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O BJETIVOS
1. Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de dos
circuitos generadores de corriente constante:
a) Con transistor FET.
b) Con transistor BJT.
2. Disear un circuito para obtener una seal de diente de
sierra.
I.
I-A.
entre Gate y Source (Vgs), la misma que hace crecer una zona
de agotamiento que obstaculiza el paso de corriente por medio
del canal central. Esto se debe a que Vgs polariza inversamente
el diodo entre Gate y Source. Cuanto mayor sea esta tensin
inversa menor ser la corriente de drenaje.
El voltaje de estrangulamiento es Vp y la corriente de
saturacin de drenaje es Idss, los cuales son los parmetros
mximos de tensin y corriente para un JFet.
Los transistores Fet en general se caracterizan por tener una
alta impedancia de ingreso, por lo tanto no absorben corriente
de Gate lo que les hace adecuados para circuitos de baja
corriente, esta caracterstica est descrita en la ecuacin 2.
La relacin que describe el funcionamiento es conocida como
ecuacin de Shockley que se describe a continuacin:
2
VGS
(1)
ID = IDSS 1
VP
M ARCO T ERICO
ID = 0 A
(2)
JFet.
I-B.
BJT
(3)
(6)
R1 =
I-C.
VEE VZ
I1
(7)
I-C2. Fuente de corriente constante con Fet.: Considerando la funcin que debe cumplir el circuito, de entregar una
corriente de un valor fijo, se polariza al Fet en Gate a tierra;
debido a que a esta configuracin entrega una corriente de
Drain constante de valor mximo como Idss.
(8)
VDD
IDSS
(9)
I-D.
La ecuacin 4 describe el funcionamiento del circuito antes
mencionado por medio del valor de tensin que regula el diodo
Zener.
RE =
VZ VBE
IE
(4)
VEE IE RE
IE
(5)
Cuadro I
D ESCRIPCIN DE M ATERIALES Y H ERRAMIENTAS .
Descripcin
Transistor MPF102
Transistor 2n3904
Capacitores varios
Diodo Zener 5.1V
Resistores Varios
Cable Multipar
Pinza Puntas Planas
III.
III-A.
VCC
IC
(10)
(11)
(12)
II.
VS VBE
IBsat
(13)
M ATERIALES Y H ERRAMIENTAS
Precio
1.20
1.20
2.00
0.30
0.60
1.50
8.00
D ESARROLLO
Clculos.
Cantidad
2 unidades
2 unidades
5 unidades
1 unidad
20 unidades
1m
1 unidad
Vgs (V)
-1
-1.5
Id (mA)
4.12
2.5
1 2
)
VP
2 2
)
VP
2.
Vp (V)
-2.906
-1.678
Rmax =
VEE IE RE
IE
Rmax =
16 4,4
10mA
Rmax = 1,16 K
Los valores calculados son aplicados al esquema original,
obteniendo la siguiente simulacin (Figura 7) :
IC
IB =
10
208
IB = 0,048 mA
Considerando la ecuacin 6, se determina el valor de
corriente del resistor de base.
IR1 = ID + IB
IR1 = 0,048 + 8
IR1 = 8,048 mA
El resistor de base se obtiene aplicando la ecuacin 7:
R1 =
VEE V z
IR1
R1 =
16 5,1
8,048
R1 = 1,354 K
La resistencia de emisor se calcula por medio de la ecuacin
4:
RE =
VZ VBE
IE
RE =
5,1 0,7
IE
RE = 0,44 K
La mxima resistencia de carga se determina aplicando la
ecuacin 5:
III-A3. Fuente de corriente constante con JFet.: Los parmetros necesarios para el clculo est definidos para obtener
una corriente Id = 8.95 mA, con una fuente de de 12 V en
corriente continua. El modelo con los parmetros establecidos
se encuentra en la figura 10.
RLmax =
VDD
IDSS
RLmax =
12
8,95
RLmax = 1,34 K
VCC
IC
RCmax =
10
4mA
RCmax = 2,5 K
La corriente de base se obtiene aplicando la ecuacin 3.
IC = IB
IB =
4
208
IB = 0,01923 mA
Con este dato y aplicando la ecuacin 11.
IBsat = IB G
III-B.
IBsat = 0,01923 10
IBsat = 0,1923 mA
Reemplazando en la ecuacin 13, se obtiene el valor de la
resistencia se base.
RB =
VS VBE
IBsat
RB =
5 0,7
0,1923
RB = 22,36 K
Estableciendo que 2 Perodos son una constante de tiempo.
Si se reemplaza en la ecuacin 12.
2T =
C=
C=
Mediciones
2T
R
2 (1/1000)
2,5 103
C = 800 nF
Si se simulan estos valores obtenidos, los resultados se
muestran en la figura 14.
Cuadro V
VALORES DE C ORRIENTE MEDIDOS JF ET.
Resistencia RL ()
38
315
476
619
673
711
782
855
894
931
994
1077
III-B3. Generador de seal diente de sierra.: En el laboratorio se obtuvo la siguiente grfica de osciloscopio. Ver
figura 18.
IV.
A NLISIS