1.

INTRODUCERE
1.1.

GENERALITI

Termenul de electronic este destul de general datorit numeroaselor i

diverselor aplicaii grupate pe diferite domenii. De fapt electronica
reprezint o parte a fizicii i implicit a tehnicii care studiaz i utilizeaz n
acelai timp variaiile diferitelor mrimi electrice (cmpuri electromagnetice,
cureni, tensiuni, etc.).
Pornind de la aceast definiie foarte general se poate face referire la
urmtoarele dou mari domenii de aplicaii:
electronica prelucrrii semnalelor care se refer n principal la
modalitile de tratare i prelucrare a informaiei. Se mai numete
electronic de reglare i comand.
electronica de putere care se refer la tratarea i prelucrarea
fluxurilor energetice dinspre sursa de energie (reeaua electric) ctre
sistemul de reglare prin intermediul unui etaj de amplificare.
Diferena notabil ntre cele dou domenii mai sus amintite este dat de
domeniile de putere aferente acestora, dup cum urmeaz:
civa W sute de W pentru electronica de reglare i comand,
sute de W GW pentru electronica de putere.
Sistemele n electronica de putere (SEP) cuprind nu numai convertoarele
statice de putere ci i ceea ce numim sarcin (de obicei o main electric
sau o instalaie electric), mpreun cu dispozitivele de comand i control
alturi de instrumentele de msur i traductoarele aferente.
Este clar c, n cadrul unor asemenea sisteme exist legturi i implicit
dependene legate de concepia sistemelor automate i n particular de
concepia circuitelor de reglare (control).
Etapele importante n proiectarea i realizarea unor asemenea sisteme sunt
urmatoarele : modelarea matematic a prilor componente, alegerea
configuraiilor pentru circuitele de comand i control, dimensionarea
regulatoarelor i simularea numeric, n final, a sistemului.
Datorit fenomenelor tranzitorii ce apar n diferitele etape de funcionare ale
SEP, se impune o adaptare a modelrii matematice a acestora n funcie de
etapele parcurse.
Schema bloc a unui SEP este prezentat n Fig. 1.1, dup cum urmeaz:

electronica de reglare i comand

electronica de putere

procesul/sarcina

Fig.1.1: Schema bloc a unui SEP.

Terminologie: Reseau dalimentation retea de alimentare, Dispositifs de reglage dispozitive de reglare,
(control), Dispositifs de commande dispozitive de comand, Convertisseur statique convertor static,
Charge sarcin, Dispositifs de protection dispozitive de protecie, Organes de mesure instrumente de
masur, Capteurs traductoare.

Dupa cum se observ din Fig.1.1, elementul central al SEP este convertorul
static conectat la reeaua de alimentare (monofazat ori trifazat).
ntre reea i convertor se stabilete o circulaie de energie ctre sarcin
(sgeile negre ngroate).
De cele mai multe ori sarcina poate fi o main electric ce acioneaz
elemente de lucru mecanice, sau instalaii electrice convenionale sau
neconvenionale (celule fotovoltaice, acumulatoare).
ntre aceste elemente exist diferite reacii (liniile punctate) ce se
materializeaz prin influenele sarcinii asupra convertorului (cderi de
tensiune, oscilaii de curent), prin perturbaiile produse de convertor asupra

reelei sub forma armonicilor de tensiune i curent, ct i a unei circulaii de

putere reactiv.
Fiecare SEP cuprinde dispozitivele de reglare necesare att controlului
diferitelor mrimi la nivelul sarcinii ct i limitarea eventualelor perturbaii
n scopul evitrii suprasolicitrilor la nivelul convertorului, respectiv
sarcinii. Aceste circuite de control au structuri destul de complexe la intrarea
crora sunt furnizate semnale date de instrumentele de msur i
traductoarele inteligente i specializate.
n plus, exist i circuitele de comand, care acioneaz asupra convertorului
static. Se poate distinge o circulaie de semnale reprezentat prin sgei
continue i subiri pornind dinspre convertor, traversnd sarcina,
instrumentele de msur i ajungnd napoi la convertor prin dispozitivele de
reglare i comand. Se formeaz astfel o bucl nchis, circuitul de control.
Este strict necesar prezena dispozitivelor de protectie care trebuie s
acioneze rapid n sensul decuplrii de la reea a convertorului static n cazul
prezenei unor scurtcircuite sau suprasarcini.
n acest caz semnalele furnizate provin de la traductoarele de tensiune i
curent (liniile punctate).
n concluzie, se observ c SEP prezint toate caracteristicile unui sistem
automat complex.
n acest sens sunt prezentate n Fig. 1.2 etapele principale ce trebuie parcurse
la proiectarea circuitelor de reglare aferente unui SEP.
Prima etap reprezint alegerea i dimensionarea convertorului static i a
comenzii acestuia, adaptat la cerinele sarcinii. Alegerea nu poate fi facut
independent de constrngerile statice i dinamice impuse SEP n ansamblu.
Urmeaz modelarea convertorului static, a circuitelor de comand i a
sarcinii (maina electric sau/i mecanic). Modelarea este indispensabil
pentru etapele de configurare a circuitelor de reglare (alegerea structurii),
dimensionarea regulatoarelor (determinarea coeficienilor) i simularea
numeric.
Ultima etap este constituit din implementarea sistemului (inclusiv
pachetele soft dedicate) i din punerea acestuia n funciune.
Din acest punct de vedere se impune o simulare n timp real, n care
convertorul static si sarcina sunt anterior inlocuite de simulatoare.
Astfel regulatoarele reale (de obicei realizate cu P sau DSP-uri) pot
interveni n mod direct asupra simulatoarelor.
Acest lucru permite o testare i o acordare a circuitelor de reglare fr nici
un pericol pentru circuitele de for.
Ulterior acestor etape se procedeaz la punerea n funciune a instalaiei
reale.
3

Fig.1.2 : Etapele proiectrii circuitelor de reglare aferente unui SEP.

Terminologie: Choix et dimensionnement du convertisseur statique alegerea i dimensionarea
convertorului static, Modelisation modelare, Configuration des circuits de reglage configurarea
circuitelor de reglare, (control), Dimensionnement des regulateurs dimensionarea regulatoarelor,
Simulation numerique simularea numeric, Implementation et mise en service implementarea i
punerea n funciune.

1.2.

APLICAII ALE SEP N DIFERITE DOMENII

Deoarece SEP permit conversia energiei electrice (continu-continu,

alternativ-continu i viceversa, de diferite frecvene) cu randament ridicat,
fluxul acesteia putnd fi modificat cu instalaii electronice de comand de
putere redus, acestea pot fi utilizate n aplicatii din cele mai diverse. n cele
ce urmeaz vor fi prezentate cteva din cele mai semnificative aplicaii ale
SEP n domenii de mare interes.
1.2.1. Aplicaii n domeniul producerii i distribuirii energiei electrice
n Fig.1.3 sunt prezentate n mod schematic, cteva aplicaii ale SEP n
domeniul producerii i distribuirii energiei electrice.

Fig.1.3 : Aplicaii ale SEP n producerea i distribuirea energiei electrice.

Acestea sunt urmtoarele:
(1) excitarea alternatoarelor sincrone,
(2) acionarea alternatoarelor cu vitez variabil,
(3) transmiterea energiei electrice la nalt tensiune continu,
(4) compensarea static a puterii reactive,
(5) conversia energiei eoliene,
(6) conversia energiei solare.
5

Pentru aceste aplicatii, puterile instalate sunt cuprinse ntre ordinul kW (pt.
conversia energiei eoliene sau solare) i ordinul MW (pt. celelalte aplicaii).
(1) n centralele electrice, alternatoarele sincrone sunt n general excitate
de la convertoare de curent, ceea ce permite o reglare rapid a
tensiunii la bornele acestora i implicit funcionarea lor sigur n
paralel cu reeaua de distribuie.
(2) n hidrocentralele de mic i medie presiune, cderea de ap variaz
adeseori destul de mult. Pentru exploatarea optimal a turbinei
hidrocentralei se impune funcionarea acesteia cu turaie variabil. n
acest caz se pot utiliza drept alternatoare cu viteza variabil maini
asincrone cu inele i rotorul bobinat. Circuitul rotoric este conectat la
un convertor direct de frecven care permite o funcionare sub/super
sincron cu o alunecare i implicit o vitez variabil ntr-un anumit
domeniu sigur de turaie n care randamentul turbinei este cel optim.
Acest principiu este aplicat i pompelor de mare putere cu vitez
variabil.
(3) Uneori energia electric este transmis la nalt tensiune continu cu
ajutorul a dou convertoare de curent. Aceast soluie se aplic n
cazul distanelor foarte lungi (mii de km) sau dac linia de transmisie
este format din cabluri (cazul pasajelor submarine).
(4) Pentru a nu transmite puterea reactiv n liniile trifazate de transmisie,
sunt instalate n sub-statiile de putere, compensatoare statice de putere
reactiv. Acestea permit reducerea pierderilor pe liniile de transmisie
i contribuie la meninerea tensiunii constante la punctele de
interconexiune.
(5) Pentru conversia energiei eoliene se utilizeaz SEP, astfel : elicea
acionat de vnt antreneaz un alternator sincron cu vitez variabil,
iar convertorul static de frecven compus din ansmblul redresorinvertor injecteaz energia electric n reeaua de transmisie i
distribuie.
(6) Energia solar este captat de panourile fotovoltaice i convertit n
energie electric continu ce este convertit de un invertor n energie
alternativ ce este transmis n reea.
1.2.2. Aplicaii n domeniul utilizrii energiei electrice
Cteva dintre principalele aplicaii ale SEP n domeniul utilizrii energiei
electrice sunt prezentate n Fig.1.4.

Fig.1.4: Aplicaii ale SEP n domeniul utilizrii energiei electrice.

Acestea sunt urmatoarele:
(1) acionri electrice cu motoare de c.c.,
(2) acionri electrice cu motoare de c.a. (asincrone i sincrone),
(3) aplicaii n mecatronic (servosisteme, roboi, maini unelte, etc.),
(4) surse ne-intreruptibile de alimentare (UPS),
(5) pompe cu vitez variabil, iluminat, aparatur electrocasnic, instalaii
electrice pt. construcii.
Un domeniu foarte important n majoritatea sectoarelor industriale este cel al
sistemelor de acionare cu vitez variabil cu motoare de c.c. i de c.a. (1,2).
Puterile instalate aferente acestor sisteme sunt cuprinse ntre ordinul kW i
ordinul MW. O categorie particular de acionri electrice o reprezint
servosistemele (3) aplicate n domeniile mecatronicii, al roboilor, mainilor
unelte, etc. Puterile instalate sunt cuprinse n domeniul W-kW. Utilizatorii de
calculatoare, aparatur medical sau de maini pt. fabricarea maselor plastice
au nevoie de surse de alimentare ne-intreruptibile (4). Aceste surse conin un
redresor pt. alimentarea acumulatorilor i un invertor. n sectorul
construciilor civile SEP sunt aplicate la sistemele de acionare cu pompe de

vitez variabil pt. nclzire (aer conditionat), n sistemele de iluminat i n

utilizarea aparaturii electrocasnice (5). Dei n acest caz puterile instalate
sunt relativ reduse, utilizarea SEP contribuie la economisirea energiei
electrice printr-o comand adaptat i la reducerea polurii cu armonici a
reelelor .
1.2.3. Aplicaii n domeniul traficului
Introducerea SEP n domeniul traficului este din ce in ce mai preponderent
fie n traciunea feroviar (de c.c. sau de c.a. monofazat), fie n propulsia
vehiculelor (electrice i hibride). O reprezentare schematic a acestor
aplicaii este prezentat n Fig.1.5.

Fig.1.5: Aplicaii ale SEP n domeniul traficului.

Aceste aplicaii sunt urmatoarele:
(1,2) conexiunile ntre reeaua industrial de 50Hz i cea feroviar de
16 2/3 Hz,
(3) motoarele de traciune de c.a. de pe locomotivele monofazate,
(4) sub-staiile de redresare,
(5) motoarele de traciune de c.c. de pe locomotivele monofazate,
(6) propulsia vehiculelor.
Puterile instalate n cazul acestor aplicaii sunt de la cteva sute de kW i
pn la MW, cu excepia propulsiei vehiculelor unde avem puteri de ordinul
8

zecilor de kW maxim. n unele state europene (Elveia, Germania, Austria,

Suedia i Norvegia) cile ferate principale au fost electrificate n curent
monofazat (15kV, 16 2/3 Hz). De obicei aceste linii monofazate sunt
interconectate cu reeaua industrial de 50Hz (1,2). Acest lucru se poate
realiza cu ajutorul grupurilor rotative (1) compuse din alternatoare
monofazate i din motoare asincrone cu inele (rotor bobinat) ale cror
rotoare sunt direct conectate la convertoare de frecven. Astfel motoarele
asincrone lucreaz cu vitez variabil inferioar sau superioar vitezei
sincrone, asigurand o conexiune elastic ntre cele doua reele. Grupurile
rotative absorb (datorit energiei cinetice) putere activ (tipic pt. reelele
feroviare), fr a lucra ns la un randament prea ridicat. Din acest motiv se
recurge la soluia schimbului de putere n reelele interconectate prin
intermediul convertoarelor directe de frecven (2). Motoarele de traciune
de c.a. de pe locomotivele monofazate sunt alimentate de la grupuri de
convertoare statice (ansamblul redresor-invertor) capabile s lucreze n 4
cadrane (3), ceea ce permite asigurarea de randamente ridicate la puteri i
viteze mari. n Franta, Spania, Anglia, Belgia i Olanda regiile de cale ferat
au ales tensiunile de alimentare de 1,5kV i/sau 3kV c.c., pt. cile principale.
Pentru cile nguste, metrou i troleybus se utilizeaz tensiunile continue
cuprinse ntre 500-1200V. Pentru alimentarea acestor linii se utilizeaz substaiile de redresare (4) echipate cu redresoare cu diode sau mai modern cu
convertoare de curent n antiparalel care s permit recuperarea energiei de
frnare n reeaua industrial. Astzi motoarele de c.c. de traciune (5) sunt
alimentate de la variatoare de c.c., iar motoarele de traciune de c.a. sunt
alimentate de la invertoare. Astfel se poate asigura modificarea forei de
traciune concomitent cu modificarea vitezei la un randament ridicat. Pentru
cile ferate de mare vitez se utilizeaz alimentarea locomotivelor de la linia
de frecven industrial i tensiunea de 25-27kV. n ceea ce privete
automobilul electric (6), alimentarea motoarelor de traciune se face prin
intermediul variatoarelor de c.c. pentru motoarele de c.c. sau de la invertoare
pentru motoarele asincrone. Sursa de energie pe automobil o reprezint
bateriile (rencrcabile) sau pilele de combustie.
1.3. PROCESOARE I CONVERTOARELOR DE PUTERE
Pentru un studiu aprofundat n electronica de putere se impune considerarea
unei scheme referitoare la procesorul de putere, n funcie de mrimile
(forme de und i frecven) de intrare i ieire, dup cum rezult din Fig.
1.6.

Fig. 1.6: Schema bloc a procesorului de putere.

Terminologie: Input intrare, Converter convertor, Energy storage element element de stocare a
energier, Output ieire, Power processor procesor de putere.

n majoritatea cazurilor, mrimile de intrare sunt preluate de la sursa de

putere (de obicei reeaua electric). n funcie de aplicaiile n care sunt
utilizate, mrimile de ieire aferente sarcinii/ieirii (Fig.1.6.) pot avea
urmtoarele forme de und (tensiune, curent):
1. forme de und continue (c.c.)
a) cu amplitudini constante,
b) cu amplitudini variabile (reglabile).
2. forme de und alternative (a.c.)
a) cu frecven constant i amplitudine variabil (reglabil),
b) cu frecven i amplitudine variabile (reglabile).
n acest ultim caz formele de und pot fi monofazate sau trifazate. n
majoritatea SEP circulaia fluxului de energie se face dinspre intrare (sursa
de putere) spre ieire (sarcin). Exist i sisteme n care circulaia de putere
este reversibil (dinspre sarcin spre surs), acest lucru depinznd de
procesul respectiv. Procesul de reversibilitate presupune urmtoarele:
o surs este nereversibil atunci cnd impune o circulaia de putere ce
nu-i schimb sensul. n acest sens sursa este cu circulaie unidirecional.
o surs este reversibil atunci cnd permite o circulaie de putere ce
poate s-i shimbe sensul. n acest sens sursa este cu circulaie
bidirecional. Dac ne raportm la sistemul de axe tensiune-curent,
corespunztor prii de c.c. a unui convertor, se poate afirma c acesta
funcioneaz ntr-un singur cadran al planului electric dac permite
circulaia puterii numai ntr-un singur sens sau c funcioneaz n dou,
respectiv patru cadrane dac permite inversarea sensului de circulaie al
puterii electrice.
10

Sursa electric de putere este un element capabil s furnizeze drept mrimi

de ieire tensiunea, respectiv curentul. n acest sens, se disting dou tipuri de
surse:

surse de tensiune capabile s impun la ieire o

tensiune constant. Datorit imposibilitii fizice de modificare brusc a
tensiunii la borne, condensatorul poate fi considerat surs de tensiune.

surse de curent capabile s impun la ieire un

curent constant. Datorit imposibilitii fizice de modificare brusc a
curentului ce o traverseaz, bobina poate fi considerat surs de curent.
De asemenea, pentru fiecare din tipurile de surse mai sus amintite, se disting
urmtoarele :

surse continue care impun o tensiune sau un curent a cror polaritate

sau sens de circulaie rmn constante ;

surse alternative care impun o tensiune sau un curent a cror

polaritate sau sens de circulaie variaz n mod periodic.
n sensul celor de mai sus, n Fig. 1.7 se prezint modificarea naturii sursei.

Fig. 1.7 : Modificarea naturii unei surse.

Terminologie: Source de tension surs de tensiune, Source de courant surs de curent, Ue tensiunea
sursei, L inductana bobinei, C capacitatea condensatorului.

11

Se observ urmtoarele: la sursa iniial de tensiune Ue dac se nseriaz o

bobin de inductan L, ansamblul UeL devine o surs de curent. Dac, n
continuare plasm in paralel condensatorul de capacitate C, ansamblul UeLC
devine o surs de tensiune.
Proprietatea inductanelor i a condensatoarelor de a modifica natura sursei
este des utilizat n aplicaii.
Convertoarele electronice de putere numite i convertoare statice sunt
module de baz ale SEP care pot vehicule puteri electrice de la zeci de W la
zeci de MW.
De fapt convertorul electronic de putere este un echipament plasat ntre
sursa de energie electric i unul sau mai muli receptori avnd rolul de a
controla fluxul energetic i de a realiza n acelai timp conversia static prin
care se modific anumite caracteristici sau parametri ai energiei, cum ar fi:
mrimea i forma de und a tensiunii, natura curentului, numrul de faze,
frecvena, etc. n sopul adaptrii acestora la cerinele sarcinii.
Conversia static a energiei electrice se realizeaz prin remodelarea undelor
tensiunii.
Astfel, din tensiunea de intrare (aplicat la intrarea convertorului) cu
amplitudinea Ui , frecvena fi i numrul de faze mi , se obine la ieirea
convertorului de tensiune o alt form cu amplitudinea Ue , frecvena fe i
numrul de faze me.
Aceast nou construcie a formelor de und se obine cu ajutorul unor
elemente de comutaie electronice (switches-ntreruptoare statice) care pot
ntrerupe sau pot realiza continuitatea unei ramuri de circuit.
Aceste comutatoare electronice se mai numesc i ventile electronice sau
dispozitive semiconductoare de putere.
Comform Fig. 1.8, structura unui convertor electronic de putere cuprinde
urmtoarele dou pri:

circuitul de for: realizat cu dispozitive semiconductoare de putere

i cu alte elemente de circuit cum ar fi condensatoarele i bobinele cu rol de
filtrare i protecie;

circuitul de comand i control: furnizeaz semnalele de comand

pentru dispozitivele semiconductoare de putere reglnd i controlnd
anumite variabile din sistem. Aceste circuite pot implementa funcii de
protecie asociate prii de for.
Cnd comanda i controlul sunt realizate cu ajutorul calculatoarelor de
proces sau PC, vorbim de o comand/control inteligent.
Astzi, cu ajutorul procesoarelor digitale de semnal (DSP) i al
calculatoarelor, comanda poate fi efectuat n timp real.

12

Fig. 1.8: Structura convertorului electronic de putere.

n electronica de putere, noiunea de comutaie are un sens mai larg dect
simpla trecere din starea de blocare n cea de conducie i viceversa a
ventilelor electronice. Sensul extins al comutaiei semnific trecerea
curentului electric de pe o ramur de circuit pe o alt ramur ca efect al
schimbrii strii de conducie a dispozitivelor semiconductoare de putere
de pe cele dou ramuri. n acest sens putem evidenia urmtoarele dou
tehnici de comutaie:

Comutaia natural: la care trecerea curentului de pe o ramur pe o

alt ramur de circuit se face natural (de la sine) dup deschiderea unui
dispozitiv aflat pe ramura care urmeaz s preia curentul sub '' presiunea ''
unei tensiuni de comutaie. Este tipul de comutaie utilizat n structurile de
for realizate exclusiv cu dispozitive semiconductoare de putere fr
capacitate de blocare (diode, tiristoare, triace). Deoarece aceste dispozitive,
odat aduse n conducie, nu pot ntrerupe singure curentul pe o ramur de
circuit, pentru a comuta curentul se recurge la o tehnic de deviere. Aceasta
const n crearea unei diferene de potenial de ctre tensiunea de comutaie
care s ajute la diminuarea curentului de pe ramura prin care a circulat i la
creterea valorii acestuia pe noul traseu. Dac tensiunea/tensiunile de
comutaie sunt alternative, procesul de comutaie a curentului ntre dou sau
13

mai multe ramuri de circuit poate avea loc ciclic (se repet periodic). Din
acest motiv comutaia natural poate avea loc numai n structurile de for
conectate la tensiuni alternative, iar perioada de repetiie este cea a acestor
tensiuni.

Comutaia forat: la care trecerea curentului de pe o ramur pe alt

ramur de circuit se face forat prin blocarea dispozitivului de pe ramura
iniial. De exemplu, ntr-un circuit cu inductane, curentul nu poate fi brusc
ntrerupt prin acestea. Astfel, n momentul opririi forate a curentului ntr-o
bucl de circuit inductana caut o ramur de descrcare pentru ntreinerea
circulaiei curentului pn ce este descrcat toat energia acumulat n
cmpul su electromagnetic. Procesul de comutaie forat are loc ntre o
ramur ce conine un dispozitiv semiconductor cu capacitate de blocare
(tranzistor de putere) i o ramur ce conine o diod de descrcare sau de
recuperare. Tensiunea de alimentare a structurilor de for ce funcioneaz
n comutaie forat poate fi i continu.
Pe lng funciile de baz mai sus prezentate, circuitele de comand mai pot
avea i alte funcii, cum ar fi: separarea galvanic, comunicaia cu structura
de control a convertorului static, protecia la diferite perturbaii care pot
apare n aria pe care o gestioneaz, etc.
1.4. CLASIFICAREA CONVERTOARELOR STATICE
Principalele criterii de clasificare ale convertoarelor statice (CS) sunt
urmtoarele:
- tipul comutaiei folosite n structura de for,
- tipul conversiei realizate,
- existena sau nu a separrii galvanice ntre intrare i ieire,
- natura sarcinii i tipul de filtru utilizat la ieire,
- rolul convertorului i posibilitatea reglrii ieirii,
- numrul de cadrane n care funcioneaz.
O clasificare mai precis poate fi obinut dac se ia n considerare
tipul/modalitatea de comutaie a dispozitivelor din structura de for.
Conform acestui criteriu pot evideniate urmtoarele clase de convertoare:
a) Convertoarele cu comutaie naturala utilizeaz dispozitive
semiconductoare de putere ce nu pot fi blocate prin comand: tiristoare
(cazul convertoarelor comandate) sau diode (cazul convertoarelor
necomandate). Procesul de blocare se bazeaz pe fenomenul de comutaie
natural a curentului ce este practic implementat la intrarea sau ieirea
convertorului cnd una dintre ele este conectat la o tensiune alternativ. n
cazul acestor convertoare posibilitile de conversie sunt: alternativ14

continuu, continuu-alternativ i alternativ-alternativ. n cazul n care aceste

convertoare sunt conectate la reeaua de c.a., denumirile pe care le poart
sunt convertoare de linie (line-frequency converters)sau convertoare cu
comutaie de la reea. Deoarece la aceste convertoare frecvena de lucru
pentru diode i tiristoare are valori joase i fixate de tensiunea reelei,
filtrarea tensiunilor i curenilor se realizeaz cu ajutorul unor filtre
importante ce determin creterea gabaritului, masei i implicit a costurilor.
b) Convertoarele cu comutaie forat utilizeaz dispozitive
semiconductoare de putere controlabile ce pot fi puse n conducie/blocare
prin comand. Aceasta (comanda) realizeaz comutaia forat a curentului
ce comut de fiecare dat n sarcin, permind sau ntrerupnd circulaia
unui curent diferit de zero printr-o ramur de circuit. n acest caz putem
vorbi despre o comutaie n sarcin (switch-mode) a dispozitivelor
semiconductoare de putere. Deoarece frecvena de lucru a elementelor de
comutaie este mult mai mare dect frecvena reelei, gabaritul i masa
acestei clase de convertoare sunt cu mult mai reduse dect cele ale
convertoarelor cu comutaie natural. n ciuda frecvenei nalte de lucru a
semiconductoarelor de putere, la ieirea convertorului se obin tensiuni
continue sau tensiuni alternative cu o frecven comparabil cu cea a reelei.
De obicei aceast categorie de convertoare funcioneaz cu tensiune de
intrare continu avnd la ieire tot o tensiune continu (conversie continuucontinuu) sau o tensiune alternativ (conversie continuu-alternativ). Datorit
avantajelor pe care le prezint, n prezent, convertoarele cu comutaie forat
sunt tot mai utilizate n dauna celor cu comutaie natural. Astfel, n cazul
conversiei alternativ-continuu se pot construi redresoare active care nu
introduc perturbaii n reelele de alimentare cu energie electric.
c)
Convertoarele rezonante utilizeaz dispozitive semiconductoare ce
lucreaz la frecvene foarte mari (sute de kHz-MHz), realiznd aa numita
comutaie uoar (self-switching), aproape fr pierderi. Comutaia uoar se
realizeaz cu ajutorul unor circuite rezonante atunci cnd, fie tensiunea pe
dispozitiv (zero voltage switching), fie curentul prin acesta se anuleaz (zero
current switching), fie ambele variabile devin zero. Astfel, pierderile n
dispozitivele semiconductoare n timpul comutaiei tind spre zero. Aceste
convertoare pot realiza conversiile continuu-continuu i continuu-alternativ
ale energiei electrice.
Un alt criteriu foarte important de clasificare a convertoarelor este acela al
tipului conversiei. n acest sens, se pot identifica urmtoarele patru tipuri de
conversii electrice posibile:

conversia alternativ-continuu (redresare),

15


conversia continuu-alternativ (inversare),

conversia continuu-continuu,

conversia alternativ-alternativ.
Sinteza acestor tipuri de de conversii electrice este reprezentat n Fig.1.9.

Fig. 1.9: Tipurile de convertoare n funcie de tipul conversiei electrice.

Pornind de la shema anterior figurat, se pot evidenia urmtoarele clase de
convertoare:
1. Redresoarele: permit conversia energiei electrice alternative n energie
continu (c.a.-c.c.). Aceast conversie se poate realiza printr-o modalitate
necontrolat sau controlat. Conversia necontrolat se realizeaz cu ajutorul
redresoarelor necomandate a cror structur de for este realizat numai cu
diode de putere, fiind caracterizate prin tensiunea medie cvasiconstant, ca
mrime de ieire (Ue). Conversia controlat este realizat cu ajutorul
redresoarelor semicomandate (cu diode i tirirstoare) sau complet
comandate (cu tiristoare sau tranzistoare) i are drept rezultat la ieirea
redresorului o tensiune continu reglabil n amplitudine Ue . Reprezentarea
redresorului este indicat n Fig. 1.10.

Fig. 1.10: Schema bloc a redresorului.

Se observ c shema prezentat poate avea o funcionare bidirecional: cea
de redresor (linia continu) i cea de invertor (linia punctat) caracterizat de
16

prezena la ieire (pe partea de c.c.) a unei sarcini active (ce conine o surs
proprie de c.c.). Funcionarea bidirecional este caracteristic numai
redresoarelor semi i complet comandate. Redresoarele cu diode i tiristosre
funcioneaz n comutaie natural, iar cele cu tranzistoare n comutaie
forat.
2. Invertoarele: permit conversia energiei electrice continue n energie
alternativ (c.c.-c.a.). Reprezentarea schematic a invertorului este dat n
Fig.1.11.

Fig.1.11: Schema bloc a invertorului.

Dac partea de c.a. a invertorului este legat la reeaua de distribuie a
energiei electrice i acesta este realizat integral cu tiristoare, invertorul se
confund cu redresorul comandat funcionnd n regim de invertor, i este
denumit invertor cu comutaie natural sau invertor cu comutaie de la
reea. Dac partea de c.a. a invertorului este independent de reeaua de
distribuie a energiei electrice sau de orice alt surs, furniznd la ieire o
tensiune alternativ proprie cu o anumit valoare efectiv, frecven i un
anumit numr de faze, acesta este un invertor independent sau autonom.
Partea de for a acestor invertoare este realizat cu ajutorul dispozitivelor
semiconductoare controlabile (MCT-uri, GTO-uri, etc.) i aunor diode rapide
(de descrcare sau de fug). La rndul lor, invertoarele autonome pot
funciona n comutaie forat (invertoare cu und plin, invertoare MLIPWM) sau pot fi invertoare rezonante. n alt ordine de idei, invertoarele
autonome pot fi mprite n invertoare de tensiune (VSI-Voltage Source
Inverter) i invertoare de curent (CSI-Curent Source inverter).
3. Convertoarele c.c.-c.c. (Variatoarele de tensiune continu): permit
conversia energiei electrice de c.c. tot n energie electric de c.c. n acest caz
se modific doar amplitudinea tensiunii continue, de unde vine i denumirea
de variatoare de tensiune continu. Majoritatea acestor convertoare
funcioneaz n comutaie forat utiliznd ca tehnic de modificare a
tensiunii modularea limii impulsului MLI-PWM (Pulse Width Modulation)
care const ntr-o tocare a tensiunii continue cu o anumit frecven numit

17

frecven de comutaie sau de lucru a convertorului. Datorit acestui fapt,

aceste convertoare se numesc i chopper-e. Unele convertoare c.c.-c.c.
funcioneaz dup principiul convertoarelor rezonante. O clasificare sumar
a convertoarelor c.c.-c.c. este urmtoarea:

convertoare c.c.-c.c. cobortoare de tensiune (step down),

convertoare c.c.-c.c. ridictoare de tensiune (step-up).

La rndul lor, fiecare dintre aceste convertoare pot fi:

convertoare c.c.-c.c. fr separare galvanic: nu izoleaz

electric ieirea de intrarea convertorului. Schema bloc a acestor tipuri de
convertoare este este dat n Fig. 1.12.

Fig. 1.12: Schema bloc a convertoarelor c.c.-c.c. fr separare galvanic.

Aceste convertoare sunt utilizate n acionrile electrice reglabile cu motoare
de c.c. din urmtoarele motive:
- prezint la ieire o tensiune continu reglabil Ue ce provine dintr-o
tensiune considerat constant aplicat la intrare;
- au capabilitatea funcionrii n unul, 2 sau 4 cadrane.

convertoare c.c.-c.c. cu separare galvanic: izoleaz electric

ieirea de intrarea convertorului cu ajutorul unor transformatoare de nalt
frecven. Astfel, se pot reduce gabaritul i masa convertorului. Schema bloc
a acestor tipuri de convertoare este este dat n Fig. 1.13.

Fig. 1.13: Schema bloc a convertoarelor c.c.-c.c. cu separare galvanic.

Dup cum rezult din Fig.1.13, convertorul c.c.-c.c. cu separare galvanic
este un ansamblu format dintr-un invertor independent i un redresor. ntre
18

aceste dou convertoare se afl circuitul intermediar de c.a. n care este

integrat transformatorul de nalt frecven. Astfel, acest tip de convertor se
ncadreaz n categoria convertoarelor cu faz intermediar de conversie i
este unidirecional. Majoritatea aplicaiilor n care sunt utilizate aceste
convertoare o reprezint sursele de putere n comutaie (folosite pentru
alimentarea aparaturii electronice-audio, video, calculatoare, aparate de
msur). Datorit faptului c tensiunea continu de la ieirea acestor surse
trebuie s fie stabilizat, n condiiile n care apar variaii ale tensiunii
continue de la intrare, sursele de putere n comutaie trebuie s fie
stabilizate.
4. Variatoarele de tensiune alternativ (convertoare c.a.-c.a.): permit
conversia energiei electrice de c.a. tot n energie de c.a., prin aceast
conversie fiind modificat numai valoarea efectiv a tensiunii alternative. n
acest caz, frecvena i numrul de faze de la ieirea variatorului sunt aceleai
cu cele de la intrarea acestora. Schema bloc a acestui tip de variator este
prezentat n Fig.1.14.

Fig. 1.14: Schema bloc a variatorului de tensiune alternativ.

Aspectele structurii de for ale acestui tip de convertoare prezint
urmtoarele particulariti:
- poate fi realizat cu tiristoare sau triace (amorsate cu ntrziere), caz
n care la ieirea variatorului avem doar poriuni ale semialternanelor
tensiunii alternative aplicat la intrare;
- poate fi realizat i cu dispozitive semiconductoare controlabile
(tranzistoare), caz n care valoarea efectiv a tensiunii de ieire poate
fi modificat (controlat) prin tocarea tensiunii sinusoidale de intrare.
5. Convertoarele de frecven: permit conversia energiei electrice
alternative tot n energie alternativ (c.a.-c.a.) prin care sunt modificate
frecvena tensiunii alternative, valoarea efectiv a acesteia i chiar numrul
de faze. Schema bloc a convertorului este prezentat n Fig. 1.15.

19

Fig. 1.15: Schema bloc a convertorului de frecven.

Se pot pune n eviden urmtoarele dou modaliti privind realizarea
conversiei de frecven: conversia direct i conversia indirect. n funcie
de aceste modaliti de conversie a frecvenei, convertoarele pot fi:
Convertoarele directe de frecven: permit sintetizarea unui sistem de
unde alternative direct din tensiunile armonice aplicate la intrarea
convertorului. Conversia direct const n preluarea unor poriuni de
sinusoid din tensiunile fazelor de alimentare (de obicei fazele sistemului
trifazat) aa fel nct, puse cap la cap, s genereze forme de und alternative
a cror armonic fundamental s prezinte amplitudinea i frecvena dorite.
n sensul celor anterior afirmate, algoritmii de comand ai dispozitivelor
semiconductoare pentru preluarea celor mai convenabile fragmente de
sinusoide ale tensiunii de alimentare i minimizarea coninutului de armonici
din tensiunea de ieire sunt deosebit de compleci. Principalele tipuri de
convertoare de frecven sunt urmtoarele:
- cicloconvertoarele sunt acele convertoare ce funcioneaz n
comutaie natural fiind formate din puni transversale cu tiristoare.
Tiristoarele sunt comandate cu diferite ntrzieri pentru preluarea
poriunilor dorite de sinusoid. Pentru o conversie de calitate se
recomand ca frecvena maxim a undelor alternative sintetizate de
cicloconvertor s fie sub jumtatea frecvenei reelei. Din acest motiv,
cicloconvertoarele sunt utilizate n acionrile electrice reglabile de
puteri foarte mari (100kW-10MW) i turaii reduse, de obicei cu
motoare sincrone.
- convertoarele matriciale sunt acele convertoare care funcioneaz n
comutaie forat utiliznd componente semiconductoare de comutaie
bidirecionale grupate n comutatoare de putere care pot comuta
curentul n ambele sensuri prin ramurile de circuit legate ntr-o reea
de tip matricial.
Convertoarele de frecven cu circuit intermediar de c.c.: sunt formate
dintr-un ansamblu redresor-invertor autonom prevzut cu un circuit
intermediar de c.c. format dintr-un filtru capacitiv sau capacitiv-inductiv.
Schema bloc a unui asemenea convertor este prezentat n Fig. 1.16.

20

Fig. 1.16: Schema convertorului de frecven cu circuit intermediar de c.c.

Fluxul de energie este bidirecional, astfel nct energia recuperat de la
sarcina activ este transferat prin invertor circuitului intermediar de c.c. i
apoi preluat de redresorul bidirecional i transmis sursei (reelei) de c.a.
Aceast structur de convertor este utilizat n acionrile electrice cu porniri
i opriri dese, unde energia electric recuperat este mare astfel nct
costurile recuperate de pe urma ei compenseaz investiia n redresorul
bidirecional. n aplicaiile obinuite, n care sunt utilizate redresoarele
unidirecionale (necomandate cu diode), energia electric recuperat de
invertor va fi acumulat n filtrul capacitiv al circuitul intermediar.
Deoarece, n acest caz, tensiunea la bornele filtrului crete foarte repede
putnd determina strpungerea condensatoarelor, se recurge la introducerea
n circuitul intermediar a unui element disipativ (de obicei o rezisten de
frnare).

2. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE
PUTERE
2.1.

GENERALITI

Dispozitivele semiconductoare de putere sunt elemente de baz ale

circuitelor de for ale convertoarelor statice i lucreaz n regim de
comutaie (elemente de comutaie). n acest sens, funcionarea lor este
caracterizat de dou stri stabile: starea de conducie (ON) cnd este
permis circulaia curentului electric prin ramura de circuit, ideal, fr nici o
cdere de tensiune pe dispozitiv i starea de blocare (OFF) cnd circulaia
curentului este total ntrerupt.
n funcie de modul n care pot fi controlate, dispozitivele semiconductoare
de putere pot fi clasificate n trei mari categorii:

21

1.
Dispozitivele necontolabile (diodele de putere) - la care starea de
conducie sau blocare este dictat de modul n care sunt polarizate n circuit.
Nu au dect dou terminale, fr teminal de comand.
2.
Dispozitivele cu amorsare controlat (tiristoarele i triacele) - la care
intrarea n conducie se face n starea de polarizare direct prin comanda
ntre gril i catod cu un impuls scurt de curent. Au trei terminale de for:
anod (+), catod (-) i gril (de comand). O dat amorsat conducia,
dispozitivul rmne n aceast stare chiar i n absena impulsului de
comand pe gril. Blocarea este realizat de circuitul de for prin ntrunirea
condiiilor de blocare: polarizarea invers la bornele semiconductorului i
anularea curentului prin acesta.
3.
Dispozitivele controlabile la care conducia i blocarea sunt
realizate prin circuite de comand. Intrarea n conducie se realizeaz prin
aplicarea continu a semnalului de comand pe terminalul de comand,
dispozitivul fiind n starea de polarizare direct (cu + pe anod i pe anod).
Blocarea se poate produce fie de la sine (cnd semnalul de comand este
ndeprtat sau scade sub o anumit valoare de prag) fie prin aplicarea unor
semnale inverse de comand. n funcie de natura semnalului de comand,
aceste dispozitive se clasific n:
a) dispozitivele comandate n curent

tranzistoarele bipolare de putere (BJT-Bipolar Junction

Transistor) sunt dispozitive relativ lente, prezentnd pierderi mari n
comutaie i avnd pirderi mici n conducie.

tranzistoarele cu blocare pe poart (GTO-Gate Turn Off) sunt

utilizate n aplicaiile de mare putere. Pentru comand este utilizat un impuls
de curent pozitiv de amplitudine mic (la fel ca la tiristor) iar pentru blocare
un impuls negativ de amplitudine mare.
b) dispozitivele comandate n tensiune

tranzistoarele MOSFET de putere (MOS Field Effect Transistor)

sunt dispozitive rapide, cu pierderi mici n comutaie, fiind utilizate n
convertoarele statice cu frecvene de lucru mari (pn la sute de kHz).

tranzistoarele bipolare cu grila izolat (IGBT-Insulated Gate Bipolar

Transistor) sunt tranzistoare hibride rezultate drept combinaie ntre
tranzistorul bipolar de putere (suport cureni mari cu pierderi reduse) i
tranzistorul MOSFET (frecvene relativ mari de comutaie-zeci de kHz). La
ora actual sunt cele mai utilizate dispozitive semiconductoare n aplicaiile
de putere (zeci de MW).

22


tiristoarele controlate MOS (MCT-MOS Contrlled Thyristor) sunt
alctuite din mii de celule identice conectate n paralel, fiecare celul
implementnd o combinaie dintre un tiristor i dou tranzistoare MOSFET.
n Fig. 2.1 sunt prezentate cele dou variante simplificate de simboluri
pentru dispozitivele semiconductoare de putere:
a) simbolul unui contact electric asemntor cu cel al unui releu sau
contactor;
b) simbolul ce pune n eviden caracteristica de conducie unidirecionala
curentului prin dispozitiv (sgeata contactului). Notaiile utilizate sunt:
T dispozitivul semiconductor,
iT curentul de conducie (care strbate dispozitivul),
uT sau vT cderea de tensiunea la bornele dispozitivului n starea de
conducie a acestuia.

Fig. 2.1: Simbolurile simplificate ale dispozitivelor semiconductoare de

putere.
Reprezentarea b) este cea mai utilizat.
n Fig. 2.2. sunt reprezentate caracteristicile ideale de conducie i blocare
specifice elementelor de comutaie n electronica de putere.

23

Fig. 2.2: Caracteristicile ideale de conducie i blocare ale elementelor de

comutaie n electronica de putere.
Din figur rezult urmtoarele caracteristici:

Caracteristica de blocare direct se obine atunci cnd dispozitivul

blocheaz tensiuni directe (pozitive). La blocarea direct nici un curent nu
circul prin dispozitivul semiconductor.

Caracteristica de conducie direct se obine atunci cnd dispozitivul

se afl n conducie total prelund un curent pozitiv dat de o tensiune de
polarizare direct. Cderea de tensiune pe dispozitivul semiconductor n
conducie este zero.

Caracteristica de blocare invers se obine atunci cnd dispozitivul

blocheaz tensiunile inverse (negative). n aceast stare nici un curent nu
circul prin dispozitiv.

Caracteristica de conducie invers se obine atunci cnd dispozitivul

poate conduce i cureni inveri, negativi. Aceast caracteristic este
specific dispozitivelor bidirecionale.
Referitor la caracteristicile ideale de mai sus, se impun urmtoarele
considerente:
majoritatea dispozitivelor semiconductoare nu pot obine toate
caracteristicile de mai sus;
dispozitivele necontrolabile (diodele) lucreaz doar pe 2 caracteristici
una de conducie direct i cealalt de blocare invers;
dispozitivele controlabile (tiristoarele, GTO-urile, IGBT-urile)
prezint cel puin 3 caracteristici: caracteristica de conducie direct i
caracteristicile de blocare direct i invers;
24

dispozitivul semiconductor este capabil s blocheze tensiunile inverse

i tensiunile directe, oricare ar fi valorile acestora, atunci cnd nu este
comandat;
atunci cnd este comandat, dispozitivul semiconductor conduce
diferite valoari ale curentului, fr cderi de tensiune la bornele lui (fr
pierderi n conducie);
dispozitivul semiconductor comut instantaneu din starea de blocare
n starea de conducie i invers (fr pierderi de comutaie);
puterea de comand pentru meninerea n starea de conducie este
neglijabil.
Deoarece dispozitivele semiconductoare de putere sunt fabricate pentru
limitele maxime ale tensiunilor i curenilor (parametrii de catalog) ce nu pot
fi depite fr a pune n pericol integritatea pastilei semiconductoare,
rezult faptul c, de fapt, caracteristicile ideale nu pot fi atinse de un
comutator electronic real.
De asemenea, caracteristicile dinamice (n regim de comutaie) ale
dispozitivelor semiconductoare sunt limitate, rezult c procesul de
comutaie nu este instantaneu, el avnd n realitate o vitez finit. Aceste
fenomene conduc la apariia unor pierderi pe toat durata de funcionare a
semiconductorului, pierderi care cresc cu creterea temperaturii capsulei i
depind de tehnologia de integrare a dispozitivului.
2.2. PIERDERILE N DISPOZITIVELE SEMICONDUCTOARE
Pierderile reprezint o fraciune din energia electric vehiculat prin
dispozitivul semiconductor i reinut de acesta prin transformarea ei n
cldur. La valori ridicate ale pierderilor, semiconductorul, care are un
gabarit relativ redus i implicit o constant termic redus, se poate distruge
la creteri rapide ale temperaturii. Cantitativ, pierderile pot fi exprimate prin
energia reinut de comutatorul (semiconductorul) electronic pe durata unei
secunde, valoare ce corespunde real puterii medii transformate n cldur. n
starea de blocare (direct sau invers), semiconductorul real se comport ca
un comutator ideal, deoarece prezint cureni de scpri de ordinul A
(practic neglijabili) i implicit din acest motiv pierderile sunt nule. n starea
de conducie (Fig.2.1), n semiconductor, apare un curent important iT n
prezena unei tensiuni uT 0, ceea ce determin absobia unei puteri
instantanee de ctre dispozitiv, dat de relaia:
pT t uT t iT t

(2.1)

25

Puterea instantanee apare att pe durata tranziiilor dispozitivului ct i pe

durata procesului de conducie propriuzis. Pierderile aferente procesului
stabilizat de conducie poart denumirea de pierderi n conducie. n cazul
convertoarelor rezonante exist posibilitatea unei comutaii uoare (softswitching), fr pierderi, a dispozitivelor semiconductoare. n cele ce
urmeaz se va lua n discuie doar comutaia de la sarcin deoarece este cea
mai sugestiv din punct de vedere al pierderilor i cea mai ntlnit n
practic. n acest sens, pentru a estima prin calcule pierderile n
semiconductoare, vom considera formele de und idealizate (liniarizate) ale
curentului iT i tensiunii uT pe durata unui ciclu de funcionare, reprezentate
n Fig. 2.3. Astfel, la intrarea n conducie (valori iniiale uT = Ud i iT = 0 ),
curentul crete de la valoarea zero la valoarea Id dup care tensiunea scade
la valoarea de saturaie Uon iar la blocare (valori iniiale uT = Uon i iT = Id),
nti va crete tensiunea de la valoarea Uon la valoarea sursei Ud dup care
curentul scade de la valoarea Id la zero. Pentru aprecierea general a
pierderilor la nivelul elementului de comutaie n timpul funcionrii, se va
considera ultimul caz mai sus amintit. Semnificaia notaiilor din Fig. 2.3
este urmtoarea:

td(on) timpul de ntrziere la deschidere (delay time),

tri timpul de cretere a curentului (current rise time),

tfv timpul de cdere a tensiunii (voltage fall time),

tc(on) = tri+ tfv timpul de comutaie la deschidere,

td(off) timpul de ntrziere la blocare,

trv timpul de cretere a tensiunii,

tfi timpul de cdere a curentului,

tc(off) = trv+ tfi timpul de comutaie la blocare,

ton timpul de conducie,

toff timpul de blocare,

Tc = ton + toff perioada de comutaie,

fc =1/Tc frecvena de comutaie.

26

Fig. 2.3: Formele de und idealizate i pierderile de pe durata unui ciclu de

funcionare.
Calculul energiilor consumate de ctre dispozitivul semiconductor pe durata
unui ciclu de funcionare se face simplu cu ajutorul relaiei ariilor energie =
= putere timp arie.
Conform acestor considerente, se pot calcula urmtoarele energii consumate:
- energia de comutaie la deschidere (aria triunghiului Ec(on))
E c on

1
U d I d t c on .
2

(2.2)

- energia de comutaie la deschidere (aria triunghiului Ec(off))

E c off

1
U d I d t c off .
2

(2.3)

27

- energia de conducie (aria dreptunghiului Eon avnd lungimea ton

deoarece ton >> tc(on) )

E on U on I d t on .

(2.4)

- energia total de comutaie consumat ntr-un ciclu de funcionare

E c E c on E c off

1
U d I d t c on t c off .
2

(2.5)

- pierderile n comutaie
Pc

1
U d I d f c t c on t c off .
2

(2.6)

Pierderile n comutaie cresc proporional cu frecvena de comutaie i cu

mrimea timpilor de comutaie. Astfel, pentru obinerea frecvenelor nalte n
funcionarea convertorului static, n scopul reducerii masei i gabaritului
acestuia, se aleg dispozitive semiconductoare rapide i ultrarapide cu timpi
de comutaie foarte mici (ex. tranzistoare MOSFET).
- pierderile n conducie
Pon f c E on f c U on I d t on U on I d

t on
U on I d DRC ,
Tc

(2.7)

unde DRC = ton /Tc este durata relativ de conducie.

Pierderile n conducie sunt proporionale cu valoarea cderii de tensiune
(Uon) la bornele dispozitivului semiconductor, cu valoarea curentului (Id) prin
acesta i cu mrimea intervalului de conducie relativ la durata ciclului de
funcionare DRC . Pentru ca semiconductorul s poat prelua un curent ct
mai mare fr s depeasc o anumit valoare a pierderilor de conducie,
trebuie s fie caracterizat de o cdere de tensiune ct mai mic (ex.
tranzistorul BJT).
-pierderile totale
Ptot Pc Pon .

(2.8)

Aceste pierderi sunt limitate de capacitatea de cedare a cldurii a

ansamblului pastil semiconductoare radiator (element de rcire) i de
temperatura maxim la care dispozitivul poate lucra fr a se distruge
28

termic. Aceast temperatur este indicat n cataloagele firmelor

productoare de semiconductoare.
2.3.

CONECTAREA N SERIE I PARALEL A DISPOZITIVELOR

SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

Se recurge la conectarea n serie i paralel a dispozitivelor semiconductoare

n aplicaiile de puteri ridicate i foarte ridicate.
Dac trebuie blocate tensiuni nalte se va recurge la conectarea n serie
(Fig. 2.4).

Fig. 2.4: Conectarea n serie a dispozitivelor semiconductoare.

a) fr rezistenele de echilibrare a tensiunilor; b) cu rezistenele de echilibrare a
tensiunilor.

n acest caz mai multe dispozitive semiconductoare sunt nseriate pentru a

substitui un singur element de comutaie. Numrul componentelor nseriate
depinde de tensiunea de lucru i de tensiunile maxime de catalog pentru
blocarea direct i invers a dispozitivelor alese. n acest sens se are n
vedere un coeficient de siguran astfel nct tensiunea maxim ce poate
apare pe fiecare dispozitiv din structura serie s fie de cel puin dou ori
mai mic dect valoarea maxim de catalog. Acest coeficient de siguran
asigur o rezerv de tensiune suficient pentru acoperirea cderilor de

29

tensiune diferite de pe fiecare dispozitiv n parte, n regim static de blocare i

n regim dinamic. Referitor la Fig. 2.4, se pot face urmtoarele considerente:
datorit dispersiei de fabricaie a dispozitivelor semiconductoare,
impedanele acestora n regim static de blocare sunt diferite, situaie n care
se ajunge la o distribuie inegal a tensiunii de lucru pe cale n dispozitive
nseriate (uT1 uT2 ............ uTn ), conform Fig.2.4a;
datorit unor caracteristici dinamice diferite i implicit a unor
nesincronizri ale comenzilor, dispozitivele nseriate nu comut simultan.
Astfel, exist posibilitatea strpungerii dispozitivului care a reacionat
ultimul la deschidere i a celui care a reacionat primul la blocare. n acest
sens se impune un control atent (performant) al regimurilor dinamice de
intrare/ieire din conducie.
pentru evitarea situaiei ca un dispozitiv s preia o tensiune mult mai
mare dect celelalte din structura serie, se utilizeaz rezistene egale de
valori ridicate (Rd1 = Rd1 = .............. = Rd1), conectate n paralel cu
dispozitivele semiconductoare (Fig. 2.4b). n acest caz, se recomand ca
valoarea ridicat a fiecrei rezistene conectate n paralel s fie mai mic
dect rezistena echivalent a dispozitivului blocat.
prin respectarea condiiei mai sus enunate, se impune echilibrarea
tensiunilor pe dispozitivele semiconductoare prin respectarea relaiei
uT1 = uT2 =...................= uTn = uT / n,

(2.9)

unde uT este tensiunea de lucru la care funcioneaz dispozitivul echivalent

format din cele n dispozitive nseriate.
Conectarea n paralel a dispozitivelor semiconductoare de putere se
utilizeaz n aplicaiile de cureni mari i foarte mari (traciune electric,
laminare, electroliz, etc.). n Fig. 2.5 este prezentat aceast structur de
conectare, care permite distribuirea curentului pe cele n dispozitive n
paralel, conform relaiei:
iT1 = iT2 =...................= iTn = iT / n,
(2.10)
unde iT este curentul ce trebuie preluat de elementul de comutaie echivalent,
n cazul ideal.

30

Fig. 2.5: Conectarea n paralel a dispozitivelor semiconductoare.

a) fr rezistenele de echilibrare a curenilor; b) cu rezistenele de echilibrare a
curenilor.

n cazul real, datorit caracteristicilor de conducie diferite a celor n

dispozitive semiconductoare legate n paralel, curentul n regim static de
funcionare nu se distribuie n mod egal prin ramurile de circuit. Exist astfel
dispozitive ncrcate mai mult i altele mai puin. Dac dispozitivele utilizate
au coeficieni negativi de temperatur (ex. tranzistoarele MOSFET), atunci
dispozitivul cel mai ncrcat se va nclzi cel mai mult, fapt ce va determina
o scdere a rezistenei de conducie a acestuia i implicit o cretere i mai
mare a curentului prin semiconductor. Apare deci o reacie pozitiv ce
determin, n acest caz, distrugerea dispozitivului. Din acest punct de vedere
se recomand, pentru conectarea n paralel, utilizarea dispozitivelor cu
coeficieni pozitivi de temperatur (ex. tranzistoarele BJT), deoarece astfel
curentul se autoechilibrez prin ramurile paralele. n regim dinamic structura
paralel prezint urmtoarele riscuri:
datorit caracteristicilor dinamice diferite, exist posibilitatea ca
dispozitivul cel mai rapid s preia curentul total de sarcin la deschidere , iar
cel mai lent s preia curentul total la blocare;
la deschidere, ndat ce dispozitivul cel mai rapid a intrat n conducie,
tensiunea pe acesta i implicit pe celelalte dispozitive ncepe s scad rapid,
ncetinind i mai mult intrarea acestora n conducie. Avnd n vedere
riscurile prezentate, se impune luarea urmtoarelor msuri de protecie:
majorarea curentului maxim de regim permanent prin luarea n
considerare a unui coeficient de paralelism cu valoarea de 1,2;

31

utilizare unor rezistene Rs (Fig. 2.5b) sau a unor sigurane fuzibile de

simetrizare care s echilibreze curentul n regim static de funcionare pe cele
n ramuri de circuit;
utilizarea unor inductane de simetrizare cuplate/necuplate magnetic
care s echilibreze curentul n regim dinamic, pe ramurile paralele;
sincronizarea i forarea comenzilor de deschidere/blocare a celor n
dispozitive legate n paralel pentru obinerea simultaneitii n comutaie a
acestora.
2.4.

DIODA DE PUTERE

Dioda de putere este un dispozitiv semiconductor, de baz, fr de care nu

pot fi realizate marea majoritate a sistemelor n electronica de putere. n
funcie de performanele specifice i cerinele de utilizare, se ntlnesc
urmtoarele tipuri de diode:
diodele redresoare sunt lente, fiind utilizate la frecvenele joase ale
reelelor de alimentare. Performanele de funcionare sunt date de: tensiunile
mari de lucru (de peste 6kV), cderea mic de tensiune n starea de
conducie (n jur de 1V), pierderi mici n conducie i posibilitatea prelurii
unor cureni foarte mari (cureni nominali de pn la 3,5kA). Aplicaii:
redresoarele necomandate i semicomandate conectate la reeaua de
distribuie a energiei electrice.
diodele de comutaie sunt rapide fiind destinate convertoarelor cu
comutaie forat. Rolul lor este de a deschide ci de descrcare pentru
energiile acumulate n inductane comutate. Din acest motiv se mai numesc
diode de circulaie sau de descrcare liber. Pentru evitarea supratensiunilor
de comutaie, rapiditatea acestor diode trebuie s fie mai mare (sau cel puin
egal) cu cea a dispozitivului controlabil nsoit. n acest scop sunt integrate
n modulele de putere fiind montate n antiparalel cu tranzistoarele sau
tiristoarele de putere. Sunt realizate n gama curenilor de ordinul kA i
tensiunilor de ordinul kV.
diodele Shottky au la baz jonciunile metal-semiconductor, fiind
caracterizate printr-o cdere foarte mic de tensiune n starea de conducie
(Uon = 0,3V). Sunt recomandate aplicaiilor n care tensiunile de lucru sunt
joase. Pentru acest tip de diode, tensiunile inverse maxime definite prin
procesul (tehnologia) de fabricaie sunt cuprinse ntre (75-100)V.
2.4.1. Simbolul i structura diodei de putere
Simbolul i structura diodei de putere sunt prezentate n Fig. 2.6.
32

Fig. 2.6: Simbolul i structura diodei de putere.

Referitor la Fig.2.6, se pot face urmtoarele precizri:
curentul iD prin dioda D circul ntr-un singur sens, de la anod (A) la
catod (K), cnd dioda este polarizat direct (aa cum se prezint n figur cu
+ pe A i cu pe K);
tensiunea la bornele diodei, n starea de polarizare direct a acesteia se
noteaz cu uD ;
structura semiconductoare a diodei este realizat dintr-un microcristal
de siliciu impurificat prin procedeul tehnologic de difuzie i include
urmtoarele trei regiuni

regiunea catodului este o zon de tip n+ puternic impurificat

cu atomi pentavaleni donori (arseniu, fosfor, etc.) astfel nct s se
obin o concentraie mare de electroni (purttori de sarcin negativi)
n jur de 1017 /cm3. Aceast zon este rmas din substratul de baz al
pastilei de siliciu n urma formrii celorlalte dou regiuni.

regiunea anodului este o zon semiconductoare de tip p+ dopat

cu atomi trivaleni acceptori (galiul, bohrul, etc.) pentru obinerea
unei concentraii de goluri (purttori de sarcin pozitivi) aproximativ
egal cu cea a zonei catodului.

regiunea de drift este o zon semiconductoare de tip n - , mai

slab dopat dect zona n+ , astfel nct concentraia purttorilor de
sarcin negativi s fie n jur de 1014 /cm3. Grosimea acestei zone este
n funcie de tensiunea maxim invers pentru care a fost fabricat
dioda.
33

2.4.2. Caracteristicile statice tensiune-curent

Caracteristicile statice reprezint dependenele tensiune curent (u-i) reale i
ideale, dup cum rezult din Fig. 2.7.

Fig. 2.7: Caracteristicile statice ale diodei de putere

a) caracteristica real; b) caracteristica ideal.

Funcionarea corespunztoare a diodei de putere este caracterizat de dou

mrimi caracteristice:
a) tensiunea nominal de blocare UBR (Reverse Breakdown Voltage) este
tensiunea invers de durat, admisibil la blocare;
b) curentul nominal IDN este valoarea medie, admisibil i de durat a
curentului prin diod.
n starea de conducie direct, pe diodele cu siliciu, apar cderi de tensiune
de valori reduse (1 1,5V).
Expresia matematic a caracteristicii statice a diodei de putere este dat de
ecuaia lui Schockley, dup cum urmeaz:

I D I S eU D / nU T 1 ,
(2.11)

unde ID este curentul prin diod [A];

IS este curentul rezidual n strpungerea invers (zona UBR 0 a
caracteristicii) ce are valori cuprinse ntre 10 -6 - 10-15 A. Dup
cum se vede din Fig.2.7, acest curent a fost neglijat.
UD este tensiunea la bornele diodei, la polarizare direct [V];
n este coeficientul de emisie (o constant empiric adimensional)
cu valori cuprinse ntre 1 i 2;
34

UT este tensiunea de agitaie termic (o constant exprimat n mV)

dat de urmtoarea expresie:
UT

kT
,
e

(2.12)

unde e este sarcina electric a electronului (1,6022 10-19 C);

T este temperatura absolut [K];
k este constanta lui Boltzmann (1,3806 10-23 J/K ).
Pentru o temperatur dat (specificat), curentul IS este aproximativ constant
pentru un anumit tip de diod. Caracteristicile de conducie i blocare
depind de temperatura jonciunii.
La blocare temperatura maxim admisibil poate ajunge la valori cuprinse
ntre 150 200oC. Diodele de putere cu siliciu pot avea tensiuni de blocare
de ordinul kV i cureni de durat de pn la 1000A.
Dup cum se observ din Fig. 2.7, caracteristica static a diodei se mparte
n urmtoarele trei regiuni:
- regiunea de conducie direct (UD > 0) n care dioda este polarizat direct
i tensiunea depete valoarea de prag Uprag (cu valori cuprinse ntre 0,7
1V), dat de pragul jonciunii p+ - n-. Dincolo de valoarea de prag, prin
creterea tensiunii, curentul crete proporional cu aceasta i caracteristica
este liniar. Astfel se stabilete punctul A de funcionare caracterizat prin
curentul IF (Forward Current) i tensiunea UF (Forward Voltage) numit i
tensiune de conducie (Uon).
Mrimea curentului prin diod este determinat de circuitul exterior acesteia
i de valoarea tensiunii de alimentare. Tensiunea la bornele diodei, n satera
de conducie este dat de relaia:
U F U on U prag Ron I F ,

(2.13)

unde Ron este rezistena dat de regiunea de drift. Valoarea acestei rezistene
este invers proporional cu panta caracteristicii de conducie.
- regiunea de blocare invers (UD < 0) n care dioda este polarizat invers,
funcionarea ei fiind caracterizat de apariia unui curent IS (curentul rezidual
n strpungerea invers ce are valori cuprinse ntre 10-6 - 10-15 A, putnd fi
neglijat.
- regiunea de strpungere invers n care tensiunea de blocare invers
depete valoarea UBR (Reverse Breakdown Voltage) putnd ajunge la valori
foarte mari (cca 1000V) i contribuind la strpungerea diodei. n acest caz,
curentul invers este limitat doar de sarcina nseriat cu dioda.
35

2.4.3. Comutaia diodei de putere

Comutaia diodei este caracterizat de procesul trecerii de la starea de
blocare la starea de conducie i invers, adic de conectare i deconectare a
acesteia. La conectare, procesul de comutaie este destul de scurt durnd
pn la apariia curentului de conducie datorit injectrii purttorilor de
sarcin prin jonciune (din zona puternic dopat). La deconectare, curentul
IF prin diod nu se anuleaz la trecerea prin zero, ci curge mai departe n
sens negativ pn cnd zona de baz a purttorilor de sarcin este eliberat i
tensiunea de blocare poate fi preluat de aceast zon. Acest proces este
descris de caracteristica de restabilire n starea de blocare reprezentat n
Fig. 2.8.

a) revenirea lent

b) revenirea rapid

Fig. 2.8: Caracteristica de restabilire n starea de blocare a diodei.

Mrimile caracteristice procesului de restabilire n starea de blocare, sunt
urmtoarele:
- trr timpul de revenire n starea de blocare (reverse recovery time) se
definete ca fiind cuprins ntre momentul trecerii iniiale prin zero a
curentului IF i momentul atingerii valorii de 0,25 IRR . Acest interval de timp
este dat de relaia:
t rr t a t b ,

(2.14)

unde ta este timpul de acumulare msurat de la trecerea iniial prin zero a

curentului IF i momentul atingerii valorii curentului IRR. n acest
timp are loc procesul de stocare a sarcinii n jonciune, iar curentul

36

prin diod scade cu panta diD /dt pn la valoarea maxim (n sens

negativ) IRR.
tb este timpul de blocare msurat ntre valorile IRR i 0,25 IRR ale
curentului prin diod, n starea de blocare a acesteia. n acest
timp are loc procesul de stocare a sarcinii n volumul intern al
pastilei semiconductoare.
n funcie de valoarea timpului de revenire, avem trei categorii de diode:
a) diode normale cu trr 25 - 100s,
b) diode rapide cu 50ns < trr < 5 s (Fig. 2.8b),
c) diode Schottky cu trr 2 - 5s.
- IRR curentul maxim invers (indicat n catalog) i definit cu ajutorul
relaiei:
I RR t a

di D
,
dt

(2.15)

unde diD /dt este panta curentului (n sensul scderii acesteia) prin diod.
- QRR sarcina de revenire din starea de blocare (reverse recovery charge)
este cantitatea de sarcin electric acumulat n jonciunea semiconductoare
n procesul de blocare.
Aceast cantitate de sarcin trebuie eliminat din jonciune pentru ca dioda
s-i rectige capacitatea relurii procesului de comutaie n sensul reintrrii
diodei n conducie direct. Valoarea acesteia este determinat de aria
haurat n Fig. 2.8 i poate fi aproximativ calculat cu relaia:
QRR

1
1
1
I RR t a I RR t b I RR t rr .
2
2
2

(2.16)

Din aceast relaie, rezult:

I RR

2 QRR
.
t rr

(2.17)

nlocuind relaia (2.17) n relaia (2.15) se obine:

t rr t a

2 QRR
.
di D / dt

(2.18)

37

Dac timpul tb este neglijabil n comparaie cu timpul ta , se poate face n

mod uzual aproximarea trr ta, rezultnd din (2.18) relaiile:
t rr

2 Q RR
,
di D / dt

(2.19)

i
I RR 2 QRR

di D
.
dt

(2.20)

Din aceste ultime relaii se observ c mrimile trr i IRR depind de sarcina
stocat QRR i de panta de curent diD /dt. De asemenea curentul maxim invers
IRR depinde exponenial de temperatura jonciunii semiconductoare (j).
2.5. TIRISTORUL
Tiristorul este un dispozitiv semiconductor de putere cu teminal de comand
numit gril sau poart. Deoarece tiristoarele sunt utilizate mai ales n
redresoarele semicomandate i comandate, n literatura anglo-saxon se mai
numesc i SCR (Semiconductor Controlled Rectifiers). Funcionarea
tiristorului implic existena unui circuit de comandpe gril care s
furnizeze semnalele de amorsare.
Deoarece n starea de polarizare direct (+ pe anod i pe catod) tiristorul
rmne agat n starea de conducie chiar n absena semnalului de
comand, este indicat o comand n impulsuri cu anumite amplitudini i
durate (tren de impulsuri).
Aplicaii: redresoare comandate i semicomandate, variatoare de tensiune
alternativ,contactoare statice de c.a., chopper-e, invertoare, etc. Pe pia,
sunt disponibile urmtoarele tipuri de tiristoare:
- tiristoarele controlate n faz sunt dispozitive de cureni i tensiuni mari,
fiind utilizate n structurile electronice conectate la reelele de c.a. unde
lucreaz la frecvene joase;
- tiristoarele cu timpi mici de blocare sunt dispozitive mai rapide (cu
timpi de blocare de zeci de s) dect cele anterioare, fiind utilizate n
structurile ce funcioneaz n comutaie forat;
- tiristoarele activate optic sunt dispozitive ce pot fi comandate prin fibre
optice care dirijeaz fluxul luminos, de o anumit lungime de und, n zona
median a structurii semiconductoare, unde prin generarea perechilor golurielectroni amorseaz tiristorul. n general sunt utilizate la tensiuni nalte.
38

2.5.1. Simbolul i structura semiconductoare ale tiristorului

Simbolul i structura semiconductoare ale tiristorului sunt reprezentate n
Fig. 2.9.

Fig. 2.9: Simbolul (a)i structura semiconductoare (b) ale tiristorului.

Notaii utilizate: Aanod, Kcatod, Ggril, iTh curentul prin tiristor (la
polarizare direct), uTh cderea de tensiune pe tiristor.
Raportul ntre diametrul pastilei semiconductoare i nlimea acesteia este
foarte mare, grosimea straturilor fiind n funcie de tensiunile de lucru pentru
care este fabricat tiristorul. Orict de mare ar fi aceast tensiune, nlimea
total a ansamblului din Fig. 2.9b este de ordinul milimetrilor. Spre
deosebire de nlime, diametrul pastilei de siliciu este n funcie de curentul
maxim pe care trebuie s-l preia tiristorul (la cureni de mii de amperi,
diametrul poate fi de 8-10cm). Structura semiconductoare este nchis etan
ntr-o capsul care este fixat pe radiator (element de rcire).
2.5.2. Schema echivalent i caracteristicile statice
Pornind de la structura semiconductoare, schema echivalent a tiristorului
este prezentat n Fig. 2.10. n aceast figur (2.10a) sunt prezentate, ntr-o
form simplificat cele patru straturi semiconductoare p1 n1 p2 n2
desprite de cele trei jonciuni J1, J2, J3. Dac straturile mediane n1 i p2 sunt
secionate imaginar (Fig. 2.10b), fr a se rupe legtura electric dintre ele,
se obin dou structuri distincte: o structur p1 n1 p2 ce corespunde unui
tranzistor bipolar T1 de tip pnp, respectiv structura n1 p2 n2 ce corespunde
unui tranzistor bipolar T2 de tip npn. nlocuind cele dou structuri cu

39

simbolurile tranzistoarelor i realiznd legturile electrice corespunztoare

se obine schema echivalent din Fig. 2.10c.

Fig. 2.10: Schema echivalent a tiristorului.

a) jonciunile semiconductoare, b) secionarea imaginar a straturilor mediane,
c) echivalena cu tranzistoare.

Pe baza schemei echivalente prezentate se pot trasa caracteristicile statice de

blocare i conducie ale tiristorului, reprezentate n Fig. 2.11.

a)

b)

Fig. 2.11: Caracteristicile statice ale tiristorului.

a) caracteristicile reale, b) caracteristicile ideale.

Dup cum se observ din Fig. 2.11, funcionarea tiristorului este

caracterizat de urmtoarele aspecte:
starea de blocare la polarizarea invers apare atunci cnd tensiunea
aplicat tiristorului este negativ (uAK < 0). n acest caz, tranzistoarele

40

echivalente T1 i T2 sunt polarizate invers, iar curentul prin tiristor iAK poate fi
considerat nul. n realitate apare un curent negativ de scpri foarte mic
(iAK = IR) de ordinul microamperilor.
starea de strpungere apare atunci cnd, la bornele tiristorului aflat
n blocare la polarizare invers, tensiunea invers depete valoarea
negativ UBR (Reverse BreakdownVoltage). n acest caz, tiristorul este
strpuns i implicit curentul prin acesta va crete brusc spre o valoare
limitat doar de circuitul exterior. Pentru a se evita asemenea situaie,
tiristorul se alege n funcie de tensiunea invers maxim repetitiv URRM
(parametru de catalog), mai mic dect tensiunea de strpungere UBR.
starea de polarizare direct este caracterizat de tensiunea uTh > 0. n
acest caz, n absena unei comenzi, tiristorul se afl n starea de blocare la
polarizare direct, deoarece nici unul dintre cele dou tranzistoare
echivalente nu poate prelua conducia. Astfel, tiristorul blocheaz tensiuni
directe ale cror valori sunt mai mici dect tensiunea de strpungere direct
UB0 (Breakover Voltage). Din fabricaie rezult tensiunea de strpungere
direct aproximativ egal cu tensiunea de strpungere invers (UB0 = UBR).
Se recomand ca tensiunea de strpungere direct, n absena comenzii, s
nu depeasc tensiunea maxim de strpungere direct (UB0 = UB0max ) care
este parametru de catalog.
Deschiderea tiristorului are loc dac unul din cele dou tranzistoare
echivalente este adus n conducie, ceea ce presupune existena fiecruia din
cei doi cureni de comand (curenii de baz IB1 i IB2). Procesul se desfoar
astfel: se aplic un impuls scurt de curent pe grila tiristorului care determin
conducia tranzistorului T2; tiristorul intr astfel ntr-un proces de amorsare
numit deschidere n avalan; prin deschiderea lui T2 apare curentul de
colector IC2 care n acelai timp este curentul prin baza tranzistorului T1 (IB1 =
IC2); se deschide i tranzistorul T1 al crui curent de colector IC1 mrete i
mai mult curentul IB2 prin baza tranzistorului T2; creterea curentului IB2 va
conduce implicit la creterea curentului de colector IC2 i aa mai departe.
Apare astfel o reacie pozitiv (IG1 > IG2 > IG = = 0) caracterizat de
translaiile punctului de funcionare de pe caracteristica de blocare direct pe
caracteristica de conducie (regiunea de rezisten negativ).
- starea de conducie apare atunci cnd curentul anodic prin tiristor atinge
valoarea de automeninere ITh = IH (Holding Current- parametru de catalog),
caz n care impulsul de comand pe grila tiristorului (IG) poate dispare.
Curentul de conducie poate fi limitat de impedana de sarcin a circuitului
exterior tiristorului i este mai mare dect curentul IL de blocare direct
(parametru de catalog).

41

Dac n cele dou stri de blocare (direct i invers) curentul prin tiristor
poate fi aproximat ca fiind nul, obinem caracteristicile ideale ale acestora
(Fig. 2.11b). De asemenea, caracteristica de conducie poate fi aproximat cu
una ideal, deoarece cderea de tensiune pe tiristor n aceast stare este
redus (1-3V). n cazul tiristoarelor de mare putere, aceast aproximare este
dificil datorit cderilor mari de tensiune la bornele acestora.
2.5.3. Caracteristicile dinamice i de comand sigur
Caracteristicile dinamice reprezint dependenele iTh = f (uTh) survenite pe
durata regimurilor tranzitorii de amorsare i de blocare. Ciclul de funcionare
al procesului de comutaie amorsare/blocare este prezentat n Fig. 2.12.

Fig. 2.12: Caracteristicile dinamice ale tiristorului.

Ciclul de funcionare prezentat n Fig.2.12 ncepe la momentul t=0 cnd
tiristorul blocheaz o tensiune direct de amplitudine UF (Forward Voltage).
42

Blocarea acestei tensiuni dureaz atta timp ct tiristorul nu este comandat.

La momentul t0 pe grila tiristorului este aplicat impulsul de comand pe gril
(impuls de curent) iG. Durata de timp (limea) a impulsului de comand este
timp. Amorsarea tiristorului are loc dup timpul td(on) denumit timp de
ntrziere la deschidere (Delay Time parametru de catalog) a crui mrime
depinde de tipul tiristorului, de mrimea i viteza de cretere a curentului de
gril (iG). Pentru reducerea regimului tranzitoriu i implicit a timpului td(on),
impulsul de comand a crui durat de timp (lime) este timp trebuie
meninut pe grila tiristorului un timp minim timp(min) pn cnd curentul prin
tiristor atinge valoarea de automeninere IH.
Timpul total de comutaie la deschidere tc(on) se calculeaz din momentul
aplicrii impulsului de comand pe gril pn la atingerea valorii stabile de
tensiune Uon la bornele tiristorului, cu ajutorul relaiei:
t c on t d on t1 t 2 ,

(2.21)

unde t1 = tri este timpul de cretere a curentului (Current Rise Time) n

care se iniializeaz conducia tiristorului, curentul prin
acesta evolund spre valoarea de regim impus de circuitul
exterior;
t2 este timpul de extindere lateral a conduciei, n care seciunea
canalului de conducie se extinde la ntreaga arie transversal a
pastilei semiconductoare. Acest timp este mai mare dect t1,
putnd atinge valori de ordinul sutelor de s.
n funcie de tipul tiristoarului, de fabricant, de seria constructiv i de
structura circuitului exterior, timpul tc(on) poate fi cuprins n intervalul s
sute de s.
Regimul tranzitoriu de blocare al tiristorului este iniiat de circuitul
exterior prin apariia unei tensiuni de comutaie care polarizeaz invers
tiristorul aflat n conducie. Acest proces este caracterizat, conform Fig.2.12,
de urmtorii timpi:
t3 = tfi este timpul de cdere al curentului (Current Fall Time) i se
realizeaz cu o pant negativ a curentului prin tiristor impus de circuitul
exterior al acestuia. La sfritul acestui interval de timp, curentul prin tiristor
devine zero.
trr este timpul de revenire n care apare, prin tiristor, un curent invers
ce va transporta sarcina stocat QRR n zona median a tiristorului. Acest
interval de timp este dat de urmtoarea relaie:
t rr t 4 t 5 ,

(2.22)
43

unde t4 este timpul n care att prin recombinarea natural ct i prin

contribuia curentului invers, purttorii majoritari de sarcin din
zona neutr a jonciunilor J1 i J3 ating concentraia
corespunztoare echilibrului termic;
t5 este timpul n care se golesc zonele de trecere de purttorii
majoritari din jurul jonciunilor J1 i J3.
n practic, mai interesant dect timpul trr este timpul tq numit i timp de
blocare care reprezint intervalul minim n care tensiunea pe tiristor trebuie
s-i pstreze polaritatea invers pentru ca acesta s se blocheze ferm i care
este un parametru de catalog. Acest timp este de ordinul sutelor de s.
O alt caracteristic important este caracteristica de circuitului de
comand reprezentnd dependena dintre mrimile caracteristice circuitului
de gril UG = f (IG), dup cum rezult din Fig. 2.13.

Fig. 2.13: Caracteristica circuitului de comand.

n aplicaiile uzuale, o importan deosebit se acord comutrii sigure a
tiristorului. Este nevoie de a se determina limitele valorilor pentru tensiunea
i curentul de gril, astfel nct comutarea s fie sigur iar puterea disipat
pe circuitul de gril s nu depeasc valoarea maxim admisibil. Jonciunea
gril-catod, fiind mai slab dopat, are un caracter de diod mai redus fa de
normal, n ambele sensuri de polarizare, astfel c valorile UG i IG trebuie s
depeasc limitele zonei stabilite de UGmin i IGmin . n Fig. 2.13 este
44

prezentat caracteristica de gril a tiristorului (curba c) i dispersia ei

posibil (curbele a i b). Punctul de funcionare trebuie s se plaseze pe
dreapta de sarcin zona delimitat de curbele de dispersie i de cea a puterii
maxime a circuitului de gril (PGmax). n cataloage se recomand perechile de
valori UG i IG pentru o comutare sigur precum i variaia lor n funcie de
temperatur. Punctele n care dreapta de sarcin intersecteaz cele dou axe
reprezint valorile maxime ale tensiunii i curentului aferente circuitului de
gril. Tensiunea invers maxim ce poate fi aplicat pe gril este limitat la
maxim 5V.
2.6. TRANZISTORUL BIPOLAR DE PUTERE (BJT)
Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive controlate n curent. Curentul de
comand numit i curent de baz (IB) trebuie meninut tot timpul pentru a se
pstra starea de conducie a tranzistorului. O anumit valoare a curentului de
comand impune un anumit curent de for care este chiar curentul de
colector (IC) n ipoteza n care nu este limitat de circuitul de sarcin. Astfel
tranzistorul funcioneaz n stare activ, comportndu-se ca o rezisten
variabil ce impune un anumit curent n circuitul principal, sau ca un
generator de curent controlat n curent. Raportul ntre curentul de for (de
colector) i curentul de comand (de baz) se numete factor de amplificare
n curent i este dat de relaia:

IC
.
IB

(2.23)

Deoarece n starea activ o mare parte din energia vehiculat este reinut de
tranzistor (pierderi mari n conducie) se recomand ca, n cadrul
convertoarelor, deschiderea tranzistorului s fie total, astfel nct s se
obin o conducie profund numit stare de saturaie. Aceasta apare dac se
realizeaz o comand n exces prin care curentul IB este peste valoarea
obinut pornind de la valoarea necesar a curentului IC i de la valoarea
factorului de amplificare, adic:

IB

IC
.

(2.24)

Tranzistoarele BJT au urmtoarele proprieti:

pot bloca tensiuni nalte i pot vehicula cureni mari,
45

prezint avantajul funcionrii n saturaie profund (pierderi mici n

conducie),
nu pot atinge frecvenele de lucru specifice tranzistoarelor de mic
putere, datorit faptului c au pierderi mari n comutaie,
nu prezint un factor ridicat de amplificare n curent (tipic 5-15),
necesit o putere mare de comand.
2.6.1. Simbolul i structura BJT
Tranzistoarele BJT sunt realizate pe baz de siliciu, n dou structuri
semiconductoare: de tip npn i de tip pnp. Sunt preferate i au fost
dezvoltate n mod deosebit tranzistoarele de tip npn, a cror structur
semiconductoare i simbol sunt prezentate n Fig. 2.14.

Fig. 2.14: Simbolul (a) i structura semiconductoare (b) a BJT tip npn.
Notaii utilizate:
terminalele de for sunt colectorul (C) i emitorul (E)
terminalul de comand este baza (B)
Emitorul este folosit ca terminal comun att pentru circuitul de for ct i
pentru circuitul de comand, fiind declarat de obicei mas.
iB este curentul de baz
iC este curentul de colector
uCE este tensiunea colector-emitor.
Polarizarea direct n circuitul de for, pentru tranzistorul npn, este cu (+)
pe colector i () pe emitor, adic uCE > 0.

46

Elementul principal care deosebete structura semiconductoare a unui

tranzistor BJT de putere de cea a unui tranzistor BJT de mic putere este
stratul suplimentar care formeaz regiunea de drift a colectorului slab
impurificat (1014 sarcini/cm3) i cu grosime relativ mare. Rolul acestei
regiuni este de a bloca tensiunile directe mari prin intermediul jonciunii
baz (B)-colector (C). Cnd BJT-ul este polarizat direct, dar nu este
comandat (IB = 0), jonciune B-C este polarizat invers blocnd tranzistorul.
Aceast blocare este posibil dac grosimile regiunii de drift i ale stratului
bazei sunt suficient de mari. Grosimea bazei influeneaz n mod direct
amplificarea tranzistorului. Deschiderea tranzistorului este iniiat prin
polarizarea direct a jonciunii B-E i amorsarea unui curent de baz IB care
determin trecerea golurilor din baz spre emitor i a electronilor dinspre
emitor spre baz. n acest fel apare curentul de colector IC al crui sens este
indicat n Fig. 2.14b. Prin creterea curentului de baz, densitatea sarcinii n
exces se extinde i n regiunea de drift, determinnd deschiderea total a
tranzistorului adic intrarea acestuia n starea de saturaie. Saturaia poate fi
uoar (quasi-saturation) adic la limita dintre conducia activ i conducia
total sau poate fi profund (hard-saturation) cnd se obine peste o anumit
valoare a curentului de baz o densitate de sarcin n exces ce cuprinde toat
regiunea de drift a colectorului. Pentru evitarea fenomenului parazit de
concentrare a curentului n zona central a emitorului n timpul conduciei
unor cureni mari, fenomen ce determin strpungerea secundar (second
breakdown) a tranzistorului, se recurge la soluia constructiv a unor
terminale multiple de emitor intercalate printre conductoarele bazei. Astfel
de structuri contribuie la reducerea puterii de comand pe baza tranzistorului
i se realizeaz sub forma unor module compacte ce conin dou sau trei
tranzistoare de putere conectate n montaj Darlington. n Fig.2.15 sunt
prezentate schemele echivalente ale unei structuri monolitice dublu
Darlington (Fig.2.15a) i al unei structuri triplu Darlington (Fig.2.15b).

Fig. 2.15: Structuri monolitice de tip Darlington

47

Structurile monolitice de tip Darlington se caracterizeaz prin curent de baz

(IB) de valori reduse i printr-un factor de amplificare n curent mai ridicat
deoarece conine ca termen principal un produs al factorilor de amplificare ai
tranzistoarelor componente. Dezavantajul const n creterea tensiunii
colector-emitor n saturaie (0,4V pt. un tranzistor de putere normal i 1,3V
pt. Darlington).
2.6.2. Caracteristicile statice ale BJT
n Fig.2.16a sunt prezentate caracteristicile statice curent (iC)tensiune (uCE)
aferente unui BJT pentru diferite valori ale parametrului de comand IB.

Fig. 2.16: Caracteristicile statice ale tranzistorului de putere BJT.

Dac tranzistorul are circuitul baz-emitor deschis, nseamn c este blocat
i implicit are IC = 0 pentru orice tensiune uCE mai mic dect tensiunea de
strpungere direct BVCE (Collector-Emitter Breakdown Voltage) dat n
cataloage pentru urmtoarele situaii posibile:
BVCE0 atunci cnd circuitul bazei este deschis;
BVCES atunci cnd jonciunea baz-emitor este scurtcircuitat;
BVCEV atunci cnd jonciunea baz-emitor este polarizat invers.
Cnd tranzitorul este comandat n baz cu un curent oarecare 0 < IB1 < IB2 <
< IB3 < .........< IB(n-1) < IB(n), acesta se deschide i punctul de funcionare se
aeaz pe caracteristica static, fie n zona activ (punctul 2-punctul de
deschidere), fie n zona de saturaie (punctul 1). Dac circuitul exterior
tranzistorului permite o valoare suficient de mare a curentului IC , punctul de
funcionare se plaseaz n zona activ a caracteristicii (ntre punctele 1 i 2
48

pe dreapta de sarcin), unde rezistena intern a dispozitivului (definit n

rel. 2.25) este mai mare.
U CE
.
I C
(2.25)
Ri

Mulimea de puncte cuprins ntre punctele 1 i 2 formeaz dreapta de

sarcin i caracterizeaz funcionarea tranzistorului n zona activ. n regim
de comutaie timpul de parcurgere al dreptei de sarcin trebuie s fie ct mai
mic, astfel nct durata regimului tranzitoriu i implicit pierderile acestuia s
fie ct mai reduse.
n zona de saturaie, obinut prin creterea curentului IB i conform rel.
(2.23), va apare un curent mare IC =IB chiar la o tensiune mic UCE. Dac
circuitul exterior tranzistorului limiteaz curentul de colector la o valoare IC
< ICM i tranzistorul se comand cu un curent IB ce respect condiia (2.24),
punctul de funcionare se aeaz n zona de saturaie a caracteristicii unde
rezistena intern Ri de conducie devine foarte mic. n acest fel, valoarea
curentului de colector nu mai este controlat de tranzistor i este impus
exclusiv de sarcin. Totodat, cderea de tensiune pe tranzistor devine foarte
mic UCE(sat) = (1 2)V i va determina pierderi mici n conducie
(performan deosebit). n cataloage este dat curentul maxim de colector ce
poate fi preluat de tranzistorul saturat n regim continuu IC i curentul maxim
de colector n regim de impuls ICM . n Fig. 2.16a zonele de saturaie ale
tuturor caracteristicilor statice s-au reprezentat cu aproximaie pe o aceeai
dreapt numit dreapta de saturaie. Deoarece n cazul unei comenzi corecte
punctul de funcionare se afl tot timpul pe aceast dreapt (unde cderea de
tensiune pe tranzistor este neglijabil), n Fig. 2.16b dreapta de saturaie
devine caracteristica ideal de conducie. Astfel cele dou caracteristici din
Fig. 2.16b sugereaz c tranzistorul BJT are comportamentul apropiat de cel
al unui comutator ideal.
Tranzistorul BJT poate fi afectat dac tensiunea la bornele acestuia depete
o valoare maxim admisibil (strpungere n tensiune) sau dac temperatura
semiconductorului atinge o valoare care i poate topi structura cristalin
(distrugere termic). Strpungerea n tensiune apare cnd tranzistorul este
blocat i tensiunea pe colector crete peste valoarea maxim care poate fi
suportat de jonciunea C-B atunci cnd circuitul emitorului este deschis
(BVCB0). Aceasta este cu puin mai mare dect BVCE0 (BVCB0 > BVCE0) putnd
fi luat n consideraie doar pe durata blocrii, atunci cnd circuitul de baz
sete ntrerupt (IB = 0).
49

Din acest motiv, n practic se lucreaz cu valoarea BVCE0 care limiteaz

caracteristica de blocare direct din Fig.2.16. fenomenul de strpungere n
tensiune, numit i strpungere primar a tranzistorului (Primary
Breakdown), apare i atunci cnd tranzistorul este n conducie pe
caracteristica activ, iar tensiunea depete valoarea de susinere BVSUS
(Sustained Breakdown Voltage). Valorile BVSUS sunt uor inferioare valorii
BVCE0. Pentru simplitate, n Fig.2.16a, toate punctele care marcheaz grania
de la care poate apare fenomenul de strpungere au fost plasate pe o singur
dreapt. Distrugerea prin ambalare termic, numit i strpungere
secundar a BJT-ului (Secondary Breakdown), se produce atunci cnd
pierderile de putere n semiconductor sunt mari i cldura rezultat nu mai
poate fi evacuat cu succes din structur.
Acest fenomen odat declanat se desfoar n avalan, densitatea de
curent crete, iar dac temperatura din jonciune crete peste valoarea
maxim de catalog (Tj(max)) pastila semiconductoare este depreciat
iremediabil (vezi i Fig.2.16a,b). Suprafaa delimitat de caracteristica de
blocare, caracteristica de conducie, frontiera dat de tensiunile de
strpungere i frontiera de la care s apar distrugerea termicformeaz aa
numita arie de funcionare sigur SOA (Safe Operating Area) sau ari de
funcionare permis.
Aceast noiune este foarte important la proiectare, cnd tranzistorul este
ales n funcie de tensiunea, curentul i frecvena de lucru (vezi i Fig.2.16,
SOA - aria haurat). Deoarece n electronica de putere tranzistoarele
funcioneaz n dou stri stabile, pe cele dou caracteristici de conducie i
de blocare, punctul de funcionare parcurge primul cadran format de cele
dou axe din Fig.2.16b doar pe durata regimurilor tranzitoriide deschidere
(ON) i de blocare (OFF).
Atunci cnd s-au luat msuri de reducere a timpilor de comutaie n timpul
comutaiei tranzistorului, aria de funcionare sigur SOA sufer o extensie n
sensul artat de sgeata din figura 2.16b odat cu creterea frecvenei de
lucru. Rezult c pe durata comutaiilor rapide punctul de funcionare poate
urma traseul cuprins ntr-o arie SOA mai larg cu tensiuni i cureni mai
mari.
2.6.3. Caracteristicile dinamice ale BJT
n Fig.2.17 sunt prezentate caracteristicile dinamice ale tranzistorului BJT
corespunztoare celor dou regimuri de funcionare caracteristice:
deschiderea tranzistorului (intrarea n conducie),
blocarea tranzistorului.
50

a) Deschiderea tranzistorului
Se consider tranzistorul n starea stabil de blocare (UBE(off) < 0 cu jonciunea
B-E polarizat invers) i fr comand pe baz (IB =0) astfel nct s se evite
deschiderea accidental a acestuia.

Fig. 2.17: Caracteristicile dinamice ale BJT.

La momentul t0 se aplic pe baza tranzistorului impulsul de comand (timpul
td(on)), astfel nct circuitul de comand rupe legtura cu tensiunea negativ
de blocare i iniiaz un curent de baz pozitiv (IB(on) = IB >0). n acest caz
tensiunea negativ uBE va evolua spre zero. Curentul de baz atinge regimul
stabilizat la o valoare calculat cu relaia (2.24), nainte ca sarcina spaial s
fie n totalitate neutralizat. Dup anularea sarcinii spaiale, jonciunea B-E
este polarizat direct la tensiunea UBE(on) = uBE > 0 i curentul IB(on). Intervalul
de timp surs de la trimiterea comenzii de deschidere (t0) i pn la momentul
amorsrii tranzistorului se numete timp de ntrziere la deschidere, este
notat n cataloage cu td(on) (delay time) i are valori cuprinse n gama ns s.
Pentru reducerea timpului td(on) i implicit a regimului tranzitoriu de intrare n

51

conducie, pe baza BJT se aplicun curent de vrf n baz (Fig.2.17- forma

de und iB). Dup amorsarea curentului de colector, urmeaz o cretere a
acestuia pn la valoarea de regim iC = IL n timpul tri (current rise time). La
sfritul timpului tri are loc scderea tensiunii colector-emitor uCE. Intervalul
scderii tensiunii de pe tranzistor, notat cu tfv (voltage fall time), cuprinde
dou subintervale distincte:
n primul, se produce o cdere abrupt a tensiunii pe tiristor (uT) ce
corespunde procesului n care sarcina electric participant la conducie este
prezent doar n stratul bazei;
n al doilea, are loc scderea lent a tensiunii uCE i implicit a
tensiunii uT n regiunea de drift a colectorului. Este procesul n care
tranzistorul evolueaz spre starea de saturaie. La sfritul acestui interval,
tranzistorul poate fi considerat n totalitate deschis. Tensiunea pe acesta se va
stabili la valoarea UCE(sat) n timpul tc(on) = td(on) + tri + tfv, n funcie de valorile
curentului de baz i ale celui de sarcin (colector) valori ce se stabilesc
pentru un punct de funcionare A de pe caracteristica din Fig.2.16.
b) Blocarea tranzistorului
Dup intervalul de timp de conducie (ton), tranzistorul BJT intr n regimul
tranzitoriu de blocare ncepnd cu momentul t1 i cu reducerea curentului IB.
Din Fig.2.17 se observ c scderea curentului din baza tranzistorului este
caracterizat de panta negativ diB/dt < 0 finit. De altfel, panta negativ a
curentului de baz prelungete ieirea din conducie a BJT i implicit
determin limitarea frecvenelor de lucru pentru a se evita o cretere
accentuat a pierderilor de comutaie. Pentru reducerea timpului de
comutaie la ieirea din conducie (tc(off)), n vederea unei blocri ct mai
rapide se recurge la inversarea curentului de baz de la valoarea IB(on) la
valoarea IB(off). Pe durata blocrii se pot evidenia urmtoarele intervale de
timp distincte:
intervalul de timp ts (storage time) n care este neutralizat sarcina n
exces din regiunea de drift a colectorului. n acest interval de timp
tranzistorul nu iese din saturaie i tensiunea UCE(sat) se pstreaz pe BJT, iar
valoarea curentului IC nu se modific.
intervalul de timp n care sunt neutralizai toi purttorii de sarcin din
zona de drift a colectorului, marcat de o cretere uoar a tensiunii pe BJT.
n acest interval tranzistorul parcurge starea de saturaie uoar.
intervalul de timp n care sunt neutralizai purttorii de sarcin din
stratul bazei fiind caracterizat de factorul de amplificare mare n curent i de
tensiunea pe tranzistor (uT) n cretere. Timpul total de cretere a tensiunii uT
se noteaz cu trv (voltage rise time) i este indicat n cataloage. Atunci cnd
52

tensiunea pe BJT depete cu puin valoarea de alimentare Ud, dioda

montat n paralel cu tranzistorul se deschide i curentul este comutat de pe
acesta pe ramura diodei (curent de circulaie invers) n intervalul de timp tfi
(current fall time).
Jonciunea B-E este polarizat invers tot timpul tc(off) = ts + trv + tfi .
2.7. TRANZISTORUL MOSFET DE PUTERE
Tranzistoarele MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor) sunt caracterizate prin tensiuni de lucru din ce n ce mai mari i
implicit prin creteri corespunztoare a rezistenei de conducie (rDS(on)).
Pentru limitarea pierderilor n conducie sunt fabricate tranzistoare MOSFET
de putere pentru tensiuni mari (800 1200V) i cureni mici (5 8A),
respectiv pentru tensiuni mici (80 100V) i cureni mari (100 200A). n
prezent segmentul ocupat de MOSFET-uri se refer la puteri de zeci W kW
n domeniul frecvenelor ridicate de comutaie (zeci de kHz sute de kHz),
contribuind la micorarea gabaritelor i maselor convertoarelor statice.
2.7.1. Simbolurile i structura tranzistoarelor MOSFET
n Fig.2.18 sunt prezentate simbolul i structura semiconductoare ale celui
mai utilizat tranzistor MOSFET de putere, cel cu canal de tip n.

Fig. 2.18: Simbolul (a) i structura semiconductoare (b) a tranzistorului

MOSFET de tip n.
53

Referitor la Fig.2.18 s-au utilizat urmtoarele notaii

pentru terminalele de for: D-dren, S-surs, G-gril;
pentru mrimile electrice: iD curentul de dren, uSD tensiunea surs
dren, uGS tensiunea gril surs.
Pentru ca tranzistorul MOSFET cu canal de tip n s fie adus n conducie,
tensiunea gril-surs trebuie s fie pozitiv (uGS >0).
n Fig.2.19 este prezentat simbolul tranzistorului de putere MOSFET cu
canal de tip p.

Fig. 2.19: Simbolul tranzistorului MOSFET de tip p.

Notaiile din Fig.2.19 au aceleai semnificaii ca n Fig.2.18. Deosebirile
sunt urmtoarele: polaritile tensiunilor din circuitele de for i comand
sunt inversate, iar sensul curentului de dren este de asemenea inversat.
Terminalul sursei i pstreaz poziia comun ntre circuitul de for i cel
de comand. Pentru ca tranzistorul MOSFET cu canal de tip p s fie adus
n conducie, tensiunea gril-surs trebuie s fie negativ (uGS <0).
Revenind la Fig.2.17, se observ c, n condiiile unei polarizri directe
ntre dren i surs (cu + pe dren i pe surs) a tranzistorului cu canal de
tip n, dar fr o polarizare corespunztoare a grilei fa de surs, tranzistorul
rmne n blocare direct. n acest caz stratul n+ n contact cu drena
mpreun cu zona de drift i cu substratul p al fiecrei insule aflate n contact
cu sursa formeaz structura unei diode de putere parazite, polarizat invers
(Fig.2.17b). De fapt, tensiunea invers a diodei parazite a crei valoare este
dat de grosimea zonei de drift, imprim capacitatea de blocare n stare
direct a tranzistorului. Prezena acestei diode este benefic, deoarece are rol
de descrcare n zona de blocare direct anulnd capacitatea de blocare
invers a MOSFET-ului. Starea de blocare direct se caracterizeaz printro tensiune gril-surs pozitiv (uGS >0), n condiiile unei polarizri directe

54

ntre dren i surs, dar care nu depete valoarea tensiunii de prag(uGS

< UGS(prag) = 24V).
Dac uGS >UGS(prag) , apare fenomenul de inversie a diodei, prin care n
structura semiconductoare apare un canal de conducie de tip n format din
sarcini negative (electroni), ceea ce determin intrarea n conducie a
MOSFET-ului. Fenomenul prin care este modulat conductivitatea
materialului semiconductor (a canalului de conducie) prin intermediul unei
tensiuni sau a unui cmp electric se numete efect de cmp. Tranzistoarele
ce utilizeaz acest efect se numesc tranzistoare cu efect de cmp FET
(Field Effect Transistor). Din aceast clas de tranzistoare fac parte i
tranzistoarele MOSFET care realizeaz efectul de cmp prin intermediul
capacitii MOS (oxid de metal-semiconductor). Blocarea tranzistorului se
realizeaz prin inversarea polaritii tensiunii de gril.
2.7.2. Caracteristicile statice ale tranzistorului MOSFET de putere
Datorit prezenei diodei parazite (n+ - n- - p) ce apare ntre dren i surs,
tranzistorul MOSFET nu poate bloca tensiuni inverse, fapt pentru care
caracteristicile statice tensiune curent vor fi prezentate doar pentru
cadranul I al sistemului de axe u i. Caracteristicile statice reprezint
dependenele dintre curentul de dren (iD) i tensiunea dren-surs (uDS)
pentru diferite tensiuni de comand gril-surs (uGS), fapt ce este desenat n
Fig.2.20.

Fig. 2.20: Caracteristicile statice reale (a) i ideale (b) ale tranzistorului
MOSFET de putere.

55

Referitor la Fig.2.20, se pot face urmtoarele observaii:

a) tranzistorul MOSFET nu se deschide n urmtoarele dou situaii
- dac tranzistorul nu este comandat,
- dac tranzistorul este comandat cu o tensiune gril-surs (uGS) sub valoarea
tensiunii de prag UGS(prag) (notat n cataloage cu VGS(th) Gate Threshold
Voltage).
n acest caz, punctul de funcionare se plaseaz pe caracteristica de blocare
direct (ID = 0), n condiiile n care tensiunea de alimentare dren-surs
(uDS) nu depete o limit maxim. Dac aceast tensiune depete
valoarea maxim (uDS > UDS(max)), tranzistorul este strpuns i curentul iD
poate crete pn la o valoare limitat de circuitul de sarcin. Tensiunea de
strpungere direct este notat n cataloage cu BVDSS (Drain-Source
Breakdown Voltage, gate-source Short circuited) i este dat pentru situaia
n care tensiunea de comand este zero (terminalele gril-surs
scurtcircuitate).
b) deschiderea controlat a MOSFET-ului se produce atunci cnd tensiunea
uGS depete valoarea de prag (UGS(prag)). n Fig.2.20a sunt reprezentate mai
multe caracteristici statice pentru diferite valori ale tensiunii de comand
(UGS) cuprinse ntr-un interval recomandat de firma productoare a
tranzistorului:

UGSpragUGS GS21 . GSn1 GSnUUU GSmax

(2.26)

Pentru ca pelicula de SiO2 a pastilei semiconductoare s nu se strpung,

firmele productoare recomand ca tensiunile de comand s nu depeasc
valoarea UGS(max) = 20V.

56

c) deschiderea complet a tranzistorului are loc pentru tensiuni UGS = (10

15)V. De obicei valoarea standard este cea de 15V.
d) caracteristicile statice ale MOSFET-ului prezint urmtoarele dou zone
de funcionare:
- zona activ (de curent iD constant) n care valoarea curentului prin
tranzistor este controlat prin intermediul variabilei de comand (uGS) i n
care apar cderi importante de tensiune pe tranzistor;
- zona ohmic (de rezisten constant) n care tranzistorul este total deschis
(prin inducerea canalului conductor), iar tensiunea UDS(on) este mic i puin
dependent de curent.
d) mrimile caracteristice ale MOSFET-ului sunt urmtoarele:

pierderile n conducie
Pon U DS on I D .

(2.27)

Aceste pierderi sunt caracteristice punctului A de funcionare de pe

caracteristica static (Fig.2.20a).

cderea de tensiune pe dispozitiv n starea de conducie

U DS on rDS on I D ,

(2.28)

unde rDS(on) este rezistena de conducie a MOSFET-ului pe care curentul

de dren o ntlnete pe traseul dren (n+) regiune drift (n-) canal (p)
surs (n+).

rezistena de conducie (rDS(on))

rDS on Rdrena Rdrift Rcanal Rsursa .

(2.29)

Se apreciaz c aproximativ 70% din pierderile n conducie au loc pe

rezistena Rdrift. n urma experimentelor, literatura de specialitate recomand
pentru calculul rezistenei de conducie urmtoarea relaie:

rDS on k U DS max

2,5

(2.30)

unde k este o constant de material.

Tranzistoarele MOSFET construite pentru tensiuni mari (aproximativ
1000V) au o rezisten rDS(on) mare care la rndul ei determin cderi de
tensiune de zeci de voli. Aceste cderi mari de tensiune impun limitarea
curentului de dren la valori de ordinul amperilor.

57

e) curentul de dren maxim pe care tranzistorul l poate susine n mod

continuu fr s se distrug termic se noteaz n cataloage cu ID , iar
curentul maxim de impuls este notat cu IDM. Tranzistorul MOSFET nu se
poate distruge prin ambalare termic, deci nu prezint fenomenul de
strpungere secundar, datorit coeficientului pozitiv de temperatur. Astfel
se poate neglija tensiunea de pe tranzistorul aflat n conducie, cu punctul de
funcionare n zona ohmic, punct ce se poate considera c se afl pe o
caracteristic ideal de conducie (Fig.2.20b). Considernd caracteristica de
blocare direct, ct i faptul c trecerea de pe o caracteristic (de blocare) pe
cealalt (de conducie) se poate face n ambele sensuri prin comand, se
obin trsturile unui comutator static ideal (Fig.2.20b). Suprafaa cuprins
ntre caracteristica de blocare, caracteristica de conducie i limitele impuse
de curentul maxim continuu ID, respectiv tensiunea de strpungere direct
BVDS , formeaz aria de funcionare sigur (SOA) sau suprafaa de
funcionare permis a MOSFET-ului (Fig.2.20b-suprafaa haurat). Dac
MOSFET-ul funcioneaz n comutaie cu o anumit frecven i cu o
anumit durat relativ de conducie, aria SOA sufer o extensie odat cu
creterea frecvenei de lucru, n sensul indicat de sgeata din Fig.2.20b.
f) comportarea n regim de comutaie a MOSFET-ului este influenat de
elementele capacitive parazite prezente n circuitul su echivalent
simplificat prezentat n Fig.2.21.

Fig. 2.21: Circuitul echivalent simplificat al tranzistorului MOSFET.

Capacitile din figura de mai sus pot fi caracterizate astfel:
- capacitatea dren-surs (CDS) are o valoare intermediar, puternic neliniar,
i depinde invers proporional de tensiunea dren-surs (UDS );
- capacitatea gril-surs (CGS) are o valoare mare i nu variaz cu tensiunea
aplicat (UDS );
- capacitatea gril-dren (CGD) are o valoare mic i este puternic neliniar.
58

2.8. TRANZISTORUL IGBT DE PUTERE

Tranzistorul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) a aprut ca produs de
pia n anul 1982, fiind o combinaie ntre tehnologiile tranzistoarelor
bipolare i MOS i mbinnd avantajele BJT (saturaia profund i implicit
pierderile mici n conducie) i MOSFET (pierderi mici n comutaie i
implicit frecvene ridicate de lucru). Aceste tranzistoare prezint un factor de
amplificare n curent foarte mare avnd caracteristicile de comand identice
cu cele ale MOSFET. Performanele de tensiune i curent ale IGBT-urilor
ajug la 6,5kV i 2500A.
2.8.1. Simbolul i schema echivalent
n Fig.2.22 este prezentat simbolul i mrimile aferente acestuia pentru
tranzistorul IGBT cu canal de tip n.

Fig. 2.22: Simbolul tranzistorului IGBT cu canal de tip n.

Notaii utilizate: C colector, G gril, E emitor, iC curentul de
colector, uCE tensiunea colector-emitor, uGE
tensiunea gril-emitor.
n Fig.2.23 sunt prezentate schemele echivalente n form complet i
simplificat ale unui tranzistor IGBT cu canal de tip n.

59

Fig. 2.23: Schemele echivalente ale tranzistorului IGBT cu canal de tip n

a) forma complet, b) forma simplificat.
Prin deschiderea tranzistorului echivalent T2 i amorsarea tiristorului parazit
Th se pierde capacitatea de control asupra tranzistorului IGBT. Acest
fenomen se numete agare (latch-up). n acest caz blocarea IGBT-ului se
poate realiza fie prin decuplare de la tensiunea de alimentare, fie prin
polarizare invers. Fenomenul de agare apare pentru dou valori diferite
ale curentului prin IGBT, n urmtoarele dou condiii diferite:
a) agarea static apare atunci cnd tranzistorul este n conducie i
curentul prin colector depete relativ lent o limit maxim;
b) agarea dinamic apare la valori mai mici ale curentului de colector,
atunci cnd tranzistorul se afl n proces de blocare.
n cataloage sunt precizate valorile maxime ale curentului de colector n
regim continuu (IC) i ale curentului de colector n regim de impuls (ICM).
Aceste valori iau n considerare limita de la care este evitat, n mod sigur,
posibilitatea apariiei fenomenului de agare static i dinamic.
Din Fig.2.23a, rezult c schema echivalent complet a unui tranzistor
IGBT cuprinde un tranzistor de tip MOSFET (TMOS) i dou tranzistoare
bipolare (T1, T2). Existena tiristorului parazit Th este sugerat de modul de
conectare a celor dou tranzistoare T1, T2. Dac sunt luate msuri suficiente
pentru evitarea agrii, n regim normal de funcionare, se poate face
abstracie de tranzistorul bipolar T2 i rezistena de dispersie lateral Rdis.
60

Rezult, astfel, schema echivalent simplificat a tranzistorului IGBT,

conform Fig.2.23b. Aceasta modeleaz tranzistorul IGBT cu o structur
Darlington format dintr-un MOSFET cu rolul de driver i un tranzistor
bipolar de putere. Aceast schem pune n eviden amplificarea de curent,
dat de relaia:

I C I MOS 1 T1 ,
(2.31)

unde IC este curentul de colector al tranzistorului bipolar (T1),

IMOS este curentul prin tranzistorul MOSFET (TMOS),
T1 este factorul de amplificare n curent al tranzistorului BJT (T1).
2.8.2. Caracteristicile statice ale tranzistorului IGBT
Pentru un tranzistor IGBT, caracteristicile statice reprezint dependenele
iC = f(uCE) avnd ca parametru tensiunea de gril uGE , fiind prezentate n
Fig.2.24. Se studiaz cazul unui tranzistor IGBT simetric de tip n care
prezint capacitatea de blocare invers. n cazul tranzistorului IGBT
asimetric de tip p pentru studiul caracteristicilor statice se va considera
numai cadranul I al sistemului de axe iC uCE.

Fig. 2.24: Caracteristicile statice reale (a) i ideale (b) ale tranzistorului
IGBT de putere.

61

n Fig. 2.24b sunt reprezentate caracteristicile statice ideale i aria de

funcionare sigur doar n cazul polarizrii directe (uCE > 0).
Dac IGBT-ul este polarizat invers (uCE < 0), atunci curentul de colector
este zero (iC = 0) atta timp ct tensiunea se menine sub valoarea de
strpungere invers VBR=UBR (Reverse Breakdown Voltage). Cnd este
depit aceast valoare apare fenomenul de strpungere invers a
tranzistorului, fapt ce poate duce la distrugerea acestuia. n acest sens se
recomand ca tensiunea invers aplicat IGBT-ului s nu depeasc
valoarea maxim recomandat de catalog URRM (tensiunea invers
repetitiv maxim - Maximum Repetitive Reverse Voltage). n aplicaiile
alimentate cu tensiuni continue tranzistoarele IGBT sunt prevzute cu diode
de descrcare (conectate n paralel cu IGBT-ul) ce exclud apariia tensiunilor
inverse pe dispozitiv. Pentru asemenea aplicaii nu este necesar evaluarea
capacitii de blocare invers a tranzistorului.
La polarizarea direct (uCE > 0), dac tranzistorul nu este comandat punctul
de funcionare se plaseaz pe caracteristica de blocare direct (IC = 0). Dac
ns tensiunea colector emitor (UCE) depete valoarea de strpungere
direct BVCES (Collector-Emitter Breakdown Voltage, gate-emitter Short
circuited) apare fenomenul de strpungere direct n timpul cruia curentul
de colector crete pn la valoarea limitat de rezistena circuitului n care se
afl IGBT-ul. i deschiderea necontrolat trebuie evitat deoarece pot apare
fenomene care distrug dispozitivul.
Deschiderea controlat a tranzistorului se realizeaz atunci cnd tensiunea
de gril depete valoarea de prag (UGE > UGE(prag)). n Fig.2.24a, sunt
prezentate mai multe caracteristici statice pentru diferite valori ale tensiunii
de comand, cuprinse ntr-un interval recomandat de firma productoare a
tranzistorului:

62

UGEpragUGE GE21 . GEn1 GEn UUU GEmax

(2.32)

Datorit grosimii foarte mici a stratului izolator dintre gril i pastila

semiconductoare, tensiunile gril - emitor nu pot depi valoarea de
UGS(max) = 20V. Pentru deschiderea tranzistorului IGBT se recomand
tensiunea de comand standard de 15V. Aceast valoare asigur vehicularea
unui curent de colector de pn la 10 ori curentul nominal, fr ca
tranzistorul s intre n zona activ. Dup cum rezult din Fig.2.24a,
caracteristicile statice ale IGBT-ului prezint dou zone de funcionare
distincte:
- zona activ n care valoarea curentului prin tranzistor este controlat prin
intermediul variabilei de comand (uGE) i n care apar cderi importante de
tensiune pe dispozitiv;
- zona de saturaie n care tranzistorul este deschis n totalitate i cderea de
tensiune pe acesta (UCE(on)) este mic i uor dependent de curent.
Denumirea de zon de saturaie evideniaz faptul c procesul de conducie
n IGBT are un caracter bipolar, iar deschiderea profund a acestuia se
realizeaz att printr-o saturaie cu purttori de sarcin n regiunea de drift
(la fel ca la BJT) ct i prin inducerea unui canal conductor ce are un
comportament ohmic (la fel ca la MOSFET). ntr-un punct oarecare A de
funcionare stabil (Fig.2.24a), pierderile n conducie ale tranzistorului
IGBT sunt date de relaia:
Pon U CE sat I C .

(2.33)

n mod uzual, cderile de tensiune pe IGBT n starea de conducie sunt

UCE(sat) = (34)V. La IGBT-urile de recent fabricaie, aceast tensiune este
63

de 2V. Este important de remarcat c tranzistorul IGBT prezint un

coeficient de temperatur aproximativ neutru(fr modificri
semnificative
ale
UCE(sat)
odat
cu
creterea
temperaturii
semiconductorului). Din acest punct de vedere, IGBT-ul este foarte robust
la curenii de scurtcircuit (suport cureni de scurtcircuit timp de 7-10s,
fr a se distruge termic). Caracteristica real de blocare direct se
suprapune peste cea ideal deoarece curentul prin IGBT, n aceast stare,
este zero. Trecerea de pe caracteristica de blocare direct pe cea de conducie
se poate face n ambele sensuri prin comand. n acest sens, IGBT-ul se
apropie de comutatorul static ideal.
n Fig.2.24b se prezint aria de funcionare sigur (suprafaa de funcionare
permis) pentru cazul n care IGBT-ul lucreaz numai n polarizat direct
(FBSOA Forward Bias Safe Operating Area). Suprafaa haurat cuprins
ntre caracteristica de blocare, caracteristica de conducie i limitele impuse
de curentul maxim ICM, respectiv tensiunea de strpungere direct BVCE , este
aria de funcionare sigur corespunztoare unei funcionri continue a
tranzistorului IGBT. Dac tranzistorul funcioneaz n comutaie cu o
anumit frecven i cu o anumit durat relativ de conducie, aria sufer o
extensie odat cu mrirea frecvenei de lucru, n sensul artat de sgeata din
Fig.2.24b.

3. PROTECIA SISTEMELOR ELECTRONICE DE

PUTERE
3.1.

GENERALITI

n funcionarea sistemelor electronice de putere (SEP), datorit perturbaiilor

importante sau a unor funcionri neprevzute respectiv anormale, pot apare
situaii de avarie neprevzute. Apariia unor asemenea situaii ct i
nlturarea consecinelor acestora pot fi rezolvate cu ajutorul unor sisteme
performante de protecie care pot preveni cauzele apariiei avariilor n
funcionarea SEP i de asemenea pot evita defeciunile echipamentelor n
cazul n care nu au fost nlturate cauzele acestor defeciuni. n funcie de
locul i modul n care se manifest, se pot identifica urmtoarele categorii de
cauze ce determin defectarea SEP:

Cauze exterioare SEP

64

- perturbaiile aprute pe liniile de alimentare (supratensiuni, tensiuni

sczute, goluri de tensiune, etc.);
- supratensiuni datorate conectrii i deconectrii transformatoarelor ce
alimenteaz SEP;
- supracureni determinai de sarcinile convertoarelor electronice de putere.

Cauze interne ale SEP

- supratensiuni datorate comutaiilor dispozitivelor semiconductoare de
putere;
- pierderea capacitilor de blocare a elementelor de comutaie;
- comenzi greite sau comenzi false datorate funcionrii anormale a
circuitelor de comand sau inducerii acestora pe traseele semnalelor.

Defeciuni produse de supratemperaturi

Aceste defeciuni apar datorit supranclzirilor convertoarelor electronice
din cauze externe (variaii ale temperaturilor ambientale, ale umiditii,
polurii, etc.) i cauze interne (supranclziri ale componentelor electronice
de putere din cadrul convertoarelor electronice).
Elementele cele mai expuse i sensibile defeciunilor datorate cauzelor
anterior prezentate sunt comutatoarele statice din componena SEP. Msurile
de protecie, raportate la defeciunile dispozitivelor semiconductoare de
putere provenite din cauzele enumerate mai sus, se grupeaz n urmtoarele
categorii:
- protecia contra perturbaiilor de tensiune,
- protecia contra perturbaiilor de curent,
- protecia contra supratemperaturilor.
3.2. Msuri de protecie contra pertubaiilor de tensiune
Cele mai periculoase perturbaii de tensiune pentru dispozitivele
semiconductoare de putere sunt urmtoarele:
- creterea tensiunii pe dispozitiv peste limitele maxime de strpungere
direct i invers (parametrii de catalog) cazul supratensiunilor de durat;
- depirea vitezei maxime (du/dt)max de variaie a tensiunii la bornele
dispozitivului (parametru de catalog) cazul supratensiunilor de scurt
durat (de comutaie).
Prin depirea limitelor maxime de catalog, att pentru tensiunea direct,
ct i pentru tensiunea invers, dispozitivul i pierde capacitatea de blocare
i se strpunge. De fapt, ca urmare a pierderii capacitii de blocare, apar ci
de scurtcircuit n structura de for a SEP. Astfel, prin strpungere pot lua

65

natere cureni importani care distrug termic structura dispozitivului

semiconductor.
Prin creterea brusc a tensiunii la bornele dispozitivelor semiconductoare
de putere se poate induce deschiderea accidental a acestora. Acest fenomen
apare datorit faptului c n schema echivalent a dispozitivului apar
capaciti parazite prin care se nchid cureni de scpri pe durata variaiilor
tensiunii. Dac panta de cretere a tensiunii depete pragul indicat de
catalog (du/dt)max curentul de scpri atinge valori care determin
deschiderea necontrolat a dispozitivului. Astfel, pot apare cureni de
scurtcircuit care, n lipsa unor protecii eficiente, distrug toate dispozitivele
de pe calea de nchidere a curentului. Pentru prentmpinarea unor asemenea
situaii sunt utilizate dispozitive sau circuite speciale de protecie contra
perturbaiilor de tensiune. Circuitele de protecie la supratensiunile de
comutaie se numesc n literatura anglosaxon snubber-e. n funcie de
nivelul la care este realizat protecia, dispozitivele i schemele de protecie
sunt concepute pentru:
- protecia global a ntregului SEP contra perturbaiilor venite din exterior
(comutaii din alte circuite, interferene electromagnetice-lovituri de trznet).
n acest caz, proteciile sunt amplasate de obicei la intrarea SEP.
- protecia individual (la nivelul dispozitivului semiconductor de putere).
Pentru evitarea supratensiunilor de durat la intrarea SEP, cel mai utilizat
dispozitiv este descrctorul de tip varistor (MOV-Metal Oxide Varistor). n
cazul apariiei vrfurilor repetitive de tensiune cu frecven ridicat, se
utilizeaz protecii globale formate din circuite R-C montate att la intrarea
SEP (pe partea liniei de alimentare), ct i la ieirea SEP (pe partea sarcinii,
mai ales dac aceasta este o main electric), dup cum se poate observa
din Fig.3.1

pe partea liniei de alimentare

pe partea de sarcin

66

Fig. 3.1: Proteciile globale ale SEP.

Circuitele R1 C1 montate pe partea liniei de alimentare a SEP formeaz un
filtru trece-jos care va reteza vrfurile repetitive de tensiune aprute pe linie
i reciproc va proteja linia de propagarea unor perturbaii de tensiune
dinspre SEP spre reeaua de alimentare. n cataloagele de firm se fac
recomandri proiectanilor cu privire la dimensionarea acestor protecii prin
prezentarea unor formule empirice sau a unor algoritmi de calcul. Astfel,
pentru calculul capacitii C1 se recomand formula empiric:

C1

S T I 10 7

2
2
6 f U RRM
U max

unde

U max

F ,

(3.1)

2 U sT ,

(3.2)

UsT este tensiunea efectiv din secundarul transformatorului de pe

partea liniei de alimentare;
I [%] este curentul de magnetizare al transformatorului de pe partea
liniei de alimentare;
f este frecvena reelei de alimentare, n [Hz];
URRM este tensiunea invers repetitiv maxim a semiconductorului
(valoarea cea mai mic recomandat de catalog);
ST este puterea aparent a transformatorului de pe partea liniei de
alimentare, n [kVA].
Calculul rezistenei R1 se efectueaz cu urmtoarea relaie de calcul:

R1 2

LscT
C1

(3.3)

u k U sT2
este inductana de scurtcircuit
unde LscT
2 f 100 ST

(3.4)

a transformatorului de pe partea liniei de alimentare, n [H];

uk este tensiunea de scurtcircuit a transformatorului de pe partea
liniei de alimentare, n [%].
Protecia trebuie s verifice bilanul de putere potrivit cruia puterea disipat
este dat de energia nmagazinat n condesator sau de curentul limitat de
impedana grupului R1C1 n regim permanent. Prin dimensionarea
circuitului de protecie se urmrete ajungerea la un compromis ntre o
67

rejecie eficient a supratensiunilor de scurt durat i pierderile de putere

acceptabile la nivelul circuitului de protecie. n funcie de valoarea tensiunii
la care lucreaz circuitul R1 C1, valorile capacitii sunt cuprinse de obicei
n gama sute nF F, iar rezistena n gama zecisute.
n cazul proteciei R2 C2, rolul acesteia este acela de a proteja SEP de
perturbaiile de tensiune provenite dinspre sarcin. Calculul acestei protecii
se face considernd cunoscui parametrii sarcinei (de obicei rezistena i
inductana acesteia), pentru o perturbaie treapt a supratensiunii dinspre
sarcin spre SEP.
Protecia la supratensiuni de scurt durat eate implementat la nivelul
dispozitivelor semiconductoare din structura SEP. n acest caz, vrfurile de
tensiune apar n interiorul convertoarelor statice pe durata blocrii
dispozitivelor datorit energiilor acumulate n inductanele de pe ramurile
care comut, numindu-se supratensiuni de comutaie. Aceste supratensiuni
pot fi rejectate fie prin utilizarea unor circuite R-C, fie prin utilizarea unor
circuite de protecie mai complexe, n funcie de topologia schemei de for a
SEP. Prin utilizarea acestora se realizeaz i o protecie la panta de cretere a
tensiunii (du/dt) deoarece capacitile contribuie la atenuarea acestei pante la
bornele dispozitivului semiconductor. Spre exemplificarea acestui tip de
protecie, vom prezenta cazul unei celule de comutaie din Fig.3.2 care
alimenteaz o sarcin rezistiv-inductiv (Rsarcin Csarcin).
Schema include i inductana parazit L a legturii dintre sursa Ud i
elementul de comutaie T.

Fig 3.2: Protecia dispozitivului semiconductor la supratensiuni de scurt

durat.

68

Urmtoarele dou motive justific prezena grupului de protecie R-C n

schema de mai sus:
pentru evitarea supratensiunilor create de inductana parazit L
atunci cnd elementul semiconductor de comutaie T se blocheaz.
Pe durata blocrii acestuia, cutnd o cale de descrcare, energia acumulat
n cmpul inductanei L de curentul ie(t) genereaz o tensiune autoindus
ue(t) = L die/dt cu polaritatea din figur. n lipsa grupului R-C tensiunea
autoindus poate crete pn la strpungerea dispozitivului T. Prin prezena
circuitului R-C se creaz o ramur ocolitoare pentru curentul de descrcare,
aa dup cum rezult din Fig.3.2. Astfel, energia din cmpul inductanei L
va fi transferat n mare parte capacitii C, aceasta ncrcndu-se cu
polaritatea din figur.
pentru evitarea supratensiunilor create de inductana de sarcin
Lsarcin, dac dioda de descrcare Dd nu este suficient de rapid dup blocarea
dispozitivului semiconductor T. Astfel, pn la deschiderea diodei curentul
de sarcin ie(t) va putea circula tot prin circuitul R-C, ocolind dispozitivul T
deja blocat. Se recomand o dimensionare corect a diodei de descrcare Dd
n sensul deschiderii rapide a acesteia dup blocarea semiconductorului T.
Rolul rezistenei R din circuitul de protecie este acela de a disipa parial
energia descrcat din cmpul inductanelor i de a limita curentul
determinat de capacitatea C atunci cnd dispozitivul T se redeschide. Pentru
micorarea constantei de timp a circuitului R-C n scopul unei intervenii ct
mai rapide i totodat pentru evitarea unei creteri brute a tensiunii pe
dispozitiv se recomand ca rezistena R s fie ct mai mic. Din acest motiv,
la convertoarele statice necomandate (numai cu diode) cu comutaie
natural, circuitul de protecie poate fi format numai dintr-un condensator
conectat n paralel cu fiecare diod redresoare. Astfel se ajunge la protecia
individual a dispozitivelor semiconductoare, lucru prezentat n Fig.3.3
pentru diodele de putere (a), pentru tiristoare (b) i pentru dispozitivele
unidirecionale controlabile (c).

69

Fig. 3.3: Proteciile individuale ale dispozitivelor semiconductoare.

n ceea ce privete protecia individual a diodei de putere (Fig.3.3a), la
deschiderea acesteia, tensiunea pe condensator este zero i deci nu este
nevoie de limitarea curentului. n circuitele alimentate cu tensiuni alternative
(redresoare) protecia individual a tiristorului (Fig.3.3b), se realizeaz prin
conectarea grupului R-C n paralel cu tiristorul pentru eliminarea/atenuarea
supratensiunilor de comutaie. n circuitele de putere alimentate cu tensiuni
continue (Fig.3.2), circuitul de protecie individual pentru dispozitivele
unidirecionale controlabile (tranzistoare) este realizat ca n Fig.3.3c. n
acest caz se observ c dioda D unteaz rezistena R pe durata blocrii
tranzistorului T i permite nserierea acesteia n circuit doar la reintrarea n
conducie a lui T. Deoarece la tranzistoarele de putere MOSFET viteza de
ieire din conducie poate fi controlat cu ajutorul rezistenei de gril se pot
limita supratensiunile de comutaie prin ajustarea valorii acesteia. Aceast
soluie modern detemin eliminarea circuitelor de protecie.
3.3. Msuri de protecie contra perturbaiilor de curent
Protecia contra perturbaiilor de curent const n capacitatea de a ntrerupe
curentul de defect naintea avarierii dispozitivelor semiconductoare.
Deoarece semiconductoarele au o capacitate sczut la suprancrcarea n
curent, dispozitivele de protecie trebuie s acioneze ultrarapid, n scopul
unei protecii reale. Cele mai periculoase perturbaii de curent pentru
dispozitivele semiconductoare sunt urmtoarele:
- supracureni de suprasarcin i de scurtcircuit;
- depirea vitezei maxime de cretere a curentului (di/dt)max (parametru de
catalog) n regimul tranzitoriu de intrare n conducie.

70

Avnd n vedere c, datorit dimensiunilor mici ale dispozitivelor

semiconductoare, ineria termic a acestora este redus, pentru evitarea
nclzirii lor peste temperatura admisibil se impune limitarea pierderilor
totale care apar n timpul funcionrii. Dup cum s-a artat n rel. (2.6 i 2.7),
curentul care strbate dispozitivul semiconductor n stare de conducie este
variabila principal care influeneaz n mod direct mrimea pierderilor. Din
acest motiv cataloagele de dispozitive prevd un curent maxim n regim
stabilizat a crui mrime este precizat pentru un anumit semnal de comand
ce oblig semiconductorul s funcioneze n starea de conducie profund
(starea de saturaie) n care tensiunea pe dispozitiv este mic. Apariia
supracurenilor determin ieirea dispozitivului din zona de saturaie (ex:
zona ohmic la MOSFET) i trecerea lui pe caracteristica activ (fenomen de
desaturare) cu creterea brusc a tensiunii pe dispozitiv i implicit a
pierderilor n conducie. Din acest motiv dispozitivul se poate distruge
termic ntr-un timp foarte scurt. Atunci cnd viteza de cretere a curentului,
pe durata deschiderii dispozitivului de putere, depete valoarea
recomandat de catalog (di/dt)max , structura semiconductorului poate atinge
rapid temperaturi de topire. Fenomenul apare deoarece intrarea n conducie
are loc progresiv n urmtoarele dou etape:
- amorsarea conduciei care se produce axial, de-a lungul dispozitivului,
- extinderea conduciei pe direcie radial, transversal pe direcia curentului.
Dac viteza de cretere a curentului este mai mare dect viteza de extindere
a conduciei, densitatea de curent n interiorul canalului de conducie crete
atingnd valori ce determin topirea materialului semiconductor, fapt ce
determin pierderea calitilor de comutator static ale materialului.
3.3.1. Protecia la di/dt
n cazul dispozitivelor mai lente (tiristoarele din convertoarele statice cu
comutaie natural) protecia la di/dt se poate realiza cu ajutorul
inductanelor de limitare. Acestea sunt mici bobine montate n serie cu
fiecare dispozitiv, ale cror inductane proprii joac rolul de limitare. O
astfel de inductan de limitare este prezentat n Fig.3.2 sub forma lui L
care poate fi suficient pentru limitarea vitezei de cretere a curentului. Dac
totui aceast inductan nu este suficient, se va mai nseria cu aceasta fie o
inductan de limitarea distinct fie o rezisten, cu condiia ca acestea din
urm s fie nsoite de o diod de descrcare montat n paralel cu ele.
3.3.2. Protecia la supracureni

71

Acest tip de protecie se asigur n urmtoarele dou cazuri de supracureni:

a) curenii de suprasarcin,
b) curenii de scurtcircuit.
a) Protecia la curenii de suprasarcin
Curenii de suprasarcin sunt determinai exclusiv de receptorul (sarcina)
conectat la ieirea convertorului static. n acest caz, se prefer o protecie
global la nivelul ntregului sistem prin monitorizarea curentului cerut de
receptor (sarcin). Informaiile cu privire la valoarea acestui curent sunt
furnizate cu ajutorul urmtoarelor echipamente:
- traductoarele de curent cu sonde Hall, ce asigur rapiditate, liniaritate i o
bun separare galvanic;
- unturile rezistive intercalate pe traseul curentului de sarcin (prin
receptor). n ciuda simplitii, aceast variant este pretenioas, deoarece
unturile trebuie s fie n totalitate neinductive i s prezinte rezistene
calibrate de valori foarte mici (de ordinul 0,010,1) pentru a nu produce
pierderi mari atunci cnd sunt parcurse de curentul de sarcin. n plus,
datorit valorilor mici ale rezistenelor unturilor (Low Voltage ResistanceLVR), cderile de tensiuni pe acestea trebuie amplificate i filtrate.
n ceea ce privete protecia la curenii de suprasarcin, dac semnalul de
reacie dup curentul de sarcin este disponibil, se pot implementa
urmtoarele dou variante:

o variant strict limitativ n care semnalul de reacie (proporional cu

curentul de suprasarcin) este comparat cu un semnal de referin. n acest
caz, dac semnalul ce reprezint curentul de suprasarcin depete un
curent de referin, convertorul static este blocat.

o variant cu regulator de curent inclus ntr-o bucl de reglare,

interioar convertorului electronic de putere.
b) Protecia la curenii de scurtcircuit
Aceast protecie este realizat n primul rnd prin schemele de protecie la
suprasarcin dac traseul curentului de scurtcircuit le strbate i sunt destul
de rapide. Pot apare ns i scurtcircuite interne care ocolesc circuitele de
protecie la suprasarcin, dar care includ dispozitive semiconductoare de
putere. n acest caz, n practic, se prefer o protecie individual a fiecrui
dispozitiv. Metodele cele mai utilizate pentru protecia individual a
dispozitivelor semiconductoare de puterecontra curenilor de scurtcircuit
sunt:

72


utilizarea siguranelor ultrarapide nseriate cu fiecare dispozitiv se
utilizeaz pn la cureni de 1000A. La cureni 1kA se utilizeaz
ntreruptoare ultrarapide (cu timpi de declanare de 15ms), scurtcircuitoare
(tip crowbar) i cartueexplozive (Ferraz). Cele mai utilizate dispozitive de
protecie sunt siguranele fuzibile ultrarapide care, pentru o protecie
eficient, trebuie s ndeplineasc urmtoarele condiii:
- fuzibilul (Fig.3.4) trebuie s suporte n mod permanent curentul nominal al
semiconductorului;

Fig. 3.4: Elementele fuzibilului siguranei ultrarapide.

- capacitatea termic nmagazinat a fuzibilului trebuie s fie mai mic dect
cea a semiconductorului, adic (I2t)siguran < (I2t)semiconductor;
- tensiunea de arc electric a fuzibilului trebuie s fie suficient de mare pentru
a tia curentul din circuit i a asigura disiparea energiei acestuia;
- caracteristicile de lucru ale proteciei sunt prezentate n Fig.3.5:

a)
b)
Fig. 3.5: Caracteristicile de lucru ale proteciei cu sigurane fuzibile
a) caracteristica siguranei, b) caracteristica limit.
73

Sigurana fuzibil asigur protecia individual dispozitivului semiconductor

din circuit n timpul ts de stingere al arcului electric (suma dintre timpul tt de
topire a fuzibilului i timpul ta al arcului electric) cu respectarea condiiei Il
(curentul limit al siguranei) < Isc (curentul de scurtcircuit).
- ( Il )siguran < ( IRMS )semiconductor ;
- ( Uarc max )siguran < ( URRM )semiconductor .
Siguranele fuzibile se utilizeaz i la protecia global a convertoarelor
statice, fiind plasate pe fiecare faz a reelei de alimentare a convertorului.

utilizarea schemelor individuale de protecie incluse n circuitele de

comand ale dispozitivelor semiconductoare
Schemele de protecie individual se bazeaz pe monitorizarea tensiunii de
pe dispozitivele semiconductoare de putere n intervalul n care acestea se
afl n conducie. Dac dispozitivele sunt de tip tranzistor (BJT, MOSFET,
IGBT) este foarte rspndit circuitul de protecie bazat pe fenomenul
desaturrii numindu-se protecie de tip DESAT. O asemenea schem este
prezentat n Fig.3.6a.

Fig. 3.6: Protecia de tip DESAT, a) schema de principiu, b) caracteristicile

statice ale tranzistorului T.
Conform Fig.3.6b, caracteristicile statice curent-tensiune (iT = f (uT)) pentru
tranzistorul T, indiferent de tipul acestuia i de variabila de comand
(tensiune sau curent), au forme apropiate. Astfel, odat cu mrirea
amplitudinii semnalului de comand (Fig.3.6b-caracteristicile 1,2,3,4),
tranzistorul poate prelua cureni din ce n ce mai mari fr ca punctul de
funcionare s prsesc dreapta de saturaie. Se consider situaia n care

74

amplitudinea semnalului de comand fixeaz caracteristica static n punctul

de funcionare A n timp ce prin elementul de comutaie circul curentul de
regim stabilizat IT. n acest caz punctul de funcionare A se afl pe dreapta
de saturaie determinnd pe dispozitivul semiconductor o cdere mic de
tensiune (UT)sat. Dac, dintr-un motiv oarecare, curentul iT ncepe s creasc,
punctul de funcionare se deplaseaz pe caracteristica (3) n poziia B. La un
moment dat, punctul de funcionare prsete dreapta de saturaie i intr pe
caracteristica activ unde tranzistorul se comport ca o rezisten variabil.
Se observ c, pentru creterea curentului de la valoarea IT la valoarea IT ',
punctul de funcionare se deplaseaz n poziia B unde avem tensiunea UT ',
de valoare mult mai mare. Conform Fig.3.6a, dac tensiunea pe tranzistor
UT ', depete valoarea de prag considerat n schem drept valoare de
referin (Uref), comparatorul COMP basculeaz, determinnd blocarea
tranzistorului T prin intermediul circuitului de comand DRIVER. De multe
ori driver-ul este astfel conceput nct, n situaii de scurtcircuit, s recurg
la o blocare mai lent a dispozitivului, deoarece, n cazul unor blocri rapide,
pantele abrupte ale curenilor mari pot induce tensiuni de comutaie
importante ce ar putea strpunge tranzistorul. Rolul circuitului R-C este
acela de a filtra semnalul de tensiune cules de pe tranzistor i de a rejecta n
acest fel eventualele semnale false care pot conduce la blocarea
tranzistorului. Prin adugarea unui circuit de protecie la driver, acesta
capt o funcie de protecie pe care o exercit local, blocnd imediat
dispozitivul comandat (tranzistorul T). De asemenea, un semnal logic
(Avarie, Fault) este transmis n sens invers pentru a semnaliza acest fapt
(blocarea lui T).
3.3.3. Protecia la supratemperaturi
Datorit pierderilor n conducie i n comutaie dispozitivele
semiconductoare se nclzesc. Cldura acumulat astfel trebuie transferat
mediului nconjurtor pentru a se menine temperatura jonciunii
semiconductorului (Tj) sub valoarea limit admis (indicat n cataloage).
Pentru mbuntirea transferului de cldur, n sensul micorrii pirderilor
capsul-mediu ambiant, se utilizeaz radiatoarele. Pastila semiconductoare
este amplasat ntr-o capsul metalic, iar aceasta este fixat pe un radiator
(pies metalic confecionat din aluminiu care ajut la rcirea capsulei
metalice n care este amplasat pastila semiconductoare). Radiatorul asigur
un bun transfer de cldur dinspre capsula metalic i mediul ambiant, prin
conducie, convecie i radiaie. Circuitul de transfer al puterii termice medii,

75

n regim permanent este indicat n Fig.3.7 i este caracterizat matematic prin

urmtoarea ecuaie:

Fig. 3.7: Circuitul de transfer al puterii termice.

T j PA Rthj c Rthc r Rthr a ,

(3.5)

unde Tj este temperatura jonciunii pastilei semiconductoare, [oC],

Tc este temperatura capsulei metalice, [oC],
TR este temperatura radiatorului, [oC],
Tj este temperatura mediului ambiant, [oC],
PA este puterea termic rezultat din pierderile medii n
semiconductor, [W],
Rthj-c este rezistena termic jonciune-capsul, [oC/W],
Rthc-r este rezistena termic capsul-radiator, [oC/W],
Rthr-a este rezistena termic capsul-mediu ambiant, [oC/W].
Puterea termic (PA) este indicat n cataloagele de firm sau poate fi
calculat cu expresia:
PA Pconductie Pblocare Pcomutatie Pcomanda .

(3.6)

Aceast putere termic rezult ca sum dintre pierderile medii de conducie,

blocare, comutaie i comand. n funcie de puterea termic i de cele trei
rezistene termice indicate n cataloagele de firme, se determin elementul de
rcire denumit radiator i se stabilete metoda de rcire (natural sau forat)
astfel nct s nu fie depit temperatura mediului ambiant. Radiatoarele
sunt confecionate din aluminiu i sunt prevzute cu aripioare pentru mrirea
suprafeei de rcire. Rcirea forat este asigurat, de obicei, cu ajutorul unui
ventilator montat suplimentar n zona ansamblului capsul-radiator. n
ultimii ani, un progres evident n domeniul rcirii componentelor
semiconductoare de putere, l reprezint tuburile termice. Acestea sunt
dispozitive de rcire care realizeaz un transfer eficient de cldur prin
mbinarea ntr-un ciclu nchis de funcionare a fenomenelor de vaporizare,
transport de vapori, condensare i returnare condens ale unui fluid de lucru.
76

Deci tubul termic realizeaz transferul de cldur utiliznd transformrile de

faz ale fluidului de rcire (freon, amoniac, metanol, ap). n conformitate
cu Fig.3.8, constructiv, tubul termic este realizat dintr-o eav nchis etan
ai crei perei interiori sunt cptuii cu un material ce prezint o structur
capilar.

Fig. 3.8: Tubul termic a) construcia, b) ciclul de funcionare.

La captul dinspre sursa de cldur (dispozitivul semiconductor de putere)
are loc vaporizarea fluidului de rcire ce absoarbe cldura. Datorit
diferenei dinamice de presiune, vaporii se ndreapt ctre cellalt capt,
rece, unde se condenseaz. Fluidul revine n zona cald prin fenomenul de
capilaritate. Fa de radiatorul clasic, tubul termic prezint urmtoarele
avantaje:
- capacitatea sporit de transfer al cldurii;
- funcionarea izoterm (diferena de temperatur intrare-ieire este practic
nul);
- uniformizarea temperaturii de funcionare pentru toate semiconductoarele
plasate n acelai tub termic;
- izolare electric (dac tubul i fluidul sunt construite i alese
corespunztor);
- gabarit redus.
Pentru puteri foarte mari (MW), se recurge la o soluie modular, n care
tuburile termice sunt grupate mpreun cu dispozitivele semiconductoare.

77

4. CONVERSIA STATIC ALTERNATIV-CONTINUU

A ENERGIEI ELECTRICE
4.1.

PRINCIPIILE CONVERSIEI ALTERNATIV-CONTINUU

(REDRESAREA)

Procesul prin care unda de tensiune alternativ a energiei electrice este

transformat ntr-o und de tensiune continu sau ntr-o und pulsatorie
cu o component continu poart numele de redresare.
n Fig.4.1 este prezentat cea mai simpl structur de redresor comandat ce
realizeaz conversia alternativ-continuu. Circuitul include tiristorul Th cu
terminalele anod (A) catod (K) polarizate direct de la sursa us de c.a. ce
alimenteaz sarcina de c.c. care, n exemplul considerat, este rezistiv (R,
Fig.4.1a) i rezistiv-inductiv (R-L, Fig.4.1b). n acest caz, tiristorul este
asimilat unui ntreruptor unidirecional ideal la care momentul amorsrii
(intrrii m conducie) este dat de aplicarea unui impuls scurt de comand pe
grila G de blocul specializat denumit circuit de comand pe gril (CCG).
Odat intrat n conducie, tiristorul i menine aceast stare atta timp ct
este pstrat polarizarea direct a acestuia (+ pe anod i pe catod).
Blocarea tiristorului, materializat prin ntreruperea curentului n acesta, nu
poate fi indus prin terminalul de comand.

78

Fig. 4.1: Principiul conversiei c.a. c.c. (redresarea).

4.1.1. Comanda n faz a tiristoarelor
Din Fig. 4.1a,b, analiznd polaritile sursei us, se constat c fenomenul de
conducie a tiristorului are loc doar pe intervalele de timp ale
semialternanelor pozitive (polaritatea fr paranteze reprezentat n figur).
Dac n locul tiristorului, s-ar utiliza o diod, intrarea n conducie a acesteia
s-ar produce natural la nceputul fiecrui interval de timp n care aceasta este
polarizat direct, adic n punctele P din Fig.4.1c,d. denumite i puncte de
comutaie natural (punctele de zero n care tensiunea sursei us trece n
alternana pozitiv).
79

Definiie: punctele de comutaie natural marcheaz momentele dup care

dispozitivele din structura convertoarelor alimentate cu tensiuni alternative
sunt polarizate direct, fiind ntunite condiiile de intrare n conducie.
Tiristoarele pot fi comandate pentru a intra n conducie chiar n punctele
de comutaie natural (cazul comutaiei naturale identic cu cel al diodelor de
putere) i cu o anumit ntrziere fa de punctele de comutaie natural.
Definiie: unghiul de comand, notat de obicei cu , reprezint ntrzierile
exprimate n grade electrice fa de punctele de comutaie natural, n care
tiristorul este comandat pentru a fi amorsat.
Pentru ca CCG s poat comanda convertorul cu unghiul , acesta trebuie s
fie sincronizat cu punctele de comutaie natural. n acest sens, funcia de
sincronizare, este implementat cu ajutorul unui semnal sincronizat cu
tensiunea sursei us, prin intermediul unui transformator de sincronizare.
Valoarea unghiului este impus de tensiunea de comand Uc-d a CCG care
la rndul lui realizeaz conversia tensiune de comand-unghi de comand cu
ajutorul funciei de conversie tensiune-timp. Pe lng funciile enumerate,
CCG include i ale funcii cum ar fi: funcii de separare galvanic i funcii
de protecie (mpotriva situaiilor de avarie).
Definiie: se numete comand n faz a tiristorului modalitatea de
sincronizare ntre unghiul de comand reglabil i tensiunea de comand
Uc-d a CCG .
4.1.2. Regimul de redresor i invertor
Se consider cazul redresorului monofazat monoalternan comandat cu
sarcin pur rezistiv (Fig. 4.1a,c). Pentru simplitatea analizei, considerm
tiristorul comandat cu unghiul <90 o, ca fiind un dispozitiv ideal ce comut
n timpi infinit mici i are cderea de tensiune la borne n starea de conducie
egal cu zero. Se observ c, pe intervalul n care tiristorul Th este blocat,
curentul prin acesta este zero i tensiunea de ieire ud (la bornele rezistenei
R) este de asemenea zero. Practic, n starea de blocare, tiristorul prezint o
impedan considerat infinit, prelund toat tensiunea de alimentare us. n
momentul n care tiristorul este comandat pentru deschidere (primete
impulsul de comand), acesta intr n conducie i la ieirea convertorului
vom regsi tensiune redresat ud egal n amplitudine cu tensiunea de
alimentare us. Deoarece sarcina redresorului este pur rezistiv, formele de
und ale mrimilor ud i id sunt aproximativ identice (Fig.4.1c), diferind n
amplitudine. n momentul n care tensiunea de alimentare us trece prin zero
intrnd n semialternana negativ (unghiul electric ), curentul prin tiristor
(id) devine zero. Dup acest moment, sunt ntrunite condiiile de polarizare
80

invers (la valoarea semialternanei negative a tensiunii us) tiristorul fiind

blocat un timp denumit timp de blocare (parametru de catalog). n tot acest
timp, curentul prin tiristor este zero, iar tensiunea de blocare preia ntreaga
alternan negativ a tensiunii us i o parte din semialternana pozitiv pn
n momentul apariiei impulsului de comand din urmtoarea perioad T a
tensiunii alternative. Astfel, la bornele sarcinii R (Fig.4.1c), n funcie de
unghiul de comand , expresia tensiunii ud la bornele sarcinii este
urmtoarea:

0 pentru 0t

ud 2Us sint pentru t

0 pentru t2

(4.1)

Pentru schema redresorului din Fig. 4.1a, pulsurile tensiunii ud (Fig.4.1c) se

repet cu perioada tensiunii alternative T = 1/f. Deoarece pulsurile acestei
tensiuni nu sunt alternative n jurul abscisei t, rezult c tensiunea ud
conine o component continu Ud a crei valoare a crei valoare medie
este:
U d

1
T

u d t dt .

(4.2)

Integrala din rel.(4.2) se face pe intervalul 0 T = 2, pe urmtoarele

intervale 0 , i 2 , cu ajutorul schimbrii de variabil x = t,
astfel (Fig.4.1c):

2
1 2
1
u d t dt
0 dx 2 U s sin x dx 0 dx

2 0
2 0
2 U s
2 U s

cos x
1 cos 0 , pentru 0 .
2
2

U d

(4.3)

Din rel. (4.3) rezult clar, c tensiunea medie Ud la ieirea redresorului

poate fi modificat prin intermediul unghiului de comand, fiind egal
cu aria A (Fig.4.1c). Din figur se observ c pe intervalul [,] n care
81

tiristorul conduce, att tensiunea ud(t) ct i curentul id(t) = ud(t)/R au valori

pozitive. Astfel, puterea instantanee pe partea de c.c. este dat de relaia

p d t u d t id t 0 ,

(4.4)

fiind pozitiv pe tot intervalul.

Valoarea pozitiv are semnifcaia unei puteri consumate de receptorul de
c.c. n orice moment din intervalul [,]. Se afirm c redresorul comandat
funcioneaz n regim instantaneu de redresor deoarece puterea electric
instantanee circul din partea de c.a. spre partea de c.c. Dac Id > 0 este
curentul mediu absorbit de sarcina R, valoarea medie a puterii consumate
este dat de relaia

Pd U d t I d 0 ,

(4.5)

fiind de asemenea pozitiv. Se poate afirma c, n mod global convertorul

transfer putere electric de la partea de c.a. spre partea de c.c., funcionnd
n regim global de redresor.
Se consider cazul redresorului monofazat monoalternan comandat cu
sarcin rezistiv-inductiv (Fig. 4.1b,d). Inductana L introduce efectul de
filtrare a curentului id, caz n care forma de und a acestuia nu va mai urmri
unda tensiunii ud , (Fig.4.1b,d). Cnd tiristorul se afl n conducie (uTh 0),
expresia matematic a curentului id, rezult din rezolvarea ecuaiei
difereniale a circuitului R,L scris n regim tranzitoriu dup momentul t =
, astfel:
R id L

did
u s 2 U s sin t .
dt

(4.6)

Soluia acestei ecuaii difereniale este suma a dou componente

i d t i dl i df ,

(4.7)

t /
- componenta regimului liber idl K e
ce rezult din rezolvarea ecuaiei
di
omogene R id L d 0 ;
dt

- componenta regimului forat

i df

2 U s
R L
2

funcioneaz n regim permanent sinusoidal.

82

sin t ,

cnd circuitul

Conform rel. (4.7), expresia curentului continuu prin sarcina R,L este:
id t idl i df K e t /

2 U s
R L
2

sin t ,

(4.8)

unde K este constanta de integrare rezultat din condiiile iniiale t = ,

id (t) = 0;
= L/R este constanta de timp a circuitului R,L;
= arctg (L/R) este defazajul introdus de inductana L.
Aa dup cum se observ din Fig.4.1d, circulaia curentului id se va prelungi
un interval de timp i dup momentul n care tensiunea us trece prin zero
spre valori negative. Rezult deci c tiristorul conduce un interval i n
alternana negativ, ceea ce nseamn c apare un puls de tensiune negativ
i pe sarcina de c.c., implicit n forma de und a tensiunii ud. Din figur se
observ c intervalul de conducie al tiristorului se mparte n urmtoarele
dou intervale:
1.

u d t 0
pd t ud t id t 0 , intervalul
id t 0

n care puterea instantanee din

partea de c.c. (sarcina R,L) este pozitiv, ceea ce nseamn c puterea

electric este vehiculat de convertor de la sursa de c.a. spre sarcina de c.c.,
acesta funcionnd n regim instantaneu de redresor. Energia este
transformat n cldur pe rezistena R i acumulat n cmpul
electromagnetic al inductanei L.

2.

ud t 0
pd t ud t id t 0
id t 0

, intervalul n care puterea instantanee din

partea de c.c. (sarcina R,L) este negativ, ceea ce nseamn c puterea

electric este vehiculat de convertor de la sarcina de c.c. spre sursa de c.a.,
acesta funcionnd n regim instantaneu de invertor. n acest caz, energia
electric vehiculat invers n regimul de invertor este cedat de inductana L
a sarcinii (din partea de c.c.) odat cu inversarea polaritii tensiunii de la
bornele bobinei uL(t) = L (did(t)/dt), conform Fig.4.1b (polaritatea din

83

paranteze). n acest caz, panta curentului este negativ, did(t)/dt < 0,

inductana L devenind o surs care ncearc prin polaritatea tensiunii
autoinduse s se opun scderii curentului id. Valoarea tensiunii autoinduse
(uL(t)) este dictat de valoarea tensiunii de alimentare us i de valoarea
curentului id (prin cderea de tensiune pe rezistena R), astfel nct s fie
respectat ecuaia lui Kirchhoff, scris pentru bucla de circuit din Fig.4.1b,
astfel:
u s t u R t u L t R id t u L t , u L t u s t R id t .

(4.9)

Pn la momentul t = energia cedat de inductana L este preluat doar

de rezistena R de sarcin. Dup acest moment, cnd tensiunea us < 0 ,
puterea sursei ps(t) = us(t)id(t) < 0 devine i ea negativ, ceea ce fizic
nseamn c sursa primete energie de la inductan. Din Fig.4.1d, se
observ c pe durata pulsurilor negative ale tensiunii ud , curentul id este
pozitiv datorit polarizrii directe impus de tensiunea autoindus uL. Pn la
cedarea ntregii energii de ctre inductan, n circuit tiristorul este meninut
n conducie de tensiunea uTh t u s t u R t u L t > 0. n momentul n care
energia din cmpul inductanei s-a epuizat, curentul prin aceasta i implicit
prin tiristor se anuleaz. Astfel, tensiunea autoindus uL dispare fapt ce
determin polarizarea invers a tiristorului de ctre tensiunea us. n acest fel,
sunt ndeplinite condiiile de blocare natural a tiristorului cu un aport de
energie reactiv de comutaie de la sursa de alimentare n c.a. Tensiunea
medie la ieirea redresorului (Ud ) este mai mic dect n cazul redresorului
cu sarcina pur rezistiv (Ud < Ud, Fig.4.1c,d) deoarece integrala valorii
medii din rel.(4.2) este echivalent cu suma algebric a ariilor A + B, aria B
fiind negativ. Modulul ariei B i implicit valoarea medie a tensiunii de la
ieirea redresorului (Ud ) depind att de unghiul de comand ct i de
curentul de sarcin Id , astfel:
Ud = f (, Id ).

(4.10)

Conform rel.(4.10) se poate considera convertorul ca fiind necontrolabil

deoarece tensiunea lui de ieire nu poate fi impus exclusiv prin unghiul de
comand, depinznd i de o variabil aleatoare cum este curentul de sarcin.
Este, n general, cazul tuturor convertoarelor la care curentul de ieire (de
sarcin) se ntrerupe pe anumite intervale funcionnd n regim de curent
ntrerupt (curent discontinuu sau intermitent), conform Fig.4.1c,d. n
Fig.4.2, aria A notat cu + reprezint puterea absorbit de la reea, iar aria B
reprezint puterea cedat reelei.
84

Fig. 4.2: Caracteristicile i unghiurile semnificative ale redresorului

monofazat monoalternan comandat (-unghi de comand, -unghi de
stingere (blocare), -unghi de conducie).
Dac durata conduciei pe semialternanele negative devine mai mare dect
durata conduciei pe semialternanele pozitive (|Aria B| > Aria A), tensiunea
medie la ieirea convertorului devine negativ, adic Ud < 0.
n aceast situaie puterea medie la ieirea redresorului devine la rndul ei
negativ (Pd = UdId < 0), ceea ce este echivalent cu un transfer global de
putere de la partea de c.c. la partea de c.a. Astfel, redresorul comandat
funcioneaz n regim global de invertor. Regimul global de invertor, numit
n practic mai simplu regim de invertor al redresorului comandatpoate fi
obinut n urmtoarele condiii:
- unghiul de comand trebuie s fie > 90o electrice sau > /2. Teoretic
acest unghi poate fi reglat pn la valoarea de 180o electrice, adic . n mod
real, afirmaiile de mai sus pot fi transpuse matematic n relaia:

L
2

(4.11)

unde L este unghiul limit pn la care se poate regla unghiul de comand .

Pentru calculul unghiului limit L se consider cazul n care, n locul
sarcinii R,L a redresorului, avem o sarcin activ R,L,E ce este reprezentat
n Fig.4.3. De fapt, sarcina activ reprezint un motor de c.c. avnd o
tensiune contraelectromotoare E.

85

Fig. 4.3: Redresorul cu sarcin activ.

Unghiul limit L poate fi calculat cu ajutorul relaiei:
L 2

2
E
arcsin
,
m
2 U s

(4.12)

unde m este numrul de faze al redresorului,

E este tensiunea contraelectromotoare a sarcinii de c.c.,
Us este valoarea efectiv a tensiunii de alimentare a redresorului,
este unghiul de blocare (stingere) al tiristorului.
- n regim de invertor, redresorul nu poate funciona fr reeaua de c.a.
(regim de invertor neautonom condus de la reea);
- sarcina de c.c. conine o surs proprie de energie (sarcin activ) de la care
s fie preluat energia transferat spre partea de c.a. (Fig.4.3);
- funcionarea n regim de invertor este posibil numai pentru redresoarele
complet comandate (numai n acest caz se poate asigura legtura cu reeaua
pentru tensiuni negative i n regimul de curent ntrerupt cu evitarea
scurtcircuitelor).
Sinteza funcionrii redresorului n regim de invertor este dat n Fig.4.4.

86

Fig. 4.4: Sinteza funcionrii redresorului n regim de invertor.

Mrimile redresate (continue) Ud, Id, pot fi pozitive i negative pentru
ambele variabile, deci se poate vorbi de cele 4 cadrane ale planului Ud - Id,
unde este pus n eviden puterea electric de la ieirea convertorului: Pd =
= Ud Id. Dac sarcina conectat la ieirea unui convertor static de putere
consum o putere electric, convertorul are rolul unei surse. Conform
conveniei de semne, atunci cnd sursele i ndeplinesc rolul, furniznd
energie, sunt caracterizate de o putere pozitiv (Pd > 0), convertorul fcnd
conversia alternativ-continuu i funcionnd n regim de redresor. Acest
regim de funcionare se obine n cadranul 1, cnd tensiunea Ud i curentul
Id sunt pozitive, respectiv n cadranul 3, atunci cnd ambele variabile sunt
negative. Dac la redresor se conecteaz o sarcin activ (Fig.4.3) care
cedeaz putere i redresorul are capacitatea de a o recupera transfernd-o n
sens invers spre partea de c.a., putem scrie Pd < 0. n acest caz, redresorul
funcioneaz n regim de invertor, fcnd conversia c.c.- c.a. Acest regim se
obine n cadranul 2 (cnd este inversat curentul Id ) i n cadranul 4 ( cnd
tensiunea Ud i schimb polaritatea). Din aceste puncte de vedere putem
spune c proprietile convertorului sunt urmtoarele :
- bidirecionalitatea care indic posibilitatea schimbrii sensului de
circulaie a curentului;
- reversibilitatea care indic posibilitatea schimbrii polaritii tensiunii.
Un convertor caracterizat de cele dou proprieti anterioare poate funciona
n 2, respectiv 4 cadrane.
4.2.

MRIMILE SPECIFICE REDRESOARELOR

Pentru tratarea simultan acelor dou variabile tensiunea i curentul, se

introduce funcia de timp f(t) periodic i nesinusoidal. n scopul aprecierii
calitii undelor celor dou variabile de definesc urmtoarele mrimi:
4.2.1. Valoarea medie
Se definete pentru funcia periodic f(t), ntr-o perioad T, cu ajutorul
relaiei:
F0

1
T

t 0 T

t0

f t dt ,

(4.13)

87

unde F0 este componenta continu din forma de und a funciei f(t);

t0 este momentul de timp ales arbitrar pe decursul existenei funciei
f(t). Pentru simplificare se alege t0 = 0.
Un exemplu de calcul al valorii medii pentru tensiunea redresat este dat n
rel. (4.2, 4.3).
4.2.2. Valoarea efectiv
Se calculeaz cu formula valorii medii ptratice (RMS Root Mean
Square), astfel:
F

1
T

t 0 T

t0

t dt .

(4.14)

ntre valoarea efectiv a semnalului periodic nesinusoidal, valoarea medie a

acestuia i valorile efective ale armonicilor exist relaia:
F

F02 Fh2

(4.15)

h 1

Dac unda periodic nu conine o component continu (F0 = 0), atunci

valoarea efectiv a semnalului periodic nesinusoidal rezult prin contribuia
armonicii fundamentale i a armonicilor superioare:
F

F
h 1

2
h

F12 Fh2

(4.16)

h2

n lipsa armonicilor superioare, valoarea efectiv a funciei periodice se

suprapune peste valoarea efectiv a armonicii fundamentale. n acest caz
avem de-a face cu o form de und pur sinusoidal sau pur armonic.
4.2.3. Reziduul deformant
Pentru o funcie periodic nesinusoidal, reziduul deformant este dat de
valoarea efectiv a reziduului dup ndeprtarea armonicii fundamentale din
forma de und sau de valoarea efectiv a armonicilor superioare dac
lipsete componenta continu:
Freziduu

F 2 F12

F .
h2

(4.17)

2
h

88

4.2.4. Coeficienii de distorsiune armonic

Se definesc urmtorii coeficieni de distorsiune armonic:
1. Coeficientul definit de raportul dintre reziduul deformant (Freziduu) i
valoarea efectiva undei (F) este definit de relaia:
Freziduu
.
F
(4.18)
kd

Acest coeficient se poate defini i n condiiile n care componenta continu

din valoarea efectiv a undei periodice nu mai este luat n considerare, cu
ajutorul relaiei:
Freziduu

k d'

F 2 F02

(4.19)

2. Coeficientul total de distorsiune armonic notat cu THD (Total

Harmonic Distorsion) i definit drept raportul dintre reziduul deformant
(Freziduu) i valoarea efectiv a armonicii fundamentale (F1) cu ajutorul
relaiei:
THD

Freziduu
.
F1

(4.20)

Deoarece acest coeficient raporteaz n mod direct armonicile superioare la

armonica fundamental, el poate fi exprimat i n procente cu relaia:
THD

Freziduu
100 [%]
F1

(4.21)

Pentru o und periodic i nesinusoidal cu componenta continu nul

(F0 =0), legtura dintre cei doi coeficieni se poate calcula astfel:
kd

Freziduu

Freziduu
2
F12 Freziduu

Freziduu / F1
1 Freziduu / F1

89

THD
1 THD 2

(4.22)

Exist i situaia n care dou unde cu aceeai compoziie armonic i avnd

aceeai coeficieni de distorsiune pot avea forme diferite n funcie de
defazajele armonicilor componente n raport cu armonica fundamental. Din
acest punct de vedere coeficienii de distorsiune nu sunt singurii indicatori ai
regimului deformant.
4.2.5. Coeficientul de form
Se definete ca fiind raportul dintre valoarea efectiv a undei periodice
nesinusoidale (F) i valoarea medie a acesteia la jumtate de perioad
(F0(T/2)), cu ajutorul relaiei:
kf

F
F0 T / 2

(4.23)

Acest coeficient contribuie la aprecierea mrimii componentei alternative

care se suprapune peste componenta continu. n cazul redresoarelor, cu
ajutorul acestui coeficient, poate fi evaluat mrimea pulsurilor nainte i
dup filtrele utilizate la ieire.
Pentru o und pur sinusoidal valoarea medie la jumtate de perioad se
calculeaz cu relaia:
F0 T / 2

T /2

T /2

2 F sin t dt

2 2
F .

(4.24)

n acest caz, coeficientul de form este:

kf

F
F0 T / 2

F
1,11 .
2 2F

(4.25)

4.2.6. Coeficientul de vrf (de creast)

Se definete ca raportul ntre valoarea maxim (amplitudinea) a undei
nesinusoidale i periodice (Fmax) i valoarea efectiv a funciei, cu ajutorul
relaiei:
Fmax
.
F
(4.26)
k

Pentru o und sinusoidal, coeficientul de vrf are valoarea:

90

Fmax
.
F

Cnd

2F
2.
F

(4.27)

k 2 forma undei este turtit, iar pentru k

2 forma de und este

ascuit. Analiza i estimarea corect a coeficientului de form al undelor de

tensiune i curent are o importan deosebit n analiza solicitrilor electrice
ale dispozitivelor semiconductoare, ale filtrelor (capacitive i inductive) , ale
izolaiilor mainilor electrice, ale aparatelor electrice i ale echipamentelor
alimentate de la convertoare. Coeficientul de vrf are valori puternic
dependente de defazajul componentelor armonice.
4.2.7. Nivelul armonicilor
Pentru aprecierea nivelului unei anumite armonici h se utilizeaz o mrime
relativ, exprimat n procente, care apreciaz amplitudinea acestei armonici
(Fh) n raport cu amplitudinea armonicii fundamentale (F1):
Fh
100 [%]
F1
(4.28)

4.2.8. Puterile electrice pentru redresoare

Pentru enunarea i enumerarea puterilor electrice definite pentru redresoare,
va fi considerat varianta cea mai simpl a unui convertor monofazat. n
cazul cel mai simplu, undele tensiunii reelei i curentului absorbit de
convertor sunt poluate armonic i au urmtoarele expresii:

u t U 0 2 U h sin h t h ,
h 1

(4.29)

i t I 0 2 I h sin h t h ,
h 1

unde Uh i Ih sunt valorile efective ale armonicilor de ordin h de tensiune,

respectiv curent,
U0 i I0 componentele continue ale undelor,
h i h sunt fazele armonicilor de ordin h.

91

4.2.8.1. Puterea instantanee

Puterea instantanee p(t) se definete ca produsul ntre valorile instantanee ale
tensiunii i curentului la momentul de timp t, conform relaiei:
p t u t i t ,

(4.30)

cu urmtoarele precizri
- dac p(t) > 0, sensul de circulaie al energiei este de la surs ctre redresor
- dac p(t) < 0, sensul de circulaie al energiei este de la redresor ctre
surs.
4.2.8.2. Putera activ
Puterea activ se definete ca valoare medie a puterii instantanee ntr-un
interval de timp (o perioad), definind bilanul energetic net schimbat ntre
surs i convertor, cu relaia:
1
P
T

t 0 T

t0

1
p t dt
T

t 0 T

u t i t dt .

t0

(4.31)

innd cont de rel. (4.29), se poate scrie expresia puterii active n funcie de
valorile medii i efective ale armonicilor, astfel:

h 1

h 1

P U 0 I 0 U h I h cos h P0 Ph ,

(4.32)

unde h = h - h este defazajul pentru fiecare armonic dintre tensiune i

curent. Din aceast relaie se observ c puterea activ se transmite doar pe
componentele continue i pe armonicile tensiunii i curentului de acelai
rang. Nu apare un transfer de energie dac exist o armonic de tensiune
de un anumit rang i o armonic de curent de alt rang.
n cazul particular n care curentul absorbit de la surs is(t) este alternativ,
fr component continu, puterea activ consumat n partea de c.c. a
redresorului este transferat doar pe armonica fundamental a curentului de
linie is1(t):
P U s I s1 cos 1 ,

(4.33)

unde Us este valoarea efectiv a tensiunii sursei de c.a.,

Is1 este valoarea efectiv a armonicii fundamentale a curentului
nesinusoidal absorbit de redresor,
1 este defazajul dintre unda sinusoidal a tensiunii i armonica
fundamental a curentului.
92

Datorit circulaiei curentului prin conductoarele liniei de alimentare cu

energie electric n rezistena Rs a acestora se consum o putere activ dat
de relaia:

I
P Rs I s2 Rs I sh2 Rs I s21 Rs I sh2 Rs I s21 1 reziduu P1 1 THDI ,
I s1
h 1
h 2

(4.34)

unde Ireziduu este reziduul deformant al curentului Is de la sursa de c.a.,

THDI este coeficientul total de distorsiune armonic al curentului de
linie Is,
P1=RsIs12 sunt pierderile date de armonica fundamental a curentului
de linie Is,

2
Rs I sh
h 2

sunt pierderile date de armonicile superioare.

Puterea activ se transform n cldur la nivelul conductoarelor

determinnd nclzirea acestora. Un redresor clasic cu diode sau tiristoare
determin pierderi suplimentare n reea i o ncarc suplimentar din punct
de vedere al curentului.
4.2.8.3. Puterea reactiv de comand
Pentru simplificarea analizei consumului realizat de un redresor comandat
(Fig.4.1), alimentat de la o reea de c.a. cu tensiunea Us (und nedeformat)
i curentul Is, se consider consumul de putere reactiv realizat doar pe
armonica fundamental a curentului, astfel nct:
Q U s I s1 sin 1 U s I s1 sin ,

(4.35)

unde este unghiul de comand al redresorului.

Puterea reactiv constituie un factor de poluare a reelei i poart denumirea
de putere reactiv de comand.
4.2.8.4. Puterea aparent
Puterea aparent, pentru redresorul comandat alimentat de la reeaua de c.a.
cu tensiunea armonic Us i curentul Is, puterea aparent este dat de relaia:
S Us Is .

(4.36)

n acest caz, puterea aparent are semnificaia unei puteri totale vehiculate
ntre sursa de energie electric i unul sau mai multe redresoare.
4.2.8.5. Puterea deformant
93

Puterea deformant, notat cu D, apare ca o component a puterii aparente,

conform relaiei:
S

P2 Q2 D2

(4.37)

De felul cum este definit aceast putere se poate evalua amploarea

regimului deformant i echilibrul de puteri n reeaua electric. n cazul
redresorului comandat, care are la borne o tensiune cvasi-sinusoidal
calculul peterii deformante se poate face cu relaia aproximativ:

I ,

D U s I reziduu U s

(4.38)

sh

h2

unde Ireziduu este reziduul deformant al curentului absorbit de redresor.

4.2.8.6. Puterea fictiv n regim sinusoidal
Pentru aprecierea global a puterii vehiculate ntre surs i un receptor
neliniar (redresor) care nu este consumat efectiv de acesta, respectiv putera
reactiv i puterea deformant, s-a introdus noiunea de putere fictiv n
regim nesinusoidal care este dat de relaia:
W

S 2 P2

Q2 D2

(4.39)

4.2.8.7. Factorul de putere

Factorul de putere este o mrime care evideniaz ct din puterea electric
total vehiculat ntre surs i receptor este efectiv consumat de acesta din
urm pentru a fi convertit n alt form de energie. n regim deformant,
factorul de putere se noteaz cu k sau cu PF (Power Factor). Conform
definiiei, factorul de putere este dat de relaia:
k PF

P
P Q D
2

P
P W 2
2

(4.40)

Din rel.(4.40), se constat urmtoarele:

- factorul de putere este subunitar (k < 0), chiar dac regimul deformant
creat de receptor (redresor) nu impune i un transfer de energie reactiv;
- factorul de putere este influenat de regimul deformant (poluarea armonic)
determinat de receptorul neliniar;
- factorul de putere este influenat de mrimea puterii reactive vehiculat
ntre surs i receptor.
Pentru un receptor neliniar de tip redresor funcionnd n comutaie natural,
factorul de putere se poate scrie astfel:
94

k PF

P U s I s1 cos 1 I s1

cos 1 k1 k 2 .
S
UsIs
Is

(4.41)

Pentru un redresor monofazat cu tiristoare la care tensiunea la borne este

aproximativ sinusoidal, factorul de putere poate aprecia global nivelul de
poluare al acestuia asupra reelei prin:
- k1 = Is1 /Is care evideniaz gradul de poluare armonic al redresorului
asupra reelei;
- k2 = cos1 = DPF (Displacement Power Factor) care evalueaz cantitativ
defajajul armonicii fundamentale a curentului fa de unda tensiunii cu
influen direct asupra valorii puterii reactive absorbite de redresor. Pentru
compensarea factorului de putere n regim deformant, se pot adopta
urmtoarele msuri:
- utilizarea unor baterii de condensatoare. Aceast metod clasic nu d
rezultate bune deoarece conduce la amplificarea regimului deformant
determinnd implicit deteriorarea factorului de putere.
- utilizarea unor inductane (n cazul redresoarelor necomandate) prevzute
cu filtre de tensiune (capaciti de filtrare);
- n cazul redresoarelor comandate (Fig.4.1) se recurge la soluii cum ar fi:
utilizarea de puni semicomandate, de redresoare cu diode de descrcare (cu
funcionarea ntr-un singur cadran), utilizarea unor tehnici de comand
speciale;
- utilizarea redresoarelor ecologice cu absorbie de cureni sinusoidali sau
soluia unor filtre active ataate la redresoarele clasice deja existente.
4.3.

REDRESOARE CU COMUTAIE NATURAL

Redresoarele cu comutaie natural sunt cele mai cunoscute i cele mai

ntlnite convertoare statice din electronica de putere. Se mai numesc
convertoare de linie (line-frequency converters) sau convertoare cu
comutaie de la reea. Principiul conversiei alternativ-continuu care st la
baza principiului de funcionare care st la baza acestor convertoare a fost
deja prezentat (paragraful 4.1). Principalele scheme de asemenea redresoare
(necomandate-cu diode i comandate-cu tiristoare) sunt:
a) redresoarele monofazate
- schemele monoalternan (necomandat i comandat-Fig.4.1)
- schemele cu punct median (comandat)
- schemele n punte (necomandat, semicomandat, comandat)
b) redresoarele trifazate
95

- schemele n semipunte (necomandat i comandat)

- schemele n punte (necomandat, semicomandat, comandat)
c) redresoare polifazate
Existena continu a curentului prin redresor este pus n eviden de
regimul de curent nentrerupt (conducia permanent sau conducia
continu). n opoziie cu acesta, se poate evidenia regimul de curent
ntrerupt (conducia ntrerupt sau conducia discontinu).
4.3.1. Procesul comutaiei naturale
n sens larg, comutaia const n trecerea curentului electric de pe o
ramur de circuit pe o alt ramur ca efect al schimbrii strii de
conducie a dispozitivelor semiconductoare de putere de pe cele dou
ramuri. Dac dispozitivele semiconductoare nu au capacitate de blocare,
curentul nu poate fi ntrerupt forat i obligat s devieze pe o alt ramur. n
acest caz se utilizeaz comutaia natural la care trecerea curentului de pe o
ramur pe o alt ramur se face sub aciunea unei tensiuni de comutaie ce
apare dup deschiderea dispozitivului aflat pe ramura ce urmeaz s preia
curentul. O comutaie ciclic a curentului ntre dou sau mai multe ramuri de
circuit poate avea loc dac tensiunea sau tensiunile de comutaie sunt
alternative. Din acest motiv, comutaia natural o ntlnim doar n
structurile de for conectate la tensiuni alternative. Pentru exemplificare
se consider cazul redresorului monofazat cu punct median, a crui schem
i forme de und sunt date n Fig.4.5.

96

(b)

Fig. 4.5: Redresorul monofazat cu punct median a) schema de principiu,

b) formele de und.
Tensiunile din secundarul transformatorului cu punct median au expresiile:
u s1

2 U s1 sin t ,

(4.42)

us2

2 U s1 sin t u s1 .

(4.43)

Condiiile de bun funcionare ale punctului median sun date de rel. (4.42,
4.43) la care se adaug condiia egalitii numrului de spire n secundarul
transformatorului, adic: ns1= ns2. Dispozitivele semiconductoare T1 i T2
sunt comandate astfel:
- tiristorul T1 este comandat cu impulsuri avnd perioada de repetiie
T = 2/ i cu faz variabil cuprins ntre valorile 0 i ;

97

- tiristorul T2 este comandat cu impulsuri defazate cu (Fig.4.5b) fa de

impulsurile aplicate lui T1.
Funcionarea redresorului cu sarcina rezistiv inductiv (R0, L0) poate fi:
- (A) cu curent ntrerupt,
- (B) cu curent nentrerupt.
Trecerea de la regimul de funcionare (A) la (B) se face fie
- prin modificarea parametrilor R, L la unghi de comand = const.,
- prin modificarea (controlul) unghiului de comand pentru R= const. i
L= const.
Funcionarea n regimul (B) are loc pentru R = const. i L = const., n
condiiile controlului unghiului de comand ntre valorile 0 i L (rel.
4.12), cu respectarea condiiilor: L i = L + . De aici rezult c:
L arctg

L
.
R

(4.44)

Conform rel.(4.44), rezult c:

- dac L , redresorul funcioneaz n regimul (B) de curent nentrerupt.
Tensiunea medie redresat n cadrul acestui regim de funcionare, este
calculat cu relaia:
Ud

2 2 U s
cos .

(4.45)

La sarcin pur inductiv (R=0, L0), funcionarea redresorului n regim (B)

nu este posibil deoarece, n acest caz, curentul Id .
Redresorul funcioneaz n regimul (A) de curent ntrerupt dac L. n
cadrul acestui regim de funcionare, pentru intervalul de conducie al
tiristorului T1, prezentul redresor funcioneaz dup relaiile caracteristice
redresorului monofazat monoalternan. Pentru intervalul de conducie al
tiristorului T2, relaiile matematice sunt aceleai dar defazate cu unghiul
(Fig.4.5). La sarcin pur rezistiv (R 0, L = 0), redresorul funcioneaz
numai n regimul (A), iar valoarea medie redresat a tensiunii continue la
bornele sarcinii este:
Ud

2 U s
cos .

(4.46)

98

Din rel.(4.45, 4.46) rezult c la redresorul monofazat cu punct median,

valoarea medie a tensiunii redresate este dubl, iar valoarea maxim a
tensiunii inverse (de blocare) este dubl ( 2 2 U s ) fa de tensiunea direct.
Pentru analiza fenomenului de comutaie natural, n Fig.4.5a, se consider
inductana de sarcin Lf suficient de mare pentru a filtra foarte bine curentul
continuu, adic id(t) = Id = const. Acest curent este comutat ciclic ntre
ramurile pe care se afl tiristoarele T1 i T2. Se consider situaia iniial n
care conduce tiristorul T1. Schema echivalent care descrie procesul
comutaiei curentului Id de pe ramura (1) a tiristorului T1 pe ramura (2) a
tiristorului T2 este prezentat n Fig.4.6.

Fig. 4.6: Schema echivalent a comutaiei naturale.

Notaii utilizate:
- us1, us2 sunt tensiunile induse n secundarul transformatorului TR (Fig.4.5a)
- Lk1, Lk2 sunt inductanele de pe ramurile de comutaie, care impun durata
procesului de comutaie
- Rk1, Rk2 sunt rezistenele de pe ramurile de comutaie
- uk , ik sunt tensiunea, respectiv curentul de comutaie
- iT1(t)= Id ik(t), iT2(t)= ik(t), sunt curenii prin cele dou tiristoare
- ud , id =Id = iT1+ iT2 sunt parametrii (tensiune, curent) sarcinei de c.c.
- tk este durata procesului de comutaie.
Se urmrete determinarea mrimilor ce caracterizeaz procesul de
comutaie i anume forma de und a curentului i k i durata de timp tk. n
acest sens, se scrie ecuaia de echilibru a tensiunilor n bucla format de cele
dou ramuri de comutaie, astfel:
99

u k Rk 2 i k Lk 2

dik
d I i
R k 1 I d i k Lk 1 d k ,
dt
dt

(4.47)

unde tensiunea de comutaie uk este dat de o diferen ntre dou tensiuni

armonice:
u k u s 2 u s1 2 2 U s sin t ,

(4.48)

unde Us este valoarea efectiv a tensiunii de faz din nfurarea secundar a

transformatorului. Pentru simplificare, se va considera tensiunea de
comutaie uk origine de faz, avnd expresia:
u k U k max sin t .

(4.49)

Avnd n vedere c id =Id = const., nseamn c derivata lui n raport cu

timpul este zero, rel.(4.47) devine:

R k 1 R k 2 i k Lk 1 L k 2

dik
U k max sin t Rk1 I d .
dt

(4.50)

Soluia acestei ecuaii difereniale are urmtoarele trei componente:

- componenta de regim liber (soluia ecuaiei omogene), este:
i k1 t K e t ,

(4.51)
L L

k1
k2
unde K este o constant de integrare, iar R R este constanta de timp
k1
k2
a buclei format din cele dou ramuri.
- componenta de regim forat (permanent) dat de tensiunea
u k U k max sin t , este:

i kf 1 t

U k max
sin t k ,
Zk

unde

Zk

(4.52)

Rk1 Rk 2 2 2 Lk1 Lk 2 2 este impedana total a celor dou

L L

k1
k2
ramuri, iar k arctg R R
este defazajul dintre armonica fundamental
k1
k2
a curentului ik i unda tensiunii de comutaie uk .

100

- componenta de regim forat dat de termenul Rk1 I d al ecuaiei, ce

evalueaz partea din curentul continuu Id care circul pe ramura (2) n
regimul permanent, caz n care se consider numai rezistenele cilor de
curent:
ikf 2 t

Rk 1
Id .
Rk 1 Rk 2

(4.53)

Cu aceste considerente, soluia ecuaiei difereniale (4.50) poate fi scris ca

sum a celor trei componente, astfel:
i k t i k 1 t i kf 1 t i kf 2 t K e t +

U k max
Rk 1
sin t k +
Id .
Zk
Rk 1 Rk 2

(4.54)

Constanta de integrare K se calculeaz cu ajutorul condiiilor iniiale: la

momentul t0 = / cnd ncepe procesul de comutaie prin amorsarea
tiristorului T2, curentul de comutaie ik pornete din zero, adic ik(t0) = 0.
Rezult:
U

Rk 1
K e t0 k max sin t 0 k
Id .
Zk
Rk 1 Rk 2

(4.55)

Dup introducerea constantei K n rel.(4.54) se poate calcula durata

procesului de comutaie tk care se consider terminat atunci cnd ramura
tiristorului T2 a preluat, la momentul t1 tot curentul Id, adic ik(t1) = Id.
Rezult:
K e t1

U k max
Rk 2
sin t1 k
Id .
Zk
Rk 1 Rk 2

(4.56)

Ecuaia (4.56) se rezolv prin metode numerice obinndu-se timpul t1, cu

ajutorul cruia poate fi calculat durata intervalului de comutaie:
t k t1 t 0 f , I d .

(4.57)

Se observ c durata procesului de comutaie tk este influenat de valoarea

unghiului de comand = t0 i de mrimea curentului de sarcin Id.
Corespunztor duratei procesului de comutaie tk poate fi definit un unghi
electric denumit unghi de comutaie sau unghi de suprapunere anodic
notat de obicei cu sau . Ultima denumire este justificat de faptul c pe
durata comutaiei conduc ambele tiristoare, ceea ce echivaleaz cu o
101

suprapunere a terminalelor de anod. Unghiul de suprapunere anodic este

definit de relaia:
t k , [oel] .

(4.58)

Din rel.(4.57,4.58) rezult faptul c i unghiul de suprapunere anodic este

funcie de = f(,Id). Se observ c unghiul de comutaie modific
valoarea medie a tensiunii de la ieirea redresorului cu comutaie
natural. Analiznd schema echivalent din Fig.4.6a pe durata comutaiei i
aplicnd Legea a II-a a lui Kirchhoff pe ochiul de reea putem scrie
urmtoarele egaliti:
dik
dt
di
u d t u s 2 Rk 2 ik Lk 2 k
dt

u d t u s1 Rk1 ik Lk 1

- pentru ramura (1)

- pentru ramura (2)

(4.59)
(4.60)

n redresoare, ramurile de circuit ntre care se produce comutaia curentului

Id, sunt simetrice, adic Rk1 = Rk2 i Lk1=Lk2. nsumnd rel.(4.59 i 4.60),
rezult:
2 u d t u s1 t u s 2 t

ud t

u s1 t u s 2 t
.
2

(4.61)

Relaia (4.62) arat c pe durata comutaiei tk tensiunea la ieirea

redresorului este media tensiunilor alternative de pe cele ramuri care
comut.
4.3.2. Redresoare trifazate
n aplicaiile cu puteri ce depesc 1kW se recomand utilizarea
redresoarelor trifazate. n comparaie cu redresoarele monofazate, cele
trifazate prezint urmtoarele avantaje:
- ncarc simetric reeaua trifazat de alimentare;
- frecvena pulsurilor din unda tensiunii continue (redresate) este mai mare,
fapt ce permite micorarea filtrelor fa de redresoarele monofazate;
- la aceeai valoare a tensiunii alternative de intrare, valoarea maxim a
tensiunii continue de ieire este mai mare la redresoarele trifazate;
- regimul de curent ntrerupt apare la redresorul trifazat peste un unghi de
comand = 60o n timp ce la redresorul monofazat cu punct median acest
fenomen apare peste un unghi de comand = 30o. n general, la
redresoarele monofazate, regimul de curent ntrerupt poate apare imediat ce
unghiul de comand prsete valoarea de 0o.
102

- n cazul redresoarelor trifazate, factorul de putere este mult mai bun dect
n cazul redresoarelor monofazate, dup cum urmeaz:
k trifazat PFtrifazat

Ptrifazat
S trifazat

3 Pfaza
S trifazat

k faza .

(4.62)

Relaia (4.62) arat c, din punct de vedere al polurii reelei, este mai
avantajos a se utiliza un redresor trifazat dect unul monofazat, deoarece
pentru o aceeai putere consumat n partea de c.c., factorul de putere al
redresorului trifazat este mai bun dect al redresorului monofazat.
- au o capacitate mare de susinere a puterii.
Dintre redresoarele trifazate cea mai utilizat schem este aceea a punii
trifazate complet comandate, dat n Fig.4.7:

Fig. 4.7: Redresorul trifazat n punte complet comandat, a)cu sarcin R-L,
b) cu sarcin R-L-E.
Schema poate fi alimentat direct de la reeaua trifazat sau prin intermediul
unui transformator TR n cazul n care, prin redresare direct, amplitudinea
tensiunii continue nu satisface swarcina de c.c. Au fost prezentate sarcinile
de c.c. care necesit filtrarea curentului, respectiv sarcina pasiv R,L
(Fig.4.7a) i sarcina activ R,L,E (Fig.4.7b). Frecvena pulsurilor la puntea
trifazat este de 3 ori mai mare dect la puntea monofazat. n acest caz
inductana proprie a sarcinii poate s nu asigure o suficient filtrare a
curentului, fapt ce necesit utilizarea unor bobine suplimentare de filtrare
(netezire), notate cu Lf. Dac n structura trifazat din Fig.4.7 se folosesc 6
diode, suntem n cazul redresorului n punte trifazat necomandat a
crui funcionare se obine cu ajutorul redresorului trifazat complet
comandat pentru unghiul de comand = 0 o.n cele ce urmeaz, referitor
la Fig.4.7, se va analiza funcionarea redresorului trifazat n punte

103

complet comandat, pentru un unghi de comand = 30o alimentat cu

sistemul trifazat al tensiunilor de faz
u R t U m sin t ,
2

u S t U m sin t
,
3

uT t U m sin t
,
3

(4.63)

respectiv al tensiunilor de linie

u RS t u R t u S t u SR t

u ST t u S t uT t uTS t ,

(4.64)

u TR t uT t u R t u RT t .

n Fig.4.8 sunt prezentate formele de und pentru redresorul considerat

(Fig.4.7a). Se observ c fiecare impuls de comand este decalat cu unghiul
de comand fa de punctele de comutaie natural P1, N2, P3, N4, P5, N6 ,
definite ca puncte de intersecie ntre formele de und sinusoidale ale
sistemului trifazat de tensiuni. Puntea funcioneaz ca redresor, deci cu
unghiul de comand 0o < <90o. Pentru fiecare tensiune de linie conduce
cte o pereche de tiristoare. Astfel, de exemplu:
- pentru tensiunea uRS, conduce perechea T1, T6
- pentru tensiunea uRT, conduce perechea T2, T1
- pentru tensiunea uST, conduce perechea T3, T2
- pentru tensiunea uSR, conduce perechea T4, T3
- pentru tensiunea uTR, conduce perechea T5, T4
- pentru tensiunea uTS, conduce perechea T6, T5
ntotdeauna va conduce un tiristor din structura M3p mpreun cu unul din
structura M3n, astfel nct tensiunea la ieirea redresorului este:
u d t u M 3 p t u M 3n t .
(4.65)

104

Fig. 4.8: Formele de und ale redresorului trifazat n punte comandat cu un

unghi = 30o[el].
Forma de und a tensiunii redresate rezultat din rel.(4.65) i este format
din 6 pulsuri identice pe durata perioadei T a tensiunii de alimentare. Cele 6
pulsuri sunt date de tensiunile de linie (rel.4.64). Astfel fiecare tiristor va
conduce un unghi electric de 120o. La jumtatea fiecrui interval de
conducie se produce o comutaie a curentului ntre dou tiristoare din partea
105

opus a punii. Pentru calculul componentei continue a tensiunii ud(t) de la

ieirea redresorului trifazat n punte comandat cu unghiul , se aplic
formula valorii medii pe intervalul Tp = /6 [radiani], din Fig.4.8:
Tp

U d

1
1
u d t dt Aria A .
Tp 0
Tp

(4.66)

Dac se consider originea n dreptul pulsului cruia i se aplic formula

(4.66), la jumtatea distanei dintre dou puncte de comutaie natural, Ud
devine:

U d

/3

3 2 U l

(4.67)

3
u d t dt

2 U l cos t d t

3 2 U l
sin t 6

3 2

sin 6 sin 3 U l cos U d 0 cos

unde Ul este valoarea efectiv a armonicii fundamentale de tensiune. Relaia

(4.67) pune n eviden dependena dintre componenta continu Ud a
tensiunii continue ud(t) de la ieirea redresorului trifazat n punte i unghiul
de comand al redresorului, adic Ud = f() denumit i caracteristic de
reglaj. Aceast carracteristic este reprezentat n Fig.4.9, astfel:

Fig. 4.9: Caracteristica de reglaj a redresorului comandat.

Din Fig. 4.9 se observ neliniaritatea caracteristicii de reglaj, cu regimurile
de redresor i invertor definite. Funcionarea optim a redresorului are loc pe
poriunea liniar a caracteristicii de reglaj ntr-un interval de comand mai
106

restrns i anume 30o 150o. Analiznd caracteristica de reglaj, se fac

urmtoarele precizri:
- tensiunea medie Ud scade progresiv (Ud >0) pn la valoarea zero atunci
cnd = 90o. n intervalul 0o < 90o convertorul funcioneaz ca redresor;
- n intervalul 90o < L= inv(max) =150o convertorul funcioneaz n regim
de invertor cu Ud > 0;
- regimul de curent ntrerupt poate apare pentru > 60o, dac inductana Lf
(Fig.4.7) lipsete sau este insuficient.
Pentru ca pornirea redresorului s fie sigur, trebuie asigurat comanda
cu cte dou impulsuri a fiecrui tiristor din structura punii. De exemplu:
momentul n care trebuie comandat tiristorul T1, atunci cnd se trimite
impulsul de comand pentru acesta se va trimite i impulsul de comand
tiristorului T6, adic (T1 T6). Mai departe, cnd va fi fi comandat T2 , i se
va trimite impulsul de comand i lui T1. Astfel tiristorul T1 va primi dou
impulsuri de comand: primul atunci cnd trebuie s preia conducia prin
procesul de comutaie natural i al doilea decalat cu 60o [el] care ajut la
pornirea redresorului. Schemele de comand sunt realizate cu circuite
combinaionale specializate care asigur comanda fiecrui tiristor cu cte
dou impulsuri decalate cu 60o [el] ntre ele astfel: T1 T6 , T2 T1 , T3
T2 , T4 T3 , T5 T4 , T6 T5. n cazul apariiei regimului de curent
ntrerupt ambele tiristoare din cele 6 combinaii se blocheaz la un moment
dat pe intervalul Tp. Astfel se impune comanda simultan a ambelor tiristoare
din urmtoarea pereche care trebuie s preia conducia.
4.4.

REDRESOARE CU COMUTAIE FORAT

Redresoarele cu comutaie forat sunt preferate celor cu comutaie natural

n aplicaiile care necesit o surs de tensiune continu filtrat i reglabil
deoarece prezint urmtoarele avantaje:
- spre deosebire de redresoarele clasice care polueaz armonic i absorb
energie reactiv, redresoarele cu comutaie forat fac parte din categoria
convertoarelor ecologice deoarece nu polueaz reeaua de alimentare;
- furnizeaz la ieire o tensiune continu filtrat i reglabil a crei valoare
minim este mai mare dect amplitudinea tensiunii de reea (rol de
amplificare);
- unele dintre aceste redresoare (redresoarele MLI-PWM) sunt bidirecionale
avnd capacitatea de a prelua un curent de sarcin n sens invers i de a
funciona ca invertor n cadranul 2.
n comparaie cu redresoarele clasice, aceste redresoare au i dezavantaje:

107

- nu sunt reversibile (cu excepia celor MLI-PWM) deoarece nu au

capacitatea de a inversa polaritatea tensiunii continue de ieire;
- prezint o limit minim sub care tensiunea continu de ieire nu poate fi
sczut;
- pentru controlul undei curentului absorbit de la reea, schema de comand
este adeseori complex.
n cele ce urmeaz se va aminti ntr-un mod mai general exemplul
redresorului MLI-PWM monofazat, a crui schem este dat n Fig.4.10:

Fig. 4.10: Redresorul monofazat n punte complet comandat.

Redresorul cuprinde urmtoarele elemente:
- puntea complet comandat format din dispozitive semiconductoare ce pot
fi tiristoare sau tranzistoare de putere;
- capacitatea de filtrare C de la ieirea punii redresoare;
- inductana reelei Ls cu rol de filtrare a curentului;
- inductana adiional Lf care se utilizeaz dac inductana Ls este
insuficient.
Adiional structurii prezentate se utilizeaz un modulator MLI-PWM
(Fig.4.11), a crui structur i mod de funcionare vor fi ulterior prezentate,
capabil s asigure o comand cu modulaia n lime a impulsurilor de
tensiune, n urmtoarele dou moduri:

108

Fig. 4.11: Modulatorul MLI-PWM.

- comanda PWM cu o comutaie bipolar a tensiunii n cadrul creia sunt
comandate simultan perechile de tranzistoare de pe diagonala punii (T1, T4),
respectiv (T2, T3), n funcie de semialternan i de regimul de funcionare al
redresorului. La acest tip de comand ntre punctele A i B tensiunea prezint
salturi bipolare de la Ud la + Ud, respectiv de la + Ud la Ud ntr-o
perioad de comutaie;
- comanda PWM cu o comutaie unipolar a tensiunii n cadrul creia
tranzistoarele din cele dou brae ale punii sunt comandate separat, n
funcie de semialternana tensiunii alternative, astfel nct ntre punctele A i
B tensiunea s prezinte variaii unipolare de la 0 la + Ud pe semialternana
pozitiv, respectiv de la 0 la Ud pe semialternana negativ.
Modulatorul PWM (Fig.4.11) primete la intrare cele dou semnale is
(triunghiular), is* (sinusoidal) i genereaz la ieire semnalele modulate n
lime PWM1 PWM4 pentru cele patru tranzistoare din structura punii
monofazate. Corelaia ntre deschiderea i blocarea celor patru dispozitive
semiconductoare precum i factorul de umplere depind de una dintre cele
dou modaliti de comand aleas pentru comanda punii.

5. CONVERSIA STATIC CONTINUU-CONTINUU A

ENERGIEI ELECTRICE
5.1.

PRINCIPIILE CONVERSIEI CONTINUU-CONTINUU

Pentru nelegerea conversiei c.c.-c.c. se consider cea mai simpl schem de

convertor, foarte utilizat n structurile de conversie complet comandate i
prezentat n Fig.5.1. Topologia circuitului const ntr-o bucl n care sunt
incluse o surs de tensiune continu Ud considerat constant, undispozitiv
semiconductor controlabil T i o sarcin de c.c. pur rezistiv R (Fig.5.1a) sau

109

rezistiv-inductiv R-L (Fig.5.1b).

Fig. 5.1: Principiul conversiei c.c. c.c.

n antiparalel cu sarcina R-L este conectat o diod de descrcare cu rolul de
preluare a curentului ntreinut de inductana L atunci cnd dispozitivul
semiconductor este blocat.
De altfel, sarcina R-L este cea mai reprezentativ pentru majoritatea
receptoarelor de c.c., inductana L avnd rolul de filtrare a curentului
continuu.
Dac aceast inductan este insuficient, se nseriaz o inductan
suplimentar, de filtrare sau de netezire Lf. Pentru filtrarea tensiunii se
utilizeaz filtre L-C.

110

5.1.1. Comanda PWM

Se presupune c dispozitivul semiconductor T este comandat ciclic aa cum
se prezint n Fig.5.1a,d. Pe durata perioadei de comutaie Tc dispozitivul
semiconductor este n conducie (ON) n intervalul de timp ton i n blocare
(OFF) n intervalul de timp toff.
Relaiile care caracterizeaz procesul de comutaie sunt:
- perioada de comutaie
Tc t on t off ,

(5.1)

- frecvena de comutaie (de lucru)

fc

1
1

.
Tc t on t off

(5.2)

n funcie de natura aplicaiei, de tipul convertorului, de tipul dispozitivelor

semiconductoare, frecvena de comutaie este cuprins n domeniul (sute Hz
sute kHz).
5.1.1.1. Cazul sarcinei pur rezistive (Fig.5.1a,c)
n intervalul timpului de conducie (ton) dispozitivul semiconductor conduce
sursa de c.c. fiind conectat de sarcin (rezistena R), iar tensiunea la ieire
ue(t) devine egal cu valoarea Ud, conform relaiei:
ue t U d ,

pt. 0 t ton .

(5.3)

Curentul prin sarcina R, este dat de relaia

ie t

Ud
,
R

(5.4)

i are aceeai form de und cu cea a tensiunii ue(t). n intervalul de

conducie ntreaga putere electric este transferat de la sursa de c.c. Ud la
sarcina R.
n intervalul timpului de blocare (toff), sursa de c.c. este separat de sarcina
R , tensiunea instantanee de ieire este:
ue t 0 ,

pt. ton t Tc .

(5.5)

111

Se observ c unda tensiunii de sarcin ue(t) se prezint sub forma unui tren
de impulsuri dreptunghiulare de amplitudine Ud i lime ton. Componenta
continu Ue a acestui semnal periodic reprezint chiar valoarea tensiunii de
ieire rezultate n urma conversiei c.c.-c.c. i se poate calcula cu formula
valorii medii, astfel:
U e u emed t

1
Tc

Tc

u e t dt
0

1
Tc

t on

U d dt
0

1
Tc

Tc

0 dt

t on

t
aria A
1
t
U d t 0on U d on
U d DRC ,
Tc
Tc
Tc
(5.6)

unde raportul ton/Tc = DRC se numete durat relativ de conducie (duty

ratio) sau factor de umplere. Deoarece 0 ton Tc atunci 0 DRC 1. innd
cont de rel. (5.6) rezult c:

0 DRC 1 0 U e U d .

(5.7)

Relaiile (5.6, 5.7) evideniaz faptul c la ieirea convertorului se obine o

tensiune a crei valoare medie (componenta continu Ue) depinde de limea
impulsurilor de amplitudine Ud. Rezult c aceast tensiune poate fi reglat
prin modificarea limii impulsurilor (MLI) sau a duratei impulsurilor
(MDI), denumire care n literatura anglo-saxon poart denumirea de Pulse
Width Modulation (PWM). Din rel.(5.6) scris sub forma Ue/Ud = DRC se
poate afirma c convertorul de putere poate fi reglat continuu, prin comand
ntre dou stri logice 0 i 1.
5.1.1.2. Cazul sarcinei rezistiv-inductive (Fig.5.1b,d)
Dac sarcina este un motor de c.c., forma curentului prin indusul acestuia
trebuie s fie ct mai neted, deoarece curentul contribuie la generarea
cuplului electromagnetic. Efectul de filtrare al curentului, n acest caz, este
asigurat de inductana proprie a motorului de c.c. Se observ c, la intrarea
n conducie a dispozitivului semiconductor T, curentul ie(t) evolueaz dup
o exponenial cresctoare ca efect al unei trepte de tensiune cu amplitudinea
Ud pe un circuit R-L. Astfel:
ie t I min e

Ud
R

1 e

0 t t on ,

(5.8)

112

unde = L/R este constanta de timp a circuitului i Imin este valoarea

curentului de sarcin la nceputul intervalului ton (condiia iniial). La
sfritul intervalului ton curentul prin dispozitivul semiconductor T i sarcina
R-L atinge valoarea Imax (traseul 1, Fig.5.1b).
n momentul n care T este blocat, curentul ie(t) continu s circule prin
dioda de descrcare Dd (traseul 2, Fig.5.1b) fiind ntreinut de energia
acumulat n inductana L. Forma de und pe intervalul toff este o
exponenial descresctoare care pornete de la valoarea Imax exprimat astfel

ie t I max e ,

(5.9)

t on t Tc ,

i atinge valoarea Imin la sfritul intervalului de blocare a lui T. Se observ

c, n regim stabilizat (dup un numr de perioade de funcionare), curentul
de ieire evolueaz ntre valorile minim i maxim, adic:
I e I max I min .

(5.10)

Rezult c, pentru obinerea unei filtrri bune a curentului exist dou

posibiliti:
- creterea valorii filtrului inductiv (soluie puin agreat),
- ridicarea frecvenei de comutaie a convertorului (utilizat frecvent).
5.1.2. Generarea semnalelor de comand PWM
Semnalul logic de comand este purttor de informaie avnd urmtoarele
nivele logice (Fig.5.1c,d):
- un nivel logic pozitiv pentru deschiderea dispozitivului T (starea ON),
- un nivel logic zero pentru blocarea dispozitivului T (starea OFF).
Aceste semnale logice sunt preluate, prin bariere de separare galvanic, de
ctre circuite specializate (drivere) i adaptate terminalelor de comand ale
diferitelor tipuri de dispozitive semiconductoare de putere.
Principiul de generare a semnalelor logice PWM const n compararea
tensiunii de control ucontrol (semnal modulator), considerat constant pe
intervale mici, cu un semnal periodic dinte de fierstru (udf) sau cu un
semnal triunghiular (utr) de ctre un comparator (COMP). Semnalul periodic
poart denumirea de und purttoare, iar perioada acesteia Tc fixeaz
frecvena semnalului logic PWM i implicit frecvena de comutaie a

113

convertorului fc = 1/Tc. Dac tensiunea de ieire a convertorului trebuie s

fie reglabil, sistemul electronic de putere cuprinde i o structur de reglaj
(Fig.5.2).

Fig. 5.2: Sistemul electronic de generare a semnalelor PWM.

Aceasta const dintr-o bucl cu reacie negativ n care valoarea real a
tensiunii Ue este comparat cu valoarea de referin Ue* , eroarea rezultat
fiind aplicat unui regulator de tensiune, care n final furnizeaz tensiunea de
control ucontrol. Prin intermediul acestei tensiuni se modific durata relativ de
conducie a unuia sau a mai multor elemente de comutaie din structura de
for a convertorului.
n cele ce urmeaz, vor fi prezentate urmtoarele dou scheme de generare
ale semnalelor PWM:
a)
Schema cu und purttoare dinte de fierstru
Aa cum este prezentat n Fig.5.3, atunci cnd tensiunea ucontrol > udf ,
comparatorul furnizeaz la ieire un semnal logic ridicat (1 logic).

114

Fig. 5.3: Schema cu und purttoare dinte de fierstru (udf).

n momentul n care rampa tensiunii udf egaleaz i depete tensiunea
ucontrol comparatorul basculeaz i furnizeaz la ieire un semnal logic
cobort (0 logic). Astfel, se obine la ieirea comparatorului un semnal logic
PWM al crui factor de umplere este proporional cu ucontrol n msura n care
aceasta nu depete valoarea de vrf U df a semnalului dinte de fierstru:

t
DRC on
Tc
ucontrol
.

RC
U
ton ucontrol
df

Tc U df

(5.11)

Efectul modificrii duratei relative de conducie o dat cu modificarea

tensiunii de comand este ilustrat n Fig.5.3, unde s-a prezentat un exemplu
'
pentru o variaie a comenzii de la ucontrol la u control
, obinndu-se noua durat
'
'
relativ de conducie DRC t on / Tc . Dac se utilizeaz udf ca semnal purttor,
semnalul modulator ucontrol trebuie s fie tot timpul pozitiv.
b)
Schema cu und purttoare semnal triunghiular
Exist aplicaii sau tehnici de modulare PWM n care semnalul de control
poate sau trebuie s ia att valori pozitive ct i valori negative. Este cazul
modulrii sinusoidale utilizate pentru comanda invertoarelor PWM. ntr-o
asemenea situaie se folosete ca und purttoare un semnal periodic
triunghiular aa cum se prezint n Fig.5.4:

115

Fig. 5.4: Schema cu und purttoare un semnal triunghiular (utr).

Semnalul triunghiular utr variaz ntre valoarea pozitiv + U df i valoarea
negativ - U df , astfel nct s fie simetric fa de axa absciselor. Astfel,
semnalul de control ucontrol prezint variaii bipolare ntre cele dou limite
sau, n anumite cazuri, chiar poate s le depeasc (supramodulare la
invertoarele PWM). Conform Fig.5.4, cnd ucontrol > utr , comparatorul
genereaz la ieire un semnal logic ridicat (1 logic), iar n momentul n care
rampa semnalului utr depete tensiunea ucontrol, comparatorul basculeaz
furniznd la ieire un semnal logic cobort (0 logic). Pentru calculul
legturii dintre valoarea tensiunii ucontrol i mrimea duratei relative de
conducie DRC trebuie cunoscute valoarea de vrf U tr a semnalului
triunghiular i perioada (frecvena) acestuia Tc ( = 1/fc). Considernd poziia
punctului 0 conform Fig.5.4, putem scrie ecuaia dreptei care trece prin
origine i care se suprapune cu rampa cresctoare a tensiunii utr , astfel:
u tr t

U tr
t , unde 0 < t < Tc / 4 .
Tc / 4

(5.12)

Tot din Fig.5.4 se observ c timpul de conducie ton se calculeaz cu relaia:

t on

Tc
2 t1 ,
2

(5.13)

unde timpul t1 se calculeaz din egalitatea utr(t1) = ucontrol, astfel:

116

u tr t

U tr
t u control
Tc / 4

t1

u control Tc
.
4
U tr

(5.14)

Introducnd rel.(5.13, 5.14) n expresia (5.11), se obine:

D RC

Tc
2 t1
t on
u
1
2

1 control
Tc
Tc
2
U tr

(5.15)

Relaia (5.15) arat c, n cazul utilizrii unui semnal triunghiular, pentru

generarea unui semnal modulat n lime, durata relativ de conducie poate
fi modificat prin intermediul semnalului de control ucontrol. Structura de
reglare a tensiunii din Fig.5.3 mpreun cu modulatorul PWM formeaz un
regulator PWM utilizat cu precdere n convertoarele c.c.- c.c. stabilizatoare
(surse de putere n comutaie).
5.2. CONVERTOARE NEIZOLATE C.C. C.C.
Cele mai utilizate topologii de convertoare c.c. c.c. neizolate fa de
reeaua de curent alternativ sunt urmtoarele:
- convertorul buck (step-down/cobortor de tensiune),
- convertorul boost (step-up/ridictor de tensiune),
- convertorul buck-boost (flyback/conexiune n cascad),
- convertorul Cuk,
- convertorul n punte.
5.2.1. Convertorul buck (cobortor de tensiune)
Schema unui asemenea convertor este dat n Fig.5.5, n care comutatorul S
este realizat cu ajutorul unui tranzistor de tip BJT, MOSFET, IGBT i este
comandat cu un semnal de form dreptunghiular.

117

Fig. 5.5: Schema convertorului buck.

Se vor considera urmtoarele scheme echivalente:
a) Schema echivalent cu comutatorul S pe poziia nchis (ON)
Aceast schem este dat n Fig.5.6:

Fig. 5.6: Schema echivalent cu S nchis.

n acest caz, tensiunea de intrare a sursei de c.c. Vs = Us se aplic sarcinii
resistive RL prin inductorul L care nmagazineaz energie electromagnetic.
Prin inductor apare curentul iL care prezint o cretere liniar, la bornele
sarcinii apare tensiunea V0 = U0, iar dioda D este blocat datorit tensiunii
inverse de la bornele ei (VD = UD). Formele de und caracteristice sunt date
n Fig.5.7.

118

Fig. 5.7: Formele de und ale convertorului buck.

Tensiunea pe inductor VL = UL este pozitiv i egal cu UL = Us U0 .
Mrimile caracteristice aferente bobinei sunt tensiunea UL i curentul iL ,
date de relaiile:
UL L

iL

di L
,
dt

(5.16)

1
U L dt .
L

(5.17)

Din rel.(5.16) rezult:

di L U L U s U 0

.
dt
L
L

(5.18)

Derivata de mai sus fiind pozitiv, conform Fig.5.7, creterea curentului iL

va fi liniar.
Astfel, variaia curentului prin bobin ntre valorile iLmin i iLmax se noteaz cu
iLON i are valoarea:
i LON

Us U0
D T ,
L

(5.19)

119

unde D = DRC = ton/Tc - este durata relativ de conducie sau factorul de

umplere;
T = Tc - este perioada de comutaie.
b) Schema echivalent cu comutatorul S pe poziia deschis (OFF)
Aceast schem este dat n Fig.5.8:

Fig. 5.8: Schema echivalent cu S deschis.

Cnd comutatorul S este deschis (OFF), curentul iL prin inductor prezint o
descretere liniar (Fig.5.7), tensiunea UL i schimb polaritatea, dioda D se
polarizeaz direct i curentul circul prin bucla astfel format. Tensiunea pe
bobin devine UL = - U0. Variaia curentului iL are loc ntre cele dou valori
iLmax i iLmin se noteaz cu iLOFF i are valoarea:
i LOFF

U0
1 D T .
L

(5.20)

Avnd n vedere cele dou scheme echivalente i regimurile de funcionare

caracteristice acestora, putem trage urmtoarele concluzii:
- modificarea curentului iL pe parcursul unei perioade de funcionare a
convertorului este nul, adic:
i LON i LOFF 0 .

(5.21)

- relaia ntre tensiunile Us i U0 rezult prin nlocuirea rel.(5.19, 5.20) n rel.

(5.21), avnd expresia:
U 0 D U s

cu

0 D 1.

(5.22)

Din rel.(5.22) rezult c valoarea tensiunii continue la ieire este mai mic
sau cel mult egal cu tensiunea continu de intrare, raportul de conversie
n tensiune al convertorului(M(D)) fiind egal cu factorul de umplere,
adic M(D) = D.

120

- curentul mediu prin inductor IL va fi egal cu curentul mediu prin rezistor Io,
astfel nct:
IL I0

U0
.
RL

(5.23)

- pentru ca funcionarea convertorului s fie continu, adic ILmin > 0,

curentul de sarcin IL variaz ntre cele dou valori ILmin i ILmax date de
relaiile:
I L max I L

1
i L
1 D
U 0

2
RL 2 L f

I L min I L

1
i L
1 D
U 0

2
RL 2 L f

(5.24)

(5.25)

- din rel.(5.25) se poate determina valoarea minim a inductanei Lmin, pentru

o valoare considerat ca maxim, a rezistenei de sarcin:
Lmin

1 D
R L max .
2 f

(5.26)

- dac rezistena de sarcin RL crete astfel nct curentul prin circuit IL = I0

ajunge la o valoare mai mic dect iL/2, unde iL= ILmax - ILmin , curentul
devine nul pe durata unei perioade T. Astfel, durata de timp ct dioda D este
deschis (Fig.5.6) se micoreaz, astfel c apare un interval de timp n care
curentul prin circuit este ntrerupt (discontinuu). Trecerea din regimul de
curent continuu n regim de curent discontinuu se face prin modificarea
factorului de umplere D, n ipoteza meninerii valorilor L, f, RL n rel.(5.26).
- n Fig.5.6 i 5.8 condensatorul C i bobina L formeaz un filtru care are
rolul de reducere a variaiei U0 a tensiunii de ieire U0. n acest caz se
definete factorul de pulsaie r, astfel:
r

U 0
1 D

.
U0
8 L C f 2

(5.27)

Se deduce c, reducerea pulsaiilor tensiunii de ieire, se realizeaz prin

mrirea frecvenei de comutaie, a inductanei i a capacitii.
Convertorul buck este utilizat n realizarea surselor de alimentare stabilizate,
ca regulator n comutaie i la alimentarea motoarelor de c.c. reglabile n
cuplu i turaie.
121

5.2.2. Convertorul boost (ridictor de tensiune)

Schema de principiu a convertorului boost (ridictor de tensiune) este
prezentat n Fig.5.9:

Fig. 5.9: Schema convertorului boost.

Se vor considera urmtoarele scheme echivalente:
a) Schema echivalent cu comutatorul S pe poziia nchis (ON)
Analiza n acest caz este valabil n ipoteza U0 >Us , cnd dioda D este
polarizat invers.
Schema echivalent este dat n Fig.5.10:

Fig. 5.10: Schema echivalent cu S nchis.

Dioda D este blocat astfel c toat tensiunea Us a sursei este aplicat pe
inductorul L. Formele de und aferente inductorului sunt reprezentate n
Fig.5.11:

122

Fig. 5.11: Formele de und ale convertorului boost.

Se observ c, prin inductor, curentul iL are o cretere liniar ntre valorile
ILmin i ILmax, adic iL, calculat cu ajutorul relaiei:
di L U s i L

.
dt
L
t

(5.28)

Variaia iL are loc pe durata de timp tON = t =DT (Fig.5.11), dat de

relaia:
i LON

Us
D T .
L

(5.29)

De remarcat este faptul, c n acest interval de timp, ieirea convertorului

este izolat galvanic fa de intrare, energia fiind furnizat sarcinii de ctre
condensatorul C.
b) Schema echivalent cu comutatorul S pe poziia deschis (OFF)
Analiza n acest caz este valabil n ipoteza U0 < Us , cnd dioda D este
polarizat direct, iar curentul iL prin bobin descrete.
Schema echivalent este dat n Fig.5.12.

123

Fig. 5.12: Schema echivalent cu S deschis.

n intervalul t = T-DT, energia sursei de intrare mpreun cu energia
nmagazinat de bobin se transfer la ieire, aplicndu-se sarcinii format
din condensatorul C i rezistena de sarcin RL. Variaia de curent prin
inductor pentru poziia OFF a ntreruptorului S, este:
di L i L U s U o

.
dt
t
L

(5.30)

Pentru intervalul t = T-DT, din rel.(5.30) se poate scrie expresia variaia

curentului prin inductor , astfel:
i LOFF

U s U 0 1 D T
L

(5.31)

Pe parcursul unei perioade, avem o modificare nul a curentului prin

inductor, astfel c se poate scrie:
i LON i LOFF 0 .

(5.32)

nlocuind rel.(5.30, 5.31) n rel.(5.32) se poate calcula raportul de conversie

M(D) al convertorului boost, astfel:
M D

U0
1

.
Us 1 D

(5.33)

Avnd n vedere c 0 D 1, rezult o valoare a tensiunii continue U0 la

ieire mai mare sau cel mult egal cu valoarea Us a tensiunii de intrare, deci
convertorul boost realizeaz o ridicare a tensiunii continue. Pe durata ON

124

are loc o descrcare a condensatorului C cu un curent egal cu curentul prin

rezistena de sarcin, deci se poate scrie:
Q

U0
D T C U 0 ,
RL

(5.34)

unde Q este variaia sarcinii electrice pe condensator,

C este capacitatea condensatorului.
n acest caz, factorul de pulsaie al tensiunii este:
r

U 0
D

.
U0
RL C f

(5.35)

Pentru a obine o pulsaie mic a tensiunii de ieire trebuie s fie utilizate

condensatoare cu o capacitate mare i cu o rezisten de pierderi ct mai
mic. Convertoarele boost se utilizeaz n sursele de alimentare n comutaie
i n instalaiile de frnare cu recuperare a motoarelor de c.c.
5.2.3. Convertorul buck boost (step-up-down)
Noua topologie buck-boost se obine prin conectarea n cascad a celor dou
configuraii anterioare buck i boost. Schema de principiu obinut astfel
este prezentat n Fig.5.13.

Fig. 5.13: Schema de principiu a convertorului buck-boost.

Pentru aceast convertor, raportul de conversie este dat de relaia:
M D M 1 D M 2 D

U0
D

,
Us 1 D

(5.36)

125

unde M1(D) = D este raportul de conversie al convertorului buck;

M2(D) =1/(1-D) este raportul de conversie al convertorului boost.
O schem echivalent celei prezentate n Fig.5.13 este cea a convertorului
buck-boost regulator (step-down-up) reprezentat n Fig.5.14:

Fig. 5.14: Schema convertorului buck-boost regulator (step-down-up).

O alt denumire a acestei scheme este de convertor flyback neizolat.
Formele de und caracteristice funcionrii acestui convertor sunt prezentate
n Fig.5.15.

Fig. 5.15: Formele de und ale convertorului buck-boost.

Ca i n cazurile anterioare, funcionarea acestui convertor va fi analizat
pentru cele dou stri ale comutatorului S.
a) Schema echivalent cu comutatorul S pe poziia nchis (ON)
Schema echivalent a convertorului n acest caz este dat n Fig.5.16. Astfel,

126

pe poziia nchis a comutatorului S, dioda D este polarizat invers i deci n

stare de blocare. ntreaga tensiune a sursei Us = Vs este aplicat bobinei,
curentul iL are o cretere liniar i inductorul acumuleaz energie (Fig.5.15).

Fig. 5.16: Schema echivalent cu S nchis.

Variaia curentului diL/dt n starea ON se determin astfel:
di LON i LON i LON U s

,
dt
t
D T
L
U
i LON s D T .
L

(5.37)

n intervalul de timp ON = DT, condensatorul C cedeaz energie sarcinii RL.

b) Schema echivalent cu comutatorul S pe poziia deschis (OFF)
Schema echivalent pentru acest caz, este dat n Fig.5.17.

Fig. 5.17: Schema echivalent cu S deschis.

La deschiderea comutatorului S, n starea OFF, curentul iL prin inductor i
inverseaz polaritatea i dioda D este polarizat direct.
Variaia curentului diL/dt n starea OFF se determin astfel:

127

di LOFF i LOFF
i LOFF
U

0,
1 D T L
dt
t
U
i LOFF 0 1 D T .
L

(5.38)

Astfel, energia acumulat n inductor este transferat sarcinii RL i

condensatorului C.
Pe parcursul unei perioade, avem o modificare nul a curentului prin
inductor, astfel c se poate scrie:
i LON i LOFF 0 .

(5.39)

nlocuind rel.(5.37, 5.38) n rel.(5.39), se poate determina valoarea tensiunii

de ieire U0 = V0, astfel:
U 0 U s

(5.40)

D
.
1 D

Din rel.(5.36 i 5.40) rezult raportul de conversie M(D) cu semn schimbat.

Din aceast concluzie se poate afirma c tensiunea de ieire U0 a
convertorului buck-boost poate fi mai mic sau mai mare dect tensiunea de
intrare Us. Astfel, pentru D < 0,5, tensiunea de ieire este mai mic dect
cea de intrare (U0 < Us), iar dac D >0,5 tensiunea de ieire este mai mare
dect cea de intrare (U0 > Us). Se pot trage urmtoarele concluzii:
- tensiunea de ieire U0 este permanent negativ i depinde de valoarea lui D;
- tensiunea de intrare Us nu este conectat n nici un moment la sarcina de
ieire, transferul de energie realizndu-se prin intermediul inductorului;
- dispozitivul semiconductor cu care se realizeaz comutatorul S trebuie s
fie apt s suporte o tensiune mai mare fa de convertorul boost, adic U0 +
Us;
- deoarece curenii sunt pulsatorii la intrare (ca i la convertorul buck) i la
ieire (ca i la convertorul boost), este nevoie de o capacitate C de valoare
mare pentru a se obine pulsaii ale curentului de amplitudine ct mai redus.
Deoarece din punct de vedere al ieirii, convertorul este similar cu
convertorul boost, rezult c factorul de pulsaie r se calculeaz similar:
r

U 0
D

.
U0
R C f

(5.41)

128

6. CONVERSIA STATIC CONTINUU

-ALTERNATIV A ENERGIEI ELECTRICE
6.1.

PRINCIPIILE CONVERSIEI CONTINUU-ALTERNATIV

Convertoarele statice care utilizeaz conversia c.c.-c.a. se numesc

invertoare. Mrimile specifice conversiei continuu-alternativ (inversiei) sunt
ponderea armonicii fundamentale, reziduul deformant dat de armonicile
superioare i factorul de distorsiune care pot cuantifica distorsiunea
armonic a tensiunii sau curentului la ieirea invertorului. n funcie de
natura receptorului se pot utiliza filtre de tensiune, respectiv filtre de curent
pentru mbuntirea formelor de und generate de invertor.
Pentru nelegerea conversiei c.c.-c.a. se consider cea mai simpl schem de
invertor cu ajutorul creia pot fi implementate diferite tehnici de conversie
continuu-alternativ, aa dup cum rezult din Fig.6.1.

129

Fig. 6.1: Tehnici de conversie c.c.-c.a.

Structura din Fig.6.1 conine dou surse de c.c. Ud1 i Ud2 avnd tensiunile
egale (Ud1=Ud2=Ud) i dou elemente de comutaie controlabile T1 i T2.
Pentru simplificare se va considera cazul sarcinii pur rezistive R.
O prim tehnic de conversie continuu-alternativ reiese din Fig.6.1b, este
specific invertoarelor cu und plin i const n generarea alternativ a
unor pulsuri de tensiune dreptunghiulare avnd durate egale. Amplitudinea
pulsului pozitiv este +Ud, iar cea a pulsului negativ Ud. Limea pulsurilor
este impus de frecvena dorit la ieirea invertorului deoarece este egal
exact cu jumtate din perioada tensiunii alternative (tonT1= tonT2=T/2, T=1/f).
Pulsurile pozitive sunt generate prin conectarea sursei Ud1 la sarcin de ctre
dispozitivul T1 , iar pulsurile negative apar prin conectarea sursei Ud2 la
sarcin de ctre dispozitivul T2. Totdeauna cele dou elemente de comutaie
T1 i T2 vor lucra alternativ pe durata perioadei T. n practic, ntre blocarea
unui dispozitiv i aducerea n conducie a celuilalt se pstreaz o pauz
denumit timp mort pentru a permite dispozitivului care a condus s se
blocheze ferm. Astfel, ar putea s apar un scurtcircuit deoarece intrarea n
conducie a dispozitivelor semiconductoare reale se face cu o vitez mai

130

mare dect la blocare. Referitor la forma de und a tensiunii de ieire ue(t)

din Fig.6.1b se pot face urmtoarele afirmaii:
- dac intervalele de conducie ale celor dou dispozitive semiconductoare
sunt strict egale pe durata perioadei T ( t onT 1 t onT 2
valoarea medie a tensiunii ue(t) este zero:

Aria A = - Aria B),

1
1
u emed t u e t dt AriaA AriaB 0 .
T 0
T

(6.1)

- valoarea efectiv a tensiunii alternative ue(t) depinde exclusiv de

amplitudinea tensiunii continue a surselor:
1
1
2
u e t dt

T 0
T
T

Ue

T /2

U d2 dt

U
d

T /2

dt U d .

(6.2)

- tensiunea de ieire ue(t) conine o armonic fundamental util sarcinii i

armonici superioare. Cu ct forma de und se apropie mai mult de forma
dreptunghiular cu att crete ponderea armonicilor superioare. Acestea
influeneaz negativ funcionarea sarcinii de c.a. funcionare n regim
deformant. Dac sarcina invertorului este un motor de c.a. armonicile
superioare vor determina pierderi care conduc la supranclzirea acestuia.
- frecvena armonicii fundamentale poate fi modificat prin intermediul
timpilor de conducie ai celor dou dispozitive semiconductoare:
f1 f

1
1

.
T t onT 1 t onT 2

(6.3)

Dezavantajele majore ale invertorului cu und plin sunt ponderea mare a

armonicilor superioare (factor de distorsiune ridicat) i imposibilitatea
modificrii valorii efective a tensiunii alternative odat cu modificarea
frecvenei. Pentru rezolvarea acestei probleme se impune utilizarea uneia
dintre urmtoarele soluii tehnice:
- alimentarea invertorului prin intermediul unui redresor comandat capabil s
ajusteze tensiunea continu Ud. n cazul utilizrii structurii redresor
comandat-invertor cu und plin, mrimea de referin pentru frecven
aplicat invertorului este i mrime de intrare pentru redresorul comandat;
- diminuarea limii pulsurilor pozitive i negative la valori mai mici dect
jumtatea perioadei tensiunii alternative (tonT1= tonT2<T/2) aa cum se
prezint n Fig.6.1c. n acest caz, pentru aceeai frecven, ariile cuprinse
sub forma de und ue(t) vor fi mai mici (Aria A' = Aria B' < Aria A) i

131

valoarea efectiv a tensiunii alternative va putea fi controlat prin

intermediul timpilor de conducie ai elementelor de comutaie.
- tocarea (chopparea) pulsurilor dreptunghiulare de tensiune aa cum se
prezint n Fig.6.1d. n funcie de cum se aplic tehnica de choppare, rezult
dou tipuri de invertoare autonome: invertoare cu goluri de tensiune (tocare
uniform) i invertoare PWM.
6.2. TIPURI DE INVERTOARE
O clasificare a invertoarelor se prezint astfel:
a) dup numrul de faze
- invertoare monofazate,
- invertoare trifazate.
b) dup natura undei comutate
- invertoare de tensiune,
- invertoare de curent.
c) dup forma undei de ieire
- cu und dreptunghiular/cvasidreptunghiular,
- cu und modulat: n amplitudine i n lime (durat),
- cu und sinusoidal.
6.2.1. Invertorul monofazat de tensiune
n general, un invertor este de tensiune, dac la intrarea lui tensiunea este
constant. Cea mai utilizat schem de invertor monofazat de tensiune este
schema n punte dat n Fig.6.2:

Fig. 6.2: Invertorul monofazat n punte.

132

Funcionarea invertorului are la baz comanda alternativ a perechilor de

tiristoare T1, T2 (alternana pozitiv a tensiunii de sarcin uL) cu T3, T4
(alternana negativ a tensiunii de sarcin uL).
Dac sarcina invertorului este pur rezistiv (R 0 i L = 0) comanda
alternativ a perechilor de tiristoare T1, T2 i T3, T4 , determin conectarea
sursei de c.c. E n mod alternativ pe sarcin ceea ce genereaz forme de und
dreptunghiulare ale tensiunii uL, n faz cu iL , dup cum rezult din Fig.6.3.

Fig. 6.3: Formele de und pentru sarcina pur rezistiv R 0 i L = 0.

Tiristoarele sunt comandate cu trenuri de impulsuri ig1...ig4 avnd durata de
180o, adic , fiind corelate cu mrimile de la bornele sarcinii uL i iL. n
timpul conduciei tiristoarelor T1 i T2 , tensiunea uL este n alternana
pozitiv. Cnd T1 i T2 se sting i T3 i T4 nc nu se se aprind, , tensiunea uL
scade brusc, iar curentul iL scade lent fiind preluat de diodele D3 i D4. n
acest caz, aceste diode realizeaz conectarea sursei de c.c. E pe sarcina R,
crend o tensiune invers la bornele acesteia. Cnd iL = 0, tiristoarele T3 i T4
intr n conducie, i din acest moment curentul intr n alternana negativ
proces ce ine pn la durata 2, dup care procesul se reia n mod periodic.
Dac sarcina invertorului este rezistiv-inductiv (R 0 i L 0),
schimbarea de sens a curentului iL este atenuat (Fig.6.4). Astfel, odat pro-

133

Fig. 6.4: Formele de und pentru sarcina rezistiv-inductiv R 0 i L 0.

cesul de comutaie fiind ncheiat, tiristorul T4 nceteaz s conduc, iar
curentul iL este preluat de dioda D4. Comutaia este considerat ideal, avnd
loc un timp foarte scurt comparativ cu perioada curentului de sarcin al
invertorului. Se observ c, n acest caz, curentul de sarcin iL este defazat n
urma tensiunii uL cu unghiul .
O tensiune reglabil la bornele sarcinii poate fi obinut de la o surs de
c.c. fix, dac n forma de und a tensiunii de sarcin uL se introduc poriuni
de zero (Fig. 6.5). Acest lucru se obine prin defazarea nainte a impulsurilor

134

Fig. 6.5: Obinerea tensiunii de sarcin reglabil.

de comand pentru tiristoarele T1, T4, fa de T2, T3 cu un unghi .
Comanda nainte a tiristorului T1 fa de T2, respectiv a tiristorului T4 fa de
T3 (Fig.6.4) echivaleaz cu dou invertoare monofazate ce lucreaz fiind
alimentate la tensiunea continu de E/2 (Fig.6.5). Astfel, se obine o mai
bun aproximare a undei sinusoidale. Se observ c reglarea formei de und
a tensiunii la bornele sarcinii se poate face prin:
- modificarea limii impulsurilor cu unghiul pentru o amplitudine a
tensiunii la borne E constant;
- modificarea amplitudinii tensiunii la borne de la valoarea E la valoarea E/2,
cu meninerea limii impulsurilor constant.
Pentru obinerea unei reglri a tensiunii uL att n amplitudine ct i n durat
(lime) n scopul unei mai bune aproximri cu unda sinusoidal, se propune
utilizarea metodei MLI-PWM.
6.2.2. Invertorul monofazat de curent
n general, un invertor este de curent, dac la intrarea lui curentul Id este
constant. Cea mai utilizat schem de invertor monofazat de curent este
schema n punte dat n Fig.6.6. Funcionarea invertorului are la baz
conducia tiristoarelor T1 , T2 pentru alternana pozitiv a tensiunii de sarcin
uL i a tiristoarelor T3 , T4 pentru alternana negativ a aceleeai tensiuni.
Curentul de sarcin iL are forma dat n Fig.6.7, alternnd ntre valorile + Id
i - Id. n general aceste invertoare se utilizeaz la puteri mari (10 2 kW), fapt
pentru care sunt realizate cu tiristoare.

135

Fig. 6.6: Schema invertorului de curent.

Fig. 6.7: Forma de und a curentului de sarcin al invertorului de curent.

Pentru comutaia tiristoarelor se introduc suplimentar circuite de comutaie
cu condensatoare, care asigur procesul de comutaie forat. Diodele
D1....D4 sunt introduse n schem pentru a evita descrcarea
condensatoarelor pe sarcina R,L, fenomen posibil i nedorit n zona
frecvenelor reduse. Stingerea tiristoarelor T1,T2 se realizeaz prin amorsarea
tiristoarelor T3,T4.
n prima etap curentul iL trece pe traseul T3-C1-D1-sarcina R,L i D2-C2-T4.
Condensatoarele ncrcate se descarc i schimb polaritatea curentului iL
prin sarcin. Astfel, curentul prin condensatoare devine zero i curentul iL
schimb de semn fiind comutat de pe diodele D1,D2 pe diodele D3,D4 i
tiristoarele T1,T2 se blocheaz prin aplicarea tensiunilor condensatoarelor
C1,C2 ca tensiuni inverse. Alegerea valorilor condensatoarelor se face astfel
nct tensiunile la bornele acestora s poat asigura blocarea tiristoarelor ce
urmeaz a fi deconectate.

136

6.2.3. Invertorul monofazat PWM

Principiul metodei de control PWM, pentru redresoare i convertoarele c.c.c.c. a fost deja prezentat (cap. 4, 5).
6.2.3.1. Metoda de control cu modulaia n lime/durat (MLI-PWM)
n ceea ce privete aceast metod, pentru invertoare, ea este mai complex
deoarece la ieirea invertorului tensiunea sinusoidal trebuie s poat fi
reglat n amplitudine i frecven.
Pentru a obine la ieirea invertorului o tensiune sinusoidal, reglabil, la
o frecven dorit, se procedeaz la compararea ntre un semnal de
tensiune sinusoidal reglabil la frecvena dorit cu o und triunghiular a
crei frecven stabilete frecvena de comutaie a invertorului i a crei
amplitudine este constant. Acest fapt este prezentat n Fig.6.8 i 6.9 pentru
braul unei semipuni invertoare monofazate.

Fig. 6.8: Braul unei semipuni invertoare monofazate.

Notaii utilizate:
Ud = Vd este tensiunea continu la intrarea invertorului;
TA+ este dispozitivul semiconductor ce conduce n semialternana pozitiv;
TA - este dispozitivul semiconductor ce conduce n semialternana negativ;
DA+ este dioda ce conduce cnd TA+ este blocat;
DA - este dioda ce conduce cnd TA - este blocat;
uAN = vAN este tensiunea alternativ de faz, la ieirea invertorului.
Semnele (+ , ) aferente acestei tensiuni alternative se refer la alternana
pozitiv.
i0 este curentul alternativ, la ieirea semipunii invertoare monofazate.
137

Fig. 6.9: Modulaia n lime/durat (MLI-PWM).

Referitor la Fig.6.9, se fac urmtoarele precizri:
- unda de tensiune triunghiular utri se numete und purttoare i are
frecvena de comutaie fs i amplitudinea U tri . Frecvena fs denumit
frecvena purttoarei este frecvena la care sunt comandate dispozitivele
semiconductoare ale invertorului.
- unda de tensiune sinusoidal ucontrol se numete und modulatoare, are
amplitudinea U control i frecvena f1 denumit frecven modulatoare. Aceast
frecven este frecvena dorit a fundamentalei tensiunii alternative de la
ieirea invertorului. Implicit rezult c tensiunea alternativ de la ieirea
invertorului nu este perfect sinusoidal, coninnd armonici ale frecvenei f1.
- factorul de modulaie n amplitudine se definete astfel:
ma

U control
.
U
tri

(6.4)

138

n general, se menine U tri = constant. De obicei acest factor de modulaie

este subunitar, adic ma 1(cazul modulaiei liniare). Exist i cazul
supramodulaiei cu ma > 1, caz n care tensiunea de ieire a invertorului
conine numeroase armonici n benzile laterale de frecven. Pentru valori
suficient de mari ale factorului ma, tensiunea de ieire a invertorului devine
dreptunghiular.
- factorul de modulaie n frecven se definete astfel:
mf

fs
.
f1

(6.5)

Dispozitivele semiconductoare TA+ i TA sunt controlate pe baza comparaiei

tensiunilor ucontrol i utri, rezultnd urmtoarele tensiuni independente de
sensul curentului i0 (vezi i Fig.6.9)
ucontrol > utri , TA+ este conectat (ON), iar uA0 = Ud / 2,
(6.6)

ucontrol < utri , TA este conectat (ON), iar uA0 = Ud / 2.

n cazul n care cele dou dispozitive semiconductoare nu sunt deconectate
simultan niciodat, tensiunea uA0 variaz ntre valorile Ud / 2 i Ud / 2.
6.2.3.2. Schema n punte monofazat a invertorului PWM
Schema n punte monofazat a invertorului PWM este reprezentat n
Fig.6.10.

Fig. 6.10: Schema n punte monofazat a invertorului PWM.

139

Fa de schema din Fig.6.8, aceast schem prezint avantajul c, la aceeai

tensiune de intrare, tensiunea maxim la ieirea ei este dubl. Rezult deci c
aceast schem poate fi utilizat la puteri mai mari, fa de precedenta
schem. n cazul acestui tip de invertor se utilizeaz dou tehnici de
comand PWM, i anume:
- comanda PWM cu comutaie bipolar a tensiunii;
- comanda PWM cu comutaie unipolar a tensiunii.
A. Comanda PWM cu comutaie bipolar a tensiunii
n schema din Fig.6.10 se consider urmtoarele dou perechi de dispozitive
semiconductoare n opoziie de comutaie:
- perechea 1 n care comut simultan TA+ , TB pentru alternana pozitiv a
tensiunii de ieire u0 a invertorului;
- perechea 2 n care comut simultan TA , TB+ pentru alternana negativ a
tensiunii de ieire u0 a invertorului.
La acest tip de comand ntre punctele A i B tensiunea u0 prezint salturi
bipolare de la +Ud la Ud ntr-o perioad de comutaie. Acest lucru se
realizeaz, ca i n cazul precedent prin compararea tensiunii ucontrol cu
tensiunea utri (Fig.6.11a).

140

Fig. 6.11: Comanda PWM cu comutaie bipolar a tensiunii.

Astfel cnd TA+ conduce (ON), tensiunea uA0 este egal cu Ud / 2 i
simultan conduce TB (ON), tensiunea uB0 este egal cu Ud / 2. Astfel:
uB0(t) = uA0(t)

u0(t) = uA0(t) uB0(t) = 2 uA0(t).

(6.7)

Forma de und a tensiunii de ieire u0 este dat n Fig.6.11b sub forma

armonicii fundamentale u01, a crei valoare de vrf este:
U 01 m a U d , pentru

ma 1.

(6.8)

Deoarece tensiunea u0 prezint salturi bipolare de la +Ud la Ud ntr-o

perioad de comutaie, aceast tehnic PWM se numete cu comutaie
bipolar a tensiunii.
B. Comanda PWM cu comutaie unipolar a tensiunii
Aceast comand se refer tot la schema din Fig.6.10, n care comanda celor
dou brae A i B ale punii se aplic separat avnd la baz compararea
tensiunii utri cu tensiunile ucontrol i ucontrol respectiv. Dup cum rezult din
Fig.6.12a, din compararea tensiunii ucontrol cu tensiunea triunghiular utri se
obin urmtoarele semnale logice pentru comanda (controlul) celor dou
brae ae punii monofazate. Astfel se pun n eviden urmtoarele:
- pentru braul A al punii (Fig.6.12b)
ucontrol > utri , TA+ este conectat (ON), iar uAN = Ud,
(6.9)

ucontrol < utri , TA este conectat (ON), iar uAN = 0.

- pentru braul B al punii (Fig.6.12c)
ucontrol > utri , TB+ este conectat (ON), iar uBN = Ud,
(6.10)

ucontrol < utri , TB este conectat (ON), iar uBN = 0.

Datorit diodelor de circulaie invers conectate n antiparalel cu
dispozitivele semiconductoare (Fig.6.10), tensiunile din rel.(6.9 i 6.10) sunt
independente de sensul curentului de ieire i0 . Formele de und din Fig.6.12
arat c exist urmtoarele patru combinaii ale strilor de conectare i
nivelurilor corespunztoare de tensiune:
1. TA+ , TB conectate (ON): uAN = Ud, uBN = 0, u0 = Ud ;
2. TA , TB+ conectate (ON): uAN = 0, uBN = Ud, u0 = Ud ;
3. TA+ , TB+ conectate (ON): uAN = Ud, uBN = Ud, u0 = 0 ;
141

4. TA , TB conectate (ON): uAN = 0, uBN = 0, u0 = 0.

Fig. 6.12: Comanda PWM cu comutaie unipolar a tensiunii.

Forma de und a tensiunii de ieiere u0 este prezentat n Fig.6.12d. Se
observ c atunci cnd cele dou dispozitive semiconductoare superioare
TA+ , TB+ sunt conectate (ON) tensiunea de ieire este u0 = 0 . Curentul de
ieire depinde de unul din traseele parcurse: prin bucla TA+ i DB+ sau prin
bucla DA+ , i TB+ depinznd de sensul curentului i0 . n timpul acestui
interval, curentul de intrare id este zero. O condiie similar apare atunci cnd
cele dou dispozitive semiconductoare inferioare TA i TB sunt conectate
(ON). La acest tip de comand PWM, la fiecare comutaie, tensiunea de
ieire u0 variaz ntre valorile 0 i Ud sau 0 i Ud . Din acest motiv, aceast
142

comand este cu comutaie unipolar a tensiunii. Avantajele acestei comenzi

sunt dublarea frecvenei de comutaie i reducerea salturilor tensiunii de
ieire la fiecare comutaie de la valoarea 2Ud (comutaia bipolar) la Ud.
tensiunile uAN i uBN sunt defazate cu 180o ntre ele. De altfel, la frecvena de
comutaie, armonicile tensiunilor uAN i uBN sunt n faz, adic A B =
180o. mf = 0 o. Astfel rezult anularea componentei armonice a tensiunii de
ieire u0 = uAN uBN . n plus, benzile laterale ale armonicilor frecvenei de
comutaie dispar. n mod asemntor, la o frecven de comutaie dubl orice
alt armonic este anulat fr ca benzile laterale ale acesteia s dispar. De
asemenea, avem relaiile:
U 01 m a U d , pentru

ma 1,

(6.11)

4
U d U 01 U d

, pentru ma >1.

(6.12)

6.2.4. Invertorul trifazat de tensiune

n cele ce urmeaz se va prezenta schema unui invertor de tensiune trifazat
n punte, dup cum rezult din Fig.6.13:

Fig. 6.13: Circuitul de for al invertorului trifazat n punte.

Terminologie: Star or delta load sarcin cu conexiunea n stea sau triunghi.

143

Invertorul este alimentat de la sursa de tensiune continu constant E, are

sarcin pur rezistiv ce poate fi cu conexiunea n stea sau triunghi. Reglarea
invertorului se realizeaz printr-o comand adecvat a tiristoarelor T1....T6
ale braelor punii trifazate.
n cele ce urmeaz vor fi prezentate urmtoarele dou tipuri de comand,
frecvent utilizat la acest tip de invertoare:
A. Comanda la 120o pe ciclul de funcionare
Acest tip de comand presupune meninerea impulsurilor de comand pentru
fiecare tiristor o durat de timp echivalent a 120o electrice pe durata unui
ciclul de funcionare (a unei perioade). n Fig.6.14 este prezentat schema de
for, comanda pentru o secven n care tiristoarele T1 i T2 sunt conectate
(faza a conectat cu faza c) i formele de und ale tensiunilor i curenilor
aferente procesului.

144

Fig. 6.14: Schema comenzii la 120o pe ciclul de funcionare.

Terminologie: Thyristor firing period-durata de comand a tiristoarelor, Load line voltage-tensiunea de
linie a sarcinii, Load line currents- curenii de linie ai sarcinii, Thyristors on-conectarea tiristoarelor.

Se observ c formele de und ale curenilor ia, ib, ic prin sarcina rezistiv
sunt cvasidreptunghiulare deoarece fiecare tiristor conduce o treime de
perioad, adic 120o electrice pe ciclu de funcionare. Din Fig.6.14b se vede
c tiristoarele conduc dou cte dou n acelai timp, conectnd sursa de c.c.
la bornele sarcinii de 6 ori pentru un ciclu de funcionare (o perioad). De
aceea acest regim de funcionare se numete n 6 pai (six step). Tensiunea
de linie uab = vab la bornele sarcinii este cvasidreptunghiular prezentnd 6
trepte (pai) pentru o perioad.
La comanda cu 120o electrice pe ciclu de funcionare, tiristoarele sunt mai
slab utilizate, dar au un timp de gard ntre dou impulsuri succesive de 60o
145

electrice pentru a evita intrarea concomitent a dou tiristoare de pe aceeai

ramur (ex. T1 cu T4). n acest mod se evit scurtcircuitul pe sursa de
alimentare. n acest sens, diodele conectate n antiparalel cu tiristoarele
preiau curenii cnd tiristoarele sunt blocate.
B. Comanda la 180o pe ciclul de funcionare
Acest tip de comand presupune meninerea impulsurilor de comand pentru
fiecare tiristor o durat de timp echivalent a 180o electrice pe durata unui
ciclul de funcionare (a unei perioade). n acest caz, sursa de c.c. este
conectat la bornele sarcinii rezistive, de exemplu, prin intermediul unui
tiristor de pe o ramur (T2) i a altor dou tiristoare (T1, T3) de pe celelalte
dou ramuri. Fig.6.15 prezint schema de for, comanda secvenial pentru
tiristoare i formele de und ale tensiunilor i curenilor aferente procesului,
pentru cazul sarcinii pur rezistive.
n Fig.6.15c sunt date formele de und pentru cazul sarcinii inductive a
invertorului. n acest caz se observ o defazare a curentului de sarcin (de
ex. curentul ia prin faza a a sarcinii) fa de tensiunea aceleai faze a sarcinii.
n acest caz, cnd tiristorul T1 este comandat, tiristorul T4 este blocat datorit
faptului c, curentul de sarcin care nu-i schimb nc sensul parcurge
dioda D1.

146

(c)

Fig. 6.15: Schema comenzii la 180o pe ciclul de funcionare.

Terminologie: Thyristor firing period-durata de comand a tiristoarelor, Line voltage-tensiunea de linie a
sarcinii, Line currents- curenii de linie, Thyristorcurrents-curenii prin tiristoare, Thyristors on-conectarea
tiristoarelor.

147

C. Comanda PWM (MLI)

n cazul invertoarelor trifazate, comanda PWM asigur controlul formelor de
und ale tensiunilor trifazate de ieire n amplitudine i frecven avnd la
intrare tensiunea constant de alimentare E (Fig.6.13). Pentru obinerea unui
sistem al tensiunilor de ieire echilibrat i simetric, n invertoarele trifazate
PWM, se compar aceeai tensiune triunghiular (utri) cu cele trei tensiuni de
referin sinusoidale (ucontrolA, ucontrolB i ucontrolC) decalate ntre ele cu 120o,
dup cum se arat n Fig.6.16.

Fig. 6.16: Formele de und ale invertorului trifazat n punte cu comand

PWM.

148

n aceast figur sunt reprezentate impulsurile de comand primite de

tiristoarele T1.......T6, cele trei tensiuni de faz (ua, ub, uc) i tensiunea de linie
uab. Amplitudinile acestor tensiuni sunt egale cu valoarea tensiunii continue
E, de la intrarea invertorului. Se pot face urmtoarele considerente:
- la valori reduse ale factorului de modulaie n frecven mf (rel.6.5), pentru
eliminarea armonicilor pare se utilizeaz o comand sincronizat PWM
astfel nct mf s fie un numr ntreg impar. Astfel, pentru eliminarea
armonicilor dominante n forma de und a tensiunii de linie, factorul mf
trebuie s fie multiplu de 3.
- la valori mari ale factorului mf , rmn valabile considerentele de la
invertoarele PWM monofazate;
- n cazul supramodulaiei cu ma > 1 sunt valabile considerentele pentru
valorile reduse ale factorului de modulaie n frecven mf .
n cazul modulaiei PWM liniare, adic pentru ma 1, armonica
fundamental a tensiunii de linie uab la ieirea invertorului variaz liniar cu
factorul ma . Astfel, valoarea de vrf a armonicii fundamentale a tensiunii de
linie uab , pentru un bra al invertorului este:

ab 1

ma

E
.
2

(6.13)

7. CONVERSIA STATIC ALTERNATIV

-ALTERNATIV A ENERGIEI ELECTRICE
7.1.

PRINCIPIILE CONVERSIEI ALTERNATIV-ALTERNATIV

Prin conversia static alternativ-alternativ se realizeaz urmtoarele:

- modificarea valorii efective a tensiunii alternative n condiiile meninerii
constante a frecvenei acesteia;
- modificarea frecvenei i valorii efective a tensiunii alternative.
7.1.1. Modificarea valorii efective a tensiunii alternative
Modificarea valorii efective a tensiunii alternative n condiiile meninerii
constante a frecvenei acesteia se realizeaz cu ajutorul unor convertoare
statice numite variatoare de tensiune alternativ. Principalele aplicaii n
care sunt utilizate variatoarele de tensiune alternativ sunt urmtoarele:
pornirea uoar a motoarelor asincrone, reglarea vitezei motoarelor de c.a.
149

cu colector, reglarea intensitii luminoase a lmpilor cu incandescen,

reglarea temperaturii cuptoarelor sau a plitelor cu rezistene de nclzire, etc.
n Fig.7.1 sunt prezentate modalitile prin care se poate efectua acest tip de
conversie, unde pentru simplificare este considerat cazul sarcinii pur
rezistive.

Fig. 7.1: Conversia static alternativ-alternativ prin modificarea valorii

efective a tensiunii alternative n condiiile meninerii constante a frecvenei
acesteia.
n Fig.7.1a este prezentat utilizarea tiristoarelor n antiparalel sau a triacelor
n cadrul unor celule de comutaie bidirecionale cu amorsare controlat.
Astfel tiristorul T1 lucreaz n semialternana pozitiv, iar tiristorul T2
lucreaz n alternana negativ. Printr-o comand n faz cu acelai unghi
pentru ambele tiristoare, la ieirea variatorului se obine o tensiune
alternativ a crei form de und este reprezentat n Fig.7.1c. Se observ
c, valoarea efectiv a tensiunii alternative depinde de mrimea celor dou
arii haurate notate cu (+) i (), mrime care la rndul ei depinde de
valoarea unghiului de comand . Unda alternativ de la ieirea variatorului
nu este perfect sinusoidal prezentnd un factor de distorsiune ridicat n
special datorit armonicilor joase. Aceste armonici cu frecvene mici

150

influeneaz negativ att sarcinile legate la ieirea variatorului (ex. motoarele

de c.a.) ct i reeaua de alimentare. Buna funcionare a unor receptoare cum
ar fi becurile cu incandescen i rezistenele de nclzire nu este afectat de
forma de und nesinusoidal a tensiunii de ieire a variatorului.
O alt soluie de modificare a valorii efective a tensiunii alternative este
prezentat n Fig.7.1b,d, caz n care variatorul utilizeaz dispozitive
controlabile bidirecionale notate cu Tb. n acest caz, tensiunea de ieire uc se
obine prin tocarea tensiunii sinusoidale de intrare us de ctre dispozitivul
semiconductor bidirecional controlabil. Frecvena de comutaie a lui Tb este
ridicat fa de cea a tensiunii alternative (meninut constant). Astfel,
armonicile tensiunii de ieire uc au frecven nalt (egal sau multiplu cu
frecvena de comutaie a lui Tb). Aceste armonici sunt filtrate att la nivelul
sarcinii de c.a. ct i la nivelul de intrare (pentru a nu polua reeaua de
alimentare). Modificarea valorii efective a tensiunii alternative se obine prin
variaia duratei relative de conducie a dispozitivului Tb.
7.1.1. Modificarea frecvenei i valorii efective a tensiunii alternative
Modificarea frecvenei tensiunii alternative se obine prin urmtoarele dou
tehnici:
- conversia direct realizat cu ajutorul cicloconvertoarelor sau a
convertoarelor matriciale;
- conversia indirect realizat de convertoarele cu circuit intermediar de
conversie.
A. Conversia direct
Principiul conversiei directe const n construcia undelor alternative de la
ieirea convertorului prin mbinarea, ca ntr-un joc de puzzle, a unor
fragmente optim alese din tensiunile armonice aplicate la intrarea acestuia.
Pentru creterea numrului opiunilor la alegerea fragmentelor este preferat
pentru alimentare sistemul trifazat de tensiuni. Tehnicile de conversie
utilizate pot fi apreciate prin fidelitatea cu care undele de tensiune rezultate
se apropie de forma ideal a sinusoidei, avnd amplitudinea i frecvena
dorite. Deoarece, de multe ori intereseaz mai mult forma de und
sinusoidal a curentului prin sarcina de c.a., comanda convertorului este
realizat cu bucl de reacie dup curent.
Cicloconvertoarele sunt realizate cu puni transversale de tiristoare care
permit fiecrei ieiri s stabileasc o legtur n ambele sensuri cu fiecare
faz a sistemului trifazat de la intrarea convertorului. Structura acestora este
echivalent cu topologia prezentat n Fig.7.2, dac fiecare dispozitiv
151

bidirecional (fiecare ntreruptor) este realizat cu dou tiristoare legate n

antiparalel.

Fig. 7.2: Configuraia unui convertor matricial pentru conversia direct

alternativ-alternativ.
Din cauza acestei structuri calitatea conversiei realizat de cicloconvertoare
sufer. Deoarece tiristoarele sunt dispozitive semiconductoare ce nu pot fi
blocate prin comand, ele nu pot prelua fragmentele de sinusoid a cror
durat este limitat strict la dreapta. Pe lng acest dezavantaj,
cicloconvertoarele mai prezint o complexitate deosebit a comenzii i
limitarea frecvenei undei de ieire la maximum 50% din frecvena tensiunii
de intrare.
Dac n locul tiristoarelor se utilizeaz celule de comutaie bidirecionale
controlabile, performanele conversiei directe cresc foarte mult. Se obine n
acest fel convertorul matricial, prezentat n Fig.7.2. Utilizarea pe scar larg
a convertoarelor matriciale se lovete de urmtoarele dificulti tehnologice:
greutatea obinerii modulelor de comutaie bidirecionale, necesitatea unor
senzori de curent pe ramurile de circuit ale convertorului pentru controlul
momentelor de comutaie, complexitatea comenzii, etc. n plus, apare
dezavantajul unei rate de transfer subunitare ntre valoarea efectiv a
tensiunii de ieire i valoarea efectiv a tensiunii de intrare. Din acest motiv
nu pot fi utilizate ca sarcini motoarele de c.a. clasice n regim nominal de
alimentare. Varianta unor motoare proiectate i fabricate special pentru
tensiuni mai reduse se justific doar n aplicaiile n care avantajele
convertoarelor matriciale devin foarte importante. Aceste avantaje deosebite
sunt urmtoarele:

152

- topologia convertoarelor matriciale asigur de la sine funcionarea n 4

cadrane fr conceperea unor structuri speciale n acest scop;
- pot fi implementai algoritmi de comand prin care este asigurat o
funcionare ecologic pentru reeaua de alimentare (cureni sinusoidali n
faz cu tensiunea);
- nu necesit prezena unor filtre importante;
- au gabarit i mas reduse.
Conform Fig.7.2 filtrul capacitiv de la intrarea convertorului matricial
oprete propagarea perturbaiilor de nalt frecven n reeaua de distribuie
a energiei electrice. Aceste perturbaii apar drept consecin a comutaiilor
dispozitivelor bidirecionale, dar aa cum s-a precizat anterior, avnd n
vedere frecvenele mari de comutaie, filtrul are o valoare redus. Spre
deosebire de cicloconvertorul realizat cu tiristoare, frecvena curenilor sau a
tensiunilor ua, ub, uc de la ieirea convertorului matricial poate fi att mai
mic, ct i mai mare dect frecvena tensiunilor de alimentare uR, uS, uT.
B. Conversia indirect
Conversia indirect se realizeaz n urmtoarele dou etape:
- o conversie alternativ-continuu realizat prin intermediul unui redresor;
- o conversie continuu-alternativ realizat prin intermediul unui invertor
autonom.
ntregul proces de conversie indirect se realizeaz prin intermediul unui
convertor de frecven cu circuit intermediar de c.c., prezentat n Fig.7.3.

Fig. 7.3: Configuraia convertorului de frecven cu circuit intermediar

de c.c.
Redresorul este de obicei necomandat (cu diode), caz n care inductana Lf
nu este necesar, fiind preferat doar un filtru capacitiv Cf. Se poate utiliza un
redresor complet comandat (cu tiristoare) pentru modificarea tensiunii Ud n
circuitul intermediar (implicit i a tensiunii efective alternative Ue), caz n
care prezena inductanei Lf este obligatorie. Aceast inductan
mbuntete performanele filtrului i contribuie la atenuarea perturbaiilor
153

introduse n reea de redresor prin reducerea factorului de distorsiune al

armonicilor de curent. Pentru evitarea polurii reelei se poate utiliza un
redresor PWM.
De asemenea, n cazul n care convertorul de frecven trebuie s permit
circulaia puterii n ambele sensuri, se impune ca redresorul s fie
bidirecional. n caz contrar, n circuitul intermediar de c.c. trebuie s fie
introdus o rezisten de frnare Rfr care s consume energia preluat de
invertor de la sarcin. n circuitul intermediar de c.c. ntlnim tensiuni i
cureni mari precum i o frecven sczut a pulsurilor ce trebuie filtrate.
Astfel, apare necesitatea unui filtru important capabil s suporte valorile
ridicate ale tensiunilor i curenilor. Rezult deci un filtru scump i cu
gabarit mare. Aceste considerente sunt valabile pentru invertorul autonom
surs de tensiune (Voltage Source Inverter-VSI).
Dac invertorul autonom prezint caracterul de surs de curent (Current
Source Inverter-CSI), filtrul este format doar din inductana Lf de valoare ct
mai mare (pentru asigurarea unui curent continuu constant). Invertorul
autonom poate fi unul din cele prezentate la seciunea de conversie continuualternativ. n prezent sunt preferate invertoarele PWM. Deoarece la aceste
tipuri de convertoare, filtrul pune probleme de multe ori nedorite, se poate
recurge la soluia convertoarelor matriciale.

154