MTODOS ELCTRICOS DE PROSPECCIN

PROSPECCIN ELCTRICA
POR CORRIENTE CONTINUA

PROSPECCIN ELCTRICA POR CORRIENTE CONTINUA

CAMPO ELCTRICO EN UN MEDIO CONTINUO
En Prospeccin Geoelctrica se trabaja con campos que actan en medios continuos
tridimensionales. Para simplificar matemticamente los problemas que se dan en la realidad,
se suponen a los medios compuestos por zonas istropas y homogneas separadas por
superficies planas.
En primera instancia se plantear el problema para el caso ms simple de un subsuelo
constituido por un semiespacio de resistividad por el que se hace circular una corriente
elctrica (continua) entre dos electrodos de corriente A y B (fig. 20), designando a la corriente
que penetra en el terreno por A como IA y a la que sale del terreno por B como IB.
Como el rgimen es estacionario:

A
IA
A

IA + IB = 0

IB
B

y el campo elctrico E generado ser conservativo y

por consiguiente, irrotacional:
E = 0
por lo que existir un potencial escalar U tal que:

E = U

(27)

Fig. 20: Medio homogneo e istropo

Adems, deben cumplirse tanto la Ley de Ohm ( J = E ) como la ecuacin de

continuidad para la corriente (salvo en los puntos ocupados por los electrodos):
J = 0
Reemplazando en esta ltima las dos ecuaciones anteriores:

(E ) = E + E = U = 0
de modo que:

2U = 0

(28)

Ecuacin que muestra que el potencial U debe cumplir con la ecuacin de Laplace en
todo el semiespacio conductor, salvo en los puntos de energizacin (donde estn los
electrodos). Y si el medio est constituido por zonas homogneas e istropas de diferente
resistividad, tampoco en las superficies de discontinuidad
Resolver la ecuacin (28) conduce a obtener la distribucin del potencial en superficie,
Aunque el problema se estudiar slo para modelos muy simplificados respecto de los que
puedan encontrase en la realidad.
En el caso del medio nico de resistividad , conviene considerar un entorno del
electrodo A suficientemente pequeo o imaginar que B est infinitamente alejado, en tales
condiciones las lneas de corriente en las proximidades de A, sern radiales y divergentes y las
superficies equipotenciales sern semiesfricas.
Por simetra, la densidad de corriente J tendr el mismo valor en cualquier punto de
una semiesfera de radio r con centro en A, por donde se introduce en el terreno una corriente I
(fig. 21).

23

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De modo que:

2 r 2 J = I
I
r
J = E =
2 r 2
I
I
E =
=
(29)
J
2
2 r 2
2 r
J
J
Es decir, a una distancia r del electrodo puntual

por donde ingresa en el terreno la corriente I, el campo

elctrico es inversamente proporcional al cuadrado de
Fig. 21: Electrodo puntual
la distancia r.
A partir de la Ec. (29) se puede calcular la diferencia de potencial entre dos puntos M y
N del medio conductor (fig. 22) ubicados a distancias r1 y r2 , respectivamente, de A.
A

UM
N = E.dl

A
r2

M N

y remplazando en esta el valor de E dado por la ec. 29:

r1

UM
N =

I r2 dr I 1 1
=
2 r1 r 2 2 r1 r2

(30)

que si N se traslada a una distancia infinitamente

grande:

Fig. 22: Superficies equipotenciales

UM =

I 1 e
=
2 r1 r1

(31)

Expresin del potencial absoluto en M y donde e se conoce como emisividad. En

general, si hay ms de una fuente:
U=

Ii

2 ri

(32)

La Ec. (32) es solucin de la ecuacin de Laplace considerando un medio

homogneo e istropo de resistividad .

CONDICIONES DE CONTORNO
El siguiente paso es considerar un subsuelo compuesto por varias zonas, igualmente
homogneas e istropas, pero de distinta resistividad. En cuyo caso, para resolver la ecuacin
de Laplace, habr que encontrar primero las ecuaciones de borde o condiciones de contorno.
En primer lugar: si M y N son puntos situados en
diferentes medios (fig. 23), al tender MN a cero, UMN
tambin lo hace ya que:

M
lim U N = lim E.dl = 0
MN 0
MN 0

(33)

Puesto que E est acotado. Esta ecuacin implica que al

pasar de un medio a otro el potencial mantiene su
continuidad.

M
N

Fig. 23: Continuidad del potencial

24

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Por otra parte, qu pasa con las lneas de corriente y las equipotenciales? Para
averiguarlo conviene comenzar por ver que es lo que ocurre con las componentes
transversales y longitudinales de la densidad de corriente y del campo en tales circunstancias:
1. Si se considera un cilindro corto con bases paralelas a la superficie de separacin entre los
dos medios y ubicadas una en cada medio (fig. 24) al tender su altura a cero y siendo nulo
el flujo de corriente a travs de l resultar:

J 1

J1 = J 2

1E1 = 2 E 2
2

J 2

Las componentes normales de la densidad de

corriente son continuas, no as las componentes
Fig. 24: Continuidad de J en el lmite entre normales del campo elctrico
dos capas.

2. Por otra parte, tomando un rectngulo de pequea altura y bases paralelas a la superficie de
separacin y ubicadas a un lado y otro de ella (fig 25), de acuerdo con el teorema de Stokes
tendremos:

E.dl = Eds = 0

EII1

E1II = E 2II

J1II J 2II
=
1 2

2
II

Las componentes tangenciales del campo elctrico

son continuas, no as las componentes tangenciales
Fig. 25: Continuidad deEII en el lmite entre
de la densidad de corriente.
dos capas.

Atendiendo a estas condiciones ocurrir lo de la fig. 26, donde se observa que tanto las
lneas de corriente, como las equipotenciales, sufren refraccin al pasar de un medio a otro:

J 1

1
II

1 tg 1 = 2 tg 2
2

tg 1 J II1 J 2 J 1II 1 2
=
= 2 =
=
tg 2 J 1 J II2
J II 2 1

J 2
J II2

(34)

Para las lneas de corriente.

1c tg 1 = 2 c tg 2

(35)

Para las equipotenciales

Fig. 26: Refraccin de las lneas de corriente

Si el primer medio (el de resistividad 1) es la primera capa del terreno, entonces, en

0
1
su techo ser: J = J = 0 , lo que implica que en la superficie del terreno las nicas
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componentes, tanto de la densidad de corriente como del campo elctrico, son las paralelas a
ella y en consecuencia las superficies equipotenciales son perpendiculares a dicha superficie.
DISPOSITIVOS O CONFIGURACIONES ELECTRDICAS
Se denominan as a las agrupaciones de electrodos, en general cuatro, que se designan:
A y B a los de corriente y M y N a los de potencial, que se emplean para las mediciones de la
resistividad. En principio pueden adoptar cualquier conformacin (fig. 27), mediante la que es
posible calcular mediante una frmula del tipo

V
=K
I

(36)

donde K (en metros) es la constante

geomtrica del dispositivo

M
A

N
Fig. 27: Dispositivo tetraelectrdico

En el caso ms general y teniendo en cuenta la Ec. 30 se tendr que:

V =

I 1
1
1
1

2 AM BM AN BN

(37)

y por tanto:
1
1
1
1
= 2

AM BM AN BN

V
I

(38)

PRINCIPIO DE RECIPROCIDAD
Si en el circuito anterior se truecan los electrodos de corriente por los de potencial (fig
28), se obtiene para la resistividad aparente la misma ecuacin anterior.
N

A
M

No obstante, este dispositivo

tericamente til, puede no ser factible de
llevar a la prctica si la distancia que separa
a los electrodos M y N es grande. Lo que
ocurrira si se aplicara este principio a los
dispositivos usuales.

Fig. 28: Tetrapolo equivalente

RESISTIVIDAD APARENTE
Tratndose de un medio homogneo e istropo, la Ec (38) permite calcular en
funcin de variables que pueden ser medidas. No obstante, por lo general, el medio sobre el
que se trabaja no es homogneo ni es istropo, por lo que a la resistividad calculada en estos
casos se conviene en denominarla resistividad aparente ( a ):

1
1
1
1
a = 2

AM BM AN BN

V
I

(39)

La resistividad aparente es una variable experimental que expresa los resultados de las
mediciones en la mayora de los mtodos elctricos.
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DISPOSITIVOS ELECTRDICOS LINEALES

En la prctica habitual, los electrodos AMNB se acomodan de modo que los
dispositivos de medicin sean fciles de manejar. Entre stos, los ms usados son los
dispositivos electrdicos lineales, en los que los cuatro electrodos se encuentran sobre una
misma recta, si adems se disponen simtricamente respecto del centro O del dispositivo se
tendr un dispositivo lineal y simtrico como el de la fig. 29. En cuyo caso resulta que:

V = U M
N =

I 1
1 I
a

=
r r + a r(r + a )

(40)

y a partir de ella y considerando que obtendremos una resistividad aparente tendremos:

A

a =

r(r + a) V
a
I

(41)

Fig. 29: Dispositivo lineal y simtrico

Si las distancias entre electrodos contiguos son iguales (Fig. 30), de modo tal que
AM = MN = NB = a se tiene el llamado dispositivo de Wenner
A

a = 2 a

O
a

V
I

(42)

Fig. 30: Dispositivo de Wenner

Por otra parte, si L = AO = OB y a 0 (Fig. 31) se tiene el dispositivo de

Schlumberger. Dispositivo lmite, irrealizable en la prctica pero con grandes ventajas
tericas
A

a 2 V
a = L2
4 Ia

O
L

(43)

a
Fig. 31: Dispositivo de Schlumberger

a 2 V
L2
V
E
a = lim L2
= lim
= L2
4 aI
I a 0 a
I
a 0

(44)

Si bien en teora se supone que lo que realmente se mide es E, en la prctica se usa la

Ec. (43) o la siguiente:
a = L2

V
aI

(45)

27

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Con un valor de a suficientemente pequeo como para que la Ec. (45) sea vlida, por
lo que en las mediciones de campo se impone que MN AB/5.
Al utilizar tales expresiones se comete un error que proviene de despreciar a2/4. en
cuyo caso el error relativo ser:

a2

L2 L2
2
4 a

= = 4%
L2
2L

(46)

DISPOSITIVOS TRIELECTRDICOS
Cuando el electrodo B se lleva a gran distancia (B en infinito) de modo que no influya
sobre el valor de V observado, se tiene un dispositivo trielectrdico cuya constante
geomtrica K es doble a la del dispositivo base
A

a = 2L2

medio
Schlumberger

V
Ia

(47)

Fig. 32 DispositivoMedio Schlumberger

DISPOSITIVOS DIPOLARES
En estos dispositivos AB y MN son pequeos en comparacin con la distancia que los
separan, en consecuencia pueden ser considerados como dos dipolos cuya posicin mutua
puede ser cualquiera. En la prctica se emplean las siguientes configuraciones:
M

p a r a le lo
A
x

a z im u ta l

B
x
M

M
A
x

p e r p e n d ic u la r

A
x

B
x

x
A

x
B

r a d ia l

Fig. 33: Dispositivos dipolares bsicos

Las ecuaciones para el clculo de la resistividad aparente con cada uno de estos
dispositivos, se obtendrn en el captulo correspondiente.
Dos casos particulares, combinaciones de los anteriores, denominados ecuatorial y
axil, son los ms empleados en la prctica.

28

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A
x

B
x

axil
x
A

x
B

ecuatorial
Fig. 34: Dispositivo dipolares especiales

DISPOSITIVOS COMPUESTOS
Derivan de los dispositivos ordinarios por la adicin de algn electrodo y se utilizan
generalmente en calicatas elctricas. Si tienen ms de un electrodo de potencial se conocen
como dispositivos de agrupacin y si el o los electrodos adicionales son electrodos de
corriente dispositivos apantallados.
Dispositivos de Agrupacin

M P N

Para un dispositivo como el de la

fig. 35, y siendo el medio homogneo:

(V )

= (V )N
P

(48)
que no se cumplir en presencia se
heterogeneidades del subsuelo.
P

medio homogneo
Fig. 35: Dispositivo de agrupacin

Cuando el dispositivo base es el de Wenner, el dispositivo anterior es conocido como

dispositivo de Lee (Orellana y Mooney, 1966)
A

M P N

Cuando el dispositivo base es

trielectrdico, P no debe colocarse en el
centro de MN puesto que debe cumplirse
que:

MP AM
=
PN AN

Fig. 36: Dispositivo de agrupacin trielectrdico

La idea bsica para el uso de estos dispositivos es la de comprobar la homogeneidad

lateral del terreno o detectar sus heterogeneidades.
Dispositivos Apantallados
Una modalidad de este tipo se tiene
Q
cuando A y B se conectan al mismo polo
del generador y el otro polo a un electrodo
Q de infinito, a tal dispositivo suele
denominarse como homopolar o unipolar.
Cuando el medio es homogneo deber ser:

(V )

M
N

=0

medio homogneo

Fig. 37: Dispositivo homopolar

29

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Una variante de este dispositivo es aquel en el que por el electrodo adicional Q circula
una fraccin nI de la corriente total

-I

+ nI
A

+ (1-n)I
B

medio homogneo
Fig. 38 Dispositivo apantallado

V =

I 1
1 n
n
1
1 n
n

+
+

2 AM BM QM AN BN QN

(49)

Hay un valor de n que anula a V, se tiene entonces un dispositivo de cero.

30