Bases de Electronica de Potencia

Bases de la Electrnica de Potencia
Hart:
Introduccin
Clculos de Potencia
Circuitos de Excitacin y Proteccin: 8
Gualda et al.:
Introduccin a la Electrnica de Potencia
Rashid:
Introduccin
Proteccin de Dispositivos y Circuitos: 2-3
Hambley:
Etapas de Salida, Fuentes de Alimentacin: 1-2
Aplicaciones de la Electrnica de Potencia

Clasificacin de los convertidores de potencia
Bloques de los convertidores de potencia
Resolucin de circuitos electrnicos de potencia
Parmetros de seales peridicas
Dispositivos de potencia
Disipacin de potencia
Electrnica de Potencia: Conjunto de tcnicas basadas en semiconductores para

modificar la forma en que se presenta la energa elctrica
Fuente de Energa Primaria
Red elctrica
Bus de continua
Batera
Panel solar
Aerogenerador
1/27/2015
etc.
SISTEMA
ELECTRNICO
DE POTENCIA
Carga
Motores
Sistemas de
Telecomunicacin
Amplificadores
Circuitos digitales
3
Cargas industriales
VENTAJAS
Electrnica de
Potencia (soluciones
basadas en
semiconductores)
frente a
Electrotecnia
(soluciones basadas
en mquinas
giratorias)
Mejor comportamiento elctrico (respuesta ms rpida,

estabilidad, etc.).
Mayor fiabilidad.
Carencia casi total de mantenimiento.
Ausencia de vibraciones.
INCONVENIENTE:
Menor robustez elctrica (menor capacidad para soportar
sobretensiones y sobrecorrientes).
En Europa y EE.UU. se estima que ms del 50% de la energa es suministrada a

travs de sistemas electrnicos de potencia.
Baja potencia: <100W

Alarmas.
Balastos electrnicos (tubos fluorescentes).
Fuentes de alimentacin.
Herramientas elctricas.
Media potencia: 100W 1kW
Cargadores de bateras.
Balastos electrnicos (HID).
Secadores.
Reguladores de velocidad.
Alta potencia: 1kW 100kW
Hornos de induccin
Accionadores para locomotoras
Secadores
Soldadura automtica
Rayos X.
Lseres.
Muy alta potencia: > 100kW
Reguladores de tomas de alta tensin.
Inversores para generadores
Inversores no autnomos para generadores.
Interconexin de redes de potencia de
distinta frecuencia

INVERSORES
No autnomos
Autnomos
REGULADORES CC
Lineales
Conmutados sin aislamiento
Conmutados con aislamiento
CONTINUA
ALTERNA
REGULADORES CA
frecuencia constante
CICLOCONVERTIDORES
frecuencia variable
RECTIFICADORES
Controlados (tiristores)
No controlados (diodos)
Semicontrolados (mixtos)
INTERRUPTORES ESTTICOS
De continua
De alterna
Diode Rectifiers
Vo ( average )
Figure 1.11
1/27/2015
EEL 4242 by M .H. Rashid
2Vm
Ac-dc Converter
Figure 1.12
1/27/2015
Vo ( average )
2Vm
(1 cos )
8
Ac-ac Converter
1/ 2
Vo ( rms )
Vm 1
sin 2
2
2
Figure 1.13
1/27/2015
dc-dc Converter
Figure 1.14
1/27/2015
Vo ( average ) VS
10
dc-ac Converter
Vo1( rms fundamental )
4Vs
0.90VS
2
Figure 1.15
1/27/2015
11

Elementos pasivos
Semiconductores
Condensadores
Inductancias
Transformadores
Resistencias
Fuente de Energa
Primaria
Diodos
SCRs
MOSFET
IGBT
CIRCUITO
ELECTRNICO ENERGA
DE POTENCIA
ENERGA
Red elctrica
Bus de continua
ENERGA
Batera
Panel solar
Aerogenerador
etc.
CIRCUITO DE CONTROL
Carga
Motores
Sistemas de
Telecomunicacin
Amplificadores
Circuitos digitales
Cargas industriales
Circuitos lineales integrados, procesadores digitales, etc.
CIRCUITO
ELECTRNICO DE
POTENCIA
CIRCUITO DE
CONTROL
OBJETIVOS DE DISEO:
1. CIRCUITO ROBUSTO
Proteccin en vaco y en cortocircuito
2. MINIMIZACIN DE TAMAO Y PESO
Elevar frecuencia
3. BAJA EMISIN ELECTROMAGNTICA
4. MAXIMIZACIN DE RENDIMIENTO
Evitar elementos disipativos (R)
Minimizar prdidas en semiconductores
(funcionamiento en conmutacin)
CARACTERSTICAS:
Medir magnitudes del

circuito de potencia
Generar seales de
gobierno de
semiconductores
Funciona con niveles

bajos de energa
Teora de control
+
Modelo matemtico
de la etapa de
potencia
Fuente de arranque
+
Alimentacin auxiliar

Metodologa de anlisis de circuitos de potencia
CONMUTACIN
CAMBIO DE ESTADO
DE LOS
SEMICONDUCTORES
MODIFICACIN
DEL CIRCUITO
TRANSITORIO DURANTE
UN DETERMINADO
INTERVALO DE TIEMPO
Sucesin peridica
de transitorios
Circuito equivalente
(Intervalo)
Tratamiento matemtico:
Ec. Diferenciales
Constantes de integracin
Integracin
CONDICIONES DE CONTORNO:
La tensin en un condensador y la
corriente por una bobina no
pueden variar bruscamente
Clculo del instante en el

que el cto. equivalente
deja de ser vlido
SI
FIN
Final del
periodo?
NO
Ejemplo1.
10
iD
40
MOSFET
10A
UGS=15V
5A
UGS=10V
UGS=5V
15V
uGS
10F
2A
0,5V
uGS
15V
f=40kHz
d=0,25
t
dT
uDS
Determnese la evolucin de la
corriente y tensin del MOSFET
y en el condensador de salida
con la condicin inicial en el
condensador:
uC (0) 7V

0.- Circuito equivalente de intervalo. Anlisis de semiconductores.
Cuando uGS=15V el MOSFET
conducir. En cualquier caso, su
corriente siempre ser igual o inferior
a 15/10=1,5A, por lo que siempre
estar en zona resistiva:
RDS
Cuando uGS=0V el MOSFET

estar en corte.
0,5
0,05
10
50m
15V
10
10F
10
40
15V
40
10F
2.1 Metodologa de anlisis de circuitos de potencia
Primer intervalo
1.- Planteamiento de ecuaciones diferenciales.
50m
15V
10
R TH
40
4010
8
10 40
40
VTH 15V
12V
10 40
10F
8
12V
1
VTH
C
1
uC
C
iC (t)dt
iR 40 (t)
uC (t)
R 40
iMOS (t) iC (t) iR40 (t)

uMOS (t) 15V uC (t) iMOS (t)10
10F
iC (t)dt R THiC (t)
iC(t)
Primer intervalo
2.-Resolucin de las ecuaciones diferenciales.

8
12V
1
uC
C
10F
1
VTH
C
iC (t)dt
du (t)
VTH uC (t) R THC C
dt
iC (t)dt R THiC (t)
Solucin de la ec. diferencial lineal.

uC (t) uC () uC () u0 (0)e
iC (t) iC () iC () i0 (0)e
RC
uC (t) 12 12 7e
iC (t) 0 0 e
8
Constante de tiempo. Se mide en segundos
Conocidos UC(t) e iC(t), se vuelve al circuito previo (antes de aplicar Thevenin) y se

pueden calcular el resto de magnitudes.
Primer intervalo
3.- Validez del circuito equivalente.

uGS
f=40kHz
d=0,25
15V
Transcurrido el lapso dT, el circuito deja

de ser vlido. Se calcula la tensin en el
condensador en el instante de cambio.
Este valor ser el considerado como
inicial en el siguiente intervalo.
dT
uC (dt) 12 5e
dt
RTH C
7,38V
El resto de valores en el instante final tambin pueden calcularse, pero no se

trasladan al siguiente periodo.
Segundo intervalo
1.- Planteamiento de ecuaciones diferenciales.

dT t T
10
15V
40
40
10F
0 t' T(1 d)
t' t dT
1 t'
0 iC ( t' )dt' R THiC ( t' )
C 0
uC (0) 7,38V
10F
2.- Resolucin de las ecuaciones diferenciales.

uC ( t' ) uC () uC () u0 (0)e
iC ( t' ) iC () iC () i0 (0)e
t'
t'
uC ( t' ) 0 0 7,38e
t'
t'
7,38
iC ( t' ) 0 0
e
40
iMOS (t' ) 0
uC ( t' )
R 40
uMOS (t' ) 15V uC (t' )
iR 40 ( t' )
3.- Validez del circuito equivalente.

dT t T
uC ( t' ) uC ( t dT) 7,38e
t dT
R TH C
uC (T) 7,38e
T dT
R TH C
7V

4.- Representacin grfica de resultados
uGS
15V
T
dT
f=40kHz
d=0,25
t
uC
7,38V
7V
iC
t
625mA
578mA
t
-176mA
-184mA
Ejemplo 2.
445H
15V
iD
MOSFET
10A
UGS=15V
5A
UGS=10V
UGS=5V
10
uGS
IDEAL
2A
0,5V
uGS
15V
f=40kHz
d=0,25
t
dT
uDS
corriente y tensin del MOSFET y en la
resistencia de salida con la condicin
inicial en la bobina:
iL (0) 0,5A
Qu parmetro se modificara, y en qu sentido, si

se quiere disminuir el rizado en la tensin de salida?
2.2 Resolucin de ecuaciones diferenciales
Ejemplo 3.
D
corriente con la condicin inicial:
ug(t)
iL (0) 0
teniendo en cuenta que:
ug (t) UMsen(t)
Resolucin: El componente no lineal, diodo, puede tomar dos estados diferentes
D
Diodo
conduciendo
Diodo sin
conducir
ug(t)
ug(t)
diL (t)
UMsen(t) L
RiL (t)
dt
Dos ecuaciones
diferenciales
iL (t) 0
L
R
Diodo conduciendo
0.- Suponiendo tensin de entrada positiva en el 1er periodo.
U M sen t L
d iL ( t )
R iL ( t )
dt
Ecuacin diferencial de 1er orden
1.- Solucin homognea
iLH ( t ) k
t
e
2.- Una solucin particular: la solucin permanente.

iLF ( t )
UM
s en t
Z
Z R 2 L
Arctg
L
R
3.- La solucin general es la suma de ambas.

iL ( t ) k
t
e
UM
sen t
Z
4.- Condicin inicial.

U
iL ( 0 ) 0 k M sen
Z
U
iL ( t ) M
Z
e sen sen t

5.- Entorno de validez de la solucin
U
iL ( t ) M
Z
e sen sen t slo si i ( t ) 0

L
U M s e n t
UM
Z
iLH
iL
t
iLF
Cuando iL(t) se hace negativa la 1 ecuacin diferencial deja de tener

validez y se aplica la 2: iL(t)=0
Ejemplo 4.
Circuito de bloqueo forzado para apagado de un tiristor.

TP
ICC
a) Mientras el tiristor de potencia, TP, conduce, el diodo D

est polarizado inversamente.
b) Se supone que la tensin del tiristor de potencia, TP, es
despreciable frente a V0.
D
V0
TA
c) Para bloquear el tiristor de potencia, se dispara el

tiristor auxiliar, TA, por el que circular corriente al estar C
convenientemente cargado.
L
Condiciones iniciales
TP
ICC
iL ( 0 ) 0
u C (0 ) V 0
D
V0
Ecuacin diferencial
1
V0
C
iL ( t ) dt L
d iL ( t )
R iL ( t )
dt
TA
R
L
IL

0.- Derivando la ecuacin diferencial:
d 2 iL ( t )
d t2
d iL ( t ) iL ( t )
0
dt
C
Ecuacin diferencial de 2o orden
1.- Solucin homognea

1
LD 2 R D 0 D
C
R: Resistencia
parsita
iLH ( t ) e
Si
R t
2 L k
R R 2 4L
2L
C R R 1
2L
2
L
LC
1
R
1
1,2
; 1,2
LC
2L
LC
1 sen( 0 t ) k 2 cos( 0 t ) , con 0
R 0 1, 2 0 ;
iL H ( t ) k 1 s e n ( 0 t ) k 2 c o s ( 0 t )
Respuesta
subamortiguada
1
LC
No habra coeficiente de amortiguamiento:

0 pulsacin de resonancia.

2.- La solucin forzada: (la solucin de permanente)
iL F ( t ) 0
3.- La solucin general es la suma de ambas.

iL ( t ) iL H ( t ) iL F ( t )
4.- Condiciones iniciales.

4.1
4.2
iL ( 0 ) 0 e
R 0
2L
k 1 s en 0 k 2 c os 0 k 2 0
V C ( 0 ) V L ( 0 ) R iL ( 0 ) V 0 L
d iL
dt
R 0
t0
R t
R t
R
L
2
L
V0 L
e
k 1sen 0 t e
k 1 0 cos 0 t V0 Lk 1 0
2L
t0
SOLUCIN
FINAL:
iL ( t ) e
Rt
2L
V0
sen( 0 t )
L0

5.- Entorno de validez de la solucin
iL ( t ) e
iLMA X
IC C iL
Rt
2L
V0
sen( 0 t )
L 0
iL
t
Apagado del
tiristor de
potencia
Apagado del tiristor auxiliar
El tiristor de potencia se apaga cuando

El tiristor no se apaga nunca si
IC C iL ( t ) 0
IC C iL M A X
El apagado se controla eligiendo los valores de L y C.

El diodo descarga la bobina evitando sobretensiones. Cuando el diodo conduce, las
ecuaciones del circuito no varan hasta que iL(t)=0, cuando se apaga el tiristor auxiliar.
2.3 Transformada de Laplace

Mtodo alternativo para la resolucin de ecuaciones diferenciales de forma algebraica.
Condiciones
iniciales
Ecuaciones
diferenciales
del circuito
Solucin en el
dominio del
tiempo
Transformada de
Laplace
Ecuaciones
Algebraicas
Resolucin de
ecuaciones
algebraicas
Antitransformada de
Laplace
Solucin de la
transformada
Ejemplo 4.
R
VDC
Resolucin de una ecuacin diferencial

empleando la transformada de Laplace.
Condiciones iniciales:
V0 C
i( 0 ) I 0 V C ( 0 ) V C 0
Resolucin
0.- Ecuacin diferencial.
Ecuaciones diferenciales
1 t
i(t)dt V C 0
C 0
VD C
d i(t)
L
R i(t)
dt
VD C
s
L s I( s ) L I0 R I( s )
1.- Transformada de Laplace.

Ecuaciones algebraicas
I( s )
VC 0
C s
s

2.- Resolucin de las ecuaciones algebraicas.
I( s )
V VC 0 LI0 s
1
Ls 2 R s
C
Solucin algebraica
3.- Antitransformada de Laplace.

sa
(s a )
2
e - at cos t
(s a )
2
L - 1 k F ( s ) k L - 1 F ( s )
I( s )
V V C 0 L I0 s
Ls Rs 1 C
2
k1
e - at sen t
L - 1 F ( s ) G ( s ) L - 1 F ( s ) L - 1 G ( s )
sa
s a
k2
s a 2 2
SOLUCIN EN EL DOMINIO TEMPORAL:
i( t ) k 1 e a t c o s ( t ) k 2 e a t s e n ( t )
R
2L
1
R2
LC 4L2
k 1 I0
k2
1 V VC 0
a I0

2.4 Ondas peridicas

Las formas de corriente y tensin en rgimen permanente son ondas peridicas.
t1
t2
t3
Intervalos
T
Cada intervalo est descrito por su propio conjunto de ecuaciones diferenciales.
Valor medio
T
1
I 0 i (t ) dt
T 0
Valor eficaz
T
1
2
Ie
i
(
t
)
dt
T 0
Valor eficaz de la
componente alterna
Factor de cresta
Factor de forma
Ie
FF
I0
FC
Factor de rizado
Ip
Ie
Potencia instantnea
AC sinusoidal
Potencia
media o activa
Potencia de continua
Potencia aparente
Factor de potencia
Potencia activa
P0 V0 I 0
PAC V E I E cos
Factor de potencia
FP cos
Potencia reactiva
PRE V E I E sin
Potencia vectorial
PV Ve I e
PV PAP
PV PAC jPRE
RMS Values of Waveforms
Figure 1.17
RMS Values of Waveforms

ciclo de trabajo
duty cycle
Figure 1.17
40
2.4 Desarrollo en series de Fourier
f(t) f(t T )
Debe cumplirse que

Valor
medio
(perodo T)
A0
f (t )
AK cos K t B K sen K t
2 n 1
2 T
AK f (t ) cos K t dt K
T 0
2 T
B K f (t ) sin K t dt K N
T 0
Si K=1, componentes armnicas fundamentales.

Si K>1 componentes armnicos de orden superior
Puede emplearse notacin fasorial para cada armnico:
AK cos k t B K sen k t M K sin( k t K ) M K K
AK cos k t B K sen k t M K cos( k t K ) M K K
MK A B
2
K
2
K
AK
K arctan
BK
BK
K arctan
AK

Desarrollos usuales en electrnica de potencia
1.-Rectificacin completa:
2.-Rectificacin de media onda:

UM
UM
t
T
4 U m 1 1
1
c os 2t
c os 4 t ...
2 3
15
2
( corresponde a la onda sin rectificar)
T
f (t)
3.-Onda cuadrada:
f (t)
T
f (t)
Um
2
1 s en t c os 2t ...
2
3
2 ( corresponde a la onda sin rectificar)

T
UM
4 U m
4 U m
4 U m
s en t
s en 3 t
s en 5 t ...
3
5
-UM
T/2
T/2

En general, la amplitud disminuye al aumentar n, y puede despreciarse a partir de un n.
1er armnico
MK A B
2
K
2
K
2 armnico
3er armnico
f1
2f1
3f1
4f1
5f1
...
Potencia activa en funcin de los desarrollos en series de Fourier:

T
PAC
V1, P I1, P
1
v (t ) i (t ) dt V0 I 0
cos 1 V0 I 0 V1, E I1, E cos 1
T 0
2
K V , K I , K V E V02 V12,E V22,E I E I 02 I 12, E I 22, E

Distorsin armnica total (THD) de una seal sin valor de continua:
M 22 M 32 ... M n2
M E2
THD
1
2
M1
M 1, E
Potencia activa en funcin de los desarrollos en series de Fourier, para circuitos nolineales:
v t V1, P sin( t )
i t I 0 I K cos( K t K )
PAC
1
v (t ) i (t ) dt V1, E I1, E cos 1
T 0
K 1
I1,E
Factor de Potencia:
PAC V1, E I1, E cos 1 I1, E

FP
cos 1
PAP
V1, E I E
IE
I1, E
IE
1 THD 2
Factor de Distorsin:
Factor de Desplazamiento:
IE
cos 1
Si las seales son peridicas, la tensin media en una bobina

es nula y la corriente media en un condensador es nula
T
i L(t T)
V (t)
i L(t 0) L dt
L
0
T
v C(t T)
iC (t)
v C(t 0)
dt
C
0
IL
i L(t T) i L(t 0)
v C(t T) v C(t 0)
rgimen
permanente
V0
V0
+
vL =0
1
VL (t)dt 0
T0
T
iC = 0
VC
Circuito en
I0
1
iC (t)dt 0
T0

Types of Power Devices

DISPOSITIVOS PASIVOS
Magnticos
BOBINAS
TRANSFORMADORES
Capacitivos
CONDENSADORES
DISPOSITIVOS ACTIVOS
No controlados
DIODOS
Con control de encendido
TIRISTORES
Con control total
TRANSISTORES
Voltage and Current Waveforms
Figure 1.10
Baja disipacin de potencia en

conduccin
Capacidad de manejar mucha
corriente trabajando como
interruptores cerrados (corrientes
directas grandes)
Cadas de tensin directa
pequeas
Baja disipacin de potencia en

bloqueo
Capacidad de manejar mucha
tensin inversa (en bloqueo)
Corriente de fugas lo ms pequea

posible
En caso de semiconductores
controlados, interesa rapidez y
sencillez de control
Interesa capacidad de
soportar temperaturas altas
Devices Symbols and Characteristics
Table 1.3
Devices Symbols and Characteristics
Table 1.3
Control Characteristics of Devices
Figure 1.9
Control Characteristics of Devices
Figure 1.9
Switching Characteristics
Table 1.4
Dr. M.H. Rashid
Power Ratings of Devices
Figure 1.7
Ratings of
Power
Devices
Table 1.2
Applications of Power Devices
Figure 1.8

PROTECCIN TRMICA DE SEMICONDUCTORES
Introduccin
Los semiconductores no son ideales, por lo que al manejar corriente
disipan potencia
La disipacin de potencia se traduce en un aumento de temperatura
El silicio (Si) pierde sus propiedades semiconductoras por encima de 150
C
Debemos asegurar por diseo que esto no va a suceder
La evacuacin de calor desde el interior del dispositivo hasta el ambiente

depende enormemente del encapsulado utilizado
Cada modelo tiene unas caractersticas geomtricas que le
proporcionan una cierta capacidad de evacuar calor
En caso de que el propio encapsulado no sea suficiente para evacuar
todo el calor, es necesario utilizar algn sistema para mejorar la
transferencia: LOS RADIADORES
Encapsulados
D 61
TO 220 AC
DOP 31
DO 5
TO 247
B 44
En general, cuanto ms grandes son y cuanto ms superficie metlica

tienen, ms grande es la capacidad de evacuacin de calor
Equivalente elctrico
RTHjc
RTHca
c
P
(W)
Si
P
(W)
Ta
ambiente
oblea
Ta : Temperatura ambiente
c
encapsulado
Tensiones = Temperaturas
Corriente = Prdidas (W)
Curva de reduccin de Potencia.

Muestra la potencia mxima que es capaz de disipar el dispositivo en funcin de la temperatura del
encapsulado. La pendiente de la recta es la inversa de la resistencia unin contenedor.
Figure 10.3 Power derating curve. See Example 10.2.

2000 Prentice Hall Inc.
La resistencia trmica oblea encapsulado es baja ( 0.5 C/W)

La resistencia trmica encapsulado- ambiente es alta ( 50 C/W)
RTHca
RTHjc
(0.5 C/W)
j
Tjc
P
(1W)
(50 C/W)
Tca
Ta
(25 C)
Tca = RTHcaP = 50C/W 1W = 50C
Tjc = RTHjcP = 0.5C/W 1W = 0.5C

Tj = Ta + Tca + Tjc =
= 25 + 50 + 0.5 = 75.5 C
Tj < 150 C
Correcto
La temperatura de la unin es prcticamente la temperatura del encapsulado

El salto trmico se produce entre el encapsulado y el ambiente
Para reducir la temperatura se puede colocar un radiador
Proporcionamos un camino de salida alternativo al calor
Equivale a conectar una resistencia en paralelo con la RTHca
La RTH del radiador debe ser baja en comparacin con RTHca para
que sea efectivo
R THeq
Ejemplo: RTHra = 5 C/W
RTHjc
(0.5 C/W)
RTHca
(50 C/W)
R THca R THra
550
4.5 C / W
R THca R THra 5 50
Tca = RTHeqP = 4.5C/W 1W = 4.5C

Tjc = RTHjcP = 0.5C/W 1W = 0.5C
c
P
(1W)
Tj = Ta + Tca + Tjc =
RTHra
(5 C/W)
= 25 + 4.5 + 0.5 = 30 C
Ta
(25 C)
Sin radiador, Tj = 75.5C

Modelos de radiadores
Hay modelos ms pequeos adaptados para ciertos

encapsulados: TO-220, TO-247, etc
Los radiadores grandes se venden en barras de 1 2 metros
El diseador debe cortar la longitud que le interesa

La resistencia trmica depende de la longitud
El fabricante proporciona una curva con la RTH de cada perfil en
funcin de la longitud
La curva es asinttica: a partir de una cierta longitud, por mucho

que la aumentemos no disminuye la RTH
Unin del semiconductor al radiador

El los semiconductores, la parte metlica suele ser el ctodo o el drenador del
dispositivo
Esto implica que cuando el circuito est funcionando hay tensin en esa parte
metlica
Si unimos directamente el semiconductor al radiador, al haber contacto
elctrico, el radiador queda conectado al mismo valor de tensin
400 V
400 V
Tpicamente, los radiadores son fcilmente accesibles
para el operario
Resulta peligroso que estn conectados a tensin
400 V
Hay que interponer una capa aislante

Atencin al sistema de fijacin
Un tornillo metlico es una conexin elctrica. Se

rompe el aislamiento
Se utilizan arandelas de plstico

para evitar el contacto elctrico

La lmina aislante interpone tambin una resistencia trmica adicional
Dependiendo del material utilizado, la RTH vara
Mica de espesor 60 m: RTH : 1.4 C/W

Mica de espesor 100 m: RTH : 2.2 C/W
Almina de espesor 250 m: RTH : 0.8 C/W
Para mejorar el contacto trmico, se utilizan pastas de silicona que reducen
la resistencia trmica alrededor del 30%
RTHjc
RTHca
c
r
Radiador
Aislante
Ta
Para hacer el clculo de la

RTHra necesaria se puede
despreciar la resistencia del
propio dispositivo (RTHca)
Factores que afectan a la RTH

Posicin del radiador
La RTH del fabricante se especifica en posicin vertical.
En horizontal, el calor se evacua peor.

Se produce un efecto chimenea
El propio calor crea una corriente de aire
ascendente que mejora la refrigeracin
PEOR
En horizontal puede ser un 25% peor

MEJOR
Color del radiador
Cada color tiene un coeficiente trmico distinto
Hay varios colores de radiadores: negro, oro, aluminio
El mejor es el negro
El fabricante da coeficientes correctores de la RTH
Modelo
Rad 1203
RTH
K posicin vertical
5C/W
1.25
K color
1.1

Ventilacin
Para mejorar la capacidad de evacuacin de calor es posible utilizar
ventilacin forzada
Con esto se consigue reducir la resistencia termca
Atencin a la direccin del flujo de aire
CORRECTO
INCORRECTO

Ventilacin
El fabricante da una curva con el coeficiente a aplicar en funcin del
caudal de aire
A partir de un cierto caudal, tampoco se consigue disminuir la

resistencia trmica
Clculo dinmico de radiadores

Hasta ahora hemos supuesto que la potencia disipada era constante
Sin embargo, la potencia instantnea no suele serlo
P(t)
PMAX
PMED
Temp
Por tanto, la temperatura estar
variando en torno a un valor medio
Qu valor de potencia debo utilizar para el dimensionamiento del

radiador?

Las prdidas se producen en la oblea de silicio
Al tener poca masa, su inercia trmica es muy pequea y puede cambiar
de temperatura rpidamente
El radiador tiene mucha masa con lo que su inercia es mucho mayor y los
cambios de temperatura son mucho ms lentos
Para modelar correctamente el comportamiento, se deben incluir
condensadores para simular las inercias de los elementos
a
c
Una inercia grande se simulara

con un condensador grande
r
Ta

En la prctica, se utiliza un mtodo simplificado
El fabricante proporciona unas curvas de impedancia trmica transitoria
ZTHt
PMAX
PMedia
D = 0.3
Zt
t1
t1
D = t1/T
Se plantean 2 circuitos:
j
Zt
PMAX
Tenemos 2 ecuaciones
con 2 incgnitas:
TC y RTHra
TC ?
RTHra?
PMedia
Ta

Curvas reales de la impedancia transitoria de un MOSFET
Hay una curva para cada valor de ciclo de trabajo

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Electrnica de Potencia: Conjunto de tcnicas basadas en semiconductores para

Mejor comportamiento elctrico (respuesta ms rpida,

Carencia casi total de mantenimiento.

En Europa y EE.UU. se estima que ms del 50% de la energa es suministrada a

Baja potencia: <100W

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EEL 4242 by M .H. Rashid

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Vo1( rms fundamental )

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Medir magnitudes del

Funciona con niveles

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Metodologa de anlisis de circuitos de potencia

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Clculo del instante en el

Metodologa de anlisis de circuitos de potencia

Metodologa de anlisis de circuitos de potencia

Cuando uGS=0V el MOSFET

2.1 Metodologa de anlisis de circuitos de potencia

1.- Planteamiento de ecuaciones diferenciales.

iMOS (t) iC (t) iR40 (t)

iC (t)dt R THiC (t)

2.1 Metodologa de anlisis de circuitos de potencia

2.-Resolucin de las ecuaciones diferenciales.

iC (t)dt R THiC (t)

Solucin de la ec. diferencial lineal.

Constante de tiempo. Se mide en segundos

Conocidos UC(t) e iC(t), se vuelve al circuito previo (antes de aplicar Thevenin) y se

2.1 Metodologa de anlisis de circuitos de potencia

3.- Validez del circuito equivalente.

Transcurrido el lapso dT, el circuito deja

El resto de valores en el instante final tambin pueden calcularse, pero no se

2.1 Metodologa de anlisis de circuitos de potencia

1.- Planteamiento de ecuaciones diferenciales.

2.- Resolucin de las ecuaciones diferenciales.

3.- Validez del circuito equivalente.

uC ( t' ) uC ( t dT) 7,38e

2.1 Metodologa de anlisis de circuitos de potencia

2.1 Metodologa de anlisis de circuitos de potencia

Qu parmetro se modificara, y en qu sentido, si

2.2 Resolucin de ecuaciones diferenciales

teniendo en cuenta que:

2.2 Resolucin de ecuaciones diferenciales

0.- Suponiendo tensin de entrada positiva en el 1er periodo.

Ecuacin diferencial de 1er orden

1.- Solucin homognea

2.- Una solucin particular: la solucin permanente.

3.- La solucin general es la suma de ambas.

4.- Condicin inicial.

2.2 Resolucin de ecuaciones diferenciales

e sen sen t slo si i ( t ) 0

Cuando iL(t) se hace negativa la 1 ecuacin diferencial deja de tener

2.2 Resolucin de ecuaciones diferenciales

Circuito de bloqueo forzado para apagado de un tiristor.

a) Mientras el tiristor de potencia, TP, conduce, el diodo D