PRACTICA 2

DIODOS RECTIFICADORES
Objetivos:
1. Identificar el comportamiento rectifcate en el diodo
2. Identificar el nodo (regin P) y el ctodo (regin N) en un diodo rectificador.
3. Obtener y comparar las curvas caractersticas (V-I), de diodos rectificadores
de silicio y germanio. En cada caso determinar el valor del voltaje de umbral y
calcular las resistencias esttica y dinmica en la regin directa de conduccin,
para un punto de operacin Q(VB,ID) arbitrario.
4. Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva
caracterstica V-I en el voltaje de umbral y en la corriente de fuga de los diodos
rectificadores cuando varan la temperatura.
Desarrollo Experimental:
Conceptos bsicos:
El funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente:
En la zona directa se puede considerar como un generador de tensin
continua, tensin de codo (0.5-0.7 V para el silicio y 0.2-0.4 V para el
germanio).Cuando se polariza en inversa se puede considerar como un circuito
abierto. Cuando se alcanza la tensin inversa de disrupcin (zona inversa) se
produce un aumento drstico de la corriente que puede llegar a destruir al
dispositivo.
Este diodo tiene un amplio margen de aplicaciones: circuitos rectificadores,
limitadores, fijadores de nivel, proteccin contra cortocircuitos, demoduladores,
mezcladores, osciladores, bloqueo y bypass instalaciones fotovolcaicas, etc.

Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las

siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas
suministradas por el fabricante):
1. La tensin inversa mxima aplicable al componente, repetitiva o no
(VCRRRmax o VRmax, respectivamente) ha de ser mayor (del orden
de 3 veces) que la mxima que este va a soportar.
2. La corriente mxima en sentido directo que puede atravesar al
componente, repetitiva o no (IFRM max e IF max respectivamente),
ha de ser mayor (del orden del doble) que la mnima que este va a
soportar.
3. La potencia mxima que puede soportar el diodo (potencia nominal)
ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a
soportar.
Material:
-Osciloscopio de doble trazo
-Generador de seales
-Multmetro analgico y/o digital
-Una pinza de punta
-Una pinza de corte
-6 cables caimn-caimn de 50cm
-6 cables caimn -banana de 50 cm
-6 cables banana banana de 50 cm
-4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminacin bnc y en
el otro caimn
-tablilla de conexiones (protoboard)
-2 diodos de silicio 1N4004 o equivalente
-1 diodo de germanio OAS1 o equivalente
-2 resistores de 1K a watt
-1 encendedor
-1 lupa
Experimentos:

Figura 1.a circuito propuesto para observar el comportamiento

rectifcate de un diodo. El voltaje pico de la seal de excitacin
puede elegirse entre 5 y 15 V y la frecuencia entre 60 y 1 kHz.

Figura 1.b Grafica (caractersticas elctricas) que se muestra el

comportamiento rectifcate de un diodo.

Figura 2.a Grafica del elemento rectifcate (diodo).

Figura 2 Grfica que se obtiene en el osciloscopio para el circuito de
la figura 1.a, donde V es el voltaje en el elemento bajo prueba
medido en el canal 1 del osciloscopio (canal X), e I es la corriente que
circula en el elemento (corresponde al voltaje en la resistencia
muestreadora dividido entre el valor de sta resistencia), medida en
el canal 2 (canal Y) del osciloscopio.

Distinguir el comportamiento hmico para diferentes elementos

electrnicos, mediante el uso de un multmetro en su funcin de
hmetro_
Cuando un multmetro en su funcin de hmetro, se usa para
identificar las terminales de un dispositivo, requiere que se conozca
previamente cul de sus terminales es positiva (voltaje de la batera
interna del mismo) y cul de ellas es negativa, ya que en base a esto,
podremos saber cundo un par de terminales de algn dispositivo, se
polariza directa o inversamente y de esta manera conocer en forma
indirecta el tipo de regiones ,(P o N), que dicho dispositivo contiene
entre esas es la positiva y cual es la negativa en el hmetro, use un
multmetro en su funcin de voltmetro, tal como se ilustra en la
figura 3.

Figura 3 Circuito equivalente de un hmetro analgico y la forma de

medir cul terminal es positiva y cual es negativa_.
Despus de realizar las mediciones que se indican en la figura 3,
lleve a cabo las mostradas en la figura 4 y reporte las lecturas que se

indican en la tabla 1. Para este punto se recomienda al alumno el uso

de un multmetro analgico y que elija la misma escala para la
realizacin de todas las mediciones que haga, con el fin de que
pueda hacer una adecuada comparacin entre las lecturas tomadas.

Figura 4.a Diodo bajo prueba

Diodo (comportamiento rectifcate)
Figura 4 Mediciones que permiten identificar con ayuda del hmetro,
el comportamiento rectifcate (diodo).

Tabla 1 Mediciones de resistencia realizadas con el hmetro para el

caso de un resistor y un diodo rectificador.
4. Identificar el nodo (regin P) y el ctodo (regin N), en un diodo
rectificador. Para la identificacin de las terminales de un diodo
rectificador, se pueden emplear diferentes mtodos, se sugiere que
se haga usando un hmetro analgico y se llene la tabla 2.Debido a
que un diodo rectificador presenta comportamiento rectifcate, Si el
nodo polariza con voltaje positivo (mayor al voltaje de umbral) con
respecto al ctodo, el diodo conduce corriente apreciable,
comportndose como una pequea resistencia ( a esto se le conoce
como polarizacin directa) y cuando se invierte esa polaridad en el
diodo, la corriente que circula es despreciable, comportndose como
una resistencia muy grande (polarizacin inversa).Tomando en
cuenta estos conceptos, la polarizacin del hmetro y las mediciones

de la tabla 1 es posible saber en cul terminal est la regin

semiconductora P (nodo) y en cul terminal est la regin N (ctodo)
de un diodo semiconductor .

Tabla 2 Mediciones de resistencia en un diodo de Si y en uno de Ge,

polarizados directa e inversamente usando la pila interna del
hmetro.
Mediante las mediciones reportadas en la tabla 2, diga; Cul de las
terminales (Ti y T2) corresponden al ctodo y cul al nodo?
En la figura 5 dibuje con detalle la forma fsica y fas indicaciones
(letras, nmeros, rayas, etc.) de cada uno de los diodos, indicando
cul de las terminales es el nodo y cul es el ctodo.

Figura 5.a Diodo de Silicio

Figura 5.b Diodo de Germanio

Figura 5....Dibujos de la presentacin fsica e indicaciones de los
diodos 1N4004 y A081
4. Obtener y comparar la curva caracterstica (V-I), de un diodo
rectificador de silicio y uno de germanio. En cada caso, determinar el

valor del voltaje de umbral y calcular la resistencia esttica y

dinmica en la regin directa de conduccin, para un punto de
operacin Q(VD,ID) arbitrario.
Armar el circuito de la figura 6, colocar las terminales del osciloscopio
como se muestra (usndolo en su modo XY) y obtener la curva
caracterstica V-I, primero para el diodo de silicio, y posteriormente
para el diodo de germanio, reportar ambas grficas en la figura 7 y
llenar con los datos solicitados la tabla 3.

Figura 6.a Circuito propuesto para obtener la curva caracterstica de

los diodos. El voltaje pico de la seal de excitacin puede estar entre
5 y 15 V y la frecuencia entre 60 y 1Khz.

Figura 6.b. Curva caracterstica de un diodo de Si.

Figura 6.c .Curva caracterstica de un diodo de Ge.

Figura 7.a. Curva caracterstica del diodo de Si.

Figura 7.b.Curva caracterstica del diodo de Ge.

Figura 7 Grficas de V-I para el diodo de Si y el de Ge, que se
obtienen en el osciloscopio usando el circuito de la figura 6.a
Tabla 3 Mediciones de voltaje de umbral y de voltaje - corriente para
el punto de operacin mximo que permite el circuito G. para el
diodo de si y para el diodo de ge a temperatura ambiente.
5. Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva
caracterstica, en el voltaje de umbral y en la corriente de fuga de los
diodos rectificadores cuando aumenta la temperatura ambiente.
5.1 Utilizando el mismo circuito de la figura 6.a, acercar un cerillo
encendido (por un tiempo no mayor a cinco segundos) al diodo bajo
prueba y reportar en la figura 8 lo que observa. Para el diodo de
silicio aumente la temperatura ambiente acercando el cerillo
encendido el tiempo que sea necesario para que observe como la
curva caracterstica del dispositivo se modifica al grado de que el
diodo se comporta como una resistencia de algunos cuantos ohms (al
aumentar la temperatura el voltaje de umbral disminuye y la
corriente de saturacin inversa crece, si este aumento de
temperatura es considerable puede hacer que el dodo se comporte
casi como un corto circuito).Despus de observar esto, retirar el
cerillo encendido y esperar que el diodo recupere su caracterstica
"normar. Puede suceder que el diodo ya no se recupere, esto significa
que ha quedado daado definitivamente, en el caso de que si se
recupere, es preferible ya no utilizarlo en otras aplicaciones, debido a
que en la mayora de los casos en que se presentan estos
calentamientos excesivos, el dispositiva queda con algunas
alteraciones que pueden dar problemas en el momento de su
aplicacin en otro circuito.

Figura 8.a... Curva caracterstica del diodo de Silicio

Figura 8.b Curva caracterstica del diodo de Germanio

Figura 8 Grficas de VI para el diodo de Si y el de Ge, que se obtienen
en el osciloscopio usando el circuito de la figura 6.a, con un
incremento de temperatura
5.2 Con el diodo que ha quedado daado o afectado por el aumento
de temperatura, usando pinzas con todo cuidado, rompa su
encapsulado y observe usando una lupa como est construido
internamente y detalle dibuje en la figura 9.

Figura 9 Diodo (construccin interna)

Cuestionario

1. Para la figura 1 Cul elemento presenta comportamiento

rectifcate? Por qu?
2. Para el circuito de la figura 1, determine: Cul sera la corriente
mxima que podra tenerse en el circuito si usa un voltaje pico de
10V y una resistencia muestreadora de 100Ohms?

3. Establezca un mtodo general para identificar un diodo

(comportamiento rectifcate), usando un hmetro.
4 .Investigue de que otra forma se puede identificar el nodo v el
ctodo de un diodo usando los multmetros digitales y Explique.

5. Cuando se polariza directamente un diodo con un voltaje menor al

voltaje de umbral, De qu orden espera medir el valor de la
resistencia equivalente que presenta el diodo?
6. Determine el valor de la resistencia esttica en la regin directa de
conduccin (para el punto de operacin con corriente de 2mA) tanto
para el diodo de silicio como para el de germanio, indique: Cul de
los dos presenta mayor resistencia esttica? (usar los resultados de la
figura 7)

7. Determine el valor de la resistencia dinmica en la regin directa

de conduccin (para el punto de operacin con corriente de 2mA)
tanto para el diodo de silicio como para el de germanio, indique:
Cul de ellas es mayor? (usar los resultados de la figura
8. Qu parmetro se debera de modificar en el circuito de la figura
6, para poder observar el voltaje de ruptura de los diodos
rectificadores?
9. Cmo es el coeficiente de temperatura del voltaje de umbral de
un diodo rectificador?

10.. Cmo es el coeficiente de temperatura de la corriente de fuga

de un diodo rectificador?
Il. Explique a que se debe la variacin, en la corriente de fuga de un
diodo rectificador cuando se eleva la temperatura.
12. Anote sus conclusiones
13 .Anote su bibliografa consultada