Reporte Proyecto Final

Universidad Autnoma del Estado de Mxico
Facultad de Ingeniera
Ingeniera en Electrnica
Electrnica de Potencia I
Proyecto final
Control de motor de CD utilizando un semiconvertidor

trifsico
Integrantes
Espinoza Lzaro Lucero Janeth
0710225
Jaimes Reyes David Isaas
1020774
Daz Garca Armando
0710911
Profesor: Jos Luis vila Gmez
Sptimo semestre
Fecha de entrega: 11 de diciembre de 2013
Introduccin
UAEMx
Proyecto final: E. de Potencia I
Los rectificadores de onda vistos en la prctica anterior se conocen como rectificadores no

controlados. Una vez que se establecen los parmetros del generador y de la carga, el nivel
continua de la salida y la potencia transferida a la carga son magnitudes fijas.
Una forma de controlar la salida de un rectificador es utilizar un SCR en lugar de un diodo.
A diferencia del diodo, el SCR no entrar en conduccin en cuanto a una seal del
generador sea positiva. La conduccin no se inicia hasta que se manda una corriente de
compuerta como medio de control. Una vez que el SCR conduce, la corriente de compuerta
puede ser retirada y el SCR continua en conduccin hasta que la corriente es cero.
En el presente proyecto final se aplicaran los conceptos del SCR para realizar un
semiconvertidor trifsico con control de fase por coseno para controlar un motor con
retroalimentacin.
Marco Terico
SCR
El SCR o rectificador controlado de silicio es un dispositivo semiconductor de cuatro capas
y tres uniones como se observa en la siguiente figura:
(a)
Figura 1. a) Estructura del SCR b) Smbolo del SCR.
Fuente: [www.brighthubengineering.com]
A continuacin se muestra el modelo transistorizado del SCR:
ELJL, DGA, JRDI
(b)
UAEMx
Figura 2. Modelo transistorizado del SCR.

Fuente: [www.unicrom.com ]
A partir del modelo transistorizado se obtiene la siguiente expresin:

i A=
( 1+ 1 )( 1+ 2 ) I co
Donde
1 1 2
1
son las ganancias de corriente de los transistores, e
I co
es la
corriente inversa de fuga de los transistores.

Existen cuatro razones por las cuales el producto
1 2
tienda a la unidad:
1. Cuando V =0 .
2. Por razn de cambio de voltaje.
3. Temperatura.
4. Inyeccin de corriente de base.
Curva del SCR
La figura 3 muestra la curva del SCR
De la curva se definen los parmetros ms importantes del SCR:
1. Voltaje de rompimiento directo
(V BU ) : voltaje para el cual el scr se enciende por
incremento de energa, es decir, el mximo voltaje permisible cuando no se aplica

voltaje a la compuerta.
2. Corriente de compuerta (I ) : es el mnimo valor de la corriente de cd aplicada a
la compuerta para conmutar el SCR.
2
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
3. Voltaje de compuerta
(V ) : voltaje de cd aplicado a la compuerta para conmutar
el SCR. Se recomienda usar el valor mnimo especificado por la hoja tcnica.

4. Voltaje pico inverso (V PR ) : voltaje mximo inverso aplicado en las terminales
del dispositivo antes de producir un rompimiento de avalancha.
Figura 3. Curva del SCR.
5. Corriente de sujecin
( I L ) : corriente de nodo mnima que produce que el SCR
cambie del estado de bloqueo al estado de conduccin.

6. Corriente de mantenimiento (I H ) : corriente necesaria para conservar el estado de
conduccin del SCR, la cual est definida por la hoja tcnica.
2
Corriente cuadrada del tiempo (I t ) : se define como el valor de la integral con respecto
al tiempo del cuadrado de la mxima corriente senoidal en corto circuito.
Red Snubber
Limitacin del di/dt
di/dt
El
es un efecto que puede daar al SCR y el cual se presenta en el estado de
encendido del SCR. El
di /dt
ELJL, DGA, JRDI
es cuando existe un incremento de corriente en un tiempo
UAEMx
muy corto lo cual no permite que esta corriente se distribuya en toda el rea del
semiconductor, concentrndose en un rea muy pequea, la cual normalmente se funde por
calentamiento. Para limitar el di/dt en el SCR se adiciona un inductor en serie dado que
el crecimiento de corriente en un inductor no es instantneo lo cual permite que la corriente
se distribuya en toda el rea del semiconductor.
El circuito es el siguiente:
Figura 4. Proteccin contra el
di/dt .
Fuente: [Elaboracin propia]
Limitacin del dV /dt

dV /dt
El
es un efecto que se presenta en el SCR apagado y es cuando el mismo se
puede activar en falso por el crecimiento de voltaje en un tiempo instantneo. Para limitar
este crecimiento de voltaje entre el nodo y ctodo del SCR se adiciona un capacitor en
paralelo con el SCR dado que la razn de cambio de voltaje en un capacitor no es
instantneo, as protegiendo el SCR contra el dV /dt . El circuito se muestra en la figura
5. La resistencia en serie con el capacitor es necesaria para la constante de tiempo RC.
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
Figura 5. Red Snobber.

El circuito mostrado en la figura 5 es conocido como red Snobber.
Circuitos de disparo
En los convertidores con tiristores existen diferentes potenciales entre sus terminales. El
circuito de potencia est sujeto a un alto voltaje, generalmente mayor a 100 V, y con
respecto a los circuitos de compuerta, estos manejan de 3 a 30 V.
Por lo anterior es necesario un circuito de aislamiento entre cada tiristor y ekl circuito
generador de pulso de compuerta. Este aislamiento puede hacerse mediante el uso de
optocopladores o transformadores de pulsos.
Un tipo de aislamiento se muestra en la figura 6, en donde se tiene un arreglo con un
transformador de pulsos. Cuando un pulso de un voltaje adecuado se aplica a la base del
Q1
transistor de switcheo
, el transistor se satura y el voltaje de DC o Vcc que est a
travs del primario del transformador induce un pulso de voltaje sobre el secundario del
transformador, este pulso se aplica en la compuerta y el ctodo del SCR.
Cuando el pulso desaparece de la base del transistor se apaga y un voltaje de polaridad
opuesta se induce a travs del primario generando el RBSB en el transistor, por lo tanto es
necesario poner un diodo Dm, con este la corriente debida a la energa magntica del
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
transformador decae a cero. Al terminar el pulso se genera un voltaje inverso que es

inducido en el secundario.
Figura 6. Circuito de disparo con transformador de pulsos.

Control de fase de cruce por coseno

El control de fase por coseno tiene como principal caracterstica que el rango de barrido del
ngulo de disparo es de 0 < <180 por lo que el control de fase de cruce por coseno
abarca todo el semiciclo positivo, proporcionando una potencia a la carga desde una
potencia mxima =0 hasta una potencia de cero =0 .
En la siguiente figura se muestra el diagrama de bloques del control de fase de cruce por
coseno:
Vsinc
Integrador
Comparador
Vref
Generado
r de
pulsos
Circuito
de disparo
Figura 7. Diagrama de bloques de control de fase por coseno.

6
ELJL, DGA, JRDI
SCR
UAEMx
De la figura anterior se deduce lo siguiente:

1. El voltaje de sincrona pasa por un bloque integrador. Por esta razn el sistema de
control se le llama cruce por coseno.
2. El comparador es un comparador de nivel dual del tipo inversor que produce una
seal de dos niveles: positivo y negativo.
3. La seal del comparador se aplica al bloque generador de pulsos que est
compuesto por un circuito monoestable, y configurado para dispararse en los
flancos de subida, el cual se conecta directamente a la compuerta del SCR.
Objetivo
Disear e implementar un convertidor de CA a CD controlado utilizando controles de fase
mediante SCRs para controlar un motor de corriente directa en retroalimentacin.
Material
-
3 SCRs S8015L
3 transistores TIP122
1 LM2907
3 transformadores de pulsos
1 CI TL074
3 CI TL084
3 diodos rectificadores 1N5408
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
3 capacitores cermicos de 100 nF

4 capacitores electrolticos de 1 F
6 capacitores de polister de 1 nF
3 capacitores de polister de 154 Nf
1 resistencia de 120 k
3 resistencias de 15 k
3 resistencias de 330
3 resistencias de 2.2 k
3 resistencias de 100
3 resistencias de 1 a Watt
1 potenciometro de 100 k
2 monoestables 74LS123
3 transformadores 120 Vprim / 12 Vsec de 3 A
3 transformadores 120 Vprim / 6 Vsec de 500 mA
3 transformadores de pulsos
3 protoboard
Clavija trifsica y cable para conexionado.
1 tabla para montaje del proyecto
Equipo
-
Osciloscopio digital
Multmetro
Fuente de alimentacin de CD
Procedimiento
1. Disear la red snubber adecuada para el tiristor de tal manera que sea protegido
contra el di/dt y el dV /dt como se muestra en la figura 8, considerando el
voltaje y frecuencia de lnea y su corriente mxima de operacin, con =0.7
(vase clculos de red snubber).
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
Figura 8. Red Snubber a disear

2. Disear el circuito de disparo utilizando un transformador de pulsos.
Figura 9. Circuito de disparo con transformador de pulsos.

3. Disear un circuito de control de fase por cruce de coseno para manejar un rango
del ngulo de disparo de 0 < < 180 tomando como base el diagrama de bloques
estudiado en clase.
4. En la siguiente figura se muestra el circuito de un semiconvertidor, para el cual se
requiere obtener lo siguiente:
a) La ecuacin matemtica para Vd en funcin del ngulo de disparo .
b) Obtener las formas de onda para: Vs, Is, y Vd para los siguientes valores del
ngulo de disparo: = 45, 90 y 135 para una carga en serie de R = 1 k y L
= 100 mH, simulando en PSPICE y realizando las observaciones pertinentes.
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
Figura 10. Circuito semiconvertidor.

5. Finalmente disear e implementar los circuitos necesarios para controlar un motor

de CD en lazo cerrado, con base al siguiente diagrama de bloques.
Setpoint
Salida
Amplificador
de error
Control de fase
trifsico
Rectificador
controlado
Motor
Tacometro
Figura 11. Diagrama de bloques de control de fase por coseno.

Desarrollo y resultados obtenidos.

Para comenzar se montaron los transformadores de 12 V en la tabla conectndolos con sus
respectivas lneas en forma de estrella, sus neutros quedaron volando, y los cables derechos
de la salida del transformador se unieron formando una tierra flotante. Los cables de la
izquierda se tomaron como las lneas que iban al puente rectificador. Para sincronizar los
ngulos de disparo se utilizaron transformadores pequeos los cuales iban conectados a la
entrada de los mismos igual que como se conectaron los grandes, o sea, cada transformador
grande tena un pequeo dependientes de sus entradas pero independientes de sus salidas tal
10
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
y como lo muestra la figura 12. Las seales de estos transformadores se muestran en la

figura 13.
Figura 12. Transformadores para la parte de potencia y para la parte de control.

Figura 13. Seales de los transformadores pequeos.

Para hacer el control de cruce por coseno se tomaron las seales senoidales de los
transformadores pequeos para integrarlas y convertirlas en cosenos. Para lograr esto se
configur un amplificador operacional TL074 de la manera que sirviera como un
integrador. El integrador se muestra en la figura 14.a) y la seal integrada en la figura 14.b.
11
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
a)
b)
Figura 14. a) Circuito integrador. b) Onda seno (amarillo) y onda coseno (azul).
Despus de integrar la seal seno para el control se procedi a comprar el mismo coseno
con un voltaje que iba de -15 a 15 V que se variaba con un potencimetro, el cual a la salida
produca un pwm el cual cuando la seal coseno era mayor que la referencia el ciclo de
trabajo de la seal cuadrada de salida se reduca, y cuando la seal comparadora era mayor
que la amplitud del coseno el ciclo de trabajo aumentaba. Cuando la referencia de voltaje
era cero el ciclo de trabajo de la seal cuadrada de salida era del 50%. El circuito
comparador y las seales de entrada y salida se muestran en la figura 15.
Una vez obtenida esta seal PWM se pas al monoestable 74LS123 el cual produce pulsos
con los flancos de subida de una onda cuadrada, y el cual se configuro para que tuviera un
ancho de pulso de aproximadamente 1 ms. El valor de la resistencia y el capacitor se eligi
de acuerdo al datasheet del mismo circuito. En las siguientes figuras se muestra el circuito
armado del monoestable y la seal del pwm con el pulso generado. Como se puede apreciar
en la figura de las seales el pulso aparece en cada flanco de subida del tren de pulsos.
12
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
a)
b)
Figura 15. a) Circuito comparador. b) Comparacin de la seal de referencia y la seal coseno produciendo un
pwm.
a)
b)
Figura 15. a) Circuito monoestable generador de pulsos. b) Comparacin de la seal pwm (amarillo) y los
pulsos generados en cada flanco de subida (azul).
Ahora, en la siguiente figura se puede observar cmo es que el pulso (que es el ngulo de
disparo) va de 180 a 0.
13
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
a)
b)
c)
Figura 16. Barrido de la onda senoidal usando la referencia a) Vref = 11.7 V, = 0. b) Vref = 0 V, = 90. b)
Vref = - 11.3 V, = 180.
Despus los pulsos del monoestable pasaron al circuito de disparo aislados con un
transformador el cual produca un voltaje de aproximadamente 1.7 V. El SCR se enciende
con un voltaje de 1.5 V. El circuito de disparo se muestra en la siguiente figura, al igual que
los pulsos que salen del transformador de pulsos.
14
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
a)
Configuracin con TIP122 en corte y saturacin.
b) Transformadores de pulsos, aislamiento.
c) Pulsos de salida del transformador de pulsos.

Figura 17. Circuito de disparo.
15
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
De la figura 17 c) vemos los pulsos que hay a la salida. Estos son los pulsos que van a la
compuerta del SCR para encenderlo.
Una vez que estuvo la parte de control del semiconvertidor trifsico se procedi a calcular
la red snubber para el SCR S015L (vase clculos de red snubber) la cual se le coloc a
cada tiristor tal como lo muestra la siguiente figura en la cual ya est armado el puente
rectificador:
Figura 18. Puente rectificador del semiconvertidor con sus respectivas redes snubber.
Nota: del circuito de disparo, cada pulso fue generado del transformador pequeo
conectado en la entrada igual que el grande, por lo que el pulso de disparo tiene que ir con
su misma fase en el scr del semiconvertidor. los transformadores de pulsos crean una
sincronia.
Una vez conectado el circuito de disparo al SCR se conect una resistencia de carga a la
salida del semiconvertidor de 50 y al encender todo el circuito las salidas fueron las
siguientes:
a)
16
ELJL, DGA, JRDI
b)
UAEMx
c)
d)
Figura 19. Formas de onda de salida variando el ngulo de disparo.
En la figura 19 se pueden apreciar las formas de onda en la salida del semiconvertidor

trifsico en la cual para 19 a) y b) el ngulo de disparo comienza a moverse desde 180,
por lo que solo rectifica una parte de la onda. En la figura 19 c) se puede apreciar el
mximo voltaje rectificado, y conforme se llegue al valor mximo de la referencia la salida
toma el aspecto de la onda de la figura 19 d). Una vez medidas estas formas de onda se
coloc como carga un motor de CD con encoder.
Despus de esta parte se procedi a hacer la retroalimentacin del sistema. A la salida del
encoder del motor se mostraba una serie de 64 pulsos por cada revolucin. Cuando se
aplic el voltaje mximo se midi la frecuencia de los pulsos producidos por las
revoluciones. Esta frecuencia paso a y convertido de frecuencia a voltaje el cual se adapt
de tal manera que cuando el voltaje del rectificador fuera el mximo diera una salida de
11.7 V, y cuando no existieran vueltas del motor el voltaje fuera 0 V. Se eligi el valor de
11.7 V porque cuando la seal de comparacin sin retroalimentacin llega a este valor el
ngulo de disparo se sita en 0 dejando pasar todo el semiciclo. Una vez adaptada esta
seal se pas a un restador el cual tena como seal de referencia al potencimetro que
anteriormente iba en una de las entradas del comparador de coseno. Despus la seal de
error obtenida pasaba a un sumador el cual se sumaba con el voltaje dado por el
potencimetro. Por ejemplo, si el voltaje de retroalimentacin era igual que el voltaje de
setpoint la seal de error iba a ser cero, y esta seal se suma con la seal del setpoint
sacando a la salida el voltaje del setpoint que iba en el comparador. Este circuito de
retroalimentacin queda de la siguiente manera:
17
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
Figura 20. Retroalimentacin del semiconvertidor.

Como esta retroalimentacin va de 0 V a 11.7 V y no de -11-7 V a 11-7 V solo funciona

para 90 < < 180 tal y como lo muestran las siguientes formas de ondas:
a)
b)
Figura 21 a) Angulo de disparo en 180. b) Angulo de disparo en 90.
En la figura 21 a) el ngulo de disparo inicia con 0, conforme se mueve el setpoint el

ngulo de disparo llega a 90, cuando llega a los 90 y el setpoint sigue movindose el
ngulo de disparo tiende a regresar a 0 y desaparece antes de que llegue. Esto se debe a lo
mencionado anteriormente, que el setpoint tiene valotrs de -11.7 V a 11.7 V, y la
retroalimentacin tiene valor de 11.7 V para cuando el setpoint es 11.7 V y 0 V para cuando
el setpoint es -11.7 V, entonces para cuando el setpoint sea 0 V, la retro seguir movindose
y esta dar un voltaje diferente de cero que es el que debera de dar.
El circuito completo se muestra en la figura 22.
18
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
Figura 22. Circuito armado completo.
Y el diagrama correspondiente a este circuito se muestra en la figura 23.
19
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
Figura 23. Circuito esquemtico.
20
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
Problemas y soluciones
Como en toda practica surgieron problemas y soluciones a las mismas entre ellos algn
capacitor o resistencia puestos mal, pero uno de los primeros problemas reportados fue que
el setpoint en lazo abierto, o sea el potencimetro, en un principio era un trimpot para
lograr mayor presicion, pero a causa de su tamao este se calentaba bastante por lo que se
opt por poner un potencimetro normal.
Otro problema se present a la salida del semiconvertidor trifsico. Cuando se tuvo la parte
de control de fase en lazo abierto y ya se enviaban los pulsos a las compuertas se obtuvo la
siguiente onda rectificada:
Figura 24. Seal rectificada errnea.

Como se puede observar cada vez que apareca un disparo se activaba el SCR pero
rectificaba de esa manera como se ve la seal amarilla. En un principio se crey que era el
SCR que no serva o cosas as, pero entonces fue cuando al final se lleg a la conclusin
que era la carga que se le estaba colocando ya que esta era de 560 . Recordemos que
cuando activamos el SCR este necesita una corriente mnima necesaria entre en nodo y el
ctodo para conservar el estado de conduccin conocida como corriente de mantenimiento;
entonces con la carga colocada se obtena una corriente muy pequea la cual no era
necesaria para mantener el estado de conduccin del SCR y es por ello que se reporta la
forma de onda mostrada en la figura 21. La solucin fue cambiar la carga a una ms
pequea de 30 la cual permiti que se mantuviera la corriente necesaria para mantener
encendido al SCR. Cabe resaltar que por no tener este concepto claro se perdi tiempo
significativo en la prctica.
21
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
El ltimo problema significativo que surgi fue en la retroalimentacin. Cuando se

implement el convertidor de frecuencia a voltaje LM2907 de acuerdo a la hoja de
especificaciones para transformar la frecuencia de los pulsos del encoder en voltaje con la
configuracin citada en el datasheet no se obtena ninguna salida. Despus de revisar
fuentes en internet se encontr que la solucin era colocar un capacitor en serie a la entrada
del circuito para poner la entrada simtrica (eso deca la solucin a este problema del
LM2907).
Una vez solucionado el problema anterior los dems circuitos de la retroalimentacin no
tuvieron problemas as que solucionados todos los problemas anteriores mencionados el
semiconvertidor trifsico con retroalimentacin funcion correctamente (dentro de los
parmetros establecidos por el profesor).
22
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
Clculos
Red Snubber
Para la red snubber se tienen los siguientes parmetros de los cuales unos fueron obtenidos
del datasheet del SCR S8015L:
Es =24 2V
f o=60 Hz
dv /dt=400V /s (para 100)
=0.7
I p =15 A
Constante snubber
Punto A:
dv /dt 400 V
=
=11.78
Es
24 2V
Punto B:
=0.7
Punto C:
RC=0.2 s
Ip
R
=0.65
Es
R=
0.65 Es 0.65(24 2)
=
=1.47 1
Ip
15 A
C=
0.2 s 0.2 s
=
=135.98 nF 157 nF
R
1.47
23
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
Para el inductor
Si
R C
=
2 L
C R2
L= 2 =149.91 nH
4
Como la inductancia de los transformadores es de 4.5 mH el inductor se omite de la red
snubber, por lo que la red queda de la siguiente manera:
D5
1N5406
C10
157n
R20
1R
U7
S8015L
Figura 22. Red snubber a implementar.
Circuito de disparo
Para el clculo solo se considera la resistencia de base, resistencia del colector y un Vcc de
5 V.
Malla I
3.5+ R b i b +V BE=0
i b=
2.8
( 1)
Rb
Malla II
5+ V CE + Rc i c =0
Cuando el circuito est en saturacin Vce = 0, entonces
24
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
ic =
5
Rc
Si Rc = 100
i c =0.05 A
Para estar en saturacin debe haber una corriente por la base del transistor por lo que se
propone que Rb = 330 , entonces
i b=8.48 mA
dando una corriente de emisor de
i e =58 mA
El circuito final se muestra en la figura 23 al cual se le acopl un capacitor y un diodo para
eliminar picos y partes negativas.
TR3
G
D12
1N4004
K
TRAN-2P2S
R24
100R
R23
330R
D11
Q3
TIP122
1N4004
C12
1n8
Figura 23. Circuito de disparo a implementar.
Voltaje de salida del semiconvertidor

Teniendo la siguiente forma de onda
25
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
Los lmites de integracin son para las primeras dos fases. El valor medio de la seal se
calcula mediante la siguiente expresin
5
+
6
V m 12 sin ( t ) d ( t )
V m 23 sin ( t ) d ( t )
/2
/2
+
6
V o=
Resolviendo la siguiente integral se obtiene que

V o=
3 3
V (1+cos )
2 m
El valor RMS
26
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
5
+
6
V m 12 sin ( t ) d ( t )
V m 23 sin ( t ) d ( t )
/2
/2
+
6
2
V rms =
Resolviendo la integral
V rms = 3V m
3 2
+ 3 cos 2( )
4 3
Para la fase de lnea 3-2 se tiene mostrada en la siguiente figura se tiene que
V o=
V o=
3
2
V m 32 sin ( t ) d ( t )
+
6
3 3
V (1+cos )
2 m
27
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
Para el valor RMS
V rms =
(
3
2
V rms = 3V m
2
3
( V m 32 sin ( t ) )2 d ( t )
+
6
3
1
+ sin ( 2 )
4
2
Si R = 1k y L = 100mH y V m=24 2 , f =60

Z =1k + i100 m
La magnitud de la impedancia es
Z = ( 1 k ) + [ 100 m ( 2 ( 60 ) ) ] =1 k
Para =45 = /4
V o=
I o=
3 3
3 3
V m ( 1+cos )= ( 24 2 ) 1+cos =47.91V

2
2
4
V o 47.91V
=
47.91 mA
Z
1k
Para =90 = /2
V o=
I o=
3 3
3 3
V m ( 1+cos )= ( 24 2 ) 1+cos =28.06 V

2
2
2
V o 28.06 V
=
=20.06 mA
Z
1k
28
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
Para =135 =3 /4
V o=
I o=
3 3
3 3
3
V ( 1+cos )= ( 24 2 ) 1+cos
=8.22 V
2 m
2
4
V o 8.22 V
=
=8.22 mA
Z
1k
29
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
Conclusiones
En el presente proyecto final se aplicaron todos los conceptos vistos durante el curso de
Electrnica de Potencia I al igual que otras materias como Control, Electrnica I y II,
Conversin de la Energa y Sistemas Digitales.
La combinacin de todas estas materias fue necesaria para poder realizar el control de fase
por coseno para el semiconvertidor trifsico.
Durante la prctica pudimos percatar una vez ms como es que las protoboard meten ruidos
o falsos a los dems circuitos, por ejemplo, un falso que haba ya en el circuito de disparo
estaba metiendo bastante ruido a los monoestables provocando disparos en falsos. Tambin
algo que mete mucho ruido en ocasiones es la misma fuente de voltaje ya que al conectar
los 5 V que alimentan al monoestable comenzaron a aparecer disparos en falso, y al colocar
un capacitor desaparecan los disparos en falsos.
Tambin pudimos notar que cuando se conectaba el motor al semiconvertidor y comenzaba
a funcionar este el motor regresaba muchos armnicos al semiconvertidor tal y como lo
muestra la siguiente figura:
De la imagen anterior podemos llegar a una conclusin de que si quisiramos alimentar

algn circuito de control independiente del que controla al semiconvertidor con esta seal
rectificada por efecto del motor tendramos muchos armnicos que nos podran poner en
falla todo el circuito de control.
30
ELJL, DGA, JRDI
UAEMx
Como se mencion en la parte de problemas, tuvimos que retomar bastantes conceptos de

electrnica de potencia que no parecan tan importantes pero que si lo eran, como por
ejemplo, si se hubiera tenido a la mano bien los conceptos del SCR y nos hubiramos
acordado de la corriente de mantenimiento hubiramos puesto desde el principio una carga
no tan grande que nos hubiera permitido visualizar la seal rectificada correctamente, en
cambio como al principio no tenamos el concepto perdimos bastante tiempo en buscar el
error.
Tambin en el presente proyecto tuvimos contacto con nuevos circuitos tales como el
convertidor de frecuencia a voltaje, el generador de pulsos, y componentes como los
transformadores de pulsos. Tocando el tema de los transformadores de pulsos vimos como
gracias a ellos pudimos aislar correctamente la parte de potencia con la de control, y esto lo
notamos ya que por accidente hubo un corto con los transformadores de potencia (no fue
tan fuerte) el cual solamente calent los componentes del puente, pero que si no hubieran
estado los transformadores de pulsos tal vez pudo haber afectado al circuito de control. Es
por ello que es muy importante el aislamiento de la parte de potencia con la parte de
control.
En clase pareca sencillo ver los conceptos del SCR pero como siempre el aplicarlos a la
vida real puede traer consigo varios problemas, por ello es que tardamos bastante en disear
todo el semiconvertidor con su respectivo control.
En conclusin, este fue nuestro primer acercamiento con circuitos de alta potencia ya que
anteriormente solo manejbamos corrientes de mximo 1 A, con lnea monofsica, y en este
caso fue con una lnea trifsica la cual se encuentra en casi la mayora de las industrias y
con el presente proyecto se pudo entender un poco ms acerca de la naturaleza de la lnea
trifsica.
Referencias
-
Hart, Daniel W. Electrnica de Potencia. Prentice Hall. 2001.

Apuntes de Electrnica de Potencia vistos en clase.
Datasheet de los componentes utilizados.
31
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Reporte Proyecto Final

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Universidad Autnoma del Estado de Mxico

Control de motor de CD utilizando un semiconvertidor

Profesor: Jos Luis vila Gmez

Proyecto final: E. de Potencia I

Los rectificadores de onda vistos en la prctica anterior se conocen como rectificadores no

A continuacin se muestra el modelo transistorizado del SCR:

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Proyecto final: E. de Potencia I

Figura 2. Modelo transistorizado del SCR.

A partir del modelo transistorizado se obtiene la siguiente expresin:

son las ganancias de corriente de los transistores, e

corriente inversa de fuga de los transistores.

(V BU ) : voltaje para el cual el scr se enciende por

incremento de energa, es decir, el mximo voltaje permisible cuando no se aplica

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Proyecto final: E. de Potencia I

(V ) : voltaje de cd aplicado a la compuerta para conmutar

el SCR. Se recomienda usar el valor mnimo especificado por la hoja tcnica.

Figura 3. Curva del SCR.

( I L ) : corriente de nodo mnima que produce que el SCR

cambie del estado de bloqueo al estado de conduccin.

es un efecto que puede daar al SCR y el cual se presenta en el estado de

encendido del SCR. El

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es cuando existe un incremento de corriente en un tiempo

Proyecto final: E. de Potencia I

Figura 4. Proteccin contra el

Fuente: [Elaboracin propia]

Limitacin del dV /dt

es un efecto que se presenta en el SCR apagado y es cuando el mismo se

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Proyecto final: E. de Potencia I

Figura 5. Red Snobber.

El circuito mostrado en la figura 5 es conocido como red Snobber.

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Proyecto final: E. de Potencia I

transformador decae a cero. Al terminar el pulso se genera un voltaje inverso que es

Figura 6. Circuito de disparo con transformador de pulsos.

Control de fase de cruce por coseno

Figura 7. Diagrama de bloques de control de fase por coseno.

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Proyecto final: E. de Potencia I

Fuente: [Elaboracin propia]

De la figura anterior se deduce lo siguiente:

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Proyecto final: E. de Potencia I

3 capacitores cermicos de 100 nF

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Proyecto final: E. de Potencia I

Figura 8. Red Snubber a disear

2. Disear el circuito de disparo utilizando un transformador de pulsos.

Figura 9. Circuito de disparo con transformador de pulsos.

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Proyecto final: E. de Potencia I

Figura 10. Circuito semiconvertidor.

5. Finalmente disear e implementar los circuitos necesarios para controlar un motor

Figura 11. Diagrama de bloques de control de fase por coseno.

Desarrollo y resultados obtenidos.

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Proyecto final: E. de Potencia I

y como lo muestra la figura 12. Las seales de estos transformadores se muestran en la

Figura 12. Transformadores para la parte de potencia y para la parte de control.

Figura 13. Seales de los transformadores pequeos.

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