posibilitatea de formare n fire a formaiunilor
cluster a impuritilor i asigur distribuia uniform a impuritilor de dopare n volumul
microfirului, iar mecanismul de depunere a impuritilor pe dislocaii, n fire cu grosimi mici, se
manifest mult mai slab dect n cazul monocristalelor masive.
Din aceste considerente cercetarea firelor din Bi dopat n nveli de sticl, obinute prin
metoda de turnare din faza lichid cu viteza de cristalizare pn la 106 /sec, va permite s
obinem fire ntr-un diapazon extins de solubilitate, iar studiul complex al efectelor oscilatorii n
cmpuri magnetice pn la 14 T i cercetarea concomitent a efectelor galvanomagnetice i
termoelectrice n fire cu diferit coninut i diametru va permite s determinm anomaliile legate
de tranziiile topologice, particularitile de manifestare ale crora n semimetale sunt prezentate
mai jos.

36

1.4. Tranziiile electronice topologice Lifshitz n bismut i aliajele lui


Suprafaa Fermi depinde de tipul de atomi, ce formeaz corpul solid cristalin, i de
structura cristalin n care aceti atomi sunt ordonai. Caracteristicile cinetice i termodinamice
ale corpurilor solide, n mare msur, sunt determinate de forma suprafeei Fermi (SF), deoarece
purttorii de sarcin, amplasai pe nivelul Fermi, sunt cel mai aproape situai de strile libere i,
prin urmare, sunt cei mai eficieni. Cunoaterea formei SF face posibil determinarea multor
caracteristice termodinamice i cinetice n corpurile solide. La aplicarea diferitor factori externi
introducerea impuritilor izovalente i de dopare, compresiune hidrostatic i deformare
uniaxial .a. SF se poate schimba nu doar cantitativ, s se micoreze sau s creasc n volum,
ci i calitativ. n acest caz topologia suprafeei devine complet diferit. Schimbrile calitative ale
SF se pot produce att la schimbarea coninutului, de exemplu la dopare, ct i la un coninut
constant, de exemplu sub presiune. n ultimul caz, schimbarea intermitent a topologiei SF este
urmat de o tranziie de faz, care a fost numit tranziie de faz de ordinul 2,5 sau tranziie
topologic de faz. Densitatea strilor energetice a electronilor de conductibilitate

dN E / dE este legat de forma suprafeelor izoenergetice n spaiul impulsurilor (P) =


.
Aa cum a artat Lifshitz [93], particularitatea de radical n densitatea strilor energetice
a electronilor de conductibilitate dN E / dE , ce se realizeaz la anumite valori critice
ale energiei E = Ecrit, la care are loc schimbarea topologiei SF, contribuie la apariia anomaliilor
ntr-un ir de caracteristici termodinamice i cinetice ale metalelor la temperaturi joase.
Schimbarea topologiei SF se limiteaz la dou cazuri: 1. apariia (dispariia) cavitii noi a SF
tranziie electronic topologic (TET) de tipul formarea cavitii, 2. formarea (ruperea) punii
SF, un caz particular al cruia este trecerea de la SF nchis la cea deschis TET de tipul
ruperea punii. Punctul tranziiei topologice este un punct unic att a caracteristicilor
termodinamice, ct i cinetice [93, 94].
n majoritatea metalelor valoarea energiei critice crit, la care are loc schimbarea
topologiei SF, este situat destul de departe de potenialul chimic al electronilor i despre
prezena anumitor puncte crit putem vorbi doar dup analiza spectrelor de raze X. ns, dac
exist un parametru care se schimb continuu, la schimbarea cruia ( - crit) trece prin zero,
adic se schimb topologia suprafeei limit Fermi, caracteristicile densitii spectrale E i
dinamice a electronilor n apropiere de suprafaa critic (P) = crit contribuie la manifestarea
unor anomalii specifice a caracteristicilor termodinamice i cinetice a gazului electronic n
37

metale. Un astfel de parametru continuu poate fi nivelul de dopare cu impuriti donoare sau
acceptoare, sau deformarea reelei cristaline compresiune hidrostatic sau deformare
anizotrop.
Densitatea strilor n cristal se determin prin expresia [92, 95]:

dS p

2V

2
3

E p E

(1.2)

pE

Unde V volumul metalului, dSp elementul de suprafa a suprafeei E E P n spaiul P .

n apropierea punctului special crit, cum s-a demonstrat n lucrarea [93], densitatea strilor

E are forma:
E 0 E E

(1.3)

Unde 0 E - funcia neted E, iar E difer de zero doar de o parte fa de crit unde
numrul spaiilor SF este mai mare (de exemplu cnd > crit). n preajma crit o anumit parte a
funciei densitii strilor are forma:

0, E Ecrit

1
N
E
A E Ek 2 , A 3 , E Ecrit

(1.4)

Pentru numrul total de stri N() este veridic relaia:

N E E dE
E

(1.5)

n regiunea schimbrii topologiei SF:

N E N0 E N E
0,

N E 2
3 A E Ek

E Ecrit
3

(1.6)

, E Ecrit

Pentru potenialul termodinamic vom avea:

NdE
1 exp E / T
0

(1.7)

n regiunea Ecrit putem scrie n mod similar:


0
La temperaturi joase << Z, unde Z Ecrit - parametrul tranziiei, pentru partea singular

este veridic:

38

5

AT 2 exp Z / T , Z 0


2

2
4 AZ 5 2 AT 2 Z 1 2 ,
Z 0

15
6

(1.8)

La temperatura T = 0
Z 0
0,

4
5
2
AZ

, Z 0
15

(1.9)

Cum se vede din relaia (1.9), la temperatura T = 0 a doua derivat de la potenialul


termodinamic dup parametrul energetic Z n punctul Z = 0 are o inflexiune vertical, iar cea
de a treia tinde spre infinit ca Z-1/2. Prin urmare, mrimile termodinamice, ce sunt derivate de
ordinul doi i trei de la potenialele termodinamice, au caracteristici similare. Astfel de mrimi
sunt, de exemplu, coeficientul de compresibilitate a electronilor, cldura specific a electronilor
, coeficientul electronic de dilatare termic.
La temperatura = 0, dup terminologia introdus de Ehrenfest, aceste anomalii n mod
condiionat pot fi numite tranziii de faz de ordinul 2.5, deoarece parametrul tranziiei Z intr n
expresia pentru potenialul termodinamic la puterea 5/2. La temperatura 0
particularitile tuturor coeficienilor termodinamici se terg (vezi relaia (1.8)) i nu putem
vorbi cu exactitate despre o tranziie de faz. mprtierea pe impuriti i neomogenitile
reelei, similar temperaturii finale, de asemenea, duce la o tergere a anomaliilor brute a
coeficieniilor termodinamici, care au fost prezii de ctre I.M. Lifshitz. Din aceste considerente,
tranziiile de acest gen (analizate) nu sunt numite tranziii de faz de ordinul 2.5, ci tranziii
electronice topologice (TET).
Aa cum s-a demonstrat n lucrarea [96], luarea n considerare a temperaturii finale i a
proceselor de mprtiere nu contribuie la dispariia total a anomaliilor n coeficienii
termodinamici a metalelor. Mrimea tergerii n cazul cristalului neideal este determinat de
timpul de relaxare i expresia pentru partea neregular a densitii strilor are forma [96]:
1

1
A

2
2
2
2
E
E Ecrit E Ecrit ,

(1.10)

tergerea particularitilor () contribuie respectiv i la tergerea particularitilor


coeficienilor termodinamici, n special a cldurii specifice a electronilor p, coeficientului
electronic de dilatare termic V/T i a componentei electronice a compresibilitii [96].
n lucrarea [97], n care, prin metoda pseudopotenialului au fost efectuate calcule pentru
TET de tipul formarea cavitii i formarea punii n sistemul aliajelor Li1-xMgx, se atrage
39

atenia asupra faptului c n punctul critic Ecrit, n comun cu particularitatea de radical n


densitatea strilor (), exist o particularitate similar n lungimea parcursului liber al
electronilor l. (conform lucrrii [98] particularitatea are loc n timpul de relaxare ).
Diferii coeficieni cinetici, n particular conductibilitatea electric i conductibilitatea

termic , sunt egali cu integralele de la lungimea vectorial a parcursului liber l ( P) pe SF cu
diferite funcii de pondere [99] i, respectiv, ele toate conin particulariti de tipul

Z , unde Z 0 cnd Z 0 i Z 1 cnd Z 0 .


innd

cont

de

expresia

binecunoscut

pentru

partea

electronilor

fora

termoelectromotoare [99]:
e
2T ln E
e

3e
E

(1.11)

E F

autorii lucrrii [97] pentru prima dat au subliniat faptul c anomalia trebuie s fie exprimat
mult mai exact:

e Z

(1.12)

Cnd Z 0 fora termoelectromotoare n punctul TET crete semnificativ i aceast


cretere este limitat doar de tergerea tranziiei.
Calculele din lucrarea [97] au fost efectuate presupunnd c mecanismul principal de
difuzie este mprtierea pe impuriti, ns, pe lng aceasta, a fost indicat i faptul c la
mprtiere pe fononi anomaliile n i au o form similar, ns valorile absolute ale
particularitilor sunt aproximativ cu un ordin de mrime mai mici, dect la mprtierea pe
impuriti. Fora termoelectromotoare de antrenare a fononilor ph, contribuia creia sporete cu
creterea temperaturii, are, conform calculelor [97], ca i conductibilitatea , o particularitate
mult mai slab:

ph Z 2 Z
1

(1.13)

Cum s-a menionat anterior, Bi posed cele mai mici energii caracteristice. Avnd energii
caracteristice mici, Bi este un reprezentant al materialelor, spectrul energetic al crora este foarte
sensibil la diferii factori externi: cmpul magnetic, comprimare hidrostatic, deformare
uniaxial, introducerea impuritilor de dopare i izovalente. Cu ajutorul factorilor externi, n Bi
se pot realiza cele mai divesre, unicale cazuri de amplasare reciproc a benzilor L i T, precum i
fa de energia limit de umplere.

40

Prin schimbarea poziiei nivelului Fermi n raport cu extremele benzilor L i T, precum i


deplasarea poziiei relative a ultimelor, prin deformarea anizotrop a Bi cu impuriti, putem
realiza un ir de TET la care SF ia o form neobinuit, ce nu exist nici n condiii normale, nici
la comprimare hidrostatic i poate prezenta orice combinaie a elipsoidelor electronilor n L i a
golurilor n L i T, o parte din care au fost determinate experimental [78, 84, 100, 101].
n probe masive din Bi i Bi1-xSbx cu impuriti, n lucrrile [78, 100] au fost efectuate
cercetri sistematice ale TET de diferite tipuri, realizate pe calea aciunilor combinate ale doprii
i comprimrii anizotrope asupra spectrului. S-a demonstrat c, conform teoriei, caracteristicile
cinetice rezistena i fora termoelectromotoare manifest un comportament anomal, dei
anomalia forei termoelectromotoare, avnd forma unui vrf (maximum) asimetric, este deosebit
de pronunat. S-a constatat c, dependena de temperatur a amplitudinii i poziia forei
termoelectromotoare sunt n bun concordan cu teoria: cu creterea temperaturii maximul
(vtful) se extinde i se deplaseaz linear n regiunea coerenei mari a SF. Cercetarea
multilateral a anomaliilor forei termoelectromotoare i rezistenei la TET de toate tipurile
posibile, au fost nregistrate cu ajutorul oscilaiilor cuantice ShdH.
Rezultatele au permis s confirmm faptul c maximul pe dependena forei
termoelectromotoare de parametrul, ce provoac schimbarea structurii de band, ntr-adevr este
o trstur caracteristic TET i poate fi utilizat pentru determinarea lor n cazul cnd cercetarea
SF prin metode oscilatorii este imposibil, n special, la dopare puternic i la temperaturi nalte.
Trebuie de menionat c, cercetrile la deformri uniaxiale, efectuate n probe masive nu
depesc 0.2 0.3% alungire relativ. n acest sens, cele mai promitoare sunt cercetrile
efectuate n whiskeri i fire n izolaie de sticl, limita de deformare a crora atinge 2 3%
alungire relativ, ce depete cu un ordin de mrime pe cea similar n probe masive.
Cristalele perfecte n form de fire, crescute din faza gazoas n form de whiskeri subiri
(1 100 m), suport cele mai bune deformri elastice [102]. Astfel whiskerii din fier se
deformeaz elastic pn la 4.9%, Zn i Cd pn la 2%, Ag pn la 4%. Whiskerii din Bi i Sb
suport deformri pn la 1.5-2% [103, 104]
Durabilitatea cristalelor filiforme cu o grosime mai mic de 1 m se explic prin volumul
fr defecte i perfeciunea suprafeei. Corespunderea strict a anomaliilor rezistenei i forei
termoelectromotoare observate n punctul TET a fost stabilit la ntinderea whiskerilor din Al
[105] i Bi [103, 104].
Pe dependenele rezistenei n funcie de valoarea de alungire a whiskerului a fost
nregistrat o schimbare a nclinrii cu deformarea, crora le corespunde schimbarea topologiei
SF (dispariia cavitii de electroni), determinat din efectele cuantice oscilatorii [103, 104]. n
41

whiskerii din Bi la TET de tipul dispariia cavitii de electroni a SF, a fost nregistrat un
maximum al forei termoelectromotoare de polaritate pozitiv, limea cruia depete
semnificativ tergerea termic a termenelor.
7

2.8
2.6

2.4
2.2
1

2.0
1.8
1.6

1.4
1.2

1.0
0.8

f, 10 Oe

, V/grad

0.6
0.4
0.2

0.0

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2


l/l, %

Fig. 1.8. Dependenele perioadei oscilaiilor cuantice f i a forei termoelectromotoare de


alungirea relativ n whiskerii din Bi. = (l/l) (0). Punctele: - proba Nr. 1, curba
(1); - proba Nr. 2, curba (2). [103, 104]
Deosebit de atractive, n vederea nregistrrii TET la deformare, sunt firele din Bi i
aliajele lui n izolaie de sticl, deoarece, ele, n primul rnd, suport deformri elastice pn la
2-3% alungire relativ, ntr-un interval extins de temperaturi, astfel, se extind semnificativ
posibilitile de a observa diferite tipuri de TET n Bi i aliajele lui [50, 106]. n al doilea rnd,
posibilitatea de a obine fire cu valori ale diametrului d 100 nm, n care se realizeaz efectele
de cuantificare dimensional i cel clasic dimensional, deschide perspective de cercetare a
influenei efectului de cuantificare asupra spectrului energetic la TET ntr-un interval extins de
temperaturi i la dopare. i n al treilea rnd, spre deosebire de whiskeri, pentru care procesul de
msurare al ntinderii este asociat cu anumite dificulti experimentale, ce const n necesitatea
de a monta mecanic i electric probele de dimensiuni foarte mici, firele n izolaie de sticl se
monteaz foarte uor.
Nu este surprinztor faptul c anume n astfel de fire din bismut dopat Bi-0.02%atSn i
Bi-0.0025%atTe au fost nregistrate anomalii ale forei termoelectromotoare la TET i oscilaii

42

gigant ale magnetorezistenei n punctul TET, induse prin deformare elastic i nregistrate cu
ajutorul oscilaiilor ShdH [107-109], ce n comun confirm cert concluziile teoriei [110] cu
privire la anomaliile forei termoelectromotoare la TET.
Prezint interes cercetarea particularitilor TET n fire din Bi pur i Bi puternic dopat (cu
impuriti donoare i acceptoare) pentru a determina poziia benzilor grele i de conducie T,
precum i TET la deformri anizotrope puternice prin ntinderea firelor n diferite direcii
cristalografice, n special n direcia axei de ordinul trei C3, cercetarea crora la deformri
puternice (1-2% alungire relativ) pn la moment nu au fost efectuate.
1.5. Anizotropia forei termoelectromotoare i materiale pentru termogeneratoare
anizotrope
n lucrrile [111-116] a fost demonstrat c, n materialul, ce posed anizotropie a forei
termoelectromotoare, diferena de temperatur creaz un cmp electric nepotenial i, prin
urmare, un astfel de cristal nemperecheat poate servi drept surs a forei electromotoare, deci n
calitate de termoelement.
Principiul de funcionare al termoelementului anizotrop i particularitile lui este
urmtorul.

(a)

(b)

Fig. 1.9. (a) Reprezentarea schematic a cristalului cu for termoelectromotoare anizotrop.


(b) Modelul termoelementului de tip transversal n scurt circuit. [111]

43

n Figura 1.9 este ilustrat o plac, tiat din cristal, n care fora termoelectromotoare
ntr-o direcie, de exemplu n direcia ||, difer de cea n direcie perpendicular . Atunci, dac
tiem dintr-un astfel de cristal o plac astfel nct axa cristalografic s fie orientat sub un unghi
de 45 n raport cu feele plcii (Figura 1.9 b) i aplicm la feele superioar i inferioar
temperaturile T1 i T2, atunci de pe feele laterale poate fi nregistrat o tensiune, care este egal
cu [115]:
V

1

2

T1 T2
l
h

(1.14)

unde h limea plcii, l lungimea plcii. Pentru prima dat, un astfel de termoelement a fost
creat i ncercat pe baza cristalului CdSb, care nregistreaz o anizotropie a forei
termoelectromotoare de ordinul 150 V/K la temperaturi mai mari de cea a camerei. Din formula
prezentat rezult beneficiile care le posed un astfel de termoelement n calitate de surs de
tensiune n sisteme de msur [113, 114]:
a) n timp ce fora electromotoare n termocuplurile obinuite, este proporional diferenei de
temperaturi T1 - T2, n cazul dat ea este proporional gradientului de temperatur (T1 - T2)/h i,
prin urmare, micornd limea plcii h, putem majora tensiunea la aceeai diferen de
temperaturi;
b) n timp ce fora electromotoare n termocuplurile obinuite la o diferen de temperaturi
aplicat nu depinde de dimensiunile acestor termocupluri, n acest caz tensiunea este
proporional lungimii plcii l i, astfel, mrind lungimea plcii putem crete tensiunea;
c) pentru a obine tensiune electric nu sunt necesare lipituri, care deseori iese din funciune din
cauza difuziei i a altor motive. Acest ultim avantaj este valabil n special n cazul cnd pentru a
spori sensibilitatea este necesar de utilizat o mulime de termocupluri conectate n serie, fapt ce
contribuie la micorarea fiabilitii dispozitivului, defectarea unei lipituri implic deteriorarea
ntregii baterii din termoelemente anizotrope. Pentru a mri sensibilitatea este suficient s
mrim lungimea cristalului.
Primele termoelemente anizotrope (TA) au fost create din bismut monocristalin. Mrimea
i caracterul dependenei de temperatur a anizotropiei forei termoelectromotoare a Bi destul de
uor pot fi controlate prin dopare i introducerea straturilor maclate [117, 118]. Acest material sa recomandat bine n diverse receptoare de radiaie i microelemente. Aliajele Bi-Sb cu un factor
de calitate termoelectric nalt n intervalul 140 180 K este utilizat n coolere termoelectrice, ce
funcioneaz n cmp magnetic transversal [119, 120].

44

Astfel de monocristale cum ar fi i23 i la manufacturabilitate sczut posed o


stratificare i plasticitate sporit, ce contribuie la instabilitatea parametrilor electrici i
termoelectrici a lor. Acest fapt complic utilizarea a astfel de materiale pentru TA [121, 122].
Pe placa din CdSb la o diferen de temperaturi 1 - 2 = 100 , o lime a plcii de 0.05
cm i lungimea 1 cm, fora electromotoare atinge o valoare de 0.15 V, pe cnd n termocupluri
din cupru-constantan, ce se utilizeaz de obicei n sistemele de msur, la aceeai diferen de
temperaturi n cazul n care avem doar o singur lipitur nu putem obine mai mult de 0.004 V.
Experimental anizotropia forei termoelectromotoare a fost cercetat foarte puin. n
monocristale din CdSb, anizotropia forei termoelectromotoare la temperaturi 300 420 K atinge
valoarea 150 V/K. Ulterior au fost obinute, de asemenea, termoelemente din monocristale de
CdSb cu aceeai valoare a anizotropiei forei termoelectromotoare la o rezisten intern mai
mic [123, 124].
n monocristale din soluii solide Zn0.1Cd0.9Sb anizotropia forei termoelectromotoare
atinge o valoare de 245 V/K la aceeai diferen de temperaturi. S-a elaborat o tehnologie
special de cretere a monocristalelor din aceti compui pentru a obine termoelemente
calitative [125, 126]. De asemenea, trebuie de menionat c doparea acestor compui poate att
s contribuie la creterea anizotropiei forei termoelectromotoare, ct i la micorarea ei n
dependen de caracterul impuritilor introduse.
Din analiza datelor din literatur cu privire la anizotropia forei termoelectromotoare
rezult c dac ntr-adevr termoelementele anizotrope prezint interes tehnico-economic, atunci
una din sarcinile actuale de cercetare n acest domeniu este cutarea materialelor termoelectrice
anizotrope noi [127, 128].
Pe baza termoelmentelor anizotrope din antimoniur de cadmiu a fost elaborat un
dispozitiv termoelectric [129] pentru nregistrarea radiaiei generatoarelor cuantice optice
(GCO) cu un diapazon extins al energiei msurate, ce permite utilizarea lui pentru a nregistra
radiaia GCO ce funcioneaz att n regim de generare continu, ct i impuls. Cu toate acestea
el are o sensibilitate ce depete cu 2-3 ordine de mrime sensibilitatea receptoarelor termice
utilizate. Dispozitivul elaborat practic nu este sensibil la perturbaiile electrice i posed
caracteristici lineare ntr-un diapazon extins al energiilor de msurare (3-4 ordine de mrime)
[130, 131].
n prezent sunt cunoscute urmtoarele aplicaii ale termoelementelor anizotrope:
nregistrarea radiaiei infraroii, vacuummetru termoelectric, senzor termoelectric pentru
comparatorul de putere, senzori termoelectrici pentru dispozitive termoelectrice de nregistrare a
mrimilor electrice [127, 128].
45

Termoelementele anizotrope pot fi utilizate cnd este necesar de obinut senzori de


tensiuni destul de nalte la diferene mici de temperaturi.
n cristale anizotrope conductibilitatea electric practic ntotdeauna este anizotrop
datorit faptului c n cristalele anizotrope masa efectiv a purttorilor de sarcin ntotdeauna
este anizotrop, ce e suficient pentru manifestarea anizotropiei conductibilitii electrice.
Referitor la anizotropia forei termoelectromotoare lucrurile stau altfel. Deseori apar astfel de
situaii cnd cristalul este puternic anizotrop, iar fora termoelectromotoare izotrop. Un astfel de
exemplu poate servi materialul Bi2Te3. Acest lucru se datoreaz faptului c pentru apariia
anizotropiei forei termoelectromotoare, existena anizotropiei maselor efective a purttorilor de
sarcin nu este suficient.
mprtierea purttorilor de sarcin pe fononi sau impuriti nu contribuie la apariia
anizotropiei forei termoelectromotoare. Pentru apariia anizotropiei forei termoelectromotoare
este necesar sau existena a dou mecanisme de mprtiere a purttorilor de sarcin, sau
existena a dou tipuri de purttori de sarcin, i e suficient ca mas anizotrop s posede doar un
singur tip de purttori de sarcin. Calculele arat [132] c existena a dou mecanisme de
mprtiere contribuie la apariia anizotropiei forei termoelectromotoare relativ mic, pe cnd
existena a dou tipuri de purttori de sarcin poate contribui la apariia unei anizotropii
semnificative a forei termoelectromotoare de ordinul a ctorva sute de V/K, ce i se
nregistreaz n experiment.
Astfel, trebuie s ne ateptm la o anizotropie mare a forei termoelectromotoare n
regiunea conductibilitii mixte a semiconductorilor anizotropi, i cu ct este mai mare limea
benzii interzise, cu att mai mare poate fi anizotropia forei termoelectromotoare. Acest lucru ne
ofer unele indicaii pentru cutarea materialelor noi cu for termoelectromotoare anizotrop,
precum i explic mecanismul de funcionare a unor impuriti.
Spre deosebire de mprtierea purttorilor de sarcin, existena anizotropiei masei
efective a purttorilor de sarcin este suficient pentru apariia anizotropiei forei
termoelectromotoare n cazul n care prevaleaz efectul de antrenare a purttorilor de sarcin de
ctre fononi, ce are loc la temperaturi joase n monocristale destul de perfecte. Astfel putem
vorbi despre mecanismul de apariie a anizotropiei forei termoelectromotoare la temperaturi
ridicate i joase. Cercetarea anizotropiei forei termoelectromotoare n Zn0.1Cd0.9Sb a artat c
efectul

de

antrenare

poate

contribui

la

apariia

unei

anizotropii

nalte

forei

termoelectromotoare, care poate fi utilizat pentru crearea termoelementelor anizotrope ce


funcioneaz la temperaturi foarte joase [133].

46

Deoarece, la o conductibilitate termic destul de mic a materialului, n pofida diferenei


mici de temperaturi, pot fi obinute valori semnificative ale gradientului de temperatur,
termoelementele anizotrope pot fi destul de eficiente i la temperaturi joase spre deosebire de
termocuplurile obinuite, pentru care fora termoelectromotoare este proporional diferenei de
temperaturi i nu gradientului de temperatur existent.
Termoelementul anizotrop poate fi utilizat pentru conversia direct a energiei termice n
electric. Pentru ca fiecare termoelement s poat fi utilizat pentru conversia direct a energiei
termice n cea electric, este necesar ca el s posede un randament suficient de mare.
Randamentul generatoarelor obinuite cu termocuplu este determinat de factorul de
calitate al materialului din care ele sunt create, iar ultima este descris de expresia:

(1.15)

unde - fora termoelectromotoare, - conductibilitatea termic specific, - rezistena


specific. Calculele arat c randamentul termoelementului anizotrop se determin prin expresie
analogic:

2
Z

unde

(1.16)

1
, adic anizotropia forei termoelectromotoare. Factorul de calitate este
2

foarte mic, din cauza rezistenei electrice mari. Acest fapt contribuie la un randament sczut de
ordinul 0.01%. Prin urmare, crearea termoelementelor convertoarelor de energie se bazeaz
pe cutarea materialelor termoelectrice anizotrope noi cu factor de calitate nalt.
Sunt cunoscute materiale cu factor de calitate nalt pe baza crora sunt create generatoare
cu termocuplu, de exemplu soluiile solide Ge-Si. ns aceste soluii au o structur cubic, de
aceea termoelectric sunt izotrope. ns, prin deformare, n ele se poate crea anizotropia forei
termoelectromotoare. Calculele arat c prin astfel de metode pot fi atinse valori nalte ale
anizotropiei forei termoelectromotoare (desigur n regiunea conductibilitii mixte), datorit
pomprii electronilor ntr-un minimum de energie pe calea deformrii. Astfel, exist
perspective de a obine termoelemente anizotrope cu factor de calitate nalt chiar i din materiale
cubice deformate.
n acest sens, foarte promitoare sunt materialele pe baz de Bi i aliajele lui n form de
fire n izolaie de sticl. Avnd o anizotropie nalt a maselor efective, cteva grupe de purttori
de sarcin, concentraia crora poate fi controlat prin dopare slab, iar deformarea elastic
anizotrop atinge valori record 2% alungire relativ, micro i nanofirele din Bi i aliajele lui

47

deschid posibiliti unicale noi pentru optimizarea parametrilor generatoarelor termoelectrice


anizotrope ntr-un interval extins de temperaturi utiliznd doparea i deformarea elastic
uniaxial.

1.6. Concluzii la capitolul 1


Au fost trecute n revist lucrrile teoretice i experimentale ce reflect impactul efectelor
de cuantificare dimensional asupra proprietilor termoelectrice n materiale nanodimensionale.
Cercetrile experimentale ale factorului de calitate termoelectric ZT

2
T n fire

cuantice, masive de nanofire, precum i nanoobiecte individuale i suprareele, au confirmat doar


parial calculele i propunerile teoretice cu privire la majorarea factorului de calitate
termoelectric datorit efectului de cuantificare dimensional la micorarea dimensiunilor
materialului. Factorii principali, ce contribuie la creterea factorului de calitate termoelectric,
sunt: creterea forei termoelectromotoare datorit creterii densitii strilor n apropierea
nivelului Fermi la cuantificare dimensional a spectrului energetic al purttorilor i micorarea
conductibilitii termice datorit mprtierii fononilor la frontier.
Sunt

descrise

cercetrile

teoretice

experimentale

de

generare

forei

termoelectromotoare transversal n medii anizotrope i metodele de conversie direct a energiei


termice n electric bazate pe aceast generare.
Cercetrile experimentale ale anizotropiei proprietilor termoelectrice n materiale de
dimensionalitate redus, n special n nanofire, practic lipsesc (ce se datoreaz, n primul rnd,
lipsei obiectelor de cercetare corespunztoare, deoarece, de obicei, sunt obinute mulimi de
nanofire (nanowires arrays) cu o anumit orientare cristalografic n lungul axei), ce face
dificil cercetarea anizotropiei proprietilor termoelectrice.
Cercetrile experimentale, prezentate n literatura de specialitate, n structuri de tipul
mulimi de nanofire din Bi i aliajele lui n cmpuri magnetice transversale sunt puin
informative ca urmare a incertitudinii orientrii cristalografice n raport cu direcia cmpului
magnetic, ce exclude identificarea efectului de cuantificare dimensional n cmp magnetic
transversal.
Se analizeaz specificul comportamentului impuritilor n bismut i tranziiile
electronice topologice induse de impuriti i deformare elastic, ce se manifest n
comportamentul anomal al forei termoelectromotoare n bismutul dopat cu impuriti donoare i
acceptoare.
48

Din analiza lucrrilor teoretice i experimentale trecute n revist se disting perspectivele


fundamentale, concepiile i strategiile n direcia mbuntirii factorului de calitate
termoelectric n materiale de dimensionalitate redus. n aspect teoretic, sarcina principal este
de a elabora modele teoretice de aciune a efectelor de cuantificare dimensional asupra
subsistemei de electroni i fononi n nanostructuri innd cont de timpii de relaxare real existeni,
strile de suprafa, spectrul energetic.
Pentru a nregistra experimental i a atinge practic valoarea dorit a eficienei
termoelectrice n nanostructuri, una din condiiile necesare este tehnologia fiabil, reproductibil
de preparare a nanostructurilor (n cazul dat a nanofirelor) cu orientare cristalografic necesar,
dimensiuni, perfeciune structural, care trebuie s se menin att la etapa de creare i
prelucrare, ct i pe parcursul exploatrii n cazul utilizrii practice a lor.
S-a artat c, unul din cele mai potrivite i de perspectiv materiale pentru cercetarea att
a transportului cuantic, ct i a estimrii posibilitilor de utilizare practic n aspect
termoelectric sunt firele monocristaline din bismut pur i aliat cu diferite orientri cristalografice
n izolaie de sticl. Prin urmare, obiectivul principal al tezei de doctorat a fost de a elabora
tehnologia de obinere a firelor din Bi i aliajele lui cu Sn cu orientare cristalografic trigonal n
lungul axei firului i de a cerceta anizotropia forei termoelectromotoare, precum i eficiena
termoelectric n funcie de diametrul firului, temperatur, dopare, deformare elastic n direcii
cristalografice diferite i de a estima posibilitile de utilizare practic a lor n convertoare
termoelectrice anizotrope de energie.

49

2. METODE EXPERIMENTALE DE PREPARARE A PROBELOR


n acest capitol sunt prezentate metodele de preparare a firelor din Bi pur i dopat
puternic n izolaie de sticl cu diferite diametre i orientri cristalografice n lungul axei firului.
Este descris n detalii instalaia automat cu microprocesor pentru recristalizare zonal
orizontal a firelor n izolaie de sticl creat pentru a obine fire cu orientare cristalografic
trigonal n lungul axei firului i pentru omogenizarea i mbuntirea calitii structurale a
firelor din bismut aliat.
Sunt prezentate metodele de control a diametrului firelor (microscoapele SEM), orientrii
cristalografice a firelor (metoda de difracie cu raze X), metoda diagramelor unghiulare de rotaie
a magnetorezistenei transversale i oscilaiile ShdH.
Sunt descrise instalaiile de msurare, metodele i construciile pentru cercetarea
proprietilor magneto-termoelectrice i efectele oscilatorii de tipul oscilaiilor ShdH n cmpuri
magnetice longitudinal || I i transversal B I de pn la 14 T n direciile cristalografice
principale. Sunt descrise metodele de calcul a parametrilor principali a suprafeei Fermi a
electronilor i golurilor n punctele L i T a zonei Brillouin n fire din Bi dopat cu impuriti
acceptoare i donoare utiliznd oscilaiile ShdH nregistrate n toate direciile cristalografice
principale. Se estimeaz eroarea de msurare.
Se descrie metoda de creare a deformaiilor puternice (pn la 2% alungire relativ) a
firelor din Bi i aliajele lui n izolaie de sticl i este prezentat construcia dispozitivului de
fixare a probei, ce permite de a nregistra n regim automat dependenele forei
termoelectromotoare i a rezistenei n funcie de deformare ntr-un interval extins de temperaturi
(2.1 300 ). Se estimeaz regiunea deformrilor elastice prin metoda de reproductibilitate a
curbelor rezistenei R() i forei termoelectromotoare () n funcie de deformare, precum i
oscilaiile ShdH la msurri ciclice n intervalul de temperaturi 4.2 300 .
2.1. Obinerea firelor monocristaline din Bi i aliajele lui cu Sn i Te n izolaie de sticl
Firele monocristaline subiri au fost obinute prin turnare din faza lichid dup metoda lui
Ulitovschi [134, 135]. Metoda const n urmtoarele: cteva grame de metal sau aliaj se pun ntrun tub de sticl i se introduc n cmpul de frecven nalt a inductorului (Figura 2.1 a). Sub
aciunea cmpului electromagnetic are loc nclzirea, topirea i formarea picturii. O parte a
tubului de sticl se nmoaie i formeaz nveliul, ce acoper pictura. Din sticla nmuiat se
ntinde firul, care se nfoar pe bobina dispozitivului de recepie. La anumite regimuri de
50

ntindere a firului din sticl, se creeaz condiii de antrenare a metalului n capilarul de sticl ce
se formeaz.

Fig. 2.1. () Instalaia de laborator ITMF-3 pentru obinerea firelor n izolaie de sticl prin
metoda Ulitovschi. (b) Fire monocristaline n izolaie de sticl obinute prin metoda Ulitovschi.
Astfel se formeaz microfirul (Figura 2.1. b), ce const din miezul metalic central (un
cilindru subire din metal, aliaje ale metalelor, semimetalelor, semiconductorilor sau combinaii
ale acestora) i nveliul de sticl continuu. Pentru a mbunti calitatea microfirului i a
soluiona alte probleme tehnologice, pe traseul de la inductor pn la bobina de recepie
microfirul trece printr-un jet de lichid rce (ap sau ulei).
Metoda dat permite s obinem microfire foarte subiri din diferite metale, aliaje,
semiconductori, semimetale. n experimentele preliminare de obinere a microfirelor au fost
testate diferite tipuri de sticl (pirex, molibden, nonix etc.). Cele mai bune rezultate, n ce
privete stabilitatea procesului de turnare a firului conductor, au fost obinute utiliznd tuburi din
sticl pirex. Turnarea microfirului prin aceast metod are o serie de caracteristici:
1. Temperatura de topire a bismutului i aliajelor lui este mult mai joas dect temperatura de
topire a sticlei, utilizat pentru turnarea microfirului. De aceea, pentru a ntinde capilarul este
nevoie de o supranclzire puternic a materialului ce formeaz miezul conductor al firului (de
exemplu, pentru bismut i sticla pirex, astfel de supranclzire constituie 800-900 C peste
punctul de topire a bismutului).
2. Un rol important l joac selectarea perechii: sticl materialul conductor. Aici esenial este
existena adeziunii la interfaa lor, deoarece datorit aderenei la sticl masa topit se antreneaz
n capilarul ce se mic.
3. Exist o variaie puternic a temperaturii pe nlimea microcuvei (300-400 ), ce se explic
prin conductibilitatea termic relativ joas a aliajelor din bismut i alungirea picturii, ce

51

contribuie la faptul c partea superioar a ei se afl n cmp cu o intensitate mai joas. n legtur
cu ultima circumstan, topitura prii superioare a microcuvei se menine datorit cuplrii ei cu
nveliul de sticl mai vscos.
4. Un factor important este protecia metalului topit de oxidare, ce permite s obinem fire de
calitate nalt i n atmosfer normal. La obinerea firelor subiri din bismut dopat cu impuriti
donoare i acceptoare, protecia metalului topit de oxidare joac un rol principial. Deci, turnarea
firelor subiri din bismut i aliajelor lui a decurs n atmosfer de argon (argonul a fost suflat n
jurul microcuvei).
Cristalizarea miezului conductor al microfirului din bismut i aliajele lui decurge la o
suprarcire puternic a topiturii la frontul de cristalizare. De exemplu, pentru bismut adncimea
maxim de suprarcire are loc la o vitez de turnare 10 m/s i atinge 40-50 . Suprarcirea
puternic i viteza de cristalizare nalt contribuie la formarea miezului conductor monocristalin.
La turnarea firelor din bismut i aliajele lui, n calitate de material de baz a servit lingoul
monocristalin cu coninut corespunztor, obinut prin metoda de recristalizare zonal.
Pentru a obine fire din Bi dopate cu Sn au fost sintetizate aliaje de Bi-0.3%atSn,
0.07%atSn i 0.05%atSn. Firele cu concentraiile 0.1%atSn, 0.15%atSn i 0.2%atSn au fost
obinute prin diluarea aliajelor cu coninutul 0.3%atSn. n acest scop, ntr-un tub de sticl lipit la
un capt au fost introduse cteva grame de aliaj cu concentraia 0.3%atSn n care a fost adugat
o cantitate necesar de bismut pur, calculat pentru a obine concentraia necesar de impuriti
acceptoare.
Pentru a obine fire din Bi puternic dopate cu impuriti donoare de Te au fost sintetizate
aliajele corespunztoare: Bi-0.1%at, Bi-0.3%at, Bi-0.5%at, Bi-1.4%at. Aliajele cu
concentraiile 0.04%at i 0.08%at au fost obinute prin diluarea aliajului sintetizat prealabil
ce conine 0.2%atTe.
Pentru a obine fire cu diametre de mrimi nano a fost aplicat procedeul de obinere a
firelor pe baza metodei Teylor. n acest scop, firele n izolaie de sticl, obinute prealabil prin
metoda Ulitovschi, au fost supuse nclzirii locale i alungirii repetate la instalaia
-52 (Figura 2.2) [136].
nclzirea extern a firului se realizeaz cu ajutorul unei sobe externe sub form de
spiral din material cu rezisten specific nalt (nicrom), care se alimenteaz de la sursa de
alimentare stabilizat. Prin aceast metod s-a reuit de a obine fire monocristaline din Bi cu
diametrul miezului conductor d < 100 nm. Astfel cu micorarea diametrului miezului conductor
al nanofirului, proporional se micoreaz i diametrul exterior al nveliului de sticl.

52

Fig. 2.2. Instalaia pentru obinerea nanofirelor prin metoda de alungire repetat (metoda
Taylor).
Diametrul firelor d > 1 m a fost determinat la microscopul optic Biolm cu puterea de
mrire 1350, precum i prin metoda de calcul dup mrimea rezistenei la temperatura camerei i
a rezistenei specifice corespunztoare, determinat pentru firele cu un diametru mai mare,
conform expresiei:

4l
,
R300 300

(2.1)

unde l lungimea probei, 300 = 8.7103 -1cm-1 conductibilitatea bismutului masiv cu orientare
cristalografic standard la temperatura 300 K, R rezistena probei la temperatura 300 .
Eroarea la determinarea diametrului prin metoda de calcul este de 5-10%.
Probele cu o lungime de 1 3 mm au fost fixate pe un suport din folie metalic subire de
textolit de sticl, tiat sub form de paralelepiped cu dimensiunile 421 mm3. La mijloc, folia
din cupru a fost corodat pe o lime de 0.5 mm. Benzile din cupru pe suport servesc n calitate
de suprafee de contact pentru probele sub form de fire, firele de alimentare i de potenial.
S-a demonstrat c cel mai bun rezultat pentru a obine contacte ohmice pentru firul din Bi
n izolaie de sticl este atins prin aplicarea metodei de tiere a firului n eutectic lichid de
InGa, ce umezete benzile din cupru pe suport. Pentru a testa ohmicitatea contactelor au fost
nregistrate caracteristicile volt-amperice att la temperatura 300 K, ct i la temperatura 4.2 K.
Trebuie de menionat c, deoarece InGa difundeaz n Bi la temperatura = 300 , pentru a
evita difuzia, contactele sunt realizate nemijlocit naintea msurtorilor (imersiune la temperaturi
joase cu 10-15 min.).

53

Msurtori de control a diametrelor au fost efectuate la microscoapele electronice de


scanare Vega Tescan 5130 MM (Figura 2.3) i cu rastru EVO-40 (Figura 2.4).

Fig. 2.3. Imaginile firelor monocristaline din Bi realizate la microscopul electronic de scanare
Vega Tescan 5130 MM.

Fig. 2.4. Imaginile firelor monocristaline din Bi realizate la microscopul electronic cu rastru
EVO-40.
Cele mai reuite imagini au fost obinute prin prelucrarea ulterioar a seciunei
transversale a firului msurat: firul n izolaie de sticl a fost introdus ntr-o matrice dielectric,
iar capetele firului lefuite minuios, dup care pe aceste capete a fost depus un strat subire de
carbon i toat construcia a fost introdus n camera microscopului.

54

2.2. Tehnologia de obinere a firelor cu orientare cristalografic trigonal n izolaie de


sticl
Firele subiri din Bi n izolaie de sticl, obinute prin metoda de turnare din faza lichid,
de obicei, au aceeai orientare cristalografic (1011) n lungul axei firului [52, 137] (Figura 2.5).

Fig. 2.5. Orientarea standard a suprafeei Fermi n bismut n raport cu axa firului.
Orientarea cristalografic a firelor joac un rol important att n cazul manifestrii
efectului de cuantificare dimensional, ct i a efectelor asociate cu creterea eficienei
termoelectrice n cmp magnetic, la deformare, dopare. Deosebit de important este ntrebarea cu
privire la creterea anizotropiei forei termoelectromotoare, n special, n convertoarele
termoelectrice anizotrope de energie [127, 138]. Se cunoate c, valori maximale ale eficienei
termoelectrice n probe masive din Bi i Bi1-Sb sunt atinse la orientarea axei C3 n lungul axei
monocristalului. Pe de o parte, la orientarea gradientului de temperatur n lungul axei probei
( || 3) se nregistreaz o valoare maximal a forei termoelectromotoare (n Bi 100 V/K la
temperatura 300 K), iar pe de alt parte n aceast direcie se nregistreaz o valoare minimal a
conductibilitii termice [139], ce n comun contribuie la creterea eficienei termoelectrice n Bi
i aliaje Bi1-Sb. n probe masive din Bi, n cmp magnetic puternic la temperatura 100 K, doar
n direcia cristalografic trigonal are loc creterea aproape de 2 ori a forei
termoelectromotoare, ce se aplic de regul n termoelemente ce utilizeaz cmpul magnetic.
Probele masive, de obicei, sunt mostre tiate din lingoul masiv n direcia cristalografic
necesar. Una din sarcinile principale ale tezei de doctorat a fost de a obine fire monocristaline
din Bi i aliajele lui n nveli de sticl cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului.
Pentru a atinge acest scop au fost utilizate mai multe metode.

55

2.2.1. Metoda de recristalizare n cmp magnetic


Nanofirele din bismut i aliajele lui, la aplicarea diferitor procese tehnologice de obinere,
cresc cu o orientare cristalografic preferenial (1011) n lungul axei firului, ceea ce nu este
convenabil att pentru cercetarea anizotropiei proprietilor termoelectrice, ct i pentru aplicaii
n termoelectricitate i manifestarea efectelor dimensionale. Una din sarcinile principale ale
lucrrii date a fost de a obine fire cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului.
n lucrarea [140] sunt prezentate rezultatele cercetrii n vederea creterii nanofirelor
monocristaline din bismut (d = 40-200 nm) din soluia sodium bismuthate (NaBiO32H2O) n
etilenglicol (ethylene glycol) la temperatura 210o C n cmp magnetic puternic Bmax = 8 T.
Creterea nanofirelor a durat 24 ore. Forma nanoparticulelor obinute depinde considerabil de
mrimea cmpului magnetic. n cmpuri magnetice pn la 1 T se obin microsfere cu diametre
diferite, n cmpuri magnetice pn la 4 T deja ncep s se formeze nanofire, iar n cmp
magnetic 8 T, 90% din structurile crescute constituie nanofire cu diametrul d = 40-200 nm i
lungimi de zeci de m. Rezultatul obinut n lucrarea [140] este foarte important, deoarece a fost
gsit o metod destul de simpl pentru a obine nanofire din bismut cu orientare cristalografic
necesar pentru aplicaii practice.
n cadrul Laboratorului Internaional de Cmpuri Magnetice Puternice i Temperaturi
Joase au fost ntreprinse ncercri de a recristaliza nanofire din bismut n cmp magnetic pn la
14 T att longitudinal, ct i transversal. Conform specificaiilor tehnice de funcionare ale
instalaiei (Bitter type magnet) timpul de meninere a cmpului magnetic maximal B = 14 T este
de 5 min, iar a cmpului magnetic B = 10 T 20 min. n Figura 2.6 este prezentat dependena
temperaturii nanofirelor din bismut n procesul de recristalizare n funcie de timpul de aflare a
probei n cmp magnetic puternic.
Conform datelor din lucrrile [141-143] exist un interval extins de temperaturi n care
nanofirul din Bi se afl n aa-numita stare de suprarcire de ordinul 200o K. De aceea, iniial
nanofirul a fost nclzit pn la temperatura T = 310o C, ce depete temperatura de topire a
bismutului masiv (Tmelt = 271.4oC), dup care a fost rcit brusc pn la ~ 200 oC i n continuare
procesul de rcire a decurs cu o vitez de 3.3oC/min. n intervalul de temperaturi 163o C 100o C
probele nanofirelor din bismut au fost amplasate n cmp magnetic B = 10 T. Se presupune c
temperatura de solidificare (solidification temperature) a probelor noastre a fost n limita acestui
interval de temperaturi.

56

Bi nanowires recrystallization in high magnetic field

300

10
Bitter
magnet

250
200

150

B, T

T=163 C

T, C

Bi nanowires

T=100 C

100

2
50
0
0
0

10

20

30

40

Time, min

Fig. 2.6. Dependena temperaturii de aflare a nanofirului din Bi n cmp magnetic puternic n
procesul de recristalizare. Pe inserare: reprezentarea schematic a probei n interiorul magnetului
bitter.
Rezultatele experimentului au artat c orientarea cristalografic a firelor s-a schimbat,
ns nanofire din Bi cu orientare cristalografic trigonal nu au fost obinute. Una din cauze este
faptul c solidificarea nanofirelor a decurs la alte temperaturi dect cele cuprinse n intervalul
163o C 100o C, iar, dup prerea noastr, o alt cauz principal ar fi viteza rapid de rcire a
nanofirelor.
n cadrul Laboratorului Electronica Structurilor de Dimensionalitate Redus, instalaia
Model CF-500-8 Cryogen-Free High Field Superconducting Magnet System with Variable
Temperature Insert (VTI) permite s obinem cmpuri magnetice puternice pn la 8 T i s le
meninem practic nelimitat, iar temperatura probelor cercetate poate fi stabilizat n intervalul de
temperaturi 5 300 .
Pentru a recristaliza nanofire din bismut n cmp magnetic a fost elaborat i construit o
inserie special (insert), echipat cu o surs de cldur, ase termocupluri Cu-Constantan i
ecran termoizolant. n Figura 2.7 este prezentat schematic partea inferioar a inseriei.
Sursa de cldur, conectat la dispozitivul de explorare a curentului, topete nanofirul din
Bi, dup care micoreaz treptat temperatura probei. Cinci termocupluri Cu-Constantan,
amplasate la diferite nlimi n apropierea nanofirelor, transmit informaia cu privire la
distribuirea temperaturii n lungul nanofirului. Al aselea termocuplu Cu-Constantan controleaz
temperatura blocului inseriei; pentru a micora temperatura pn la valori admisibile zona de
nclzire este nconjurat de un strat termoizolant.

57

Fig. 2.7. Schema bloc a prii inferioare a inseriei pentru recristalizarea firelor n cmp
magnetic.
Pentru un schimb de cldur efectiv ntre sursa de cldur i nanofire, procesul de
recristalizare decurge n atmosfer de He sub o presiune de 100 torr. Viteza de rcire n cmp
magnetic se ajusteaz n limitele 0.2 0.05o C/min. Procesul tehnologic integral este controlat de
calculator prin programul special elaborat n mediul de programare Delphi cu documentarea
complet a tuturor parametrilor.
La aplicarea acestei tehnologii s-a reuit de a obine fire cu o alt orientare cristalografic
dect cea standard, ns fire necesare cu orientare cristalografic trigonal nu au fost obinute.
2.2.2. Metodele de recristalizare zonal i cu laserul aplicate pentru a omogeniza i schimba
orientarea cristalografic a firelor n izolaie de sticl
Se cunoate c, pentru a obine probe masive din Bi i aliajele lui cu o anumit orientare
cristalografic, se utilizeaz metoda de recristalizare zonal cu agent de cristalizare. Agentul de
cristalizare prezint un monocristal tiat din lingoul cu coninutul necesar i orientare
cristalografic corespunztoare. La baza tehnologiei de obinere a firelor cu orientare

58

cristalografic trigonal a fost luat ideologia de recristalizare a firelor n izolaie de sticl cu


agent de cristalizare.
Pentru realizarea procesului de recristalizare a firelor cu agent de cristalizare este necesar
de respectat dou condiii importante: temperatura i viteza de recristalizare trebuie s fie
constante i zona de recristalizare trebuie s fie ngust. n acest scop a fost elaborat i
construit instalaia automat cu microprocesor format din blocul de dirijare cu microprocesor,
blocul de alimentare i blocul de recristalizare zonal (Figura 2.8, 2.9). Instalaia este conectat
la calculator prin protocolul RS232 prin blocul de dirijare cu microprocesor, elaborat n baza
microcontrolerului Atmega 8515. Programul de comand al microcontrolerului este elaborat n
mediul de programare Assembler.
Calculator

Blocul de dirijare cu
microprocesor
Blocul de
alimentare

Blocul de
recristalizare zonal

Fig. 2.8. Schema bloc a instalaiei automat cu microprocesor pentru recristalizarea i


omogenizarea firelor n izolaie de sticl.
Calculatorul, conectat la blocul de dirijare, controleaz funcionarea instalaiei i permite:
- stabilizarea temperaturii n zona de lucru a sursei de cldur i modificarea temperaturii n
caz de necesitate;
- dirijarea deplasrii cruciorului cu sursa de cldur i setarea vitezei de deplasare de la
0.15 mm/h pn la 630 mm/h;
- afiarea pe ecran a graficului de msurare a temperaturii n zona de lucru a sursei de cldur;
- afiarea pe ecran a direciei de deplasare a cruciorului, numrul de treceri a zonei i
deconectarea instalaiei dup finisarea programului de recristalizare;
- nregistrarea ntr-un fiier separat a datelor despre procesul integral de recristalizare.
Programul de dirijare cu calculatorul a fost elaborat n mediul de programare Delphi.

59

Fig. 2.9. Instalaia automat cu microprocesor pentru recristalizarea i omogenizarea firelor n


izolaie de sticl.
Unul din blocurile principale n aceast instalaie este blocul n care decurge procesul de
recristalizare i omogenizare a firelor n izolaie de sticl (Figura 2.10).

Fig. 2.10. Schema blocului de recristalizare a firelor n izolaie de sticl: 1, 2 uruburi de


fixare; 3 zona de recristalizare (soba), 4 senzor de temperatur; 5 tub de cuar pentru fire; 6
crucior; 7 fixarea cruciorului; 8 urub de traciune; 9, 10 - ax de limitare a distanei de
recristalizare a firelor; 11,12 comutatoare pentru limitarea distanei de recristalizare a firelor;
13 reductor, 14 comutator de vitez, 15 motor electric.
Zona de recristalizare sau aa-numita sob, este format din sursa de cldur, care
prezint o spiral din aliajul-2 (Ni, Cr, Fe) fixat n carcasa zonei cu amestecul din Al2O3 i
adeziv de silicat. La crearea sobei a fost folosit firul din aliajul-2 datorit faptului c acest aliaj
suport temperaturi de pn la 1000C i are un coeficient mic de oxidare. Forma zonei
reprezint un cerc cu o gaur de 5 mm pe unde trece microfirul amplasat prealabil ntr-un tub de
sticl din cuar. n partea de mijloc, unde temperatura este maximal, este amplasat senzorul de
temperatur (4) pe baz de termocuplu Chromel Copel.

60

Cruciorul, unde este amplasat zona, se mic cu ajutorul motorului electric (15) i a
urubului de traciune (8). Viteza de micare a cruciorului se regleaz de reductor (13), care are
7 regimuri de vitez cu raportul ntre ele de 1:4: I : 10.5 mm/min = 630 mm/h; II : 2.625 mm/min
= 161.1 mm/h; III : 0.656 mm/min = 39.36 mm/h; IV : 0.164 mm/min = 9.84 mm/h; V :
0.041mm/min = 2.46 mm/h; VI : 0.102 mm/min = 0.612 mm/h; VII : 0.0025 mm/min =
0.15mm/h.
Pentru a limita distana de recristalizare a firelor s-au utilizat axele (9) i (10), iar pentru a
comuta motorul de la o direcie la alta se folosesc ntreruptoarele (11) i (12) pe baz de
comutatoare de tipul 2104. Comutatoarele schimb starea semnalului informaional digital
0 i 1. La primirea semnalului 1, blocul de dirijare transmite semnal de informare motorului
electric i ca rezultat cruciorul i schimb direcia de micare.
Pentru a obine temperaturi nalte de 800 a fost utilizat o surs de alimentare
puternic de tipul TEC5010. Intervalul de stabilizare a temperaturii 200 - 600 C cu o exactitate
de 0.25 .
Aceast instalaie a fost utilizat pentru a schimba orientarea cristalografic a firelor i
anume pentru a obine fire cu orientare cristalografic trigonal prin metoda de recristalizare cu
agent de cristalizare [144]. n acest scop, din cristalul masiv de Bi sau aliajul lui cu coninutul
necesar, prin metoda de prelucrare prin scntei electric au fost tiate monocristale cilindrice cu o
lungime de 7 10 mm i diametrul 1 2 mm cu orientarea necesar a axei C3, i anume n
lungul blocului. Dup care, ntr-o fiol au fost amplasate firele n izolaie de sticl i unite cu
seciunea transversal a monocristalului tiat, adic cu axa C3 a cristalului orientat n lungul
lungimii perpendiculare frontului de cristalizare cu firele unite. Fiola a fost introdus n instalaia
automat cu microprocesor pentru recristalizarea firelor n izolaie de sticl i conectat regimul
necesar. Viteza de recristalizare a firelor de obicei este de 0.15 mm/h.
Aceast instalaie de recristalizare zonal orizontal a fost utilizat i pentru
omogenizarea i mbuntirea calitii structurale a firelor din BiTe i BiSn n izolaie de sticl
cu diametre diferite. Pentru omogenizarea firelor a fost utilizat metoda de recristalizare zonal
multipl a firelor. n acest scop a fost utilizat instalaia de recristalizare zonal orizontal a
firelor, ce permite n mod automat de a deplasa zona de recristalizare din dreapta n stnga i
invers cu o vitez stabilit prealabil (Figura 2.8 2.10)
Cu ajutorul instalaiei date au fost omogenizate fire din Bi dopat puternic cu impuriti
acceptoare i donoare n izolaie de sticl. mbuntirea calitii structurale a firelor a fost
confirmat prin metoda oscilaiilor Shubnikov de Haas.

61

n Figura 2.11 sunt prezentate dependenele de temperatur ale rezistenei reduse RT/R0()
ale firelor din Bi-1.0%atSe pn (a) i dup (b) recristalizare.

1.10
1.05

1.00

RT/R0

RT/R0

1
0.95
0.90
0.85
0.80

(a)
50

100

150

200

250

3.9
3.6
3.3
3.0
2.7
2.4
2.1
1.8
1.5
1.2
0.9

(b)
50

300

100

150

200

250

300

T, K

T, K

Fig. 2.11. Dependenele de temperatur ale rezistenei reduse RT/R0() ale firelor din Bi1.0%atSe: a) pn la recristalizare 1. l = 4.5 mm, 2. l = 4.7 mm; b) dup recristalizare zonal
1. l = 3.8 mm, 2. l = 4.5 mm.
n fire cu concentraia impuritilor aliate de 1.0%atSe pn la recristalizare oscilaii
ShdH nu au fost nregistrate. n Figura 2.12 sunt prezentate dependenele magnetorezistenei
longitudinale ( || I) ale firului din Bi-1.0%atSe pn (a) i dup (b) recristalizare.

0.8
0.7

11.0

0.6

10.5

0.5
LMR (B||I)

0.10
1.0

0.4

TMR (BI)

0.3

9.5

0.2

9.0
T = 4.5 K
T = 4.5 K
T=9K
T=9K

8.0
7.5

TMR, T=4.5 K
LMR, T=4.5 K
TMR, T=9 K
LMR, T=9 K

0.6

0.1
8.5

0.05

0.8

0.0

0.00

0.4

-0.1
-0.2

dR/dB

10.0

(b)

1.2

R, Ohm

(a)

11.5

dR/dB

R, kOhm

12.0

-0.05

B, T

B, T

Fig. 2.12. Dependenele magnetorezistenei longitudinale ( || I) ale firului din Bi-1.0%atSe pn


(a) i dup (b) recristalizare.
Cum vedem n Figura 2.12, doar dup recristalizare zonal pe curbele magnetorezistenei
se nregistreaz oscilaii ShdH, ce confirm mbuntirea semnificativ a calitii structurale a
firelor puternic dopate din Bi-Se, obinute prin metoda de turnare din faza lichid. Astfel, metoda
62

de recristalizare zonal orizontal poate fi aplicat cu succes i pentru omogenizarea i


mbuntirea calitii structurale a firelor dopate puternic n nveli de sticl, ce prezint un
factor important pentru utilizarea firelor menionate mai sus n aspect att tiinific, ct i
aplicativ.
O alt metod utilizat pentru a schimba caracteristicile structurale de volum i suprafa,
precum i orientarea cristalografic este metoda de recristalizare cu laserul. n acest scop a fost
utilizat laserul cu aciune continu LTN-101 cu lungimea de und 1.06 m (Figura 2.13).
Fascicolul focalizat al laserului se deplaseaz n lungul lungimii firului i topete firul pe o
poriune ngust (frontul de cristalizare). Viteza de deplasare a fascicolului i temperatura n
punctul de topire au fost selectate experimental n dependen de coninutul aliajului, grosimea
nveliului de sticl i tipul sticlei.

()

(b)

Fig. 2.13. () Schema instalaiei pentru obinerea firelor cu orientare cristalografic trigonal prin
metoda de nclzire local cu laserul. (b) Laserul cu aciune continu LTN-101.
Utiliznd aceste dou metode au fost obinute fire din Bi i BiSn cu orientare
cristalografic trigonal n lungul axei firului (Figura 2.14).
Obinerea micro i nanofirelor n izolaie de sticl cu orientare cristalografic trigonal
este un moment important pentru cercetarea anizotropiei forei termoelectromotoare n fire din
semimetale

cu

scopul

de

obine

materiale

cu

anizotropie

maximal

forei

termoelectromotoare pentru a crea n baza lor termogeneratoare anizotrope. Prin metoda de


recristalizare zonal orientat cu agent de cristalizare au fost obinute fire din Bi i BiSn cu
orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului. Orientarea cristalografic a firelor a fost
verificat cu ajutorul diagramelor unghiulare ale magnetorezistenei transversale i msurtori de
control au fost efectuate prin metoda de difracie cu raze X.

63

Fig. 2.14. Orientarea suprafeei Fermi n bismut n raport cu axa firului dup recristalizare
zonal. Axa C3 este orientat n lungul axei firului.
Este cunoscut faptul c, la sintetizarea cristalelor din bismut cu impuriti ale elementelor
grupelor IV i VI, atunci cnd n prim-plan este pus sarcina de a distribui uniform impuritile
de dopare n lungul lingoului, cea mai reuit este metoda de recristalizare zonal multipl [145].
La obinerea micro i nanofirelor n izolaie de sticl, prin metoda de turnare din faza lichid, cu
o concentraie nalt a impuritilor de dopare, ntrebarea cu privire la omogenitatea coninutului
probelor este extrem de important. Au fost obinute fire din Bi dopat cu impuriti donoare (Te)
i acceptoare (Sn) prin metoda de turnare din faza lichid [146] pn la concentraii de 1.5%at,
adic practic pn la limita de solubilitate a lor n Bi.
2.3. Estimarea structurii, diametrului i a orientrii cristalografice a firelor din Bi i
aliajele lui n izolaie de sticl
Orientarea cristalografic a probelor a fost determinat cu ajutorul diagramelor
unghiulare de rotaie ale magnetorezistenei transversale ( I) n cmpuri magnetice 0 14
la temperaturi 300 4.2 i a oscilaiilor ShdH. Pentru o parte din probe au fost efectuate
msurtori de control cu aplicarea metodei de difracie cu raze X (X-ray diffraction method).
Metoda de difracie cu raze X. Msurtori de control, pentru a determina orientarea
cristalografic a firelor n izolaie de sticl dup recristalizare cu agent de cristalizare, pentru o
serie de probe au fost efectuate cu aplicarea metodei de difracie cu raze X. Difracia cu raze X a
fost efectuat la difractometrul Oxford-Diffraction XCALIBUR E (Figura 2.15) din cadrul
Institutului de Fizic Aplicat al AM. (Autorul aduce sincere mulumiri dr. Cravov V. pentru
efectuarea cercetrilor n cadrul IFA al AM).

64

Fig. 2.15. Difractometrul Oxford-Diffraction XCALIBUR E.


Rezultatele au artat c firele cercetate, ce au fost supuse recristalizrii zonale cu agent de
cristalizare, aveau orientare cristalografic trigonal, adic axa C3 este orientat n lungul axei
firului.
Diagramele unghiulare de rotaie ale magnetorezistenei transversale. Utiliznd
rezultatele teoriei fenomenologice i cinetice a fenomenelor de transport [147] n cmpuri
magnetice clasice n cristale de tipul Bi, din diagramele de rotaie ale magnetorezistenei
transversale I a fost obinut informaia cu privire la orientarea cristalografic a firelor din
Bi n nveli de sticl. Utiliznd diagramele unghiulare de rotaie ale magnetorezistenei
transversale (DURMRT), probele n form de fire erau orientate n cmp magnetic astfel nct

vectorul B s coincid cu axele cristalografice principale ale probei, dup care au fost
nregistrate oscilaiile ShdH.
Avantajul metodei diagramelor unghiulare de rotaie ale magnetorezistenei transversale
const att n vizibilitatea anizotropiei, ct i n plenitudinea ei. Extrem de valoroase cercetrile
DURMRT sunt n cazul cnd n probe la msurtori nu se nregistreaz oscilaii ShdH. Pentru a
nregistra DURMRT a fost utilizat un suport special, ce permite s rotim proba n dou planuri n
solenoidul supraconductor (Figura 2.16).
Cercetarea DURMRT R(), unde unghiul dintre direcia cmpului magnetic i una
din axele cristalografice, a oferit posibilitatea de a confirma monocristalinitatea probelor
obinute, precum i de a verifica i selecta orientarea necesar la msurtori electrice. Calitativ
DURMRT R() ale firelor monocristaline din bismut au un caracter analogic diagramelor de
rotaie ale probelor masive din bismut cu orientare cristalografic corespunztoare.

65

Worm

Sample

b)

Fig. 2.16. () Dispozitivul de rotire a probei n dou planuri: unghiurile de rotaie i ;


(b) amplasarea dispozitivului de rotire pe suportul special pentru a efectua msurtori n
solenoidul supraconductor.
n Figurile 2.17, 2.18 (curbele 1) sunt prezentate diagramele de rotaie ale
magnetorezistenei transversale n fire din Bi i Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic
standard (1011) n lungul axei firului. Dup cum se poate observa din Figurile 2.17, 2.18
(curbele 1) dependenele R() ale firelor din Bi i Bi-0.05%atSn n cmp magnetic = const au
o structur similar dependenelor analogice pentru probele masive cu acelai coninut, n care
axa probelor coincide cu axa bisectoare 1/2 i difer doar prin diferena dintre unghiurile 30 n
apropierea direciei trigonale ( = 0 i = 180) n cmpuri magnetice puternice la temperatura
4.2 K, deoarece n acest caz direcia cmpului magnetic B nu este strict paralel axei 3, ci face
un unghi de 20 datorit faptului c axa firului este nclinat cu 20 fa de axa bisectoare.
Diagramele de rotaie R() n cmp magnetic de 0.4 T au un aspect simetric (180),
caracteristic cristalelor din Bi cu orientarea axei bisectoare n lungul axei probei [148].
n Figurile 2.17, 2.18 (curbele 2) sunt prezentate diagramele de rotaie ale firelor din Bi i
Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal. Se cunoate c, n Bi pur dac curentul
electric este orientat n direcia axei C3, diagramele unghiulare la rotirea probei la 180 de trei ori
trece prin maximum i minimum. Pentru a explica un astfel de comportament se iau n
considerare termenele dezvoltrii n cmp magnetic pn la 6 i mai sus, i atunci
magnetorezistena 33() are forma:

66

33 B 33 0 33,11B 2 33,1111B 4 33,111111B 6 cos 2 3 33, 222222 B 6 sin 2 3

C1

0,20

30,60

0,18

30,58

0,16

C3

30,54

C2

C2

60

90

120

1,78

5,70

1,76

150

1,74

5,65

1,72
1,70

5,55

0,12
30

5,75

5,60 1

C3 0,14

1
0

1,80

R, kOhm

30,62

30,56

5,80 2

0,22

R, kOhm

R, kOhm

30,64

0,24

C2

C1

R, kOhm

30,66

(2.2)

180

30

60

90

120

150

1,68
180

Degree

, Degrees

Fig. 2.17. Diagramele unghiulare de rotaie ale


magnetorezistenei transversale R() a firelor
din Bi cu orientare cristalografic: (1) standard
(1011), d = 0.25 m, T = 98.5 K, B = 0.1 T; (2)
trigonal d = 5.3 m, T = 101.5 K, B = 0.5 T.

Fig. 2.18. Diagramele unghiulare de rotaie


ale magnetorezistenei transversale R() a
firelor din Bi-0.05%atSn cu orientare
cristalografic: (1) standard (1011) i (2)
trigonal d = 0.6 m, T = 4.2 K, B = 0.5 T.

La adugarea n Bi a impuritilor acceptoare de Sn anizotropia / se micoreaz


semnificativ (Figura 2.18 curba 2), ns simetria R() se pstreaz, ce permite s facem
concluzia c n probele obinute axa C3 era orientat n lungul axei firului.
Pentru a cerceta oscilaiile ShdH n fire din Bi pur i aliaje Bi-Sn i Bi- n izolaie de
sticl cu orientri cristalografice i direcii ale cmpului magnetic diferite n intervalul de
temperaturi 4.2 300 , msurtorile au fost efectuate n Laboratorul Internaional de Cmpuri
magnetice Puternice i Temperaturi Joase (Wroclaw, Polonia) la instalaia Superconducting
MN2 (Figura 2.19).

Fig. 2.19. Instalaia Superconducting MN2.

67

n cmpuri magnetice puternice magnetorezistena este legat funcional de seciunea


suprafeei Fermi prin planul perpendicular direciei cmpului magnetic [149]. Deci, la rotirea
cmpului magnetic n planul de clivaj perfect, seciunea golurilor T nu se schimb, deoarece
suprafaa izoenergetic a golurilor prezint un elipsoid de rotaie n jurul axei C3 i anizotropia
magnetorezistenei pare s depind doar de topologia componentei electronilor sau a golurilor
(punctul L) a suprafeei Fermi, care este format din trei elipsoide anizotropice a maselor
efective, cele mai mici axe ale crora sunt orientate n lungul axei binare C2. La rotirea cmpului
magnetic n planul 3 la 360, seciunea S de ase ori trece prin valorile minimale Smin cnd
|| 2 i de ase ori prin cele maximale cnd || 1/2, ce i s-a nregistrat n firele din Bi0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal (Figurile 2.17, 2.18 curbele 2). Acest lucru se
datoreaz simetriei de ordinal ase. De obicei, diagramele unghiulare se nregistreaz n cmpuri
magnetice slabe pentru a exclude influena oscilaiilor cuantice.
Efectul Shubnikov de Haas este dependena nemonoton (oscilatorie) a rezistenei n
funcie de mrimea cmpului magnetic asociat cu schimbarea periodic a densitii strilor
gazului purttorilor de sarcin pe nivelul Fermi n cmp magnetic de cuantificare. Teoria
oscilaiilor cuantice pentru o lege aleatorie de dispersie, descris succint mai jos, a fost construit
de Lifshitz i Kosevich.
n cmp magnetic B pentru energiile n, asociate cu micarea purttorilor de sarcin pe
traiectorii nchise perpendiculare B, sunt permise doar valorile discrete (nivelele Landau). Legea
de dispersie, fr a lua n considerare spinul electronului, poate fi scris astfel:
P2
1

n
2
2m

Unde frecvena ciclotronic

mc

1 S , P

(2.3)
eB
este determinat de masa ciclotronic
mc c

(2.4)

P - componenta longitudinal a impulsului, iar m - masa efectiv longitudinal.

Densitatea strilor n cmp magnetic, ce corespunde spectrului energetic (2.3),


devine funcie discontinu a energiei. se transform n infinit ori de cte ori
2m c F
1

n h n sau B Bn
1
2

e n
2

(2.5)

68

unde F - energia Fermi. Natura periodic discontinu a densitii strilor n cmp magnetic
contribuie la formarea dependenei oscilatorii n funcie de mrimea cmpului magnetic pentru
toate mrimile termodinamice i cinetice, inclusiv i a rezistenei electrice. Oscilaiile sunt o
consecin a faptului c la schimbarea cmpului magnetic, nivelele Landau (sau cilindrele
Landau, dac analizm cazul tridimensional) periodic trec prin energia limit F a gazului
electronic i ca urmare pe nivelele Fermi apar particulariti ale densitilor de stri.
Dup

cum

fost

stabilit,

componenta

oscilatorie

B, T
0

adugat

la

magnetorezistena ( B) n prim aproximare are forma:


exp 2 2TD /

cSm
1/ 2
B
,
T

bTB
cos

eB
0
sh 2 2 T /

(2.6)

unde b mrime constant, - faza oscilaiilor. Mrimile S m , m, ce depind de i P , sunt


analizate cnd F i mrimea P , la care S, ca funcie de P are un maximum sau minimum.
S m este numit seciune extrem a suprafeei Fermi. Expresia (2.6) este veridic cnd F T
i

cSm
1 (n cmpuri magnetice cuasiclasice). Factorul exp 2 2 TD / h , unde TD
eB

temperatura Dingle TD

h
, ia n considerare lrgirea nivelelor Landau din cauza coliziunilor.
4

Distana dintre zerouri sau extremele funciilor / 0 (perioadele lor) sunt determinate de
seciunile extreme ale suprafeei Fermi perpendiculare direciei cmpului magnetic B:

1 2 e

B cSm

(2.7)

Conform expresiei (2.6) amplitudinea oscilaiilor magnetorezistenei crete cu micorarea


temperaturii, ce permite s determinm masa ciclotronic pe seciunile extreme ale suprafeei
Fermi. Raportul amplitudinii oscilaiilor A(T1 ) i A(T2 ) , determinate la temperaturile 1 i 2
( T1 T2 ) pentru una i aceeai valoare a cmpului magnetic B Bn este egal cu:
2 2 T1
sh

A(T2 ) T2 h

A(T1 ) T1 2 2 T2
sh

(2.8)

Expresia (2.8) este o ecuaie transcedent pentru determinarea m. n cazul n care


T1 2T2 aceast expresie se simplific i m poate fi determinat:

69

mc

A(T2 )
eBn
arch

2
2 c T2
A(2T2 )

(2.9)

n aproximarea (2.5) cnd n 1 masa ciclotronic m determinat din expresiile (2.8)(2.9), nu depinde de n i de temperatur 1 i 2. Trebuie de menionat c expresia (2.6) este
veridic dac D nu depinde de T. Evident, pentru ca oscilaiile magnetorezistenei s fie
observate este necesar s se respecte condiia:
2 2 T TD
1
h

(2.10)

Adic lrgirea nivelelor Landau n rezultatul coliziunilor, precum i tergerea termic a limitei
de distribuie Fermi trebuie s fie mai mic dect distana energetic ntre nivelele Landau.
2.4. Metoda de msurare a forei termoelectromotoare, rezistenei, efectului ShdH n lipsa
i la deformri anizotrope n fire n nveli de sticl
2.4.1. Metoda de msurare a proprietilor galvanomagnetice i termomagnetice n fire n
lipsa ntinderii elastice
O parte din cercetri au fost efectuate la instalaia pe baza criocooler-ului "Coolpower 4.2
GM". Instalaa "Coolpower 4.2 GM" permite de a efectua msurtori ale probelor masive,
pelicule, microfire din semimetale i semiconductori ntr-un interval extins de temperaturi 4
300 cu precizia 1 V/K. Rezistena probelor nu trebuie s depeasc 1 MOhm.
Instalaia permite s msurm concomitent 4 probe aproximativ cu aceeai lungime. Patru
probe se amplaseaz pe un suport special, construit dintr-o folie metalic subite de textolit de
sticl (Figurile 2.20 i 2.21). Fiecare prob se unete cu ajutorul eutecticii In-Ga la o pereche de
blocuri din cupru Cu (3), care sunt lipite cu adeziv termoconductor la dou blocuri masive din
cupru Cu (1 i 2). Toate blocurile din Cu (3) sunt conectate prin conductoare la conector.
Dispozitivul detaabil este montat pe o plac masiv din cupru Cu (CP) al criostatului astfel nct
s asigure un contact termic bun ntre blocul (1) i placa (CP) (prin pasta termoconductoate
-8). Pe partea lateral a plcii (CP), n faa blocului (1), este amplasat un convertor termic
(dioda Si), care msoar temperatura plcii i a blocului (1). Pe placa (2) este amplasat o surs
de cldur ce genereaz gradient de temperatur la msurarea forei termoelectromotoare.
Valoarea gradientului este msurat cu ajutorul termocuplului diferenial Cu-Cu(Fe). Pentru a
asigura o funcionare stabil a instalaiei la stabilizarea gradientului de temperatur, blocul (2) de

70

asemenea este conectat printr-o legtur termic slab cu placa din cupru Cu (CP). La nceputul
msurrii, temperatura n interiorul criostatului scade pn la 4 K i se pornete programul pentru
nregistrarea automat a forei termoelectromotoare. Codul digital al registrului de ieire al
blocului de interfa "Instrument Interface" prin convertorul digital-analog (DAC) se transform
n tensiune de curent continuu care dup amplificare de ctre amplificatorul "Ampl." se aplic la
sursa de curent "heater 2". Temperatura blocului (2) crete i se mrete tensiunea pe
termocuplul diferenial Cu-Cu(Fe).

()

(b)

Fig. 2.20. Suportul pentru msurarea forei termoelectromotoare n patru probe concomitent:
(a) schema de amplasare a blocurilor de contact a suportului pentru fire la msurarea forei
termoelectromotoare; (b) gradientul de temperatur se creeaz prin sursa de cldur (heater), iar
valoarea lui se determin cu ajutorul termocuplului diferenial Cu-Cu(Fe).
La atingerea unei diferene necesar de temperaturi T = 2.5(T-4)/296+0.5, unde T
temperatura msurat cu o diod din siliciu, programul trece n regimul de stabilizare a
gradientului de temperatur.
Ulterior, un dispozitiv special (integrator i amplificatorul de putere) mrete lent
valoarea curentului prin sursa de cldur "heater 1" i temperatura plcii din cupru Cu (CP)
crete lent (~0.1 K/min la 4 K, ~1 K/min la 77 K). La atingerea valorilor de referin ale
temperaturii, programul citete valorile tensiunii de la cele patru mostre i mparte la valoarea
gradientului de temperatur, dup care scrie datele forei termoelectromotoare ntr-un fiier
separat.

71

Samples: Bi-3, Bi-4

Bi Bulk, C3 aligned

0
-20

Copper
blocks

a1

a2

a3

a4

, V/K

-40
Sample Bi-4
position a3

-60

Heater

-80

Sample Bi-3
position a3

-100
-120
0

50

100

150

200

250

300

T, K

Fig. 2.21. Msurtori de control a forei termoelectromotoare n dependen de temperatur (T)


pentru probe masive din Bi cu orientare cristalografic (111) (n lungul axei probei) la instalaia
"Coolpower 4.2 GM". Pe inserare schema de amplasare a probelor la msurare concomitent a
patru probe cu aceeai lungime.
Instalaia experimental construit de ctre dr. Leonid Konopko pe baza "Coolpower 4.2
GM" a fost testat la msurtori ale forei termoelectromotoare n monocristale masive din Bi
(0.9 x 0.9 x 4 mm3) (fig. 2.21) i a artat o corespundere bun cu datele din literatur.
2.4.2. Metoda de msurare a proprietilor galvanomagnetice i termomagnetice n fire la
ntindere elastic
Rezistena mecanic nalt a cristalelor n form de fire, ce atinge valori teoretice, ofer
posibiliti excepionale pentru cercetarea influenei deformrilor anizotrope asupra proprietilor
electronice ale metalelor i semimetalelor. Limita de deformare elastic a firelor n izolaie de
sticl atinge valori de 2 2.5% alungire relativ.
Cauzele a astfel de proprieti elastice ale firelor sunt lipsa defectelor n volum i
perfeciunea nalt a suprafeei.
Un moment important n procesul de fabricare a firelor monocristaline, utile pentru
deformri anizotrope puternice, este realizarea raportului: nveliul de sticl materialul
miezului conductor. Pentru a spori valoarea deformrii elastice a fost utilizat ideea lui V.A.

72

Stepanov [150] cu privire la formarea condiiilor limit pe suprafaa probei, care ar mpiedica
dezvoltarea deformrilor plastice n cristal.
La cercetarea proceselor de deformare n Bi, realizate de Bengus, Kukleev i Starev, a
fost demonstrat c la temperaturi joase mecanismul principal al deformrii plastice este
alunecarea [150].
n probele noastre, planurile de alunecare sunt fixate de nveliul de sticl, ce se lipete
bine de miezul conductor i depete de cteva ori diametrul lui. La ntinderea cristalului,
amplast ntr-un nveli dur, noi blocm alunecarea i nu permitem s se schimbe forma, deci, s
nceap procesul de deformare plastic.
Au fost luate n considerare experimentele lui Griffits [151], Bartek i epkov [152] cu
privire la dependena durabilitii firelor n izolaie de sticl de factorul de scal. n lucrarea [150]
s-a demonstrat experimental c rezistena tehnic a sticlei poate fi majorat semnificativ dac
procesul de fabricare a probelor va decurge la temperaturi ridicate, precum i la micorarea
dimensiunilor lor. Experimentele cu firele din sticl [152], demonstreaz dependena durabilitii
firelor de diametru; limita durabilitii firelor din sticl a crescut brusc la valori ale diametrelor
mai mici de 25 m. Din aceste considerente, nveliul de sticl a firelor cercetate la ntinderi
elastice maximale nu depete 20 m.
Limita nalt a deformrilor elastice, convertibilitate deplin i posibilitatea de modificare
continu a mrimii de deformare, fac aceste fire n izolaie de sticl obiecte ideale pentru
cercetarea diferitor efecte dimensionale, precum i a influenei ntinderii elastice uniaxiale asupra
formei suprafeei Fermi i tranziiile electronice topologice.
Pentru a cerceta curbele de deformare ale rezistenei, forei termoelectromotoare i
oscilaiilor ShdH a fost construit un suport special ce permite s efectum cercetri n intervalul
de temperaturi 4.5 300 att n lipsa cmpului magnetic, ct i n cmpuri magnetice pn la
14 T ct pe puncte, att i n regim automat la ntinderi elastice pn la 2-3% alungire relativ.
La cercetarea firelor sub aciunea ntinderii elastice firul a fost fixat pe un inel din bronz
de beriliu cu diametrul 5 mm (Figura 2.22 a). Dou suprafee de contact din textolit de sticl
acoperit cu o folie din cupru cu dimensiunile 2 x 1 x 0.5 mm fixate pe inel la distana de 2-3 mm
una fa de alta au servit n calitate de suprafee de contact pe care a fost ntrit proba i sursa de
cldur, pentru crearea gradientului de temperatur la msurarea forei termoelectromotoare.
Gradientul de temperatur a fost meninut de sursa de cldur i msurat cu termocuplul
diferenial Cu-Fe. Toate datele: semnalul, temperatura, gradientul de temperatur i fora
termoelectromotoare puteau fi vizualizate pe ecranul de lucru n timpul msurrilor i nscrise

73

ntr-un fiier. Toat construcia inelul din bronza de beril cu proba fixat a fost introdus n
suport (Figura 2.22 b).

(a)

(b)

Fig. 2.22. () fixarea probei pe inelul din bronz de beril la msurarea proprietilor cinetice
ale firelor la ntindere elastic. (b) schema suportului pentru probe (fire), ce permite de a
efectua msurtori att n lipsa cmpului magnetic, ct i n cmpul electromagnetului,
solenoidului supraconductor al magnetului bitter, n intervalul de temperaturi 2 300 .
(C construcia inelului din bronza de beril, ThCo termocuplul diferenial CuFe).
Un capt al inelului (1) se fixeaz bine, iar al doilea (2) se unete cu partea mobil care se
ntinde (Figura 2.22 b). Deplasarea urubului la rotirea lui se transmite la captul liber al
resortului, care cu cellalt capt e unit cu inelul din beril, ce contribuie la schimbarea mrimii
aciunii forei asupra inelului din bronza de beril tratat termic i, respectiv, la schimbarea mrimii
de deformare a acestui inel, precum i la schimbarea lungimii microfirului din Bi, lipit pe
punctele opuse ale inelului din beril. Axa urubului, cu ajutorul transmisiei prin roi dinate, este
conectat la motorul de curent continuu, precum i la poteniometrul returnabil. Dup
schimbarea rezistenei poteniometrului poate fi determinat unghiul de rotire a urubului i,
74

repectiv, schimbarea lungimii probei, gradat prealabil la temperatura camerei. Acest sistem a
permis s automatizm experimentul. n acest caz, la conectarea motorului, programul d
comand multimetrelor digitale de a msura rezistena poteniometrului i de a msura rezistena
sau fora termoelectromotoare ale probei, afieaz curba R() sau () pe monitor i nscrie
datele msurate n fiier.
n prealabil, sub microscop a fost efectuat gradarea inelului ce se ntinde n dependen
de fora aplicat la temperatura = 300 . Construcia dat permite ntinderea lent a probei
pn la 2-3% alungire relativ,

l l l 0

100% unde l lungimea probei pn la ntindere,


l
l

n intervalul de temperaturi 2 300 K.


Dependenele de temperatur ale rezistenei i forei termoelectromotoare ct n lipsa, att
i la ntindere elastic au fost nregistrate n regim automat la instalaia computerizat Bitter
magnet MB15 n intervalul de temperaturi 4.2 300 n Laboratorul Internaional de Cmpuri
Magnetice Puternice i Temperaturi Joase (Wroclaw, Poland). O atenie deosebit s-a acordat
respectrii condiiei de ntindere elastic. n acest scop, au fost efectuate multiple cicluri de
ntindere i a fost estimat reproductibilitatea rezultatelor experimentului la diferite valori ale
temperaturii.
n Figura 2.23 sunt prezentate curbele de deformare prin ntindere ale rezistenei i forei
termoelectromotoare pentru fire din Bi la cteva cicluri concomitente de ntindere.
9

60

8
40

6
5

V/K

R, kOhm

20

1
2

3
2

-20

(b)

(a)

1
0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

0.0

, %

0.5

1.0

1.5

2.0

, %

Fig. 2.23. Curbele de deformare ale rezistenei R() () = 4.2 i forei termoelectromotoare
() (b) = 57 ale firelor din Bi cu diametrul d = 300 nm la cteva cicluri concomitente de
ntindere.

75

R, kOhm

200

150

100

1
2

50

10

12

14

B, T

Fig. 2.24. Curbele rezistenei n dependen de cmpul magnetic R() ale firelor din Bi cu
diametrul d = 90 nm: 1. = 1.7%, = 4.2 i 2. = 1.8%, = 2.1 la cteva cicluri
concomitente de ntindere.
Reproductibilitatea rezultatelor demonstreaz faptul c toate cercetrile la deformare prin
ntindere a firelor din Bi i aliajele lui cu Sn i Te (oscilaiile ShdH, dependenele de deformare
ale rezistenei R() i forei termoelectromotoare ()) n intervalul de temperaturi 4.2 300 au
fost efectuate n regiunea elasticitii.

2.5. Concluzii la capitolul 2


A fost creat instalaia automatizat i elaborat metoda de obinere a firelor din Bi i
aliajele lui n nveli de sticl cu o anumit orientare cristalografic prin metoda de recristalizare
zonal orizontal cu agent de cristalizare. Utiliznd metode moderne de control difracia cu
raze X, oscilaii ShdH, diagramele unghiulare de rotaie ale magnetorezistenei transversale s-a
demonstrat concludent c n premier au fost obinute fire din Bi i Bi-Sn n izolaie de sticl cu
orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului.
S-a demonstrat c, recristalizarea zonal multipl a firelor din Bi dopat contribuie la
omogenizarea i mbuntirea calitii structurale a lor.
Sunt descrise metodele de calcul a parametrilor principali a suprafeei Fermi determinai
din oscilaiile ShdH n toate direciile cristalografice principale. La calculul maselor ciclotronice,
a temperaturii Dingle, concentraia purttorilor de sarcin i poziia energetic a nivelului Fermi
76

au fost utilizate metode teoretice cunoscute, descrise n capitolul dat. Autenticitatea rezultatelor
este confirmat prin reproductibilitatea lor i analiza n comparaie cu rezultatele obinute n
probe masive. A fost estimat eroarea de msurare. S-a demonstrat c suportul construit pentru
deformarea firelor permite de a efectua cercetri ale oscilaiilor ShdH, dependenelor de
deformare ale rezistenei i forei termoelectromotoare n regim automat n intervalul de
temperaturi 2.1 300 la ntindere elastic.

77

3. OSCILAIILE SHUBNIKOV DE HAAS I PARTICULARITILE


FENOMENELOR DE TRANSPORT N FIRE DIN BISMUT PUR CU ORIENTARE
CRISTALOGRAFIC TRIGONAL N LUNGUL AXEI FIRULUI
n capitolul dat sunt prezentate rezultatele cercetrilor magnetorezistenei i oscilaiilor
ShdH n cmpuri magnetice longitudinal i transversal pn la 14 T la temperaturi 1.5 4.2 n
fire din Bi pur cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului n izolaie de sticl cu
diametre diferite. Au fost calculate perioadele oscilaiilor ShdH i masele ciclotronice n toate
direciile cristalografice principale. Rezultatele sunt comparate cu cele ale altor autori, obinute
n probe masive i pelicule monocristaline din Bi.
Sunt prezentate, de asemenea, rezultatele msurtorilor forei termoelectromotoare i
rezistenei n fire din Bi cu orientare cristalografic trigonal cu diametre diferite, ce sunt
comparate i completate cu datele experimentale obinute n firele din Bi cu orientare
cristalografic standard (1011), ce a permis s analizm anizotropia rezistenei i forei
termoelectromotoare n fire din Bi i dependena ei de diametrul firelor d la temperaturi 4.2
300 .
Experimental, prin metoda de msurare a oscilaiilor ShdH, a fost cercetat impactul
deformrii elastice puternice uniaxiale n lungul axei trigonale a firului asupra rezistenei i forei
termoelectromotoare n fire din Bi ntr-un interval extins de temperaturi, precum i asupra
schimbrii seciunilor suprafeei Fermi.
A fost investigat detaliat magnetorezistena longitudinal ( || 3) i transversal n
direciile || 1/2 i || 2 n cmpuri magnetice slabe i puternice pn la 14 T ntr-un interval
extins de temperaturi n fire din Bi cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului cu
diametre diferite i n fire cuantice din Bi cu d < 100 nm cu orientare cristalografic standard
(1011) n lungul axei firului. O cretere gigant a magnetorezistenei transversale a fost
nregistrat n cmp magnetic puternic i efectul magnetorezistenei negative n cmp magnetic
transversal n fire cuantice din Bi cu diametre mai mici de 80 nm la temperaturi < 5 . La
interpretarea efectului magnetorezistenei negative observat, se aplic modelul teoretic al firului
cuantic din Bi ce ia n considerare caracterul cuantic al spectrului energetic i caracterul divers al
mprtierii purttorilor de sarcin.

78

3.1. Magnetorezistena longitudinal i efectul Shubnikov de Haas n fire din Bi cu


orientare cristalografic trigonal
n lucrarea dat au fost cercetate fire din Bi pur n nveli de sticl cu trei valori diferite
ale diametrelor, ce difer aproape cu 2 ordine de mrime: 53 m, 5.3 m i 0.55 m cu orientare
cristalografic trigonal n lungul axei firului. Aa cum s-a prezentat n capitolul 2, firele cu
orientare cristalografic trigonal au fost obinute prin metoda de recristalizare cu agent de
cristalizare.
Caracteristicile de schimbare ale magnetorezistenei longitudinale la temperatura 4.2 K n
fire din Bi orientate n lungul axei C3 cu diametre diferite sunt ilustrate pe dependenele
rezistenei reduse (R(B)-RB=0)/RB=0() Figura 3.1. Pentru firul cu d = 53 m rezistena n cmp
magnetic pn la 14 T crete de 50 ori, ce nu este surprinztor, deoarece, se cunoate, c n
probe masive din bismut 33() n sistemul de coordonate de laborator este determinat prin
expresia [58]:

33s B3

B2
1 1
2 3

n B 2
e p 3 n 3 1 p 3
2
2 3
3

(3.1)

i n cmp magnetic ( || 3 || I) atinge valoarea 150% la temperatura 4.2 , iar n cmp


magnetic transversal rezistena crete sute de mii de ori [153].
Un efect analogic a fost nregistrat i n pelicule monocristaline din Bi [154]. Efectul
magnetorezistenei gigant are legtur direct cu raportul R300/R4.2 n probe subiri i masive din
Bi.
n cmp magnetic longitudinal, cu micorarea diametrului firelor d, n cmpuri magnetice
slabe se nregistreaz o cretere nesemnificativ a rezistenei (R(B)-RB=0)/RB=0() 0.05, dup
care rezistena se micoreaz, formnd un minimum (magnetorezistena negativ), care, cu
micorarea diametrului firelor de la d = 5.3 m pn la 0.55 m, se deplaseaz n regiunea
cmpurilor magnetice puternice aproape cu un ordin de mrime. Regiunea de existen a
magnetorezistenei negative se extinde semnificativ odat cu micorarea diametrului firelor d
(Figura 3.1 b).
Magnetorezistena

longitudinal

fire

este

suprapunere

dou

efecte:

magnetorezistena de volum, care n cmpuri magnetice clasice contribuie la creterea rezistenei


i efectul galvanomagnetic dimensional, ce determin micorarea rezistenei firelor cu creterea
cmpului magnetic B. Ambele efecte prezint o dependen semnificativ de diametrul firelor d.
Din cauza limitrii lungimii parcursului liber n fire, valoarea magnetorezistenei de volum

79

descrete cu micorarea diametrului firelor d, iar manifestarea efectului galvanomagnetic


dimensional se intensific.
10
50

2
n10

0
0,0

0,4
-1

B ,T

40

0,8

30

1,2

-1

20

10

(a)
0

10

12

(R(B)-RB=0)/RB=0

(R(B)-RB=0)/RB=0

20

14

B, T

0,5

25

0,4

0,2

15

0,1
10

0,0
-0,1

(R(B)-RB=0)/RB=0

(R(B)-RB=0)/RB=0

20

0,3

-0,2

(b) 0

-0,3
0

B, T

Fig. 3.1. () Dependenele magnetorezistenei longitudinale reduse (R(B)-RB=0)/RB=0()


nregistrate n fire din Bi cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului cu diametre
diferite: 1. d = 0.55 m, 2. d = 5.3 m, 3. d = 53 m. Pe inserare: dependenele numrului
cuantic n al oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului magnetic indirect n(-1).
(b) Dependenele magnetorezistenei longitudinale reduse (R(B)-RB=0)/RB=0() nregistrate n fire
din Bi cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului prezentate pe fig. 3.1. (a) n
cmpuri magnetice slabe.

80

Dac considerm, dup analogie cu firele cu orientare cristalografic standard, c


prezena maximului pe curbele magnetorezistenei longitudinale R() n cmp magnetic slab,
conform teoriei Asbel Sontheimer, corespunde condiiei cnd raza Larmore r este egal cu
diametrul firului d ( r d ) i r

PF c
, unde PF impulsul Fermi n direcia transversal
eB

cmpului magnetic B, atunci pentru firul din Bi cu d = 0.55 m n direcia || 3 max = 0.7
(conform experimentului Figura 3.1 b) a fost obinut valoarea PFT 1.77 10 21 gr*cm/sec, care
este n bun concordan cu valoarea minimal a impulsului Fermi PF pentru goluri T obinut
din oscilaiile ShdH n probe masive din Bi [8]. Acest fapt confirm c, maximul dimensional pe
curbele magnetorezistenei longitudinale R() a firelor subiri din Bi cu orientare cristalografic
trigonal corespunde cmpului seciunii oscilaiilor ShdH de la goluri T i este asociat cu
manifestarea efectului galvanomagnetic dimensional de la goluri T, ce se atribuie seciunii
extreme minimale.
n toate firele din Bi cercetate, la orientarea cmpului magnetic n lungul axei C3, adic
paralel axei firului, la temperatura 4.2 K au fost nregistrate oscilaii ShdH pe curbele
magnetorezistenei longitudinale de la suprafaa Fermi a golurilor n punctul T. Pentru aceast
direcie spectrul golurilor se simplific mult i erorile experimentale legate de dezorientarea
aleatorie a axei firului n raport cu cmpul magnetic sunt minime.
Exemplu al dependenelor magnetorezistenei reduse (R(B)-RB=0)/RB=0() la temperatura
4.2 K, || 3 || I pentru firele din Bi cu trei diametre diferite este ilustrat n Figura 3.1. n firele
cu d = 53 m se nregistreaz o cretere brusc a rezistenei pe ntregul interval de cmpuri
magnetice. Pe fondul caracterului monoton al curbelor R() sunt nregistrate oscilaii ShdH n
toate firele diametrelor cercetate. Oscilaiile ShdH pe curbele R(), cu un numr multiplu de
puncte extreme, ntr-un interval extins al cmpurilor magnetice, au fost nregistrate n fire cu d =
0.55 m, la care caracterul monoton pe curbele R() practic lipsete. Oscilaiile ShdH cel mai
bine sunt vizibile pe curbele derivatelor dR/d() (Figura 3.2) i pe curbele forei
termoelectromotoare longitudinale || chiar i la temperatura = 6-10 (Figura 3.3).
Oscilaiile ShdH nregistrate de la golurile T sunt periodice n cmp magnetic indirect. n
Figura 3.1 (a) (inserare) sunt prezentate dependenele numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n
funcie de cmpul magnetic indirect. Din dependenele experimentale n(-1) a fost determinat
perioada oscilaiilor ShdH n cmp magnetic indirect (-1), care este invers proporional
seciunii extreme a suprafeei Fermi Sextr n planul perpendicular cmpului magnetic B i la

81

temperatur = const este legat de seciunea extrem a suprafeei Fermi prin relaia

1 2 e

.
B cSextr
1.5
80

60
1.0

40

dR/dB

dR/dB

20
0.5

-20

0.0

-40
-60

-0.5

-80
0

10

12

14

B, T

Fig. 3.2. Dependenele derivatei magnetorezistenei longitudinale dR/d() nregistrate n fire


din Bi cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului cu diametre diferite: 1. d =
0.55m, 2. d = 5.3 m, 3. d = 53 m.

10 (1/B)=0.1 T-1=

100

-5

25

-1

1*10 Oe

, V/K

20

50

0
0.0

0.4
-1

0.8
-1

B ,T

10

12

14

B, T

Fig. 3.3. Dependena de cmp magnetic a forei termoelectromotoare longitudinale ()


nregistrat n firul din Bi pur cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului cu d =
0.55 m la temperatura = 6.6 . Inserarea din stnga: dependena de cmp magnetic a forei
termoelectromotoare longitudinale () n cmp magnetic slab. Inserarea din dreapta:
dependena numrului cuantic n a oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului magnetic
indirect -1.
82

Dup dispersia punctelor experimentale pe curbele oscilatorii a fost estimat eroarea la


determinarea perioadei (-1), care n cazul nostru constituie 5%. Perioada oscilaiilor ShdH
pentru toate diametrele cercetate atinge valoarea T(-1) 1.2*10-5-1, ce este n bun
concordan cu perioada analogic obinut n probe masive din Bi n aceast direcie
cristalografic [155] de la seciunea minimal a golurilor n punctul T a zonei Brillouin.
Trebuie de menionat c n cmpuri magnetice puternice pe curbele dR/d() sunt
observate oscilaii slab pronunate, ce sunt asociate, probabil, seciunilor mari ale electronilor L,
ns, deoarece regiunea de existen a lor este n regiunea ultracuantic a cmpurilor magnetice
de la goluri T, determinarea perioadei lor a fost dificil.
Pentru determinarea maselor ciclotronice n probele cercetate, oscilaiile ShdH au fost
nregistrate la dou valori ale temperaturii = 4.2 i = 2.1 . Temperaturile sub 4.2 K au
fost obinute prin pomparea vaporilor de He. Exemple ale curbelor magnetorezistenei
longitudinale la dou valori ale temperaturii 4.2 i 2.1 sunt prezentate n Figurile 3.4-3.6
pentru firele din Bi cu diametrele: 53 m, 5.3 m i 0.55 m.

0.025
2

R, kOhm

0.020

dR/dB

28

24

1
20

0.015

B, T

12

0.010

n
0.005

0.000

0
0.0

-5

=1,2*10 Oe
0.2

0.4
-1

B ,T
0

10

12

-1

0.6
-1

14

B, T

Fig. 3.4. Dependenele magnetorezistenei longitudinale R(B) nregistrate n firul din Bi cu


orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului cu d = 53 m la dou valori ale
temperaturii 1. T = 2.1 i 2. T = 4.2 . Pe inserare-sus: dependenele derivatei
magnetorezistenei longitudinale dR/d() n cmp magnetic slab. Pe inserare-jos: dependena
numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n funcie de valoarea cmpului magnetic indirect n(-1).

83

Amplitudinea oscilaiilor cuantice n firele cercetate, n cazul magnetorezistenei

longitudinale R ( B), B j crete cnd T 0 . Trebuie de menionat c, n cristale foarte pure


din Bi, n care chiar i la temperatura heliului lichid domin mprtierea pe fononi, amplitudinea
oscilaiilor ShdH pe curbele magnetorezistenei longitudinale ( B ) se micoreaz cnd

T 0 156. Acest lucru se explic prin faptul c n cazul B j contribuia n oscilaiile
timpului de relaxare ( B) i respectiv n oscilaiile ( B ) este adus doar de mprtierea ntre
nivele, ce are loc cu schimbarea componentei longitudinale a cuasiimpulsului P . Cu micorarea
temperaturii din cauza ngherii fononilor, ce sunt necesari pentru realizarea tranziiilor ntre
nivelele adiacente Landau, probabilitatea de mprtiere ntre nivele scade, ceea ce contribuie la
micorarea amplitudinei oscilaiilor cuantice.

0.08
2
1

50

0.04

dR/dB

R, kOhm

0.06

-50

10
-5

0.02

2=0,95*10 Oe

n 5

-5

-1

1=0,2*10 Oe

0.2

0.00
0

-1

0.3

10

0.4

12

-1

-1

B ,T
0.5

-100

14

B, T

Fig. 3.5. Dependenele magnetorezistenei longitudinale R(B) (scara din stnga) i derivatei
magnetorezistenei longitudinale dR/d() (scara din dreapta) nregistrate n firul din Bi cu
orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului cu d = 5.3 m la dou valori ale
temperaturii: 1. T = 2.1 i 2. T = 4.2 . Pe inserare: dependena numrului cuantic n al
oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului magnetic indirect n(-1).

84

R, kOhm

R, kOhm

1.5

1.4

1
1.3
1.2

B, T

2
20

n 10

-5

-1

1=1*10 Oe

0
0.4

0.8

-1

-1

1.2 B , T

0
0

10

12

14

B, T

Fig. 3.6. Dependenele magnetorezistenei longitudinale R(B) nregistrate n firul din Bi cu


orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului cu d = 0.55 m la dou valori ale
temperaturii: 1. T = 2.1 i 2. T = 4.2 . Pe inserare-sus: dependenele derivatei
magnetorezistenei longitudinale dR/d() n cmpuri magnetice slabe. T = 4.2 . Pe inserarejos: dependena numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului
magnetic indirect n(-1).
Cum se vede n Figurile 3.4-3.6 amplitudinea oscilaiilor ShdH n fire cu orientare
cristalografic trigonal pentru toate diametrele cercetate (de la 53 m pn la 0.55 m) a
crescut.
Masele ciclotronice au fost determinate din dependenele de temperatur ale oscilaiilor
ShdH conform relaiei (2.9) 157.
Pentru toate cele trei diametre ale firelor din Bi cercetate valoarea medie m constituie
0.062m00.005, care n limita erorii de msurare este n bun concordan cu datele prezentate n
lucrarea [8], conform creia masa ciclotronic minimal a golurilor T n direcia || 3 mch
0.064m0 (Tabelul 3.1).
Dup determinarea masei ciclotronice m, a fost calculat temperatura Dingle TD. n acest
scop poate fi utilizat dependena amplitudinei oscilaiilor n funcie de intensitatea cmpului
magnetic. Analiznd raportul amplitudinilor A T 1 , Bn i A T 1 , Bn 1 la temperatur constant,
la valori diferite ale cmpului magnetic, avem
85

A T , Bn

B
n 1
A T , Bn 1 Bn

2 2 mc c T
1
2 2 mc c TD 1
1
2

Bn 1 2
eBn 1
1
2 mc c T TD 1
e
Bn1 Bn
exp

(3.2)
e

2
2 mc c T
e

Bn 1 Bn
Bn
sh
eBn

sh

De unde TD se determin prin logaritmare.


Numrul punctelor extreme pe curbele R(), care sunt clar vizibile att la temperatura
2.1 , ct i la temperatura 4.2K, este suficient de mare, fapt ce reduce gradul de eroare la
determinarea D. Conform [157] temperatura Dingle
TD

k B

(3.3)

unde l

vF

lm*
- timpul de relaxare al purttorilor de sarcin. Aa cum este prezentat n
k F

lucrarea [158], timpul de relaxare Dingle, ce determin lrgirea nivelelor Landau din cauza
difuziei pe defectele statice, este de cteva zeci de ori mai mic dect timpul de relaxare de
transport T n Bi pur. Pentru firele cercetate, cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei
firului, temperatura Dingle atinge valoarea 3 . Masele ciclotronice a purttorilor de sarcin
golurile T i temperatura Dingle pentru toate firele din Bi cu orientare cristalografic trigonal (
|| I) cu diferite valori ale diametrelor, determinate din curbele experimentale ale oscilaiilor
ShdH, sunt prezentate n Tabelul 3.1.
Tabelul 3.1. Parametrii principali a suprafeei Fermi a golurilor T n fire din Bi cu diametre
diferite cu orientare cristalografic trigonal n cmp magnetic longitudinal ( || I)
d, m

R300/R4.2

f hT ,

53

15

91.8

6.1*10-23*10-3

3.30,5

5,3

11,1

10

6.7*10-22*10-3

3.22.7*10-2

0,55

2,61

106.8*10-1

5.8*10-23*10-3

32.6*10-1

mcT / m0

f hT - frecvena oscilaiilor ShdH de la seciunea minimal a golurilor T;


mcT - masa ciclotronic maximal a golurilor T;

TD - temperatura Dingle.

86

TD, K

Ca i n lucrarea 159 cnd B C3 B I n direcia trigonal a fost nregistrat doar o


singur perioad a oscilaiilor ShdH. Deoarece, masele ciclotronice a electronilor n L i a
golurilor n T n aceast direcie au valori apropiate mceL 0.088m0 pentru electroni i
mchT 0.064m0 [8] pentru goluri n T, deci i seciunile extreme a elipsoidelor de asemenea sunt

apropiate dup mrime.


Cum se vede din datele reflectate n Tabelul 3.1, parametrii determinai din dependenele
experimentale ale oscilaiilor ShdH pe curbele magnetorezistenei longitudinale ( || I) i anume:
frecvena oscilaiilor f, masele ciclotronice m i temperatura Dingle D n limitele erorilor de
msurare sunt identice pentru toate firele cu diametrele cercetate i coincid cu valorile obinute
n probele masive din Bi cu orientare cristalografic trigonal.
Menionm c n fire din Bi cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei
firului, temperatura Dingle D, determinat n mod analogic din oscilaiile ShdH ale
magnetorezistenei longitudinale, pentru elipsoidele electronilor L2,3 atinge valoarea 1 . Pe de
o parte, acest lucru indic asupra faptului c timpul de relaxare a electronilor i fononilor difer,
iar pe de alt parte raportul R300/R4.2 n firele din Bi cu orientare cristalografic standard (1011)
cu d = 0.5 m circa de 2-3 ori este mai mare dect n firele cu orientare cristalografic trigonal.
A prezentat interes estimarea valorilor cum ar fi: masele ciclotronice m, temperatura
Dingle D i frecvena oscilaiilor ShdH f n fire din Bi cu orientare cristalografic trigonal i n
alte direcii cristalografice principale || 1/2, || 2, I, unde masele ciclotronice i
seciunile suprafeei Fermi difer semnificativ.
3.2. Magnetorezistena transversal i oscilaiile ShdH n fire din Bi cu orientare
cristalografic trigonal
De obicei, pentru a cerceta anizotropia proprietilor cinetice n monocristale din Bi se
utilizeaz diagramele unghiulare de rotaie ale magnetorezistenei transversale R/R().
Dup

recristalizare

zonal

au

fost

nregistrate

diagramele

de

rotaie

ale

magnetorezistenei transversale i selectate doar firele cu orientare cristalografic trigonal.


Firele cu orientare arbitrar a axelor cristalografice principale dup msurarea diagramelor
unghiulare erau excluse din examinare.
Este cunoscut faptul c n probele masive din Bi dac curentul este orientat n direcia
axei C3 diagramele de rotaie ale magnetorezistenei la o rotire de 180 de trei ori trece prin
minimum i maximum. Calitativ, acest lucru poate fi explicat prin faptul c n cmpuri

87

magnetice puternice magnetorezistena este legat funcional cu seciunea suprafeei Fermi prin
planul perpendicular direciei cmpului magnetic 160. Deci, la rotirea cmpului magnetic n
planul de clivaj perfect, seciunea golurilor T nu se schimb, deoarece suprafaa izoenergetic a
golurilor prezint un elipsoid de rotaie n jurul axei C3. Anizotropia magnetorezistenei pare s
depind doar de topologia componentei electronilor a suprafeei Fermi, care este format din trei
elipsoide anizotrope a maselor efective, cele mai mici axe ale crora sunt orientate n lungul axei
binare C2.
La rotirea cmpului magnetic n planul 3 la 360, seciunea S de ase ori trece prin
valorile minimale Smin cnd || 2 i de ase ori prin cele maximale cnd || 1/2 58, acest
lucru se datoreaz simetriei de ordinal ase (dup cum s-a menionat i n Capitolul 2).
Dependenele unghiulare analitice 33(,) au forma 58:
4
4

33 B, 330 2 j B 2 j 333( 2 j ) B 2 j cos 6 030(2 j ) B 2 j 033( 2 j ) B 2 j cos 6


j 3

j 3

j 0
j 0

(3.4)

Diagramele de rotaie ale magnetorezistenei transversale ale firelor din Bi cercetate, cu


trei valori diferite ale diametrelor ce difer aproape cu 2 ordine de mrime, la temperaturi 4.2
100 K sunt prezentate n Figurile 3.7-3.9. Curbele de rotaie ale magnetorezistenei n cmp
magnetic transversal au fost obinute la instalaia de nregistrare automat a efectului, respectiv
punctele pe curbe lipsesc. Magnetorezistena transversal (R(B)-RB=0)/RB=0(B) a fost msurat n
direciile ce corespund punctelor extreme pe diagramele de rotaie n Figurile 3.7-3.8. Maximul
pe (R(B)-RB=0)/RB=0() corespunde direciei cmpului magnetic B paralel axei bisectoare 1/2, iar
minimul axei binare 2.
Ca i n probele masive cu astfel de orientare cristalografic, forma curbelor nu se
schimb nici cu micorarea temperaturii, nici cu schimbarea mrimii cmpului magnetic i
practice nu depinde de diametrul firelor d. n regiunea linear a curbelor R() la temperatura
4.2K, anizotropia magnetorezistenei rmne constant n diapazonul 5 14 . n regiunea
cmpurilor magnetice 0.5 1 anizotropia

33 B1
atinge valoarea 1.3 1.5.
33 B2

n regiunea temperaturilor 100 K anizotropia

R33 ( B1/2 )
atinge valoarea 1.7 n cmp
R33 ( B2 )

magnetic 0.5 T i crete cu 30% la creterea cmpului magnetic pn la 5 T (Figura 3.9).

88

70

0,20
0,18

50

0,16
0,14

20

(R(B)-RB=0)/RB=0

(R(B)-RB=0)/RB=0

60

0,12

10
C1/2

0
0

30

60

0,10
C2

90

120

150

180

210

240

270

, Degree

Fig. 3.7. Diagramele de rotaie ale magnetorezistenei transversale (R(B)-RB=0)/RB=0()


nregistrate n fire din Bi cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului cu diametre
diferite: 1. d = 53 m, = 0.5 , = 4.2 ; 2. d = 5.3 m, = 0.5 , = 101.5 ;
3. d = 0.55 m, = 0.2 , = 2.1 .
10
3300
9

2700
8

2400

2
200

(R(B)-RB=0)/RB=0

(R(B)-RB=0)/RB=0

3000

150
6
100
0

60

120

180

240

300

, Degree

Fig. 3.8. Diagramele de rotaie ale magnetorezistenei transversale (R(B)-RB=0)/RB=0()


nregistrate n firul din Bi cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului cu
d = 53 m: 1. = 0.4 , = 77 ; 2. = 1 , = 4.2 ; 3. = 5 , = 4.2 .

89

90
26

2
80
70

22
20

60

18

50

16

(R(B)-RB=0)/RB=0

(R(B)-RB=0)/RB=0

24

40

14
30
12
-30

30

60

90

120 150 180 210 240 270


, Degree

Fig. 3.9. Diagramele de rotaie ale magnetorezistenei transversale (R(B)-RB=0)/RB=0()


nregistrate n firul din Bi cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului cu
d = 5.3 m la temperatura = 101.5 i valori diferire ale cmpului magnetic 1. = 0.5 i
2. = 1 .
Anizotropia magnetorezistenei n fire la temperatura 4.2 K practic nu depinde de
diametru i mrimea cmpului magnetic pn la 5 T (Figura 3.8). Prezena oscilaiilor pe curbele
2 i 3 este o consecin a manifestrii oscilaiilor ShdH pe curbele R33 B . La temperatura
77 K efectele oscilatorii se exclud i diagramele de rotaie nu nregistreaz oscilaii, iar
R
anizotropia

R BC1/2

R
2 . Din analiza diagramelor de rotaie ale magnetorezistenei

R BC2

transversale putem face concluzia c toate firele n izolaie de sticl cercetate aveau orientare
cristalografic trigonal n lungul axei firului i anizotropia magnetorezistenei n diapazonul
diametrelor cercetate nu depinde de diametrul firelor d. Impactul temperaturii asupra formelor
diagramelor de rotaie ale magnetorezistenei este nesemnificativ.
Curbele magnetorezistenei transversale n direcii fixe ale cmpului magnetic || 1/2 i
|| 2 la temperatura 4.2 K sunt prezentate n Figurile 3.10, 3.11 nregistrate n fire din Bi cu
diferite valori ale diametrelor.

90

110
6000

100
90

5000

70
60

4000

3000

50
40

2000

(R(B)-RB=0)/RB=0

(R(B)-RB=0)/RB=0

80

30
20

1000

10
0

0
0

10

12

14

B, T

Fig. 3.10. Dependenele magnetorezistenei transversale reduse (R(B)-RB=0)/RB=0(B) || 1/2 (


I) nregistrate n fire din Bi cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului la
temperatura = 4.2 : 1. d = 0.55 m; 2. d = 5.3 m, = 6 ; 3. d = 53 m. Pe inserare:
proiecia suprafeei izoenergetice Fermi n spaiul k pentru firul din Bi cu orientare
cristalografic trigonal n planul bazei 12. Cu linii ngroate sunt prezentate seciunile
extreme ale planului perpendicular direciei cmpului magnetic || 1/2 pentru elipsoidele
electronilor L1 i L2,3 i a golurilor T.

91

7000

100
90

6000
5000

70
60

4000
2

50

3000

40

2000

30
20

(R(B)-RB=0)/RB=0

(R(B)-RB=0)/RB=0

80

1000

10
0

0
0

10

12

14

B, T

Fig. 3.11. Dependenele magnetorezistenei transversale reduse (R(B)-RB=0)/RB=0(B) || 2 ( I)


nregistrate n firele din Bi cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului la
temperatura = 4.2 : 1. d = 0.55 m; 2. d = 53 m. Pe inserare: proiecia suprafeei
izoenergetice Fermi n spaiul k pentru firul din Bi cu orientare cristalografic trigonal n planul
bazei 12. Cu linii ngroate sunt prezentate seciunile extreme ale planului perpendicular
direciei cmpului magnetic || 2 pentre elipsoidele electronilor L1 i L2,3 i a golurilor T.
Putem remarca urmtoarele legiti ale schimbrii rezistenei n cmp magnetic
transversal R() la temperatura 4.2 K: n cmpuri magnetice slabe se nregistreaz o dependen
ptratic a rezistenei n funcie de mrimea cmpului magnetic, iar n cmpuri magnetice de la
4-5 T rezistena n cmp magnetic crete linear n toate direciile selectate n raport cu axele
cristalografice. Dependena linear n funcie de cmpul magnetic este caracteristic metalelor cu
dou tipuri de purttori de sarcin, iar ptratic metalelor cu un numr egal de electroni i
goluri att n regiunea cmpurilor magnetice puternice, ct i slabe 157. Cretere maximal a
rezistenei se nregistreaz n direcia cmpului magnetic || axei bisectoare 1/2, I || 3. n
cmpuri magnetice slabe pe curbele nemonotone R() se suprapun oscilaiile ShdH, care n
cmpuri magnetice puternice sunt vizibile doar pe dependenele derivatelor dR/d().

92

120

R(B)-RB=0)/RB=0

100

80

2
60

4
40
20
0
0

10

12

14

B, T

Fig. 3.12. Dependenele magnetorezistenei transversale reduse (R(B)-RB=0)/RB=0(B) ( || 1/2)


nregistrate n firul din Bi cu d = 0.55 m cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei
firului la diferite valori ale temperaturii: 1. = 2.1 , 2. = 4.2 , 3. = 100 , 4. = 200 .
6000

(R(B)-RB=0)/RB=0

5000
4000

3000
2000

3
1000
0
0

10

12

14

B, T

Fig. 3.13. Dependenele magnetorezistenei transversale reduse (R(B)-RB=0)/RB=0(B) ( || 1/2)


nregistrate n firul din Bi cu d = 5.3 m cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei
firului la diferite valori ale temperaturii: 1. = 6 , 2. = 50 , 3. = 104 .

93

R(B)-RB=0)/RB=0

100

80

1
2

60
40

20
0
0

10

12

14

B, T

Fig. 3.14. Dependenele magnetorezistenei transversale reduse (R(B)-RB=0)/RB=0(B) ( || 2)


nregistrate n firul din Bi cu d = 0.55 m cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei
firului la diferite valori ale temperaturii: 1. = 2.1 , 2. = 4.2 , 3. = 100 , 4. = 200 .

2500

(R(B)-RB=0)/RB=0

2000
1500

1000
500
0
0

10

12

14

B, T

Fig. 3.15. Dependenele magnetorezistenei transversale reduse (R(B)-RB=0)/RB=0(B) ( || 2)


nregistrate n firul din Bi cu d = 5.3 m cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei
firului la diferite valori ale temperaturii: 1. = 52 , 2. = 104 .

94

Magnetorezistena transversal este sensibil fa de micorarea diametrului firelor: cu


micorarea diametrului are loc micorarea mrimii (R(B)-RB=0)/RB=0, ce crete cu scderea
temperaturii de msurare.
Cum se vede din Figurile 3.11 3.15, (R(B)-RB=0)/RB=0(B) atinge valoare maximal n fire
cu diametrul 53 m la temperatura 4.2 K n cmp magnetic = 14 i aceast mrime
R
B ,|| C1/2 constituie 6300 (630000%). Cu micorarea diametrului firelor cu 2 ordine pn la
R

0.55 m, mrimea (R(B)-RB=0)/RB=0 se micoreaz pn la 75 (7500%), adic aproximativ cu dou


ordine de mrime att n cazul cnd cmpul magnetic || 2, ct i n cazul cnd || axei
bisectoare 1/2.
Cu micorarea diametrului firelor aproximativ cu un ordin de mrime de la 53 pn la
5.3m, magnetorezistena transversal ( I) la o valoare a cmpului magnetic de 14 T se
micoreaz 20% att n direcia || 2, ct i n direcia || 1/2 i atinge o valoare 5300
(530000%) (Figura 3.10).
n Figurile 3.12 3.15 sunt ilustrate dependenele magnetorezistenei transversale (R(B)RB=0)/RB=0(B) la orientarea cmpului magnetic || 2 i || 1/2 la valori diferite ale
temperaturii. Cu micorarea temperaturii de la 200 pn la 4.2 K n cmp magnetic B = 14 T
magnetorezistena transversal crete aproximativ cu 2 ordine de mrime.
Micorarea eficienei cmpului magnetic cu micorarea temperaturii de la 100 pn la 4.2
K, n fire cu d = 0.55 m (Figurile 3.12, 3.14) cu orientarea axei C3 n lungul axei firului,
probabil, are loc datorit faptului c planurile de clivaj, pe care exist macle i dislocaii, sunt
amplasate perpendicular deplasrii grupelor de baz a purttorilor de sarcin. La temperatura
4.2K mrimea acestor dislocaii poate fi comparabil cu lungimea parcursului liber n firul
subire din Bi n comparaie cu probele masive i, astfel, pot servi n calitate de factori
suplimentari de difuzie a purttorilor de sarcin, ce va contribui la micorarea eficienei
cmpului magnetic n firele cele mai subiri cu d = 0.55 m la temperatura 4.2 K.
A prezentat interes compararea rezultatelor obinute pentru magnetorezistena
transversal gigantic n probe masive din Bi pelicule i fire cu orientare cristalografic
standard.
Pentru prima dat, analiza magnetorezistenei transversale n fire subiri din Bi cu valori
ale diametrelor de la 0.2 pn la 4 m cu orientare cristalografic standard n cmpuri magnetice
pn la 1 T a fost efectuat n lucrrile 161-163. S-a stabilit c, la temperature 300 K o
dependen de grosime

R
B I , C2 , C3 se manifest la valori ale diametrelor < 1 m, iar la
R

95

temperatura 77 K R/R(d) crete linear pe ntregul interval de diametre cercetate de la 100 nm


pn la 5 m. La temperatura 4.2 K aceste dependene devin mult mai semnificative. Valoarea
maximal R/R n cmp magnetic 1 T la temperatura 4.2 K constituie 1700% n firul cu valoarea
diametrului 4 m la orientarea cmpului magnetic I, || 2.
Reieind din datele din literatur, cea mai mare valoare a magnetorezistenei a fost atins
n monocristale ideale din Bi cu lungimea parcursului liber 100 m i atinge valoarea 106 la
temperaturi joase [153, 164].
O valoare sporit a magnetorezistenei n cmp magnetic transversal a fost nregistrat n
pelicule monocristaline din Bi de o calitate superioar cu d 10 m la temperatura 4.2 K i
300K [154]. n lucrarea [154], valoarea maximal a magnetorezistenei n cmp magnetic
transversal || 3, B planului peliculei n cmp magnetic B = 5 T la temperatura 5 K constituie
153000%.
Cercetrile efectuate n aceast tez de doctorat, n fire cu orientare cristalografic
trigonal n lungul axei firului i direcia cmpului magnetic B I , || 1/2 prezint valori
maximale de 6300 (630000%) i 5300 (530000%) n fire cu valori ale diametrelor 53 i 5.3 m
corespunztor, n cmp magnetic 14 T i 2500 (250000%) i 2200 (220000%) n cmp magnetic
5 T, ce depesc semnificativ valorile obinute n pelicule [154], precum i cel puin de dou ori
depesc valorile magnetorezistenei transversale obinute n fire din Bi cu orientare
cristalografic standard [165]. Acesta lucru se datoreaz, probabil, faptului c, aa cum s-a
demonstrat n lucrarea [166] valoare maximal a magnetorezistenei n Bi se nregistreaz n
cmp magnetic transversal B I , n cazul cnd cmpul magnetic B este orientat paralel axei
bisectoare || 1/2 i I || 3, precum i n cazul cnd curentul I || 1/2 i cmpul magnetic este
orientat sub un unghi de 44 i 135 fa de axa C3. n cazul firelor cu orientare cristalografic
standard (1011) aceast condiie pentru a nregistra o valoare maximal R(B) nu s-a realizat.
Trebuie de menionat c, dup cum s-a demonstrat n lucrarea 167, pentru aplicaii
practice a efectului magnetorezistenei gigantice n elemente magnetorezistive a senzorilor de
cmp magnetic, firele din Bi n izolaie de sticl sunt cele mai de perspectiv datorit rezistenei
relativ mare la temperatura camerei, tehnologiei de obinere a firelor monocristaline n izolaie
de sticl, fiabilitatea i protecia lor mpotriva deteriorrii mecanice i a impactului mediului
ambiant.
Oscilaiile ShdH au fost cercetate n cmpuri magnetice transversal B I aplicate n
lungul axelor binare B || C2 i bisectoare B || C1/2 n punctele marcate pe diagramele de rotaie ale
magnetorezistenei transversale (Figura 3.7). La orientarea cmpului magnetic || axei binare C2

96

(inserarea din Figura 3.11), pot fi observate trei seciuni extreme diferite ale suprafeei Fermi: STh
a seciunii maximale a golurilor T, a seciunii maximale de la elipsoidele electronilor L1 - S1e i
e
S2,3
de la seciunile echivalente a elipsoidelor electronilor L2,3. Succesiunea perioadelor

oscilaiilor ShdH trebuie s fie urmtoarea: Th B 1 1e B 1 e2,3 B 1 . La orientarea


cmpului magnetic n lungul axei bisectoare 1/2 (B || C1/2) (inserarea din Figura 3.10) pot fi
nregistrate oscilaii de la seciunea maximal STh , perioada crora Th B 1 trebuie s coincid
cu valoarea Th B 1 obinut cnd B || C2, precum i perioadele oscilaiilor ShdH de la
e
,
seciunile minimale ale elipsoidului de electroni L1 - S1e i doi elipsoizi echivaleni L2,3 - S2,3

amplasai

simetric

raport

cu

direcia

cmpului

magnetic

||

C1.

Astfel

Th B 1 e2,3 B 1 1e B 1 . Respectiv, regiunile cmpurilor magnetice unde pot fi

nregistrate trei frecvene diferite trebuie s difere: n cmpuri magnetice puternice trebuie s fie
vizibile oscilaiile ShdH de la suprafaa maximal Fermi a golurilor T, iar n cmpuri magnetice
slabe de la seciunile electronilor.
Pentru a determina oscilaiile ShdH au fost nregistrate derivatele dR/dB(). n Figura
3.16 sunt prezentate dependenele derivatei magnetorezistenei transversale dR/dB() n direcia
cmpului magnetic B || C1/2 la dou valori ale temperaturii 4.2 i 2.1 K nregistrate n firul cu
diametrul d = 0.55 m. Pentru firul cu d = 53 m dependena dR/dB() nregistrat la
temperatura 4.2 K este ilustrat n Figura 3.17.
n direcia B || C1/2 sunt clar vizibile oscilaiile de la goluri T n cmpuri magnetice
puternice i de la elipsoidele echivalente ale electronilor Le2,3 n cmpuri magnetice pn la 4 T.
Pe inserri sunt prezentate dependenele numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n
funcie de mrimea cmpului magnetic invers. Punctele se aeaz bine pe o linie dreapt. Dou
perioade ale oscilaiilor ShdH, calculate n conformitate cu datele experimentale, constituie 1 =
(0.450.05)*10-5 -1 n cmpuri magnetice puternice de la elipsoidul golurilor T i 2 =
e
(3.60.5)*10-5 -1 de la seciunea S2,3
a dou elipsoide a electronilor L2,3.

97

20

1
15

dR/dB

10
5

15
10

-5

-1

2=3.6*10 Oe

-5

-1

1=0,4*10 Oe

-5
0

-1

0.0

0.5

1.0

-1

B ,T

-10
0

10

12

14

B, T

Fig. 3.16. Dependenele derivatei magnetorezistenei transversale dR/dB(B) (B || C1/2) nregistrate


n firul din Bi cu d = 0.55 m cu orientare cristalografic trigonal la temperaturile 1. = 2.1
i 2. = 4.2 . Pe inserare: dependena numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n funcie de
mrimea cmpului magnetic invers n(-1).

70
10
-5

60

-1

2=3*10 Oe

n
5

-5

dR/dB

-1

1=0,45*10 Oe

50
0

0.0

40

0.4

-1

0.8
-1

1.2

B ,T

30
20
10
0
0

10

12

14

B, T

Fig. 3.17. Dependena derivatei magnetorezistenei transversale dR/dB(B) (B || C1/2) nregistrat


n firul din Bi cu d = 53 m cu orientare cristalografic trigonal la temperatura = 4.2 . Pe
inserare: dependena numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului
magnetic invers n(-1).

98

La orientarea cmpului magnetic B || C2 (Figura 3.18) n cmpuri magnetice puternice, de


asemenea, au fost nregistrate oscilaii ShdH de la seciunea maximal a golurilor T cu perioada
B 1 = 0.4*10-5 -1, care n limita erorii coincide cu valoarea B 1 nregistrat n cazul

cnd B || C1/2 i este n bun concordan cu datele obinute n probele masive monocristaline din
bismut n aceast direcie cristalografic 155, 158. n cmpuri magnetice slabe au fost
nregistrate oscilaii cu perioada 5*10-5 -1 de la seciunile electronilor, care, de asemenea, n
limita erorii coincide cu perioada oscilaiilor ShdH nregistrat n probele masive din Bi n
aceast direcie cristalografic.

16
14

12

dR/dB

10
8

15

10

-5

-1

2=5*10 Oe

n
5

-5

-1

1=0,4*10 Oe

2
0

-1

B ,T
0.0

0.5

1.0

10

-1

1.5

12

14

B, T

Fig. 3.18. Dependenele derivatei magnetorezistenei transversale dR/dB(B) (B || C2) nregistrate


n firul din Bi cu d = 0.55 m cu orientare cristalografic trigonal la temperaturile 1. = 2.1
i 2. = 4.2 . Pe inserare: dependena numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n funcie de
mrimea cmpului magnetic invers n(-1).
Rezultate analogice au fost obinute i n fire din Bi cu d = 53 m, Figura 3.19.

99

50

dR/dB

40

30

20
15

-5

-1

2=4,95*10 Oe

20
10
5

-5

-1

1=0,39*10 Oe

10

-1

B ,T

0.0

0.5

1.0

1.5

-1

2.0

0
0

10

12

14

B, T

Fig. 3.19. Dependena derivatei magnetorezistenei transversale dR/dB(B) (B || C2) nregistrat n


firul din Bi cu d = 53 m cu orientare cristalografic trigonal la temperatura = 4.2 . Pe
inserare: dependena numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului
magnetic invers n(-1).
Dup determinarea perioadei oscilaiilor ShdH au fost calculate masele ciclotronice m i
temperatura Dingle D utiliznd relaiile 3.2 i 3.3. Valorile maselor ciclotronice ale electronilor
i golurilor n direciile cmpului magnetic || 1/2 i || 2 (I || 3) i temperature Dingle
determinate n firul din Bi cu d = 0.55 m sunt prezentate n Tabelele 3.2 i 3.3 corespunztor.

Tabelul 3.2. Parametrii principali a suprafeei Fermi a golurilor T i electronilor L n firul din Bi
cu d = 0.55 m cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului n cmp magnetic
transversal ( || 1/2)
goluri

electroni L

d,
m

f hT ,

mcT / m0

TD , K

f eL ,

mcL / m0

0.55

25

3*10-17*10-2

1.31.6*10-1

2.7

1.9*10-21.7*10-3

100

TD , K
3.50.5

Tabelul 3.3. Parametrii principali a suprafeei Fermi a golurilor T n firul din Bi cu d = 0.55 m
cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului n cmp magnetic transversal ( || 2)
d,
m
0.55

goluri
f hT ,

25

mcT / m0

2.53*10-10.01

TD , K
0.9

f hT - frecvena oscilaiilor ShdH de la seciunea maximal a golurilor T;


f eL - frecvena oscilaiilor ShdH de la seciunea electronilor L;
mcT - masa ciclotronic maximal a golurilor T;
mcL - masa ciclotronic a electronilor L.

TD - temperatura Dingle.
Frecvena oscilaiilor ShdH, masele ciclotronice a golurilor T n direciile || 1/2 i ||
2 practic coincid i corespund valorilor obinute n probele masive din Bi n direciile
cristalografice corespunztoare.
Astfel, din analiza datelor experimentale: perioada oscilaiilor ShdH, masele ciclotronice
n diferite direcii cristalografice, putem face concluzia c toate firele cercetate, n izolaie de
sticl cu diametrul de la 53 m pn la 0.55 m obinute prin metoda de recristalizare zonal cu
agent de cristalizare, ntr-adevr sunt monocristaline i corespund orientrii cristalografice
trigonale n lungul axei firului. Oscilaiile ShdH nregistrate experimental, i frecvenele
oscilaiilor ShdH i masele ciclotronice calculate coreleaz bine ntre ele la msurtori n diferite
direcii cristalografice i coincid cu valorile obinute n probe masive din Bi [8].
3.3. Rezistena i fora termoelectromotoare n fire din Bi cu orientare cristalografic
trigonal
n probele masive din Bi, dependena de temperatur a rezistenei este determinat de
caracteristicile schimbrilor mobilitii i concentraiei electronilor i golurilor n intervalul de
temperaturi 4.2 300 . Cu micorarea temperaturii de la 300 pn la 77 K mobilitatea
purttorilor de sarcin crete de 15 20 ori, iar concentraia se micoreaz de 5 ori, ceea ce
determin micorarea rezistenei de 3 4 ori. n intervalul 77 4.2 K mobilitatea purttorilor de

101

sarcin crete de 200 ori, iar concentraia se micoreaz de 1.5 ori, ce la rndul su determin
micorarea rezistenei de 200 ori n monocristale de calitate superioar din Bi 168.
n probele masive din Bi, deosebirea dependenei de temperatur a rezistenei specifice
fa de cea "metalic" la temperatura > ( temperatura Debay) este asociat nu doar cu
micorarea concentraiei purttorilor cu temperatura, dar i cu mecanismul de difuzie pe fononi,
ce contribuie la definirea relaiei

11 T T
160.

11 T

n fire i pelicule subiri din Bi cu orientare cristalografic (1011) a fost nregistrat o


diferen semnificativ a dependenelor R() i () fa de dependenele analogice pentru
probele masive din Bi 52, 137, 169. Astfel de diferene au fost explicate pe de o parte prin
manifestarea efectului clasic dimensional, cauzat de faptul c lungimea parcursului liber n fire
din Bi devine mai mic dect n probele masive ca urmare a difuziei suplimentare la suprafa n
acest interval de temperaturi, ce contribuie la o cretere semnificativ a rezistenei specifice la
temperaturi 80 30 , iar pe de alt parte manifestarea efectului de cuantificare dimensional n
regiunea temperaturilor joase a contribuit la nregistrarea tranziiei semimetal-semiconductor n
fire cu d < 80 nm i schimbarea semnului forei termoelectromotoare n fire cu d < 0.8 m 162,
170. n acest context, cercetarea firelor monocristaline cu orientare cristalografic trigonal n
lungul axei firului, prezint interes att din punct de vedere al manifestrii efectelor classic i de
cuantificare dimensional, ct i cel al schimbrii anizotropiei rezistenei i forei
termoelectromotoare.
Se cunoate c, creterea anizotropiei forei termoelectromotoare este o sarcin extrem de
important att pentru domeniul temperaturilor nalte, ct i joase n ceea ce privete aplicarea
practic a efectului n convertoare termoelectrice anizotrope de energie 128.
Rezistena. Dependenele de temperatur ale modificrii relative a rezistenei R/R300(T)
n fire monocristaline din Bi cu orientare cristalografic trigonal n izolaie de sticl cu diametre
diferite, n intervalul de temperaturi 4.2 300 K sunt ilustrate n Figura 3.20. Parametrii probelor
sunt prezentai n Tabelul 3.1. Pentru comparaie, pe acelai grafic este prezentat i dependena
de temperatur a firului din Bi cu d = 0.5 m cu orientare cristalografic standard (1011) n
lungul axei firului (curba 4) i cea a probei monocristaline masive din Bi cu orientare
cristalografic trigonal (I || C3) (curba 6), precum i curba R/R300(T) pentru firul din Bi cu d =
0.6 m dup recristalizare zonal fr agent de cristalizare, cu pstrarea orientrii cristalografice
standard (1011) n lungul axei firului (curba 5).

102

Caracterul dependenelor de temperatur ale rezistenei R/R300(T) depinde att de


diametrul firului d, ct i de orientarea cristalografic a lor.
La temperatura heliului lichid rezistena firelor se micoreaz cu micorarea diametrului
firelor d, ca i n fire cu orientare cristalografic standard 52, 137, ce prezint o manifestare a
efectului dimensional.
n fire cu d < 1 m (curba 1) se observ clar mai multe intervale de temperatur: n
reginea 300 50 K rezistena se micoreaz linear pn la temperatra 200 K, dup care ajunge la
saturaie n regiunea 100 50 K cu formarea maximului pe curba R/R300(T) la temperaturi 30
50 K. La temperaturi 40 4.2 K se nregistreaz o micorare brusc a rezistenei aproximativ de
2 ori.

1.0

R/R300

0.8

0.6

1
0.4

0.2

6
3

0.0
0

50

100

150

200

250

300

T, K

Fig. 3.20. Dependenele de temperatur ale rezistenei relative R/R300(T) nregistrate n fire din
Bi cu diametre i orientri cristalografice diferite: orientare cristalografic trigonal (111) n
lungul axei firului: 1. d = 0.55 m, 2. d = 5.3 m, 3. d = 53 m; orientare cristalografic standard
(1011) n lungul axei firului: 4. d = 0.52 m i 5. d = 0.6 m (dup recristalizare zonal) i 6.
proba masiv cu orientare cristalografic trigonal. [172]
n fire cu d = 53 m i 5.3 m rezistena se micoreaz cu micorarea temperaturii
aproape linear n intervalul de temperaturi 70 300 K, iar caracterul dependenelor de
temperatur este identic (Figura 3.20 curbele 2, 3) i practic coincide cu cel al probelor masive
din Bi (Figura 3.20 curba 6).

103

Compararea dependenelor de temperatur ale rezistenei R/R300(T) n fire cu acelai


diametru cu orientare cristalografic trigonal i standard (1011), indic asupra faptului c,
efectul clasic dimensional n firele cu orientare cristalografic trigonal se manifest mult mai
slab n regiunea 100 50 K i raportul R300/R4.2 este mult mai mic dect n fire cu orientare
cristalografic standard (1011). Pe de o parte, acest lucru se datoreaz mobilitii mici att a
electronilor, ct i a golurilor n direcia trigonal 58, iar pe de alt parte, de faptul c
temperatura Dingle ( 3.1) n fire cu orientare cristalografic trigonal atinge valoarea 3 K, pe
cnd n firele cu orientare cristalografic standard 1 K. Acest lucru ne vorbete despre
perfeciunea structural mult mai nalt a firelor cu orientare cristalografic standard (1011). Mai
mult ca att, dup cum s-a demonstrat n lucrrile 161-163, traiectoria dependenei de
temperatur a rezistenei R() n firele din Bi cu orientare cristalografic standard este
determinat de caracterul de mprtiere al purttorilor la suprafa. La temperatura 4.2 K
rezistena specific manifest o dependen linear n funcie de diametrul indirect (d 1 ) la
valori ale diametrelor < 1 m, ce a fcut posibil calcularea coeficientul de reflexie. S-a
demonstrat c la temperatura 4.2 K are loc reflexia prin oglind a purttorilor la suprafa, iar
n diapazonul 50 150 K coeficientul de reflexie = 0.5 0.6, ceea ce ne spune despre
contribuia semnificativ n conductibilitate ce o are mprtierea prin difuzie a purttorilor la
suprafaa firului. Datorit acestui fapt, curbele R(T) ale firelor cu orientare cristalografic
standard au un maximum n regiunea 60 100 K cu micorarea ulterioar a rezistenei ca urmare
a creterii mobilitii i a reflexiei prin prin oglind a purttorilor. n firele din Bi, ce au fost
supuse recristalizrii zonale (cu pstrarea orientrii cristalografice), maximul pe curbele R(T) se
micoreaz semnificativ (Figura 3.20 curba 5), ce indic asupra modificrii caracterului de
mprtiere a purttorilor la suprafa, ns, raportul R300/R4.2, totui, a crescut, ce coincide cu
rezultatele lucrrii [92].
Analiza dependenelor de temperatur ale rezistenei R() n firele din Bi cu orientri
cristalografice trigonal i standard, permite s facem concluzia c, n regiunea 60 100 K
contribuia fundamental n rezistena firelor subiri o introduce mprtierea purttorilor la
suprafa, n timp ce diferena n perfeciunea structural i manifestarea efectului de cuantificare
dimensional sunt determinante la temperatura 4.2 K. Mai mult ca att, s-a demonstrat c
anizotropia rezistenei specifice n firele din Bi cu d = 0.5 m depinde nemonoton de
temperatur i n regiunea temperaturilor 100 50 K

104

33
2 spre deosebire de probele masive
11

din Bi, pentru care anizotropia rezistenei specifice

33
este maximal la temperaturi nalte i
11

aproximativ constant 1.35, iar cu micorarea temperaturii scade practic linear pn la valoarea
1.14 la temperatura azotului i atinge valoarea 1.08 la temperatura 4.2 K [166].
Lipsa unui set de fire cu orientare cristalografic trigonal cu d < 500 nm nu ne-a permis
s determinm coeficientul de reflexie n fire cu orientare cristalografic trigonal, ns putem
face concluzia c caracterul mprtierii la suprafa n firele din Bi n izolaie de sticl cu
diferite orientri cristalografice este diferit.
Fora termoelectromotoare. Dependenele de temperatur ale forei termoelectromotoare
(T) n fire din Bi cu orientare cristalografic trigonal cu diferite valori ale diametrelor sunt
prezentate n Figura 3.21. Pentru comparaie sunt prezentate i curbele (T) a probei masive din
Bi cu orientare cristalografic trigonal (curba 6) i a firului cu d = 0.5 m cu orientare
cristalografic standard (curba 4), precum i a firului din Bi cu orientare cristalografic standard,
care a fost supus recristalizrii zonale fr agent de cristalizare (curba 5).

50

50

4
5

-50

-50

V/K

V/K

3
-100

-100

2
1

-150
0

50

100

150

200

250

300

T, K

Fig. 3.21. Dependenele de temperatur ale forei termoelectromotoare () nregistrate n fire


din Bi cu diametre i orientri cristalografice diferite: orientare cristalografic trigonal (111) n
lungul axei firului: 1. d = 0.55 m, 2. d = 5.3 m, 3. d = 53 m; orientare cristalografic standard
(1011) n lungul axei firului: 4. d = 0.52 m i 5. d = 0.6 m (dup recristalizare zonal) i 6.
proba masiv cu orientare cristalografic trigonal. Curba 7: dependena de temperatur a
anizotropiei forei termoelectromotoare =(33 11)() a firului din Bi cu d = 0.5 m. [172]

105

Se cunoate c, la temperaturi T > 100 K ambele componente 11 i 33 n probele


masive din Bi manifest o dependen slab fa de temperatur rmnnd egale cu 50 2 V/K
i 100 5 V/K respectiv. Cu micorarea temperaturii fora termoelectromotoare scade brusc
dup valoare absolut i la T 6 K ambele componente trec prin zero, ce a fost atribuit de ctre
autorii [171] efectului de antrenare a fononilor, care se manifest prin formarea maximului de
polaritate pozitiv pe curbele (T) la temperatura 3-4 K 171.
Efectele de antrenare n Bi ncep s se manifeste la temperaturi

2P0 c
T T , unde 0
k

impulsl Fermi a electronilor, c viteza sunetului.


Cum se vede n Figura 3.21, curbele forei termoelectromotoare n funcie de temperatur
() ale firelor din Bi n izolaie de sticl cu valori ale diametrului pn la 0.5 m i orientare
cristalografic trigonal, prezint o dependen slab fa de diametru d, spre deosebire de firele
cu orientare cristalografic standard, pentru care (T) depinde semnificativ de diametru la valori
ale d < 1 m pn la schimbarea semnului forei termoelectromotoare la temperaturi 70 200 K
i formarea maximului de polaritate pozitiv n regiunea 30 50 K, ce a fost atribuit manifestrii
efectului de cuantificare dimensional (Figura 3.21 curba 4) 53, 109.
Lipsa unei dependene semnificative a forei termoelectromotoare de diametrul d n fire
cu orientare cristalografic trigonal i valoare negativ pn la temperatura 20 K pe de o parte
confirm reducerea mobilitii purttorilor de sarcin n fire cu orientare cristalografic trigonal,
precum i faptul c cuantificarea dimensional 22, 25 n firele din Bi cu orientare
cristalografic trigonal se va manifesta la valori ale diametrelor mult mai mici, n comparaie cu
firele cu orientare cristalografic standard (1011), deoarece masele ciclotronice, impulsul Fermi
i seciunile extreme ale suprafeei Fermi a electronilor n direcia de cuantificare, adic n
seciunea transversal a firului, depesc semnificativ valorile analogice n firele cu orientare
cristalografic standard. Cum se vede n Figura 3.21, anizotropia forei termoelectromotoare
= (33 11)() n fire cu d = 0.5 m crete cu micorarea temperaturii i n diapazonul 40 <
< 100 atinge valoarea 100 120 V/K [172], ce prezint un factor important pentru utilizarea
acestor fire n convertoare termoelectrice anizotrope de energie la temperaturi joase.

106

3.4. Impactul deformrii elastice prin ntindere asupra suprafeei Fermi, forei
termoelectromotoare i rezistenei n fire din Bi cu orientare cristalografic trigonal
Prin metoda de msurare a oscilaiilor ShdH a fost cercetat impactul deformrii elastice
prin ntindere a firelor din Bi n izolaie de sticl cu orientare cristalografic trigonal asupra
schimbrii seciunei suprafeei Fermi, rezistenei i forei termoelecromotoare la temperaturi 4.2
300 K.
La presiune hidrostatic, simetria reelei cristaline a Bi nu se modific i cele 3 elipsoide
a electronilor se micoreaz n mod analogic [173, 174]. Se cunoate c, comprimarea Bi n
lungul axei trigonale calitativ este similar schimbrii suprafeei Fermi la presiune hidrostatic i
rezult din considerentele simetriei. n ambele cazuri se nregistreaz o micorare echivalent a
celor trei elipsoide a electronilor L i o micorare corespunztoare a elipsoidului golurilor T, ca
urmare a micorrii ntreptrunderii benzilor L i T 173, 175.
n lucrarea 100, prin metoda de msurare a oscilaiilor ShdH la comprimarea Bi n
lungul axei C3, s-a demonstrat c toate seciunile electronilor se micoreaz n acelai raport
procentual, iar viteza

de schimbare a seciunilor

S
este de 3 ori mai mare dect la
S0

presiune hidrostatic (Figura 3.22).

Fig. 3.22. Modificarea relativ a seciunilor aproape de cele minimale a trei suprafee
izoenergetice echivalente a electronilor L n bismut n dependen de sarcina aplicat n lungul
axei trigonale; 1 4 diferite probe; 5 datele lucrrii 176; curba punctat presiune
hidrostatic. [100]

107

Mrimea maxim a schimbrii nregistrate

S
22% la o valoare a sarcinii de ~ 1000 kg/cm2,
S0

ce depete de 4 ori valoarea atins n efectul de presiune hidrostatic nregistrat n lucrarea


176 (curba punctat n Figura 3.22), adic impactul uniaxial asupra spectrului energetic este
mult mai semnificativ. n cazul unei dependene lineare a energiei de ntreptrundere n funcie
de deformare O ( ) , nlturarea ntreptrunderii benzilor energetice i trecerea la stare
semiconductoare, n Bi trebuie s se realizeze la o valoare a sarcinii de ~ 9*103 kg/cm2.
Este tiut faptul c, firele din Bi n nveli de sticl cu orientare cristalografic standard
(1011) n lungul axei firului suport deformri elastice pn la 2% alungire relativ, care
corespunde unei sarcini de ~ 6500 kg/cm2 52, 177, ce depete aproximativ cu un ordin de
mrime valorile obinute n experimente efectuate n probe masive din bismut 173-175.
n experimentul nostru, la ntindere, geometria experimentului este urmtoarea: curentul I
|| C3, cmpul magnetic B || I, fora de ntindere de asemenea este orientat n lungul axei firului,
adic n lungul axei C3. Astfel, sarcina aplicat n lungul axei C3 n cazul dat este opus
comprimrii n lungul axei C3 realizat n lucrrile 173-175 (descrierea instalaiei
experimentale pentru realizarea ntinderii elastice a firelor n izolaie de sticl este descris n
Capitolul 2).
S-au realizat dou serii de msurtori. n prima au fost cercetate dependenele de
deformare ale rezistenei R() i forei termoelectromotoare () (

l l l0

, l0 lungimea
l
l

firului pn la deformare) la anumite valori ale temperaturii n lipsa cmpului magnetic.


Dependenele R() i () au fost nregistrate n regim automat. O atenie deosebit a fost
acordat reproductibilitii fenomenelor nregistrate pentru a exclude procesul de tranziie n
regiunea de deformare plastic.
n cea de a doua serie de msurtori, la valori fixe ale deformrii elastice l/l au fost
nregistrate dependenele rezistenei n funcie de mrimea cmpului magnetic R() ce prezint
oscilaii ShdH la temperatura 4.2 K. Creterea succesiv a mrimii l/l a permis s urmrim
schimbarea perioadei oscilaiilor cuantice ShdH, adic schimbarea seciunilor suprafeei Fermi.
n cazul dat, de asemenea, a fost testat reproductibilitatea oscilaiilor ShdH.
n Figurile 3.23 i 3.24 sunt ilustrate dependenele de deformare ale rezistenei relative
R/R0() i forei termoelectromotoare () la diferite valori ale temperaturii.
Rezistena R() se micoreaz cu deformarea prin ntindere pe ntreg intervalul de
temperaturi cercetate (4.2 300 ). Pe dependenele de deformare R() se observ dou regiuni

108

de schimbare a rezistenei R() slab (pn la 1% alungire relativ) i puternic ( > 1%


alungire relativ). Menionm c, o astfel de dependen R() a fost nregistrat n fire din Bi cu
orientare cristalografic standard (1011) doar n regiunea temperaturilor nalte [106].
La temperatura 4.2 K, caracterul curbelor R() a firelor din Bi cu orientare cristalografic
standard difer semnificativ i poart un caracter nemonoton (curba 7, curba punctat n Figura
3.23), reflectnd faptul deplasrii neechivalente a elipsoidelor electronilor n punctul L a zonei
Brillouin la deformare elastic uniaxial.

0.0

0.5

1.0

, %

1.5

2.0

1.00

1
2

0.96

3
0.92
5

2
6

0.88

0.84
0.0

R/R0

R/R0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

0
1.8

, %

Fig. 3.23. Dependenele de deformare ale rezistenei relative R/R0() nregistrate n firul din Bi
cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului cu d = 0.55 m la diferite valori ale
temperaturii: 1. = 4.2 , 2. = 13 , 3. = 56 , 4. = 86 , 5. = 93 , 6. = 170 . Curba
7 dependena de deformare a rezistenei relative R/R0() a firului din Bi cu orientare
cristalografic standard (1011) n lungul axei firului cu d = 0.32 m la temperatura = 4.2 .
Pe curbele () are loc o schimbare calitativ a forei termoelectromotoare n funcie de
deformare la temperaturi < 15 , unde fora termoelectromotoare i schimb semnul din negativ
n pozitiv. La temperaturi 4.2 15 , unde are valoare pozitiv, fora termoelectromotoare se
micoreaz cu creterea deformrii elastice (curbele 1, 2 Figura 3.24), ca i n firele din Bi cu
orientare cristalografic standard, reflectnd sporirea contribuiei electronilor n fora
termoelectromotoare.
109

n regiunea temperaturilor nalte ( > 15 ), unde este negativ, cu ntinderea are loc
creterea contribuiei pozitive n fora termoelectromotoare ( se micoreaz dup valoare
absolut) (curbele 3, 4, 5 Figura 3.24).
50
-60

40

20

10

-100

V/K

V/K

-80

30

-120
0

2
-140

-10
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

Fig. 3.24. Dependenele de deformare ale forei termoelectromotoare () nregistrate n firul din
Bi cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului cu d = 0.55 m la diferite valori ale
temperaturii: 1. = 13 , 2. = 20 , 3. = 55 , 4. = 86 , 5. = 93 , 6. = 170 .
Pentru a evalua modificarea seciunilor suprafeei Fermi la deformare prin ntindere a
firelor cu orientare cristalografic trigonal au fost efectuate msurtori ale magnetorezistenei
longitudinale || I || 3 la temperatura 4.2 K n cmpuri magnetice pn la 14 T.
n Figura 3.25 sunt ilustrate dependenele oscilatorii R() la temperatura 4.2 K i diferite
valori ale ntinderii relative

l
exprimate n %.
l

Dependenele R(B) au un caracter oscilatoriu bine pronunat la toate valorile de


deformare elastic. Componenta monoton a semnalului R(B) i amplitudinea oscilaiilor ShdH
puin se schimb la deformare. n ntregul diapazon de cmpuri magnetice a fost nregistrat doar
o singur perioad a oscilaiilor ShdH att n lipsa ntinderii = 0, ct i la ntindere = 1.6%,
cea de la goluri T. La calcularea perioade i frecvenei (f = 1/(-1)) oscilaiilor ShdH au fost
luate n considerare oscilaiile departe de cmpul limitei cuantice.

110

3.0

R, kOhm

R/R0
2.5

1.0

2.0

0.9

0.8

1.5

3
4
5

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0


, %

1.0

6
7

0.5

(a)
0

10

12

14

16

B, T

1,0

R, kOhm

0,8
1

2
7

0,6

6
5
4

(b)

0,4
1

B, T
Fig. 3.25. () Dependenele magnetorezistenei longitudinale R() nregistrate n firul din Bi cu
orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului cu d = 0.55 m la diferire valori ale
deformrii elastice: 1. = 0, 2. = 0.8%, 3. = 1%, 4. = 1.2%, 5. = 1.4%, 6. = 1.6%, 7. =
1.8% alungire relativ. Pe inserare: dependena de deformare a rezistenei R/R0() la temperatura
= 4.2 . (b) Dependenele magnetorezistenei longitudinale R() n cmpuri magnetice slabe.

111

n Figura 3.26 sunt prezentate dependenele numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n


funcie de mrimea cmpului magnetic invers -1.
7

f, T

20

24

15

10

20

0.0

16

0.5

1.0

1.5

, %

2
3

12
8
4
0
0.0

0.2

0.4

0.6
-1

B ,T

0.8

1.0

-1

Fig. 3.26. Dependenele numrului cuantic n a oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului
magnetic invers -1 nregistrate n firul din Bi cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei
firului cu d = 0.55 m la diferite valori ale deformrii elastice: 1. = 0, 2. = 0.8%, 3. = 1%,
4. = 1.2%, 5. = 1.4%, 6. = 1.6%, 7. = 1.8% alungire relativ. Pe inserare: dependena de
deformare a frecvenei f() oscilaiilor ShdH.
Schimbarea frecvenei oscilaiilor ShdH n funcie de ntindere f() este prezentat pe
inserarea din fig. 3.26. Cu creterea deformrii se observ clar micorarea perioadei oscilaiilor
ShdH i micorarea rezistenei n cmp magnetic puternic.
Perioada oscilaiilor a fost determinat conform relaiei (2.7). tiind perioada oscilaiilor
ShdH putem determina seciunea extrem a suprafeei Fermi ce i corespunde Sextr

2 e
.
c B 1

Creterea frecvenei oscilaiilor ShdH reflect faptul c are loc creterea seciunii
suprafeei Fermi a golurilor T de 2.5 ori la deformare prin ntindere i, astfel, confirm c
ntreptrunderea benzilor L i T la ntinderea firelor din Bi n lungul axei de ordinul trei C3
crete.

112

S-a stabilit c, viteza de cretere a seciunilor suprafeei Fermi

S
f

depinde
S
f

nemonoton de deformare (inserarea din Figura 3.26). n cazul linearitii f() (pn la 1%
ntindere), datele sunt n bun concordan cu cele din lucrarea 173 pentru comprimarea
uniaxial a Bi n direcia trigonal, innd cont de faptul c impactul comprimrii asupra
supafeei Fermi este contrar ntinderii i limita de comprimare elastic n probele masive din Bi
nu depete 0.3%.
Calculele prezentate n lucrrile [178, 179], demonstreaz c seciunile suprafeei Fermi
trebuie s se schimbe linear cu sarcina. Micorarea linear a seciunilor suprafeei Fermi cu
sarcina a fost nregistrat i n Bi i n InSb, HgSe [178, 179], ns limitele de deformare elastic
nu depeau 0.1 0.3% alungire relativ.
Neliniaritile observate n schimbarea seciunilor suprafeei Fermi la deformri elastice
de obicei sunt asociate sau cu tranziiile topologice Lifshitz, sau cu transformri polimorfice
[176], sau cu inexactitatea experimentului n deosebi la deformri slabe ( < 0.1%). Aceast
neliniaritate, posibil, este asociat cu neparabolicitatea puternic a spectrului n punctul L.
n cazul dat deformarea elastic prin ntindere a firelor din Bi n lungul axei C3 contribuie
doar la creterea ntreptrunderii benzilor L i T. Pentru o interpretare univoc a dependenei
neliniare a frecvenei oscilaiilor ShdH f() este necesar de a efectua cercetri suplimentare a
oscilaiilor ShdH i modificarea lor la deformare prin ntindere n lungul axei C3.
3.5. Efectul magnetorezistenei negative n cmp magnetic transversal n fire cuantice din
bismut
Cum s-a menionat n capitolul I, analiza teoretic modern [25, 29, 180, 181] a prezis
tranziia semimetal-semiconductor n fire cuantice din bismut datorit efectului de cuantificare
dimensional la valori ale diametrelor firelor din Bi d < 60 nm. Efectul a fost nregistrat
experimental n fire singulare din Bi i probe ce prezint mulimi de nanofire (nanowires arrays)
[43, 182-184]. Efectul se manifest n caracterul semiconductor al rezistenei n dependen de
temperatur R(T), schimbarea semnului forei termoelectromotoare n fire monocristaline din Bi
n izolaie de sticl cu diametre < 80 nm i manifestarea oscilaiilor de tipul cuantificarea
fluxului magnetic cu perioada hc/2e [52, 53, 109]. Monocristalinitatea nanofirelor este unul din
factorii necesari pentru a nregistra efectul de cuantificare dimensional [12,14].
Cercetarea diagramelor de rotaie ale magnetorezistenei transversale R/R() ( I) la
temperaturi ridicate i cmpuri magnetice slabe, ofer posibilitatea s confirmm orientarea
113

cristalografic a firelor i s stabilim n mod exact orientarea cmpului magnetic n raport cu axa
firului n direcia unei anumite axe cristalografice.
O micorare semnificativ a anizotropiei magnetorezistenei cu micorarea diametrului
firelor d la valori ale diametrelor cuprinse n diapazonul 100 nm < d < 2 m legat cu micorarea
lungimii parcursului liber al purttorilor de sarcin a fost prezentat n lucrarea [161].
Posibilitatea

de

manifestare

efectului

de

cuantificare

dimensional

pe

curbele

magnetorezistenei n cmp magnetic transversal a fost analizat n lucrrile [185-187].


Menionm c magnetorezistena transversal n probe de tipul mulimi de nanofire a fost
cercetat la valori ale diametrelor de la 200 nm pn la 25 nm [182]. n direcia axei firului
orientarea a fost determinat univoc, ns, n cmp magnetic transversal, direcia cmpului
magnetic I prezint o oarecare mrime medie nedeterminat pentru toate firele i rezultatele
obinute n cmp magnetic transversal sunt dificil de prelucrat ca urmare a incertitudinii
direciei cmpului magnetic transversal n raport cu axele cristalografice a mulmilor de
nanofire [182, 188].
Cele mai potrivite obiecte pentru studiul experimental al efectului de cuantificare
dimensional n proprietile galvanomagnetice i termomagnetice n cmpuri magnetice
transversale sunt firele singulare monocristaline din Bi n izolaie de sticl cu valori ale
diametrelor mai mici de 100 nm, la care dependenele de temperatur ale rezistenei R() au un
caracter semiconductor i reflect tranziia semimetal-semiconductor, ca urmare a efectului de
cuantificare dimensional [52].
Pentru cercetarea magnetorezistenei transversale n fire din Bi cu diferite valori ale
diametrului au fost selectate probe cu o dependen de temperatur a rezistenei R()
semnificativ diferit: de la semimetalic caracteristic firelor monocristaline cu d > 100 nm
(curbele 3, 4 Figura 3.27 a) pn la semiconductoare (curbele 1, 2 Figura 3.27 a) caracteristic
firelor din Bi n care are loc tranziia semimetal-semiconductor datorit efectului de cuantificare
dimensional [52, 109].
S-a constat c, cu ajutorul cmpului magnetic puternic putem controla tranziia
semimetal-semiconductor n fire cuantice din Bi cu d < 75 nm [189]. Figura 3.27 (b) ilustreaz
tranziia invers semiconductor-semimetal ce are loc n firul cuantic din Bi cu d = 50 nm sub
aciunea cmpului magnetic puternic la temperatura < 50 . Curba R() pentru firul cu d =
50 nm n cmp magnetic > 10 la temperatura T < 70 devine metalic, analogic curbelor
R() pentru firele monocristaline din Bi cu d = 200-600 nm n lipsa cmpului magnetic (Figura
3.5.1 a, curba 4).

114

1.5

RT-R300)/R300

1.0

2
0.5

3
0.0

1'
-0.5

4
(a)
0

50

100

150

200

250

300

T, K

Fig. 3.27. () Dependenele de temperatur ale rezistenei reduse (RT-R300)/R300() nregistrate n


fire din Bi cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei firului cu diametre diferite:
1. d = 50 nm, 2. d = 75 nm, 3. d = 130 nm, 4. d = 250 nm. 1' curba ntrerupt - (RT-R300)/R300()
pentru firul din Bi d = 50 nm n cmp magnetic = 10 . [189]

2.0

(RT-R300)/R300

1.5

3
2
1

1.0

4
0.5

0.0

5
(b)
0

50

100

150

200

250

300

T, K

Fig. 3.27. (b) Dependenele de temperatur ale rezistenei reduse (RT-R300)/R300() nregistrate n
firul din Bi cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei firului cu diametrul d =
50nm la valori diferite ale cmpului magnetic: 1. = 0 , 2. = 2.5 , 3. = 4.2 , 4. = 7 ,
5. = 10 . [189]

115

n Figura 3.28 sunt prezentate diagramele de rotaie ale magnetorezistenei transversale


ale firelor din Bi cu diferite valori ale diametrelor la temperatura = 4.2 n cmp magnetic =
1 (a) i B =14 (b). Diagramele de rotaie pentru toate firele diametrelor cercetate au structur
identic att n cmpuri magnetice slabe, ct i puternice (14 T). n cmp magnetic slab, cu
micorarea diametrului firelor d, are loc micorarea magnetorezistenei, care se pstreaz pentru
firele tuturor diametrelor cercetate pn la 50 nm. ns, cum se vede n Figura 3.28 (a), n cmp
magnetic 1 T pe diagrama de rotaiei R() a firului cu d = 45 nm n direcia cmpului magnetic
|| 2 ( = 90) reapare un minimum pronunat (curba 1 Figura 3.28 a) natura cruia difer de cea
a minimului pe curbele R() ale probelor masive din Bi i firelor cu diametrul d > 100 nm. n
punctul = 0, adic n direcia cmpului magnetic || 3, n cmp magnetic slab se observ o
regiune a magnetorezistenei negative (Figura 3.28 a).

0.4

6
2

5
4

0.2

0.1

(RB-RB=0)/RB=0

(RB-RB=0)/RB=0

0.3

0
0.0

C2

C3
0

30

60

90

C3
120

150

-1

180

, Degree

Fig. 3.28. (a) Diagramele de rotaie ale magnetorezistenei transversale reduse (RB-RB=0)/RB=0()
nregistrate n fire din Bi cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei firului cu
diametre diferite n cmp magnetic = 1 : 1. d = 45 nm la = 1.7 , 2. d = 50 nm,
3. d = 65 nm, 4. d = 75 nm, 5. d = 160 nm, 6. d = 330 nm la temperatura = 4.2 .

116

4.0
3.5

200
150

2.5

(RB-RB=0)/RB=0

(RB-RB=0)/RB=0

3.0

100
2.0

3
50

1.5

1.0

0.5
0.0

C3
0

C2
30

60

90

C3
120

150

-50

180

, Degree

Fig. 3.28. (b) Diagramele de rotaie ale magnetorezistenei transversale reduse (RB-RB=0)/RB=0()
nregistrate n fire din Bi cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei firului cu
diametre diferite n cmp magnetic = 14 : 1. d = 50 nm, 2. d = 75 nm, 3. d = 350 nm la
temperatura = 4.2 .
Aceste particulariti pe diagramele de rotaie ale magnetorezistenei transversale (RBRB=0)/RB=0() n cmpuri magnetice slabe ne indic asupra anomaliei dependenelor
magnetorezistenei transversale R(), att n direcia cmpului magnetic || 2, ct i n direcia
|| 3 n fire cuantice din Bi cu d 75 nm, n care are loc tranziia semimetal-semiconductor.
n Figura 3.29 sunt prezentate dependenele magnetorezistenei transversale (RBRB=0)/RB=0() ( I) nregistrate n fire din bismut cu orientare cristalografic standard (1011) n
lungul axei firului cu diferite valori ale diametrelor la temperatura = 4.2 n direcia cmpului
magnetic || 2, I.

117

140
(RB-RB=0)/RB=0

30

(RB-RB=0)/RB=0

120
100
80

20

3
2

10

0
0

60

B, T

40

20

3
1

0
0

10

12

14

B, T

Fig. 3.29. Dependenele magnetorezistenei transversale reduse (RB-RB=0)/RB=0() n direcia


cmpului magnetic || C2 nregistrate n fire din Bi cu orientare cristalografic standard (1011)
n lungul axei firului cu diametre diferite: 1. d = 75 nm, 2. d = 160 nm, 3. d = 330 nm,
4. d = 350 nm. Pe inserare: dependenele (RB-RB=0)/RB=0() n cmpuri magnetice slabe.
O micorare brusc a magnetorezistenei att n cmpuri magnetice puternice, ct i slabe
se nregistreaz n fire cu d 75 nm. Reamintim c, conform datelor prezentate n paragraful 3.2,
n firele din Bi cu valori ale diametrelor d > 5 m a fost nregistrat o cretere gigantic a
magnetorezistenei transversale ce atinge valori de 6300 (630000%) n direcia || 1/2, || I la
temperatura 4.2 K n cmp magnetic 14 T.
n Figura 3.30 sunt prezentate dependenele magnetorezistenei transversale n direciile
cmpului magnetic || 2 i || 3 ale firului din Bi cu orientare cristalografic standard (1011)
n lungul axei firului la diferite valori ale temperaturii.

118

3
2

6
5

(RB-RB=0)/RB=0

32 1

0
0

5
1

2
0

1
0

10

12

14

B, T

Fig. 3.30. () Dependenele magnetorezistenei transversale reduse (RB-RB=0)/RB=0() ( || 2)


nregistrate n firul din Bi cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei firului cu
diametrul d = 75 nm la valori diferite ale temperaturii: 1. = 1.5 , 2. = 4.2 , 3. = 10 ,
4. = 18 , 5. = 52 , 6. = 102 . Pe inserare: dependenele (RB-RB=0)/RB=0() n cmpuri
magnetice slabe.
0.8

0.4

(RB-RB=0)/RB=0

23

1
0

5
4

0.0

3
2

1
0
0

10

12

14

B, T

Fig. 3.30. (b) Dependenele magnetorezistenei transversale reduse (RB-RB=0)/RB=0() ( || 3)


nregistrate n firul din Bi cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei firului cu
diametrul d = 75 nm la valori diferite ale temperaturii: 1. = 4.2 , 2. = 10 , 3. = 18 , 4.
= 52 , 5. = 102 . Pe inserare: dependenele (RB-RB=0)/RB=0() n cmpuri magnetice slabe.

119

n Figurile 3.31 i 3.32 sunt ilustrate o serie de dependene ale magnetorezistenei


transversale nregistrate n fire din Bi cu orientare cristalografic standard n lungul axei firului
cu d = 50 nm i d = 75 nm la valori diferite ale temperaturii n regiunea 4.2 .

1,2

RB/RB=0

1,1
1,0
0,9
0,8

5
3

0,7
1

(a)

10

12

B, T

1.10

RB/RB=0

1.05

1.00

0.95
4 5

0.90
3

0.85
0

(b)

B, T

Fig. 3.31. Dependenele magnetorezistenei transversale relative RB/RB=0() n direciile


cmpului magnetic || 2 () i || 3 (b) nregistrate n firul din Bi cu orientare cristalografic
standard (1011) n lungul axei firului cu diametrul d = 50 nm la valori diferite ale temperaturii:
1. = 2.1 , 2. = 2.6 , 3. = 3.1 , 4. = 3. , 5. = 4.2 .

120

1,2

RB/RB=0

1,1
1,0
0,9

0,8

3
2
1

0,7
0

(a)

B, T

1,15

RB/RB=0

1,10

1,05

1,00

4
3

0,95

2
1

0,90
0,0

(b)

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

B, T

Fig. 3.32. Dependenele magnetorezistenei transversale relative RB/RB=0() n direciile


cmpului magnetic || 2 () i || 3 (b) nregistrate n firul din Bi cu orientare cristalografic
standard (1011) n lungul axei firului cu diametrul d = 75 nm la valori diferite ale temperaturii:
1. = 1.5 , 2. = 2.4 , 3. = 3.3 , 4. = 4.2 .

121

Dependenele comparative ale magnetorezistenei transversale (RB-RB=0)/RB=0() n


direciile cmpului magnetic || 3 i || 2 la temperatura 4.2 K ale firelor din Bi cu orientare
cristalografic standard cu d = 50 nm i 75 nm sunt ilustrate n Figurile 3.33 i 3.34.
0.75

(RB-RB=0)/RB=0

0.50

0.25

0.00

-0.25

10

12

B, T

Fig. 3.33. Dependenele magnetorezistenei transversale reduse (RB-RB=0)/RB=0() n direcia


cmpului magnetic || 2 nregistrate n firele din Bi cu orientare cristalografic standard cu
diametrul d = 50 nm (1) i d = 75 nm (2) la temperatura = 4.2 . [186, 187]

(RB-RB=0)/RB=0

1.00
0.75
0.50

0.25
0.00
-0.25
0

B, T

Fig. 3.34. Dependenele magnetorezistenei transversale reduse (RB-RB=0)/RB=0() n direcia


cmpului magnetic || 3 nregistrate n firele din Bi cu orientare cristalografic standard cu
diametrul d = 50 nm (1) i d = 75 nm (2) la temperatura = 4.2 . [186, 187]
122

Dup cum vedem n Figurile 3.29 3.34, caracterul dependenelor magnetorezistenei


transversale R() n mod semnificativ depinde de diametrul firului d, direcia cmpului
magnetic B i temperatur T. La orientarea cmpului magnetic || 3, magnetorezistena (MR)
se micoreaz cu creterea cmpului magnetic (efectul magnetorezistenei negative), formnd un
minimum n cmpuri magnetice slabe, dup care urmeaz o cretere a magnetorezistenei
aproape de cea exponenial cu trecerea MR n regiunea valorilor pozitive. Regiunea de existen
a magnetorezistenei negative (MRN), adncimea punctului minim pe curbele R(B) i trecerea la
creterea pozitiv a MR n mod semnificativ depind att de diametrul firului d, ct i de
temperatur T. Cu micorarea diametrului d, adncimea minimului pe curbele R(B) crete, iar
regiunea de existen a MRN se deplaseaz n cmpuri magnetice puternice (Figurile 3.31, 3.32,
3.34). n intervalul 1.5 4.2 particularitile pe curbele magnetorezistenei transversale
prezint o dependen slab de temperatur, manifestnd o tendin spre micorare a minimului
pe curbele R(). Creterea temperaturii contribuie la micorarea adncimii minimului MRN i
ngustarea regiunei de existen a lui, pn la dispariia efectului MRN n regiunea temperaturilor
> 10 K (Figura 3.30).
n cazul cnd cmpul magnetic este orientat n lungul axei C2 ( || 2, I) dup
regiunea negativ a MR, urmeaz regiunea de cretere a MR cu formarea unui maximum pe
curbele R(B) n cmpuri magnetice slabe (Figurile 3.31-3.33). La creterea n continuare a
cmpului magnetic B, MR se micoreaz, trece n regiunea valorilor negative formnd un
minimum pe curbele R(B), dup care crete i trece n regiunea valorilor pozitive. Ca i n cazul
orientrii cmpului magnetic || 3 adncimea minimului MRN, regiunea de existen a lui n
cmpuri magnetice slabe, cresc cu micorarea diametrului d, iar creterea temperaturii contribuie
la dispariia tuturor particularitilor pe curbele R(B) n cmpuri magnetice slabe. Referitor la
maximul pe curbele R(B), n cazul cnd cmpul magnetic este orientat || 2, comportamentul
su depinde att de diametrul firelor d, ct i de temperatur T analogic maximului pe curbele
magnetorezistenei longitudinale R(B) ( || I) n fire din Bi: cu micorarea diametrului d maximul
pe curbele R(B) se micoreaz dup mrime i se deplaseaz n regiunea cmpurilor magnetice
puternice.
Menionm c efectul MRN n cmp magnetic transversal a fost nregistrat n nanofirele
din bismut n premier i este specific doar probelor cu o dependen de temperatur
semiconductoare R(T), adic firelor n care are loc tranziia semimetal-semiconductor, indus
de efectul de cuantificare dimensional.
Identicitatea diagramelor de rotaie ale magnetorezistenei transversale ale firelor cu
diametre diferite n cmpuri magnetice puternice (Figura 3.28 b) confirm caracterul cuantic al
123

particularitilor pe dependenele (RB-RB=0)/RB=0(). Cum s-a menionat anterior, cmpul


magnetic puternic atenueaz tranziia semimetal-semiconductor indus de cuantificarea
dimensional a spectrului energetic al purttorilor de sarcin.
n lucrrile [185, 186] este prezentat calculul conductibilitii electrice n nanofire n
cmp magnetic transversal n baza formulei Kubo pentru conductibilitatea electric innd cont
de difuzie pe vibraiile acustice a lungimilor de und lungi i impuriti. n lucrarea [186] a fost
utilizat modelul firului cuantic cu potenial parabolic n planul perpendicular axei sistemului
cuantificat dimensional. A fost obinut expresia pentru conductibilitatea electric n cmp
magnetic transversal.
Calculul tensorului conductibilitii, valabil pentru sistemele limitate dimensional cu o
form aleatoare a potenialului, a fost efectuat n baza formulei Kubo:

xx

e2
Vmx2 k0T

( p )

n (1 n )

(3.5)

unde 1/ - exprim probabilitatea de difuzie a purttorilor de sarcin pe oscilaiile reelei


cristaline ntr-o unitate de timp, n funcia de distribuie uniform a purttorilor de sarcin
x
starea crora este determinat de numrul cuantic , p
- elementul matricial al operatorului

total al impulsului, V volumul sistemului, m masa purttorilor de sarcin n direcia axei


firului cuantic (axa 0), 0 constanta Boltzman i temperatura.
Potenialul firului cuantic este descris printr-un paraboloid de rotaie:
V ( y, z )

m y 2
2

( y2 z2 )

(3.6)

n planul || 0z (pentru simplitate, se presupune c masa efectiv a purttorilor de sarcin n


lungul axelor 0z i 0y este identic i egal cu my). Funcia de und a purttorilor de sarcin n
cmp magnetic transversal a fost determinat analogic [190] i au fost obinute numerele
caracteristice:
E

2 k x2
1
1

n1 n2 ,
2mx (1 )
2
2

2
my 2
eB
1
eB
2
2
,

y , y

2
mx
my c
c mx m y

(3.7)

unde viteza sunetului, iar - nivelul de cuantificare dimensional.


Conform lucrrii [176] timpul de relaxare pentru cea mai inferioar stare a electronilor
(n1 = n2 = 0) ia forma

124

1 exp 0 k x
1

kx
2

(3.8)

Aici se introduce notarea:

E12 k0Tmx m y
2 v
2

(1 )5 4 , 0

mx (1 )3 2

x
Dac nlocuim expresia (3.8) n (3.5) i integrm n raport cu k x ( p
k x / (1 )) vom obine

expresia

pentru

conductibilitatea

transversal.

Pentru

gazul

electronic

degenerat,

conductibilitatea se determin prin expresia:

8e 2 2 v 2
1
4

d
5/4
1 (1 )1/2

xx ( B) 2
(1 )
,
,


(3.9)
1
1/ 2
1
E1 mx my Sk0T
1 e
1
2

unde potenialul chimic, - potenialul chimic calculat de la fundul celei mai inferioare
benzi n firul cuantic n cmp magnetic transversal i S seciunea transversal a firului cuantic.
S-a demonstrat c schimbarea relativ a magnetorezistenei transversale n nanofire R/R
n funcie de mrimea cmpului magnetic poart un caracter nemonoton. Pentru a cerceta
particularitile magnetorezistenei transversale n funcie de mrimea cmpului magnetic se
analizeaz trei subbenzi de electroni (inserarea n Figura 3.5.9). Cea mai de jos parabol (0)
corespunde celei mai inferioare stri (n1 = n2 = 0), parabola (1) descrie prima band cuantificat
dimensional (n1 = 0, n2 = 1) i parabola (2) este descris de cifrele cuantice (n1 = 1, n2 = 0). n
lipsa cmpului magnetic ( ) banda cuantificat dimensional (1) este dublu degenerat.
Analiza a trei subbenzi inferioare cuantificate dimensional n cmp magnetic a permis s
explicm particularitile nregistrate experimental pe dependenele magnetorezistenei
transversale n firul cuantic din Bi n funcie de cmpul magnetic B (Figura 3.35).
Dac nivelul potenialului chimic 0 n lipsa cmpului magnetic se afl mult mai jos de
fundul celei de a doua subband, care este dublu degenerat n lipsa cmpului magnetic, atunci
cu creterea cmpului magnetic B, n urma micrii hotarului benzilor potenialul chimic se
deplaseaz i rezistena este n cretere (Figura 3.35 curba 1).
Dac nivelul potenialul chimic 0 coincide sau se afl puin mai jos de fundul celei de a
dou subband, atunci cu cretera cmpului magnetic B, de asemenea, n urma micrii hotarului
benzilor potenialul chimic se deplaseaz i rezistena iniial se micoreaz dup care crete
monoton (Figura 3.35 curba 2). Acest lucru se datoreaz influenei concurente a cmpului
magnetic asupra valorii multiplicatorului i a indicatorului exponentei n expresia pentru
probabilitatea difuziei purttorilor de sarcin pe nivelul Fermi.

125

Dac 0 este amplasat puin mai sus de fundul celei de a doua subband, atunci cu
creterea cmpului magnetic B rezistena crete, dup care, la trecerea 0 prin fundul subbenzii,
descrete brusc i la mrirea n continuare a cmpului magnetic crete monoton (Figura 3.35
curba 3).
2.0

[R(B)-R(0)]/R(0)

1.5

1.0

3
0.5

1
0.0

2
-0.5
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

Fig. 3.35. Dependenele teoretice ale magnetorezistenei transversale reduse pentru firul din Bi
cuantificat dimensional. n lipsa cmpului magnetic potenialul chimic 0 este amplasat: 1. mult
mai jos de fundul celei de a doua subband, 2. coincide sau se afl puin mai jos de fundul celei
de a doua subband, 3. mai sus de fundul celei de a doua subband. Pe inserare: modelul teoretic
al subbenzilor cuantificate i poziia potenialului chimic 0. [185, 186]
Aceste curbe teoretice destul de bine reflect anomaliile nregistrate experimental pe
curbele magnetorezistenei transversale n cmpuri manetice slabe (Figura 3.35 curbele 2, 3) ce
permit s facem concluzia c efectul magnetorezistenei negative nregistrat n cmp magnetic
transversal n fire din Bi cu diametre d < 80 nm poart un caracte cuantic.

3.6. Concluzii la capitolul 3


n premier, au fost obinute i cercetate experimental fire singulare monocristaline din
Bi cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului n izolaie de sticl cu valori diferite
ale diametrelor. Pentru firele tuturor diametrelor cercetate au fost determinate oscilaiile ShdH,
masele ciclotronice n direciile cristalografice principale, care sunt n bun concordan cu

126

valorile obinute n probe masive din Bi n direciile cristalografice corespunztoare i, astfel,


deschid posibiliti de a nregistra efectele clasic i de cuantificare dimensional.
S-a demonstrat c, efectul clasic dimensional se manifest pe curbele magnetorezistenei
longitudinale R() sub forma unui maxim poziia cruia depinde de diametrul firelor d i
corespunde cmpului seciunii oscilaiilor ShdH de la goluri T, ce se atribuie seciunii extreme
minimale a suprafeei Fermi a golurilor T.
n cmp magnetic transversal a fost nregistrat o cretere gigantic a magnetorezistenei,
care n direcia cmpului magnetic || 1/2 (I || C3) atinge o valoare de (RB-RB=0)/RB=0 6300
(630000%) n cmp magnetic 14 T la temperatura 4.2 K, ce depete semnificativ valorile
obinute n pelicule i fire de calitate superioat din Bi cu orientare cristalografic standard i ce
poate fi aplicat n elemente magnetorezistive a senzorilor de cmp magnetic.
n premier, s-a determinat c anizotropia forei termoelectromotoare n fire din Bi cu
diametrul d = 500 nm crete cu micorarea temperaturii i n intervalul 40 < < 100 atinge
valoarea 100 120 V/K, ce prezint un factor important pentru utilizarea acestor fire n
convertoare termoelectrice anizotrope de energie la temperaturi joase.
Prin metoda de cercetare a oscilaiilor ShdH s-a demonstrat c, la deformare elastic prin
ntindere a firelor din Bi n lungul axei trigonale seciunea suprafeei Fermi a golurilor T crete
de 2.5 ori i prezint o dependen nelinear de deformare prin ntindere.
n fire cuantice din Bi cu diametre d 75 nm n premier a fost nregistrat efectul
magnetorezistenei negative n cmp magnetic transversal. Particularitile de manifestare a
magnetorezistenei negative n direciile cmpului magnetic || 2 i || 3 corespund
modelului teoretic ce ia n considerare caracterul cuantic al spectrului energetic a electronilor n
Bi i diverse mecanisme de difuzie a purttorilor de sarcin.
Curbele teoretice, ce reflect particularitile nregistrate experimental, permit s facem
concluzia c efectul magnetorezistenei negative, nregistrat n cmp magnetic transversal n fire
din Bi cu diametre d 75 nm, poart un caracter cuantic.

127

4. ANIZOTROPIA I OSCILAIILE ShdH N FIRE DIN Bi-0.05%atSn CU


ORIENTARE CRISTALOGRAFIC DIFERIT. UTILIZAREA FIRELOR N
GENERATOARE TERMOELECTRICE ANIZOTROPE

n acest capitol sunt prezentate rezultatele cercetrilor unui set de fire monocristaline din
Bi-0.05%atSn n izolaie de sticl cu orientri cristalografice diferite n lungul axei firului.
O atenie sporit a fost acordat cercetrii anizotropiei forei termoelectromotoare n fire
din aliaj Bi-0.05%atSn, care n acest scop au fost obinute cu orientare cristalografic standard
(1011) i trigonal i cercetate n intervalul de temperaturi 4.2 300 . Se estimeaz
posibilitatea de utilizare a acestor fire n convertoare termoelectrice anizotrope.
A fost cercetat schimbarea topologiei suprafeei Fermi i particularitile tranziiilor
electronice topologice Lifshitz n fire din Bi-0.05%atSn la deformare elastic n lungul axelor
trigonale i bisectoare, precum i impactul deformrii elastice prin ntindere asupra eficienei
termoelectrice.
4.1. Diagramele de rotaie ale magnetorezistenei transversale
Informaia cu privire la anizotropia proprietilor cinetice i magnetotermoelectrice n fire
din Bi poate fi obinut la cercetarea diagramelor unghiulare de rotaie i a dependenelor
magnetorezistenei transversale R(), precum i a forei termoelectromotoare magnetice ().
Pentru a obine informaie cu privire la anizotropia forei termoelectromotoare i a rezistenei n
lipsa cmpului magnetic, trebuie s avem fire cu orientare cristalografic diferit n lungul axei
firului. n premier, au fost obinute fire din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal
i standard (1011) n lungul axei firului. Cum s-a menionat n Capitolul 2, orientarea
cristalografic a probelor a fost controlat prin metoda de difracie cu raze X.
n Figura 4.1 sunt prezentate diagramele de rotaie ale magnetorezistenei transversale ale
firelor din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei firului la
temperaturi 300 K i 4.2 K. Curbele R() n cmp magnetic constant = const pentru fire din
Bi-0.05%atSn au un aspect simetric (180) i dup cum rezult din Figura 4.1 au o structur
similar cu dependenele analogice ale probelor masive din Bi i aliajele lui cu Sn, n care axa
probelor coincide cu axa bisectoare 1/2. 148
De obicei, la nregistrarea diagramelor de rotaie, cmpul magnetic se alege de valoare
mic pentru a exclude influena oscilaiilor cuantice ShdH [191].
128

Caracterul nemonoton (oscilatoriu) (curba 2 Figura 4.1) al curbei R() la temperatura =


1.5 n cmp magnetic = 14 este asociat cu existena oscilaiilor ShdH de la goluri T i L n
toate direciile cristalografice. Anizotropia magnetorezistenei este foarte mic att la
temperatura = 300 , ct i la temperatura = 4.2 .
1.23
4.7
2

4.6
4.5

1.22

1.21

4.4
C2

4.3

1.20

4.2
4.1

RB/R300

R, kOhm

C3

C3

1.19

4.0
3.9

1.18
0

30

60

90

120

150

180

, Degree

Fig. 4.1. Diagramele de rotaie ale magnetorezistenei transversale R() nregistrat n firul din
Bi-0.05%atSn (d = 0.6 m) cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei firului:
1. = 0.4 T, T = 300 K; 2. = 14 T, T =1.5 K. [192]
n Figura 4.2 sunt prezentate diagramele de rotaie ale magnetorezistenei transversale
dup recristalizare orientat a firelor. Ca i n probele masive i fire din Bi pur, dac curentul
electric este orientat n direcia axei C3 diagramele de rotaie ale magnetorezistenei transversale
R() la rotirea probei la 180 de trei ori trec prin maximum i minimum.
Nectnd la faptul c anizotropia magnetorezistenei este foarte mic, simetria curbelor
de rotaie nu se schimb i forma lor rmne aceeai ca i n bismutul pur n cmpuri magnetice
slabe la orientarea curentului electric n lungul axei trigonale i rotirea cmpului magnetic n
planul de baz.
Astfel, la doparea Bi cu impuriti acceptoare de Sn anizotropia magnetorezistenei
/ () se micoreaz semnificativ (Figura 4.2), ns simetria R() se pstreaz, ceea ce ne

permite s confirmm faptul c firele din Bi-0.05%atSn obinute dup recristalizare orientat
aveau orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului.

129

3.00
10.6
2.99
10.4

2.98
10.2

R, kOhm

10.0

2.96
2.84

9.8

2.80

R, kOhm

2.97

9.6

2.76
9.4

2.72
2.68

9.2

2.64
0

30

60

90

120

150

9.0
180

, Degrees

Fig. 4.2. Diagramele de rotaie ale magnetorezistenei transversale R() nregistrate n fire din
Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului: 1. d =0.6 m,
B = 0.5 T, T = 4.2 K; 2. d = 0.8 m, B = 0.4 T, T = 77 K; 3. d = 1 m, = 3 T, T = 2.1 K. Cu
sgei sunt indicate direciile unghiurilor la care au fost cercetate magnetorezistena transversal
i oscilaiile ShdH ( B I ). [192]
Eficiena cmpului magnetic se micoreaz att cu creterea gradului de dopare, ct i cu
micorarea diametrului d, graie micorrii mobilitii purttorilor de sarcin. n primul caz
datorit difuziei pe impuriti, iar n al doilea din cauza difuziei suplimentare a purttorilor pe
suprafa.
4.2. Oscilaiile ShdH i magnetorezistena n cmpuri magnetice longitudinal i transversal
n fire din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei firului
Pentru a stabili univoc orientarea cristalografic a probelor, a determina perioada
oscilaiilor ShdH, a calcula masele ciclotronice i amplasarea nivelului Fermi la dopare, precum
i concentraia purttorilor de sarcin, au fost cercetate oscilaiile ShdH pe curbele
magnetorezistenei att longitudinale (B || I), ct i transversale ( B I ) n punctele ce corespund
direciilor cristalografice principale || 2 i || 3 pentru firele din Bi-0.05%atSn cu orientare
cristalografic standard i n punctele marcate pe diagramele de rotaie ale magnetorezistenei

130

transversale (Figura 4.2) pentru firele din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal
[192].
Introducerea impuritilor acceptoare n Bi a contribuit la creterea concentraiei golurilor
n extremul T i, astfel, la stabilizarea poziiei nivelului Fermi F n intervalul cmpurilor
magnetice cercetate, ce a permis s determinm frecvena oscilaiilor i masele ciclotronice cu o
precizie mai nalt.
n Figura 4.3 sunt prezentate curbele magnetorezistenei longitudinale pentru firele din
Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic standard n lungul axei firului la temperaturi = 4.2
i 2.1 n cmpuri magnetice pn la 14 T. Regiunea de existen a golurilor T i L este clar
delimitat i constituie ~ 6 T (Figura 4.3). n cmpuri magnetice B > 6 T pe curbele R(B) sunt
vizibile oscilaiile de la seciunea aproape de cea maximal a golurilor T, iar n intervalul 3.5 <
< 6 au fost nregistrate oscilaii de la seciunile medii a elipsoidelor golurilor L2,3. Oscilaiile
ShdH att de la goluri T, ct i L sunt periodice n cmp magnetic indirect. Pentru fiecare grup
de purttori pe inserare sunt prezentate dependenele numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n
funcie de mrimea cmpului magnetic indirect B-1.
Pentru curbele experimentale n(-1) a fost determinat unghiul de nclinare al acestor linii
i astfel a fost determinat perioada oscilaiilor ShdH n cmp magnetic indirect (-1), care la
mrimea F = const este asociat cu seciunea extrem a suprafeei Fermi. Deoarece, pe curbele
oscilatorii ale magnetorezistenei au fost nregistrate circa 10-20 puncte extreme, eroarea la
determinarea (-1) este mic (2%).
Din dependenele oscilaiilor ShdH la temperaturi 4.2 K i 2.1 K conform expresiei (2.9)
au fost determinate masele ciclotronice. Eroarea experimental la determinarea mcT a fost
estimat dup dispersia valorilor maselor ciclotronice obinute pentru diferite puncte maxime.
Parametrii de baz a suprafeei Fermi a golurilor L i T, determinai din oscilaiile ShdH, sunt
prezentai n Tabelul 4.1.
Cum se vede n Figura 4.3, pe curbele magnetorezistenei longitudinale R() la
temperaturi 4.2, 2.1 n cmpuri magnetice slabe pn la 6 T se vd clar oscilaiile de la dou
seciuni echivalente a suprafeei Fermi i anume elipsoidele golurilor uoare L2,3 n punctul L a
zonei Brillouin, amplasai simetric n raport cu axa firului, cu perioada 1.8*10-5 -1 i limita
cuantic 5.5 T. O trstur distinctiv a seciunilor binare mici este faptul c perioada invers a
oscilaiilor ShdH n limita exactitii de msurare, egal cu cteva procente, este egal cu
mrimea cmpului limitei cuantice pentru toate probele cercetate cu coninutul i orientarea
cristalografic dat.

131

15

2.4

n 10

R, kOhm

2.2

2.0

-1

0
0.0 0.3 0.6 0.9 1.2

n
1.8

-5

2=1.8*10 Oe

-1

20

B ,T

-1

15

1.6
1.4

-5

2=1.8*10 Oe

10
5

-5

-1

1=0.055*10 Oe

1.2

-1

0.0

0.5

-1

1.5 B , T

1.0

-1

(a)

10

12

14

B, T

1.60

1.75

1.55

1.70
1.65

1.45
1.60
1.40
1.55
1.35
1.30

1.50
1.45

1.25
1.20

R, kOhm

R, kOhm

1.50

(b)
10

11

12

13

1.40
14

B, T

Fig. 4.3. () Dependenele magnetorezistenei longitudinale R() i oscilaiile ShdH ( || I)


nregistrate n firul din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei
firului cu d = 1 m la temperaturi 1. = 2.1 i 2. = 4.2 . Pe inserare jos: dependena
numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului magnetic invers -1 n
cmpuri magnetice pn la 14 . Pe inserare sus: dependena numrului cuantic n al oscilaiilor
ShdH n funcie de mrimea cmpului magnetic invers -1 a golurilor n punctul L a zonei
Brillouin.
(b) Dependenele magnetorezistenei longitudinale R() ( || I) n cmpuri magnetice puternice
de la seciunea aproape de cea maximal a golurilor T. [192]
132

Divizarea de spin a nivelelor pentru aceste oscilaii nu s-a nregistrat, astfel putem face
concluzia c pentru aceste seciuni (elipsoidele L2,3) factorul g este egal cu 1, adic maximul pe
curbele R() la o mrime a cmpului magnetic = 5.5 corespunde ieirii ultimului nivel
Landau, ca i n probele masive din Bi i Bi-Sn cu coninut corespunztor [7]. Acest lucru ne
demonstreaz i panta liniei n(-1) pentru elipsoidele golurilor L2,3, care la extrapolare trece prin
zero (inserarea de sus n Figura 4.3). Masa ciclotronic pentru golurile L2,3, determinat din
Figura 4.3, conform expresiei (2.9) atinge valoarea 0.033m0. n cmpuri magnetice puternice (8 14 ) sunt nregistrate oscilaii ShdH de la seciunea aproape de cea maximal a golurilor T.
Perioada oscilaiilor atinge valoarea (-1) = 0.055*10-5-1 (Figura 4.3 b), cu un ordin de
mrime mai mic dect n bismutul pur, adic seciunea elipsoidului T crete, cum era de ateptat,
crete cu creterea gradului de dopare cu impuriti acceptoare de Sn. Determinarea maselor
ciclotronice n probe masive din Bi pur n aceast direcie cristalografic pe curbele
magnetorezistenei longitudinale pentru goluri T este dificil, n legtur cu faptul c oscilaiile
ShdH de la goluri T au fost nregistrate dup limita cuantic a oscilaiilor de la goluri L. Este
tiut faptul c dependena amplitudinei oscilaiilor magnetorezistenei longitudinale R() n
funcie de temperatur n probe masive din Bi pur cu astfel de orientare cristalografic [156] are
un caracter anomal. Micorarea anomal a amplitudinei oscilaiilor ShdH de la seciunea
maximal a golurilor T n cmp magnetic longitudinal cu micorarea temperaturii, se explic
prin specificul mprtierii fononilor ntre nivele la temperatura heliului n monocristale foarte
pure din bismut. Acest lucru, practic, exclude posibilitatea de determinare experimental a
maselor ciclotronice m n Bi pur [156, 193] din dependenele amplitudinei oscilaiilor ShdH n
funcie de temperatur n configurare longitudinal ( || I). Masa ciclotronic determinat mcT =
0.190m0 poart un caracter estimativ, deoarece amplitudinea oscilaiilor ShdH cu micorarea
temperaturii de la 4.2 K la 2.1 K a crescut destul de slab. Probabil, pentru a determina mai exact
valoarea mcT n cmp magnetic longitudinal sunt necesare temperaturi mult mai joase.
Oscilaiile ShdH n fire cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei firului
au fost cercetate i n cmp magnetic transversal. Exemple ale dependenelor magnetorezistenei
transversale R() n direciile || 2 i || 3 pentru firul din Bi-0.05%atSn cu diametrul d ~
1 m sunt prezentate n Figurile 4.4 - 4.6. De obicei, pentru a spori precizia la determinarea
perioadei oscilaiilor i a maselor ciclotronice se aplic metoda de compensare a componentei
monotone la nregistrarea dependenelor dR/d(). ns, n cazul dat, n direciile cmpului
magnetic || 2 i || 3 pe curbele R() n cmp magnetic > 2 T componenta monoton

133

practic lipsete i oscilaiile ShdH cu un numr mare de puncte extreme sunt vizibile n lipsa
derivatei i fr a compensa componenta monoton pe R().
n Figura 4.4 a, b sunt prezentate dependenele magnetorezistenei transversale R() la
orientarea cmpului magnetic B n direcia axei binare 2 (conform Figurii 4.2, = 90). n
cmpuri magnetice slabe ( < 3 ) au fost nregistrate oscilaii de la dou seciuni oproape de
cele minimale ce coincid dup mrime a dou cuasielipsoide a golurilor L2,3, cea mai mic ax a
crora se rotete n raport cu direcia binar || 2 cu un unghi de 60. Perioada oscilaiilor
ShdH L2,3 ( B 1 ) = 3.4*10-5-1.
n cazul dat, n direcia cmpului magnetic || 2, ca i n direcia || 1/2 ( || I),
mrimea limitei cuantice, nregistrat experimental pe curbele R() i egal cu QL 3 ,
coincide cu frecvena oscilaiilor determinat din perioada oscilaiilor (-1), adic factorul g
este egal cu 1 (n Figura 4.4 limita cuantic pentru elipsoizii L2,3 este marcat cu sgeat).
Masele ciclotronice ale celor mai mici seciuni a cuasielipsoidelor golurilor L nu au putut fi
determinate, deoarece amplitudinea oscilaiilor a fost destul de mic i numrul punctelor
extreme limitat (Figura 4.4 b).
n cmpuri magnetice intermediare 3 < < 6 (dup cmpul limitei cuantice QL a
elipsoidelor L2,3) au fost nregistrate oscilaii de la seciunea maximal a cuasielipsoidului
golurilor L1, cea mai scurt ax a cruia k este paralel direciei selectate || 2. Perioada
oscilaiilor L1 ( B 1 ) = 0.185*10-5-1 (Figura 4.4 a).
La orientarea cmpului magnetic || 2 a fost determinat masa ciclotronic maximal
pentru goluri L. Pentru determinarea maselor ciclotronice m ( || 2) a golurilor L1 au fost
utilizate oscilaiile n cmpuri magnetice departe de cmpul limitei cuantice QL, deci ntr-un
interval de cmpuri magnetice unde efectele de spin pot fi neglijate. n cazul dat oscilaiile
prezint prima armonic i calculul m se simplific semnificativ.
Masa ciclotronic calculat mcL atinge valoarea 0.142m0, ce se afl n bun concordan
cu datele prezentate de Edelman mcL = 0.119m0 pentru Bi pur, lund n considerare, dup cum a
artat Muller R., Ponomarev Ia.G [7], c la dopare cu Sn are loc creterea maselor ciclotronice a
purttorilor L drept urmare a neparabolicitii puternice a spectrului purttorilor L. Temperatura
Dingle D n fire din Bi-0.05%atSn atinge valoarea 5.50.5 , ce depete mrimea D n fire
din Bi pur ca urmare a mprtierii pe impuriti, dar este n bun concordan cu datele obinute
n lucrarea [7] pentru probe masive din Bi-Sn.

134

3.0

2
1

2.9

R, kOhm

2.8
35

2.7

30
25

2.6

-5

-1

2=0.185*10 Oe

20

n 15

2.5

10
-5

-1

1=0.041*10 Oe

2.4

0
0.05

2.3

0.1

0.15

0.2
-1

0.25

0.3

-1

B ,T

(a)
10

12

14

B, T

2.90
2.85
6

R, kOhm

2.80
2.75

2.70

-5

-1

=3.4*10 Oe

f=29.5 kOe

2.65
0

2.60

0.3

(b)

2.55
0.5

1.0

1.5

2.0

0.6 B-1, T-10.9


2.5

3.0

3.5

4.0

B, T

Fig. 4.4. Dependenele magnetorezistenei transversale R() ( || 2) () i oscilaiile ShdH de la


seciunea aproape de cea maximal a elipsoidului golurilor L1 (b) nregistrate n firul din Bi0.05%atSn cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei firului cu d = 1 m la
temperaturi 1. = 2.1 i 2. = 4.2 . Pe inserri: dependena numrului cuantic n al
oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului invers -1. [192]

135

R, kOhm

2.89

2.88

2.87

B, T

Fig. 4.5. Dependenele magnetorezistenei transversale R() ( || 2) n cmpuri magnetice


intermediare i oscilaiile ShdH de la seciunile aproape de cele minimale ale elipsoidelor
golurilor L2,3 nregistrate n firul din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic standard (1011) n
lungul axei firului cu d = 1 m la temperaturi 1. = 2.1 i 2. = 4.2 . [192]
n cmpuri magnetice puternice n direcia cmpului magnetic || 2 sunt nregistrate
oscilaii de la seciunea maximal a elipsoidului golurilor n punctul T a zonei Brillouin.
Perioada oscilaiilor T ( B 1 ) = 0.041*10-5-1, ce depete practic cu un ordin de mrime
valoarea obinut n fire din Bi pur cu astfel de orientare cristalografic i coreleaz bine cu
valoarea T ( B 1 ) = 0.055*10-5-1 obinut n cazul cnd || I || axei firului, lund n
considerare faptul c n direcia || I || axei firului axa bisectoare face un unghi de 20 cu axa
firului i oscilaiile ShdH sunt nregistrate de la seciunea aproape de cea maximal i difer de
ea ~ 1.5 ori [137, 194].
Masa ciclotronic de la seciunea maximal a elipsoidului golurilor n punctul T a zonei
Brillouin a fost determinat din oscilaiile ShdH pe curbele R(B) din Figura 4.4 conform
expresiei (2.9) i atinge valoarea 0.294m0, ce depete mrimea mc obinut n Bi pur n aceast
direcie cristalografic (0.264m0), drept urmare a neparabolicitii spectrului golurilor T
determinat n lucrarea [7].

136

2
3,0

R, kOhm

1
2,8
40
-5

2,6

-1

2=0.505*10 Oe

30

n
20
-5

2,4

-1

1=0.12*10 Oe

10
0
0,1

0,2

0,3
-1

0,4
-1

B ,T

2,2
0

10

12

14

B, T

Fig. 4.6. Dependenele magnetorezistenei transversale R() ( || 3) ( I) nregistrate n firul


din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei firului cu d = 1 m
la temperaturi 1. = 2.1 i 2. = 4.2 . Pe inserare: dependena numrului cuantic n al
oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului invers -1. [192]
La orientarea cmpului magnetic || 3 (Figura 4.6) masa ciclotronic a golurilor T este
aproape de cea minimal i atinge valoarea mcT = 0.15m0 la o valoare a frecvenei oscilaiilor
ShdH egal cu 83.3 T. Conform lucrrii Edelman [195], n Bi pur, n direcia cmpului magnetic
|| 3, masa ciclotronic minimal a golurilor n punctul T atinge valoarea mcT =
(0.06390.03)m0. Lund n considerare faptul c, n experimentul nostru, n fire din Bi0.05%atSn cu orientare cristalografic srandard (1011), la orientarea cmpului magnetic 3,
de fapt cmpul magnetic I este deviat de la direcia axei trigonale, ce va contribui la
obinuerea unei valori mai mari a masei ciclotronice. Mai mult dect att, dup cum va fi
demonstrat n Capitolul 5, masele ciclotronice de la goluri T cresc cu micarea nivelului Fermi F
pe scara energiei n jos n adncul benzii T la dopare. Acest efect a fost nregistrat i n probe
masive din Bi dopate cu Sn [7] i ne vorbete despre neparabolicitatea spectrului golurilor n T,
deoarece pentru spectrul parabolic mcT ( FT ) = const, cnd ( gT ). Autorii [7] au demonstrat c
masa ciclotronic minimal a golurilor T la dopare cu Sn poate crete cu 75% cnd FT
80 meV. Se cunoate c n bismutul pur anizotropia maselor ciclotronice coincide cu anizotropia
frecvenei oscilaiilor ShdH i pentru goluri T aceast mrime este egal cu 3.3. Temperatura

137

Dingle D, ce determin lrgirea non-termic a nivelelor Landau [196], a fost determinat din
dependenele amplitudinei oscilaiilor ShdH pentru goluri T n direcia cmpului magnetic || 2
la temperatura = 4.2 D = 1.36 . Parametrii seciunilor suprafeei Fermi a golurilor L i T,
determinate din oscilaiile ShdH n diferite direcii cristalografice, sunt prezentate n Tabelul 4.1.
Tabelul 4.1. Parametrii principali a suprafeei Fermi a golurilor L i T n fire din Bi-0.05%atSn
cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei firului (d = 1 m).
Direcia
cmpului
magnetic
LMR

Golurile n T

Golurile n L

1(B-1), 10-5 Oe-1

f1T , T

mcT /m0

2(B-1), 10-5 Oe-1

f 2L , T

mcL /m0

0.055

181.8

0.190

1.8

5.5

0.033

B || C3

0.12

83.3

0.15

0.505

19.8

0.113

B || C2

0.041

244

0.294

0.185

54

0.174

1(B-1) perioada oscilaiilor ShdH de la suprafaa Fermi a golurilor n T;


f1T - frecvena oscilaiilor ShdH de la suprafaa Fermi a golurilor n T;

2(B-1) perioada oscilaiilor ShdH de la suprafaa Fermi a golurilor n L;


f 2L - frecvena oscilaiilor ShdH de la suprafaa Fermi a golurilor n L;
mcT - masa ciclotronic a golurilor n ;
mcL - masa ciclotronic a purttorilor de sarcin n punctul L a suprafeei Fermi.

Energia Fermi a golurilor T FT n fire din Bi-0.05%atSn a fost determinat dup modelul
Kane cu dou benzi cu ajutorul expresiei [84]:
1

FT par
par

2 2
2
1
1
gT par
gT
2
2

(4.1)

eh T1
2 c mcT

(4.2)

unde par - energia n aproximarea benzii parabolice, FT - energia Fermi a golurilor T calculat
de la limita superioar a benzii T n jos, mcT masa ciclotronic minimal a golurilor T, gT limea benzii interzise n punctul T a zonei Brillouin, care conform [7, 197] este egal cu
200 meV; T1 valoarea perioadei inverse a oscilaiilor ShdH de la seciunea minimal a
elipsoidului golurilor n punctul T a zonei Brillouin.

138

S-a luat n considerare c, n direcia cmpului magnetic || I, ca i n fire din Bi pur cu


orientare cristalografic analogic [52], se nregistreaz oscilaii ShdH de la seciunea aproape de
cea maximal a golurilor T (axa probei formeaz un unghi de 20 cu axa bisectoare). S-a
determinat c, FT n fire din Bi-0.05%atSn atinge valoarea 100 meV, adic nivelul Fermi a
golurilor L FL este situat cu 50 meV mai jos de limita maxim a benzii de valen n L.
Perioadele oscilaiilor cuantice ShdH determinate experimental ne-a permis s calculm
concentraia golurilor T conform expresiei [198]:
1

1 2e 2 1 2
pT 2

3 c 1 2 3

(4.3)

unde 1, 2, 3 perioadele oscilaiilor ShdH msurate n cele trei direcii cristalografice


principale. Concentraia golurilor T atinge valoarea T = 1.2*1019 m-3 i este n bun
concordan cu valorile obinute n probele masive din Bi dopate cu Sn.
4.3. Oscilaiile ShdH i magnetorezistena n cmpuri magnetice longitudinal i transversal
n fire din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului

Pentru

firele

din

Bi-0.05%atSn,

dup

recristalizare

zonal,

dependenele

magnetorezistenei longitudinale ( || I) R() i oscilaiile ShdH n punctele = 0, = 60 i


= 150 (punctele marcate cu sgeat n Figura 4.2) sunt prezentate n Figurile 4.7-4.10. Astfel,
pentru firele din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal au fost nregistrate patru
perechi de curbe ale magnetorezistenei la temperaturi 4.2 i 2.1 : 1. || I (magnetorezistena
longitudinal), 2. B I , ( = 0); 3. B I , ( = 60) i 4. B I , ( = 150). Conform lucrrii
[199] direciilor = 0 i = 60 (punctele maxime pe dependenele R() Figura 4.2) le
corespund direcia cmpului magnetic n lungul axei bisectoare 1/2 ( || 1/2), iar direcia =
150 (punctul minim pe dependenele R() Figura 4.2) corespunde direciei || 2. De
asemenea, pe inserrile din Figurile 4.7-4.10 sunt prezentate dependenele numrului cuantic n al
oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului magnetic invers n(-1).
O particularitate caracteristic dependenelor magnetorezistenei transversale R() ( I)
n fire din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal, n comparaie cu dependenele
analogice ale firelor din Bi pur cu orientare cristalografic trigonal, este regiunea ngust de
cretere brusc a rezistenei (mai mult de 100%) n cmpuri magnetice slabe ( < 1 ) i
saturaie n cmpuri magnetice puternice, care conform teoriei [160] este caracteristic aliajelor cu
o singur band actual de purttori.
139

R, kOhm

1.04

1.4

R,

kOhm

1.2

1.00
0.96
0.92
0.88
7

1.0

n
20

2
1

15

0.8

-5

-1

-5

-1

1=0.12*10 Oe

-1

0.2

10
11
B, T

2=1.3*10 Oe

10

0.6

0.4

-1

0.6 B , T

10

12

14

B, T
Fig. 4.7. Dependenele magnetorezistenei longitudinale R() ( || I) nregistrate n firele din Bi0.05%atSn cu d = 1 m cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului la temperaturi
1. = 2.1 i 2. = 4.2 . Pe inserare sus: curba magnetorezistenei R(B) a oscilaiilor ShdH de
la goluri T n cmpuri magnetice 7 11 re; inserare jos dependena numrului cuantic n al
oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului magnetic invers n(-1). [192]
Pe curbele magnetorezistenei longitudinale R() ( || I) ale firelor din Bi-0.05%atSn
tuturor diametrelor cercetate n cmpuri magnetice pn la 7 T domin oscilaiile ShdH de la
goluri L. n cmpuri magnetice > 5 pe oscilaiile ShdH de la golurile L se suprapun
oscilaiile de la seciunea minimal a golurilor T. Existena dumping-ului de spin n cmpuri
magnetice puternice i suprapunerea oscilaiilor de la elipsoidele golurilor L i T, complic
determinarea maselor ciclotronice de la seciunea minimal a golurilor T n cmpuri magnetice
>6 . Perioada oscilaiilor de la goluri T constituie T ( B 1 ) = 0.12*10-5-1, f = 83.3 T, ce este
n bun concordan cu valoarea frecvenei oscilaiilor ShdH nregistrat n fire cu orientare
cristalografic standard pe curbele magnetorezistenei transversale n direcia cmpului magnetic
|| 3 (Figura 4.6) i confirm faptul c, dup recristalizare zonal, n firele cercetate orientarea
cristalografic corespundea direciei axei trigonale C3 n lungul axei firului.
n cmpuri magnetice < 7 au fost clar observate oscilaii de la trei elipsoide a
golurilor, amplasate simetric n raport cu axa firului, adic n raport cu axa de ordinul trei - C3,
cu frecvena 7.6 , ce corespunde mrimii limitei cuantice QL (marcat cu sgeat n Figura 4.7).

140

Exemple de nregistrate a magnetorezistenei transversale R() n direcia cmpului


magnetic B I la temperaturi = 4.2 i 2.1 sunt prezentate n Figurile 4.8-4.10. n cmpuri
magnetice pn la 1.5 T rezistena crete de 2 ori practic linear, dup care urmeaz o regiune de
saturaie pn la 14 T. Oscilaiile ShdH sunt vizibile att pe curbele R(), ct i dR/d, deoarece
caracterul monoton pe dependene lipsete. Trebuie de menionat c, la rotirea cmpului
magnetic n planul trigonal

B I ,

n cmpuri magnetice > 2 domin oscilaii de la

seciunea maximal a golurilor T cu perioada 0.042*10-5-1. Aceasta, de asemenea, indic


asupra faptului c suprafaa Fermi a golurilor T prezint un elipsoid de rotaie n jurul axei de
ordinul trei C3: la rotirea cmpului magnetic n planul de clivaj perfect, perioada oscilaiilor
ShdH de la goluri T rmne constant.
Masa ciclotronic a golurilor L n direcia cmpului magnetic || 3 a fost determinat
din dependenele amplitudinei oscilaiilor ShdH la temperaturi = 2.1 i 4.2 n cmpuri
magnetice departe de cmpul limitei cuantice conform expresiei (2.9), adic n cmpuri
magnetice < 4 i atinge valoarea mcL 0.075m0 0.01 , ce prezint un rezultat destul de real,
deoarece conform lucrrii [6] n Bi pur n direcia || 3 mcL 0.08m0 .
O comparare a perioadelor oscilaiilor ShdH de la seciunea maximal a golurilor T n
direcia cmpului magnetic || 2 i a maselor ciclotronice, n fire cu orientare cristalografic
standard (conform Figurei 4.4 ( T ( B 1 ) = 0.041*10-5-1, mcT 0.296m0 0.05 )) cu datele
obinute n fire din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal (conform Figurilor 4.84.10 ( T ( B 1 ) = 0.042*10-5-1, mcT 0.3m0 0.05 )), n comun cu diagramele de rotaie ale
magnetorezistenei transversale (Figura 4.2) permit s facem concluzia c, firele din Bi0.05%atSn cercetate dup recristalizare orientat cu agent de cristalizare sunt monocristaline cu
orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului.

141

2.8

120

2.6

100

2.4

80

dR/dB

R, kOhm

3.0

2.2
2.0

n6

-5

-1

=4*10 Oe

60

40

0
0.0

20

1.8

0.5

1.0
-1

1.5

2.0

-1

B ,T

1.6

0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5

B, T

1.4
0

(a)

10

12

14

B, T

4
2

dR/dB

0
-2
-4
-6
-8

n
50
40
30
20
10
0

1
2
-5

-1

=0.042*10 Oe

-1

0.10

0.15

-1

B ,T

10

(b)

12

14

B, T

Fig. 4.8. Dependenele magnetorezistenei transversale R() () i oscilaiile ShdH pe


dependenele derivatei dR/d() de la seciunea maximal a golurilor T (b), B I , n punctul
= 0 ( || 1/2) nregistrate n firul din Bi-0.05%atSn cu d = 1 m cu orientare cristalografic
trigonal n lungul axei firului. 1. = 2.1 i 2. = 4.2 . Pe inserarea (): dependena derivatei
magnetorezistenei longitudinale dR/dB() i a numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n
funcie de mrimea cmpului magnetic invers -1 n cmpuri magnetice slabe. Pe inserarea (b):
dependena numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului magnetic
invers -1 n cmpuri magnetice puternice. [192]

142

3.0
1.0

2.7

6
0.8

R, kOhm

2.4

n4

dR/dB

0.6

2.1

-5

-1

=3.7*10 Oe

2
0.4
0

1.8

0.4 0.6 0.8

0.2

-1

1.2 1.4

-1

B ,T

0.0

1.5

1.2
0

B, T

(a)

10

12

14

B, T

15

10

dR/dB

n
50

-5 40

30
20

-5

-1

=0.042*10 Oe

-10 10
0

-15

0.08

0.12

0.16

-1

B ,T

-1

(b)
10

B, T

12

14

Fig. 4.9. Dependenele magnetorezistenei transversale R() () i oscilaiile ShdH pe


dependenele derivatei dR/d() de la seciunea maximal a golurilor T (b), B I , n punctul
= 60 ( || 1/2) nregistrate n firul din Bi-0.05%atSn cu d = 1 m cu orientare cristalografic
trigonal n lungul axei firului. 1. = 2.1 i 2. = 4.2 . Pe inserarea (): dependena derivatei
magnetorezistenei longitudinale dR/dB() i a numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n
funcie de mrimea cmpului magnetic invers -1 n cmpuri magnetice slabe. Pe inserarea (b):
dependena numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului magnetic
invers -1 n cmpuri magnetice puternice. [192]
143

3.0

1 2
10

250
2.5

dR/dB

R, kOhm

200

2.0

n 6

150

-5

100

50

0
0

B ,T

1.5

1
0

-1

=6.7*10 Oe

B, T

-1

10

-1

(a)
12

14

B, T

10

dR/dB

-5

-10

50
40
30
20
10
0

-5

-1

=0.042*10 Oe
0.10

0.15

-1

0.20 B , T

10

(b)

-1

12

14

B, T

Fig. 4.10. Dependenele magnetorezistenei transversale R() () i oscilaiile ShdH pe


dependenele derivatei dR/d() de la seciunea maximal a golurilor T (b), B I , n punctul
= 150 ( || 2) nregistrate n firul din Bi-0.05%atSn cu d = 1 m cu orientare cristalografic
trigonal n lungul axei firului. 1. = 2.1 i 2. = 4.2 . Pe inserarea (): dependena derivatei
magnetorezistenei longitudinale dR/dB() i a numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n
funcie de mrimea cmpului magnetic invers -1 n cmpuri magnetice slabe. Pe inserarea (b):
dependena numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului magnetic
invers -1 n cmpuri magnetice puternice. [192]
144

3.0

3.00
2.98

R, kOhm

R, kOhm

2.5

2.0

2.96

3
2.94
2.92

1.5

2.90
2

10

12

14

B, T

10

12

14

B, T

Fig. 4.3.5. Dependenele magnetorezistenei transversale R() nregistrate n firul din Bi0.05%atSn cu d = 1 m cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului n punctele:
1. = 0, 2. = 60, 3. = 150 la temperatura = 2.1 . Pe inserare: oscilaiile ShdH de la
seciunea maximal a golurilor T n diferite puncte maxime pe diagramele de rotaie ale
magnetorezistenei transversale n Figura 4.2 = 0, = 60 ( || 1/2) i minim = 150 ( ||
2) la temperatura = 2.1 . [192]
Parametrii de baz a suprafeei Fermi a golurilor L i T, determinai din oscilaiile ShdH,
sunt prezentai n Tabelul 4.2.
Tabelul 4.2. Parametrii de baz a suprafeei Fermi a golurilor L i T n fire din Bi-0.05at%Sn cu
orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului (d = 1 m).
Direcia
cmpului
magnetic

Golurile n T
1(B-1), 10-5 Oe-1

Golurile n L

f1T , T

mcT /m0

2(B-1), 10-5 Oe-1

f 2L ,

mcL /m0

T
LMR, B || C3

0.12

83.3

1.3

7.6

B || C2

0.041

244

0.292

6.7

1.5

B || C1/2 (=0)

0.042

238

0.330

4.0

2.5

B || C1/2 (=60)

0.0425

235

0.320

3.5

2.8

145

0.076

1(B-1) perioada oscilaiilor ShdH de la suprafeei Fermi a golurilor n T;


f1T - frecvena oscilaiilor ShdH de la suprafaa Fermi a golurilor n T;

2(B-1) perioada oscilaiilor ShdH de la suprafeei Fermi a golurilor n L;


f 2L - frecvena oscilaiilor ShdH de la suprafaa Fermi a golurilor n L;
mcT - masa ciclotronic a golurilor n T;
mcL - masa ciclotronic a purttorilor de sarcin n punctul L a suprafeei Fermi.

Concentraia golurilor T, calculat din valorile experimentale ale oscilaiilor ShdH, ce


constituie T = 1.2*1019 m-3 i valoarea nivelului Fermi FT = (1005) meV sunt n bun
concordan cu valorile obinute n probele masive din Bi-Sn cu orientare cristalografic
corespunztoare [7].
4.4. Anizotropia dependenelor de temperatur ale rezistenei i forei termoelectromotoare
n fire din Bi-0.05%atSn
Au fost cercetate dependenele de temperatur ale rezistenei R(T) i forei
termoelectromotoare (T) a firelor din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic standard (1011)
i trigonal n lungul axei firului cu valori ale diametrelor cuprinse n intervalul 0.5 2 m la
temperaturi 4.2 300 K. Caracteristicile de schimbare ale rezistenei R() i forei
termoelectromotoare () n cristale cilindrice din Bi-0.05%atSn n intervalul de temperaturi 4.2
300 sunt ilustrate n Figurile 4.12 i 4.13.
Curbele 1, 2 corespund probelor cu orientare cristalografic (1011) n lungul axei firului,
iar curbele 3, 4 firelor din Bi-0.05%atSn cu orientarea axei C3 n lungul axei firului, fire
obinute prin metoda de recristalizare orientat (diagramele de rotaie ale magnetorezistenei
transversale sunt prezentate n Figurile 4.1 i 4.2).
Dup cum vedem n Figura 4.12 (curbele 1, 2) rezistena firelor din Bi-0.05%atSn cu
orientare cristalografic standard cu micorarea temperaturii pn la 4.2 K se micoreaz
monoton de 4-5 ori. Traiectoria dependenei de temperatur R(T) practic nu depinde de diametru
(pn la diametrele minime cercetate 0.5 m). Dependenele de temperatur R(T) (curbele 3, 4)
pentru firele din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal au un caracter nemonoton.
n regiunea 300 180 K rezistena crete 1.4 ori la temperatura 180 K, dup care se
micoreaz monoton de 5 ori cu micorarea temperaturii pn la 4.2 K.

146

25

20

R, kOhm

2
15

3
10

50

100

150

200

250

300

T, K

Fig. 4.12. Dependenele de temperatur ale rezistenei R() nregistrate n fire din Bi-0.05%atSn:
1. d = 0.6 m, 2. d = 1 m fire cu orientare cristalografic standard (1011), 3. d = 1 m, 4. d =
0.8 m fire cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului. [192, 201]
O deosebire similar n comportamentul dependenelor de temperatur al rezistenei R()
a fost nregistrat i n probe masive din Bi dopate cu Sn n direcia cristalografic trigonal i n
direcii perpendiculare orientrii trigonale [200], totodat, a fost nregistrat o deplasare a
maximului pe curbele R() n regiunea temperaturilor nalte cu creterea concentraiei de Sn. La
concentraii ale Sn 0.2%at un maximum pronunat se nregistreaz la temperatura = 270 ,
adic la temperatura camerei. Anizotropia rezistenei este maximal n intervalul de temperaturi
200 300 i practic dispare la < 150 .
n

Figura

4.13

sunt

prezentate

dependenele

de

temperatur

ale

forei

termoelectromotoare () nregistrate n firele din Bi-0.05%atSn. La temperatura 300 K fora


termoelectromotoare n firele cu orientare cristalografic trigonal atinge valoarea 120
140 V/K, adic de 4 ori mai mult dect n fire cu orientare cristalografic standard (20
25 V/K) [201]. Traiectoria dependenelor de temperatur ale forei termoelectromotoare (T)
practic nu depinde de diametrul firului d n intervalul 0.5 < d < 1 m, ce se datoreaz, probabil,
rolului semnificativ al mprtierii pe impuriti, ce contribuie la micorarea lungimii parcursului
liber al purttorilor de sarcin, ce, la rndul su, slbete manifestarea efectului clasic
dimensional n intervalul de diametre 0.5 < d < 1 m ale firelor din Bi-0.05%atSn n comparaie

147

cu efectul dimensional bine observat pe dependenele de temperatur (T) n firele din Bi pur la
valori ale diametrului d < 1 m. Trebuie de menionat c, schimbarea semnului forei
termoelectromotoare n firele din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal are loc la
temperatura 170 K, pe cnd n firele cu orientare cristalografic standard schimbarea
semnului are loc la temperatura = 240 K. O astfel de diferen n comportamentul
dependenelor de temperatur ale forei termoelectromotoare n firele din Bi-0.05%atSn cu
orientare cristalografic diferit n intervalul de temperaturi 200 300 K contribuie la o
schimbare semnificativ a anizotropiei forei termoelectromotoare. Curbele calculate ale
dependenei de temperatur a anizotropiei forei termoelectromotoare = 33 11(T) pentru
firele din Bi-0.05%atSn cu d = 1 m i 0.8 m sunt prezentate n Figura 4.13 (curbele punctate 5,
6). Anizotropia forei termoelectromotoare n intervalul 250 300 K este de dou ori mai mare
dect n firele din Bi pur i atinge valoarea 100 120 V/K.

40

50

20
0

1
2

-50

-20
-40
-60

-100

-80

V/K

, V/K

-100

-150

-120
0

50

100

150

200

250

300

T, K

Fig. 4.13. Dependenele de temperatur ale forei termoelectromotoare () nregistrate n fire


din Bi-0.05%atSn: 1. d = 0.6 m, 2. d = 1 m fire cu orientare cristalografic standard (1011),
3. d = 1 m, 4. d = 0.8 m fire cu orientarea axei C3 n lungul axei firului. Curbele punctate:
dependenele de temperatur ale anizotropiei forei termoelectromotoare = (33 - 11)() n
fire din Bi-0.05%atSn cu d = 1 m (5) i d = 0.8 m (6). [192, 201]
Lund n considerare faptul c, valoarea minim a forei termoelectromotoare n probe
masive din Bi i Bi-0.05%atSn este atins n cazul cnd gradientul de temperatur este

148

orientat n lungul axei bisectoare i n Bi atinge valoarea -50 V/K, iar n direcia (1011) este
egal cu -70 V/K, atunci n fire cu orientare cristalografic (1011), axa bisectoare a crora face
un unghi de 20 cu axa firului, ar trebui s ne ateptm la o valoare real a anizotropiei mai
semnificativ n firele aliajelor Bi-0.05%atSn. Mai mult dect att, avnd n vedere c, n firele
din Bi-0.07%atSn cu orientare cristalografic standard cu d < 300 nm are loc deplasarea
temperaturii de schimbare a semnului n regiunea temperaturilor nalte, datorit efectului
dimensional, deci fire din Bi-0.05%atSn trebuie s ateptm o cretere n intervalul de
temperaturi 250 300 n fire cu d < 0.5 m.
O cretere a anizotropiei forei termoelectromotoare n probe masive din Bi, dopate cu
impuriti acceptoare de Sn, n intervalul de temperaturi 150-180 K, este menionat n lucrarea
[119], ce a fost atribuit sporirii contribuiei relative n fenomenele de transport a purttorilor de
sarcin din extremele T. n firele din Bi-0.05%atSn cercetate n aceast tez, valoarea maximal
a anizotropiei forei termoelectromotoare este atins n intervalul de temperaturi 250 300 K, ce
prezint un rezultat important, deoarece deschide posibiliti de utilizare a firelor din Bi0.05%atSn cu d 0.51 m pentru crearea convertoarelor termoelectrice anizotrope de energie
pe baz de fire n izolaie de sticl, n special a generatoarelor termoelectrice anizotrope.
4.5. Generatorul termoelectric anizotrop pe baz de fire din semimetale n izolaie de sticl
Cutarea surselor noi netradiionale de energie electric la moment prezint un interes
deosebit. Cu apariia materialelor noi mult mai efective pentru termoelementele anizotrope,
renvie interesul fa de efectul termoelectric de tip transversal. Eficiena termoelementului
anizotrop, n mare msur, este determinat de mrimea anizotropiei forei termoelectromotoare.
Principiul de lucru i particularitile termoelementelor anizotrope au fost cercetate minuios att
din punct de vedere tiinific, ct i aplicativ [202].
Termoelementele anizotrope de tip transversal, n calitate de surse de tensiune n
sistemele de msurare, au mai multe avantaje:
fora termoelectromotoare, n comparaie cu termocuplurile obinuite, este
proporional gradientului de temperatur (T1 - T2)/h i nu diferenei de temperaturi T1
- T2. Astfel, micornd limea h, putem majora tensiunea la aceeai diferen de
temperaturi;
tensiunea V este proporional lungimii termoelementului l, astfel, putem majora
tensiunea prin mrirea lungimii cristalului;

149

pentru a obine tensiune, nu avem nevoie de un set de jonciuni, care sunt necesare
pentru a mri sensibilitatea. n cazul termoelementelor anizotrope pentru a mri
sensibilitatea este suficient s mrim lungimea cristalului.
n legtura cu aceasta, exist unele probleme la obinerea termoelementelor anizotrope
eficiente: probleme legate de studiul materialelor, inclusiv obinerea materialelor cu anizotropia
forei termoelectromotoare nalt i parametri reproductibili; probleme de proiectare, calcul i
elaborarea dispozitivelor pe baza termoelementelor anizotrope.
Diferena principial dintre termoelementelor anizotrope i cele obinuite const n faptul
c fora termoelectromotoare are n componena sa factorul geometric l/h, unde l lungimea
probei, iar h grosimea, astfel putem mri fora termoelectromotoare prin alungirea
termoelementului anizotrop, pe cnd n probe masive nu este posibil de a mri lungimea probei
chiar i pn la 10-20 cm.
n legtur cu cele menionate anterior, cercetarea forei termoelectromotoare de tip
transversal n microfire din bismut i aliajele lui n izolaie de sticl, obinute prin metoda
Ulitovschi, cu o lungime de zeci de metri, este de perspectiv pentru aplicarea ulterioar a
microfirelor n diferite dispozitive termoelectrice, n special, n generatoare termoelectrice
anizotrope.
n cadrul proiectului STCU, n premier, de ctre colaboratorul Laboratorului ESDR dl
dr. Leonid Konopko a fost elaborat i construit modelul experimental al generatorului
termoelectric anizotrop (Figura 4.14), ce lucreaz datorit gradientului de temperatur generat de
cldura corpului uman i poate fi utilizat n calitate de surs de alimentare n dispozitive auditive.
Cele mai potrivite n acest scop sunt firele din Bi-0.05%atSn cu o valoarea sporit a anizotropiei
forei termoelectromotoare (100 120 V/K) la temperatura camerei cercetate n lucrarea dat.
Conform calculelor, fora electromotoare obinut de generatorul termoelementului anizotrop pe
baza firelor din Bi-0.05%atSn n izolaie de sticl trebuie s ating valoarea 800 1000 mV.

150

Fig. 4.14. Prototipul generatorului termoelectric anizotrop pe baz de fire din Bi-0.05%atSn n
izolaie de sticl.
Modelul generatorului termoelectric anizotrop propus difer considerabil de cele pe baz
de termoelemente anizotrope de tip inelar sau sub form de spiral, precum i de cele pe baz de
Bi2Te3 i Te, prin faptul c posed anizotropia forei termoelectromotoare foarte ridicat.
Fabricarea generatoarelor termoelectrice anizotrope pe baz de Bi2Te3 i Te necesit cheltuieli
semnificative, mai mult ca att, aceste materiale posed o stratificare i plasticitate ridicat, ceea
ce determin instabilitatea proprietilor electrice i termoelectrice i mpiedic utilizarea lor n
convertoare termoelectrice anizotrope de energie. Lungimea semnificativ a firelor
monocristaline n izolaie de sticl (pn la zeci de metri), rezistena mecanic i stabilitatea fa
de impactul mediul ambiant, flexibilitatea, elasticitatea i simplitatea procesului de fabricare
tehnologic, precum i producerea fr deeuri deschid perspective mari pentru optimizarea i
utilizarea real a acestor fire n convertoare termoelectrice anizotrope de energie. La etapa dat
unul din cele mai bune variante al elementului de funcionare (cristalul) sunt firele din Bi0.05%atSn n izolaie de sticl cu anizotropia forei termoelectromotoare ce atinge o valoare de
100 120 V/K la temperatura camerei.
4.6. Schimbarea topologiei suprafeei Fermi la deformare elastic prin ntindere a firelor
din Bi-0.05%atSn n lungul axelor trigonal i bisectoare
Cum s-a menionat anterior, n firele din Bi dopate cu impuriti acceptoare de Sn pn la
0.05%at, nivelul Fermi al golurilor T constituie ~ 100 meV, adic se afl mai jos de limita
superioar a benzii de valen a golurilor L cu 50 meV. Schimbarea seciunilor suprafeei

151

Fermi a golurilor L i T n firele din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic standard (1011) i


trigonal la deformare elastic prin ntindere n lungul axei firului a fost cercetat cu ajutorul
oscilaiilor ShdH nregistrate experimental pe curbele magnetorezistenei longitudinale R(B) (B ||
I).
n fire monocristaline din Bi pur cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul
axei firului n direcia cmpului magnetic || I oscilaii ShdH pe curbele magnetorezistenei
longitudinale R() de la seciunea minimal a elipsoidului electronilor L1 practic nu au fost
nregistrate. Regiunea de existen a oscilaiilor ShdH de la elipsoidul electronilor L1 < 1 .
Mai mult ca att, la deformare elastic prin ntindere n lungul axei firului din Bi pur seciunea
elipsoidului L1 se micoreaz pn la dispariie, prin urmare nu a fost posibil de urmrit
schimbarea lui n procesul de deformare elastic.
O situaie diferit are loc n firele din Bi dopate cu impuriti acceptoare de Sn pn la
0.05%at, cnd nivelul Fermi se afl n interiorul (n adncul) benzii de valen a golurilor L i la
deformare elastic prin ntindere putem urmri schimbarea seciunilor a tuturor celor trei
elipsoide L amplasate neechivalent n raport cu axa firului.
Pentru a nregistra schimbarea seciunilor extreme ale suprafeei Fermi a golurilor L i T
la deformare, au fost cercetate dependenele perioadei oscilaiilor ShdH la valori fixe ale
ntinderii relative (

l
). Menionm c, ntinderea elastic maximal (pn la 1.5 2%
l

ntindere relativ) se realizeaz n fire cu diametre < 1 m.


n Figura 4.15 este ilustrat dependena magnetorezistenei longitudinale R() ( || I) a
firului din Bi-0.05%atSn cu diametrul d = 550 nm cu orientare cristalografic standard la
ntindere elastic = 0 i = 4.2 .
Cum se vede n Figura 4.15 pe curba magnetorezistenei longitudinale R(B) n lipsa
deformrii elastice ( = 0) la temperatura 4.2 K n cmpuri magnetice slabe pn la 6.5 T sunt
vizibile clar oscilaiile de la dou elipsoide a golurilor L2,3 amplasai simetric n raport cu axa
firului cu perioada oscilaiilor T ( B 1 ) = 1.5*10-5 -1. n cmpuri magnetice puternice sunt
nregistrate oscilaii de la goluri T cu perioada T ( B 1 ) = 0.055*10-5 -1. Hotarul de existen a
oscilaiilor de la golurile L i T n lipsa deformrii elastice = 0 este strict delimitat de cmpul
magnetic 6-7 T (Figura 4.15).

152

1.4

3.8
R/R0

1.3
1.2
1.1
1.0

3.4

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0

, %

3.2
3.0
2.8

3.0

R, kOhm

R, kOhm

3.6

2.8

2.6
9

2.6

10

11

12

13

14

B, T
0

10

12

14

B, T

Fig. 4.15. Dependena magnetorezistenei longitudinale R() ( || I) nregistrat n firul din Bi0.05%atSn cu diametrul d = 550 nm cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei
firului la ntindere elastic = 0 i temperatura = 4.2 . Pe inserare jos: oscilaiile ShdH ale
magnetorezistenei longitudinale R() n cmpuri magnetice puternice. Pe inserare sus:
dependena de deformare a rezistenei reduse R/R0() a firului din Bi-0.05%atSn cu diametrul
d = 550 nm la temperatura = 4.2 . [192, 201]
n Figura 4.16 sunt prezentate dependenele magnetorezistenei longitudinale R()
nregistrate n firul din Bi-0.05%atSn cu diametrul d = 550 nm cu orientare cristalografic
standard (1011) n lungul axei firului la diferite valori ale ntinderii relative la temperatura
4.2.
Cu creterea sarcinii pe curbele R() ncepe s se manifeste efectul magnetorezistenei
negative, mrimea cruia crete, iar regiunea de existen se extinde i se deplaseaz n cmpuri
magnetice slabe. La ntindere maximal = 2% regiunea de cretere iniial a magnetorezistenei
practic lipsete, reflectnd faptul lipsei contribuiei n conductibilitate a elipsoidelor golurilor L2,3
amplasai simetric n raport cu axa firului, ce va fi demonstrat mai jos la cercetarea oscilaiilor
ShdH la deformare prin ntindere.

153

7.0

6.5

R, kOhm

=2%

6.0
5.5

R, kOhm

5.0

1
3
0

4.5

10 12 14

B, T

4.0
3.5

=0

3.0
2.5
0

10

12

14

B, T

Fig. 4.16. Oscilaiile ShdH pe curbele magnetorezistenei longitudinale R() ( || I) nregistrate


n firul din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei firului cu
diametrul d = 550 nm la valori fixe ale ntinderii elastice de la = 0 pn la = 2 %, = 4.2 .
Pe inserare: oscilaiile ShdH pe curbele magnetorezistenei longitudinale R() ( || I) ale firului
din Bi-0.05%atSn la valori fixe ale ntinderii elastice: 1. = 0, 2. = 1.1%, 3. = 1.5%,
4. = 2%, = 4.2 . [192, 201]

Pe curbele magnetorezistenei longitudinale sunt vizibile clar oscilaiile ShdH pe fondul


traiectoriei monotone a curbelor R() la toate valorile de deformare elastic.
n Figura 4.17 (-f) sunt prezentate dependenele numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH
la diferite valori ale deformrii elastice prin ntindere. Perioadele oscilaiilor ShdH determinate
din dependenele lineare n(-1) pentru seciunile (L i T) a suprafeei Fermi, de asemenea, sunt
prezentate n Figura 4.17 (-f).

154

30

30

25

25
-5

2=1.5*10 Oe

-5

15
10
1=0.051*10 Oe

-5

0.2

0.4

0.6
-1

B ,T

0.8

1.0

1.2

0.0

0.4

0.6

0.8

B ,T

-5

3=2.35*10 Oe

1.0

1.2

1.4

-1

25

-1

-5

3=3.16*10 Oe

-1

20
2=0.62*10 Oe

15

-1

-5

(b)
0.2

-1

20

-5

2=0.55*10 Oe

15

-1

10

10
-5

1=0.06*10 Oe

-1

0
0.2

0.4

0.6

0.8
-1

1.0

1.2

-5

1=0.062*10 Oe

-1

(c)

B ,T

0.0

1.4

(d)
0.2

0.4

0.6

0.8
-1

B ,T

-1

1.0

1.2

1.4

-1

35

45
40
-5

3=5.5*10 Oe

35

30

-1

-5

2=18.5*10 Oe

-1

25

30
25

20

-1

-5

2=0.4*10 Oe

15

15
10

0
0.0

-1

30

25

1=0.06*10 Oe

-1

30

20

-1

(a)

0.0

0.0

2=0.75*10 Oe

15

-1

-1

10
-5

-5

3=1.93*10 Oe

20
n

20

-1

-5

1=0.34*10 Oe

-1

10
-5

1=0.07*10 Oe

0.5

-1

(e)

1.0

1.5
-1

B ,T

2.0

2.5

0
0.0

-1

(f)
0.5

1.0

1.5

2.0
-1

B ,T

2.5

3.0

3.5

-1

Fig. 4.17. Dependenele numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului
magnetic invers -1 nregistrate n firul din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic standard
(1011) n lungul axei firului cu diametrul d = 550 nm la valori fixe ale ntinderii elastice: () =
0, (b) = 1.12%, (c) = 1.3%, (d) = 1.5%, (e) = 1.7%, (f) = 2% la temperatura = 4.2 .

155

n regiunea cmpurilor magnetice intermediare, la ntindere elastic 1%, pe curbele


R(B) se nregistreaz o frecven nou f = 13.3 , ( ( B 1 ) = 0.75*10-5 -1) a oscilaiilor ShdH
(Figura 4.17 b) n regiunea 0.15 0.3 -1, care cu mrirea sarcinii (a ntinderii) crete i devine
dominant regiunea de existen a ei se extinde i se deplaseaz n cmpuri magnetice
puternice, reflectnd faptul c seciunea extrem minimal a golurilor L1 a suprafeei Fermi
crete. Totodat perioada oscilaiilor ShdH de la dou elipsoide a golurilor L2,3 crete brusc pn
la valoarea 18*10-5 -1 la ntindere elastic = 1.9% i regiunea de existen a oscilaiilor ShdH
de la cuasielipsoidelor L2,3 se deplaseaz n cmpuri magnetice slabe, ce indic micorarea
brusc a volumului lor.
Astfel, n comparaie cu dependenele analogice n fire din Bi pur, la ntindere elastic a
firelor din Bi-0.05%atSn cu aceeai orientare cristalografic are loc revrsarea purttorilor de
sarcin din dou cuasielipsoide a golurilor L2,3, cu purttori de sarcin mai mobili, n
cuasielipsoidul L1 ntins n lungul axei firului, cu purttori de sarcin mai puin mobili, n
direcia axei firului. Concomitent, perioada oscilaiilor de la goluri T n regiunea de deformare
pn la 1% se schimb slab i cu creterea sarcinii pn la 2% ntindere relativ crete de 1.4
ori, ceea ce ne vorbete despre micorarea volumului elipsoidului golurilor n punctul T a zonei
Brillouin la deformare elastic prin alungire n lungul axei firului (Figura 4.18 inserare). Astfel
de modificri ale topologiei suprafeei Fermi sunt urmate de creterea rezistenei firului la T =
4.2 K de 1.4 ori. Curba de deformare a rezistenei R() la temperatura 4.2 K este prezentat pe
inserarea din Figura 4.15.
Pentru claritate n Figura 4.18 sunt prezentate dependenele perioadei oscilaiilor ShdH la
diferite valori ale ntinderii = 0, = 1.1% i = 1.9%, precum i, n Figura 4.19 (a-c) sunt
prezentate dependenele frecvenei oscilaiilor ShdH f = 1/(-1) pentru diferite seciuni ale
suprafeei Fermi (a golurilor L i T) i ilustrate schematic deplasarea extremelor corespunztoare
la deformare prin ntindere a firelor din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic standard n
lungul axei de deformare.
Deplasarea oscilaiilor ShdH de la cuasielipsoidele L2,3 n cmpuri magnetice slabe poate
fi vzut clar dup deplasarea maximului cmpului limitei cuantice a oscilaiilor ShdH n
cmpuri magnetice slabe. n Figura 4.16 (inserare), poziia maximului ce se deplaseaz este
marcat cu sgeat.

156

35
-5

30

25

-5

-5

15

-5

-5

10

-1

-5

0.0

0.5

1.0

1.5
-1

B ,T

-1

1=0.08*10 Oe

0.07

1=0.05*10 Oe

10

-1

2=0.82*10 Oe

-1

1=0.06*10 Oe

-1

2=0.37*10 Oe
-5

-1

3=2*10 Oe

2=1.5*10 Oe
15
-5
-1

20

-1

3=7.4*10 Oe

0.08

2.0

0.09

0.10

2.5

0.11

3.0

-1

Fig. 4.18. Dependena numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului
magnetic invers -1 nregistrate n firul din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic standard
(1011) n lungul axei firului cu diametrul d = 550 nm la valori fixe ale ntinderii elastice:
1. = 0, 2. = 1.1%, 3. = 1.9%, = 4.2 . Pe inserare: dependenele n(-1) ce corespund
oscilaiilor ShdH de la goluri T n cmpuri magnetice puternice. [192, 201]
La deformri elastice de 1.5% oscilaiile ShdH de la elipsoidele golurilor L2,3 practic
dispar, adic extremele L2,3 se deplaseaz pe scara energiei n jos. Despre acest fapt ne vorbete
i dispariia maximului pe curbele magnetorezistenei longitudinale R(B) n regiunea cmpurilor
magnetice slabe, cnd purttorii actuali rmn doar golurile din banda T a zonei Brillouin i
elipsoidul golurilor L ce se ridic pe scara energiei n sus la ntindere. Astfel, la ntindere elastic
prin deformare a firelor din Bi-0.05%atSn se realizeaz tranziia electronic topologic a
suprafeei Fermi de la trei elipsoide a golurilor L i unul a golurilor T la un elipsoid a golurilor
L1 ntins n lungul axei firului i unul a golurilor T: 3hL 1Th 1hL 1Th . Astfel, ntinderea firelor
din Bi-0.05%atSn n lungul axei (1011) modific simetria reelei i ncalc echivalena
elipsoidelor L. ntinderea n continuare a firului nu duce la o schimbare a perioadei oscilaiilor
ShdH de la golurile L2,3 i .

157

200

30
180
160

f, T

f, T

25

140

20
15

120

10

(a)
0.0

0.5

1.0

1.5

(b)
1.2

2.0

1.5

1.8

2.1

2.4

, %

, %

7
6

f, T

5
4
3
2
1
(c)

0
0.0

0.5

1.0

, %

1.5

2.0

(d)

(e)
Fig. 4.19. Dependenele de deformare ale frecvenei f() oscilaiilor ShdH ale firului din Bi0.05%atSn cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei firului cu diametrul
d = 550 nm pentru elipsoidul golurilor T (), elipsoidul golurilor L1 (b) i elipsoidele golurilor
L2,3 (). Pe inserri: reprezentarea schematic a deplasrii extremelor L i la deformare prin
ntindere n lungul axei firului.
(d) reprezentarea schematic a suprafeei Fermi i seciunilor extreme a suprafeei Fermi n firul
din Bi cu orientare cristalografic standard.
(e) schimbarea formei suprafeei Fermi n firul din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic
standard (1011) la ntindere n lungul axei firului.

158

n fig. 4.20 sunt prezentate curbele magnetorezistenei longitudinale R() nregistrate n


firul din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului la deformare
elastic prin ntindere la temperatura 4.2 K.
Pe inserarea din Figura 4.20 este prezentat curba de deformare R/R0() la temperatura
4.2 K. La deformare maximal

l
2% rezistena crete de 2.2 ori. Pe curbele R() se vede
l

clar transformarea elipsoidelor golurilor L1,2,3 a suprafeei Fermi, amplasate simetric n raport cu
fora de ntindere, i a elipsoidului golurilor T. Odat cu creterea deformrii poate fi vzut clar
regiunea de dominare a oscilaiilor ShdH de la seciunea minimal a golurilor T. Oscilaiile
ShdH sunt bine vizibile i n cmpuri magnetice slabe, ce se asociaz i cu diminuarea
componentei monotone R() n cmpuri magnetice slabe.

3.0
R/R0

2.0

2.5

1.6
1.2

R, kOhm

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0

, %

2.0

=2%

1.5
=0

1.0

10

12

14

B, T

Fig. 4.20. Dependenele magnetorezistenei longitudinale R() ( || I) nregistrate n firul din Bi0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului cu diametrul d = 0.9 m la
diferite valori ale ntinderii elastice de la = 0 pn la = 2%, = 4.2 . Pe inserare:
dependena de deformare a rezistenei reduse R/R0() a firului din Bi-0.05%atSn cu orientare
cristalografic trigonal n lungul axei firului cu diametrul d = 0.9 m la temperatura = 4.2 .
[192, 201]

159

20

25
20

15

-5

-1

-5

2=1,33*10 Oe

15

10

-1

2=1.16*10 Oe

10
-5

1=0.115*10 Oe

-1

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

-1

0.5

0.6

0.7

(b)

0.0

0.2

0.4

-1

2=2,45*10 Oe

-1

10

-5

-5

1=0,108*10 Oe

-1

(c)

0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

-1

1.0

1.2

18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0

-5

2=4,81*10 Oe

-5

1=0,107*10 Oe

0.2

0.4

-1

-1

0.6

0.8
-1

1.0

1.2

1.4

-1

B ,T

35
30
25
20
-5

-1

(d)

B ,T

18
16
14
12
10
8
6
4
2
0

0.8

-1

B ,T

20

0.6

-1

B ,T

15

-1

(a)

-5

1=0,111*10 Oe

-1

=0,107*10 Oe

15

=0.107*10-5Oe-1

10
5
0

(e)
0.08

0.10

0.12
-1

0.14

0.16

(f)
0.08

0.18

0.12

0.16

0.20
-1

-1

B ,T

B ,T

0.24

0.28

-1

Fig. 4.21. Dependenele numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului
magnetic invers -1 nregistrate n firul din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal n
lungul axei firului cu diametrul d = 0.9 m la valori fixe ale ntinderii elastice: () = 0, (b) =
0.81%, (c) = 1.4%, (d) = 1.65%, (e) = 1.95%, (f) = 2%, = 4.2 .

160

Imaginea oscilaiilor cuantice la valori maximale arat neobinuit datorit prezenei


unui pic bifurcat n cmpuri magnetice puternice, ce rmne n urm de la maximele anterioare
la o distan semnificativ n cmp magnetic. O astfel de situaie e posibil n cazul unei divizri
puternice de spin a maximelor oscilaiilor cuantice.
Dependenele experimentale ale perioadei oscilaiilor ShdH la diferite valori prezentate
n Figurile 4.21 (a-f), 4.22 indic asupra existenei unui caracter semnificativ diferit de
schimbare a topologiei suprafeei Fermi n firele din Bi-Sn cu orientare cristalografic trigonal
n comparaie cu firele cu orientare cristalografic standard i a firelor din Bi pur cu orientare
cristalografic standard i trigonal.
Conform datelor experimentale i calculelor perioadei oscilaiilor ShdH, la ntindere
elastic se nregistreaz o micorare semnificativ a celor trei cuasielipsoide echivalente a
golurilor L amplasate simetric n raport cu axa firului i cu direcia de deformare prin ntindere,
pn la dispariia total a lor i o micorare slab (n direcia de cretere) cu 7% a volumului
elipsoidului golurilor T (Figurile 4.21 4.23).

36

12

32

n 8
4

28

24

0.09 0.12 0.15


-1
-1
B ,T

20

16
12

-5

-1

-5

-1

-5

-1

1. 1=0,125*10 Oe , 2=1,3*10 Oe

-5

-1

2. 1=0,112*10 Oe , 2=3,68*10 Oe

-5

-1

3. =0,11*10 Oe

0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8
-1

B ,T

1.0

1.2

1.4

-1

Fig. 4.22. Dependenele numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului
magnetic invers -1 nregistrate n firul din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal n
lungul axei firului cu diametrul d = 0.9 m la diferite valori ale ntinderii elastice : 1. = 0,
2. = 1.5%, 3. = 2%, = 4.2 . Pe inserare: dependenele numrului cuantic n al oscilaiilor
ShdH n funcie de mrimea cmpului magnetic invers -1 de la goluri T. [192, 201]

161

94

(b)

(a)

92

f, T

f, T

6
90

4
88

2
86
0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

0.0

2.5

0.5

1.0

1.5

, %

, %

()

(d)
Fig. 4.23. Dependenele de deformare ale frecvenei f() oscilaiilor ShdH ale firului din Bi0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului cu diametrul d = 0.9 m
pentru elipsoidul golurilor T () i elipsoidele golurilor L1,2,3 (b). Pe inserri: reprezentarea
schematic a deplasrii extremelor L i la deformare prin ntindere n lungul axei firului.
() reprezentarea schematic a suprafeei Fermi i seciunilor extreme ale suprafeei Fermi n
firul din Bi cu orientare cristalografic trigonal.
(d) schimbarea formei suprafeei Fermi n firul din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic
trigonal la ntindere n lungul axei firului.

162

Astfel, la ntindere maximal a firelor din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic


trigonal, are loc tranziia la un aliaj cu o singur band actual de purttori, cnd
conductibilitatea la temperaturi joase se realizeaz doar de golurile T. Despre acest fapt ne
vorbete i micorarea creterii magnetorezistenei n cmp magnetic slab i dispariia maximului
pe curbele R(), ca i n firele din Bi-0.02%atSn, cnd la dopare cu impuriti acceptoare de Sn
nivelul Fermi a golurilor Fh se afl n banda interzis a purttorilor L. ntinderea n continuare a
firelor din Bi-0.05%atSn nu schimb seciunea suprafeei Fermi a golurilor T (Figura 4.21 (, f)
i Figura 4.23 ()).
Deoarece numrul total de purttori turnai n band, la dopare cu impuriti acceptoare
de Sn, este determinat de numrul impuritilor acceptoare introduse n Bi, el nu se schimb la
deformare uniaxial. Numrul de purttori, la rndul su, determin volumul sumar al
suprafeelor izoenergetice Fermi a golurilor L. De aceea, dup tranziia electronic topologic:
3hL 1Th 1Th la creterea sarcinii (ntinderii) volumul elipsoidului golurilor T nu se schimb.

4.7. Dependenele de deformare ale rezistenei i forei termoelectromotoare n fire din BiSn cu orientri cristalografice diferite
n 4.2 i 4.3 au fost prezentate rezultatele cercetrii oscilaiilor ShdH n fire din Bi0.05%atSn cu orientri cristalografice diferite la temperaturi 1.5 4.2 . S-a constatat, o
diferen semnificativ n deplasarea extremelor benzilor L i T la deformare prin ntindere n
lungul axelor trigonal i aproape de cea bisectoare n fire din Bi-0.05%atSn, n care nivelul
Fermi n starea iniial (n lipsa deformrii) este amplasat mai jos de limita maxim a benzii de
valen n T la 100 meV.
A prezentat interes cercetarea dependenelor de deformare ale rezistenei R() i forei
termoelectromotoare () n fire din Bi-0.05%atSn cu orientri cristalografice diferite n lungul
forei de ntindere aplicat, adic n lungul axei firului, la valori diferite ale temperaturii de la 4.2
pn la 300 K.
Procedura de creare a deformrilor elastice prin ntindere i metoda experimental de
msurare n mod automat a rezistenei R() i forei termoelectromotoare () n funcie de
deformare sunt descrise detaliat n Capitolul 2.
Cum s-a menionat anterior, cele mai potrivite obiecte pentru ntindere elastic pn la
1.5 2% alungire relativ sunt firele n izolaie de sticl cu diametre d < 1 m [52].

163

n Figurile 4.24 i 4.25 sunt prezentate dependenele de deformare ale rezistenei firelor
din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic standard (1011) i trigonal corespunztor, la
valori diferite ale temperaturii.
n fire cu orientare cristalografic standard n lungul axei firului la deformare elastic
rezistena crete att n regiunea temperaturilor joase, ct i a celor nalte (Figura 4.24),
reflectnd faptul c, aa cum arat studiile experimentale ale oscilaiilor ShdH, la deformare
elastic a firelor din Bi-0.05%atSn are loc revrsarea purttorilor de sarcin din elipsoidele L2,3
cu goluri mai mobile n elipsoidul golurilor L1 cu purttori de sarcin mai puin mobili.
Concentraia golurilor T se schimb foarte slab.

1.40

1.06

1.35

1.05

1.30
1.04

1.20
1.15

1.03

1.10

R/R0

R/R0

1.25

1.02

1.01

1.05
1.00

1.00

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

, %

Fig. 4.24. Dependenele de deformare ale rezistenei reduse R/R0() nregistrate n firul din Bi0.05%atSn cu d = 0.6 m cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei firului la
diferite valori ale temperaturii: 1. = 4.2 , 2. = 27 , 3. = 105 , 4. = 200 . Pe inserare:
reprezentarea schematic a deplasrii extremelor L i la deformare prin ntindere n lungul axei
firului.
Deplasarea extremului golurilor L1 pe scara energiei n sus determin sporirea
contribuiei golurilor n fora termoelectromotoare n regiunea temperaturilor joase la deformare
(curbele 1, 2 Figura 4.25), ce contribuie la o cretere linear a forei termoelectromotoare cu
deformarea prin ntindere. Cu creterea temperaturii i apropierea de temperatura la care are loc
schimbarea

semnului

forei

termoelectromotoare,

164

pe

curbele

()

creterea

forei

termoelectromotoare ncetinete, iar la temperatura 200 K fora termoelectromotoare atinge


valoarea +15 V/K i practic nu se schimb cu deformarea prin ntindere (curba 4, Figura 4.25).
35
3

V/K

30

25

20

4
1

15

10
0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

, %

Fig. 4.25. Dependenele de deformare ale forei termoelectromotoare () nregistrate n firul din
Bi-0.05%atSn cu d = 0.6 m cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei firului la
diferite valori ale temperaturii: 1. = 27 , 2. = 105 , 3. = 130 , 4. = 200 .
n cazul firelor din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal curbele de
deformare ale rezistenei R() au un caracter nemonoton i difer considerabil n diapazonul
temperaturilor nalte i joase. La temperaturi nalte T = 250 K (curba 6 Figura 4.26) rezistena se
semicoreaz pe ntregul interval de deformri elastice. La temperatura T = 160 K rezistena
practic nu se schimb cu deformarea, iar la T < 160 K are loc trecerea la regiunea temperaturilor
joase unde rezistena crete cu formarea unui maxim pe curbele R() la deformri elastice 1.6
1.8% alungire relativ. La temperatura 4.2 K rezistena crete cu mrimea

R R0
R0

% (curba 1

Figura 4.26). Astfel de comportament al dependenelor R() se explic prin particularitile de


deplasare ale extremelor L i T la deformare n lungul axei trigonale (inserarea din Figura 4.26).

165

1
1.6

R/R0

1.4

1.2

4
5

1.0
0.8

0.0

6
0.5

1.0

1.5

2.0

, %

Fig. 4.26. Dependenele de deformare ale rezistenei reduse R/R0() nregistrate n firul din Bi0.05%atSn cu d = 0.9 m cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului la diferite
valori ale temperaturii: 1. = 4.2 , 2. = 26 , 3. = 54 , 4. = 105 , 5. = 164 , 6. =
250 . Pe inserare: reprezentarea schematic a deplasrii extremelor L i la deformare prin
ntindere n lungul axei firului.
n regiunea temperaturilor joase, cnd conductibilitatea este determinat de golurile L
mai mobile, ce se afl n apropierea nivelului Fermi (fora termoelectromotoare n acest interval
de temperaturi este pozitiv), deformarea prin ntindere duce la deplasarea tuturor celor trei
extreme ale golurilor L pe scara energiei n jos, adic concentraia purttorilor L mult mai mobili
n comparaie cu golurile grele T se micoreaz, ce contribuie la creterea rezistenei pe curbele
R() la temperatura 4.2 K. Concomitent, fora termoelectromotoare, care este pozitiv la
temperaturi joase, la ntindere practic nu se schimb manifestnd o tendin spre micorare la
deformri maximale (curbele 1, 2 Figura 4.27). Aceasta se datoreaz, probabil, faptului c,
contribuia parial a golurilor T n fora termoelectromotoare este destul de mare, deoarece
concentraia lor depete mai mult dect cu un ordin de mrime concentraia golurilor L, iar la
deformare n lungul axei trigonale seciunea golurilor T conform oscilaiilor ShdH se micoreaz
nesemnificativ ( 4.6).

166

50
1
0

V/K

4
-100
-150

5
6

-200
0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

, %
Fig. 4.27. Dependenele de deformare ale forei termoelectromotoare () nregistrate n firul din
Bi-0.05%atSn cu d = 0.9 m cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului la diferite
valori ale temperaturii: 1. = 21 , 2. = 45 , 3. = 109 , 4. = 164 , 5. = 220 ,
6. = 250 .
La temperaturi nalte > 160 fora termoelectromotoare devine negativ, ce indic
despre contribuia semnificativ a elipsoidelor electronilor L n conductibilitate. Deci, la
deformare elastic prin ntindere, deplasarea extremelor L a celor trei elipsoide a electronilor,
echivalente n raport cu deformarea, pe scara energiei n jos va determina sporirea contribuiei
electronilor att n rezisten, ct i n fora termoelectromotoare, ce i se observ n experiment:
rezistena la temperatura 250 K se micoreaz cu 30%, iar fora termoelectromotoare crete n
regiunea negativ atingnd valori de 180 190 V/K la temperaturi 200 250 K (Figurile 4.28,
4.29).
Efectul concomitent de micorare a rezistenei R() i de cretere a forei
termoelectromotoare () contribuie la creterea factorului de putere P.f.() = 2 de 1.5 ori la
temperatura T = 220 K i aproximativ de 3 ori la temperatura T = 250 K (inserarea din Figura
4.29). La temperatura 250 K i ntindere elastic = 2%, factorul de putere P.f. atinge valoare
maximal 1.8*10-4 W/cm*2. Dac lum n considerare c, conductibilitatea termic n aliaje
Bi-0.05%atSn este aceiai ca i n probe masive dopate cu Sn = 0.05 W/cm* n diapazonul de
temperaturi 300 250 K [203], atunci obinem ZT = 0.94 [204].

167

-60

20
18

-80

16
-100

12
10

-120

-140

-100

-160

V/K

V/K

14

-150
-180
-200

-200

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

, %

Fig. 4.28. Dependenele de deformare ale forei termoelectromotoare (): 1. firul din Bi0.05%atSn cu orientare cristalografic standard (1011) n lungul axei firului cu diametrul
d = 0.6 m, 2. firul din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului
cu diametrul d = 0.9 m i 3. anizotropia forei termoelectromotoare () la = 220 .
8.0

-110

7.5

-120
-130
-140

6.5

P.f., W/K *cm


-4
1.8x10

-150

V/K

R, kOhm

7.0

-4

6.0 1.5x10

-160

-4

1.2x10

5.5

-5

-170

9.0x10

-5

5.0 6.0x10
4.5
-0.5

-180
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0

0.0

0.5

-190
1.0

1.5

2.0

, %

Fig. 4.29. Dependenele de deformare ale rezistenei R() i forei termoelectromotoare ()


nregistrate n firul din Bi-0.05%atSn cu d = 0.9 m cu orientare cristalografic trigonal n
lungul axei firului. Pe inserare: dependena factorului de putere n funcie de deformare
P. f . 2 (), calculat din curbele () i R() la temperatura = 250 . [192, 201]

168

Important este faptul c att la ntindere elastic = 0, ct i la deformare elastic


anizotrop, anizotropia forei termoelectromotoare crete semnificativ. n Figura 4.28 sunt
prezentate dependenele de deformare ale forei termoelectromotoare () nregistrate n fire din
Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic standard (1011) i trigonal n lungul axei firului la
temperatura = 220 . La deformare elastic maximal prin ntindere, anizotropia forei
termoelectromotoare = 160 190 V/K la temperaturi 250 200 , ce depete semnificativ
valorile obinute n fire i probe masive din Bi pur i aliaje BiSb.
Un efect analogic de cretere a factorului de putere P.f. la deformare elastic la
temperatura 270 K a fost nregistrat n fire din Bi pur cu orientare cristalografic standard (1011)
n lungul axei firului [106]. ns mrimea P.f. la temperatura 270 K atinge valoarea
5.4*10-5 W/cm*2, adic este de trei ori mai mic dect n firele din Bi-0.05%atSn cu orientare
cristalografic trigonal.
n comun, aceste rezultate demonstreaz c, firele din Bi-0.05%atSn sunt cele mai
potrivite pentru aplicare att n convertoare termoelectrice obinuite, ct i n cele anizotrope n
cazul deformrilor la temperaturi 250-300 K.

4.8. Concluzii la capitolul 4


n premier au fost obinute i cercetate fire din Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic
standard (1011) i trigonal n lungul axei firului, ce a permis s cercetm anizotropia forei
termoelectromotoare n intervalul de temperaturi 4.2 300 . Din oscilaiile ShdH
nregistrate n direcii cristalografice diferite au fost determinai parametrii principali.
Anizotropia forei termoelectromotoare nregistrat n intervalul de temperaturi 200 300
depete de 2 ori valoarea n Bi pur i este egal cu = 100 120 V/K, ce deschide
posibiliti de utilizare a firelor cu acest coninut n generatoare termoelectrice anizotrope
miniature. Astfel, firele cu acest coninut au fost utilizate pentru a crea primul prototip al
generatorului termoelectric anizotrop pe baz de fire n izolaie de sticl, elaborat i construit de
ctre dr. Leonid Konopko n cadrul proiectului internaional STCU #5050.
S-a demonstrat c, n comparaie cu firele din Bi pur la deformare elastic a firelor din
Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic standard (1011) are loc deplasarea neechivalent a
elipsoidelor L, astfel nct elipsoidul golurilor L1 se deplaseaz pe scara energiei n sus ca
urmare a revrsrii purttorilor mai mobili din elepsoidele golurilor L2,3. Drept urmare
rezistena crete.

169

S-a demonstrat c, la deformare elastic a firelor din Bi-0.05%atSn cu orientare


cristalografic trigonal n procesul de tranziie electronic topologic suprafaa Fermi a
golurilor n L se micoreaz pn la un punct i dispare la o oarecare valoare critic . La
finisarea tranziiei electronice topologice volumul suprafeei Fermi a golurilor nu depinde de
deformarea prin ntindere. Tranziia este urmat de creterea rezistenei specifice la temperatura
4.2 K.
S-a stabilit c, n intervalul de temperaturi 250 300 , deformarea elastic a firelor din
Bi-0.05%atSn cu orientare cristalografic trigonal contribuie concomitent la creterea
semnificativ (de 2 ori) a forei termoelectromotoare i micorarea rezistenei, ce determin, la
rndul su, creterea factorului de putere P.f. = 2 i astfel, contribuie la creterea eficienei
termoelectrice.

170

5. FIRE DIN ALIAJE PUTERNIC DOPATE Bi1-Sn I Bi1-. OSCILAII


SHUBNIKOV DE HAAS. TRANZIII TOPOLOGICE INDUSE DE IMPURITI
n acest capitol sunt prezentate rezultatele cercetrilor unui set de probe n form de fire
monocristaline din Bi dopat puternic cu impuriti acceptoare (Sn) i donoare (Te) n izolaie de
sticl cu diametre diferite. Sub dopare puternic, n cazul dat, se nelege trecerea la un aliaj cu o
band actual a purttorilor de sarcin n cazul cnd dopm cu Te i trecerea la conductibilitatea
mixt de tip p cu dou benzi actuale a purttorilor de sarcin la dopare cu Sn. Prin metoda de
msurare a oscilaiilor ShdH n toate direciile cristalografice principale n cmpuri magnetice
longitudinal ( || I) i transversal ( I) au fost determinate perioadele oscilaiilor ShdH,
calculate masele ciclotronice i parametrii principali a suprafeei Fermi a golurilor n T i a
golurilor i electronilor n L a zonei Brillouin n aliajele Bi1-Sn i Bi1-. A fost determinat
coeficientul de eficacitate i dependena lui de coninutul impuritii de aliere cu Sn.
A fost cercetat schimbarea topologiei suprafeei Fermi i particularitile tranziiilor
electronice topologice Lifshitz la dopare puternic a bismutului cu impuriti donoare de Te i
acceptoare de Sn, ce se manifest n comportamentul anomal al dependenelor de temperatur i
concentraie a forei termoelectromotoare n intervalul de temperaturi 4.2 300 .
5.1. Magnetorezistena longitudinal i transversal i oscilaiile ShdH n fire din Bi dopate
puternic cu impuriti acceptoare de Sn
Introducerea impuritilor de Sn n Bi contribuie la deplasarea nivelului Fermi FT n
punctul T a zonei Brillouin pe scara energiei n jos i determin schimbarea numrului i
caracterul extremelor energetice. n lucrarea [106] s-a demonstrat c la doparea Bi cu staniu pn
la 0.02%at, nivelul Fermi a golurilor T este amplasat n regiunea energiilor interzise n punctul L
i conductibilitatea la temperaturi joase se realizeaz doar de golurile T, iar la o dopare mai mare
de 0.025%atSn, conductibilitatea la temperatura 4.2 K se realizeaz de golurile uoare n punctul
L, ce apar la deplasarea FT , i de golurile grele n punctul T a zonei Brillouin.
n aceast lucrare au fost cercetate magnetorezistena longitudinal i transversal i
oscilaiile ShdH n fire din Bi dopate cu impuriti acceptoare de Sn 0.05%at (Tabelul 5.1).
n Figura 5.1 sunt ilustrate dependenele magnetorezistenei longitudinale ( || I) la
temperatura 4.2 K n fire din Bi cu diferit grad de dopare cu Sn.

171

1.0

(RB-RB=0)/RB=0

0.8

0.6

0.4
0.2
0.0
-0.2

-0.4

1
0

10

12

14

B, T

Fig. 5.1. Dependenele magnetorezistenei longitudinale reduse (RB-RB=0)/RB=0() ( || I)


nregistrate n fire din Bi-Sn cu coninut diferit: 1. Bi-0.05%atSn, d = 0.6 m; 2. Bi-0.07%atSn,
d = 0.6 m; 3. Bi-0.1%atSn, d = 1.5 m; 4. Bi-0.15%atSn, d = 0.4 m; 5. Bi-0.2%atSn,
d = 0.2 m; 6. Bi-0.3%atSn, d = 1.7 m la temperatura = 2.1 .
Curbele monotone ale magnetorezistenei longitudinale (RB-RB=0)/RB=0() manifest o
dependen semnificativ fa de gradul de dopare. n firele din Bi-0.05%atSn i Bi-0.07%atSn
cu diametrul d < 1 m a fost nregistrat efectul magnetorezistenei negative (curbele 1, 2 Figura
5.1). Existena magnetorezistenei negative n comun cu maximul format pe curbele R(B) n
cmpuri magnetice slabe, sunt determinate, n primul rnd, de manifestarea efectului
galvanomagnetic dimensional, nregistrat anterior n fire subiri din Bi pur i aliaje Bi-Sn cu
concentraia Sn pn la 0.025%at [106, 137]. La dopare n continuare N > 0.07%atSn efectul
magnetorezistenei negative dispare i nu se manifest nici la diametre de 200 nm (curba 5
Figura 5.1).
n fire dopate puternic Bi1-Sn, n cmpuri magnetice slabe, se observ o cretere
ptratic a rezistenei, dup care urmeaz regiunea de saturaie n cmpuri magnetice pn la 14T
cu trecerea la o cretere linear slab doar n firele cu concentraie maximal de Sn 0.3%at
(curba 6 Figura 5.1).
n toate firele cercetate, n cmp magnetic longitudinal au fost nregistrate oscilaii ShdH
de la purttorii de sarcin n punctele L i T a zonei Brillouin n cmpuri magnetice pn la 14 T
i intervalul de temperaturi 2.1 < < 4.2 .

172

200
30

100

3
5

20

50

10

dR/dB

dR/dB

150

2
0

1
-10

-50
0

10

12

14

B, T

Fig. 5.2. Dependenele derivatei magnetorezistenei longitudinale dR/d() ( || I) nregistrate n


fire din Bi-Sn cu coninut diferit: 1. Bi-0.07%atSn, d = 0.6 m; 2. Bi-0.1%atSn, d = 1.5 m;
3. Bi-0.15%atSn, d = 0.4 m; 4. Bi-0.2%atSn, d = 0.2 m; 5. Bi-0.3%atSn, d = 1.7 m.
n fire din Bi-0.05%atSn i Bi-0.07%atSn amplitudinea oscilaiilor ShdH de la golurile
uoare L att pe curbele R(), ct i dR/d() (Figura 5.2) este destul de mare, n pofida
reducerii timpului de relaxare la dopare.
Exemple a dependenelor R||() i dR/d() pentru firul din Bi-0.07%atSn ce
nregistreaz oscilaii ShdH de la elipsoidele golurilor L2,3 i de la seciunea aproape de cea
maximal a elipsoidului golurilor T sunt prezentate n Figura 5.3.
La creterea n continuare a concentraiei impuritilor N > 0.07%atSn, amplitudinea
oscilaiilor ShdH de la goluri n L ncepe s scad, ca urmare a micorrii timpului de relaxare,
datorit creterii contribuiei mprtierii pe impuriti. ns, oscilaiile ShdH sunt vizibile clar pe
curbele derivalelor dR/d() (Figura 5.2) pn la concentraii de 0.3%atSn. Exemple ale
dependenelor derivatei magnetorezistenei longitudinale dR/d() pentru firul din Bi cu
concentraie maximal 0.3%atSn la temperaturi 4.2 K i 2.1 K sunt prezentate n Figura 5.4.
Att pe curbele R(), ct i dR/d() se vede clar deplasarea limitei cuantice a oscilaiilor
ShdH de la elipsoidele golurilor L2,3 n cmpuri magnetice puternice, reflectnd astfel faptul
creterii suprafeei Fermi a golurilor L cu doparea.

173

21

60

20

40
20

18
0

17

dR/dB

R, kOhm

19

16

-20

15
-40

2
14
0

10

12

14

B, T

Fig. 5.3. Dependenele magnetorezistenei longitudinale R() (scara din stnga) i a derivatelor
dR/d() (scara din dreapta) nregistrate n firul din Bi-0.07%atSn cu diametrul d = 0.6 m la
temperatura = 2.1 (curbele 1) i = 4.2 (curbele 2).

160
140
120

dR/dB

100
80
60

40

20
0
0

10

12

14

B, T

Fig. 5.4. Dependenele derivatei magnetorezistenei longitudinale dR/d() nregistrate n firul


din Bi-0.3%atSn cu diametrul d = 1.7 m la temperatura = 2.1 (curba 1) i = 4.2 (curba
2).

174

n fire cu coninutul 0.1%atSn pe oscilaiile cuantice de la elipsoidele golurilor L2,3 se


suprapun oscilaiile ShdH de la seciunea aproape de cea maximal a golurilor T, fapt ce
complic determinarea perioadei oscilaiilor de la goluri T n cmpuri magnetice puternice. Pe
curbele R() se vede clar deplasarea regiunii de existen a oscilaiilor de frecven nalt de la
seciunea extrem a golurilor T n cmpuri magnetice puternice.
Ca i n firele din Bi pur, o trstur caracteristic a oscilaiilor ShdH de la seciunile
medii L2,3 a suprafeei Fermi a electronilor n punctul L a zonei Brillouin, n firele aliajelor Bi-Sn
cercetate, este faptul c mrimea cmpului limitei cuantice, ce corespunde ultimului maxim pe
curbele R() (ieirea nivelelor 0+, 1-) coincide cu frecvena cuasiclasic a oscilaiilor (-1),
drept urmare a apropierii factorului de divizare a spinului de unitate.
n Figura 5.5 sunt prezentate dependenele numrului cuantic n al maximelor i
minimelor oscilaiilor ShdH pe curbele magnetorezistenei longitudinale ale firelor tuturor
diametrelor cercetate. Dependenele funcionale n(-1) se potrivesc bine pe o linie dreapt. Aici n
corespunde maximului sau minimului oscilaiilor n cmp magnetic indirect. Dup tangenta
unghiului de nclinare al dependenelor n(-1) a fost determinat valoarea medie a perioadei
oscilaiilor ShdH (-1).
6

150

5
120

number

90

3
60

30

1
0
0.1

0.2

0.3

0.4
-1

B ,T

0.5

0.6

0.7

0.8

-1

Fig. 5.5. Dependenele numrului cuantic n al maximelor i minimelor oscilaiilor ShdH pe


curbele magnetorezistenei longitudinale n funcie de mrimea cmpului magnetic invers n(-1)
( || I) nregistrate n fire din Bi-Sn la temperatura = 2.1 : 1. Bi-0.05%atSn, d = 0.6 m; 2. Bi0.07%atSn, d = 0.6 m; 3. Bi-0.1%atSn, d = 1.5 m; 4. Bi-0.15%atSn, d = 0.4 m; 5. Bi0.2%atSn, d = 0.2 m; 6. Bi-0.3at%Sn, d = 1.7 m.

175

n Figura 5.6 sunt prezentate dependenele perioadei oscilaiilor ShdH 1(-1) de la goluri
T i 2(-1) de la golurile L2,3 determinate din dependeele lineare n(-1) din Figurile 5.2 i 5.5 n
funcie de concentraia Sn (n %at).
Conform Figurei 5.6 perioada oscilaiilor ShdH de la goluri T se schimb practic cu un
ordin de mrime de la valoarea (-1) = 0.58*10-5 -1 pentru Bi pur pn la valoarea
0.055*10-5 -1 pentru aliajul Bi-0.05%atSn. Creterea n continuare a impuritilor de Sn pn
la 0.3%at contribuie la o micorare treptat a perioadei oscilaiilor ShdH pn la valoarea
0.032*10-5 -1 pentru fire din Bi-0.3%atSn.
2.0
0.6
1.5

1.0

-5

0.3

-5

0.4
2, 10 Oe

1 , 10 Oe

-1

0.5

0.2

-1

2
0.5

0.1

0.0
0.0
0.00

0.05

0.10

0.15

0.20

0.25

0.30

Concentration, at%Sn

Fig. 5.6. Dependenele perioadei oscilaiilor ShdH ale magnetorezistenei longitudinale de la


elipsoidul golurilor T (curba 1) i elipsoidele golurilor L2,3 (curba 2) a suprafeei Fermi n funcie
de concentraia Sn n %at n fire din Bi-Sn. Pe inserare: orientarea suprafeei Fermi n raport cu
axa firului n fire din Bi1-Sn cu orientare cristalografic standard (1011) i direcia cmpului
magnetic.
Parametrii de baz a suprafeei Fermi a golurilor L i T, determinai din oscilaiilor ShdH
n cmp magnetic longitudinal ( || I), sunt prezentai n Tabelul 5.1.
Cercetri analogice ale magnetorezistenei i oscilaiilor ShdH n fire din Bi-Sn au fost
efectuate i n cmp magnetic transversal n direciile cmpului magnetic || 2 ( I) i || 3
( I) (Figura 5.7 5.14).

176

Tabelul 5.1. Parametrii de baz a suprafeei Fermi a golurilor n punctul T i L a zonei Brillouin n fire din Bi-Sn cu orientare cristalografic
standard (1011) n lungul axei firului n cmp magnetic longitudinal ( || I).
Golurile n punctul T
Coninutul

d,
m

R300/R4.2

Sn

-1

1(B ),
10-5 Oe-1

f ,T

T
1

T
c

m /m0

Golurile n punctul L

T
F

p ,
1017 cm-3
116

-1

2(B ),
10-5 Oe-1

f 2 2,3 ,

L
c

m /m0

pL ,

1.8

T
5.5

0.033

1017 cm-3
7.47

Bi-0.05%atSn

0.6

4.7

0.85

0.055

181.8

0.195

meV
100

Bi-0.07%atSn

0.6

4.14

0.7

0.052

194.1

0.224

103.6

120

1.15

8.7

0.034

14.9

Bi-0.1%atSn

1.5

8.8

0.6

0.042

240

0.299

117

160

0.85

11.6

0.054

23.1

Bi-0.2%atSn

0.2

6.4

0.4

0.041

243

0.311

122

178

0.42

23.8

Bi-0.3%atSn

1.7

0.33

0.036

277

0.336

134

210

0.35

28.5

67.4
0.0687

T
1(B-1) perioada oscilaiilor ShdH de la seciunea aproape de cea maximal S max
a suprafeei Fermi a golurilor n punctul ( || I);
T
f1T - frecvena oscilaiilor ShdH de la seciunea aproape de cea maximal S max
a suprafeei Fermi a golurilor n punctul ( || I);

L
2(B-1) perioada oscilaiilor ShdH de la dou seciuni medii echivalente S2,3
a suprafeei Fermi a golurilor n punctul L;
L

L
f 2 2,3 - frecvena oscilaiilor ShdH de la dou seciuni medii echivalente S2,3
a suprafeei Fermi a golurilor n punctul L;

mcT - masa ciclotronic aproape de cea maximal a golurilor n punctul T;


L
mcL - masa ciclotronic a purttorilor de sarcin n punctul L, ce corespund seciunilor medii S2,3
a suprafeei Fermi;

FT - energia Fermi a golurilor n punctul T, determinat n aproximarea cu dou benzi la gT = 200 meV;
pT - concentraia purttorilor de sarcin golurile n punctul T;
p L - concentraia purttorilor de sarcin golurile n punctul L.

Sn coeficientul de eficacitate a staniului.


177

88.3

n cmp magnetic transversal n direcia || 2, n cmpuri magnetice slabe se


nregistraz o cretere ptratic a rezistenei pe curbele R(), ce trece la saturaie n cmpuri
magnetice puternice n firele din Bi dopate slab i la o cretere linear a rezistenei n firele din
Bi dopate puternic (curbele 4, 5, 6 Figura 5.7). O cretere maximal a rezistenei cu 140 150%
n cmp magnetic pn la 14 T are loc n firele aliajelor Bi-0.15%atSn - Bi-0.2%atSn (curbele 4,
5 Figura 5.7), care ncetinete cu creterea gradului de dopare pn la 0.3%atSn (curba 6 Figura
5.7).
1.6

0.5

1.4

4
0.3

1.2

1.0

0.8
0.2

0.6

(RB-RB=0)/RB=0

(RB-RB=0)/RB=0

0.4

0.4

0.1

0.2
0.0

0.0
0

10

12

14

B, T

Fig. 5.7. Dependenele magnetorezistenei transversale reduse (RB-RB=0)/RB=0() ( || 2)


nregistrate n fire din Bi-Sn la temperatura = 2.1 : 1. Bi-0.05%atSn, d = 0.6 m; 2. Bi0.07%atSn, d = 0.6 m; 3. Bi-0.1%atSn, d = 1.5 m; 4. Bi-0.15%atSn, d = 0.4 m; 5. Bi0.2%atSn, d = 0.2 m; 6. Bi-0.3%atSn, d = 1.7 m.
n cmpuri magnetice puternice au fost nregistrate oscilaii ShdH de la seciunea
maximal a golurilor T. Cu creterea concentraiei de Sn regiunea de existen a oscilaiilor
ShdH se deplaseaz n regiunea cmpurilor magnetice puternice, reflectnd creterea
concentraiei golurilor n punctul T. i pentru aliajele cu coninutul > 0.1%atSn cmpul magnetic
pn la 14 T nu este suficient pentru a nregistra oscilaii ShdH de la seciunea maximal a
golurilor n punctul T, regiunea de existen a crora se deplaseaz n cmpuri magnetice > 14 .
n aceast direcie sunt vizibile clar oscilaiile ShdH de la seciunile maximal L1 i a
celor medii L2,3 a elipsoidelor golurilor amplasate simetric n raport cu direcia cmpului
magnetic || 2.

178

Ca i n cazul || I o schimbare semnificativ a perioadelor oscilaiilor ShdH att de la


golurile n punctul L, ct i de la cele din punctul T a fost nregistrat n regiunea concentraiilor
de la Bi pur pn la 0.05%atS. Schimbarea perioadei oscilaiilor ShdH de la seciunea maximal
a golurilor n punctul L are loc mai lent (curba 1 Figura 5.10 b).

120
100

5
dR/dB

80

60
40

20

1
0
-20
0

10

12

14

B, T

Fig. 5.8. Dependenele derivatei magnetorezistenei transversale dR/d() ( || 2) nregistrate


n fire din Bi-Sn la temperatura = 2.1 : 1. Bi-0.07%atSn, d = 0.6 m; 2. Bi-0.1%atSn, d =
1.5 m; 3. Bi-0.15%atSn, d = 0.4 m; 4. Bi-0.2%atSn, d = 0.2 m; 5. Bi-0.3%atSn, d = 1.7 m.
6

180

5
4

150

number

120

90

60

1
30
0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8
-1

B ,T

1.0

1.2

1.4

1.6

-1

Fig. 5.9. Dependenele numrului cuantic n al maximelor i minimelor oscilaiilor ShdH n


funcie de mrimea cmpului magnetic invers n(-1) ( || 2) nregistrate n fire din Bi-Sn la
temperatura = 2.1 : 1. Bi-0.05%atSn, d = 0.6 m; 2. Bi-0.07%atSn, d = 0.6 m; 3. Bi0.1%atSn, d = 1.5 m; 4. Bi-0.15%atSn, d = 0.4 m; 5. Bi-0.2%atSn, d = 0.2 m; 6. Bi0.3%atSn, d = 1.7 m.
179

0.5

0.3

-5

1, 10 Oe

-1

0.4

0.2
0.1
0.0

(a)
0.00

0.02

0.04

0.06

0.08

0.10

Concentration, at%Sn

8
0.18

0.09
0.06

-5

0.12

0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3

Concentration, at%Sn

-1

-5

2, 10 Oe

-1

-5

0.15

3, 10 Oe

2, 10 Oe

-1

1
0

(b)
0.00

0.05

0.10

0.15

0.20

0.25

0.30

Concentration, at%Sn

Fig. 5.10. Dependenele perioadei oscilaiilor ShdH (B || C2) de la seciunea maximal a


suprafeei Fermi a elipsoidului golurilor n punctul T () i seciunea maximal a elipsoidului
golurilor L1 (curba 1) (b) i seciunilor medii minimale a elipsoidelor golurilor L2,3 (curba 2) (b)
ale suprafeei Fermi n funcie de concentraia de Sn n %at n fire din Bi-Sn. Pe inserarea ():
seciunile extreme ale suprafeei Fermi n fire din Bi-Sn cu orientare cristalografic standard
(1011) n direcia cmpului magnetic B || C2. Pe inserarea (b): dependena perioadei oscilaiilor
ShdH (B || C2) a seciunii maximale a elipsoidului golurilor L1 n funcie de concentraia de Sn
(0.05 0.3) n %at n fire din Bi-Sn.

180

n direcia cmpului magnetic || 3 ( I) au fost nregistrate oscilaii ShdH de la


seciunea extrem aproape de cea minimal a suprafeei Fermi a golurilor n punctul T i de la
seciunile aproape de cele minimale a golurilor n punctul L a zonei Brillouin (Figurile 5.11
5.14).
O particularitate caracteristic dependenelor magnetorezistenei transversale n direcia
|| 3 la temperatura 4.2 este creterea ptratic brusc a rezistenei n cmpuri magnetice slabe i
trecerea la o dependen linear n cmpuri magnetice puternice. Cu creterea concentraiei de Sn
regiunea de cretere linear a rezistenei R() se deplaseaz n regiunea cmpurilor magnetice
slabe (curbele 3, 4, 5 Figura 5.11). Ca i n cazul || 2 o cretere maximal a rezistenei R() a
fost nregistrat n fire din Bi cu concentraia 0.15 0.2%atSn.
Creterea concentraiei de Sn pn la 0.3%at contribuie la micorarea perioadei
oscilaiilor ShdH de 4-5 ori.
Cercetarea complex a oscilaiilor ShdH n fire din Bi-Sn n direciile cristalografice
principale la temperaturi 4.2 2.1 a permis s determinm parametrii de baz a suprafeei
Fermi a golurilor n punctele T i L a zonei Brillouin la doparea firelor din Bi cu impuriti
acceptoare de Sn.

0.4

1.5

(RB-R0)/R0

1.0

0.2

3
4

(RB-R0)/R0

0.3

0.5

0.1

0.0

0.0
0

10

12

14

B, T

Fig. 5.11. Dependenele magnetorezistenei transversale reduse (RB-RB=0)/RB=0() ( || 3)


nregistrate n fire din Bi-Sn la temperatura = 2.1 : 1. Bi-0.05%atSn, d = 0.6 m; 2. Bi0.07%atSn, d = 0.6 m; 3. Bi-0.1%atSn, d = 1.5 m; 4. Bi-0.15%atSn, d = 0.4 m; 5. Bi0.2%atSn, d = 0.2 m; 6. Bi-0.3%atSn, d = 1.7 m.

181

5
4

250
200

3
dR/dB

150

100
50

0
-50
0

10

12

14

B, T

Fig. 5.12. Dependenele derivatei magnetorezistenei transversale dR/d() ( || 3) nregistrate


n fire din Bi-Sn la temperatura = 2.1 : 1. Bi-0.07%atSn, d = 0.6 m; 2. Bi-0.1%atSn, d = 1.5
m; 3. Bi-0.15%atSn, d = 0.4 m; 4. Bi-0.2%atSn, d = 0.2 m; 5. Bi-0.3%atSn, d = 1.7 m.
120

6
5
4

number

90

60

1
30

0
0.1

0.2

0.3

0.4
-1

B ,T

0.5

0.6

0.7

0.8

-1

Fig. 5.13. Dependenele numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului
magnetic invers n(-1) ( || 3) nregistrate n fire din Bi-Sn la temperatura = 2.1 : 1. Bi0.05%atSn, d = 0.6 m; 2. Bi-0.07%atSn, d = 0.6 m; 3. Bi-0.1%atSn, d = 1.5 m; 4. Bi0.15%atSn, d = 0.4 m; 5. Bi-0.2%atSn, d = 0.2 m; 6. Bi-0.3%atSn, d = 1.7 m.

182

1.0

0.4

0.3

-5

0.6

-5

2, 10 Oe

1, 10 Oe

-1

0.8

0.2

-1

0.4

1
0.2

0.1

0.0
0.00

0.05

0.10

0.15

0.20

0.25

0.30

Concentration, at%Sn

Fig. 5.14. Dependenele perioadei oscilaiilor ShdH (B || C3) de la seciunea minimal a


suprafeei Fermi a elipsoidului golurilor n punctul T (curba 1) i seciunilor maximale a
elipsoidelor golurilor L (curba 2) ale suprafeei Fermi n funcie de concentraia de Sn n %at n
fire din Bi-Sn. Pe inserare: seciunile extreme ale suprafeei Fermi n fire din Bi-Sn cu orientare
cristalografic standard (1011) n direcia cmpului magnetic B || C3.
Pentru firele aliajelor Bi1-Sn cercetate, masele ciclotronice ale seciunilor extreme
maximal i minimal a suprafeei Fermi n punctul T au fost calculate din dependenele
amplitudinei oscilaiilor ShdH de temperatur pe curbele R() n direciile cmpului magnetic
|| 2 i || 3 n cmpuri magnetice departe de cmpul limitei cuantice, unde componenta
armonic a oscilaiilor este limitat de prima armonic.
n cazul n care temperatura final 2 depete de dou ori cea iniial 1: 2 = 21,
pentru masa ciclotronic m n regiunea cuasiclasic a cmpurilor magnetice a fost utilizat
expresia (2.9).
Rezultatele calculelor (mcT )max ( || 2) i (mcT ) min ( || 3) , precum i masa mc a seciunii
aproape de cea maximal n punctul T ( || I), sunt prezentate n Tabelele corespunztoare 5.1,
5.2, 5.3.
Calcule analogice au fost efectuate i pentru goluri n punctul L a zonei Brillouin, care, de
asemenea, sunt prezentate n Tabelele 5.1, 5.2, 5.3. n unele cazuri, n special n firele cu
coninutul Bi-0.2%atSn i Bi-0.3%atSn n direcia || 3, din cauza comportamentului anomal al

183

dependenelor amplitudinii oscilaiilor ShdH de temperatur, nu a fost posibil de a calcula


masele ciclotronice ce corespund seciunii minimale a suprafeei Fermi a golurilor n punctul T.
Temperatura Dingle D att pentru goluri n punctul T, ct i pentru goluri n punctul L a
fost determinat din raportul amplitudinei oscilaiilor ShdH a dou valori consecutive n i n+1,
la care sunt nregistrate minime i maxime ale magnetorezistenei, conform expresiei (3.3).
Valorile calculate ale D constituie 5 7 i nu prezint o dependen clar de coninut
n regiunea concentraiilor > 0.05%atSn.
S-a constatat c, masele ciclotronice ale golurilor n punctele T i L cresc cu mrirea
nivelului de dopare cu impuriti acceptoare de Sn (Tabelele 5.1, 5.2, 5.3). Aceasta ne indic
asupra neparabolicitii spectrului nu doar a golurilor n punctul L, ci i a golurilor n punctul T.
Un efect analogic a fost nregistrat n probe masive din Bi la dopare cu staniu pn la
concentraii ce corespund poziiei nivelului Fermi a golurilor n punctul T FT = 90 meV [84].
De asemenea, a fost nregistrat o uoar micorare a anizotropiei elipsoidului T cu
doparea, ce poate fi cauzat de deplasarea nivelului Fermi n cmp magnetic [176]. n lucrarea
[176] a fost nregistrat o micorare a anizotropiei suprafeei Fermi a golurilor n punctul T cu
presiunea, ce este discutabil, cum s-a artat n lucrarea [78], deoarece oscilaiile de la seciunea
maximal a elipsoidului golurilor n punctul T ( || 2) au fost nregistrate n cmpuri magnetice
dup limita cuantic pentru seciunile mici ale suprafeei Fermi a golurilor n punctul L, unde

nivelul Fermi se coboar rapid cu creterea cmpului magnetic B . Cum s-a demonstrat n
lucrarea [205], n cazul dat frecvena oscilaiilor ShdH de la goluri n punctul T se micoreaz cu
30 50% n raport cu valoarea sa cuasiclasic.
Energia Fermi FT a golurilor n punctul T a fost determinat dup modelul cu dou benzi
(modelul elipsoidal neparabolic) cu ajutorul expresiilor (4.1) i (4.2) [84]. Limea benzii
interzise n punctul T a zonei Brillouin gT conform [206] este egal cu 200 meV.
Datele FT calculate pentru toate aliajele Bi-Sn cercetate sunt prezentate n Tabelul 5.1 de
unde rezult c la doparea firelor din Bi cu Sn pn la concentraia 0.3%at nivelul Fermi al
golurilor FT atinge valoarea 134 meV, adic a crescut aproape cu un ordin de mrime n
comparaie cu Bi pur ( FT = 12 meV).
Concentraia golurilor T a fost calculat din datele experimentale ale perioadelor
oscilaiilor ShdH utiliznd relaia (4.3) [198].

184

Tabelul 5.2. Parametrii de baz a suprafeei Fermi a golurilor n punctul T i L a zonei Brillouin n fire din Bi-Sn cu orientare cristalografic
standard (1011) n lungul axei firului n cmp magnetic transversal ( I, || 3).
Golurile n punctul T

Coninutul

d,
m

R300/R4.2

1(B-1), 10-5 Oe-1

f1T , T

mcT /m0

Bi-0.05%atSn

0.6

4.7

0.12

83

0.160

Bi-0.07%atSn

0.6

4.14

0.108

92.6

0.171

Bi-0.1%atSn

1.5

8.8

0.078

127.4

0.182

Bi-0.2%atSn

0.2

6.4

0.074

Bi-0.3%atSn

1.7

0.063

Golurile n punctul L
2(B ), 10-5 OeL
mcL /m0
f 2 1,2,3 , T
1
-1

0.5

19.8

0.113

0.28

34.8

0.1

135

0.31

32

0.1

158

0.23

42

0.126

T
1(B-1) perioada oscilaiilor ShdH de la seciunea aproape de cea minimal S min
a suprafeei Fermi a golurilor n punctul ;
T
f1T - frecvena oscilaiilor ShdH de la seciunea aproape de cea minimal S min
a suprafeei Fermi a golurilor n punctul ;

L
2(B-1) perioada oscilaiilor ShdH de la trei seciuni echivalente aproape de cele maximale S1,2,3
a suprafeei Fermi a golurilor n punctul L;
L

L
f 2 1,2,3 - frecvena oscilaiilor ShdH de la trei seciuni echivalente aproape de cele maximale S1,2,3
a suprafeei Fermi a golurilor n punctul L;

mcT - masa ciclotronic aproape de cea minimal a golurilor n punctul ;


mcL - masa ciclotronic aproape de cea maximal a golurilor n punctul L.

185

Tabelul 5.3. Parametrii de baz a suprafeei Fermi a golurilor n punctul T i L a zonei Brillouin n fire din Bi-Sn cu orientare cristalografic
standard (1011) n lungul axei firului n cmp magnetic transversal ( I, || 2).
Golurile n punctul L1

R300/R4.2

Golurile n punctul L2,3

d, m

Golurile n punctul T
1(B-1), 10-5 Oe-1

f1T , T

mcT /m0

2(B-1), 10-5 Oe-1

f 2 2,3 , T

mc 2,3 /m0

0.6

4.7

0.041

243

0.290

0.18

55

0.142

0.6

4.14

0.038

249

0.364

Bi-0.1%atSn

1.5

8.8

0.1

100

0.320

Bi-0.2%atSn

0.2

6.4

0.074

135.1

Bi-0.3%atSn

1.7

0.07

140

Coninutul

Bi-0.05%atSn
Bi-0.07%atSn

3(B-1), 10-5 Oe-1

f3L1 , T

mcL1 /m0

0.343

0.9

11.1

0.035

0.258

0.7

14.3

0.014

T
1(B-1) perioada oscilaiilor ShdH de la seciunea aproape de cea maximal S max
a suprafeei Fermi a golurilor n punctul ;
T
f1T - frecvena oscilaiilor ShdH de la seciunea aproape de cea maximal S max
a suprafeei Fermi a golurilor n punctul ;

L
2(B-1) perioada oscilaiilor ShdH de la dou seciuni medii echivalente S2,3
a suprafeei Fermi a golurilor n punctul L;
L

L
f 2 2,3 - frecvena oscilaiilor ShdH de la dou seciuni medii echivalente S2,3
a suprafeei Fermi a golurilor n punctul L;

3(B-1) perioada oscilaiilor ShdH de la seciunea maximal S1L a suprafeei Fermi a golurilor n punctul L;
f3L1 - frecvena oscilaiilor ShdH de la seciunea maximal S1L a suprafeei Fermi a golurilor n punctul L;
mcT - valoarea medie a masei ciclotronice a golurilor n punctul ;
L

mc 2,3 - masa ciclotronic minimal a golurilor n punctul L;


mcL1 - masa ciclotronic maximal a golurilor n punctul L.

186

n legtur cu faptul c, la cercetarea oscilaiilor ShdH n direcia cmpului magnetic ||


3 au fost nregistrate oscilaii de la seciuni aproape de cele minimale (deoarece axa firului
formeaz un unghi de ~ 20 cu axa bisectoare 1/2), mrimea minim a perioadei inverse a
golurilor n punctul T n fire a fost determinat din raportul T min
1

1 d
T

2.5

, unde T1 d

frecvena oscilaiilor ShdH a golurilor n punctul T n fire cu orientare cristalografic standard


(1011) n lungul axei firului n cmp magnetic longitudinal. De asemenea, s-a luat n considerare
faptul c, anizotropia suprafeei Fermi a golurilor n punctul T este egal cu

S max
3.2 i cum sS min

a demonstrat de ctre autorii [84] n probe masive din Bi nu se schimb la dopare cu Sn pn la


concentraii 1019 cm-3.
Concentraia purttorilor de sarcin golurile n punctul L a fost determinat din
expresia:
L
Bi
L
alloy

p
p

1
1

1
1

21 31 2
1
2

Bi
1
1 2
3 alloy

i1 Bi 2

1
i alloy

(5.1)

utiliznd n calitate de punct de reper concentraia electronilor n Bi la temperatura 4.2 =


3.01*1017 cm-3. [8] La calcul nu s-a luat n considerare asimetria spectrelor electronilor i
golurilor n punctul L. Astfel de neexactitate se reflect nesemnificativ asupra mrimii
coeficientului de eficacitate a Sn Sn , deoarece Sn este determinat n primul rnd de concentraia
golurilor de impuriti n elipsoidul T.
Din literatur se cunoate c, concentraia sumar a golurilor n aliajele cu multe benzi
actuale a purttorilor de sarcin se determin dup concentraia impuritilor de dopare cu Sn Sn
(%at):
pi N A BiSn CSn

100
ABiSn

(5.2)

unde N numrul lui Avogadro, i densitatea i masa atomic a aliajului Bi-Sn.


Compararea concentraiei golurilor, determinat din oscilaiile ShdH i calculat dup
concentraia impuritilor de dopare Sn pentru firele cu concentraia corespunztoare, a permis
s determinm coeficientul de eficacitate n firele cercetate dopate cu Sn. Conform datelor
reflectate n Tabelul 5.1, rezult c, coeficientul de eficacitate al Sn n fire din Bi1-Sn, obinute
prin metoda Ulitovschi, se micoreaz cu creterea concentraiei de Sn de la valoarea 0.85 n
firele Bi-0.05%atSn pn la valoarea 0.3 n firele Bi-0.3%atSn i depete semnificativ valorile

187

Sn obinute n probele masive de Bi1-Sn cu coninutul corespunztor [59, 60, 207, 208].
Ultima, se datoreaz, probabil, particularitilor de ntindere a firelor monocristaline n izolaie
de sticl dup metoda Ulitovschi. Datorit vitezei nalte de recristalizare a firului din aliajul topit,
care este meninut la o temperatur ridicat i se amestec intens de cmpul electromagnetic al
inductorului de frecven nalt, impuritatea de Sn se distribuie uniform i se exclude
posibilitatea de formare a clusterelor n volumul firului ntins din aliajul topit. Astfel, fire
omogene monocristaline din Bi1-Sn s-a reuit de a obine pn la concentraia 0.3%atSn. Cum
s-a demonstrat n lucrarea [209] existena strilor de impuritate n probe din Bi dopate contribuie
la micorarea coeficientului de eficacitate cu creterea temperaturii, iar la temperatura 4.2 K
1 i nu depinde de concentraie, cu toate c n experimente n probele masive din Bi << 1.
Rezultate analogice cu privire la coeficientul de eficacitate a Sn Sn n fire din Bi-Sn, care n
limitele erorilor experimentale coincide, au fost obinute n lucrarea [92].
5.2. Rezistena i fora termoelectromotoare n fire din Bi dopate cu Sn i tranziia
electronic topologic indus de impuriti
Dependenele de temperatur ale rezistenei relative R/R300() ale firelor din Bi dopat cu
Sn n diapazonul de temperaturi 4.2 300 K sunt prezentate n Figura 5.15.
Cu creterea concentraiei de Sn mai mult de 0.07%at, curbele R(T) sunt uor nclinate i
identice pn la concentraia 2.1*1019 cm-3. La o concentraie a Sn de 0.07%at efectul
dimensional pe dependenele R/R300() se manifest prin deplasarea maximului pe curbele R(T)
n regiunea temperaturilor nalte (Figura 5.15 b).
n

Figura

5.16

sunt

prezentate

dependenele

de

temperatur

ale

forei

termoelectromotoare () n intervalul de temperaturi 4.2 300 nregistrate n fire din Bi1-Sn


cu parametrii indicai n Tabelul 5.1.
n premier, o dependen semnificativ nemonoton a curbelor (T) cu schimbarea tripl
a semnului forei termoelectromotoare a fost nregistrat n aliaje puternic dopate (0.1, 0.15,
0.2%atSn). n aliaje cu concentraia 2.1*1019 cm-3 (Bi-0.3%atSn) fora termoelectromotoare are
valoarea pozitiv pe ntregul interval de temperaturi, cu toate c curba (T) are un caracter
nemonoton i pstreaz particularitile curbelor 2, 3, 4 ce conin schimbarea semnului (Figura
5.16 a). Dependena de temperatur (T) pentru firul cu concentraia 0.07%atSn prezint un
maximum pozitiv n regiunea 100 K, dup care fora termoelectromotoare se micoreaz i
rmne n regiunea valorilor pozitive pn la temperatura T = 4.2 K (Figura 5.16).

188

1.0

RT/R300

0.8

0.6

4
0.4

3
2

0.2

(a)

0.0
0

50

100

150

200

250

300

T, K

Fig. 5.15. () Dependenele rezistenei relative de temperatur R/R300() nregistrate n fire din
i-Sn: 1. Bi-0.07%atSn d = 0.3 m, 2. Bi-0.1%atSn d = 0.9 m, 3. Bi-0.15%atSn d = 1.1 m,
4. Bi-0.2%atSn d = 0.6 m, 5. Bi-0.3%atSn d = 0.9 m.

1.0

RT/R300

0.8

0.6

0.4

(b)

0.2
0

50

100

150

200

250

300

T, K
Fig. 5.15. (b) Dependenele rezistenei relative de temperatur R/R300() nregistrate n fire din
Bi-0.07%atSn cu diametre diferite: 1. d = 0.2 m, 2. d = 0.3 m, 3. d = 1.5 m.

189

30

40

20

20

, V/K

10
0
-10

-20

-40
-60

-30
-40

-20

(a)
0

, V/K

-80
50

100

150

200

250

300

T, K

Fig. 5.16. () Dependenele forei termoelectromotoare de temperatur () nregistrate n fire


din i-Sn: 1. Bi-0.07%atSn d = 1.5 m, 2. Bi-0.1%atSn d = 0.9 m, 3. Bi-0.15%atSn d = 1.1 m,
4. Bi-0.2%atSn d = 0.6 m, 5. Bi-0.3at%Sn d = 0.9 m.

60
40
20
, V/K

1
0

-20
-40
-60
-80

(b)
0

50

100

150

200

250

300

T, K
Fig. 5.16. (b) Dependenele forei termoelectromotoare de temperatur () nregistrate n fire
din Bi-0.07%atSn cu diametre diferite: 1. d = 0.2 m, 2. d = 0.3 m, 3. d = 1.5 m.

190

Astfel de dependee analogice n funcie de temperatur au fost nregistrate n probe


masive din Bi1-Sn la concentraii pn la 0.26%at [210]. ns, n probele masive nu a fost
observat schimbarea dubl a semnului forei termoelectromotoare, cu toate c, tendina general
de schimbare a semnului din (-) n (+) la creterea concentraiei de Sn a avut loc.
Dependenele de temperatur (T) pentru firele din Bi-0.07%atSn manifest o dependen
de grosime (Figura 5.16 b) la valori ale diametrelor < 300 nm, ce se reflect n deplasarea
temperaturii la care are loc schimbarea semnului forei termoelectromotoare pe curbele (T)
odat cu micorarea diametrului firelor d n regiunea temperaturilor mai ridicare. O dependen
analogic (T) n funcie de diametrul d a fost nregistrat n fire cuantice din Bi i a fost
explicat din punct de vedere al manifestrii efectelor de cuantificare dimensional i a celui
clasic dimensional [52, 170]. ns, n cazul dat, schimbarea semnului forei termoelectromotoare
n regiunea temperaturilor ridicate este determinat de conductibilitatea golurilor n aliajele
cercetate la temperatura 4.2 K, ce s-a demonstrat cu ajutorul oscilaiilor ShdH n 5.1. Mai mult
ca att, deplasarea temperaturii, la care are loc schimbarea semnului forei termoelectromotoare
pe curbele (T), n regiunea temperaturilor nalte cu creterea concentraiei de Sn n fire, ne
vorbete despre creterea contribuiei golurilor n fora termoelectromotoare. Deoarece, valoarea
negativ a forei termoelectromotoare la temperatura camerei ne demonstreaz contribuia
semnificativ a electronilor L n fora termoelectromotoare, atunci efectul dimensional ce se
manifest n firele din Bi-0.07%atSn este determinat de difuzia suplimentar a electronilor L pe
suprafa, micorarea mobilitii lor i astfel micorarea contribuiei n , ce contribuie la
deplasarea temperaturii la care are loc schimbarea semnului (T).
Cercetrii aliajelor din Bi puternic dopate cu impuriti acceptoare sunt dedicate un ir de
lucrri, rezultatele crora nu sunt n bun concordan unele cu altele n special n domeniul
eficienei impuritilor. Pe de alt parte la cercetarea forei termoelectromotoare, dependena ei
de temperatur exist o oarecare concordan ntr-o serie de lucrri [210, 211-214], n special la
temperaturi joase unde detaliat a fost cercetat efectul de antrenare a fononilor. Efectul de
antrenare a fononilor (maximul) se manifest la temperatura 3-4 K [211, 212] pe dependenele de
temperatur (T). S-a demonstrat c, doparea puternic i micorarea dimensiunilor att n
probele masive [211, 212], ct i n fire din Bi [215] contribuie la suprimarea efectului de
antrenare a fononilor (Figura 5.16).
n firele din Bi-0.07%atSn efectul de antrenare a fononilor se manifest n fire cu
diametrul d = 1.5 m. La temperaturi < 15 cu micorarea temperaturii are loc creterea forei
termoelectromotoare (curba 3 Figura 5.16 b). Micorarea diametrului firelor d, precum i

191

creterea concentraiei de Sn au contribuit la suprimarea efectului de antrenare a fononilor, ca i


n probele masive din Bi aliat.
Faptul c n firele din Bi1-Sn n care, conform datelor prezentate mai sus,
conductibilitatea se realizeaz doar de golurile T i L, nivelul Fermi a golurilor T FT > 100 meV,
fora termoelectromotoare la temperatura 200-300 este negativ, probabil, se datoreaz
faptului c coeficientul de eficacitate al impuritilor se micoreaz cu creterea temperaturii
> 100 K. Acest lucru este demonstrat ntr-o serie de cercetri experimentale, precum i lucrri
teoretice [90], ce iau n considerare existena strilor de impuriti n Bi dopat (capitolul 1). n
lucrarea [216] s-a demonstrat c, coeficientul de eficacitate, care la temperatura 4.2 K este
aproape de 1, se micoreaz cu temperatura, iar pe de alt parte, cum s-a demonstrat n lucrarea
[216], F cu creterea temperaturii se deplaseaz pe scara energiei n sus, ce poate contribui la
faptul c F poate fi amplasat n banda interzis n punctul L, ce contribuie la rndul su la
creterea anizotropiei .
Cel mai interesant este efectul de schimbare tripl a semnului forei termoelectromotoare,
care a fost nregistrat n fire din Bi1-Sn n diapazonul de concentraii 1.6 1.78*1019 cm-3 cu
formarea extremului de polaritate negativ pe curbele (T) n intervalul de temperaturi 80-120 K.
Dar trebuie de menionat c la fenomenele de transport particip doar golurile (uoare n punctul
L i grele n punctul T) i fora termoelectromotoare trebuie s aib valoare pozitiv. Dac prima
schimbare a semnului la temperaturi nalte este o legitate, ce reflect faptul c la dopare are loc
creterea contribuiei golurilor n , atunci schimbarea anomal ulterioar a semnului forei
termoelectromotoare pe () necesit o analiz aparte.
n cazul contribuiei n fora termoelectromotoare a dou grupe de goluri: uoare L i
grele T sau , fora termoelectromotoare total se determin prin expresia:

L L T , T ,
L T ,

(5.3)

unde L, ,, L, , valorile pariale ale forei termoelectromotoare i conductibilitii


electrice specifice a golurilor uoare i grele. Conductibilitatea golurilor grele T sau n
comparaie cu conductibilitatea golurilor uoare L n prim aproximare poate fi neglijat,
deoarece mobilitatea T , L . De aceea, fora termoelectromotoare total pentru aliajele Bi1Sn

este determinat, n principiu, de fora termoelectromotoare parial L, valoarea creia la

temperaturile cercetate este determinat de mecanismul existent de difuzie a purttorilor de


sarcin. Dac difuzia golurilor n aliajele de tipul p este doar interzonal, atunci conform teoriei,
fora termoelectromotoare trebuie s aib valoare pozitiv.

192

Comportamentul forei termoelectromotoare (schimbarea semnului din (+) n (-) dup


care din (-) n (+) cu micorarea temperaturii) permite s facem concluzia c, anomalia forei
termoelectromotoare se manifest datorit unui mecanism suplimentar de difuzie neinterzonal.
Pentru golurile uoare n punctul L, n aliaje cu mai multe benzi actuale a purttorilor de sarcin,
un astfel de mecanism suplimentar de difuzie poate fi mprtierea elastic a purttorilor din
banda L n , ce apare la deplasarea FT la dopare cu Sn. Mrirea n continuare a concentraiei
golurilor de impuriti n firele aliajelor Bi1-Sn contribuie la micorarea anomaliei (curba 4
Figura 5.16 a) i la un grad nalt de dopare fora termoelectromotoare are valoare pozitiv i
anomalia dispare (curba 5 Figura 5.16 a).
n cazul dat, la tranziie electronic topologic Lifshitz Z

1
2

( Z ( Ecrit ) -

parametrul tranziiei) conform teoriei, anomalia forei termoelectromotoare trebuie s fie


negativ, deoarece la existena unui canal suplimentar de mprtiere pentru purttorii de sarcin
fiebini, care sunt golurile n benzile L i T, fora termoelectromotoare trebuie s se micoreze
i chiar s i schimbe semnul (anomalie negativ), ce i se observ n experiment.
Menionm c, o tranziie topologic similar, cu schimbarea semnului forei
termoelectromotoare pe curbele (T), a fost nregistrat n aliaje Bi1-Sb dopate cu impuriti de
Sn [206, 217, 218]. Autorii au explicat acest efect, de asemenea, prin tranziia electronic
topologic indus de impuriti la apariia benzii [206, 217, 218].
5.3. Magnetorezistena longitudinal i transversal i oscilaiile ShdH n fire din Bi dopat
cu impuriti donoare de Te
Cercetri analogice au fost efectuate n fire din Bi puternic dopate cu impuriti donoare
de Te.
Cercetarea efectelor galvanomagnetice i oscilatorii n probe masive din Bi dopate cu
impuriti donoare de Te au demonstrat c introducerea Te n reeaua de Bi contribuie la
e
h
creterea energiei Fermi a electronilor L FL
i micorarea energiei Fermi a golurilor T FT
. La

dizolvarea Te n Bi, n dependen de concentraie, pot fi evideniate dou regiuni. n prima


regiune sunt prezeni electronii n punctul L i golurile n punctul T a zonei Brillouin i
concentraia electronilor N depete concentraia golurilor Nh ( N e N h ). n cea de a doua, la
dopare mult mai puternic cu Te aliajul are o singur band actual a purttorilor de sarcin (la
fenomenele de transport particip doar electronii n punctul L).

193

n lucrarea dat au fost cercetate fire din aliaje electronice Bi1- cu o band actual a
purttorilor de sarcin. n lucrrile [7, 206, 219] s-a demonstrat c la dopare puternic a Bi cu
impuriti donoare de Te n aliaj este actual doar o singur band a purttorilor de sarcin i la
dopare n continuare poate aprea banda de conducie grea n punctul T, care este amplasat la
o distan mare pe scara energiei n sus de la marginea benzii electronilor L i limea benzii
interzise n punctul T a zonei Brillouin trebuie s ating valoarea gT (200 meV 30). Apariia
unei benzi noi de conducie T cu o densitate a strilor nalt trebuie s contribuie la apariia unor
particulariti n fora termoelectromotoare la tranziii electronice topologice Lifshitz [93]. n
literatura de specialitate, exist diferene semnificative la determinarea valorii benzii interzise n
punctul T a zonei Brillouin [206, 219, 220].
Dac n lucrarea [7] au fost cercetate efectele oscilatorii (efectul ShdH) n probele din BiSn i nu a fost estimat deplasarea nivelului Fermi a golurilor n punctul T Th la dopare, ns a
fost cercetat schimbarea forei termoelectromotoare, atunci n lucrarea [221] au fost cercetate
particularitile comportamentului forei termoelectromotoare n probe dopate cu Te, dar nu au
e
fost cercetate efectele oscilatorii din care ar putea fi estimate deplasarea i poziia nivelului FL

i determinate concentraiile la care are loc tranziia electronic topologic.


n lucrarea dat a fost cercetat efectul ShdH n fire monocristaline din Bi puternic dopat
cu Te (pn la limita de solubilitate) i cercetate concomitent rezistena i particularitile forei
termoelectromotoare n funcie de temperatur i concentraie. Concentraia purttorilor i poziia
nivelului Fermi au fost determinate din oscilaiile ShdH n cmpuri magnetice longitudinal i
transversal.
Firele din aliaje Bi-Te n izolaie de sticl au fost obinute prin turnarea din faza lichid
dup metoda Ulitovschi, dup cum s-a menionat detaliat n Capitolul 2. Recristalizarea zonal
orizontal a firelor a fost aplicat pentru omogenizarea probelor. Monocristalinitatea firelor din
Bi-Te a fost determinat prin metoda de difracie a razelor X. Diapazonul diametrelor cercetate
este de 0.5 2 m.
Firele cu toate concentraiile i diametrele obinute sunt monocristaline cu orientare
cristalografic (1011) n lungul axei firului, ca i firele din Bi pur. Mnocristalinitatea i
amplasarea axelor cristalografice principale n firele din Bi1- sunt confirmate prin cercetarea
diagramelor unghiulare de rotaie ale magnetorezistenei transversale i a efectului ShdH [222].
n Figura 5.17 sunt prezentate diagramele de rotaie ale magnetorezistenei transversale n
fire din Bi dopat cu Te la temperatura = 4.2 n cmp magnetic = 1 .

194

(a)

0.7

(RB-RB=0)/RB=0

0.6
0.5
0.4

0.2

3
0.1

4
0

30

60

90

120

150

180

, Degree

(b)

Fig. 5.17. (a) Diagramele de rotaie ale magnetorezistenei transversale (R-RB=0)/RB=0()


nregistrate n fire din Bi-Te n cmp magnetic B = 1 T la temperatura T = 4.2 K: 1. Bi-0.1%atTe,
d = 2 m; 2. Bi-0.2%atTe, d = 3 m; 3. Bi-0.3%atTe, d = 2 m; 4. Bi-0.5%atTe, d = 2 m.
(b) Schema suprafeei Fermi a elipsoidelor electronilor n raport cu axa firului i seciunile
extreme transversale (haurate) n direcia || I || axei firului. [222]

195

Structura diagramelor de rotaie ale magnetorezistenei sunt practic identice cu cele ale
firelor din Bi pur i probelor masive din Bi cu aceeai orientare cristalografic. Conform
diagramelor prezentate n Figura 5.17 unghiul = 90 corespunde poziiei probei cnd cmpul
magnetic I i || axei binare 2, iar unghiurile = 0 i = 180 corespund poziiei probei
cnd cmpul magnetic || axei trigonale 3.
Cu creterea concentraiei de Te, mrimea magnetorezistenei transversale se micoreaz
att n direcia cmpului magnetic || 3, ct i n direcia || 2.
n Figura 5.18 sunt prezentate curbele magnetorezistenei longitudinale reduse R/R0()
( || I) ale firelor din Bi-Te la temperature 4.2 K. n cmpuri magnetice slabe < 3
magnetorezistena crete dup o lege aproape ptratic, iar n cmpuri magnetice puternice
ajunge la saturaie [222]. Astfel, oscilaiile ShdH sunt bine observate att pe curbele
magnetorezistenei R(), ce a permis s determinm perioada oscilaiilor (-1), ct i pe prima
derivat a ei dR/d().
4.0

5
4

3.5

3
6

RB/R0

3.0
2.5

2.0

1.5

7
1.0
0

10

12

14

B, T

Fig. 5.18. Dependenele magnetorezistenei longitudinale reduse RB/R0(B) (B || I) ale firelor din
Bi-Te la temperatura = 4.2 : 1. Bi-0.04%atTe, d = 3 m; 2. Bi-0.08%atTe, d = 2.5 m; 3. Bi0.1%atTe, d = 2 m; 4. Bi-0.2%atTe, d = 3 m; 5. Bi-0.3%atTe, d = 2 m; 6. Bi-0.5%atTe,
d = 2 m; 7. Bi-1.5%atTe, d = 3 m. [222]
La concentraii ale impuritilor de > 0.3%at, curbele R() n cmpuri magnetice
puternice au un caracter liniar (curbele 5, 6, 7 Figura 5.18), respectiv pentru curbele 5, 6
oscilaiile ShdH au fost nregistrate pe derivatele magnetorezistenei dR/d() (Figura 5.19).

196

14

2
12

dR/dB

10
8

6
4
2
0
0

10

12

14

B, T

Fig. 5.19. Dependenele derivatei magnetorezistenei longitudinale dR/d(B) (B || I) nregistrate


n fire din Bi-Te la temperatura = 4.2 : 1. Bi-0.3%atTe, d = 2 m; 2. Bi-0.5%atTe, d = 2 m.
La aceast orientare a cmpului magnetic, n cmpuri magnetice slabe domin frecvena
ce corespunde seciunii extreme aproape de cea minimal a elipsoidului electronilor L1, pe cnd
n cmpuri magnetice puternice dominant devine frecvena oscilaiilor de la elipsoidele L2,3,
care de 2 ori este mai mare dect cea de la seciunea minimal (Figura 5.17 b).
Schimbarea perioadei oscilaiilor ShdH (-1) ale firelor din Bi-Te cu diferit grad de
dopare poate fi urmrit dup schimbarea unghiului de nclinare a dependenelor lineare a
numrului cuantic n al osilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului magnetic invers n(-1)
(Figura 5.20).
O cretere clar a unghiului de nclinare n(-1) att pentru elipsoidul electronilor L1 n
cmpuri magnetice slabe, ct i pentru elipsoidele L2,3 n cmpuri magnetice puternice indic
asupra creterii concentraiei purttorilor L i deplasarea nivelului Fermi pe scara energiei n sus
n fire din Bi dopat cu impuriti donoare de Te.
n Figura 5.21 sunt prezentate dependenele perioadei oscilaiilor ShdH de la seciunea
minimal a elipsoidului L1 (curba 1) i de la seciunile medii a elipsoidelor L2,3 (curba 2) a
suprafeei Fermi n funcie de concentraia de Te n %at.

197

80
70
60

50
40

30

20
10
0
0.1

0.2

0.3

0.4
-1

0.5

B ,T

0.6

0.7

0.8

-1

Fig. 5.20. Dependenele numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului
magnetic invers n(-1) pe curbele magnetorezistenei longitudinale ( || I) nregistrate n fire din
Bi-: 1. Bi-0.04%atTe, d = 3 m; 2. Bi-0.08%atTe, d = 2.5 m; 3. Bi-0.1%atTe, d = 2 m;
4. Bi-0.2%atTe, d = 3 m; 5. Bi-0.3%atTe, d = 2 m; 6. Bi-0.5%atTe, d = 2 m.

2.5

2.0

1.5

-5

1.0

-1

-5

1, 10 Oe

-1

2, 10 Oe

3.0

0.5

-2

0.0
0.0

0.1

0.2

-4
0.3

0.4

0.5

Concentration, %Te

Fig. 5.21. Dependenele perioadei oscilaiilor ShdH 1(-1) ( || I) de la seciunea minimal a


elipsoidului L1 (curba 1) i de la seciunile medii a elipsoidelor L2,3 2(-1) (curba 2) ale
suprafeei Fermi n funcie de concentraia de Te n %at n fire din Bi-Te. Pe inserare: proiecia
suprafeei izoenergetice Fermi n spaiul k pentru fire din Bi-Te cu orientare cristalografic
standard (1011) n planul bazei 12. Cu linii groase sunt ilustrate seciunile extreme ale planului
perpendicular direciei cmpului magnetic n cazul || 1 pentru elipsoidele electronilor L1 i
L2,3. [222]

198

n regiunea concentraiilor 0 0.05%at perioada oscilaiilor ShdH se micoreaz cu


un ordin de mrime, n timp ce n regiunea 0.1 0.5%atTe perioada se micoreaz de 2 ori.
Dependene analogice ale oscilaiilor ShdH pe curbele magnetorezistenei longitudinale n
direciile cmpului magnetic || 2 ( = 90) i || 3 ( = 0) (Figura 5.17) sunt prezentate n
Figurile 5.22 5.27. Astfel, au fost determinate perioadele oscilaiilor ShdH de la seciunile
extreme a elipsoidelor electronilor L a suprafeei Fermi.

RB/R0

5.5
5.0

4.5

4.0

3.5

3.0
2.5
2.0
1.5

1.0
0.5
0

10

12

14

B, T

Fig. 5.22. Dependenele magnetorezistenei transversale reduse RB/R0(B) (B || 2) nregistrate n


fire din Bi-Te la temperatura = 4.2 : 1. Bi-0.1%atTe, d = 2 m; 2. Bi-0.2%atTe, d = 3 m;
3. Bi-0.3%atTe, d = 2 m; 4. Bi-0.5%atTe, d = 2 m; 5. Bi-1.5%atTe, d = 3 m.

199

16

14

dR/dB

12
10
8
6

4
2
0
0

10

12

14

B, T

Fig. 5.23. Dependenele derivatei magnetorezistenei transversale dR/dB(B) (B || 2) nregistrate


n fire din Bi-Te la temperatura = 4.2 : 1. Bi-0.3%atTe, d = 2 m; 2. Bi-0.5%atTe, d = 2 m.
100
80

60
40

3
20

0
0.1

0.2

0.3
-1

B ,T

0.4

0.5

0.6

-1

Fig. 5.24. Dependenele numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea cmpului
magnetic invers n(-1) ( || C2) nregistrate n fire din Bi-: 1. Bi-0.1%atTe, d = 2 m; 2. Bi0.2%atTe, d = 3 m; 3. Bi-0.3%atTe, d = 2 m; 4. Bi-0.5%atTe, d = 2 m. Pe inserare: proiecia
suprafeei izoenergetice Fermi n spaiul k pentru fire din Bi-Te cu orientare cristalografic
standard (1011) n planul bazei 12. Cu linii groase sunt ilustrate seciunile extreme ale planului
perpendicular direciei cmpului magnetic n cazul || 2 pentru elipsoidele electronilor L1 i
L2,3.

200

1
2

RB/R0

4
5

1
0

10

12

14

B, T

Fig. 5.25. Dependenele magnetorezistenei transversale reduse RB/R0(B) (B || 3) nregistrate n


fire din Bi-Te la temperatura = 4.2 : 1. Bi-0.1%atTe, d = 2 m; 2. Bi-0.2%atTe, d = 3 m;
3. Bi-0.3%atTe, d = 2 m; 4. Bi-0.5%atTe, d = 2 m; 5. Bi-1.5%atTe, d = 3 m.
35

30

dR/dB

25
20
15

2
10

3
5
0
0

10

12

14

B, T

Fig. 5.26. Dependenele derivatei magnetorezistenei transversale dR/dB(B) (B || 3) nregistrate


n fire din Bi-Te la temperatura = 4.2 : 1. Bi-0.2%atTe, d = 3 m; 2. Bi-0.3at%Te, d = 2 m;
3. Bi-0.5%atTe, d = 2 m.

201

50
40
30

3
2

20

10
0
0.08

0.10

0.12
-1

B ,T

0.14

0.16

-1

Fig. 5.27. Dependenele numrului cuantic n al oscilaiilor ShdH n funcie de mrimea


cmpului magnetic invers n(-1) ( || C3) nregistrate n fire din Bi-: 1. Bi-0.1%atTe, d = 2 m;
2. Bi-0.2%atTe, d = 3 m; 3. Bi-0.3%atTe, d = 2 m; 4. Bi-0.5%atTe, d = 2 m. Pe inserare:
proiecia suprafeei izoenergetice Fermi n spaiul k pentru fire din Bi-Te cu orientare
cristalografic standard (1011) n planul bazei 12. Cu linii groase sunt ilustrate seciunile
extreme ale planului perpendicular direciei cmpului magnetic n cazul || 3 pentru elipsoidele
electronilor L1 i L2,3.
O particularitate interesant de schimbare a perioadei oscilaiilor ShdH de la seciunile
mic i medii pe curbele magnetorezistenei n cmp magnetic longitudinal este anizotropia
constant a suprafeei Fermi la dopare pn la 0.5%atTe (Figura 5.21). Acest fapt a oferit
posibilitatea s calculm concentraia purttorilor de sarcin (electronii) n aliaje Bi-Te. Se
cunoate c, n fire din Bi pur concentraia purttorilor de sarcin este aceeai ca i n Bi masiv i
la temperatura 4.2 K atinge valoarea pBiL 3.01 1017 cm3 [8]. Utiliznd concentraia electronilor
n Bi, din relaia (5.1) a fost calculat concentraia purttorilor de sarcin electronii pentru fiecare
aliaj Bi-Te cercetat. Concentraia purttorilor n fire cu coninutul Bi-0.5%at atinge valoarea
2.11020 cm-3.

202

5.4. Tranziia topologic indus de impuriti n fire din Bi puternic dopat cu impuriti
donoare de Te
Dependenele de temperatur ale rezistenei R(T) pentru toate firele cercetate din Bi-Te
au un caracter metalic (Figura 5.28).

3
2
1
4

RT/R4.2

3
2

1
0

50

100

150

200

250

300

T, K

Fig. 5.28. Dependenele rezistenei reduse n funcie de temperatur R/R4.2(T) nregistrate n fire
din Bi-Te: 1. Bi-0.04%atTe, d = 3 m; 2. Bi-0.08%atTe, d = 2.5 m; 3. Bi-0.1%atTe, d = 2 m;
4. Bi-0.2%atTe, d = 3 m; 5. Bi-0.5%atTe, d = 2 m; 6. Bi-1.5%atTe, d = 3 m. [222]
La temperaturi joase ( < 15 ) rezistena este practic constant i ncepe s creasc n
mod semnificativ la temperaturi > 15 . Pentru semiconductori cu statistica degenerat a
purttorilor de sarcin, ce nu depind de temperatur, rezistena specific corespunde mprtierii
pe impuriti ionizate i pe defecte [223]. n fire cu concentraia > 0.08%at nu a fost
nregistrat o dependen semnificativ R() de diametrul firului n regiunea 0.5 m < d < 3 m.
Concomitent cu oscilaiile ShdH a fost cercetat i fora termoelectromotoare n fire din
Bi1-. Dependenele de temperatur ale forei termoelectromotoare () au fost msurate n
aceleai probe din Bi1- ca i rezistena R() i oscilaiile ShdH. n Figura 5.29 sunt prezentate
curbele () ale firelor din Bi1- cu concentraii i poziii ale potenialului chimic ce difer
semnificativ.

203

10

5
0

-1

-10

-2

-3

-30
-40

-50

-4

V/K

V/K

-20

-5
-6

-60

-70
0

50

100

150

200

250

-7
-8
300

T, K

Fig. 5.29. Dependenele forei termoelectromotoare n funcie de temperatur (T) nregistrate n


fire din Bi-Te: 1. Bi-0.04%atTe, d = 3 m; 2. Bi-0.08%atTe, d = 2.5 m; 3. Bi-0.1%atTe,
d = 2 m; 4. Bi-0.2%atTe, d = 3 m; 5. Bi-0.3%atTe, d = 1.5 m; 6. Bi-0.5%atTe, d = 2 m;
7. Bi-1.5%atTe, d = 3 m. [222]
La temperaturi joase (T < 5 K) valoarea forei termoelectromotoare este determinat de
contribuia antrenrii fononilor, ce s-a determinat anterior n probe masive din Bi i fire din Bi
pur i aliajele lui cu Sn i Te [171, 215]. La temperaturi nalte, cu creterea concentraiei de Te,
fora termoelectromotoare se micoreaz pn la schimbarea semnului din negativ n pozitiv. n
fire cu concentraia Bi-0.3%at fora termoelectromotoare devine pozitiv, iar n aliaje Bi0.5%at fora termoelectromotoare din nou ia valori negative. n fire cu concentraia Te 1.4
1.5%at fora termoelectromotoare este negativ pe ntregul interval de temperaturi. Mai clar
anomalia forei termoelectromotoare n fire din Bi-Te poate fi vzut pe dependenele forei
termoelectromotoare de concentraie la temperatura 200 K (Figura 5.30) [222].
Din Figura 5.30 se vede c, fora termoelectromotoare atinge valoare pozitiv n fire cu
concentraia 11020 cm-3, dup care urmeaz ieirea din anomalie. Particularitile nregistrate
pe curbele forei termoelectromotoare n regiunea concentraiilor nalte de Te demonstreaz
faptul c n aliajele Bi-Te se realizeaz tranziia de faz Lifschitz de ordinul 2 indus de
impuriti [93].

204

10

-10

-10

-20

-20

V/K

V/K

10

-30

-30
-40

-40
-50

-50
(a)

-60
0.0

0.4

0.8

1.2

(b)

-60

1.6

10
19

12
-3

Concentration Te, 10 cm

Concentration, %Te

Fig. 5.30. Dependenele forei termoelectromotoare de concentraie la temperatura 200 K unde


concentraia Te este exprimat n %at (a) i concentraia electronilor de Te calculat din datele
experimentale a oscilaiilor ShdH conform expresiei (5.1). [222]
La dopare cu Te nivelul Fermi se ridic pe scara de energie n sus n banda de conducie
i la o oarecare valoare critic Ecrit . atinge fundul benzii de conducie n punctul T, care
conform [7] se afl la o distan de 200 meV mai sus de limita superioar a benzii de valen n
punctul T. Se cunoate c, coeficienii cinetici n regiunea tranziiei electronice topologice
posed o caracteristic de radical Z

, unde Z Ecrit . parametrul tranziiei. Fora

termoelectromotoare posed particularitatea Z

n lucrarea [97] a fost abordat ntrebarea cu privire la comportamentul forei


termoelectromotoare la tranziii electronice topologice. ( Z )

, adic semnul anomaliei

forei termoelectromotoare difer pentru electroni i goluri i depinde de caracterul schimbrii


suprafeei Fermi. n teoria Lifschitz, pentru a observa anomalia forei termoelectromotoare, este
necesar ca sistemul de electroni s fie n stare degenerat, iar pentru purttorii mai sus i mai jos
de nivelul Fermi s existe un canal selectiv de mprtiere. Conform lucrrilor [98, 224]
mprtierea selectiv are loc n spaiile noi ale suprafeei Fermi ce apar la o oarecare valoare
critic. n cazul dat acest rol l joac banda de conducie n punctul T, care apare la dopare
puternic cu Te. Anomalia forei termoelectromotoare n cazul dat este negativ, deoarece
corespunde mprtierii prefereniale a purttorilor fierbini (electronii) amplasai peste nivelul
Fermi, ce contribuie la micorarea forei termoelectromotoare i chiar la schimbarea semnului
din (-) n (+), cu toate c purttorii de sarcin golurile n aliajele Bi-Te cercetate lipsesc.

205

nlturarea parial a degenerrii la temperaura camerei contribuie la micorarea


anomaliei. Selectivitatea mprtierii se nltur, de asemenea, la deplasarea nivelului Fermi mai
sus de fundul benzii de conducie format n punctul T (coninutul Bi-1.5%at), ce corespunde
ieirii din anomalie n regiunea concentraiilor nalte.
Din datele experimentale a fost determinat poziia energetic a fundului benzii de
conducie a golurilor n punctul T fa de fundul benzii de conducie n punctul L a zonei
Brillouin, utiliznd dependenele teoretice ale concentraiilor de electroni pL n banda de
conducie n funcie de energia Fermi FL a electronilor L n bismut (modelul McClure) cu
parametrii indicai n lucrarea lui Ponomarev Ia.G. [78]; a fost obinut valoarea FL =
22020meV. Presupunnd c benzile sunt rigide, limea benzii energetice ntre fundul benzii de
conducie i limita superioar a benzii de valen n punctul T va constitui 18020 meV.
Astfel de msurri directe ale gT elimin ambiguitatea (100 < gT < 740 meV) n
amplasarea energetic a benzii de conducie n punctul T, care exist n literatur [8] i confirm
datele experimentale din lucrarea [7] realizate pe baza aliajului Bi-Sn i datele cu privire la
msurtorile galvanomagnetice n aliajele Bi-Te [101, 225].
Discrepana principal la determinarea gT este legat de tergerea anomaliei forei
termoelectromotoare la tranziii electronice topologice, care a fost nregistrat la temperaturi
nalte i putea atinge valoarea 20 meV.
Comparnd tranziia electronic topologic ce are loc n aliajele -Bi1-Sn i n-Bi1-
putem observa o asemnare a anomaliilor nregistrate experimental pe dependenele de
temperatur i concentraie ale forei termoelectromotoare. La tranziii electronice topologice n
aceste aliaje la dopare puternic fora termoelectromotoare i schimb semnul n opus n aliajul
n-Bi din (-) n (+), iar n aliajul -BiSn din (+) n (-). Pentru a observa direct banda de
conducie n punctul T (oscilaiile ShdH), probabil, sunt necesare cmpuri magnetice mult mai
puternice pentru a cerceta aliajele cu concentraia Bi-0.5%at, precum i o concentraie mai
mare de Te, deoarece impuritile suprim parial amplitudinea oscilaiilor ShdH i oscilaiile
ShdH pot aprea pe curbele R(B) n apropierea limitei cuantice, care n cazul firelor cu coninutul
Bi-0.5% constituie 35 T.

5.5. Concluzii la capitolul 5


Cercetarea experimental complex a oscilaiilor ShdH n direciile cristalografice
principale n cmpuri magnetice pn la 14 T la temperaturi 4.2 K i 2.1 K a unui set de fire din
206

Bi dopat cu impuriti acceptoare (Sn) i donoare (Te) a permis s determinm parametrii


principali a suprafeei Fermi a golurilor n punctul T i electronilor i golurilor n punctul L a
zonei Brillouin i anume: frecvena oscilaiilor ShdH, masele ciclotronice a purttorilor de
sarcin n punctele L i T, concentraia golurilor uoare i a electronilor n punctul L, precum i a
golurilor grele n punctul T la dopare, schimbarea energiei Fermi a golurilor n punctul T.
S-a demonstrat c coeficientul de eficacitate se micoreaz cu creterea impuritilor de
Sn.
Cercetarea forei termoelectromotoare de difuzie n fire din Bi cu diferit grad de dopare
cu mpuriti acceptoare (Sn) i donoare (Te) ntr-un interval extins de concentraii i temperaturi
(4.2 300 K) a permis s identificm i s cercetm tranziiile electronice topologice induse prin
apariia unor benzi noi la dopare. Particularitile ce apar pe dependenele de concentraie i
temperatur

ale

forei

termoelectromotoare

de

difuzie

(schimbarea

semnului

forei

termoelectromotoare) sunt determinate de existena unui mecanism interzonal de mprtiere a


electronilor L n banda T a electronilor grei n fire din Bi-Te i a golurilor L n banda a
golurilor grele n fire din Bi-Sn cu o densitate nalt a strilor.

207

CONCLUZII GENERALE I RECOMANDRI

1. A fost elaborat tehnologia de obinere a firelor monocristaline din Bi pur i dopat n izolaie
de sticl cu diferite diametre cu orientare cristalografic trigonal n lungul axei firului prin
metoda de recristalizare zonal cu agent de cristalizare.
2. A fost gsit dependena anizotropiei forei termoelectromotoare n funcie de temperatur i
diametrul firelor din Bi. Creterea semnificativ a anizotropiei forei termoelectromotoare cu
scderea temperaturii n fire din Bi cu d < 500 nm prezint un factor important pentru utilizarea
lor n convertoare termoelectrice anizotrope de energie la temperaturi joase.
3. n premier a fost nregistrat efectul magetorezistenei negative n cmp magnetic transversal
( I) n fire cuantice din Bi cu d < 80 nm la temperatura 4.2 K, ce demonstreaz manifestarea
efectului de cuantificare dimensional conform modelului teoretic, n care se ia n considerare
natura cuantic a spectrului energetic al electronilor n Bi i diverse mecanisme de difuzie a
purttorilor de sarcin.
4. O cretere gigant a magnetorezistenei n cmp magnetic transversal a fost nregistrat n fire
din Bi pur (d > 1 m) n direcia || axei bisectoare (I || 3) la temperatura = 4.2 , ce
depete semnificativ valorile obinute n pelicule i fire din Bi cu orientare cristalografic
standard (1011) de calitate nalt, ce poate fi utilizat n elemente magnetorezistive a senzorilor de
cmp magnetic.
5. S-a constat c, tranziia electronic topologic indus prin deformare n fire din Bi-0.05%atSn
n lungul axei trigonale, n care suprafaa Fermi a golurilor n puntul L se micoreaz pn la un
punct i dispare, este urmat de o cretere semnificativ (de 2 ori) a forei termoelectromotoare i
micorarea rezistenei n regiunea temperaturilor 250 300 K, ce contribuie la creterea de trei
ori a coeficientului de eficien termoelectric.
6. Cercetarea complex a oscilaiilor ShdH n toate direciile cristalografice principale n fire din
Bi pur i dopat puternic cu Sn i Te a permis s calculm parametrii principali a suprafeei Fermi
a golurilor n punctele L i T a zonei Brillouin i a electronilor n L, s determinm concentraia
i energia Fermi a electronilor i golurilor n benzi la diferit grad de dopare. S-a constatat c n
firele din Bi-Sn coeficientul de eficacitate a Sn Sn se micoreaz cu creterea concentraiei de
Sn.
7. Au fost nregistrate tranziiile electronice topologice Lifshitz induse prin doparea firelor din Bi
cu impuriti acceptoare i donoare, ce se manifest n comportamentul anomal al dependenelor

208

de temperatur i concentraie ale forei termoelectromotoare de difuzie, fapt ce a permis s


estimm poziia energetic a benzilor grele T i .
8. Determinarea anizotropiei forei termoelectromotoare n fire din Bi-0.05%atSn n regiunea
temperaturilor 250 300 K, ce depete de dou ori valoarea n Bi pur, a permis s
propunem i s utilizm firele cercetate n nveli de sticl pentru elaborarea primului prototip al
generatorului termoelectric anizotrop.

209

BIBLIOGRAFIA
1. Jong Wook Roh, Kedar Hippalgaonkar, Jin Hee Ham, Renkun Chen, Ming Zhi Li, Peter
Ercius, Arun Majumdar, Woochul Kim, and Wooyoung Lee. Observation of anisotropy in
thermal conductivity of individual single-crystalline bismuth nanowires. ACS Nano, 2011,
vol. 5, nr. 5, p. 39543960.
2. .. . , 1968, . 94, 3-41.
3. .. . .: , 1955. 332 .
4. - . . .: , 1955. 332 .
5. .., .. P, As, Sb Bi. . . 1971,
7(7), . 868-869.
6. .., .., .. Bi-SbAs. . . 1971, 7(7), . 1157-1159.
7. .., ., ..
, . 1976, . 71, . 6(12), .
2268-2277.
8. .. . , 1977, . 123, . 2, . 257-287.
9. .. . , 1973, . 64, .
5, . 1734-1745.
10. .., ..
. , 1965, . 49, . 1(7), . 107-116.
11. ..
. , 1962, . 43, . 2309.
12. ..
. . , , 1973, . 6, . 6, . 97-170.
13. .., ..
. , 1968, . 96, . 1, . 61-86.
14. ..

, 1967, . 52, . 158-166.


15. .., .., A.M.
. , 1970, . 12, . 2277.
16. Cornelius T.W., Toimil-Molares M.E., Karim S., and Neumann R. Oscillations of electrical
conductivity in single bismuth nanowires. Phys. Rev. B, 2008, v. 77(12), p. 125425-125430.

210

17. .., .., ..


Bi. , 1966, . 3, . 114 - 118.
18. .., .., ..
. ,
1966, . 4, . 267-270.
19. ..
. , 1965, . 2, . 391-395.
20. .., .., .. -
-. , 1982, . 8, . 5, . 513 - 517.
21. .., ..
. , 1965, . 7, . 432.
22. Hicks L. D., Dresselhaus M. S. Effect of quantum-well structures on the thermoelectric
figure of merit. Phys. Rev. . 1993, v. 47, p. 12727-12731.
23. Hicks L. D., Harman T. C., Dresselhaus M. S. Use of quantum-well superlattices
to obtain a high figure of merit from nonconventional thermoelectric materials. Appl. Phys.
Lett. 1993, v. 63, p. 3230.
24. Hicks L. D., Harman . ., Sun X., Dresselhaus . S. Experimental study of the effect of
quantum-well structures on the thermoelectric figure of merit. Phys. Rev. . 1996, v. 53, n.
16, p. R10493 -R10496.
25. Lin Y.-M., Sun X., Dresselhaus M. S. Theoretical investigation of thermoelectric transport
properties of cylindrical Bi nanowires. Phys. Rev. . 2000-I, v. 62, p. 4610 -4623.
26. Lin

Y.-M.,

Dresselhaus

M.

S.

Thermoelectric

properties

of

superlattice

nanowires. Phys. Rev. . 2003, v. 68, p. 075304.


27. Khitun, A., Balandin, A., Liu, J., Wang, K. In-plane lattice thermal conductivity of a
quantum-dot superlattice. J. Appl. Phys. 2000, v. 88, n. 2, p. 696699.
28. Harman T. C., Spears D. L., Manfra M. J. High thermoelectric figures-ofmerit in PbTe quantum wells. J. Electron. Mater. 1996, v. 25, p. 1121-1127.
29. Sun X., Zhang Z., Dresselhaus M. S. Theoretical modeling of thermoelectricity in Bi
nanowires Appl. Phys. Lett. 1999, v. 74, p. 4005-4007.
30. - .., ..
. . 2002, . 36, . 8,
. 974. [Pshenai-Severin D. A., Ravich Yu. I. Semicond. 36, 908 (2002)].
31. - .., ..

211

. 2004, . 38, c. 1251 [Pshenai-Severin D. A., Ravich Yu. I.


Semicond. 38 1212 (2004)]
32. Mingo N. Thermoelectric figure of merit and maximum power factor in IIIV semiconductor
nanowires. Appl. Phys. Lett. 2004, v. 84, p. 2652.
33. Mingo N. Erratum: Thermoelectric figure of merit and maximum power factor in IIIV
semiconductor nanowires. Appl. Phys. Lett. 2006, v. 88, p. 149902.
34. Walkauskas, S.G., Broido,D.A., Kempa, K., and Reinecke, T.L., Latticethermal
conductivityof wires. J. Appl. Phys. 1999, v. 85, p. 2579.
35. Broido D.A., Mingo N. Theory of the thermoelectric power factor in nanowire-composite
matrix structures. Phys. Rev. 2006, v. 74, p. 195325.
36. Mingo N., Broido D.A. Thermoelectric power factor of nanoporous semiconductors. J. Appl.
Phys. 2007, v. 101, p. 014322.
37. Huber C.A., Huber T.E., Sadoqi M., Lubin J.A., Manalis S., Prater C.B. Nanowire array
composites. Science 1994, v. 263, p. 800-802.
38. Heremans J., Thrush C.M., Sun X., Dresselhaus M.S., Ying J.Y., Morelli D.T.
Magnetoresistance of bismuth nanowire arrays: A possible transition from one-dimensional
to three-dimensional localization. Phys. Rev. B: Cond. Matter. Mater. Phys. 1998, v. 58, n.
16, p. R10091-10095.
39. Liu K., Chien C.L., Searson P.C., Kui Y.Z. Structural and magneto-transport properties of
electrodeposited bismuth nanowires. Appl. Phys. Lett. 1998, v. 73, p. 1436.
40. Heremans J., and Trush. Thermoelectric power of bismuth nanowires. Phys Rev. B. 1999, v.
59, p.12579-12583.
41. Boukai Akram, Xu Ke, Heath James R.. Size-Dependent Transport and Thermoelectric
Properties of Individual Polycrystalline Bismuth Nanowires. Adv.Mater. 2006, v.18, p.864869.
42. Choi D. S., Balandin A. A., Leung M. S., Stupian G. W., Presser N., Chung S. W., Heath J.
R., Khitun A. and Wang K. L. Transport study of a single bismuth nanowire fabricated by the
silver and silicon nanowire shadow masks. Appl. Phys. Lett. 2006, v. 89, p. 141503.
43. Lee S., Ham J., Jeon K., Noh J.S., Lee W. Direct observation of the semimetalsemiconductor transition of individual single-crystal bismuth nanowires grown by on-film
formation of nanowires. Nanotechnology, 2010, v. 21, p. 405701.
44. Shim W., Ham J., Kim J., Lee W. Shubnikov de Haas oscillations in an individual singlecrystalline bismuth nanowires grown by on-film formation of nanowires. Appl. Phys. Lett.
2009, v. 95, p. 232107-232107-3.

212

45. Shim W, Ham J, Lee KI, Jeung WY, Johnson M, Lee W. On-film formation of Bi nanowires
with extraordinary electron mobility. Nano Lett. 2009, v. 9, n. 1, p. 18-22.
46. Oded Rabin, Yu-Ming Lin, M. Dresselhaus. Anomalously high thermoelectric figure of merit
in Bi1xSbx nanowires by carrier pocket alignment. Appl. Phys. Lett. 2001, v. 79, p. 81.
47. Jnawali G., Hattab H., Bobisch C.A., Bernhart A., Zubkov E., Mller R., Horn-von Hoegen
M. Homoepitaxial growth of Bi(111). Phys. Rev. B, 2008, v. 78, p. 035321.
48. Huber T.E., Celestine K., Graf M. Magnetoquantum oscillations and confinement effects in
arryas of 270 nm diameter bismuth nanowires. Phys. Rev. B, 2003, v. 67, p. 245317.
49. Xu Y., Ren Z., Ren W., Cao G., Deng K., and Zhong Y. Magnetic-field-assisted
solvothermal growth of single-crystalline bismuth nanowires. Nanotechnology. 2008, v. 19,
p. 115602.
50. Heremans J.P. Low-dimensional thermoelectricity. Acta Phys. Pol. A 2005, v. 108, p. 609634.
51. Moore A.L., Pettes M.T., Zhou F., Shi L. Thermal conductivity suppresion in bismuth
nanowires. J. Appl. Phys. 2009, v. 106, p. 034310-034210-7.
52. Gitsu D., Konopko L., Nikolaeva A., Huber T. Pressure-dependent thermopower of
individual Bi nanowires. Appl. Phys. Lett. 2005, v. 86, p. 10210.
53. Nikolaeva A., Huber T.E., Gitsu D., and Konopko L. Diameter dependent thermopower of
bismuth nanowires. Phys. Rev. B 2008, v. 77, p. 035422.
54. Huber, T. E.; Adeyeye, A.; Nikolaeva, A.; Konopko, L.; Johnson, R. C.; Graf, M. J. Surface
state band mobility and thermopower in semiconducting bismuth nanowires. Physical
Review B. 2011, v. 83, n. 23, p. 235414-1-5.
55. Huber, T.E.; Owusu, K.; Johnson, S.; Nikolaeva, A.; Konopko, L.; Johnson, R. C.; Graf,
M.J. Thermoelectric prospects of nanomaterials with spin-orbit surface bands. J. Appl. Phys.
2012, v. 111, n. 4, p. 043709.
56. Konopko, L.A.; Huber, T.E.; Nikolaeva, A.A.; Burceacov, L.A. Quantum interference of
surface states in bismuth nanowires in transverse magnetic fields. J. Low Temp. Phys. 2013,
v. 171, n. 5-6, p. 677684.
57. Konopko L., Huber T., Nikolaeva A. Quantum Interference and Surface States Effects in
Bismuth Nanowires. J. Low Temp. Phys. 2010, v. 158, p. 523529.
58. .., .., .., ..
. : . 1983, 266 .

213

59. .. , : . . .-. . .: ,
1973.438 .
60. .., .. Bi
, . , 1967, . 52, . 3, . 686-698.
61. .., .. BiSn, BiPb, BiSb, BiSbSn
. , 1968, . 5, . 10, . 1215-1237.
62. Kunze H. On the mobility of electrons in bismuth doped with tellurium. Phys. Lett. 1966, v.
20, n. 5, p. 469-470.
63. Bate R.T., Einspruch N.G., May P.J. Galvanomagnetic studies of Sn-doped Bi. II. Negative
Fermy energies. Phys. Rev. 1969, v. 186, n. 3, p. 599-608.
64. .., ..
Bi. , 1973, . 15, . 11, . 3412-3413.
65. Noothoven van Goor J.M. Donors and acceptors in bismuth. Philips Resp. Repts. Suppl.
1971, v. 4, p. 91-93.
66. Noothoven van Goor J.M., Trum H.M.G.J. Distribution coefficient and acceptor valency of
tin in bismuth. J. Phys. Chem. Sol. 1969, v. 30, n. 6, p. 1636-1638.
67. Cucka P., Berrett C.S. The crystal structure of Bi and of solid solution of Pb, Sn, Sb and Te
in Bi. Acta Cryst. 1962, v. 15, n. 9, p. 865-872.
68. Noothoven van Goor J.M., Trum H.M.G.J. Distribution coefficient and acceptor valency of
telluriun in bismuth. J. Phys. Chem. Sol. 1968, v. 29, n. 2, p. 341-345.
69. .., .., .. Bi.
. . .-. . . 1968, . 3, . 19-22.
70. .., .., .., .
. .: , 1980. 248 .
71. .., .., ..
. , 1962, . 4, . 1, . 22-28.
72. .., ..
. , 1966, . 8, . 8, . 2460-2461.
73. Bodiul P.P., Fedorko A.S., Gitsu D.V. Thermo- and magnetothermoemf in Bi-Sn alloys.
Phys. Stat. Sol. 1970, v. IA(2), p. K77-K80.
74. .. ..
, 1960, .39, .2(8), .276-284.

214

75. Hermans J., Hansen O.P. Temperature dependence of excess carrier density and
thermopower in tin-doped bismuth. Pseudo-parabolic model. J. Phys. C: Solid State Phys.
1983, v.16, n. 23, p. 4623-4636.
76. .., .., .., .., ..
Bi1-Sb n. . 1978, . 20, . 7, . 1937-1946.
77. .., .., ..
Bi1-Sb. . 1980, . 78, . 5, . 1830-1851.
78.

..

. . . .-.. , 1983. 605 .


79. Ancliffe G.A., Bate R.T. Band structure of doped bismuth using the Shubnikov-de Haas
Effect. Phys. Rev. 1967, v. 160, n. 3, p. 531-537.
80. Giura M., Marcon R., Marietti P., Presutti E. Hole g-factor in Sn-doped bismuth. Phys. St.
Sol. 1972, v. 54, p. 777-781.
81. .., .. ,
, . , 1982.-
5576-82 . 20 .
82. . ., .., .., ..
,
. , 1982.- 5577-82 . 20 .
83. Misu A., Chien T.C., Dresselhaus M.S., Heremans J. Magnetoreflection studies of tin-doped
bismuth. Phys. Rev. B. 1982, 25(10), 6155-6167.
84. . . .
.-. . , 1978. 186 .
85. Mc.Clure J.W., Choi K.H. Energy band model and properties of electron in bismuth. Sol.
State Comm. 1977, v. 21, n. 11, p. 1015-1018.
86. .. .
, 1975, . 68, . 1529-1538.
87. .., ..
. , 1962, . 43, . 3(9), . 1089-1101.
88. .. . , 1973, . 65, . 5(11),
. 2063-2074.
89. .., .., .. -
. , 1973, 67, 54-63.

215

90. ..
. . . , 1985. 18 .
91. Bodiul P.P., Garabazhiu V.F. The impurity states in bismuth. Phys. Stat. Sol (b), 1987, v.
139, p. 245-256.
92. ..
. . . .-.
. , 1987. 335 .
93. ..
. , 1960, . 38, . 5, . 1569-1576.
94. .., .. . , 1979, .
129, . 487.
95. .., .., .. . :
, 1971. 415 .
96. .., .
. , 1966, . 21, . 6, . 817-823.
97. .., .., ..
2 . , 1981, . 80, . 4, . 16131621.
98. .., ..
. , 1986, . 28, . 7, . 2140-2144.
99. .., .. . : , 1979. 527 .
100.

..

V . . .
.-. . , . 1989 .
101.

.., .., .., ..

. , 1986 ., . 43, . 1, . 41-43.


102.

.. . : , 1969. 158 .

103.

.., .., - .. 2

Bi . , 1979, . 77, . 5, . 2125-2141.


104.

.., .., ..

2 . , 1984, . 39, . 11, . 522-524.


105.

Overash D.R., Tpacy Davis, Cook I.W., Skove M. Stress induced electron transition (2

order) in Al. Phys. Rev. Let. V. 1981, v. 46, n. 4, p. 287-290.

216

106.

Bi. . . .-. . ,
2012. 197 .
107.

Nikolaeva A.A., Gitsu D.V., Huber T.E., Konopko L. A., Bodiul P.P., Para Gh.

Thermoelectric properties of quantum Bi wire doped with Sn at electron topological


transitions induced by stretch and doping. Reviews on Advanced Materials Science, 2004, v.
8, nr. 1, p. 34-40.
108.

Nikolaeva, D. Gitsu, T.E. Huber, L. Konopko and Gh.Para. Giant quantum oscillation of

the longitudinal magnetoresistance at electron topological transition induced by stretch of


quantum wires bismuth doped with Te. Phys. St. Sol. (c) , 2004, v. 1, nr. 11, p. 2654-2657.
109.

Nikolaeva A.A., Konopko L.A., Gitsu D.V., Huber T.E., Para G.I., Tsurkan A. Effect of

magnetic field, elastic stretch and dimensions on thermoelectric properties of bismuth


nanowires. J. Thermoelectricity, 2008, nr.2, p.21-36.
110.

.., ..

2 . , 1982, . 83, . 6, . 2296-2300.


111.

..,

..

. , 1953, . 49,
. 2, . 243-272.
112.

.., .. . .: , 1982. 624

.
113.

.., .., .., .., ..,

.. -. , 1973, . 7, . 4, . 725-734.
114.

.. .: . .: , 1980, . 304.

115.

UK Patent No.1088764. Anisotropic thermoelement. Samoilovich A.G., Korenblit. From

25.10.1964.
116.

SU B 1520. . ..,

.., .. 5.10.1966.
117.

Lukosz W., Natursch Z. A, 19, 1599 (1964).

118.

.., .. . ,

1995, . 29, . 5/6, . 1040-1050.


119.

SU SU 245859.

. .., .., .., .., ..


1968 .

217

120.

B.M., .. -

. :
. . IV -. . .: . .. , 1995. . 66-68.
121.

..,

..,

..

i23. .: , 1972. 321 .


122.

.. . : i, 1967.

123.

.., .., ., .. . .

. ., 1989, . 25, . 1614.


124.

.., .., .., . .

, , 1991, . 57, . 597.


125.

.., .. . , , 1965, . 1,

. 1320.
126.

.., .. .

ZnCd1-Sb. , , 1968, . 4, . 8, . 1356-1358.


127.

.. . .

: , 1979. 385 .
128.

.., .., .. . .

, 1997, . 31, . 11, . 12811298.


129.

.., .., .. , 1993, . 8, . 825.

130.

.., .., .., ..

AMBV. M.: , 1978. 256 .


131.

.., A.M., .., .. . ., 1992, .

28, . 9, . 1813-1828.
132.

Samoilovich A. G., Nitsovich M. V., Nitsovich V. M. On the theory of anisotropic

thermoelectric power in semiconductros. Phys. Stat. Sol. (b), 1966, v. 16, n. 2, p. 459-465.
133.

.. , .. .

Zn0,1Cd0,9Sb. , 1968, . 2, . 1, . 64-67.


134.

.., .., .., .. .

. : , 1973. 320 .
135.

161325 , G 01 29/00.

. . ., H. M..
01.04.48., 19.03.64., . 7, .14.

218

136.

Brevet de invenie: MD 3579 B1. Procedeu de obinere a microfirelor semimetalice de

bismut n izolaie de sticl de molibden. Bodiul P., Ghiu D., Nicolaeva A., urcan A., Popov
I. Data publicrii hotrrii de acordare a brevetului 2008.04.30.
137.

Brandt N.B., Gitsu D.V., Nikolaeva A.A. and Ponomarev Ya.G. Investigation of size

effects in thin cylindrical bismuth single crystals in a magnetic field. Zh. Exp. Teor. Fiz.,
1977, v. 72, p.2332 [(Sov. Phys. JETP, 45 (6), 1977)].
138.

.., .. . , 1975,

. 9, . 594.
139.

.., .., .., ..

- Bi. , 1969, . 57, . 6, .


1867-1876.
140.

Xu Y., Ren Z., Ren W., Cao G., Deng K., and Zhong Y. Magnetic-field-assisted

solvothermal growth of single-crystalline bismuth nanowires. Nanotechnology, 2008, v. 19,


p. 115602.
141.

Haro-Poniatowski E., Serna R., Suarez-Garca A. and Afonso C. Thermally driven optical

switching in Bi nanostructures. Nanotechnology, 2005, v. 16, p. 3142.


142.

Olson E., Efremov M., Zhang M., Zhang Z., and Allen L. Size-dependent melting of Bi

nanoparticles. J. Appl. Phys. 2005, v. 97, p. 034304.


143.

Haro-Poniatowski E., Serna R., Jimenez de Castro M., Suarez-Garca A., Afonso C., and

Vickridge I. Size-dependent thermo-optical properties of embedded Bi nanostructures.


Nanotechnology 2008, v. 19, p. 485708.
144.

Brevet de invenie MD 575. Nikolaeva A., Bodiul P., Konopko L., urcan A., Stici I.

Procedeu de recristalizare a firului de bismut n izolaie de sticl. Data publicrii hotrrii de


acordare a brevetului 2012.12.31.
145.

Pfann V.D. Zonnaya plavka. Gos. Nauch.- Tech. Izd. Lit. Po Chernoi i Tsvetnoi

Metalurgii. Moscow, 1963.


146.

Wernick I.H., Benson K.E., Dorsi D. Trans. Amer. Instit. Min. (metal) Engrs., 1957, v.

309, p. 996.
147.

.., .., ..

. , 1982, 50 .
148.

.., ..

. .: . , 1968. . 63-67.

219

149.

.., ..

. I. . , 1960, . 2, . 7, c.14571463.
150.

.. . , 1947, . 17, .713-

723.
151.

Griffith A.A. Phil. Trans. Roy. Soc. 1921, v. A291, p. 163.

152.

.., .. , 1958, . 121, . 260.

153.

Mangez J.H., Issi J.-P. and Heremans J. Transport properties of bismuth in quantizing

magnetic fields. Phys. Rev. B, 1976, v. 14, n. 10, p. 4381-4385.


154.

Yang F.Y., Kai Liu, Chien C.L. and Searson P.C. Very large magnetoresistance finite-

size effects in electrodeposite single-crystal Bi thin films. Phys. Rev. Lett., 1999, v. 82, n. 16,
p. 3328-3331.
155.

Lerner L.S. Shubnikov de Haas effect in bismuth. Phys. Rev., 1962, v. 127, n. 5, p. 1480-

1492.
156.

Tanuma S., Inado R. Anomalous phonon scattering responsible for the electron relaxation

time in the longitudinal magnetoresistance in bismuth. Technical Report of ISSP, 1974, v.


658, p. 1-16.
157.

..,

..

. .: , 1983. 405 .
158.

Brown R.N. Shubnikov-de Haas measurements in bismuth. Phys. Rev. B, 1970, v. 2, n. 4,

p. 928-938.
159.

Yang F. Y., Kai Liu, Kimin Hong, Reich D. H., Searson P. C., Chien C. L., Leprince-

Wang Y., Kui Yu-Zhang, Ke Han. Shubnikov-de Haas oscillations in electro-deposited


single-crystal bismuth films. Phys. Rev. B, 2000, v. 61, n. 10, p. 6631-6636.
160.

.., .. .

III. . , 1965, . 87, . 389-469.


161.

..

. .:
. , 1980. . 98-104.
162.

..

. .:
. , 1983. . 54-68.

220

163.

..

.
.-. . , 1979.
164.

Alers P.B. and Webber R.T. The Magnetoresistance of bismuth crystals at low

temperatures. Phys. Rev. B, 1953, v. 91, p. 1060-1065.


165.

Condrea E., Grozav A.D., Leporda N.I., Muntyanu F.M. Large magnetoresistance effect

in thin bismuth wires. Physica B: Physics of Condensed Matter, 2001, v. 294-295, p. 328331.
166.

. IV, V VI

. .-.
. , 1968. 201 .
167.

Kai Liu, Chien C. L., Searson P. C., and Kui Yu-Zhang. Giant positive magnetoresistance

in arrays of semi-metallic bismuth nanowires. IEEE Transactions on Magnetics, 1998, v. 34,


p. 1093-1095.
168.

B.H., - .. Bi

. , 1973, . 651, . 2(8), . 720-734.


169.

Ogrin Yu. F., Lutskii V. N., Elinson M. I. JETP Lett. 1966, v. 3, n. 3, p. 71.

170.

Sinyavskii E.P., Konopko L.A., Nikolaeva A.A., Solovenko V.G., Huber T.E. Research

of thermopower in quantum wires. J. of Thermoelectricity 2007, n. 3, p. 52.


171.

.., .. . , 1976,

. 6, 7, . 745-748.
172.

Tsurkan A. Resistance and thermopower in Bi wires with trigonal orientation. Mold. J.

Phys. Sci. 2013, v. 12, n. 1-2, p. 57-62.


173.

.., .., ..

Bi . , 1976, . 18, 7, . 1829-1823.


174.

Bate R.T., Einspruch N.G. Evidence for band deformation in uniaxially stressed bismuth.

Phys. Lett. 1965, v. 16, n. 1, p. 11.


175.

.., ..

. , 1959, . 37, 2,
. 389-391.
176.

.., .. -

15 . , 1967, 53, . 1(7), . 98-104.

221

177.

1749759.

. .., .. .
22.03.1992.
178.

Seiler D.G., Hathcox K.L. Effect of uniaxial stress on Shubnikov-de Haas oscillations in

HgSe. Phys. Rev. B, 1974, v. 9, n. 2, p. 648-657.


179.

Seiler D.G., Hathcox K.L. Shubnikov-de Haas effect under stress: a new tool for

determining deformation potentials and band-structure information. Phys. Rev. Lett. 1972, v.
29, n. 10, p. 647.
180.

Hicks L. D., Dresselhaus M.S.. Thermoelectric figure of merit of a one-dimensional

conductor, Phys.Rev.B, 1993, v. 47, p. 16631-16634.


181.

Heremans J., Thrush C. M., Zhang Z., Sun X., Dresselhauls M. S., J.Y. Ying, D.T.

Morelli. Magnetoresistace of bismuth nanowire arrays: A possible transition from onedimensional to three-dimensional localization. Phys. Rev. B. 1998-II, v. 58, nr. 16, p.
R10091.
182.

Heremans J., Thrush C. M., Lin Y. M., Zhang Z., Dresselhauls M. S., and Manseld J. F..

Bismuth nanowires arrays: Synthesis and galvanomagnetic properties. Phys. Rev. B. 2000, v.
61, p. 2921-2930.
183.

Zhang Z., Sun X., Dressehaus M.S., Ying J.Y., Heremans J. Electronic transport

properties of single-crystal bismuth nanowires arrays. Physical Review B, 2000 v. 61, nr. 7,
p. 4850-4861.
184.

Zhang Z., Sun X., Dresselhaus M.S., Ying Y. Magnetotransport investigations of

ultrafine single-crystalline bismuth nanowires arrays. Applied Physics Letters, 1998, v. 73,
nr. 11, p. 1589-1591.
185.

..,

..

. 2002, . 36, . 489.


186.

Sinjavsky E.P., Khamidullin R.A., Huber T.E., Nikolaeva A.A. and Konopko L.A.

Conductivity in quantum wires in a homogeneous magnetic field. Reviews on Advanced


Materials Science 2004, v. 8, n. 2, p. 34-40.
187.

Nikolaeva A. A., Konopko L. A., Huber T. E., Sineavsky E. P., Khamidullin R. A. and

Tsurkan A. C. Negative magnetoresistance in transverse and longitudinal magnetic fields in


Bi nanowires. Journal of Physics: Conference Series 2009, Vol. 150, p. 022065 (4pp).
188.

Hong K., Yang F. Y., Kai Liu, Reich D. H., Searson P. C., Chien C. L., Balakirev F. F.,

and Boebinger G. S. Giant positive magnetoresistance of Bi nanowire arrays in high


magnetic fields. J. Appl. Phys. 1999, v. 85, p. 6184.

222

189.

Nikolaeva A., Huber T., Konopko L., Tsurkan A. Observation of the semiconductor-

semimetal and semimetal-semiconductor transitions in Bi quantumwires induced by


anisotropic deformation and magnetic field. J. Low Temp. Phys. 2010, v. 158, n. 3-4, p. 530535.
190.

Sinyavskii E.P., Sokovnich S.M., Pasechnik F.I. Energy of bound state in parabolic

quantum well in magnetic and electric fields. Phys. Stat. Solidi (b) 1998, v. 209, p. 55-62.
191.

Mase S., Mori M., Fukami T., Akinaga M., Yamaguchi T., Shitaishi N. Anomalies in

giant quantum attenuation of sound waves in Bi at high magnetic fields. II. Existence of extra
attenuation peaks. J. Phys. Soc. Japan, 1980, v. 48, n. 4, p. 1166-1169.
192.

Nikolaeva A.A., Konopko L.A., Tsurkan .K., Huber ... Thermoelectric properties of

single-crystal Bi-Sn wires with different crystallographic orientation at elastic strains. Journal
of Thermoelectricity 2009, n. 3, p.41-59.
193.

Streda P. Oscillation amplitudes of Shubnikov de Haas effect. Czech. J. Phys., B33, 1983,

n 1, p.49.
194.

.., .., .., ..

Bi
. , 1987, . 13, . 2, . 193-197.
195.

.. . : . .:

, 1985, .229.
196.

: ,

, . . ..,
.., .. . . . . .. .: - , 1983.
296 .
197.

..

-. . . . . . , 1998. 465 .
198.

.. . : , 1972. 640

.
199.

.., .., ..

. . . . .-. ., 1967, . 6, c.85-90.


200.

Abeles B., Meiboom S. Galvanomagnetic effect in bismuth. Phys. Rev. 1956, v. 101, n. 2,

p. 544-550.

223

201.

Nikolaeva A., Huber T., Konopko L., Tsurkan A. Features of Lifshits electron topological

transitions induced by anisotropic deformation in thin wires of doped bismuth. J. Low Temp.
Phys. 2010, v. 159, n. 1-2, p.258261.
202.

..

. .: , 2007. 224 .
203.

.., .. -

. , IV .: ,
1966, .23.
204.

A.A., .., .., ..

Bi Bi-Sn
. Metallofiz. Noveishie Teknol. 2011, . 33, . 1, . 77-85.
205.

Smith G.E., Baraff G.A., Rowell J.M. Effective g factor of electrons and holes in

bismuth. Phys. Rev. 1964, v. 135, n. 4, p. 1118-1124.


206.

.., .. Bi1-Sb

. , 1985, 42(6), . 246-249.


207.

.., .. Bi

77 450 . , 1963, . 16, . 4, . 848-855.


208.

Heremans J., Boxus J. And Issi J.-P. Evidence for superconductive microsegregations in

tin-doped bismuth. Phys. Rev. B 1979, v. 19, p. 3476-81.


209.

Garabazhiu V.F. On the theory of the impurity structural transitions in weakly

degenerated systems. Phys. Lett. A, 1985, v. 112, n. 1-2, p. 38-39.


210.

Boxus J., Heremans J., Michenaud J. P. and Issi J. P. The low-temperature

thermoelectric properties of tin-doped bismuth. J. Phys. F: Met. Phys., 1979, v. 9, n. 12,


2387-2398.
211.

Korenblit I.Ya., Kuznetsov M.E., Shalyt S. S. Thermal EMF and thermomagnetic

properties of bismuth at low temperatures. Zh. Eksp. Teor. Fiz. 1969, v. 56, n. 1, p. 8-20
(Sov. Phys. JETP 1969, v. 29, p. 4-10).
212.

Kuznetsov M.E., Ostrovskii V.S., Polshin V.I., Shalyt S. S. Role of normal processes in

phonon thermal conductivity of Bi. Zh. Eksp. Teor. Fiz. 1969, v. 57, p. 1112 (Sov. Phys.
JETP 1970, v. 30, p. 607-9).
213.

Uher C. J. Phys. F: Metal Phys. Thermopower of tin-doped bismuth from 50 mK to 25K.

1979, v. 9, n. 12, p. 2399-2410.


214.

Uher C., Opsal J.L. Superconductivity in lightly doped crystalline bismuth. Phys. Rev.

Lett. 1978, v. 40, p. 1518-1520.

224

215.

Gitsu D.V., Huber T.E., Konopko L.A., Nikolaeva A.A., Bondarchuk N.F.

Thermoelectric properties of Bi and Sb microwires at helium temperatures. J.


Thermoelectricity 2007, n. 2, p.54-60.
216.

. .

, -. . .
- , -, 1998. 603 .
217.

.., .., .., .., ..

Bi-Sb. , 1986, . 28, . 12, . 3746-3748.


218.

.., .., .., .., ..,

.., ..
-Bi1-Sb. , 1982, . 24, . 8, . 2335-2343.
219.

Smith B.T., Sievers A.J. Determination of the hole band gap in bismuth by far-infrared

magnet transition. Phys. Lett., 1975, A 51, N 5, p. 273-274.


220.

.., .. . , 1965, . 49,

1(7), . 265-274.
221.

.., .., .., ..

Bi-. , 1987, . 29, . 9, . 2830-2833.


222.

Nikolaeva A.A., Konopko L.A., Huber T.E., Tsurkan A.K., Meglei D.F., and Matveev

D.Yu. Galvanomagnetic and thermoelectric properties of Te doped single-crystal bismuth


wires.

Physica

Status

Solidi

2014,

DOI: 10.1002/pssc.201300192.

http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssc.201300192/abstract
223.

.. . .: , 1970. 303 .

224.

Varlamov A.A., Egorov V.S., Pantsulaya A.V. Kinetic properties of metals near

electronic topological transitions (2 order transitions). Adv. Phys., 1989, v. 38, N 5, p.


469-564.
225.

.., .., ..

n-Bi1-Sb (0<<0.16) . , 1984, . 26, . 1, . 10-13.

225

DECLARAIA PRIVIND ASUMAREA RSPUNDERII


Subsemnata, declar pe proprie rspundere c materialele prezentate n teza de doctorat, se refer
la propriile activiti i realizri, n caz contrar urmnd s suport consecinele, n conformitate cu
legislaia n vigoare.

Ana URCAN

Data: 19.05.2014

226

CURRICULUM VITAE
URCAN Ana
POZIIA PERMANENT
Cercettor tiinific, Institutul de Inginerie Electronic i Nanotehnologii
D.Ghiu al AM
DATE PERSONALE
Data naterii: Mai 10, 1983
Locul de natere: Chiinu, Moldova
PREGTIREA PROFESIONAL
2001-2005 Studii universitare, Facultatea Radioelectronic i Telecomunicaii, Universitatea
Tehnic a Moldovei
2005-2006 Studii postuniversitare (masterat), Facultatea Radioelectronic i Telecomunicaii,
Universitatea Tehnic a Moldovei
2006-2008 Studii postuniversitare (doctorat), Institutul de Inginerie Electronic i Tehnologii
Industriale al AM
NCADRAREA N MUNC
07.2006-11.2008:

Inginer, Laboratorul Fizica Semimetalelor, Institutul de Inginerie


Electronic i Tehnologii Industriale al AM

12.2008-04.2010:

Cercettor tiinific stagiar, Laboratorul Fizica Semimetalelor, Institutul de


Inginerie Electronic i Tehnologii Industriale al AM

05.2010prezent:

Cercettor

tiinific,

Dimensionalitate

Laboratorul

Redus,

Institutul

Electronica
de

Inginerie

Structurilor
Electronic

de
i

Nanotehnologii D.Ghiu al AM
05.2010prezent:

Secretar tiinific interimar, Institutul de Inginerie Electronic i


Nanotehnologii D.Ghiu al AM

PARTICIPARE N PROIECTE NAIONALE I INTERNAIONALE


1. STCU #5373 Quantum electron transport in nanostructures for practical applications
(2012-2014), executant;
2. STCU #5050 Quantum interference effects and thermoelectricity in semimetal
nanowire (2010-2012), executant;

227

3. SCOPES IZ73Z0_127968 Functional nanowires, (2010-2012), executant;


4. Bilateral project Moldova-Ukraine 10.820.05.08.UF

Elaborarea tehnologiei de

fabricare a micro i nano cristalelor n form de fire pe baz de semiconductori i


semimetale i cercetarea proprietilor magnetice i de transport ale lor la extinderi
elastice pentru crearea tenso i termo senzoarelor sensibile (2010-2011), executant;
5. Proiect CSSDT # 09.808.05.02A Elaborarea i proprietile electro-fizice ale
nanofirelor semimetalice cristaline pentru confecionarea traductoarelor de divers
menire (temperatur, deformaii, iradieri electromagnetice) (2009-2010), executant;
6. Proiect CSSDT # 09.819.05.05F Cercetarea eficienei termoelectrice a nanostructurilor
semimetalice obinute prin diverse metode sub aciunea factorilor externi (2009-2010),
executant.
7. Proiect CSSDT # 08.805.05.06A Materiale i structuri pentru microtermocupluri de
utilizare n monitoringul temperaturii obiectelor biologice (2008), executant;
8. Proiect CSSDT # 07.408.05.07PA Elaborarea tehnologiilor de fabricare a structurilor
dimensional limitate pentru convertoare termoelectrice cu eficien nalt i elemente
microelectronice sensibile (2007-2008), executant.
PREMII I DISTINCII

Premiul Academiei de tiine a Moldovei pentru rezultate excelente ale tinerilor


cercettori obinute n anul 2009

Premiul Academicianul Dumitru Ghiu pentru realizri tiinifice ale tinerilor


cercettori ai IIEN D.Ghiu pentru rezultate excelente obinute n anul 2011

Premiul pentru cea mai bun prezentare poster la Conferina Internaional Cooperation
and Networking of universities and Research Institutes study by doing researche
NANO 2011.

PARTICIPAREA LA EXPOZIII
1. Expozitia Internationala Specializata INFOINVENT, Chiinu, Moldova, 19-22
noiembrie 2013 (medalie de argint).
2. Korea International Womens Invention Expositions 2010, Seoul, Korea, May 9, 2010
(medalie de argint).
3. Salon International des Inventions, Geneve, April 23, 2010 (medalie de argint)
4. EUREKA-2009, Brusseles, 2009 (medalie de bronz).

228

PUBLICAII RELEVANTE
Articole n diferite reviste tiinifice recenzate:
1. NIKOLAEVA A.A., KONOPKO L.A., HUBER T.E., TSURKAN A.K., MEGLEI D.F.,
and MATVEEV D.Yu. Galvanomagnetic and thermoelectric properties of Te doped singlecrystal bismuth wires. Physica Status Solidi C 2014, DOI: 10.1002/pssc.201300192.
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssc.201300192/abstract
2. NIKOLAEVA A., KONOPKO L., HUBER T., PARA Gh., and TSURKAN A. Influence
of weak and high magnetic fields in longitudinal and transverse configuration on magnetothermoelectric properties in quantum Bi-wires. Surface Engineering and Applied
Electrochemistry 2014, 50(1), p. 57-62. ISSN 0013-5739 (IF: 0,289)
3. TSURKAN, A. Resistance and thermopower in Bi wires with trigonal orientation.
Moldavian Journal of the Physical Sciences 2013, 12(1-2), p. 57-62. ISSN 1810-648X.
4. ,

A.A.;

..;

..;

Bi

Bi-Sn

..

. Metallofiz. Noveishie Teknol. 2011, 33(1), 77-85.


ISSN 1024-1809. (IF: 0,15).
5. , ..; , ..; , ..; , ..
Bi,
. Metallofiz. Noveishie Teknol. 2011, 33(1), 65-75.
ISSN 1024-1809. (IF: 0,15).
6. NIKOLAEVA, A.; HUBER, T.; KONOPKO, L.; TSURKAN, A. Features of Lifshits
electron topological transitions induced by anisotropic deformation in thin wires of doped
bismuth. Journal of Low Temperature Physics 2010, 159(1-2), p.258261. ISSN 00222291. DOI: 10.1007/s10909-009-0114-6. (IF: 1,034)
7. NIKOLAEVA A., HUBER T., KONOPKO L., TSURKAN A. Observation of the
Semiconductor-Semimetal and Semimetal-Semiconductor Transitions in Bi QuantumWires
Induced by Anisotropic Deformation and Magnetic Field. Journal of Low Temperature
Physics 2010, 158(3-4), p. 530-535. DOI 10.1007/s10909-009-0027-4. (IF: 1.034)
8. KHAMIDULLIN R., BRUSENSKAYA E., KONOPKO L., NIKOLAEVA A., and
TSURKAN A. Conductivity of bismuth nanowires at low temperatures in transverse
magnetic field. Journal of Low Temperature Physics 2010, 158(3-4), p. 536-543. DOI
10.1007/s10909-009-0041-6 (IF: 1.034)

229

9. NIKOLAEVA A.A., KONOPKO L.A., TSURKAN .K., HUBER ... Thermoelectric


properties of single-crystal Bi-Sn wires with different crystallographic orientation at elastic
strains. Journal of Thermoelectricity 2009, 3, p.41-59. ISSN 1726-7692.
10. NIKOLAEVA A. A., KONOPKO L. A., HUBER T. E., SINEAVSKY E. P.,
KHAMIDULLIN R. A. and TSURKAN A. C. Negative magnetoresistance in transverse
and longitudinal magnetic fields in Bi nanowires. Journal of Physics: Conference Series
2009, Vol. 150, p. 022065 (4pp).
11. NIKOLAEVA A.A., KONOPKO L.A., GITSU D.V., HUBER T.E., PARA G.I.,
TSURKAN A. Effect of magnetic field, elastic stretch and dimensions on thermoelectric
properties of bismuth nanowires. Journal of Thermoelectricity 2008, 2, p.21-36. ISSN
1726-7692.
Articole n culegeri tiinifice:
12.

..,

..,

Bi

..,

..

. VI
, , , 15-18 2013 . .
287-289.
13. TSURKAN, A. Shubnikov de Haas oscillations in Bi wires doped with acceptor
impurities.

2nd

International

Conference

on

Nanotechnologies

and

Biomedical

Engineering. German-Moldovan Workshop on Novel Nanomaterials for Electronic,


Photonic and Biomedical Applications, Chisinau, Republic of Moldova, April 18-20, 2013.
Proceedings p. 318-321.
14. NIKOLAEVA, A.; KONOPKO, L.; HUBER, T.; TSURKAN, A.; BOTNARY, O.
Enhancement of thermopower anisotropy in Bi and Bi-Sn wires at elastic deformation in
magnetic field. AIP Conference Proceedings, 2012, 1449, 291-294. ISSN 0094-243X.
doi:http://dx.doi.org/10.1063/1.4731554.
15. , .; , .; , .; , .
Bi
. : IV-
", ", , ,
17-20 , 2012, I, .164-166. ISBN 978-9975-45-200-7.
16. , .; , .; , .; , .; , .
Bi
. : IV-

230

", ",
, , 17-20 , 2012, I, . 167-170. ISBN 978-9975-45-200-7.
17. , ..; , ..; , ..; , ..; , ..
- ,
, . B: Proceedings
of the International Scientific Conference Actual Problems of Solid State Physics SSP2011, Minsk, Belarus, October 18-21, 2011, p. 50-52.
18. NIKOLAEVA, A.A.; KONOPKO, L.A.; PARA, Gh.I.; TSURKAN, A.K.; BOTNARY,
O.V. Topological transitions in the strain dependences of thermopower and resistance in
nanowires based on Bi-Sn. In: Proceedings of the 7th International Conference on
Microelectronics and Computer Science, Chisinau, Moldova, September 22-24, 2011, p.
133-135.
19. KONOPKO, L.; NIKOLAEVA, A.; HUBER, T.; TSURKAN, A. Single-crystal
microwires based on doped Bi for anisotropic thermoelectric devices. In: International
Conference on Nanotechnologies

and Biomedical Engineering. German-Moldovan

Workshop on Novel Nanomaterials for Electronic, Photonic and Biomedical Applications.


Chisinau, Moldova, July 7-8, 2011. Proceedings, p. 168-171.
20. NIKOLAEVA, A.A.; KONOPKO, L.A.; HUBER, T.E.; TSURKAN, A.K. Single-Crystal
Wires Based on Doped Bi for Anisotropic Thermoelectric Microgenerators. In:
Thermoelectric Materials - Growth, Properties, Novel Characterization Methods, and
Applications, edited by H.L. Tuller, J.D. Baniecki, G.J. Snyder, J.A. Malen. Mater. Res.
Soc. Symp. Proc. Vol. 1267, Warrendale, PA, 2010, 1267-DD10-09.
21. , ..; , ..; , ..; , ..; ,
. i
3 . In: The 3rd International Conference on
Telecommunications, Electronics and Informatics: Proceedings vol. II, Chisinau, Moldova,
May 20-23, 2010. Chisinau, 2010, p. 352-357.
22. .., .., .., ..
. In:
-2009. , 2009, . 3. . 25-28.
23. GLOBA P., TSURKAN A., SIDELNIKOVA S. Specific Features of Technology of
Preparation of Bi Nanowire Arrays by Electrochemical Deposition. In: Proceedings of the
6th International Conference on Microelectronics and Computer Science 2009, p.511-512.

231

24. TSURKAN A. Fermi surface topology modification in Bi-0,05at%Sn wires under elastic
tension. In: Proceedings. V. 2 of 2nd International Conference Telecommunications,
Electronics and Informatics 2008. p. 99-102.
25. .., .., .., ..
.
: I -,
2009, c. 349.
26. .., .., .., ..
.
. . - 2009, . 1 .39-46.
Brevete de invenii:
1. BODIUL P., GHIU D., NICOLAEVA A., URCAN A., POPOV I. Procedeu de
obinere a microfirelor semimetalice de bismut n izolaie de sticl de molibden. Brevet
de invenie MD 3579. 2008.04.30.
2. BODIUL P., GHIU D., NICOLAEVA A. CIORB V., PARA G., URCAN A. Aliaj
semiconductor. Brevet de invenie MD 3662. 2008.07.31.
3. BODIUL P.P., GHIU D.V, NIKOLAEVA A.A., KONOPKO L.A., URCAN A.C.
Termoelectrod pentru traductor termoelectric. Brevet de invenie MD 3693. 2008.08.31.
4. BODIUL P.P., BONDARCIUC N.F., GHIU D.V, NIKOLAEVA A.A., KONOPKO
L.A., URCAN A.C. Termoelectrod pentru traductor termoelectric. Brevet de invenie
MD 3580. 2008.08.31.
5. NIKOLAEVA, A.; BODIUL, P.; KONOPKO, L.; URCAN, A. Material termoelectric
anizotropic pe baz de bismut. Brevet de invenie MD 542. 2012-08-31.
6. NIKOLAEVA, A.; BODIUL, P.; KONOPKO, L.; URCAN, A.; STICI, I. Procedeu de
recristalizare a firului de bismut n izolaie de sticl. Brevet de invenie MD 575.
2012.12.31.
DATE DE CONTACT
Adres permanent de lucru: Institutul de Inginerie Electronic i Nanotehnologii D.Ghiu
al AM, str. Academiei 3/3, MD-2028, Chiinu, Moldova
Telefon:

s.: +373 22 737459, m.: 069369619, 078350150

E-mail:

aniuta@smtp.ru

232

MULUMIRI

n primul rnd vreau s aduc sincere mulumiri conductorului tiinific dr. hab. Albina
NIKOLAEVA, consultantului tiinific dr. hab. Pavel BODIUL i dr. Leonid KONOPKO pentru
tot sprijinul, ndrumarea i ajutorul acordat pe parcursul ntregii perioade de cercetare i
elaborare a tezei de doctorat, precum i ntregului colectiv al Laboratorului Electronica
Structurilor de Dimensionalitate Redus din cadrul IIEN D.Ghiu.
Aduc cele mai calde mulumiri familiei mele, care m-a susinut i mi-a ncurajat dorina
de a pi pe trmul tiinei. Mulumesc pentru inteligena i perseverena cu care m-au
nzestrat pentru a atinge aceste performane; pentru sfaturile, suportul necondiionat i
dragostea acordat.
De asemenea, dedic aceast tez tuturor celor care de-a lungul anilor au contribuit la
formarea mea uman, la omul care am devenit la moment. Le mulumesc nc o dat pentru
toate acele lecii de via care mi le-au dat de-a lungul timpului, pentru exemplul viu pe care lau constituit pentru mine.
Mulumesc tuturor colaboratorilor Institutului de Inginerie Electronic i Nanotehnologii
D.Ghiu al AM, care m-au sprijinit i ncurajat pe parcursul acestor ani de cercetri pe
trmul tiinei.

233