Tapia Robledo Luis Ricardo

Fundamentos de ingeniera electrnica

IIN 5C
12/ Febrero/ 2015

CONFIGURACIONES DEL BJT.

CONFIGURACIN EN BASE COMN.
La zona que ms nos interesa es la zona activa, por lo tanto a continuacin
analizaremos esta zona. La zona p de base suele ser muy estrecha en la realidad,
ms tarde veremos porque. En el siguiente dibujo no dibujamos WE y WC para no
emborronar el dibujo.

Figura 105. Funcionamiento de la zona activa, configuracin BC.

El negativo de la pila V EE repele los electrones de la zona del emisor que cruzan la
UE. Algunos electrones cruzan la UE y pasan por la zona p de la base sin
recombinarse. Debido a la pila puede que un electrn cruce la barrera de potencial
de la UE. Despus ese electrn baja la barrera de potencial de la UC para salir por
el colector.

Figura 106. Barrera de potencial.

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Esto es el efecto transistor de n a p, tiene que subir la barrera de potencial pero

luego es ms fcil porque tiene que bajar la barrera. De los electrones emitidos
por el emisor, aproximadamente un 1 % se recombina en la base y un 99 % no se
recombina y llega al colector, esto es el efecto transistor. La palabra colector viene
de ah, el colector "Colecta" los electrones, los recoge, eso es el "Efecto
transistor". La base es muy estrecha y adems est muy poco impurificada, esa es
la razn de que la probabilidad de que un electrn se recombine sea muy pequea
(por ejemplo el 1%). El emisor emite electrones, el colector los recoge, y la base
es un dispositivo de control.
El convenio que tenamos con el diodo era:

Figura 107. El Diodo

En el transistor tambin tomamos criterios, todas la corrientes entrantes, es como
un nudo.

Figura 108. El Transistor.

EJEMPLO: IE = 100mA, se recombinan el 1 % y no se recombinan el 99 %. Por lo
tanto: IB = 1mA y IC = 99mA. Los signos como siempre, si va a favor del electrn es
negativo y si va en contra positivo.

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En los problemas por comodidad se suele cambiar de direccin a I E para que sea
positivo.

Figura 109. Convencin para las corrientes en el transistor.

Aqu debemos definir una cantidad llamada alfa y se describe con la letra griega,
. En condiciones de DC, los niveles de I C e IE, estn relacionados de acuerdo a lo
ya explicado. Y esta relacin est dada por la cantidad, .
DC= Ic / Ie 1.5
Los valores de alfa estn entre 0,90 y 0,998. Alfa solamente define los portadores
mayoritarios, entonces, la ecuacin 1.5 quedar as:
Ic = Ie + ICBO 1.6
Si IE = 0mA. IC ser por lo tanto igual ICBO. Pero ICBO es una magnitud muy pequea.
Por lo tanto, IC ser igual a IE.

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CONFIGURACIN EN EMISOR COMN.

Esta configuracin es la ms utilizada. Como en la configuracin en Base
solo analizaremos la zona activa.

Comn

Figura 110. Transistor en configuracin de Emisor Comn.

Como en el caso anterior solo el 1 % se recombina y el 99 % no se recombina. La
direccin de IE la cambiamos como en la configuracin anterior.

Figura 111. Transistor

Ganancia de corriente cc:

A veces (casi siempre) se desprecia la I B, por ser muy pequea, en comparacin

con la IC.

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CONFIGURACIN EN COLECTOR COMN.

Figura 112. Polarizacin de Emisor comn para un transistor PNP.

En la figura 112 vemos la ltima de las tres posibles configuraciones de un
transistor con las direcciones de corriente y su notacin de voltaje correcto. El uso
ms comn que a esta configuracin se le da, es de un circuito de acople de
impedancias. En su entrada posee una impedancia muy alta y en su salida una
impedancia muy baja.
Si conectamos una resistencia R entre el emisor y tierra, con el colector
tambin conectado a tierra, fcilmente podramoscomprender que es un circuito
similar a la configuracin de emisor comn. Por lo tanto, no se requiere de un
conjunto de caractersticas de colector comn para seleccionar los parmetros del
circuito al momento de realizar un diseo. La curvas se grafican como I E en funcin
de VCE para un rango de valores de IB.