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Tavares, C. J.
Produo e caracterizao de revestimentos
nanoestruturados em multicamadas de TiAlN/Mo
http://hdl.handle.net/1822/3548
Metadados
Data de Publicao
Resumo
Tipo
2002
Multilayers have been an object of growing interest over the past years.
As suggested by Koehler in 1970, a strengthening effect can be obtained
by using alternate layers of materials with high and low elastic constants.
Several examples of this effect have been reported where multilayers
revealed hardness values higher than those calculated by the ruleof-mixtures. This behaviour requires a nanometer-scale multilayer
periodicity below a certain value in order to reduce dislocation motion
across...
doctoralThesis
http://repositorium.sdum.uminho.pt
Quando se aplica num determinado slido uma fora normal directa (FN)
uniformemente ao longo da sua seco de corte (A) as tenses internas so distribudas
tambm uniformemente e diz-se ento que o slido encontra-se sobre um estado de tenso
uniforme:
=
FN
A
Eq. 4.5.1
L =
L
L
Eq. 4.5.2
Eq. 4.5.3
Quando um slido est sujeito a uma fora normal o seu comprimento tanto pode
variar longitudinalmente (L) como lateralmente (d). A razo entre as deformaes laterais
e longitudinais d-nos a razo de Poisson de um slido:
=
d = LAT
L
L
L
Eq. 4.5.4
FT
A
Eq. 4.5.5
163
b)
a)
c)
FT
FT
Figura 4.5.1 Esquema elucidativo das trs fases que levam um slido a deformar-se
angularmente: a) aplicao de foras tangenciais (FT) de igual mdulo e sentidos diferentes; b)
deslizamento entre camadas do slido devido s tenses de cisalhamento (); c) deformao
resultante.
= G
Eq. 4.5.6
E
2(1 + )
Eq. 4.5.7
Ga x
=
sin 2
2d a
Eq. 4.5.8
a)
b)
x
164
Para valores muito pequenos de x/a, a eq. 4.5.8 reduz-se seguinte expresso:
=G
x
d
Eq. 4.5.9
A tenso crtica de cisalhamento para a qual a rede cristalina fica instvel dada pelo mximo
de :
c = G
a
2d
Eq. 4.5.10
Figura 4.5.3 Esquema ilustrativo das direces de empilhamento mais compacto <110>
numa estrutura fcc [37]. Neste esquema tambm visvel a sequncia de estratos atmicos
compactos ABC.
Na maior parte dos cristais referentes a metais com estrutura cbica de faces centradas
(fcc terminologia mais usual) os planos octadricos {111} e as direces de empilhamento
mais compacto <110> constituem o sistema de escorregamento; como se pode depreender da
fig. 4.5.3. Existem 8 planos {111} na clula unitria fcc, contudo os planos em faces opostas
do octaedro so paralelos entre si; da que restem somente 4 conjuntos de planos octadricos.
Cada plano {111} contm trs direces <110> resultando em 12 sistemas possveis numa
165
rede fcc. O vector de rede mais curto na clula fcc o que liga um tomo no vrtice do cubo a
outro numa das faces; da que o vector de Burger seja b=(ao/2)[110], com mdulo a o
2.
166
interface entre ambos ocorrem estes defeitos de modo que haja coerncia interfacial. Este
defeito pode ser imaginado como se tratasse da introduo de um semiplano adicional na rede
cristalina, que penetra em cunha na estrutura existente. Deslocaes deste tipo so indicadas
pelo smbolo , colocado de forma a apontar apara o semiplano adicional.
F
Figura 4.5.4 Representao do circuito de Burger em torno de uma deslocao em cunha que
ocorre durante a deformao plstica de um cristal [38,39]. O circuito aberto porm o seu
fecho requer um vector b, denominado vector Burger. b perpendicular linha de deslocao
em cunha.
Como foi visto na seco 3.3.7 relativa observao por TEM das amostras, o
desajuste estrutural relativo s distncias interplanares de (111)TiAlN e (110)Mo de ~16%.
Devido a este desajuste de rede interplanar, ou outros defeitos no crescimento cristalino,
criam-se tenses internas que servem de embrio s deslocaes. De modo a que as interfaces
permaneam coerentes existe a necessidade da introduo de deslocaes, como se pode ver
no caso da seco de corte vista por HRTEM de uma amostra com =6 nm patente na fig.
4.5.5. A camada escura refere-se ao Mo enquanto que a mais clara a do TiAlN. A
deslocao em cunha ocorre na parte superior da camada de Mo de uma forma peridica de
modo que haja coerncia entre os planos atmicos oblquos (franjas) de ambos os materiais.
A teoria prev que no caso de crescimento epitaxial qualquer camada de material que
tenha um desajuste estrutural com o substrato inferior a ~9% crescer pseudomrficamente
[40], i.e. para pequenas espessuras de filme o depsito ser deformado elasticamente de modo
que tenha a mesma distncia interatmica (parmetro de rede) que o substrato. A subsequente
interface seria coerente com tomos alinhados face a face em ambos os lados. Com o
crescimento do filme, e ao atingir-se uma espessura crtica, a energia elstica de deformao
tambm aumentaria, excedendo eventualmente a energia associada estrutura livre de
tenses. Consistiria ento num conjunto de deslocaes dispersas entre regies de bom ajuste
de rede. Nesta situao, um filme inicialmente deformado d lugar a uma estrutura relaxada
onde as deslocaes geradas aliviam parte do desajuste. medida que o filme continua a
crescer esse desajuste atenuado at que para uma espessura infinita a deformao seja
eliminada.
167
O tipo e densidade de deslocaes que ocorrem num dado material esto directamente
relacionados com a energia requerida para formar a deslocao. Na vizinhana prxima da
linha de deslocao as ligaes dos tomos esto fortemente tencionadas, estando as posies
atmicas deslocadas comparativamente s do cristal perfeito. A energia deste meio
elasticamente deformado pode ser expressa como [38]:
E = Gb 2
Eq. 4.5.11
12
Eq. 4.5.12
169
Eq. 4.5.13
onde uma constante. De modo a relacionarem esta tenso com o tamanho de gro
cristalino consideraram que n ser maior em gros onde a fonte geradora de deslocaes
encontra-se no seu centro, i.e. existe um conjunto de n deslocaes (positivo) que impingem
na fronteira de gro numa das pontas do plano de escorregamento e outro conjunto similar
(negativo) que tambm impinge na fronteira e que se encontra na outra ponta do plano de
escorregamento. Dado que esta interaco dos conjuntos positivo e negativo de deslocaes
est confinada, na sua maior parte, no centro do gro, numa primeira aproximao, ambas as
partes dos conjuntos podem ser tratadas separadamente. Assim, o nmero mximo de n para
qualquer pode ser calculado pela relao que o comprimento de um conjunto de n
deslocaes idnticas sob tenso igual a metade do dimetro do gro (Dg/2). Eshelby, Frank
e Nabarro [45] chegaram a uma expresso para o comprimento desse mesmo conjunto de n
deslocaes idnticas sob tenso como sendo igual a 2nA/, onde A representa uma constante:
A=G
b
2(1 )
Eq. 4.5.14
D g 2
Eq. 4.5.15
4A
Na prtica em cristais reais, quando se aplica uma tenso de cisalhamento () existe uma
reaco intrnseca (o) ao movimento das deslocaes, e independente de . Logo a eq. 4.5.15
deve ser reescrita do seguinte modo:
=
( o )2 D g
4A
Eq. 4.5.16
Eq. 4.5.17
Quando aproxima-se do valor terico da resistncia de um material (t) temos que *=c e
consequentemente:
170
t ( c o ) D g
2
Eq. 4.5.18
c = o + K Dg
12
Eq. 4.5.19
171