Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
ANTON MANOLESCU
COSMIN POPA
ANALIZA I PROIECTAREA
CIRCUITELOR INTEGRATE ANALOGICE
VLSI CMOS
Culegere de probleme
Partea I
2006
CUPRINS
1. Surse de curent...
2. Referine de tensiune.
53
CAPITOLUL I
Surse de curent
CAPITOLUL I
SURSE DE CURENT
INTRODUCERE
O surs de curent este un circuit care produce un curent independent de tensiunea de
alimentare, temperatur i rezisten de sarcin, cerinele principale impuse acestei clase de
circuite fiind: rejecie ridicat a sursei de alimentare, coeficient de temperatur redus, impedan
de ieire ridicat i domeniu extins al tensiunii de ieire. Reducerea dependenei de tensiunea de
alimentare se realizeaz prin autopolarizarea sursei de curent elementare, minimizarea
coeficientului de variaie cu temperatura al curentului de ieire este posibil prin implementarea
unor tehnici de corecie a caracteristicii de temperatur a curentului de ieire, n timp ce creterea
rezistenei de ieire a sursei de curent se obine prin proiectarea unor circuite de tip cascod.
Dezavantajul acestor circuite este creterea tensiunii minime de ieire a sursei de curent, fiind
necesar realizarea unui compromis ntre V0 min i R0 , de obicei realizat prin proiectarea unor
surse de curent cascod modificate prin polarizarea tranzistorului inferior al structurii la limita de
saturaie.
Parametrii surselor de curent
Curentul de ieire I O (A)
Rezistena de ieire RO ()
Tensiunea minim de ieire V O min (V) reprezint valoarea minim a tensiunii de ieire pentru
care sursa de curent funcioneaz corect
Coeficientul relativ de variaie cu temperatura TCR ( ppm / K ) reprezint variaia relativ a
curentului de ieire n raport cu variaia temperaturii:
TCR =
1 dI O
T dT
S I DD =
O
dI O / I O
dI O
V
= DD
dV DD / V DD
I O dV DD
CAPITOLUL I
Surse de curent
PROBLEME
Problema 1.1
Se consider oglinda de curent MOS din Figura 1.1. S se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieire I O , neglijndu-se efectul de modulare a lungimii canalului
V
VDD
VO
RO
IO
I
T2
T1
Figura 1.1
Rezolvare
a. Neglijarea efectului de modulare a lungimii canalului conduce la obinerea urmtoarei
relaii ntre curenii I i I 0 :
I=
K
(VGS 1 VT )2 = K (VGS 2 VT )2 = I O
2
2
2
(1.1)
CAPITOLUL I
Surse de curent
V DD = I O R + VGS 1
IO =
(1.2)
K
(VGS 1 VT )2
2
(1.3)
rezultnd:
V DD =
KR
(VGS 1 VT )2 + VGS 1
2
(1.4)
(VGS 1 )1,2
= VT
1
1
1 + 2 KR(V DD VT )
KR KR
(1.5)
Deoarece funcionarea n saturaie a tranzistoarelor din circuit impune VGS 1 > VT , doar
prima soluie corespunde funcionrii reale a circuitului din Figura 1.1:
VGS 1 = VT
1
1
+
1 + 2 KR (V DD VT
KR KR
(1.6)
1
KR 2
[1 + KR(V DD VT )
1 + 2 KR (V DD VT )
(1.7)
SVIDD =
O
VDD dI
IO dVDD
(1.8)
dI O
dV
+ GS 1
dV DD dV DD
(1.9)
i:
dV
dI O
= K (VGS 1 VT ) GS 1
dV DD
dV DD
(1.10)
dI O
dI O
= K (VGS 1 VT ) 1 R
dV DD
dV DD
(1.11)
CAPITOLUL I
Surse de curent
i, deci:
dI O
K (VGS 1 VT )
=
dV DD 1 + KR(VGS 1 VT )
(1.12)
V
Expresia S I DD devine:
O
S VIDD =
O
2VDD
1
VGS 1 VT 1 + KR(VGS 1 VT )
(1.13)
1
I O
(1.14)
2I O
K
(1.15)
(1.16)
Problema 1.2
Pentru oglinda de curent din Figura 1.1 se consider R = 100 k , V DD = 9V .
a. S se determine valorile curentului de ieire I O , rezistenei de ieire RO i tensiunii minime de
ieire VO min , considerndu-se pentru acest punct VO = 9V .
b. S se determine valoarea factorului de transfer I O ( I ) n ipoteza considerrii efectului de
modulare a lungimii canalului pentru VO = 2V i VO = 15V
c. S se determine valoarea sensibilitii curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de
V
alimentare, S I DD
O
4
CAPITOLUL I
Surse de curent
Rezolvare
a. Analiza manual presupune utilizarea relaiei (1.6) pentru determinarea tensiunii VGS 1 .
Se obine VGS 1 = 2,074V . Curentul de ieire se obine utiliznd relaia (1.3), corectat cu
factorul de corecie introdus de efectul de modulare a lungimii canalului,
1 + V DS 2 = 1 + VO = 1,027 , rezultnd I O = 71,08 A .
Rezistena de ieire a oglinzii de curent are valoarea:
RO =
1
= 4,69 M
I O
(1.17)
(1.18)
rezultnd 1 / RO I O = 0,003V 1 .
Simularea SPICE I O (VO ) este prezentat n Figura 1.2a.
Figura 1.2a
In urma simulrii se obin (pentru VO = 9V ):
RO =
I O = 69,5 A
(1.19)
V O
= 4,767 M
I O
(1.20)
CAPITOLUL I
Surse de curent
VO min 1,05V
(1.21)
Figura 1.2b
Valorile simulate ale factorului de transfer sunt 1,002 , respectiv 1,04 .
c. Utilznd relaia (1.13) a sensibilitii curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de
V
alimentare i nlocuind VGS 1 = 2,074V , rezult valoarea teoretic S I DD = 1,207 .
O
CAPITOLUL I
Surse de curent
Figura 1.2c
Centralizarea rezultatelor obinute n vederea comparrii rezultatelor teoretice cu cele
obinute n urma simulrii este realizat n Tabelul 1.1.
Tabelul 1.1
Param. Semnificaie
IO
RO
VOmin
IO/I
SIoVDD
Curent de
ieire
Rezisten de
ieire
Tensiune
minim de
ieire
Factor de
transfer
Sensibilitatea
IO fa de
variaiile VDD
Valoare
calcul manual
71,08A
Valoare
simulat
69,5A
Eroare
(%)
2,22
4,69M
4,767M
1,64
1,074V
1,05V
2,23
VO=2V
1,002
0,2
VO=15V
1,039
1,04
0,1
1,31
8,53
1,207
CAPITOLUL I
Surse de curent
Problema 1.3
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.3. S se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieire I O , neglijndu-se efectul de modulare a lungimii canalului
b. Rezistena de ieire RO
c. Tensiunea minim de ieire VO min
VDD
VO
RO
R1
IO
I
T2
T1
R2
R3
Figura 1.3
Rezolvare
a. Determinarea expresiei curentului I este posibil rezolvnd urmtorul sistem de 2 ecuaii
cu 2 necunoscute ( VGS1 i I ):
V DD = I ( R1 + R 2 ) + VGS 1
(1.22)
i:
I=
K
(VGS 1 VT )2
2
(1.23)
Soluia valabil pentru VGS1 este cea care corespunde funcionrii n saturaie a
tranzistorului T1 :
VGS 1 > VT
(1.24)
(1.25)
1
1
+
1 + 2 K ( R1 + R 2 ) (V DD VT
K ( R1 + R 2 ) K ( R1 + R 2 )
(1.26)
Valoarea tensiunii VGS 2 care permite determinarea curentului de ieire I O printr-o relaie
similar cu (1.25) reprezint soluia mai mare dect tensiunea de prag a ecuaiei urmtoare:
8
CAPITOLUL I
Surse de curent
VGS 1 +
KR
KR 2
(VGS 1 VT )2 = VGS 2 + 3 (VGS 2 VT )2
2
2
(1.27)
(1.28)
2I O
+ I O R3
K
(1.29)
Problema 1.4
Pentru sursa de curent din Figura 1.3 se consider R1 = 99 k , R2 = 1k , R3 = 2k ,
V DD = 9V . S se determine valorile curentului de ieire I O , rezistenei de ieire RO i tensiunii
minime de ieire VO min .
Rezolvare
Prelucrarea sistemului (1.22) (1.23) conduce la:
2
6VGS
1 11VGS 1 3 = 0
(1.30)
rezultnd VGS 1 = 2,074V , iar curentul I se obine utiliznd relaia (1.23), I = 69,208 A .
Determinarea curentului de ieire presupune rezolvarea ecuaiei (1.27) avnd ca necunoscut
tensiunea VGS 2 . Inlocuirea valorilor numerice implic:
2 + 76V
12VGS
2
GS 2 202,3 = 0
(1.31)
avnd soluia valabil VGS 2 = 2,019V , ceea ce conduce la un curent de ieire de valoare:
IO =
K
(VGS 2 VT )2 (1 + V DS 2 ) = 63,96 A
2
(1.32)
1
= 5,21M
I O
(1.33)
CAPITOLUL I
Surse de curent
i g m 2 = 2 KI O = 123,53A / V , rezultnd RO = 6 ,5 M .
Tensiunea
minim
1 / RO I O = 0,0026V
de
ieire
este
VO min = 1,15V
(relaia
(1.29)).
Se
obine
Figura 1.4
In urma simulrii se obin:
I O = 62,689 A
RO =
V O
= 5,83 M
I O
(1.34)
(1.35)
i
VO min 1,1V
deci valori foarte apropiate de cele obinute teoretic.
10
(1.36)
CAPITOLUL I
Surse de curent
Tabelul 1.2
Param. Semnificaie
IO
RO
VOmin
Curent de
ieire
Rezisten de
ieire
Tensiune
minim de
ieire
Valoare
calcul manual
63,96A
Valoare
simulat
62,689A
Eroare
(%)
1,99
6,5M
5,83M
10,3
1,15V
1,1V
4,35
Problema 1.5
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.5. S se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieire I O , neglijndu-se efectul de modulare a lungimii canalului
V
VDD
VO
RO
IO
R1
I
T2
T1
R2
Figura 1.5
Rezolvare
a. Expresia tensiunii VGS 1 se va determina ntr-un mod similar celui descris n problema 1.1,
rezultnd:
VGS 1 = VT
1
1
+
KR1 KR1
11
1 + 2 KR1 (V DD VT
(1.37)
CAPITOLUL I
Surse de curent
KR 2
(VGS 2 VT )2
2
(1.38)
soluia fiind valoarea tensiunii VGS 2 care corespunde funcionrii n saturaie a tranzistorului
T2 , deci VGS 2 > VT . Curentul de ieire va avea expresia:
IO =
K
(VGS 2 VT )2 (1 + V DS 2 )
2
(1.39)
S I DD =
O
V DD dI O
I O dV DD
(1.40)
(1.41)
dVGS 2
dV
dVGS 1 dVGS 2
=
+ KR 2 (VGS 2 VT ) GS 2 = 1 + R 2 2 KI O
dV DD
dV DD
dV DD
dV DD
(1.42)
dVGS 1
dV
dVGS 1
+ KR1 (VGS 1 VT ) GS 1 = 1 + R1 2 KI
dV DD
dV DD
dV DD
(1.43)
(1.44)
2V DD
1
1
VGS 2 VT 1 + KR 2 (VGS 2 VT ) 1 + KR1 (VGS 1 VT )
(1.45)
S I DD =
O
S I DD =
O
(1.46)
12
CAPITOLUL I
Surse de curent
VO min =
2I O
+ I O R2
K
(1.47)
Problema 1.6
Pentru sursa de curent din Figura 1.5 se consider R1 = 100 k , R2 = 1k , V DD = 9V ,
VO = 9V .
a. S se determine valorile curentului de ieire I O , rezistenei de ieire RO i tensiunii minime de
ieire VO min
b. S se analizeze calitativ caracteristica I O ( I ) considerndu-se R2 = 100 k
Rezolvare
a. Similar problemei 1.2, curentul I va avea valoarea I = 69,208 A , iar VGS 1 = 2,074V .
Rezolvarea ecuaiei rezultate din relaia (1.38):
2
6VGS
2 + 88VGS 2 201,4 = 0
(1.48)
conduce la soluia VGS 2 = 2,012V , deci un curent de ieire de valoare exprimat de (1.39):
I O = 63,1A
(1.49)
RO = 5,93 M
(1.50)
VO min = 1,08V
(1.51)
Rezult 1 / RO I O = 0,00266V 1 .
Simularea SPICE I O (VO ) este prezentat n figura urmtoare:
In urma simulrii se obin urmtoarele valori: I O = 62,689 A , RO = 5,83 M
VO min = 1,1V , deci valoari foarte apropiate de cele obinute teoretic.
13
CAPITOLUL I
Surse de curent
Figura 1.6a
Tabelul 1.3
Param. Semnificaie
IO
RO
VOmin
Curent de
ieire
Rezisten de
ieire
Tensiune
minim de
ieire
Valoare
calcul manual
63,1A
Valoare
simulat
62,689A
Eroare
(%)
0,65
5,93M
5,83M
1,69
1,08V
1,1V
1,85
(1.52)
echivalent cu:
I = R2 I O
Simularea SPICE a dependenei I O ( I ) este:
14
K
+ IO
2
(1.53)
CAPITOLUL I
Surse de curent
Figura 1.6b
Problema 1.7
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.7. S se determine expresia curentului de
ieire n condiiile considerrii efectului de modulare a lungimii canalului.
VDD
VO
I
IO
T1
T3
T2
Figura 1.7
Rezolvare
Valorile diferite ale celor dou tensiuni dren-surs pentru tranzistoarele oglinzii de curent
T2 T3 ( VDS 2 = VGS 2 = VGS i V DS 3 = VGS 1 + VGS 2 = 2VGS ) vor conduce la obinerea unor
valori diferite ale curenilor I i I O , consecin a efectului de modulare a lungimii canalului:
15
CAPITOLUL I
Surse de curent
K
(VGS 2 VT )2 (1 + V DS 2 ) 1 + V
IO
2 I
GS
2
=
1 VGS = 1 VT +
(1.54)
K
I
1 + 2VGS
K
2
(VGS 3 VT ) (1 + V DS 3 )
2
Problema 1.8
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.8a
a. S se determine expresia curentului de ieire n condiiile considerrii efectului de modulare a
lungimii canalului
b. S se determine expresiile rezistenei de ieire RO i tensiunii minime de ieire VO min
VDD
VO
RO
IO
T4
T1
A
T3
T2
Figura 1.8a
Rezolvare
a. Tranzistoarele T2 i T3 formeaz o oglind de curent, deci:
I O 1 + V DS 2
=
I
1 + V DS 3
(1.55)
2
R0 = rds1 1 + g m1 rds 2 g m rds
16
(1.56)
CAPITOLUL I
Surse de curent
2I
K
(1.57)
Problema 1.9
Pentru sursa de curent din Figura 1.8a se consider I = 100 A . S se determine valorile
curentului de ieire I O , factorului de transfer I O / I , rezistenei de ieire RO i tensiunii minime
de ieire VO min .
Rezolvare
Conform problemei 1.8, polarizarea tranzistoarelor T2 i T3 la tensiuni dren-surs de
valori apropiate conduce la o valoare a curentului de ieire I O I = 100 A i, deci, la o valoare
Figura 1.9
17
CAPITOLUL I
Surse de curent
Problema 1.10
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.10. S se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieire I O , neglijnd efectul de modulare a lungimii canalului
b. Rezistena de ieire RO
c. Tensiunea minim de ieire VO min
VDD
VO
RO
IO
T6
T3
A
T5
T2
T4
T1
Figura 1.10
Rezolvare
a. Tranzistoarele T1 i T4 formeaz o oglind de curent ideal cu V DS 1 V DS 4 VGS (v.
problema 1.8), deci, neglijnd efectul de modulare a lungimii canalului, se obine:
IO = I
(1.58)
(1.59)
18
(1.60)
CAPITOLUL I
Surse de curent
Problema 1.11
S se repete problema 1.9 pentru circuitul din Figura 1.10.
Rezolvare
Similar problemei 1.9 se obin: I O I = 100 A , deci I O / I 1 i o valoare a rezistenei de
ieire extrem de ridicat, RO = 886 G , limitat practic, prin alte mecanisme. Tensiunea minim
Problema 1.12
Se consider sursa de curent din Figura 1.12.
a. Ce expresie trebuie s aib potenialul VC pentru ca tranzistorul T1 s funcioneze la limit de
saturaie?
b. S se determine expresia tensiunii minime de ieire VO min pentru valoarea potenialului VC
dedus la punctul anterior
VDD
VO
T2
VC
IO
T1
Figura 1.12
Rezolvare
a. Potenialul VC trebuie s fie mai mare sau egal cu:
2I
K
(1.61)
19
2I
K
(1.62)
(1.63)
CAPITOLUL I
Surse de curent
Problema 1.13
Se consider sursa de curent din Figura 1.13. S se determine rezistena RC care asigur
minimizarea VO min .
VDD
I
VO
IO
RC
T2
VC
T4
T3
T1
Figura 1.13
Rezolvare
(1.64)
(1.65)
Toate tensiunile gril-surs fiind egale, din cele dou relaii anterioare se obine:
V
RC = T
I
(1.66)
Pentru
tranzistorul
T4 ,
tensiunea
dren-surs
are
expresia
V DS 4 = VGS 4 IRC = VGS 4 VT , deci funcionarea tranzistorului T1 la limita de saturaie
implic polarizarea tranzistorului T4 de asemenea la limita de saturaie.
20
CAPITOLUL I
Surse de curent
Problema 1.14
Se consider sursa de curent din Figura 1.14. Tranzistorul T5 are factorul de aspect foarte
mare n raport cu celelalte tranzistoare. S se determine expresia tensiunii minime de ieire.
VDD
I
VO
IO
T5
T2
T4
T3
T1
Figura 1.14
Rezolvare
Deoarece T5 are factorul de aspect foarte mare, VGS 5 VT . Expresia tensiunii dren-surs
a tranzistorului T1 este:
(1.67)
toate tensiunile gril-surs avnd valori egale. Deci, tranzistorul T1 este polarizat la limita de
saturaie. Tensiunea minim de ieire va fi impus de funcionarea n saturaie a
tranzistorului T2 :
VO min = V DS 2 sat + V DS 1 = 2(VGS 1 VT ) = VT + 2
2I
K
(1.68)
21
(1.69)
CAPITOLUL I
Surse de curent
Problema 1.15
Se consider sursa de curent din Figura 1.15. Tranzistorul T5 are factorul de aspect foarte
mare n raport cu celelalte tranzistoare. S se determine expresia tensiunii minime de ieire.
VDD
I
VO
T5
IO
T2
T4
I
T3
T1
Figura 1.15
Rezolvare
Deoarece T5 are factorul de aspect foarte mare, VGS 5 VT . Expresia tensiunii dren-surs
a tranzistorului T1 este:
(1.70)
toate tensiunile gril-surs avnd valori egale, deoarece tranzistoarele sunt identice i polarizate
de acelai curent de dren I . Deci, tranzistorul T1 este polarizat la limita de saturaie. Tensiunea
minim de ieire va fi impus de funcionarea n saturaie a tranzistorului T2 :
VO min = V DS 2 sat + V DS 1 = 2(VGS 1 VT ) = VT + 2
2I
K
(1.71)
Problema 1.16
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.16. Toate tranzistoarele au factorii de aspect
egali cu W / L , cu excepia tranzistorului T4 care are (W / L) / 4 . S se determine expresiile
pentru:
a. Curentul de ieire I O
b. Rezistena de ieire RO
c. Tensiunea minim de ieire VO min , considerndu-se o polarizare a tranzistorului T1 la limita de
saturaie. Pentru punctele a. i a. se va neglija efectul de modulare a lungimii canalului.
22
CAPITOLUL I
Surse de curent
VDD
I
VO
T4
T5
RO
IO
T2
T3
T6
T1
Figura 1.16
Rezolvare
a. Tranzistoarele T1 i T3 formeaz o oglind de curent ideal, deci, neglijnd efectul de
modulare a lungimii canalului, se obine:
IO = I
(1.72)
(1.73)
(1.74)
echivalent cu:
2 I
8 I
2 I
2 I
+ VT +
VT +
VT +
=
V DS 1 = VT +
K
K
K
K
2I
K
(1.75)
S-a utilizat faptul c toate tranzistoarele din circuit funcioneaz la acelai curent de dren I
impus de oglinda de curent multipl T1 T3 T6 . Deci, V DS 1 = VGS 1 VT . Tensiunea minim
de ieire a sursei de curent va fi impus de condiia de funcionare n saturaie a
tranzistorului T2 :
VO min = V DS 2 sat + V DS 1 = 2
23
2I
K
(1.76)
CAPITOLUL I
Surse de curent
Problema 1.17
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.17. S se determine expresia curentului de
ieire al sursei ca funcie de curentul I .
VDD
I
VO
IO
T2
T1
Figura 1.17
Rezolvare
VGS 1 = IR + VGS 2
(1.77)
echivalent cu:
VT +
2I O
2I
= IR + VT +
K
K
(1.78)
KR 2 2
I R 2K I 3 / 2
2
(1.79)
2
2
R K
i:
24
(1.81)
CAPITOLUL I
Surse de curent
I2 =
2R 2 K
(1.82)
Pentru aceste valori ale curentului I , curentul de ieire va avea urmtoarele expresii:
I O1 = 0
(1.83)
i:
I O2 =
1
8R 2 K
(1.84)
Problema 1.18
Pentru sursa de curent din Figura 1.17 se consider R = 10 k , I = 0,1mA . S se determine
dependena curentului de ieire I O de curentul I i s se evidenieze valoarea acestuia dn urm
pentru care caracteristica I O ( I ) prezint un maxim. Ce valoare va avea curentul de ieire n acest
punct?
Rezolvare
Valoarea curentului I pentru care caracteristica I O ( I ) prezint un maxim este exprimat
de relaia (1.82), rezultnd I = 41,66 A , iar valoarea maxim a curentului de ieire n acest
Figura 1.18
25
CAPITOLUL I
Surse de curent
I = 50 A
(1.85)
I O = 11,532 A
(1.86)
i:
Problema 1.19
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.19, factorii de aspect ai transistoarelor fiind
menionai n figur. S se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieire I O . Se va neglija efectul de modulare a lungimii canalului pentru toate
dispozitivele MOS active.
b. Rezistena de ieire RO
c. Tensiunea minim de ieire VO min
VDD
VO
I2 = I
I1 = I
RO
IO
T5
(W/L)/(n+1)2
T4
T1
(W/L)/n2
(W/L)/n2
IO
T3
T2
W/L
W/L
Figura 1.19
26
CAPITOLUL I
Surse de curent
Rezolvare
a. Deoarece (W / L) 2 = (W / L) 3 , oglinda de curent T2 T3 impune, n condiiile neglijrii
efectului de modulare a lungimii canalului:
IO = I
(1.87)
(1.88)
K' W / L
(VGS 5 VT )2
2 (n + 1) 2
I=
K' W / L
VGS 1(4 ) VT 2
2 n2
I=
(1.89)
(1.90)
(1.91)
K'
(W / L) VGS 2(3) VT 2
2
(1.92)
(1.93)
Deoerece sursele de curent de tip cascod limiteaz inferior tensiunea de ieire la o valoare
mai mare dect sursele de curent clasice, principiul de proiectare a circuitului din Figura 1.19 se
bazeaz pe polarizarea tranzistorului T2 la limita de saturaie:
V DS 2 = VGS 5 VGS 1 = (VGS 5 VT ) (VGS 1 VT ) = VGS 2 VT = V DS 2 sat
(1.94)
2I
K
(1.95)
Constanta n se alege de valoare ct mai mic pentru a se obine o valoare redus a VO min .
27
CAPITOLUL I
Surse de curent
Problema 1.20
Se consider sursa de curent din Figura 1.20. Toate tranzistoarele MOS au factorii de aspect
specificai n figur. S se determine:
a. Expresia curentului de ieire I O
b. Expresia tensiunii minime de ieire VO min
c. Ce condiie trebuie s ndeplineasc potenialul VC i ce relaie trebuie s existe ntre
elementele circuitului pentru ca toate tranzistoarele s funcioneze n saturaie?
VDD
VO
I
7I
4I
IO
T1
T6
VC
T3
(W/L)
T4
(W/L)
6(W/L)
7(W/L)
T5
T2
7(W/L)
7(W/L)
Figura 1.20
Rezolvare
a. Expresia curentului de ieire este:
IO = 7I I = 6I
(1.96)
V DS 2 = VGS 3 VGS 4 = VT +
8I
2I
VT +
=
K ' (W / L )
K ' (W / L )
2I
K ' (W / L)
(1.97)
28
2I
K ' (W / L )
(1.98)
CAPITOLUL I
Surse de curent
(1.99)
VGS 5 VC VT
(1.100)
echivalent cu:
sau:
VT +
2I
VC VT
K ' (W / L)
(1.101)
2I
K ' (W / L)
(1.102)
2I
VGS 5 VT =
K ' (W / L)
2I
K ' (W / L )
(1.103)
echivalent cu:
VC VT + 2
2I
K ' (W / L)
(1.104)
2I
2I
VC 2VT +
K ' (W / L)
K ' (W / L )
(1.105)
2I
2I
K' W 2
VT + 2
I
V
K ' (W / L)
K ' (W / L)
2 L T
29
(1.106)
CAPITOLUL I
Surse de curent
Problema 1.21
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.21. S se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieire I O
b. Tensiunea minim de ieire VO min
Tranzistoarele au factorii de aspect din figur. Se va neglija efectul de modulare a lungimii
canalului pentru toate dispozitivele MOS.
VDD
I1 = 7I
I2 = 4I
I3 = I
I4 = I
VO
I5 = 4I
IO
T1
T5
7(W/L)
7(W/L)
T7
W/L
T8
T4
W/L W/L
T6
T3
W/L
T2
8(W/L)
8(W/L)
Figura 1.21
Rezolvare
a. Oglinda de curent T2 T6 impune, n condiiile neglijrii efectului de modulare a lungimii
canalului:
I O = 8I I = 7 I
(1.107)
b. Principiul de funcionare este similar circuitului din Figura 1.20, deci se bazeaz pe
polarizarea la limit de saturaie a tranzistorului T2 . Ecuaiile care caracterizeaz funcionarea
n saturaie a tranzistoarelor circuitului sunt:
4I =
K'
(W / L)(VGS 3 VT )2
2
(1.108)
I=
K'
(W / L)(VGS 4 VT )2
2
(1.109)
8I =
K'
8 (W / L)(VGS 2 VT )2
2
(1.110)
7I =
K'
7 (W / L)(VGS 1 VT )2
2
(1.111)
Rezult:
30
CAPITOLUL I
Surse de curent
VGS 4 VT = VGS 2 VT
VGS 3 VT = 2(VGS 2 VT
(1.112)
(1.113)
VGS 1 VT = VGS 2 VT
(1.114)
(1.115)
Deci:
(1.116)
Problema 1.22
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.22. S se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieire I O n funcie de curentul I
b. Tensiunea minim de ieire VO min
VDD
VO
R
T3
T2
T6
T5
I
T1
IO
T4
T7
Figura 1.22
Rezolvare
a. Expresia curentului de ieire se poate determina similar problemei 1.1, utiliznd faptul c
oglinda de curent T1 T7 impune I O = I . Asigurarea unor tensiuni dren-surs egale
2I
K
(1.117)
CAPITOLUL I
Surse de curent
Problema 1.23
Se consider sursa de curent cascod din Figura 1.23. S se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieire I O
b.Tensiunea minim de ieire VO min
VDD
VDD
VDD
VO
IO
T4
T1
T6
T3
T5
T2
Figura 1.23
Rezolvare
a. Oglinda T2 T5 impune un curent de ieire avnd expresia:
IO = I
(1.118)
2I
K
(1.119)
Problema 1.24
Se consider sursa de curent cascod din Figura 1.24. S se explice funcionarea circuitului i
s se determine expresiile curentului de ieire i tensiunii minime de ieire. V pol.1 i V pol.2
reprezint dou tensiuni de polarizare care asigur funcionarea circuitului.
32
CAPITOLUL I
Surse de curent
Vpol.2
VDD
T8
20/1
T9
20/1,6
T7
20/1
T11
20/1
T10
20/1,6
T6
20/1,6
T14
5/1,6
VO
IO
T1
10/1,6
T2
40/1
T4
T5
2,5/1,6
10/1,6
T3
10/1
T13
10/1,6
T15
10/1,6
T12
10/1
T16
10/1
Vpol.1
Figura 1.24
Rezolvare
Oglinda de curent de tip NMOS cu domeniu extins al tensiunii de ieire este realizat cu
2I O
2I O
K3
K2
(1.120)
Rezult:
IO
2 1
1
=
K 2
R 2 K 3
(1.121)
Reducerea valorii tensiunii minime de ieire a sursei de curent cascod din Figura 1.24 se
realizeaz prin polarizarea tranzistorului T16 puin peste limita de saturaie.
VDS 16 = (VGS 5 VT ) (VGS 15 VT )
(1.122)
33
CAPITOLUL I
Surse de curent
VGS 15 VT = (VGS 16 VT )
(W / L)16
(W / L)15
(1.123)
VGS 5 VT = (VGS 16 VT )
(W / L) 16
(W / L) 5
(1.124)
(W / L) 5
(W / L) 15
(VGS 16 - VT
4
10
(1.125)
Problema 1.25
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.25a. S se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieire I O
b. Rezistena de ieire RO
c. Tensiunea minim de ieire VO min
VO
VDD
RO
IO
VC
+
T1
T3
T2
Figura 1.25a
34
CAPITOLUL I
Surse de curent
Rezolvare
a. Oglinda de curent T2 T3 impune, n condiiile neglijrii efectului de modulare a lungimii
canalului:
IO = I
(1.126)
b. Circuitul pentru determinarea rezistenei de ieire a sursei de curent din Figura 1.25a este
prezentat n Figura 1.25b.
ix
gm1v1
rds1
vx
v1
rds2
av
Figura 1.23b
Se pot scrie urmtoarele ecuaii:
(1.127)
av + v = v1
i, deci:
V = i x rds2
(1.128)
(1.129)
(1.130)
2I
K
(1.131)
CAPITOLUL I
Surse de curent
Problema 1.26
Se consider sursa de curent din Figura 1.26, toate tranzistoarele fiind polarizate n inversie
slab. S se determine expresia curentului de ieire al circuitului, I O .
VDD
T1
T2
T3
T4
IO
T6
T5
R1
Figura 1.26
Rezolvare
Funcionarea n inversie slab a dispozitivelor MOS active este caracterizat de relaia
general:
I D = I D0
V VT
W
exp GS
L
nVth
(1.132)
Se obine:
IO =
R1
R1
(W / L) 4 (W / L) 5
(1.133)
36
CAPITOLUL I
Surse de curent
Problema 1.27
Se consider sursa de curent din Figura 1.27. Tranzistoarele MOS au factorii de aspect W / L ,
cu excepia tranzistorului T3 care are 4(W / L) , iar tranzistoarele bipolare au ariile n raportul
A2 / A1 = 10 . S se determine expresia curentului de ieire I O .
VDD
T5
T6
IO
T3
T4
T1
T2
Figura 1.27
Rezolvare
VT +
I
2I O
+ Vth ln O
4 K ' (W / L)
IS
= VT +
I
2I O
+ Vth ln O
K ' (W / L)
10 I S
(1.134)
Rezult:
I O = 2 K ' (W / L)[Vth ln(10 )]2
(1.135)
Problema 1.28
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.28. S se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieire I O , neglijndu-se efectul de modulare a lungimii canalului
V
37
CAPITOLUL I
Surse de curent
VDD
T4
T6
T5
I0
IO
T2
T3
R2
R1
T1
Figura 1.28
Rezolvare
a. VA VB = VGS 3 VGS 2 = 0 , deoarece T2 i T3 sunt identice i polarizate la acelai
curent de dren datorit oglinzii de curent T4 T5 . Expresia curentului de ieire este:
IO =
V EB1
R1
(1.136)
S I DD =
O
V DD dI O
I O dV DD
(1.137)
Vth I O Vth 1 + V SD 4
=
R ln I + R ln 1 + V
1
1
SD 5
(1.138)
(1.139)
S I DD
O
V DD
V BE
1
Vth
38
(1.140)
CAPITOLUL I
Surse de curent
Problema 1.29
Se consider sursa de curent din Figura 1.28, avnd R1 = R2 = 100 k , V DD = 9V i
V BE = 0,6V . S se determine:
a. Coeficientul de variaie cu temperatura al curentului de ieire, considernd o variaie
aproximativ liniar negativ cu temperatura a tensiunii baz-emitor, iar dV BE / dT = 2,1mV / K
b. Sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile tensiunii de alimentare
Rezolvare
a. Coeficientul de variaie cu temperatura al curentului de ieire este:
dI O
1 dV EB1
=
= 21nA / K
dT
R1 dT
(1.141)
Figura 1.29a
Coeficientul de variaie cu temperatura al curentului de ieire rezultat n urma simulrii este.
dI O
= 25,3nA / K
dT
39
(1.142)
CAPITOLUL I
Surse de curent
Figura 1.29b
Problema 1.30
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.30a. S se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieire I O , neglijndu-se efectul de modulare a lungimii canalului
V
T6
T9
T4
T5
T8
I0
I
T2
T3
T1
R1
Figura 1.30a
40
R2
CAPITOLUL I
Surse de curent
Rezolvare
a. Similar problemei 1.28:
V
I O = EB1
R1
(1.143)
I 1 + 7 V SG 6
V
I O = th ln 0
R1 I S 1 + 6 V SG 6
(1.144)
(1.145)
Figura 1.30b
41
CAPITOLUL I
Surse de curent
Problema 1.31
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.31. S se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieire I O , neglijndu-se efectul de modulare a lungimii canalului
V
VDD
T4
T5
T2
n(W/L)
T6
W/L
n(W/L)
T3
W/L
R1
R2
IO
T7
T1
Figura 1.31
Rezolvare
a. Deoarece (W / L )2 (W / L )5 = (W / L )3 (W / L )4 , V A = V B , expresia curentului de ieire
fiind:
IO =
V BE 1 V BE7
R1
V
= th ln(n )
R1
(1.146)
1 + (V DD V EB1 VGS 2 )
V
I O = th ln n
R1
1 + V SG 5
(1.147)
S I DD
O
42
V DD
ln(n )
(1.148)
CAPITOLUL I
Surse de curent
Problema 1.32
Se consider sursa de curent din Figura 1.31, avnd R1 = R2 = 100 k , raportul curenilor de
saturaie pentru tranzistoarele bipolare fiind I S7 / I S1 = 10 , iar factorii de aspect ai tranzistoarelor
MOS - egali. S se determine coeficientul de variaie cu temperatura al curentului de ieire.
Rezolvare
Similar problemei 1.31 se obine:
I
dI O
k
=
ln S 7
dT
qR1 I S 1
= 2nA / K
(1.149)
Figura 1.32
43
(1.150)
CAPITOLUL I
Surse de curent
Problema 1.33
Se consider sursa de curent din Figura 1.33, toate tranzistoarele MOS avnd factorii de
aspect menionai n figur. Amplificatorul operaional se consider ideal, iar dependena de
temperatur a tensiunii baz-emitor se presupune cunoscut, exprimat prin:
V (T ) EG0
kT T
T + ( ) ln
VBE (T ) = EG0 + BE 0
T0
q T0
(1.151)
VDD
T4
n(W/L)
T6
W/L
W/L
VO
IO
T2
n(W/L)
T5
T3
M
W/L
R2
R1
T1
T9
T7
T8
R3
Figura 1.33
Rezolvare
a. Deoarece:
VGS 2 = VT +
2 I D2
= VT +
K ' n(W / L)
2 I D3
= VGS 3
K ' (W / L)
(1.152)
V BE 1 V BE7
R
= V PTAT = 2 Vth ln (n )
R1
R1
44
(1.153)
CAPITOLUL I
Surse de curent
I O (T ) =
I R2
Vth ln (n ) + V BE 8 (T )
R3 R1
(1.154)
(1.155)
1
kT T
ln
E G0 + ( )
R3
q T0
(1.156)
1
R3
kT T
ln
E G0 + (1 )
q T0
(1.157)
Problema 1.34
Se consider sursa de curent din Figura 1.33, avnd R1 = 25 k , V BE (T0 ) = 0,6V , raportul
curenilor de saturaie pentru tranzistoarele bipolare fiind I S7 / I S1 = I S7 / I S8 = 10 , iar factorii de
aspect ai tuturor tranzistoarelor - egali.
a. S se determine valoarea rezistenei R 2 pentru realizarea coreciei de ordin superior a
caracteristicii de temperatur a curentului de ieire I O .
b. In ipoteza utilizrii unor tranzistoare T2 T5 avnd factorii de aspect de valori diferite, ce
condiie trebuie respectat pentru ca potenialele n punctele M i N s fie egale?
45
CAPITOLUL I
Surse de curent
Rezolvare
a. Deoarece I O = V A / R3 , realizarea coreciei caracteristicii de temperatur a curentului de
ieire este echivalent cu obinerea aceleiai corecii de temperatur pentru potenialul V A , deci,
similar problemei 1.33, trebuie respectat condiia (1.155). Rezult:
R 2 = R1
E G0 V BE (T0 )
kT0 I S 7
ln
q
I S1
= 250,55 k
(1.158)
Figura 1.34a
b. Condiia V M = V N implic VGS2 = VGS3 , deci:
VT +
2 I D3
2 I D2
= VT +
K ' (W / L) 2
K ' (W / L) 3
echivalent cu:
46
(1.159)
CAPITOLUL I
Surse de curent
I D 2 (W / L) 2
=
I D 3 (W / L) 3
(1.160)
I D 2 I D 4 (W / L) 4
=
=
I D 3 I D 5 (W / L) 5
(1.161)
(1.162)
Se vor realiza dou simulri SPICE (V M V N )(T ) corespunztoare celor dou situaii
posibile: respectarea relaiei (1.162) (se aleg, de exemplu, (W / L) 2 = (W / L) 4 = 15 i
(W / L) 3 = (W / L) 5 = 1,5 ) i nerespectarea acestei relaii ( (W / L) 2 = (W / L) 3 = (W / L) 5 = 1 i
(W / L) 4 = 5 ).
Figura 1.34b
Se remarc faptul c nerespectarea condiiei (1.162) conduce la o valoare ridicat a
diferenei V M V N (Figura 1.34c), n timp ce respectarea acestei condiii de proiectare
minimizeaz diferena V M V N , valoarea nenul rezultat fiind o consecin a efectelor de ordin
secundar neglijate n analiza anterioar.
47
CAPITOLUL I
Surse de curent
Figura 1.34c
Problema 1.35
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.35. S se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieire I O , neglijnd efectul de modulare a lungimii canalului
V
VDD
T4
T5
T2
T1
IO
T3
I
R
Figura 1.35
48
CAPITOLUL I
Surse de curent
Rezolvare
a. Expresia curentului de ieire se obine rezolvnd urmtoarea ecuaie de gradul doi:
V
K
I O = GS = (VGS VT )2
R
2
(1.163)
KR 2
KR 2
V
VGS (1 + KRVT )VGS +
2 T
2
(1.164)
echivalent cu:
2 KRVT + 1
1
KR
KR
(1.165)
Funcionarea n saturaie a tranzistoarelor din circuit impune VGS > VT , deci singura soluie
valabil este:
VGS = VT +
2 KRVT + 1
1
+
KR
KR
(1.166)
(1.167)
rezultnd:
1
IO =
KR 2
(1 + KRVT +
1 + 2 KRVT
(1.168)
1 + V SD5
K
(VGS 1 VT )2 = K (IR VT )2 = K I O R
VT
2
2
2
1 + V SD 4
(1.169)
rezultnd:
IO =
K
[I O R(1 (VCC 3VGS )) VT ]2
2
(1.170)
S I DD =
O
VCC dI 0
=
I O dV DD
49
V DD
1
1
KR( I O R VT )
(1.171)
CAPITOLUL I
Surse de curent
Problema 1.36
Se consider circuitul din Figura 1.36. Ce avantaje i dezavantaje prezint n comparaie cu
sursa de curent din Figura 1.35?
VDD
T6
T7
T4
T5
T2
IO
T1
T3
Figura 1.36
Rezolvare
Inlocuirea oglinzii de curent clasice T4 T5 din Figura 1.35 cu oglinda de tip cascod
V
T4 T7 permite obinerea unei valori a S I DD mult mai reduse ca o consecin a polarizrii
O
Problema 1.37
Se consider sursa de curent MOS din Figura 1.37. S se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieire I O , neglijnd efectul de modulare a lungimii canalului
V
T4
VO
IO
T1
T2
R
Figura 1.37
50
T5
CAPITOLUL I
Surse de curent
Rezolvare
a. Expresia curentului de ieire este:
IO =
nVth (W / L) 2
ln
R
(W / L) 1
(1.172)
nVth (W / L) 2 nVth
ln
ln[1 + (V DD 2VGS )]
+
R
R
(W / L) 1
(1.173)
nVth (W / L) 2
nVth
ln
(V DD 2VGS )
+
R
R
(W / L) 1
(1.174)
V DD
S I DD
O
(W / L) 2
ln
(W / L) 1
(1.175)
Problema 1.38
S se proiecteze o surs de curent care s furnizeze un curent de tip PTAT, coeficientul de
variaie cu temperatura al acestuia fiind 0,1A / K , iar domeniul maxim de variaie al temperaturii
fiind limitat la T = 10 K fa de valoarea T0 a temperaturii de referin. Se va considera
V BE 0,6V pentru tot domeniul de variaie admis al temperaturii.
Rezolvare
Se alege ca variant posibil de implementare sursa de curent din Figura 1.31, tranzistoarele
MOS avnd factori de aspect ale cror valori vor fi determinate n urma analizei circuitului.
Conform relaiei (1.146), considernd, de exemplu, R1 = 1k , coeficientul de variaie cu
temperatura al curentului de ieire este:
TC =
k
ln(n ) = 0,087 A / K ln(n ) = 0,1A / K
qR1
(1.176)
(W / L) 3 = (W / L) 5 = 2
i
Se
obine
n = 3,16 ,
rezultnd,
de
exemplu,
(W / L) 2 = (W / L) 4 = 6 ,32 . Deoarece asimetria necesar pentru a se obine un curent de ieire
51
CAPITOLUL I
Surse de curent
de valoare nenul a fost realizat prin alegerea factorilor de aspect ai tranzistoarelor MOS
diferii, tranzistoarele bipolare se vor alege identice.
Tensiunea minim de alimentare trebuie s asigure funcionarea n saturaie a tranzistoarelor
MOS din circuit i n regim activ normal a tranzistoarelor bipolare, pentru tot domeniul maxim de
variaie a temperaturii. Deoarece curentul de ieire este de tip PTAT, cazul cel mai restrictiv din
punct de vedere al tensiunii minime de alimentare este cel al temperaturii de funcionare maxime,
deci pentru T = T0 + T = 308 K . In acest caz, curentul de ieire va avea valoarea I O = 30,8 A .
Tensiunea minim de alimentare va avea expresia:
V DD min = 2VGS 3 VT + I 0 R1 + V BE = 2
2I O
+ VT + I O R1 + V BE = 3,063V
K
(1.177)
Problema 1.39
S se proiecteze o surs de curent care s furnizeze un curent de ieire cu o variaie redus cu
temperatura (sa va impune condiia de corecie liniar a caracteristicii). Valoarea curentului de
ieire va fi I O = 120 A , iar dependena de tensiunea de alimentare va fi redus. Se va considera
R 2 E G0 V BE (T0 )
=
= 33,29
R1
Vth0 ln(n)
(1.178)
E G0
R3
(1.179)
deci R3 = 10 k .
Deoarece asimetria necesar pentru funcionarea circuitului a fost realizat prin alegerea
factorilor de aspect diferii pentru tranzistoarele MOS, tranzistoarele bipolare pot fi identice.
52
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
CAPITOLUL II
REFERINE DE TENSIUNE
INTRODUCERE
O referin de tensiune este un circuit care produce o tensiune independent de temperatur i
tensiunea de alimentare, cerinele principale impuse acestei clase de circuite fiind: rejecie ridicat
a sursei de alimentare, coeficient de temperatur redus, impedan de ieire redus. Reducerea
dependenei de tensiunea de alimentare se realizeaz prin autopolarizarea sursei de tensiune
elementare, metoda uzual fiind utilizarea unei oglinzi de curent complementare nucleului
referinei de tensiune. Deoarece toate componentele electronice prezint o variaie a parametrilor
cu temperatura, tehnica de baz utilizat pentru reducerea dependenei de temperatur este
proiectarea circuitului astfel nct variaiile diferitelor componente s se compenseze reciproc ntrun domeniu fixat de temperatur. Necesitatea obinerii unei rezistene de ieire de valoare redus
impune utilizarea unor etaje de amplificare suplimentare n structura referinei de tensiune.
Parametrii referinelor de tensiune
Coeficientul relativ de variaie cu temperatura TCR ( ppm / K ) reprezint variaia relativ a
tensiunii de referin n raport cu variaia temperaturii. Poate fi mbuntit prin tehnici de
corecie a caracteristicii i prin circuite de stabilizare termic.
TCR
1 dVREF
T dT
V
SV DD
REF
dVREF / VREF
V
dVREF
DD
dVDD / VDD
VREF dVDD
RO
dVREF
dI REF
53
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
V BE (T ) A BT CT ln
T
T0
VT (T ) VT 0 a(T T0 )
Tensiunea de la bornele unei diode Zener, prezentnd dezavantajele unui zgomot ridicat
i al necesitii alimentrii la tensiune relativ mare. In funcie de mecanismul de
stabilizare, are o dependen de temperatur liniar, pozitiv sau negativ.
VZ (T ) VZ 0 b(T T0 )
b. Referine de tensiune cu corecie liniar (de ordin I) a caracteristicii de temperatur
Combin avantajul unei complexiti medii cu cel al unui coeficient de temperatur relative
redus. Modalitile concrete de implementare a acestor circuite se refer la referinele de tensiune
bandgap i la alte posibile realizri avnd impus condiia de anulare a termenului liniar dependent
de temperatur al tensiunii de referin.
Referina de tensiune bandgap se bazeaz pe compensarea termenului liniar dependent de
temperatur din expresia VBE (T ) prin nsumarea tensiunii baz-emitor (considerat a
avea o dependen CTAT Complementary To Absolute Temperature) cu o tensiune
proporional cu tensiunea termic (de tip PTAT Proportional To Absolute
Temperature):
BD
k
0
q
54
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Constanta K ' 8 10 5 A / V 2
Factorul de aspect al tranzistoarelor MOS, W / L 30m / 20m
In cazul n care nu este specificat altfel, tranzistoarele se consider identice, iar
amplificatoarele operaionale - ideale.
PROBLEME
Problema 2.1
Se consider circuitul din Figura 2.1. Cunoscnd faptul c energia benzii interzise a siliciului
EG0 este aproximativ independent de temperatur, iar dependenele de temperatur ale
curentului de saturaie I S i curentului de polarizare I 0 sunt exprimate prin:
qE
I S (T ) CT exp G0
kT
(2.1)
I 0 (T ) DT
(2.2)
55
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
I0
VDD
VREF
Rezolvare
Dependena logaritmic a tensiunii baz-emitor de curentul de colector este:
V BE
kT I C
ln
q I S
(2.3)
VBE (T ) EG0
kT I C (T )
ln
q CT
(2.4)
kT0 IC (T0 )
ln
q CT0
(2.5)
T
T kT I C (T )
kT T
VBE (T0 ) EG0 1
ln
ln
T0
T0 q I C (T0 )
q T0
(2.6)
echivalent cu:
VBE (T ) EG0
(2.7)
V BE (T0 ) E G0
kT T
T ( )
ln
T0
q T0
(2.8)
Vor exista, deci, trei termeni: un termen independent de temperatur, unul avnd o variaie
liniar negativ de variabil temperatura i un termen complex, cu o dependen complex de
temperatur.
56
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Problema 2.2
Se consider circuitul din Figura 2.1, alegndu-se VDD 9V , I 0 1mA i VBE (T0 ) 0,6V .
S se evalueze cantitativ coeficientul de variaie cu temperatura al tensiunii de referin cauzat de
termenul liniar dependent de temperatur din expresia acesteia.
Rezolvare
Utilizndu-se relaia (2.8), se obine:
TCVREF
2,01mV / K
dT
dT
T0
(2.9)
Figura 2.2
Problema 2.3
Se consider circuitul din Figura 2.3.
R
VDD
VREF
D
IZ
Figura 2.3
57
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
(2.10)
b.
V REF V Z V ZO rZ I Z V ZO rZ
V
DD
SVREF
V DD V ZO
R
V DD dVREF V DD rZ
0,02
V REF dVDD
VZ 0 R
(2.11)
(2.12)
Problema 2.4
Se consider circuitul din Figura 2.4. S se determine expresia tensiunii de referin.
VDD
I0
nI0
VREF
T1
T2
m
Figura 2.4
Rezolvare
Neglijnd curenii de baz, se poate scrie:
nI
V REF (T ) Vth ln 0
mI S
I
Vth ln O
58
n
Vth ln
(2.13)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Problema 2.5
Se consider circuitul din Figura 2.4. S se determine valoarea coeficientului de variaie cu
temperatura a tensiunii de referin. Se cunosc I 0 1mA , m 1 i n 10 .
Rezolvare
Conform relaiei (2.13), coeficientul de variaie cu temperatura al tensiunii de referin va
avea expresia:
TCVREF
k
ln(nm) 0,2mV / K
q
(2.14)
Figura 2.5
Problema 2.6
Se consider circuitul din Figura 2.6, tranzistoarele fiind identice.
a. S se determine expresia tensiunii de referin n funcie de VZ , V BE i de raportul R1 / R2
b. Considernd variaii liniare cu temperatura ale tensiunilor Zener, respectiv baz-emitor, evaluate
cantitativ prin coeficienii de temperatur TCVZ dVZ / dT i TCVBE dVBE / dT , s se
determine raportul R1 / R2 astfel nct dependena de temperatur a tensiunii de referin s se
anuleze
c. Ce expresie are tensiunea de referin n condiiile de la punctul b.?
59
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
VDD
IO
T1
T2
R1
VREF
D1
R2
T3
Problema 2.6
Rezolvare
a.
V 3V BE
V REF V BE R2 Z
R1 R2
1
R
1 1
R2
R1
2
V Z V BE
R2
(2.15)
dVREF
dT
1 dVZ dVBE R1
R
dT
dT R2
1 1
R2
(2.16)
R1
dVZ / dT
2
R2
dVBE / dT
(2.17)
V REF
1
dVZ / dT
3
dVBE / dT
dVZ / dT
V Z V BE
dVBE / dT
60
(2.18)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Problema 2.7
Se consider referina de tensiune din Figura 2.6, cunoscndu-se I 0 1mA , VDD 9V ,
VZ 4,42V , VBE 0,65V , TCVZ 1,017 ppm / K , TCVBE 1,756 ppm / K . S se determine
valoarea raportului R1 / R2 pentru care dependena de temperatur a tensiunii de referin se
minimizeaz i valoarea acesteia n urma coreciei caracteristicii de temperatur menionate.
Rezolvare
Conform relaiilor (2.17) i (2.18), R1 / R2 1,43 , iar VREF 1,67V . Alegndu-se
R1 1,43k i R2 1k , termenul liniar dependent de temperatur ( CTAT ) din expresia
tensiunii baz-emitor va fi compensat de termenul complementar ( PTAT ) reprezentat de
tensiunea la bornele rezistenei R2 , dependena de temperatur a tensiunii de referin obinut
n urma acestei corecii liniare a caracteristicii termice fiind generat doar de termenul
logaritmic din expresia (2.8) a V BE (T ) . Simularea caracteristicii VREF (T ) pentru
Figura 2.7a
Modificndu-se succesiv valoarea rezistenei R1 la 1k i, respectiv, 10k , dependena de
temperatur a tensiunii de referin va fi preponderant de tip liniar, pozitiv sau negativ n
funcie de relaia dintre termenii de tip PTAT i CTAT (care nu vor mai fi complementari).
Simularea caracteristicii VREF (T ) pentru R1 / R2 1 este prezentat n Figura 2.7b, iar pentru
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Figura 2.7b
Figura 2.7c
62
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Problema 2.8
Se consider referina de tensiune din Figura 2.8. Cunoscnd coeficienii constani de variaie
cu temperatura ai tensiunii baz-emitor i tensiunii Zener, s se determine expresia raportului
R2 / R3 pentru ca tensiunea de referin s nu fie funcie de temperatur. Ce expresie va avea
tensiunea de referin n acest caz?
VDD
R1
VREF
R2
T
R3
Figura 2.8
Rezolvare
Expresia tensiunii de referin este:
R
VREF VZ 1 2 VBE
R3
(2.19)
R
TCVZ 1 2 TCVBE 0
R3
(2.20)
TCVZ
R2
1
R3
TCVBE
(2.21)
rezultnd:
Se obine:
VREF VZ
63
TCVZ
TCVBE
VBE
(2.22)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Problema 2.9
Se consider circuitul din Figura 2.8, cu VZ 7,5V , VBE 0,68V , VDD 15V , R1 1k ,
TCVZ 3,83 ppm / K i TCVBE 1,65mV / K . S se determine valoarea raportului R2 / R3
pentru care dependena de temperatur a tensiunii de referin se minimizeaz i valoarea acesteia
n urma coreciei caracteristicii de temperatur menionate.
Rezolvare
Conform relaiilor (2.21) i (2.22), R2 / R3 1,32 , iar VREF 9,078V . Alegndu-se
R2 1,2k i R3 1k (diferena ntre valoarea obinut n urma analizei manuale i cea
obinut prin simulare fiind cauzat de neglijarea curenilor de baz i a dependenei de
temperatur a acestora, precum i a tensiunii Zener, termenul liniar dependent de temperatur
( CTAT ) din expresia tensiunii baz-emitor multiplicate cu 1 R2 / R3 va fi compensat de
termenul complementar ( PTAT ) reprezentat de tensiunea Zener V Z , dependena de temperatur
a tensiunii de referin obinut n urma acestei corecii liniare a caracteristicii termice fiind
generat doar de termenul logaritmic din expresia (2.8) a V BE (T ) . Simularea caracteristicii
Figura 2.9a
Modificndu-se succesiv valoarea rezistenei R2 la 0,5k i, respectiv, 3k , dependena
de temperatur a tensiunii de referin va fi preponderant de tip liniar, pozitiv sau negativ n
funcie de relaia dintre termenii de tip PTAT i CTAT care nu vor mai fi complementari.
64
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Simularea caracteristicii VREF (T ) pentru R2 / R3 0,5 este prezentat n Figura 2.9b, iar
pentru R2 / R3 3 este prezentat n Figura 2.9c.
Figura 2.9b
Figura 2.9c
65
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Problema 2.10
Se consider circuitul pentru extragerea tensiunii de prag prezentat n Figura 2.10a. Toate
tranzistoarele MOS funcioneaz n saturaie, fiind caracterizate prin urmtoarea expresie a
curentului de dren:
ID
K
VGS VT 2 1 VDS
2
(2.23)
VDD
I1
T1
K
1:1
I2
I3
T2
K
T3
K
T4
4K
VC
T5
4K
T6
K
VREF
T7
K
Figura 2.10a
a. Neglijnd dependena I D (VDS ) , s se determine expresia tensiunii de referin
b. Considernd dependena complet I D (VGS , VDS ) pentru tranzistoarele PMOS i 0 pentru
V
(2.24)
Deoarece T4 i T5 sunt identice i polarizate la cureni de dren egali, VGS4 VGS5 . Deci:
(2.25)
66
(2.26)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
2 I 2
2 I 1
V REF 2VT
VT
4K
K
(2.27)
VREF VT 2V
(2.28)
Figura 2.10b
b. Evaluarea sensibilitii tensiunii de referin fa de variaiile tensiunii de alimentare
presupune considerarea efectului de modulare a lungimii canalului, modelat prin parametrul .
Relund analiza de la punctul a. rezult:
V REF VT
2
K
I 2 I 1 VT
2 I 1 I 2
1
K I 1
(2.29)
K
VGS2 VT 2 1 VDS2 1 VDS2
I2
2
K
I1
VGS1 VT 2 1 VDS1 1 VDS1
2
67
(2.30)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
I 2 1 VDD 2VGS4
V DD 2VGS 4 VGS1
I2
1 V DD 2VGS 4 VGS1 1
I1
2
(2.31)
(2.32)
Rezult:
VREF VT
(2.33)
K
VC VT 2
2
(2.34)
SV DD
REF
V DD
V REF
2 I 1 V DD
VC VT 0,018
K 2
2VT
(2.35)
Figura 2.10c
68
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Problema 2.11
S se repete problema anterioar pentru circuitul din Figura 2.11a.
VDD
I2
1:1
I3
T3
T2
T4
K
T7
4K
VREF
VC
T6
K
T8
4K
Figura 2.11a
Rezolvare
a.
2I 3
4K
VT
2I 2
K
VT
(2.36)
Figura 2.11b
69
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
b.
V REF VT
2I 2
K
I3
1
I2
(2.37)
I 3 1 V DS 3 1 (V DD 2VGS7 )
1 V DD 2VGS7 VGS 2
I 2 1 V DS 2
1 VGS 2
V DD 2VGS7 VGS 2
I3
1
I2
2
VREF VT
2I 2
VDD 2VGS7 VGS2 VT VC VT VDD 2VGS7 VGS2
K 2
2
V
SV DD
REF
V DD
2VT
VC VT 0,018
(2.38)
(2.39)
(2.40)
(2.41)
Figura 2.11c
70
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Problema 2.12
Se consider referina de tensiune din Figura 2.12a.
VDD
T5
T6
T3
T4
T7
VREF
R2
R1
T1
T2
Figura 2.12a
Tranzistoarele MOS sunt caracterizate de ecuaia general:
ID
K
VGS VT 2 1 VDS
2
(2.42)
Rezolvare
a. Datorit oglinzii de curent T5 T6 , I D3 I D4 . Tranzistoarele T3 i T4 fiind identice, se
obine VGS3 VGS4 , deci V A V B .
V BE1 (T ) V BE2 (T )
I R1 (T )
R1
71
I
I
Vth ln C 1 Vth ln C 2
I S1
IS2
R1
(2.43)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
dI R1 (T )
dT
I
I
k
ln C 1 S 2
qR1 I C 2 I S 1
I S2
k
qR ln I
1 S1
41nA / K
(2.44)
Figura 2.12b
b. T5 T7 formeaz o oglind multipl de curent, deci I D7 I D6 I R1 (se neglijeaz
efectul de modulare a lungimii canalului), rezultnd:
V REF (T ) I R1 (T ) R2
kT R2 I S 2
ln
q R1 I S 1
(2.45)
72
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Figura 2.12c
c. Se consider tranzistoarele T3 T6 diferite. Diferena V A V B va avea expresia:
V A V B VGS 4 VGS 3 VT
2 I D4
K4
VT
2 I D3
K3
2 I D4
K4
2 I D3
K3
(2.46)
Condiia V A V B impune:
I D4 K 4
I D3 K 3
(2.47)
I D4 I D6 K 6
I D3 I D5 K 5
(2.48)
K 3 K6 K 4 K 5
(2.49)
Dar:
Rezult:
Deoarece K K ' (W / L) , K ' avnd aceeai expresie pentru toate tranzistoarele, condiia
anterioar devine:
W W
W W
L 3 L 6 L 4 L 5
(2.50)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
I R1 (T )
kT I C 1 I S 2
ln
qR1 I C 2 I S 1
I R1 (T )
I R1 (T )
V REF (T )
kT I D5 I S 2
qR ln I
1 D6 I S 1
kT I S 2 1 V DS 5
qR ln I 1 V
1 S1
DS6
kT I S 2 1 (V DD VGS 3 V BE1 )
ln
qR1 I S 1
1 VGS6
kT I S 2
ln
qR1 I S 1
kT R2 I S 2
ln
q R1 I S 1
kT
(2.52)
kT R2
(2.51)
(2.53)
(2.54)
SV DD
REF
V DD kT R2
V REF q R1
(2.55)
SV DD
REF
V DD
I
ln S 2
I S1
0,0058
(2.56)
Problema 2.13
S se repete problema anterioar pentru referina de tensiune din Figura 2.13 (pentru punctul
d. se vor presupune toate tranzistoarele MOS identice) i s se explice rolul elementelor de circuit
R3 , D1 i D2 .
VDD
T8
T9
R3
D2
T5
T6
T3
T4
T2
T1
Figura 2.13
74
T10
VREF
R2
R1
D1
T7
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Rezolvare
a. Similar problemei anterioare se obine:
I R1 (T )
kT I S 2
ln
qR1 I S 1
(2.57)
b.
V REF (T ) I R1 (T ) R2
kT R2 I S 2
ln
q R1 I S 1
(2.58)
c.
K3 K9 K4 K8
(2.59)
d.
I R1 (T )
kT I S 2 I D 8
ln
qR1 I S 1 I D 9
(2.60)
VC V D VGS 5 VGS6
(2.61)
I D 9 1 9 VGS 9
V REF (T )
kT R 2 I S 2
ln
q R1 I S 1
(2.62)
kT R2
q R ln 1 ( 8 9 ) VGS 9
1
(2.63)
Rezult:
SV REF
DD
( 8 9 )V DD
I
ln S 2
I S1
d VGS 8
dVDD
(2.64)
deci o important reducere a SV DD prin nlocuirea oglinzii de curent T5 T6 din Figura 2.12a
REF
cu oglinda de curent cascod T5 , T6 , T8 , T9 din Figura 2.13.
Ansamblul format din R 3 , D1 i D2 reprezint circuitul de pornire al referinei de tensiune,
avnd rolul de a scoate circuitul din starea iniial caracterizat prin cureni nuli. nainte de
pornire, V A 0 , R 3 i D1 injecteaz un curent nenul n structura referinei. Dup pornirea
circuitului, V A V BE1 , iar D2 decupleaz circuitul de pornire.
75
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Problema 2.14
Se consider referina de tensiune din Figura 2.14a, tranzistoarele T2 i T4 avnd ariile de n
ori mai mari dect cele ale tranzistoarelor T1 i T3 . Se consider R 100k , VDD 9V ,
n 100 .
a. Ce condiie trebuie s existe ntre factorii de aspect ai tranzistoarelor MOS pentru ca V A VB ?
b. S se determine expresia tensiunii de referin
c. Care este condiia de corecie de ordin I a caracteristicii de temperatur a acesteia?
VDD
T5
T6
T7
T9
T10
T8
VREF
R
I
T3
T1
T2
nA
T4
nA
Figura 2.14a
Rezolvare
a. Similar unei probleme anterioare, condiia V A V B implic:
W W
W W
L
L
7 9 L 6 L 10
(2.65)
(2.66)
dI
k
2
lnn 8nA / K
dT
qR
76
(2.67)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Figura 2.14b
Deci, tensiunea de referin va avea expresia:
(2.68)
V (T ) E G0
kT T kT
V REF (T ) 2 EG0 BE 0
T (1 )
ln
ln n
T0
q T0 q
(2.69)
Se obine:
V BE (T0 ) EG0 k
lnn 0
T0
q
(2.70)
kT T
V REF (T ) 2 E G0 (1 )
ln
q T0
(2.71)
rezultnd:
77
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Problema 2.15
Se consider referina de tensiune din Figura 2.15. Toate tranzistoarele MOS i bipolare au
factori de aspect, respectiv arii diferite, iar R3 R4 .
a. S se determine relaia care trebuie s existe ntre factorii de aspect ai dispozitivelor MOS
pentru ca potenialele n punctele A i B s fie egale
b. S se calculeze expresiile dependenelor de temperatur ale curenilor I 3 i I 4
c. In ipoteza identitii tuturor tranzistoarelor MOS, s se determine expresia curentului I 1 i s se
evidenieze dependena de temperatur a acestuia
d. S se determine dependena de temperatur a tensiunii de referin
e. Care este condiia realizrii unei corecii de ordin I a caracteristicii de temperatur a tensiunii de
referin?
VDD
T5
T6
T3
T4
I3
T7
I4
A
VREF
R3
R1
R4
R2
I1
T2
T1
Figura 2.15
Rezolvare
a. Diferena de tensiune V A V B are expresia:
V A V B VGS 4 VGS 3 VT
2 I D4
K4
VT
2 I D3
K3
2 I D4
K4
I D 3 K 4
(2.72)
I D 4 K 3
I D3 I D5 K 5
I D4 I D6 K 6
(2.73)
rezultnd:
V A VB
2 I D4
K4
K 5 K 4
K 6 K 3
(2.74)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
K 4 K 5 K 3 K6
(2.75)
W W
W W
L 4 L 5 L 3 L 6
(2.76)
echivalent cu:
b. Deoarece K 4 K 5 K 3 K 6 , V A V B i rezult:
I3 I4
V BE1
(2.77)
R4
V BE1 V BE 2
R1
kT I S 2 I C 1
ln
qR1 I S 1 I C 2
(2.78)
Dar:
I C1 I D5 I 3
(2.79)
I C 2 I D6 I 4
(2.80)
i:
kT I S 2
ln
qR1 I S 1
(2.81)
R2 kT I S 2
ln
R1 q I S 1
R2
R V BE1 (T )
4
(2.82)
R2 kT I S 2
ln
R1 q I S 1
R2
V BE (T0 ) EG0
kT T
T (1 )
ln
R EG0
T0
q T0
4
(2.83)
79
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
I
k
ln S 2
qR1 I S 1
V BE (T0 ) E G0
T0 R4
(2.84)
R2
kT T
ln
E G 0 (1 )
R4
q T0
(2.85)
rezultnd:
V REF (T )
Problema 2.16
I 1 (T ) AT
(2.86)
R4 E G0 V BE (T0 )
5,01
R1
I S2
Vth0 ln
I S1
(2.87)
Raportul R4 / R1 determinat prin simulare are valoarea 4,93 , n acest caz dependena de
temperatur a tensiunii de referin (Figura 2.16b) fiind produs doar de termenul logaritmic din
relaia (2.85).
80
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Figura 2.16a
Figura 2.16b
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
se mai poate realiza, tensiunea de referin avnd o variaie de tip CTAT (Figura 2.16c,
R4 / R1 3 ).
Figura 2.16c
In mod similar, pentru R4 / R1 10 , tensiunea de referin va avea o variaie de tip
PTAT (Figura 2.16d).
Figura 2.16d
82
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Problema 2.17
Se consider referina de tensiune din Figura 2.17. Toate tranzistoarele MOS i diodele sunt
identice, R3 R4 i R5 R6 .
a. S se demonstreze c V A VB , I 3 I 4 i I 5 I 6
b. S se determine expresia dependenei de temperatur a curentului I 3
c. S se determine expresia dependenei de temperatur a curentului I 1
d. S se determine dependena de temperatur a tensiunii de referin neglijnd efectul curenilor
I 5 i I 6
e. Care este condiia realizrii unei corecii de ordin I a caracteristicii de temperatur a tensiunii de
referin?
f. S se determine expresia dependenei de temperatur a curentului I 5
d. S se determine dependena de temperatur a tensiunii de referin considernd i efectul
curenilor I 5 i I 6 considernd c s-a efectuat corecia de ordin I a caracteristicii de la punctul e.
g. Care este condiia realizrii unei corecii de ordin superior a caracteristicii de temperatur a
tensiunii de referin?
VDD
T5
T6
T7
T9
T3
T4
T8
T10
T1
T2
I5
R5
VREF
C
A
B
I3
R3
I6
R6
I4
R1
R4
R2
I1
D1
D3
Dn+2
D2
Figura 2.17
Rezolvare
a. Similar problemei anterioare toate tranzistoarele MOS fiind identice, V A V B .
Deoarece I 3 V A / R3 , I 4 VB / R4 i R3 R4 , rezult I 3 I 4 .
Curenii I 5 i I 6 sunt egali pentru c I 5 (V A VC ) / R5 , I 6 (VB VC ) / R6 , V A V B i
R5 R6 .
83
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
b.
V
V
I 3 A D1
R3
R3
(2.88)
echivalent cu:
I 3 (T )
E G0 V BE (T0 ) E G0
kT T
T ( )
ln
R3
R3 T0
qR3 T0
(2.89)
V D1 V D 3
R1
kT I
ln n
qR1 I 1
(2.90)
I I D5 I 3 I 5 I D6 I 4 I 6 I 1
(2.91)
rezult:
I 1 (T )
kT
lnn
qR1
(2.92)
VREF (T ) I 1 (T ) I 3 (T )R2
(2.93)
echivalent cu:
E
V (T ) E G
kT T
V REF (T ) R 2 GO BE 0
T ( )
ln
R3 TO
qR3 TO
R3
kT
qR ln n
(2.94)
VBE (T0 ) E G0
k
lnn 0
R3T0
qR1
84
(2.95)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
(2.96)
f.
V VD2
I 5 D1
R5
(2.97)
unde:
V D1 (T ) EGO
V BE (TO ) EGO
kT T
T 1
ln
TO
q TO
(2.98)
V BE (T0 ) EG0
kT T
T '
ln
T0
q T0
(2.99)
i:
V D 2 (T ) EG0
kT T
ln
qR5 T0
(2.100)
VREF (T ) I 1 (T ) I 3 (T ) I 5 (T )R2
(2.101)
rezultnd:
E
1
1
V REF (T ) R 2 G 0
R5
R3 R3
kT T
q ln T
(2.102)
1
1
0
R3
R5
85
(2.103)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
echivalent cu:
R3
1
R5
(2.104)
i:
V REF (T )
R2
E G0
R3
( 2.105)
Problema 2.18
Se consider circuitul din Figura 2.18.
VDD
T4
T3
T5
IO
VC
T1
T2
T6
T7
VREF
T8
Figura 2.18
Presupunnd tranzistoarele T1 T4 diferite, s se determine expresia V REF VC . Se va
neglija efectul Early. Ce avantaj prezint acest circuit fa de alte generatoare PTAT?
Rezolvare
I
I
V REF VC V BE2 V BE1 Vth ln C 2 S 1
I C1 I S 2
(2.106)
Dar:
I C2 I C4 I S 4
I C1 I C 3 I S 3
86
(2.107)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Deci:
I
I
V REF VC Vth ln S 1 S 4
I
S2 I S3
(2.108)
Raportul a doi cureni de saturaie nu depinde de temperatur i este egal cu raportul ariilor
celor dou tranzistoare:
A A
V REF VC Vth ln 1 4
A2 A3
(2.109)
Deci, circuitul implementeaz un generator de tip PTAT sau CTAT, dup cum A1 A4 este mai
mare sau mai mic dect A2 A3 . Avantajul acestui circuit fa de alte realizri posibile ale
generatoarelor de tensiune PTAT i CTAT este utilizarea exclusiv a dispozitivelor active bipolare
i MOS, deci reducerea suprafeei circuitului i mbuntirea preciziei acestuia (mperecherea
parametrilor tranzistoarelor este mai bun dect cea a valorilor a dou rezistoare).
Problema 2.19
S se repete problema anterioar pentru circuitul din Figura 2.19. Toate tranzistoarele MOS
funcioneaz n inversie slab, fiind caracterizate prin urmtoarea dependen a curentului de dren
de tensiunea gril-surs:
I D I D0
V VT
W
exp GS
L
nVth
(2.110)
VDD
T4
T3
T5
IO
VC
T1
T2
T7
T6
Figura 2.19
87
VREF
T8
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Rezolvare
I D2
I D1
nkT
nkT
V REF VC VGS 2 VGS1 VT
ln
ln
VT
(2.111)
q
q
I D0 (W / L) 2
I D0 (W / L) 1
V REF VC
(2.112)
q
q
q
I D1 (W / L) 2
I D 3 (W / L) 2
(W / L) 2 (W / L) 3
Problema 2.20
Se consider circuitul din Figura 2.20.
a. S se determine expresia tensiunii de referin
b. Ce condiie trebuie ndeplinit pentru ca tensiunea de referin s aib o dependen redus de
temperatur?
VDD
T6
T7
T4
T5
T8
VREF
R2
R1
I
T1
T2
T3
Figura 2.20
Rezolvare
a. Principiul de baz al acestui circuit este compensarea dependenei negative de temperatur
a tensiunii V BE 3 prin tensiunea de tip PTAT existent la bornele rezistenei R 2 . Exist dou
posibiliti de proiectare a referinelor de tensiune de acest tip.
Prima posibilitate utilizeaz tranzistoarele T1 i T2 identice i oglinda de curent T6 T7 cu
factor de transfer supraunitar, ( W / L )6 ( W / L )7 . Pentru ca potenialele punctelor A i B s fie
egale, este necesar ca VGS4 VGS5 . Considernd o funcionare n saturaie a tranzistoarelor
MOS, se obine urmtoarea condiie de proiectare:
88
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
( W / L )4 ( W / L )6
( W / L )5 ( W / L )7
(2.113)
A doua posibilitate const n impunerea unui factor de transfer unitar oglinzii de curent T6 T7 .
Curenii de dren ai tranzistoarelor T4 i T5 fiind egali, condiia VA VB implic
( W / L )4 ( W / L )5 . Asimetria controlat este realizat de tranzistoarele T1 i T2 , I S 2 I S 1 .
Este posibil, evident, i proiectarea unei versiuni cu asimetrie dubl, datorat ambelor perechi
de tranzistoare, util pentru obinerea unui coeficient de temperatur al curentului PTAT de
valoare ridicat. In tehnologia CMOS, ns, obinerea tranzistoarelor bipolare ca dispozitive
parazite necesit utilizarea unei suprafee de siliciu mult mai mari dect cea aferent unui
tranzistor MOS, preferndu-se utilizarea unor tranzistoare bipolare cu arie ct mai redus.
Se va studia prima posibilitate de proiectare, considerndu-se respectat relaia (2.113). Expresia
tensiunii de ieire a referinei de tensiune bandgap este:
V REF (T ) V BE3 (T )
(W / L) 6
R2
Vth ln
R1
(W / L)7
(2.114)
V BE (T0 ) E G0
kT T
T ( )
ln
T0
q T0
(2.115)
condiia de anulare a termenului liniar dependent de temperatur din expresia (2.114) este:
V BE (T0 ) E G0
(W / L) 6
R2
Vth0 ln
R1
(W / L)7
(2.116)
kT T
ln
q T0
(2.117)
89
kT T
ln
q T0
(2.118)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Problema 2.21
Se consider referina de tensiune din Figura 2.20. Toate tranzistoarele MOS sunt
caracterizate de ecuaia general:
ID
K
VGS VT 2
2
(2.119)
Rezolvare
Expresia dependenei de temperatur a curentului prin rezistena R1 este:
I R1 (T )
kT I S 2
ln
qR1 I S 1
(2.120)
Figura 2.21a
90
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
I
R2
Vth0 ln S 2
R1
I S1
(2.121)
echivalent cu:
R2 E G0 V BE (T0 )
5,01
R1
I S2
Vth0 ln
I S1
(2.122)
Figura 2.21b
91
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Problema 2.22
Se consider generatorul de tensiune de tip PTAT din Figura 2.22. S se determine expresia
dependenei de temperatur a curentului I . Ce rol are amplificatorul operaional?
VDD
T3
T4
- +
I1
T2
nA
T1
A
Figura 2.22
Rezolvare
I (T )
Raportul
IC1 / IC2
V BE1 (T ) V BE 2 (T )
R
kT I C 1 I S 2
ln
qR I C 2 I S 1
(2.123)
tranzistoarelor T 3 i T4 :
K3
(V SG3 VT ) 2 (1 V SD3 )
I C1
2
K4
I C2
(V SG4 VT ) 2 (1 V SD4 )
2
(2.124)
Deoarece tranzistoarele oglinzii de curent sunt identice i funcioneaz la tensiuni drensurs egale impuse de amplificatorul operaional, raportul anterior va fi unitar, deci:
I (T )
kT
lnn
qR
92
(2.125)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Problema 2.23
Se consider referina de tensiune din Figura 2.23. S se deduc expresia dependenei de
temperatur a tensiunii de referin.
R2
R1
R3
VREF
T1
T2
R4
R5
IO
Figura 2.23
Rezolvare
V REF
I
R4
V BE1 V BE 2 Vth ln C 1
R3 R4 R5
IC2
(2.126)
R R5
V REF 1 3
R4
kT R 2
q ln R
1
(2.127)
Dependena de temperatur a tensiunii de referin este liniar, pozitiv sau negativ dup
cum R 2 este mai mare sau mai mic dect R1 .
93
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Problema 2.24
Se consider circuitul din Figura 2.24a.
a. S se determine expresia tensiunii de ieire
b. Ce condiie trebuie ndeplinit pentru corecia de ordin I a caracteristicii?
R1
R2
I1
I2
+
VREF
R3
T2
T1
Figura 2.24a
Rezolvare
Expresia curentului I 1 poate fi determinat astfel:
I1
V BE 2 V BE1
kT I 2
ln
R3
qR3 I 1
(2.128)
kT R1
ln
qR3 R 2
(2.129)
VREF (T ) I 1 (T ) R1 VBE2 (T )
(2.130)
kT R1 R1
ln
q R3 R2
V (T ) EG0
kT T
EG0 BE 0
T (1 )
ln
T0
q T0
(2.131)
V BE (T0 ) E G0
0
T0
94
(2.132)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
rezultnd:
V REF (T ) E G0 (1 )
kT T
ln
q T0
(2.133)
Figura 2.24b
Problema 2.25
Se consider circuitul din Figura 2.25a.
a. S se determine expresia tensiunii de ieire
b. Ce condiie trebuie ndeplinit pentru corecia de ordin I a caracteristicii?
Rezolvare
Considernd o amplificare n curent mare a celor trei tranzistoare, tensiunea de referin
poate fi exprimat astfel:
(2.134)
V BE1 (T ) V BE2 (T ) kT I 1
ln
R4
qR4 I 2
95
(2.135)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
R3
R1
R2
I1
I2
+
VREF
T1
T2
R4
R5
IO
T3
Figura 2.25a
R R5
V REF (T ) V BE3 (T ) 1 3
R4
kT R2
q ln R
1
(2.136)
R R5
1 3
R4
k R2
ln
q
R1
V BE (T0 ) EG0
0
T0
(2.137)
kT T
ln
q T0
(2.138)
rezultnd:
V REF (T ) EG0 (1 )
96
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Figura 2.25b
Problema 2.26
Se consider circuitul din Figura 2.26.
a. S se determine expresia tensiunii de ieire
b. Ce condiie trebuie ndeplinit pentru corecia de ordin I a caracteristicii?
R1
R2
+
VREF
R3
I1
T1
R6
T2
I2
R4
A
R5
R7
Figura 2.26
97
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Rezolvare
Considernd o amplificare n curent mare a celor trei tranzistoare, potenialul punctului A
poate fi exprimat astfel:
V A (T ) VBE2 (T ) ( I 1 I 2 )(T ) R5
(2.139)
ln
R4
qR4 I 1
Deoarece amplificatorul operaional este ideal, I 1 R1 I 2 R2 . Rezult:
I 1 (T )
I 1 (T )
kT R1
ln
qR4 R 2
(2.140)
(2.141)
i:
I 2 (T )
kT R1 R1
ln
qR4 R 2 R 2
(2.142)
deci:
V A (T ) V BE2 (T )
R5
R4
R kT R1
1 1
ln
R2 q R2
(2.143)
R7
R6 R7
(2.144)
V A V REF
rezultnd:
R
R
R kT R1
V REF (T ) 1 6 V BE 2 (T ) 5 1 1
ln
R7
R4
R2 q R2
(2.145)
R k R
1 1 ln 1
R2 q R2
V BE (T0 ) E G0
0
T0
rezultnd:
98
(2.146)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
V REF (T ) 1
R6
R7
kT T
E G0 1
ln
q TO
(2.147)
Problema 2.27
Se consider referina de tensiune din Figura 2.27. S se determine expresia tensiunii de
referin. Care este condiia de corecie de ordin I a caracteristicii de temperatur a acesteia?
R1
R1
VREF
R2
I
T2
A
T4
nA
T1
A
T3
nA
Figura 2.27
Rezolvare
Curenii de colector ai celor dou tranzistoare sunt egali:
I 2
VEB1 VEB3
V
2 th lnn
R2
R2
(2.148)
deci:
R
V REF (T ) I ( R1 R2 ) 2V EB3 (T ) 2 1 1 Vth ln n 2V EB3 (T )
R2
99
(2.149)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Se obine:
V (T ) E G0
kT T
V REF (T ) 2 E G0 BE 0
T (1 )
ln
T0
q T0
R kT
1 1
ln n
R2 q
(2.150)
(2.151)
rezultnd:
kT T
V REF (T ) 2 E G0 (1 )
ln
q T0
(2.152)
Problema 2.28
Se consider referina de tensiune din Figura 2.28. S se determine expresia tensiunii de
referin. Care este condiia de corecie de ordin I a caracteristicii de temperatur a acesteia?
VDD
T6
T5
T7
T8
VREF
I
R
T1
T2
T4
nA
T3
nA
Figura 2.28
100
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Rezolvare
Funcionarea tranzistoarelor T1 T4 la acelai curent datorit oglinzii multiple T5 T8
permite determinarea curentului I :
V
V EB2 V EB3 V EB4
V
I EB1
2 th ln n
R
R
(2.153)
(2.154)
Se obine:
V (T ) E G0
kT T kT
V REF (T ) 2 E G0 BE 0
T (1 )
ln
ln n
T0
q T0 q
(2.155)
Constanta din relaia (2.8) are valoarea 1 deoarece toate tranzistoarele funcioneaz
la un curent I de tip PTAT. Condiia de corecie de ordin I a caracteristicii de temperatur a
tensiunii de referin este:
V BE (T0 ) EG0 k
ln n 0
T0
q
(2.156)
rezultnd:
kT T
V REF (T ) 2 EG0 (1 )
ln
q T0
(2.157)
Avantajul utilizrii amplificatorului operaional este fixarea unor tensiuni dren-surs egale
pentru tranzistoarele T6 i T7 care formeaz oglinda de curent MOS, obinndu-se, astfel,
eliminarea erorilor introduse de efectul de modulare a lungimii canalului. In plus,
VDS5 VDS8 VDD VEB , deci efectul de modulare a lungimii canalului nu va influena
funcionarea oglinzii de curent T5 T8 .
Problema 2.29
Se consider referina de tensiune de tip AD 680 (Analog Device) realizat n tehnologie
bipolar (Figura 2.29). S se explice funcionarea circuitului i s se determine expresia tensiunii
de referin.
Rezolvare
Principiul de funcionare al circuitului din Figura 2.29 este clasic, bazndu-se pe
compensarea variaiei cu temperatura a tensiunii baz-emitor a tranzistorului T12 prin nsumarea
cu tensiunea PTAT existent la bornele rezistenei R 2 , multiplicat de combinaia R2 R3 .
Reglarea rezistenelor R4 R5 permite obinerea valorii dorite a tensiunii de referin, rezultatul
fiind o tensiune de referin precis i stabil fa de variaiile temperaturii, tensiunii de
alimentare sau curentului de sarcin.
101
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
VDD
T9
T8
T11
T3
T4
T5
T1
A
VREF
R2
T2
R4
8A
R3
T12
T10
T6
T7
R5
R1
Figura 2.29
Datorit oglinzii de curent T3 T4 (tranzistoare identice), curenii de colector ai
tranzistoarelor T1 i T 2 sunt egali, deci expresia curentului prin rezistena R 2 va fi:
I
Vth ln S 2
V
V BE2
I S1
I R2 BE1
R2
R2
V
th ln 8
R2
(2.158)
R
U R4 V BE12 I R 2 ( R2 R3 ) V BE12 1 3 Vth ln 8
R
2
(2.159)
R
R
V REF 1 5 V BE12 1 3 Vth ln 8
R4
R2
(2.160)
S-a considerat curentul de baz al tranzistorului T 2 neglijabil n raport cu cel prin rezistena
R 2 care, la rndul su, este mult mai mic dect curentul prin divizorul de tensiune R4 R5 . Se
obine n urma aplicrii condiiei de corecie de ordin I a caracteristicii:
R
kT T
V REF (T ) 1 5 E G0 (1 )
ln
R4
q T0
102
(2.161)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Problema 2.30
Se consider referina de tensiune de tip LM 185 (National Semiconductor) realizat n
tehnologie bipolar (Figura 2.30). Tranzistorul T10 are aria de 8 ori mai mare dect cea a
tranzistorului T11 . S se explice funcionarea circuitului i s se determine expresia tensiunii de
referin.
VREF
R1
R6
T13
T12
T4
T7
T3
T11
R7
T1
T10
T2
R5
R8
T5
T9
T6
R2
R3
T14
T8
R4
Figura 2.30
Rezolvare
Structura referinei de tensiune este clasic, o tensiune PTAT fiind nsumat cu o tensiune
avnd un coeficient de temperatur negativ ( V EB14 ). Exist o valoare a temperaturii la care cele
dou tendine se compenseaz, n jurul acestei temperaturi, coeficientul termic al tensiunii de
referin avnd valori foarte reduse. Tensiunea la bornele rezistenei R7 are expresia:
(2.162)
R R8
V REF V EB14 1 6
R7
Vth ln 8
(2.163)
kT T
ln
q T0
103
(2.164)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Problema 2.31
Se consider referina de tensiune de tip LT 1009 (Linear Tech), realizat n tehnologie
bipolar (Figura 2.31). S se explice funcionarea circuitului i s se determine expresia tensiunii
de referin.
VREF
T11
T12
T11
R1
R1
R2
T3
T4
T1
T7
T5
T8
R3
T6
T2
T9
R4
T10
T13
T14
R5
Figura 2.31
Rezolvare
Referina de tensiune de tipul LT 1009 este o referin bandgap care utilizeaz dou etaje de
amplificare difereniale ( T1 T2 , T3 T4 ), precum i dou etaje realizate cu tranzistoarele T7 i
T8 pentru reducerea rezistenei de ieire. Al doilea etaj diferenial are ca sarcin activ oglinda
de curent T5 T6 , fiind polarizat prin intermediul oglinzii de curent T9 T10 . Oglinda de curent
T11 T11' asigur polarizarea celor dou etaje difereniale.
Tensiunile baz-emitor ale tranzistoarelor T3 i T4 sunt egale deoarece tranzistoarele sunt
identice i funcioneaz la acelai curent de colector datorit oglinzii de curent T5 T6 . Prin
urmare, tensiunile la bornele celor dou rezistoare R1 sunt egale, deci I C1 I C2 . Tensiunea la
bornele rezistenei R3 va avea, deci, expresia:
I
V R 3 Vth ln S 2
I S1
(2.165)
R 2 R4
V REF (T ) 1
R3
V ln I S 2
th I
S1
104
V BE12 (T ) V BE14 (T )
(2.166)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
kT T
V REF (T ) 2 E G0 (1 )
ln
q T0
(2.167)
Problema 2.32
Se consider referina de tensiune de tip LM 136 (National Semiconductor) realizat n
tehnologie bipolar (Figura 2.32). S se explice funcionarea circuitului i s se determine expresia
tensiunii de referin.
VREF
T9
T9
T17
R1
R5
R6
R7
T8
T7
T16
T2
I
T4
T1
R8
T6
T10
T11
T12
T13
T3
T15
R10
T5
T14
T18
R2
R3
Figura 2.32
Rezolvare
Utilizarea sursei de curent n X T10 T13
(2.168)
ln
ln
R2
R2 I C 10 I C 13 I S 11 I S 12 R2 I S 11 I S 12
deci independent de tensiunea de alimentare. Deoarece I C15 R5 I C16 R6 ( VBE7 VBE8 pentru
c tranzistoarele T7 i T8 sunt identice i polarizate la cureni de colector egali impui de
oglinda de curent T4 T6 ), tensiunea la bornele rezistenei R8 va avea expresia:
105
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
R
V R 8 Vth ln 5
R6
(2.169)
V BE17 V BE18
(2.170)
R7 R10
V REF 1
R8
V ln R5
th R
6
kT T
V REF (T ) 2 E G0 (1 )
ln
q T0
(2.171)
Problema 2.33
Se consider circuitul de stabilizare termic din Figura 2.33a. S se explice funcionarea
circuitului i s se determine temperatura de declanare a stabilizrii termice. Se cunosc
VDD
R
T5
T5
T2
T1
T8
T6
R3
2k
T7
T7
R1
11,2k
R4
2k
R5
4,2
T3 T 4
R2
1K
Figura 2.33a
106
D1
D2
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Rezolvare
In vederea obinerii unui coeficient de temperatur de valoare ct mai sczut, o posibilitate
este limitarea domeniului maxim de variaie a temperaturii cipului. T4 este tranzistorul de
blocare termic care controleaz puterea disipat pe capsul prin comanda etajului Darlington
T1 T2 . Ori de cte ori temperatura capsulei este mult mai mic dect temperatura de echilibru,
tranzistorul T1 este n conducie puternic, curentul prin circuit fiind limitat doar de circuitul de
limitare realizat cu T3 i elementele aferente. Pentru temperaturi mici, cderea de tensiune pe
R2 nu este suficient pentru a deschide tranzistorul T4 . Pe msur ce temperatura crete, T4
ncepe s conduc, T1 comut n blocare, ceea ce produce o scdere a puterii disipate i, deci, a
ratei de cretere a temperaturii. Rezultatul acestei bucle de reacie va fi o caracteristic de
temperatur care tinde asimptotic spre temperatura de echilibru.
Circuitul de termostatare este format din T4 ,T6 ,T'7 , R1 , R2 i dioda Zener D1 . Valorile
rezistenelor R1 i R2 sunt astfel alese nct s rezulte o tensiune la bornele rezistenei R2 de
valoare:
VR2
VZ 2V BE
R2 0,508V
R1 R2
(2.172)
Aceast valoare a tensiunii VR2 care se obine pentru o temperatur a capsulei de 20 o C este
insuficient pentru deschiderea tranzistorului T4 . T7 T '7 este un tranzistor PNP lateral
A
0 ,3 . Deci curentul prin colectorul lui T7 va fi de circa
A'
150A (valoare suficient pentru a comanda etajul Darlington la un curent de lucru limitat doar
de T3 ). La o tensiune de lucru de 15V , aceasta nseamn o putere disipat relative mare care,
lund n considerare impedana termic de mic a materialului din care este realizat capsula, ar
produce o cretere puternic a temperaturii capsulei, dac nu ar exista bucla de reacie. Pe
msur ce temperatura crete, innd cont de faptul c dioda Zener are un coeficient de
temperatur pozitiv ( 3,78mV / K ), iar tensiunea baz-emitor unul negativ ( 1,56mV / K ),
cderea de tensiune pe rezistena R2 va crete cu o rat:
1k
3,78mV / K 2 1,56 mV / K 0,56 mV / K
12,2 k
(2.173)
650 508mV 67 o C
0,56 1,56 mV / o C
(2.174)
107
(2.175)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Figura 2.33b
Figura 2.33c
108
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Problema 2.34
Se consider referina de tensiune din Figura 2.34, curentul I 1 avnd o variaie de tip PTAT.
S se determine expresia tensiunii de referin n ipoteza realizrii coreciilor de ordin I i de ordin
superior ale caracteristicii de temperatur. Se va considera valoarea eproximativ 4 .
VDD
I1
VREF
I2
I1
R2
R1
Figura 2.34
Rezolvare
Tensiunea de referin are expresia:
(2.176)
(2.177)
deoarece tensiunile baz-emitor ale celor dou ramuri au expresii diferite ca o consecin a
polarizrii tranzistoarelor bipolare la cureni cu dependene diferite de temperatur ( I1(T ) AT ,
I 2 (T ) VREF (T ) / R2 BT a ). Dar:
41 3a 4 3a 3a
(2.178)
Curentul I 2 va avea, deci, o variaie foarte redus cu temperatura, produs doar de termenul
logaritmic din expresia (2.177), termenul liniar fiind deja anulat ca o consecin a aplicrii
corecie de ordin I a caracteristicii, VBE (T0 ) EG0 AT0 R1 0 . Deci, a 0 , rezultnd:
VREF (T ) EG0
109
(2.179)
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
Problema 2.35
Se consider referina de tensiune din Figura 2.35. Tranzistoarele bipolare au ariile n raportul
VDD
VREF
T1
T2
R
I1
I2
R1
I3
R2
Figura 2.35
Rezolvare
Expresia curentului I 2 este:
I 2 (T )
kT
lnn
qR
(2.180)
(2.181)
echivalent cu:
2k
V (T ) EG0
kT T
VREF (T ) R1 R2 ln n T CR2T 2 EG0 BE 0
T (1 )
ln (2.182)
qR
T0
q T0
110
Referine de tensiune
CAPITOLUL II
T0
(2.183)
rezultnd:
VREF (T ) CR2T 2 EG0 (1 )
kT T
ln
q T0
(2.184)
Ultimul termen al expresiei anterioare poate fi dezvoltat n serie Taylor limiatat la termenul
de ordin III n jurul valorii T T0 :
T
T ln
T0
T T0 2 T T0 3
T T0
2T0
6 T02
T
T ln
T0
T
T T2 T3
0
3 2 T0 6 T02
(2.185)
(2.186)
kT0
kT
kT 2
kT 3
( 1)
(1 )
( 1)
3q
2q
qT0
6 qT02
(2.187)
R1 R2 2k lnn ( 1)
qR
0
2q
T0
(2.188)
CR 2 (1 )
k
0
qT0
(2.189)
rezultnd:
V REF (T ) EG0 ( 1)
kT0
kT 3
kT 3
( 1)
EG0 ( 1)
3q
6 qT02
6 qT02
(2.190)
111
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
CAPITOLUL III
AMPLIFICATOARE DIFERENIALE
INTRODUCERE
Amplificatorul diferenial reprezint un etaj fundamental n proiectarea circuitelor integrate
VLSI, utilizat ntr-o serie larg de aplicaii de tipul circuitelor integrate analogice i mixte:
amplificatoare operaionale, comparatoare i referine de tensiune, amplificatoare video,
modulatoare i demodulatoare sau convertoare A/D i D/A. Inlocuirea tehnologiei bipolare cu
tehnologia CMOS a rezolvat problema curenilor de intrare i a rezistenei de intrare de valori
finite, aprnd dezavantajul unei amplificri reduse n tensiune datorit caracteristicii ptratice a
tranzistorului MOS n saturaie. In plus, liniaritatea amplificatorului diferenial elementar se
menine slab ca o consecin a caracteristicii fundamental neliniare a tranzistoarelor bipolar i
MOS, existnd posibilitatea obinerii unei liniariti bune doar pentru un domeniu relativ restrns
al tensiunii de intrare. In consecin, este evident necesitatea unor tehnici de liniarizare pentru
anularea termenilor de ordin superior din caracteristica de transfer a amplificatorului diferenial i
a unor metode pentru extinderea domeniului tensiunii de intrare de mod comun.
Parametrii amplificatoarelor difereniale
Amplificarea de mod diferenial Add
Add
vod
vid
Acc
v ic 0
voc
vic
v id 0
126
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Constanta K ' 8 10 3 A / V 2
Factorul de aspect al tranzistoarelor MOS, W / L 30m / 20m
In cazul n care nu este specificat altfel, tranzistoarele se consider identice, iar
amplificatoarele operaionale - ideale.
PROBLEME
Problema 3.1
Se consider amplificatorul diferenial MOS elementar din Figura 3.1a. Tranzistoarele MOS
sunt identice i funcioneaz n saturaie, fiind caracterizate prin urmtoarea dependen ptratic a
curentului de dren de tensiunea gril-surs:
iD
K
vGS VT 2
2
(3.1)
VDD
R1
R1
vO
T1
T2
R2
VC
vI
IO
R2
Figura 3.1a
127
R3
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
S se determine:
a. Expresia funciei de transfer a circuitului vO (v I )
b. Amplificarea de mod diferenial
c. Amplificarea de mod comun
d. Rezistenele de intrare de mod diferenial i de mod comun
e. Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun, considernd c sursa de curent I O este
implementat n varianta simpl a unei oglinzi de curent, tranzistorul de ieire al acesteia fiind
notat cu T3
f. Expresia tensiunii de decalaj de intrare, presupunnd existena unor mici asimetrii n structura
tranzistoarelor MOS i a rezistenelor de sarcin R1
Rezolvare
a. Tensiunea diferenial de intrare are expresia:
2i D1
2i D 2
v I vGS1 vGS 2 VT
VT
K
K
2
K
i D1
i D2
(3.2)
2 i D1 ( I O i D1 ) I O
Kv I2
2
(3.3)
2
iD
1
Kv I2
1
I O i D1 I 0
0
4
2
(3.4)
Kv I2 K 2 v I4
IO
4 I O2
(3.5)
avnd soluiile:
i D1 1,2
IO IO
2
2
deci:
i D1
IO IO
2
2
I
I
Kv I2 K 2 v I4
; i D2 O O
2
IO
2
2
4I O
Kv I2 K 2 v I4
IO
4 I O2
(3.6)
vO I O R1
Kv I2 K 2 v I4
R v
1 I
2
IO
2
4I O
128
4 KI O K 2 v I2
(3.7)
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
f v I 4 KI O K 2 v I2
(3.8)
f ' (v I ) K 2 v I 4 KI O K 2 v I2
1 / 2
(3.9)
f ' ' (v I ) 4 K 3 I O 4 KI O K 2 v I2
3 / 2
(3.10)
..
rezultnd:
f ' v I v
I 0
(3.11)
1
f ' ' v I v 0 K 3 / 2 I O1 / 2
I
2
(3.12)
K 3 / 2 R1
1/ 2
8I O
v I3
K 5 / 2 R1
128I O3 / 2
v I5 ...
(3.13)
Termenii de ordin par din dezvoltarea n serie Taylor a funciei de transfer a amplificatorului
diferenial se anuleaz ca o consecin a simetriei circuitului.
vO (v I ) a1 v I a 3 v I3 a 5 v I5 ...
(3.14)
Primul termen este liniar dependent de tensiunea de intrare (din coeficientul acestuia va
rezulta amplificarea de mod diferenial), iar urmtorii doi termeni modeleaz neliniaritile de
ordin III i V ale caracteristicii de transfer a amplificatorului diferenial.
b. Amplificarea de mod diferenial se poate determina pe baza caracteristicii de transfer
(3.14) considerndu-se o amplitudine redus a tensiunii de intrare v I . In acest caz, termenii de
ordin superior ai caracteristicii devin neglijabili, rezultnd:
Add
vO
a1 R1 KI O
vI
(3.15)
Aceeai expresie se poate obine n urma unei analize de semnal mic, semicircuitul de mod
diferenial fiind prezentat n Figura 3.1b.
129
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
R1
vO
T1
vI
Figura 3.1b
Amplificarea de mod diferenial a circuitului surs comun este:
Add g m R1 R1 2 KI D1 R1 KI O
(3.16)
c. Amplificarea de mod comun se determin utiliznd semicircuitul de mod comun (de tip
sarcin distribuit) din Figura 3.1c.
R1
vO
T1
vI
2R3
Figura 3.1c
Acc
g m R1
1 2 g m R3
(3.17)
d. Pe baza semicircuitelor din Figurile 3.1b i 3.1c, rezistenele de intrare de mod diferenial
i de mod comun sunt:
Rid Ric
(3.18)
e. Limita inferioar a tensiunii de mod comun de intrare este fixat de condiia de funcionare
n saturaie a tranzistorului T3 :
2 1
IO
K
(3.19)
Limita superioar a tensiunii de mod comun de intrare este fixat de condiia de funcionare
n saturaie a tranzistoarelor T1 i T 2 :
130
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
I R
I R
v IC max V DD O 1 v DS1sat v GS1 V DD O 1 VT
2
2
(3.20)
m m1 m2
m
(3.21)
m1 m 2
2
(3.22)
sau:
m1 m
m2 m
(3.23)
(3.24)
2i D1
2i D 2
VOS vGS1 vGS 2 (VT 1 VT 2 )
K ' W / L
K ' W / L 2
1
VOS VT
2(i D i D / 2)
2(i D i D / 2)
K ' (W / L) (W / L) / 2
K ' (W / L) (W / L) / 2
(3.25)
(3.26)
Deoarece (W / L) / 2 (W / L) , rezult:
VOS VT
2i D
i D (W / L)
i
(W / L)
1 D
1
K ' (W / L)
2i D 2(W / L)
2i D 2(W / L)
VGS VT i D (W / L)
2
(W / L)
iD
(3.27)
1 x 1 x / 2 se
(3.28)
131
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
i
i
R
R
i D D R
i D D R
2
2
2
2
(3.29)
echivalent cu:
i D
iD
R
R
(3.30)
VGS VT R (W / L)
2
(W / L)
R
(3.31)
Problema 3.2
Pentru amplificatorul diferenial elementar din Figura 3.1a se consider VDD 9V ,
R1 R2 10k , R3 1M , I O surs de curent constant de 0,1mA , VC surs de tensiune de
4V . S se determine:
a. Reprezentarea grafic a funciei de transfer a circuitului, vO (v I ) , pentru un domeniu de variaie
al tensiunii difereniale de intrare
Rezolvare
a. Simularea caracteristicii vO (v I ) pentru un domeniu de variaie a tensiunii difereniale de
intrare V i cuprins ntre 0,4V i 0,4V este prezentat n Figura 3.2a.
b. Simularea caracteristicii de transfer a circuitului, vO (v I ) , pentru un domeniu de variaie
al tensiunii difereniale de intrare v I cuprins ntre -0,4V i 0,4V i un curent de polarizare I O
avnd valorile 0,1mA , 0,2mA i 0,3mA este prezentat n Figura 3.2b. Se remarc o cretere a
amplificrii de mod diferenial a circuitului o dat cu creterea valorii curentului de polarizare
132
2 ori a
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Figura 3.2a
Figura 3.2b
133
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Figura 3.2c
d. Conform relaiei (3.15), amplificarea de mod diferenial a circuitului este egal cu 10,95 ,
n timp ce valoarea obinut n urma simulrii este 10,43 .
e. Aplicnd relaia (3.17) se obine
Acc 5,12 10 3 .
134
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Figura 3.2d
In mod similar se procedeaz pentru evaluarea limitei maxime a tensiunii de mod comun de
intrare (3.20) Figura 3.2e, rezultnd v IC max 9V .
Figura 3.2e
135
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Tabelul 3.1
Param.
Semnificaie
Add
Acc
vIcmin
vICmax
Amplificare de
mod diferenial
Amplificare de
mod comun
Tensiune minim
de mod comun
de intrare
Tensiune
maxim de mod
comun de intrare
Valoare
calcul manual
-10,95
Valoare
simulat
-10,43
Eroare
(%)
4,75
- 5 10 -3
- 5,12 10 -3
2,4
1,22V
1,2V
1,64
9,5V
9V
5,26
Problema 3.3
Se consider amplificatorul diferenial cu sarcin activ din Figura 3.3. S se determine
expresia amplificrii de mod diferenial n sarcin i n gol.
VDD
T3
T4
vO
Rl
T1
T2
vI
IO
RO
-VDD
Figura 3.3
Rezolvare
Expresia general a amplificrii de mod diferenial este:
136
(3.32)
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
rds
1
2
2
K
IO
(3.33)
Problema 3.4
Se consider amplificatorul diferenial MOS cu degenerare n surs din Figura 3.4.
VDD
R1
R1
vO
T1
R2
T2
R2
R4
VC
vI
IO
R3
R4
Figura 3.4
S se determine:
a. Amplificarea de mod diferenial vO / v I
b. Amplificarea de mod comun
c. Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare, considernd c sursa de curent I O este
implementat n varianta simpl a unei oglinzi de curent, tranzistorul de ieire al acesteia fiind
notat cu T3
Rezolvare
a,b. Considernd o funcionare la semnal mic, se determin (pe baza semicircuitelor)
amplificrile de mod diferenial i de mod comun ale amplificatorului diferenial din Figura 3.3.
g m R1
1 g m R2
(3.34)
g m R1
1 g m ( R 2 2 R3 )
(3.35)
Add
Acc
137
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
2 1
I O I O R2
(3.36)
K
2
Limita superioar a tensiunii de mod comun de intrare este fixat de condiia de funcionare
n saturaie a tranzistoarelor T1 i T 2 :
I R
I R
v IC max V DD O 1 v DS1sat v GS1 V DD O 1 VT
2
2
(3.37)
avnd acceai expresie cu cea calculat pentru circuitul din Figura 1a.
Problema 3.5
Rezolvare
a. Reprezentarea grafic a funciei de transfer a circuitului, vO (v I ) este prezentat n Figura
3.5a. Se remerc o cretere a domeniului tensiunii de intrare pentru care funcia de transfer
prezint erori de liniaritate reduse. Aceast extindere s-a obinut prin introducerea celor dou
rezistene n sursele tranzistoarelor MOS, cu dezavantajul reducerii amplificrii circuitului ca o
consecin a reaciei negative realizate.
138
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Figura 3.5a
b. Simularea caracteristicii de transfer a circuitului, vO (v I ) , pentru un domeniu de variaie
al tensiunii difereniale de intrare v I cuprins ntre -0,4V i 0,4V i un curent de polarizare I O
avnd valorile 0,1mA , 0,2mA i 0,3mA este prezentat n Figura 3.5b. Ca o consecin a
reaciei negative introduse de rezistena R 2 , amplificatorul diferenial din Figura 3.3 va fi mai
puin sensibil la variaiile curentului de polarizare I O dect amplificatorul elementar din Figura
3.1a (pantele caracteristicilor de transfer din Figura 3.5b prezint o variaie redus n funcie de
curentul de polarizare).
Figura 3.5b
139
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Figura 3.5c
d. Aplicnd relaia (3.34) se obine Add 3,43 , n timp ce valoarea rezultat din simularea
prezentat n Figura 3.5c este Add 3,38 .
e.
Amplificarea
teoretic Acc 5 10
de
3
mod
comun
(conform
relaiei
(3.35))
are
valoarea
140
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Figura 3.5d
Figura 3.5e
141
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
In mod similar se procedeaz pentru evaluarea limitei maxime a tensiunii de mod comun de
intrare (3.37) Figura 3.5f, rezultnd v IC max 8,9V .
Figura 3.5f
Rezultatele obinute sunt centralizate n Tabelul 3.2.
Tabelul 3.2
Param.
Semnificaie
Add
Acc
vIcmin
vICmax
Amplificare de
mod diferenial
Amplificare de
mod comun
Tensiune minim
de mod comun
de intrare
Tensiune
maxim de mod
comun de intrare
Valoare
calcul manual
-3,43
Valoare
simulat
-3,38
Eroare
(%)
1,46
- 5 10 -3
- 5,15 10 -3
1,32V
1,3V
1,52
9,5V
8,9V
6,32
142
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Problema 3.6
Se consider amplificatorul diferenial din Figura 3.6. Considernd o funcionare n saturaie a
tranzistoarelor MOS i K1 K 2 , K 3 K 4 , s se determine expresia amplificrii de mod
diferenial a acestuia.
VDD
T3
T4
vO
T1
T2
vI
IO
RO
-VDD
Figura 3.6
Rezolvare
Tensiunea de ieire are urmtoarea expresie:
v O v SG3 v SG4
2
K3
i D3
i D4
2
K3
K1
vGS1 vGS 2
2
K1
vI
K3
(3.38)
deci:
Add
143
K1
K3
(3.39)
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Problema 3.7
Se consider amplificatorul diferenial din Figura 3.7. S se determine expresia amplificrii de
mod diferenial a circuitului.
VDD
T3
T4
vO
T1
T2
vI
IO
-VDD
Figura 3.7
Rezolvare
Amplificarea de mod diferenial a circuitului are expresia:
g
Add m1
g m3
(3.40)
Add
2 K 1 I D1
2 K 3 I D3
K1
(W / L) 1
K3
(W / L) 3
(3.41)
Este dificil de obinut, deci, o valoare ridicat a amplificrii circuitului datorit dependenei
de tip rdcin ptrat a amplificrii de mod diferenial de raportul factorilor de aspect.
144
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Problema 3.8
Se consider amplificatorul diferenial din Figura 3.8. S se determine expresia amplificrii de
mod diferenial a circuitului. VC este o tensiune de polarizare a tranzistoarelor T3 i T4 .
VDD
VC
T3
T4
vO
T1
T2
vI
IO
-VDD
Figura 3.8
Rezolvare
nlocuirea conexiunii tranzistoarelor T3 i T4 din Figura 3.7 cu polarizarea acestora prin
intermediul tensiunii VC permite o cretere important a amplificrii de mod diferenial a
circuitului:
Add g m1 (rds1 // rds3 )
(3.42)
1
2
145
K1
IO
(3.43)
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Problema 3.9
Se consider amplificatorul diferenial din Figura 3.9. S se explice funcionarea circuitului i
s se determine expresia amplificrii de mod diferenial a acestuia.
VDD
VC
T5 T3
T 4 T6
VC
vO
T1
T2
vI
IO
-VDD
Figura 3.9
Rezolvare
Circuitul din Figura 3.9 reprezint o variant mbuntit a amplificatorului diferenial din
Figura 3.7. Reducerea curentului de dren al tranzistoarelor de sarcin T3 i T4 prin
introducerea surselor de curent suplimentare T5 i T6 are ca efect creterea amplificrii
circuitului prin scderea transconductanei g m a tranzistoarelor T3 i T4 . Amplificarea de mod
diferenial are expresia:
2 K 1 I D1
g
K1
I D1
Add m1
g m3
K
I
2 K 3 ( I D1 I D5 )
3 D1 I D5
(3.44)
K5
V DD VC VT 2
2
iar I D1 I O / 2 .
146
(3.45)
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Problema 3.10
Se consider circuitul din Figura 3.10a cu
R1 R2 ,
R5 R6 ,
K 1 K 2 K 1,2 ,
VDD
R2
R1
vO
T2
T1
T3
T4
R5
vI
R3
IO1
IO2
R4
R6
Figura 3.10a
Rezolvare
a. Coeficientul total de distorsiuni al amplificatrului diferenial din Figura 3.1a este egal (cu
o foarte bun aproximaie) cu raportul dintre termenul de ordin III (avnd ponderea cea mai mare
n neliniaritatea circuitului) i termenul util de ordin I din expresia dezvoltrii n serie Taylor
(3.13) a funciei de transfer a circuitului:
THD 1
a 3 v I3
K 2
vI
a1 v I
8I O
(3.46)
147
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
1/ 2
K11,/22 I O
K13, 2/ 2 3
K15, 2/ 2
I
1
iD 2,1 (vI ) O1
vI
v
v5
I
1/ 2
3/2 I
2
2
16 I O1
256 I O1
(3.47)
1/ 2
K 31,/42 I O
K 33,/42 3
K 35,/42
I
2
iD 4 , 3 ( v I ) O 2
vI
v
v5
I
1/ 2
3/2 I
2
2
16 IO 2
256 I O 2
(3.48)
Pentru anularea termenului de ordin III al seriei Taylor asociate tensiunii difereniale de
ieire:
vO [(i D1 i D3 ) (i D2 i D4 )]R1
(3.49)
K 13,2/ 2
1/ 2
16 I O
1
K 33,/42
(3.50)
1/ 2
16 I O
2
echivalent cu:
K 1,2
K 3,4
Alegndu-se,
de
I O1
I O2
(3.51)
R1 R2 10k , K 1,2 12 10 3 A / V 2 ,
exemplu,
(3.52)
unde:
I
1/ 2
O2
b1 K 11,/22 I O
1 1
I
O1
148
2/3
(3.53)
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
i
b5
K 15,2/ 2
128I O3 1/ 2
I
1 O1
I O 2
2/3
(3.54)
b v5
1 K 1,2
THD 2 5 I
b1v I 128 I O1
I O1
I
O2
2/3
v I4
(3.55)
Figura 3.10b
Amplificarea teoretic va avea expresia:
Add b1 R1
I O2
1/ 2
R1 K 11,/22 I O
1 1
I O1
2/3
(3.56)
Inlocuind valorile numerice rezult Add 32,86 , n timp ce valoarea obinut n urma
simulrii prezentate n Figura 3.10b este Add 30,26 , corespunznd unei erori relative
de 7,91% .
149
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Problema 3.11
Se consider amplificatorul diferenial din Figura 3.11a cu R1 R2 , R3 R4 i
V1 V2 V .
a. S se determine expresia funciei de transfer a circuitului vO (v I )
b. Considerndu-se suplimentar efectul de degradare a mobilitii purttorilor modelat prin relaia
urmtoare, s se evalueze cantitativ coeficientul total de distorsiuni al amplificatorului diferenial:
iD
1
K
vGS VT 2
2 1 m(vGS VT )
(3.57)
c. Se consider conectarea anti-paralel din Figura 3.11b a dou amplificatoare difereniale de tipul
celui din Figura 3.11a, primul avnd sursele de tensiune V1 i V 2 de valoare V a , iar al doilea
sursele de tensiune de valoare Vb . Ce expresie va avea coeficientul total de distorsiuni al structurii
difereniale paralel? Se va considera c m(vGS VT ) 1 .
VDD
R2
R1
vO
T2
T1
V2
V1
vI
R3
R4
Figura 3.11a
VDD
R1
R1
R1
R1
vO
T1
T3
T2
Va
Va
T4
Vb
Vb
vI
R2
R2
R2
Figura 3.11b
150
R2
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Rezolvare
a. Dependenele celor doi cureni de dren de tensiunile gril-surs sunt:
i D1
K
vGS1 VT 2
2
(3.58)
i D2
K
vGS 2 VT 2
2
(3.59)
i:
v O R1 i D 2 i D1
(3.60)
v I V1 vGS 2 vGS1 V2
(3.61)
vGS1 vGS 2 2v I
(3.62)
vGS1 vGS 2 2V
(3.63)
rezultnd:
i:
vO 2 KR1 V VT v I
(3.64)
deci o amplificare de mod diferenial a circuitului din Figura 3.11a egal cu:
Add
vO
2 KR1 V VT
vI
(3.65)
Circuitul se comport perfect liniar pentru un domeniu extins al tensiunii difereniale aplicate
la intrare v I .
b. Considerndu-se efectul de degradare a mobilitii purttorilor, expresia curentului
diferenial de ieire este:
iO i D 2 i D1
K
2
x 22
x12
1 mx2 1 mx1
(3.66)
mx2 1 , relaia (3.66) se poate aproxima prin dezvoltare n serie Taylor i reinerea primilor
151
CAPITOLUL III
iO
Amplificatoare difereniale
K 2
K
K
x 2 1 mx2 x12 1 mx1 x 2 x1 x 2 x1 m x 2 x1 x12 x 22 x1 x 2 (3.67)
2
2
2
echivalent cu:
iO
3( x x ) 2 ( x1 x 2 ) 2
K
x 2 x1 x 2 x1 m K x 2 x1 1 2
2
2
4
(3.68)
iO 2 K V VT v I mKv I 3V VT 2 v I2
(3.69)
V VT
iO 2 Kv I V VT 1 3m
mK v I3
2
(3.70)
V VT
vO R1iO 2 KR 1 v I V VT 1 3m
mKR1 v I3
(3.71)
mVI2
2(V VT )
(3.72)
1
1 2
1
(3.73)
Rezult:
iO
K 2
x 2 1 mx2 m 2 x 22 x12 1 mx1 m 2 x12
2
152
(3.74)
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
iO
m2 K 4
m2 K
x 2 x1 x 2 x1 x 22 x12
x 2 x14
2
2
iO
( x x ) 2 ( x1 x 2 ) 2
m2 K
x 2 x1 x2 x1 1 2
2
2
(3.75)
echivalent cu:
(3.76)
I 0 4 m 2 K V VT v I V VT 2 v I2
(3.77)
(3.78)
c1 2 KR 1 V VT 1 3m
2
4 m 2 KR 1 V VT 3 2 KR 1 V VT
(3.79)
i:
c 3 mKR1 4 m 2 KR 1 V VT
(3.80)
Datorit imparitii funciei vO (v I ) , conectarea antiparelel din Figura 3.11b a celor dou
amplificatoare difereniale conduce la obinerea unei tensiuni de ieire egale cu diferena celor
dou tensiuni de ieire individuale:
v O c1a c1b v I c 3a c 3b v I3
(3.81)
(3.82)
(3.83)
Imbuntirea liniaritii circuitului prin metoda propus este de cel puin un ordin de
mrime:
THD1
1
1
THD 2 4m(V VT )
153
(3.84)
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Problema 3.12
Se consider amplificatorul diferenial din Figura 3.12. S se determine amplificarea vO / v I
a circuitului. Ce avantaj prezint aceast variant fa de circuitul din Figura 3.11a?
Rezolvare
Structura circuitului este derivat din cea a amplificatorului diferenial din Figura 3.11a,
diferena constnd n implementarea celor dou surse de tensiune V1 i V 2 utilizndu-se
tensiunile gril-surs ale tranzistoarelor T3 i T4 :
V1 V2 V SG3 V SG4 VT
2I O
K
(3.85)
VDD
R1
R2
vO
T2
T1
IO
T3
T4
vI
T5
T6
T7
Figura 3.12
Inlocuind expresiile celor dou surse de tensiune n relaia general (3.65) a amplificrii de
mod diferenial se obine:
Add 2 2 KI O R1
(3.86)
Avantajul major al acestei implementri particulare a celor dou surse de tensiune este
obinerea unei amplificri a circuitului independente de tensiunea de prag VT . Dezavantajul
ambelor circuite const n impedana de intrare finit (curenii de dren ai tranzistoarelor T3 i
T4 vor fi injectai/extrai din sursa de tensiune de intrare). In analiza anterioar s-a presupus c
tranzistoarele T3 i T4 funcioneaz la un curent de dren aproximativ egal cu I O , erorile
introduse de acest aproximare concretizndu-se n afectarea liniaritii ntregului amplificator
diferenial.
154
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Problema 3.13
Se consider amplificatorul diferenial din Figura 3.13. S se determine amplificarea vO / v I
a circuitului, considernd R1 R2 . Ce avantaj prezint aceast variant fa de circuitul din
Figura 3.11a?
Rezolvare
Sursele de tensiune V1 i V 2 din Figura 3.11a sunt implementate n Fig. 3.13 utiliznd tensiunile
gril-surs ale tranzistoarelor T3 i T4 , polarizate la un curent constant I O . Tranzistoarele T1
i T 2 reprezint etajul diferenial de baz, celelalte tranzistoare realiznd nchiderea curenilor
I O i D1 , respectiv I O i D2 spre sursa pozitiv de alimentare. Funcionarea tranzistoarelor T3
i T4 din Figura 3.13 la curent constant mrete precizia de realizare a surselor de tensiune V1
i V 2 , efectul final fiind creterea liniaritii circuitului.
VDD
I2 = IO
I1 = IO
R1
R2
vO
T1
T2
T3
T4
R3
vI
VC
R4
Figura 3.13
Deoarece:
V1 V2 VGS 3 VGS 4 VT
2I O
K
(3.87)
rezult:
Add
vO
2 2 KI O R1
vI
155
(3.88)
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Problema 3.14
Se consider structura de amplificator diferenial din Figura 3.14. S se explice funcionarea
circuitului i s se determine transconductana echivalent a acestuia, Gm iO / v I (i 2 i1 ) / v I .
VDD
T5a
T6a
i1
i1
T1a
vI/2
T7a
T7b
T2a
T3a
T3b
IO1
I
A
i1
2i1
T10a
T9a
V2
IO
VC
T5b
i2
i2
T2b
T1b
-vI/2
IO2
V1
2I1
T8a
T6b
IO
T11a
2i2
T11b T8b
I
2i2
i2
T9b
T10b
Figura 3.14
Rezolvare
Structura diferenial din Figura 3.14 este o alt implementare posibil a circuitului din
Figura 3.11a, sursele de tensiune V1 i V 2 din acest figur fiind nlocuite cu dou surse de
tensiune comandate n curent, mai exact tensiunile gril-surs ale tranzistoarelor T3a i T3b .
Avantajul acestei implementri a celor dou surse de curent deriv din precizia ridicat obinut
datorit curentului constant de polarizare al acestor dou tranzistoare, egal cu I O (curenii I i
I ' sunt nuli ca o consecin a relaiilor ce pot fi scrise n nodurile A i B). Curentul de comand
al acestor surse de tensiune este fixat prin intermediul potenialului VC . Tranzistoarele T1 i T 2
din Figura 3.11a sunt notate n stuctura diferenial prezentat n Figura 3.14 cu T1a i T1b ,
fiecare dintre aceste dou tranzistoare formnd cte o oglind de curent cu tranzistoarele T2a ,
respectiv T2b .
Similar problemei 3.11, relaia (3.65) se obine:
Gm 2 K V1 VT
(3.89)
V1 VGS 3a,b VT
156
2I O
K
(3.90)
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
deci:
G m 2 2 KI O
(3.91)
Gm 2K (VC VT )
(3.92)
Problema 3.15
Se consider structura de amplificator diferenial din Figura 3.15. S se explice funcionarea
circuitului i s se determine transconductana echivalent a acestuia. Factorii de aspect ai
tranzistoarelor T3 a ' , T3a ' ' , T3b ' i T3b ' ' sunt de 4 ori mai mari dect ai celorlalte tranzistoare
din circuit.
VDD
T5a
T6a
i1
i1
T1a
vI/2
T7a
T3a T3b
T2a
A
i1
2i1
T10a
T9a
T7b
T3a T3b
V1
V1
2i1
IO
T8a
VC
IO
T11a
Figura 3.15
157
2i2
T11b T8b
T6b
T5b
i2
i2
T2b
T1b
-vI/2
B
I
2i2
i2
T9b
T10b
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Rezolvare
Principiul de funcionare al structurii din Figura 3.15 este similar principiului de funcionare
a structurii difereniale prezentate n Figura 3.14, nlocuirea tranzistoarelor T3a i T3b din
Figura 3.14 cu combinaiile serie T3a 'T3a ' ' , respectiv T3b 'T3b ' ' avnd ca efect anularea
degradrii liniaritii circuitului produse de efectul de substrat pentru un control n tensiune al
transconductanei acestuia:
Gm 2 K V1 VT
(3.93)
2I O
4K
(3.94)
rezultnd:
2 I O
Gm 2 K VT
(3.95)
deci:
Gm 2 KV C
(3.96)
Problema 3.16
Se consider structura de amplificator diferenial din Figura 3.16. S se explice funcionarea
circuitului i s se determine transconductana echivalent a acestuia.
Rezolvare
Principiul de funcionare al structurii din Figura 3.16 este similar principiului structurii
difereniale prezentate n Figura 3.11a, nucleul circuitului fiind reprezentat de tranzistoarele T1
i T 2 , n timp ce implementarea surselor de tensiune comandate V1 i V 2 din Figura 3.11a este
realizat utiliznd tranzistoarele T3 i T4 , polarizate la curentul constant I O asigurat de
tranzistoarele T5 i T6 . Deoarece tranzistoarele T3 T6 sunt identice i funcioneaz la acelai
curent de dren I O ( I I ' 0 ), rezult V1 V2 VC , deci:
Gm 2 K VC VT
(3.97)
158
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
VDD
IO
vI/2
T1
IO
T3
T2
T4
-vI/2
V1
V1
I
I
VC
T5
T6
Figura 3.16
Problema 3.17
Se consider structura de amplificator diferenial din Figura 3.17. S se explice funcionarea
circuitului i s se determine transconductana echivalenta a acestuia.
VDD
IO
vI/2
T1
V1
IO
T3
T4
4
T3
4
4
T4
T2
4
V1
I
I
VC
T5
T6
Figura 3.17
159
-vI/2
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Rezolvare
Inlocuirea tranzistoarelor T3 i T4 din Figura 3.16 cu combinaiile serie T3 'T3 ' ' , respectiv
T4 'T4 ' ' are ca efect anularea degradrii liniaritii circuitului ca o consecin a efectului de
substrat pentru un control n tensiune al transconductanei echivalente a acestuia:
Gm 2 K V1 VT
(3.98)
(3.99)
rezultnd:
2 I O
G m 2 K VT
(3.100)
Gm 2 KV C
(3.101)
deci:
Problema 3.18
Se consider structura de amplificator diferenial din Figura 3.18. S se explice funcionarea
circuitului i s se determine transconductana echivalent a acestuia, Gm iO / vI (ib ia ) / vI .
VDD
T6
T5
T9
T10
i1
i2
vI/2
i1
T2
T1
i2
-vI/2
V1
i1
i1
T7
T3
IO
IO
Figura 3.18
160
T8
IO
ia
i2
i2 '
T4
ib
V2
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Rezolvare
Amplificatorul diferenial elementar este format din tranzistoarele T1 i T 2 . Liniarizarea
caracteristicii de transfer (3.7) a acestuia se realizeaz utiliznd dou circuite de extragere a
rdcinii ptrate ( T3 T6 , respectiv T7 T10 ), avnd o caracteristic complementar celei
ptratice specifice funcionrii tranzistorului MOS n saturaie. Pentru un circuit de acest tip se
poate scrie:
2
K
V1 V2 vGS3 vGS 4
i2
i2 '
(3.102)
rezult:
i2 ' i2
K
V1 V2 2 2 K V1 V2 i 2
2
(3.103)
K
V1 V2 2 2 K V1 V2 i 2
2
(3.104)
i a i1 i1 '
K
V1 V2 2 2 K V1 V2 i1
2
(3.105)
Similar:
iO i b i a
(3.106)
se obine:
iO 2 K V1 V 2 i 2 i1
(3.107)
v I vGS 2 vGS1
2
K
i2 i1
(3.108)
iO K V1 V2 v I
deci o transconductan echivalent a amplificatorului Gm K (V1 V2 ) .
161
(3.109)
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Problema 3.19
Se consider structura diferenial din Figura 3.19a, realizat prin conectarea n paralel a dou
etaje difereniale complementare, unul realizat cu tranzistoare NMOS ( T1 T4 ), cellalt cu
tranzistoare PMOS ( T5 T8 ). Se consider R1 R2 R3 R4 i R6 R7 . Rolul acestei
conexiuni este extinderea domeniului tensiunii de mod comun de intrare, necesar n special
pentru aplicaii de joas tensiune. Blocurile DIFF 1 i DIFF 2 furnizez tensiunile de ieire
difereniale ale celor dou amplificatoare complementare (NMOS, respectiv PMOS). Insumarea
celor dou tensiuni de ieire (realizat cu blocul SUM ) este echivalent cu obinerea unei
transconductane totale a amplificatorului diferenial din Figura 3.19a egal cu suma celor dou
T
GmNMOS GmPMOS .
transconductane individuale, Gm
a. S se determine domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare al structurii difereniale
paralel prezentate
b. Ce condiie trebuie impus pentru ca domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare s
includ intervalul 0,VCC ?
DIFF 1
VDD
R1
R2
T5
T1
R6
T2
IO
IO
T4
T3
vI
VC
R7
T8
IO
T7
R3
R4
+
+
vO
T6
DIFF 2
SUM
A
R8
Figura 3.19a
162
R5
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Rezolvare
a. Domeniul de mod comun de intrare pentru amplificatorul diferenial NMOS T1 T4 este
cuprins ntre urmtoarele limite:
I O R1
I R
NMOS
v IC
v DS1sat v GS1 V DD O 1 VT
max V DD
2
2
(3.110)
i:
NMOS
v IC
min vGS1 v DS 3 sat vGS1 vGS 3 VT VT
2 1
IO
K
(3.111)
iar domeniul de mod comun de intrare pentru amplificatorul diferenial PMOS T5 T8 este
limitat superior i inferior de urmtoarele valori:
PMOS
v IC
max V DD v SG6 v SD8 sat VCC v SG6 v SG8 VT V DD VT
2 1
IO
(3.112)
K
i:
I O R3
I R
PMOS
v IC
v SD6 sat v SG6 O 3 VT
min
2
2
(3.113)
Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare al structurii paralel din Figura 3.19a
este determinat prin reuniunea celor dou domenii individuale, caracterizate de inecuaiile
(3.110) (3.113) (Figura 3.19b).
NMOS
vICmax
VCC
Functionare
normala
PMOS
vICmax
NMOS
vICmin
Functionare
normala
0
PMOS
vICmin
Figura 3.19b
b. Condiia ca domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare s includ intervalul
0, VCC implic urmtoarele inegaliti:
NMOS
v IC
max V DD
(3.114)
PMOS
NMOS
v IC
max v IC min
(3.115)
163
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
PMOS
v IC
min 0
( 3.116)
echivalente cu:
I O R1 2VT
(3.117)
i:
V DD 2 VT
2 1
IO
K
(3.118)
Domeniile de mod comun de intrare ale celor dou amplificatoare difereniale sunt
aproximativ complementare, existnd, ns, un interval al tensiunii de intrare (corespunznd unor
valori medii ale acesteia) pentru care cele dou domenii se suprapun.
PMOS
NMOS
Domeniul I: v IC
min v IC v IC min
NMOS
PMOS
Domeniul al II-lea: v IC
min v IC v IC max
PMOS
NMOS
Domeniul al III-lea: v IC
max v IC v IC max
Tabelul 3.3
Domeniu VIC
AD NMOS
AD PMOS
AD paralel
I
0
Gm
Gm
II
Gm
Gm
2Gm
T
Gm
III
Gm
0
Gm
S-a presupus o tranziie brusc ntre funcionare normal i blocare pentru fiecare
amplificator diferenial ca funcie de tensiunea de mod comun de intrare.
Dezavantajul acestei structuri paralel de dou amplificatoare difereniale complementare este
NMOS
PMOS
faptul c pentru tensiuni medii de mod comun de intrare ( v IC
min v IC v IC max ),
164
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Problema 3.20
Se consider circuitul din Figura 3.19a, realizat prin conectarea n paralel a dou etaje
difereniale complementare, unul realizat cu tranzistoare NMOS, cellalt cu tranzistoare PMOS.
Elementele circuitului sunt: R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 10k , R8 1M , V DD , v I
i VC surse de tensiune continu de valori 3V , 1mV , respectiv 1,5V .
a. S se verifice funcionarea la semnal mare a amplificatoarelor difereniale NMOS i PMOS,
considerndu-se un domeniu de variaie a tensiunii difereniale de intrare cuprins ntre 0,4V i
0,4V
b. S se evalueze cantitativ domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare al
amplificatorului diferenial T1 T2
c. S se evalueze cantitativ domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare al
amplificatorului diferenial T6 T7
d. S se evalueze cantitativ domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare al structurii
obinute prin conectarea n paralel a amplificatoarelor difereniale T1 T2 i T6 T7
Rezolvare
a. Deoarece tranzistoarele T4 i T5 sunt identice, se poate scrie urmtoarea ecuaie pentru
determinarea valorii curentului de polarizare a amplificatoarelor difereniale, I O :
V DD 2VGS
KR 5
VGS VT 2
2
(3.119)
echivalent cu:
2
60VGS
118VGS 57 0
(3.120)
rezultnd VGS 1,1135V i, deci, I O 77,3A , valoare foarte apropiat de cea obinut prin
simulare, I O 73,3A .
Simularea caracteristicii de transfer a amplificatorului diferenial T1 T2 pentru un domeniu de
variaie a tensiunii difereniale de intrare cuprins ntre 0,4V i 0,4V este prezentat n Figura
3.20a. Amplificarea de mod diferenial a circuitului este Add g m R1 KI O R1 9,38 ,
valoarea simulat a acesteia fiind 9,71 .
Caracteristica de transfer este similar pentru amplificatorul diferenial T6 T7 .
b. Conform relaiilor (3.110) i (3.111), domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare
al amplificatorului diferenial NMOS T1 T2 va fi cuprins ntre 1,1934V i 3,6135V .
Simularea prezentat n Figura 3.20b a caracteristicii de transfer a acestui amplificator pentru 3
valori ale tensiunii de mod comun de intrare, VC 3,2V , VC 3,3V i VC 3,4V pune n
eviden o tensiune maxim de mod comun de intrare de aproximativ 3,3V .
165
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Figura 3.20a
In mod similar, simularea prezentat n Figura 3.20c a caracteristicii de transfer a
amplificatorului NMOS pentru 2 valori ale tensiunii de mod comun de intrare, VC 1,1V i
VC 1,2V pune n eviden o tensiune minim de mod comun de intrare de aproximativ 1,2V .
Figura 3.20b
166
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Figura 3.20c
c. Conform relaiilor (3.112) i (3.113), domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare
al amplificatorului diferenial PMOS T6 T7 va fi cuprins ntre 0,6135V i 1,807V .
Simularea prezentat n Figura 3.20d a caracteristicii de transfer a acestui amplificator pentru 3
valori ale tensiunii de mod comun de intrare, VC 0,5V , VC 0,4V i VC 0,3V pune n
eviden o tensiune minim de mod comun de intrare de aproximativ 0,4V .
Figura 3.20d
167
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Figura 3.20e
d. In urma celor 4 simulri anterioare s-au determinat urmtoarele domenii ale tensiunii de
mod comun de intrare: 0,4V v IC 1,8V , pentru amplificatorul PMOS i 1,2V v IC 3,3V
pentru amplificatorul NMOS. Conectarea n paralel a celor dou amplificatoare va conduce la
obinerea unui domeniu extins al tensiunii de mod comun de intrare al structurii,
0,4V v IC 3,3V , cu dezavantajul obinerii unei transconductane duble pentru intervalul n
care ambele amplificatoare difereniale sunt active, 1,2V vIC 1,8V . Amplificarea de mod
diferenial a structurii paralel nu va fi constant pentru tot domeniul extins de variaie a tensiunii
de mod comun de intrare, ci va avea o valoare Add pentru extremitile intervalului,
0,4V v IC 1,2V i 1,8V v IC 3,3V i o valoare 2 Add pentru zona central a intervalului,
1,2V vIC 1,8V . Acest lucru este ilustrat n Figura 3.20f, simularea caracteristicii de transfer a
structurii paralel realizndu-se pentru 5 valori ale tensiunii de mod comun de intrare:
2 valori aflate n extremitile intervalului extins ( VC 0,5V i VC 2,5V ),
caracteristicile fiind aproximativ identice deoarece pentru fiecare caz este active un
singur amplificator diferenal;
2 aflate cu puin n afara domeniului extins ( VC 0,5V i VC 3,5V ), remarcndu
se o uoar scdere n raport cu situaia anterioar a amplificrii de mod diferenial
echivalente a structurii ca o consecin a ieirii din saturaie a unor tranzistoare din
circuit;
168
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Figura 3.20f
Problema 3.21
S se repete problema anterioar pentru circuitul din Figura 3.21a. Diferena ntre cele dou
circuite sunt inserarea blocului de calcul al maximului a doi cureni (Figura 3.21b) i transformarea
structurii difereniale cu sarcin pasiv n etaj diferenial cu sarcin activ. Ce avantaj prezint
circuitul modificat fa de circuitul din problema anterioar?
Rezolvare
Pentru iO1 iO2 , se pot scrie urmtoarele relaii:
i D3 i D 4 i D5 i O 2
(3.121)
(3.122)
(3.123)
i D4 i D 5 i O 2
(3.124)
i D3 iO1 ; i D1 i D2 0
iO i D1 i D5 iO2
(3.125)
169
(3.126)
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
VDD
iO1
VC
vI
VDD
vO
I0 = max(iO1, iO2)
iO2
Figura 3.21a
iO1
iO2
iO
T1
T2
T3
T4
T5
Figura 3.21b
NMOS
PMOS
Pentru domeniul tensiunilor medii de mod comun de intrare v IC
min v IC v IC max ,
circuitul de maxim din Figura 3.21b va selecta transconductana cu valoarea cea mai mare dintre
G mPMOS i G mPMOS , deci transconductana total a circuitului paralel modificat din Figura 3.21a
va fi aproximativ constant, independent de tensiunea de mod comun de intrare.
170
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
PMOS
NMOS
Domeniul I: v IC
min v IC v IC min
NMOS
PMOS
Domeniul al II-lea: v IC
min v IC v IC max
PMOS
NMOS
Domeniul al III-lea: v IC
max v IC v IC max
Tabelul 3.4
Domeniu VIC
AD NMOS
AD PMOS
AD paralel
modificat
I
0
Gm
Gm
II
Gm
Gm
Gm
III
Gm
0
Gm
Problema 3.22
Se consider structura de amplificator diferenial din Figura 3.22. S se explice funcionarea
circuitului i s se determine transconductana i domeniul maxim al tensiunii de mod comun de
intrare.
VDD
i1a
i2a
T1b
T1a
vI/2
-vI/2
vI/2
-vI/2
T2b
T2a
i1b
iO1
T3
T4
T5
T6
IC
i2b
iO2
T7
T8
Figura 3.22
171
T9
T10
T11
T12
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Rezolvare
Circuitul din Figura 3.22 prezint avantajul unei transconductane echivalente constante
pentru un domeniu extins al tensiunii de intrare de mod comun. Extinderea domeniului maxim de
mod comun al tensiunii de intrare se realizeaz prin utilizarea a dou amplificatoare difereniale
complementare ( T1a T1b , respectiv T2a T2b ), n timp ce pstrarea unei transconductane
constante este posibil prin implementarea a dou circuite de maxim ( T3 T7 i T8 T12 ).
Transconductana ntregului circuit este derivat din relaia (3.86):
G m 2 2 KI C
(3.127)
Problema 3.23
Se consider structura de amplificator diferenial din Figura 3.23. S se explice funcionarea
circuitului i s se evalueze domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun.
VDD
T13
T14
T15
T16
i1
i5
i2
i6
i5
i6
IC
vI/2
T1
T3 T4
T2
T5
T7
T9
T11
T6
T8
T10
T12
-vI/2
i6
i4
i5
i3
T17
T18
T19
T20
Figura 3.23
Rezolvare
Pentru obinerea unei transconductane constante a amplificatorului diferenial, circuitul din
Figura 3.23 este format din dou perechi difereniale complementare, T1 - T2 , respectiv T3 - T4 ,
precum i din dou oglinzi de curent flotante, T5 - T8 i T9 - T12 . Datorit conexiunii serie a
celor dou surse de curent, i5 i i6 vor avea valoarea egal cu minimul dintre cei doi cureni de
ieire ai celor dou surse de curent:
i5 min(I C - i1 , I C - i4 )
(3.128)
i6 min(I C - i2 , I C - i3 )
(3.129)
172
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Considernd curentul de ieire egal cu diferena celor doi cureni iO i6 - i5 , exist trei
cazuri posibile:
iO i1 - i 2 i 4 - i 3 G mNMOS v I G mPMOSv I .
In concluzie, pentru orice valoare a tensiunii de mod comun de intrare, transconductana
amplificatorului diferenial din Figura 3.23 este aproximativ constant, n ipoteza unor
transconductane egale ale celor dou amplificatoare difereniale complementare.
Problema 3.24
Se consider structura de amplificator diferenial din Figura 3.24. S se explice funcionarea
circuitului i s se evalueze domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun.
In1
In2
V1
io
V2
VB
IO
V DD
Ip1
Ip2
Figura 3.24
173
DD
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
Rezolvare
Amplificatorul diferenial din Figura 3.24 este realizat prin conectarea n paralel a dou
amplificatoare difereniale complementare de tipul celui prezentat n Figura 3.13, obinerea unei
transconductane constante a structurii fiind realizat prin selectarea maximului dintre cele dou
transconductane utiliznd dou circuite de maxim. Va rezulta:
T
Gm
G mNMOS G mPMOS 2 2 KI O
(3.130)
Problema 3.25
Se consider amplificatorul dublu diferenial avnd simbolul din Figura 3.25a. S se propun
schema bloc a unei implementri posibile pentru acest tip de structur diferenial. Dependena
tensiunii de ieire de cele 4 poteniale de intrare este:
vO a(v1 v2 ) (v3 v4 )
(3.131)
v2
v1
+ +
v4
v3
vO
_
Figura 3.25a
Rezolvare
O posibil realizare a structurii difereniale din Figura 3.25a utilizeaz dou amplificatoare
difereniale identice, avnd impedan de intrare mare, schema bloc a structurii propuse fiind
prezentat n Figura 3.25b.
Expresia tensiunii de ieire este:
(3.132)
174
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
v1
v2
AD1
iO1
iO
vO
R
iO2
v3
v4
AD2
Figura 3.25b
Problema 3.26
Se consider structura de amplificator diferenial din Figura 3.26. S se explice funcionarea
circuitului i s se evalueze domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare.
VDD
T7
i1
i 2
T1
v2
T5 T6
T2
v1
v1
T18
T13
T14
i1
i2
i1
T8
T11 T12
i2
T9
i1 i2
T4
i4 i3
i3
IC
T10
iO
v2
i4
T3
T15
T19
T16
T17
Figura 3.26
Rezolvare
Uzual, pentru lrgirea domeniului de mod comun al tensiunii de intrare a unui amplificator
diferenial se utilizeaz o structur complementar de tranzistoare MOS, transconductana total
fiind suma celor dou transconductane ale perechilor complementare, n condiiile n care fiecare
dintre acestea este o funcie pozitiv de tensiunea diferenial de intrare. O alternativ de etaj
175
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
diferenial cu domeniu extins al tensiunii de mod comun de intrare este prezentat n Figura 3.26.
Transconductana total a circuitului este suma dintre o transconductan pozitiv (etajul format
din tranzistoarele T8 - T13 ) i una negativ ( T1 - T7 ). Curentul de ieire al amplificatorului
diferenial are expresia:
iO (i1 - i2 ) (i3 - i4 ) (i1 '-i2 ' ) (i1 ' '-i2 " ) (i3 - i4 )
(3.134)
(3.135)
Funcionarea circuitului din Figura 3.26 fiind dependent de tensiunea de mod comun de
intrare, vor fi analizate n continuare cele 5 situaii posibile din acest punct de vedere.
v IC 0
T5 , T6 sunt n conducie, dar T3 este blocat, deci etajul diferenial T1 T2 va prezenta o
transconductan nul, neavnd curent de polarizare;
T10 este blocat, deci etajul diferenial T8 T9 nu va avea curent de polarizare, rezultnd
G mNMOS (T8 T9 ) 0 ;
Etajul diferenial T11 T12 este polarizat la curentul I C , deci va avea transconductana
G mPMOS (T11 T12 ) G mPMOS ( I C ) ;
v IC aproximativ 0
T5 , T6 sunt n saturaie, dar T3 este n zona liniar a caracteristicii, deci etajul diferenial
T1 T2 va fi polarizat la un curent I n I C , fixat de T3 , rezultnd o transconductan
G mNMOS (T1 T2 ) G mNMOS ( I n ) ;
v IC medie
T5 , T6 i T3 sunt n saturaie, deci etajul diferenial T1 T2 va fi polarizat la un curent I C ,
v IC aproximativ V DD
T3 este n saturaie, dar T5 i T6 sunt n zona liniar a caracteristicii. Etajul diferenial
T1 T2 va fi polarizat, deci, la un curent I p , rezultnd o transconductan
CAPITOLUL III
Amplificatoare difereniale
v IC VCC
T3 este n saturaie, dar T5 i T6 sunt blocate. Etajul diferenial T1 T2 va fi polarizat,
Tabelul 3.5
vIC
T8 T13
T1 T2
0
aproximativ 0
medie
aproximativ
VDD
VDD
GmPMOS(IC)
Gm
(IC)+ GmNMOS(In)
PMOS
Gm
(IC)+ GmNMOS(IC)
0
GmNMOS(In)
GmNMOS(IC)
GmPMOS(Ip)+ GmNMOS(IC)
GmNMOS(Ip)
GmNMOS(IC)
PMOS
Etaj diferenial cu
transconductan
constant
GmPMOS(IC)
GmPMOS(IC)
GmPMOS(IC)
PMOS
Gm
(Ip)+ GmNMOS(IC ) -GmNMOS(Ip)
GmPMOS(IC)
Utilizarea configuraiei din Figura 3.26 permite obinerea unei transconductane aproximativ
constante pentru ntregul amplificator diferenial, indiferent de regimul de funcionare al
tranzistoarelor schemei (inversie slab sau inversie puternic).
177
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
CAPITOLUL IV
AMPLIFICATOARE OPERAIONALE
INTRODUCERE
Amplificatorul operaional este un circuit cu intrare diferenial i ieire simpl, folosit n
circuite cu reacie extern, avnd rolul de amplificare a semnalului de intrare sau de prelucrare a
acaestuia conform unei anumite relaii matematice. Amplificatorul operaional ideal prezint o
amplificare n bucl deschis infinit, rezisten de intrare infinit i rezisten de ieire nul. Dei
amplificatoarele operaionale reale nu au aceste caracteristici ideale, performanele lor sunt n mod
obinuit suficient de bune astfel nct n majoritatea aplicaiilor comportarea circuitului s poat fi
bine aproximat cu cea a unui amplificator operaional ideal.
Parametrii amplificatoarelor operaionale
Amplificarea n bucl deschis a reprezint raportul dintre variaia tensiunii de ieire i
variaia tensiunii de intrare difereniale:
vO
v NI v INV
178
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
PROBLEME
Problema 4.1.
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.1. S se determine:
a. Curenii de dren ai tranzistoarelor n punctul static de funcionare
b. Amplificarea circuitului
c. Rezistena de intrare
d. Rezistena de ieire a structurii
e. Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun
VDD
T4
T3
R
IO
T5
v1
T1
T2
A
T7
T8
vO
v2
T6
Figura 4.1
Rezolvare
a. Pentru determinarea curentului I O se poate scrie relaia:
RI O VGS8 VDD
(4.1)
K
VGS 8 VT 2
2
(4.2)
RK
VGS 8 VT 2
2
(4.3)
Soluia valabil este cea care corespunde funcionrii n saturaie a tranzistorului T8 , adic
VGS8 VT . Curentul I D 8 se obine prin nlocuirea n relaia (4.2) a valorii obinute pentru
VGS 8 , iar I D5 I D6 I D7 I D8 I 0 i I D1 I D2 I D3 I D4 I D7 / 2 I O / 2 .
b. Amplificarea circuitului are expresia:
a g m1 rds2 // rds4 g m5 rds5 // rds6
nlocuind expresiile pentru transconductane i rezistene dren-surs rezult:
179
(4.3)
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
(4.4)
22 I O
Rid
(4.5)
RO rds5 // rds6
1
2I O
(4.6)
e. Valoarea maxim a tensiunii de intrare de mod comun este impus de condiia de funcionare n
saturaie a tranzistoarelor T1 i T 2 , condiia cea mai restictiv fiind impus de T2 deoarece
VDS 2 VDD VSG5 V A VDS1 VDD VSG3 V A , deci VDS 2 VDS 2 sat VGS 2 VT :
v IC
max V DD V SG5 V DS 2 sat VGS 2 V DD V SG5 VT V DD
2I O
K
(4.7)
v IC
max V DS7 sat VGS1 VGS7 VGS1 VT VT
2 1
IO
K
(4.8)
Problema 4.2
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.2a. VC1 este un potenial
constant, stabilit din exterior, care fixeaz curentul de dren al tranzistorului T9 la valoarea I O .
S se determine expresiile pentru:
a. Curenii de dren n punctul static de funcionare
b. Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun
c. Amplificarea circuitului, explicndu-se funcionarea acestuia
d. Rezistena de ieire
e. S se repete punctele anterioare pentru circuitul din Figura 4.2b i s se determine valoarea
maxim a potenialului VC 2 , respectiv valoarea minim a potenialului VC 3 pentru ca circuitul s
funcioneze corect
180
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
VDD
T7
v1
T4
T3
T1
T2
T6
vO
v2
IO
T9
VC1
T8
T5
Figura 4.2a
VDD
T7
T3
T4
T6
VC2
v1
T2
T1
IO
vO
v2
VC3
T9
VC1
T10
T8
T11
T5
Figura 4.2b
Rezolvare
a.
not
I D9 I O
K
VC1 VT 2
2
I D1 I D2 ... I D8 I O / 2
(4.9)
(4.10)
v IC
max V DD V SG4 V DS1sat VGS1
(4.11)
echivalent cu:
v IC
max V DD
IO
V VT
V DD C 1
K
2
(4.12)
v IC
max VGS 2 VGS 9 sat VT
IO
2I O
1
VC 1 VT VT
K
K
2
181
(4.13)
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
(4.14)
iD2 iD1 g m1 v2 v1
(4.15)
vO i D6 i D5 RO
(4.16)
1
g m1rds5 v2 v1
2
(4.17)
1
1
g m1 rds5
2
K
IO
(4.18)
e. Curenii n PSF i v IC
max nu se modific prin schimbarea configuraiei, n schimb
rezistena de ieire a structurii i amplificarea acesteia vor crete cu acelai factor, devenind:
a'
1
2K
2
g m10 rds
10 2
2
IO
1
2K
2
gm1g m10rds
10 2
2
IO
K
IO
(4.19)
4.20)
IO
K
(4.21)
182
IO
K
(4.22)
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
Problema 4.3
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.3. S se determine expresiile
pentru:
a. Curenii de dren n punctul static de funcionare
VDD
T13
T9
T6
T5 T3
T4
T1 T2
v1
vO
v2
IO
T10
T14
T11
T12
T7
T8
Figura 4.3
Rezolvare
a. Curenii de dren n punctul static de funcionare au urmtoarele expresii:
I
I D1 ... I D 8 O
2
(4.23)
I D9 ... I D14 I O
(4.24)
v IC
max V DD V SG3 V DS 2 sat VGS 2
(4.25)
echivalent cu:
v IC
max V DD
IO
K
(4.26)
v IC
max VGS 2 V DS14sat
(4.27)
deci:
v IC
max
2 1
IO
VT
K
(4.28)
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
c. Structura de amplificator operaional din Figura 4.3 este derivat din circuitul prezentat n
Figura 4.2a. Creterea amplificrii este posibil prin introducerea unui etaj suplimentar de
amplificare (tranzistorul T10 n configuraia surs comun, avnd ca sarcin tranzistorul T9 ,
component a sursei de curent T9 T13 ). Polarizarea etajului diferenial de intrare T1 T2 este
asigurat (spre deosebire de circuitul din Fig 4.2a) de sursa de curent T11 T14 .
Amplificarea ntregii structuri este egal cu produsul amplificrii celor dou etaje
componente:
a g m1 rds4 // rds8 g m10 rds10 // rds9
1
g m1 g m10 rds4 rds10
4
K
22 I O
(4.29)
Problema 4.4
Se consider amplificatorul operaional din Figura 4.4. S se determine expresiile pentru:
a. Curenii de dren n punctul static de funcionare
b. Amplificarea circuitului
VDD
T10
T12
T11
v1
T1
IO
T7
T8
v2
T2
vO
T6
T5
T3
T9
T4
Figura 4.4
Rezolvare
a.
I D5 ... I D12 I O
(4.30)
I
I D1 ... I D 4 O
2
(4.31)
(4.32)
(4.33)
(4.34)
Se obine:
184
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
1 K
2 3 I O
3/ 2
(4.35)
Problema 4.5
Se consider etajul de intrare ntr-un amplificator operaional prezentat n Figura 4.5a. S se
analizeze funcionarea acestuia i s se calculeze expresia transconductanei
Gm iD2 i D1 /v2 v1 . S se proiecteze un amplificator operaional cu amplificare n bucl
deschis de valoare ridicat utiliznd ca etaj de intrare structura prezentat. Ce expresie are a
pentru ntregul amplificator operaional proiectat?
VDD
IO
IO
T3
v1
T1
T8
T6
T5
T7
T4
v2
T2
iD2
iD1
Figura 4.5a
Rezolvare
Notm cu VGS I modulul tensiunii gril-surs a unui tranzistor MOS avnd curentul de
dren de valoare I . Se pot scrie relaiile:
v1 v 2 2vGS I O 2vGS i D1 2
2
K
v1 v 2 2vGS i D 2 2vGS I O 2
2
K
I O i D1
i D2
IO
(4.36)
(4.37)
Rezult:
iD1 I O
v1 v2
2
K
2
(4.38)
i D2 I O
v1 v 2
2
K
2
(4.39)
Deci:
185
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
i D1 i D 2 2 I O
iD2 iD1 v1 v2
(4.40)
K
2
(4.41)
iD2
i D1
i D2
i D1 2 KI O v1 v 2 G m v1 v 2
(4.42)
(4.43)
VDD
T15
T16
T14
T17
vO
Amplificator
diferenial
v1
v2
VC
iD1
T11
T13
iD2
T9
T10
T12
Figura 4.5b
Se obin:
a Gm RO
(4.44)
i:
RO rds17 g m17 rds16 // rds13 g m13 rds12
186
1
2
g m17 rds
17
2
(4.45)
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
Problema 4.6
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.6. S se explice funcionarea
acestuia i s se determine expresia amplificrii circuitului. VC1 , VC 2 i VC 3 sunt poteniale
constante, fixate din exterior.
VDD
VC1
VC2
VC3
T6
T10
T8
v1
T2
v2
T3
vO
T7
T4
T9
T5
T11
Figura 4.6
Rezolvare
Amplificatorul operaional din Figura 4.6 este format din urmtoarele etaje de amplificare:
- amplificatorul diferenial cu sarcin activ T2 T5
- amplificatorul de tip surs comun T7 avnd ca sarcin sursa de curent T6
- amplificatorul de tip surs comun T8 avnd ca sarcin sursa de curent T10 , curentul de dren
al tranzistorului T8 fiind reflectat prin oglinda de curent T9 T11
Amplificrile celor trei etaje constitutive sunt:
(4.46)
(4.47)
(4.48)
iar amplificarea ntregii stucturi este egal cu produsul celor trei amplificri anterioare.
Problema 4.7
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.7. S se explice funcionarea
acestuia i s se determine expresia amplificrii circuitului. A1 i A2 reprezint dou
amplificatoare operaionale adiionale avnd amplificrile n bucl deschis a1 a2 a , iar VC1 ,
VC 2 i VC 3 sunt poteniale constante, fixate din exterior.
187
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
VDD
T5
T4
T3
T8
VC1
v1
T2
T1
A1
T9
vO
v2
VC2
A2
T10
VC3
T7
T6
T11
Figura 4.7
Rezolvare
Circuitul prezentat n Figura 4.7 reprezint o structur clasic de amplificator operaional,
etajul diferenial de intrare T1 T2 debitnd curent prin sursele de curent mbuntite
1
2
ag m9 rds
9
2
(4.49)
1
2
ag m1 g m9 rds
9
2
(4.50)
Problema 4.8
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.8. S se explice funcionarea
acestuia i s se determine amplificarea circuitului.
Rezolvare
Structura de amplificator operaional prezentat n Figura 4.8 este format din amplificatorul
diferenial T1 T2 i sursele de curent cascod realizate cu celelalte tranzistoare din circuit.
Amplificarea va avea expresia:
1
2
a g m1 g m10 rds
(4.51)
10
2
188
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
VDD
T7
T9
T6
T8
T5
T3
T4
T10
T1
T2
v1
vO
v2
IO
T11
T12
T13
T14
Figura 4.8
Dezavantajele circuitului sunt necesitatea alimentrii la o tensiune relativ ridicat i
domeniul restrns al tensiunii de intrare de mod comun (valoarea maxim a acestuia):
v IC
max V DD 2V SG3 V DS1sat VGS1 V DD VT 2
IO
K
(4.52)
Problema 4.9
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.9. S se explice funcionarea
acestuia i s se determine amplificarea circuitului. I 12 i I 34 sunt dou surse de curent constant,
ale cror valori sunt stabilite din exterior.
VDD
T7
T6
T5
T8
T1
v1
I12
T3
T4
T9
T12
T10
T11
T2
I34
Figura 4.9
189
vO
v2
T13
T15
T14
T16
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
Rezolvare
Amplificatorul operaional din Figura 4.9 are ca etaj de intrare conexiunea antiparalel a
dou amplificatoare difereniale clasice, T1 T2 , respectiv T3 T4 , polarizate la cureni diferii,
(4.53)
1
2
g m11rds
12
2
(4.54)
cu:
g m11 K ( I 12 I 34 )
(4.55)
i:
rds12
2
( I 12 I 34 )
(4.56)
g mi g m12 g m34
(4.57)
deci:
a g m12 g m34 RO
2 K ( I 12 I 34 )
2 ( I 12 I 34 ) 3 / 2
(4.58)
Problema 4.10
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.10. S se explice funcionarea
acestuia i s se determine expresia amplificrii circuitului. VC1 , VC 2 i VC 3 sunt poteniale
constante, fixate din exterior.
Rezolvare
Curentul de ieire al amplificatorului diferenial T1 T2 parcurge sursa de curent cascod
T3 T7 , genernd, astfel, tensiunea de ieire. Dezavantajele circuitului sunt aceleai cu cele ale
structurii din Figura 4.8. Amplificarea circuitului din Figura 4.10 va avea expresia:
1
2
a g m1 g m7 rds
(4.59)
7
2
190
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
VDD
T5
T6
VC1
T7
vO
T3
T4
VC2
T1
v1
T2
v2
T8
VC3
Figura 4.10
Problema 4.11
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.11 VC1 i VC 2 sunt poteniale
constante, fixate din exterior. S se determine expresiile pentru:
a. Curenii de dren ai tranzistoarelor n punctul static de funcionare
b. Amplificarea circuitului
c. Rezistena de intrare
d. Rezistena de ieire
e. Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun
VDD
T3
T5 T4
T6
VC1
T8
vO
IO
T12
v1
T1
T2
T11
v2
T10
VC2
T9
T7
Figura 4.11
Rezolvare
a. Curenii I D11 i I D12 se determin n mod similar problemei 4.1. Datorit oglinzilor de
curent,:
191
(4.60)
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
a g m1 RO
(4.61)
1
2
g m9 rds
9
2
(4.62)
rezultnd:
a
2K
(4.63)
2 I O
Rid
(4.64)
1
2
g m 9 rds
9
2
(4.65)
echivalent cu:
RO
K
IO
IO
2
(4.66)
IO
K
v IC
max V DD
(4.67)
i:
v IC
max VT
2 1
IO
K
Problema 4.12
Se consider circuitul din Figura 4.12a. VC este un potenial constant, fixat din exterior.
a. S se explice funcionarea acestuia
b. S se determine expresia amplificrii ntregii structuri
c. Cum se poate mri amplificarea circuitului?
d. Ce dezavantaje prezint circuitul i cum se poate mbunti funcionarea acestuia?
192
(4.68)
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
VDD
T9
V
v1
T7
T8
T17
T18
T14
T33
T34
vO
T21
T20
VC
v2
T12
T11
T13
T25
T23
T10
T15
T16
T22
T24
Figura 4.12a
Rezolvare
a. Schema simplificat a amplificatorului operaional din Figura 4.12a este prezentat n
Figura 4.12b.
V
v1
T13
T14
Oglind de curent
v2
vO
Figura 4.12b
Amplificatorul diferenial este format din tranzistoarele T13 i T14 , n timp ce sursele de
tensiune comandate V sunt implementate utiliznd tranzistoarele T11 i T12 , polarizate la un
curent constant impus de tranzistoarele T15 i T16 , avnd tensiuni gril-surs fixate de tensiunea
de control VC . Oglinda de curent din Figura 4.12b este implementat concret utiliznd oglinzile
T34 T22 , T33 T24 i T23 T25 , avnd rolul de a realiza diferena celor doi cureni de dren ai
tranzistoarelor T13 i T14 . Tensiunea de ieire a amplificatorului operaional va avea expresia:
vo i D14 i D13 RO Gm v1 v2 RO
(4.69)
a Gm RO
(4.70)
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
RO rds25 // rds24
(4.71)
v1 v2 v SG14 V
(4.72)
v1 v2 V v SG13
(4.73)
(4.74)
v SG14 v SG13 2V
(4.75)
K
v SG14 VT 2 K v SG13 VT 2 K v SG14 v SG13 v SG13 v SG14 2VT (4.76)
2
2
2
i D14 i D13 2 K v1 v2 V VT
(4.77)
Revenind la structura din Figura 4.12a, sursele de tensiune V vor avea expresiile:
(4.78)
deoarece tranzistoarele T11 , T12 , T15 i T16 sunt identice i parcurse de acelai curent. Rezult:
i D14 i D13 2K v1 v2 VC VT
(4.79)
vO i D14 i D13 RO
(4.80)
vO 2K v1 v 2 VC VT rds24 // rds25
(4.81)
Se obine:
a 2 K VC VT rds24 // rds25
(4.82)
c. Creterea a este posibil prin nlocuirea surselor de curent T33 T24 i T23 T25 cu
variantele lor cascod, aa cum este artat n Figura 4.12c.
194
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
VDD
T23
T25
T23
T25
vO
T24
T24
T22
Figura 4.12c
Efectul acestei nlocuiri este o cretere important a rezistenei de ieire a amplificatorului
operaional, reflectat ntr-o cretere de acelai numr de ori a amplificrii acestuia. Rezistena
de ieire a sursei de amplificatorului operaional din Figura 4.12c are expresia:
RO ' g m25 ' ' rds25 ' ' rds25 ' // g m24 ' rds24 ' rds24 ' '
RO '
1
2
g m 25 rds
25
2
(4.83)
(4.84)
(4.85)
T11
T11
T12
T12
T11
T12
Figura 4.12d
195
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
(4.86)
2 I D11 '
2 K
VC VT 2
V 2VT
2VT
4
K
K
2
(4.87)
rezultnd:
V VC VT
Expresiile amplificrilor devin independente de tensiunea de prag:
a 2 KVC rds24 // rds25 KVC rds24
2
a ' KV C g m 25 rds
25
(4.88)
(4.89)
(4.90)
Problema 4.13
Se consider amplificatorul diferenial din Figura 4.13a funcionnd la un curent I B fixat de
blocul Polarizare adaptiv, avnd schema bloc prezentat n Figura 4.13b. Implementarea
propus pentru blocul Detector tensiune de mod comun este prezentat n Figura 4.13c, n timp
ce Amplificatorul de separare furnizeaz un curent I B pentru polarizarea etajului diferenial de
intrare T1 T2 invers proporional cu tensiunea de intrare de mod comun, VCMS i, n plus, are
amplificarea n tensiune unitar. S se explice funcionarea ntregului ansamblu i s se determine
curenii de dren ai tranzistoarelor T1 i T2 din amplificatorului diferenial de intrare n punctul
static de funcionare.
polarizare
adaptiv
IB
v1
T1
v2
T2
Detector
tensiune de
mod comun
v1
v2
VCMS Ampl.
de separare
IB
VCMS
b
VDD
T5
T6
R
N2
N1
v1
T3
VCMS
IO
T4
IO
Figura 4.13
196
v2
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
Rezolvare
Datorit simetriei structurii din Figura 4.13c, tensiunea de ieire a acestuia va fi media
aritmetic a potenialelor din punctele N1 i N2, deci:
VCMS
VN 1 VN 2 v1 v2
2IO
VSG3 VCM VT
2
2
K
(4.91)
VCM fiind tensiunea de intrare de mod comun. Creterea VCM conduce la creterea VCMS , deci
la scderea I B , rezultnd o scdere a amplificrii etajului T1 T2 , deci o reacie pe mod comun
care stabilizeaz amplificarea circuitului fa de variaiile tensiunii de intrare de mod comun.
In punctul static de funcionare, v1 v2 , deci VCM v1 v2 i, deoarece VA VCMS , rezult
VCM VSG1 VCMS VCM VSG3 , deci VSG1 VSG3 , adic I 1 I 2 I O (deoarece
tranzistoarele T1 T4 sunt presupuse identice). In concluzie, curenii prin amplificatorul
diferenial T1 T2 n punctul static de funcionare i, implicit, amplificarea etajului pot fi
controlate prin curentul de polarizare I O .
Problema 4.14
S se repete problema 4.13 nlocuindu-se circuitul din Figura 4.13c cu circuitul din
Figura 4.14. Tranzistoarele T3 T6 sunt presupuse identice.
VDD
IO
T7
v1
v1
T9
T 3 T4
T 5 T6
T8
IO
v2
v2
T10
IO
VCMS
IO
IO
Figura 4.14
Rezolvare
Deoarece I D3 I D4 I D4 I D5 I D5 I D6 I O , rezult I D3 I D5 i I D4 I D6 , deci
VGS3 VGS5 i VGS4 VGS6 . Se pot scrie relaiile:
(4.92)
(4.93)
rezultnd:
VCMS
2IO
v1 'v2 ' v1 v2
VSG8 VCM VT
2
2
K
(4.94)
Circuitul din Figura 4.14 indeplinete aceeai funcie cu cel din Figura 4.13c, media
aritmetic a potenielelor v1 i v 2 fiind realizat utiliznd exclusiv tranzistoare MOS, deci cu un
consum mai redus de arie ocupat pe siliciu.
197
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
Problema 4.15
Se consider amplificatorul operaional din Figura 4.15. S se explice funcionarea circuitului
i s se determine expresia amplificrii acestuia.
VDD
T9
T10
T5
T3
vO
v1
T1
iD1
T8
T7
T6
T4
IO
IO
T2
v2
iD2
T11
T12
Figura 4.15
Rezolvare
Amplificatorul diferenial format din tranzistoarele T1 T6 este de tipul celui prezentat n
Figura 4.12b. Sursele de tensiune comandate V din Figura 4.12b sunt implementate utiliznd
tranzistoarele T4 i T6 funcionnd la un curent constant I O :
V VSG4 VSG6 VT
2I O
K
(4.95)
(4.96)
(4.97)
(4.98)
Problema 4.16
Se consider amplificatorul diferenial din Figura 4.16. S se determine expresia
transconductanei acestuia definit ca Gm iO / v1 v 2 , unde iO i D1 iD3 i D2 iD4 .
198
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
VDD
T5
T6
Va
Vb
Va
T1
v1
Ta
Vb
T3
T2
Tb
v1
T4
v2
IO
IO
iD1 + iD3
iD2 + iD4
Figura 4.16
Rezolvare
iO
K
Va 'v1 VT 2 K Vb 'v2 VT 2 K Va 'v2 VT 2 K Vb 'v1 VT 2
2
2
2
2
(4.99)
K
v2 v1 2Va 'v1 v2 2VT K v1 v2 2Vb 'v1 v2 2VT
2
2
(4.100)
iO
iO K Vb 'Va 'v1 v2 K Vb Va v1 v2
(4.101)
Gm K Vb Va
(4.102)
Problema 4.17
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.17. S se explice funcionarea
acestuia i s se determine expresia amplificrii circuitului. V a i Vb sunt poteniale constante,
fixate din exterior, iar I O sunt surse de curent constant.
VDD
T13
T12
T11
T5
v1
Va
T1
T14
T6
Vb
Va
Ta
Vb
T3
T2
Tb
T4
v1
v2
IO
IO
vO
T9
T7
T17
T15
T10
T8
T18
T16
Figura 4.17
199
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
Rezolvare
Conform problemei 4.16, transconductana echivalent a etajului de intrare este
Gm K Vb Va . Deoarece rezistena de ieire a amplificatorului operaional are expresia:
RO rds14 g m14 rds13 // rds15 g m15 rds16
1
2
g m15 rds
15
2
(4.103)
1
2
K Vb V a g m15 rds
15
2
(4.104)
Problema 4.18
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.18. VC1 i VC 2 reprezint
poteniale constante, stabilite din exterior, care fixeaz curenii de dren ai tranzistoarelor T1 i T2
la valorile I O1 , respectiv I O2 , iar tensiunea VP 2 VP1 se consider constant i cunoscut. S se
determine expresia amplificrii circuitului.
VDD
T7
T8
vO
T5
T3
v1
T1
v1
VP2
v2
IO1
VC1
T6
T4
VP1
IO2
VC2
T2
Figura 4.18
Rezolvare
Amplificatorul operaional din Figura 4.18 este format din dou amplificatoare difereniale
( T3 T5 i T4 T6 ), conectate antiparalel i polarizate diferit ( I O1 , respectiv I O2 ), diferena
celor doi cureni de ieire fiind realizat utilizndu-se oglinda de curent T7 T8 . Curentul de
ieire al amplificatorului operaional are expresia:
iO i D3 i D4 i D5 i D6
echivalent cu:
200
(4.105)
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
iO
K
v1 V P1 VT 2 K v 2 V P 2 VT 2 K v 2 V P1 VT 2 K v1 V P 2 VT 2 (4.106)
2
2
2
2
sau:
iO K v1 v 2 VP2 VP1
(4.107)
vO iO RO
(4.108)
(4.109)
(4.110)
rds8
2
( I O1 I O2 )
(4.111)
2
I O 2
(4.112)
rds6
i:
rds5
(4.113)
I O1
rezultnd:
RO
( I O1 I O 2 )
2
K[(VC 1 VT ) (VC 2 VT ) 2 ]
2
(4.114)
deci:
a
2(V P 2 V P1 )
[(VC 1 VT ) 2 (VC 2 VT ) 2 ]
(4.115)
Problema 4.19
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.19. S se determine expresiile
pentru:
a. Curenii de dren ai tranzistoarelor n punctul static de funcionare
b. Amplificarea circuitului
c. Rezistena de intrare
d. Rezistena de ieire
201
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
VDD
T3
T4
A
v1
T1
T2
IO
T5
B
v2
T6
T8
vO
Rl
T7
T12
T9
T10
T11
Figura 4.19
Rezolvare
a.
(4.116)
I
I D1 ... I D 4 O
2
(4.117)
(4.118)
echivalent cu:
2I O
K6
2I F
K8
(4.119)
I F IO
K8
K6
(4.120)
rezultnd:
T8 i T9 .
b. Amplificarea structurii este egal cu produsul amplificrilor celor dou etaje constitutive:
amplificatorul diferenial cu sarcin activ realizat cu tranzistoarele T1 T4 , respectiv
amplificatorul surs comun implementat de tranzistorul T5 . Tranzistoarele T6 T9 formeaz
etajul de ieire n clas AB, curentul prin tranzistoarele finale T8 i T9 fiind fixat prin ajustarea
valorii curentului I D10 (care modific, ns, curenii prin toate tranzistoarele circuitului, deci i
202
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
g m8 Rl
1
g m2 g m5 rds2 rds5
1 g m 8 Rl 4
K
22 I O
(4.121)
Ri
(4.122)
1
g m8
//
1
g m9
1
1
2 g m8 2 2 KI O
(4.123)
(pentru K 6 K 8 , deci I F I O ).
Problema 4.20
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.20. VC1 i VC 2 sunt poteniale
constante, fixat din exterior. S se explice funcionarea circuitului i s se determine Add . Ce
avantaj prezint circuitul comparativ cu cel din Figura 4.12a? Se consider c tranzistoarele T5 ,
T6 , T12 i T13 au constanta K de 4 ori mai mare dect a celorlalte tranzistoare.
VDD
T19
T20
T18
iO
v1
iD1
T17
iD2
iD1
T8
T9
iO
T14
iD2
T1
T2
T3
VC1
T11 T16
T7
v2
T4
T5
T12
T6
T13
T10
T15
VC2
-VDD
Figura 4.20
203
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
Rezolvare
Principiul de funcionare al amplificatorului operaional din Figura 4.20 este similar cu cel
al structurii din Figura 4.12a. Tranzistoarele T1 i T2 formeaz amplificatorul diferenial de
intrare, excitat de tensiunea diferenial v1 v2 , n timp ce tranzistoarele T3 i T4 , mpreun cu
oglinzile de curent T17 T18 i T19 T20 au rolul de a reflecta curenii de ieire din
amplificatorul diferenial ( iD1 i iD2 ) n scopul obinerii tensiunii de ieire. Sursele de curent V
din Figura 4.12b sunt implementate concret n Figura 4.20 prin intermediul perechilor T5 T6 ,
respectiv T12 T13 , polarizate la un curent constant impus prin intermediul oglinzii multiple de
curent T8 T9 T14 de ctre tranzistorul T7 , avnd tensiunea gril-surs constant i fixat de
potenialul de comand VC . Deci:
2 I D5
2 K
VC1 VT 2 VC1 VT
V VGS 5 VGS6 2VT
2VT
4
K
K
2
(4.124)
Gm 2 KVC1
(4.125)
Problema 4.21
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.21. S se explice funcionarea
acestuia i s se determine expresia amplificrii circuitului. VC1 VC 5 sunt poteniale constante,
fixate din exterior.
VDD
T11
T9
T13
T10
T12
VC1
T7
VC4
T8
T14
T15
vO
v2
v1
T1
T2
VC2
T3
VC5
T4
T16
T17
T6
T18
T19
VC3
T5
Figura 4.21
204
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
Rezolvare
Amplificatorul operaional din Figura 4.21 este format din amplificatorul diferenial T1 T2
i din sursele de curent cascod realizate cu tranzistoarel T3 T19 . Curentul de ieire din
amplificatorul operaional are expresia:
iO i D15 i D17
(4.126)
Deoarece T18 T19 , T10 T12 i T9 T13 formeaz oglinzi de curent, rezult:
iO i D9 i D10 i D3 i D4 i D5 i D1 i D6 i D2
(4.127)
iO i D2 i D1 g m1 v2 v1
(4.128)
vO iO RO
(4.129)
1
2
g m17 rds
17
2
(4.130)
1
2
g m1 g m17 rds
17
2
(4.131)
Problema 4.22
Se consider structura de amplificator operaional din Figura 4.22. VC1 i VC 2 sunt poteniale
constante, fixate din exterior. S se determine expresiile pentru:
a. Curenii de dren ai tranzistoarelor n punctul static de funcionare
b. Amplificarea circuitului
c. Rezistena de intrare
d. Rezistena de ieire
e. Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun
Rezolvare
a. I D1 I D2 I O / 2 , I D11 I D12 I O .
I D 5 I D6
K
V DD VC 2 VT 2
2
I D3 I D4 I D7 ... I D10 I D6 I D2
205
(4.132)
(4.133)
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
VDD
VC2
VC1
R
v1
T1
T2
T6
T3
T4
v2
IO
T12
T5
vO
T7
T8
T9
T10
T11
Figura 4.22
b,d. Amplificatorul operaional este o structur clasic de cascod ntoars, etajul de intrare
fiind implementat de amplificatorul diferenial T1 T2 , n timp ce etajul de ieire este relizat
utiliznd sursa de curent de tip cascod T3 T10 , necesar pentru creterea impedanei de ieire a
amplificatorului operaional i, deci, a amplificrii acestuia. Potenialul VC 2 fixeaz curentul de
repaus prin tranzistoarele T5 i T6 .
Amplificarea ntregii structuri are expresia:
a g m1 RO
(4.134)
(4.135)
Ri
(4.136)
v IC
max VC 1 V SG3 V DS1sat VGS1 VC 1 V SG3 VT
(4.137)
(4.138)
echivalent cu:
VC 2 VC 1 V SG3 VT
I
2 K
V DD VC 2 VT 2 O
K 2
2
206
V DD VC 2 VT 2
IO
(4.139)
K
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
(4.140)
Problema 4.23
Se consider amplificatorul operaional de tip cascod ntoars din Figura 4.23. S se
determine expresiile pentru:
a. Curenii de dren n punctul static de funcionare
b. Amplificarea circuitului
Se consider c potenialele VC1 i VC 3 (fixate din exterior) asigur curenii
I D9 I D5 I D4 I D3 I O , iar VC 2 i VC 4 sunt, de asemenea, poteniale fixate.
VDD
VC3
VC4
v1
T4
T12
T8
T3
IO
T11
T7
T2
T1
v2
vO
T10
VC2
T6
IO
T9
VC1
T5
IO
Figura 4.23
Rezolvare
a.
I
I D 3 I D6 I D7 I D 8 I D10 I D11 I D12 I D 9 I D 2 O
2
(4.141)
I
I
I D1 I D 2 D 3 O
2
2
(4.142)
I
I
iO I O O g m1v2 I O O g m1v1 g m1 v1 v2
2
2
(4.143)
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
(4.144)
deci:
K
2
a gm1 g m7 rds
8 // g m6 rds6 rds5 // rds1 2
IO
(4.145)
Problema 4.24
S se determine expresia amplificrii structurii de amplificator operaional din Figura 4.24.
VC este potenial de polarizare fixat din exterior.
VDD
T12
T15
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T11
vO
v1
VC
T13
T2
T1
T14
v2
T3
T10
Figura 4.24
Rezolvare
Amplificatorul operaional este de tip cascod ntoars, amplificarea etajului diferenial
T1 T2 fiind:
(4.146)
Amplificarea etajului al doilea, realizat cu tranzistorul T11 n configuraia surs comun are
expresia:
(4.147)
a Add1 Add 2
208
(4.148)
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
Problema 4.25
Se consider amplificatorul operaional din Figura 4.25, VC i VC1 VC 4 fiind poteniale
constante, fixate din exterior care stabilesc prin circuit curenii I D0 , I D1 i I O (v. Figura 4.25) .
Toate tranzistoarele sunt identice, cu excepia T0 i T1 care au factorii K 0 , respectiv K 1 . S se
determine amplificarea ntregii stucturi.
VDD
VC
T0
v1
T1
ID0
ID1
T2 T3
T4
T6
T7
VC1
v1
T5
T8
T9
v2
VC2
T10
T11
iO1
iO2
vO
VC3
IO
T12
T13
VC4
IO
Figura 4.25
Rezolvare
Tensiunea de ieire a amplificatorului operaional are expresia:
I I D1
I I D1
vO I O D0
iO1 I O D0
iO 2 RO iO 2 iO1 RO
2
2
(4.149)
(4.150)
iar cu io1 i io 2 notndu-se componentele de semnal mic de la ieirea celor dou amplificatoare
difereniale T2 T3 i T4 T5 . Aceste componente sunt suprapuse peste curenii din punctul static
de funcionare, I D2 I D3 I D0 / 2 i I D4 I D5 I D1 / 2 .
Curentul diferenial de ieire poate fi scris astfel:
iO2 iO1 iD2 iD4 iD3 iD5 iD2 iD3 iD4 iD5
(4.151)
KI D1 KI D0 v1 v 2
(4.152)
KI D1 KI D0 RO
K
2
209
K 1 K 0 V DD VC VT RO
(4.153)
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
Problema 4.26
Pentru amplificatorul operaional din Figura 4.26a s se determine amplificarea circuitului,
considerndu-se c tranzistoarele T5 T8 sunt tranzistoare MOS super-cascod, avnd structura
descris n Figura 4.26b. Se cunosc I O1 I O2 I O / 2 , iar potenialele VC1 VC 4 sunt fixate din
exterior astfel nct stabilesc prin circuit curenii din Figura 4.26a.
VDD
VC2
IO
VC3
T3
T4
T5
T6
VC2
VC3
vO1vO2
v1
v2
T2
T1
VC4
VC1
T7
T8
T9
T10
VC4
VC1
Figura 4.26a
VDD
IO2
IO1
vD
vD
iD
T11
vG
T12
T13
vG
vS
vGS
vS
Figura 4.26b
Rezolvare
Echivalarea celor dou structuri din Figura 4.26b este posibil pornind de la relaia general
care le caracterizeaz, i D Gm vGS , cu Gm notndu-se transconductana echivalent a
structurii formate din cele trei tranzistoare. Se pot scrie relaiile:
(4.154)
rezultnd:
4K 3 / 2
3
2
G m g m13 g m12 rds12 g m11rds11 g m
r
G m5 G m6 G m7 G m8
11 ds11
2 I O1 / 2
210
(4.155)
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
Structura de amplificator operaional din Figura 4.26a este format din etajul diferenial
clasic realizat cu tranzistoarele T1 i T 2 , curentul de ieire al acestuia parcurgnd sursa de
curent T3 T10 realizat n varianta cascod pentru creterea rezistenei de ieire i, deci, a
amplificrii circuitului. Amplificarea va avea expresia:
a g m1 RO
(4.156)
(4.157)
Problema 4.27
Se consider amplificatorul operaional din Figura 4.27. S se explice funcionarea circuitului
i s se determine amplificarea acestuia. Toate tranzistoarele sunt identice, cu excepia T15 i T14
care au K15 4 K14 4 K . Potenialele VC1 i VC 2 sunt constante i stabilite din exterior, VC 2
fixnd curenii de dren ai tranzistoarelor T4 i T5 la valoarea I D4 I D5 I O / 2 . Ce relaie
exist ntre potenialul VC 2 i curentul I O ?
VDD
T17
T11
T10
T16
T13
v1
T1
T2
v2 T8
vO
T9
VC1
T12
T14
T15
T3
T6
T7
T4
T5
R
IO
VC2
Figura 4.27
Rezolvare
Amplificatorul operaional prezentat n Figura 4.27 reprezint o structur clasic de cascod
ntoars, format din:
- amplificatorul diferenial T1 i T 2 ;
211
Amplificatoare operaionale
CAPITOLUL IV
- sursa de curent T4 T11 realizat n variant cascod pentru creterea impedanei de ieire;
- etajul de ieire T12 de tip dren comun, avnd amplificare unitar n tensiune, cu rolul de a
reduce imdepana de ieire a amplificatorului operaional;
- sursa de curent T14 T17 necesar pentru polarizarea amplificatorului diferenial (prin T3 ), a
sursei cascod (prin potenialul grilei tranzistorului T16 ), respectiv a etajului de ieire (prin T13 ).
Pentru determinarea curenilor statici prin tranzistoarele circuitului se pot scrie relaiile:
VGS14 VGS15 I O R
(4.158)
echivalent cu:
VT
2I O
2I O
VT
IO R
K
4K
(4.159)
deci:
IO
1
2 KR 2
(4.160)
I D4
IO
1
K
VC 2 VT 2
2
2
2
4 KR
(4.161)
(4.162)
(4.163)
rezultnd:
VC 2 VT
(4.164)
2 KR
212
(4.165)