MEMORIAS

La mayora de los procesos que realiza un computador se encuentran constituidos por sistemas que
manipulan la informacin para dar como resultado una o varias salidas. En este proceso de manipular la
informacin, los sistemas requieren del almacenamiento temporal o permanente de los datos, as como de
las instrucciones que manipulan la informacin.
Una memoria es entonces un dispositivo capaz de almacenar datos e instrucciones de largo o corto plazo,
es decir que tienen la capacidad de memorizar el nivel de una variable binaria (bit). Las memorias en
informtica pueden ser semiconductoras, magnticas u pticas.
- Las memorias semiconductoras se usan comnmente como memorias internas dada su velocidad de
operacin.
- Las memorias magnticas u pticas se usan generalmente como memorias externas debido a su alta
capacidad para almacenar grandes volmenes de datos, aunque son ms lentas comparadas con las
semiconductoras.
Las unidades de memoria son mdulos conformados por un conjunto de elementos agrupados de tal forma
que tienen la capacidad de almacenar un bit de informacin (1 o 0).
1.

Celda: elemento dentro de una memoria que almacena un bit de datos (1 o 0), puede corresponder a un
nico dispositivo electrnico como un flip-flop, condensador, o a un canal de disco magntico.

2. Palabra: es un grupo de celdas (bits) que representa datos o instrucciones dentro de una memoria, el
tamao de palabra vara de 4 a 64 bits
El tamao o longitud de una palabra hace referencia al nmero de bits contenidos en ella,y hace referencia
a una cadena finita de bits que son manejados como un conjunto por la mquina.
El tamao de una palabra se refleja en muchos aspectos de la estructura y las operaciones de las
computadoras. La mayora de los registros en un ordenador normalmente tienen el tamao de la palabra. El
valor numrico tpico manipulado por un ordenador es probablemente el tamao de palabra. La cantidad de
datos transferidos entre la CPU del ordenador y el sistema de memoria a menudo es ms de una palabra.
Una direccin utilizada para designar una localizacin de memoria a menudo ocupa una palabra.
Los computadores actuales normalmente tienen un tamao de palabra de 16, 32 64 bits.
Los procesadores utilizados en ordenadores personales (por ejemplo, los Intel Pentium y los AMD Athlon)
siguen con tamaos de palabra de 16 bits, para que tengan compatibilidad con diseos anteriores.
Dependiendo de cmo se organiza un computador, las unidades de tamao de palabra se pueden utilizar
para:
- Nmeros enteros: Los contenedores de valores numricos enteros pueden estar disponibles en varios
tamaos diferentes, pero uno de los tamaos disponibles casi siempre ser la palabra. Los otros tamaos,
suelen ser mltiplos o fracciones del tamao de palabra. Los tamaos ms pequeos normalmente se
utilizan slo por eficiencia en la utilizacin de memoria, cuando se cargan en el procesador, sus valores
normalmente son mayores, contenedores de tamao palabra.
- Nmeros en coma flotante: Los contenedores para valores numricos en coma flotante son tpicamente
una palabra o un mltiplo de una palabra.
- Direcciones: Los contenedores para direcciones de memoria tienen que ser capaces de expresar el
rango necesario de valores, pero no excesivamente grandes. A menudo el tamao utilizado es el de la
palabra pero puede ser un mltiplo o una fraccin.
- Registros: Los registros son diseados con un tamao apropiado para el tipo de dato que almacenan,
p.ej. enteros, nmeros en coma flotante o direcciones. Muchas arquitecturas de computadores utilizan
registros de "propsito general" que pueden albergar varios tipos de datos, estos registros se dimensionan
para permitir los ms grandes de estos tipos y el tamao tpico es el tamao de palabra de la arquitectura.
- Transferencia memoria-procesador: Cuando el procesador lee del subsistema de memoria a un registro
o escribe el valor de un registro en memoria, la cantidad de datos transferidos es a menudo una palabra. En

los subsistemas de memoria simples, las palabras son transferidas sobre el bus de datos de memoria, que
tpicamente tiene un ancho de una palabra o media palabra. En los subsistemas de memoria que utilizan
cach, la transferencia de tamao palabra se produce entre el procesador y la cach de nivel uno, en los
niveles ms bajos de la jerarqua de memoria las grandes transferencias (con mltiplos de la longitud de
palabra) son normalmente utilizadas.
- Resolucin de unidades de direccin: Es una arquitectura dada, los sucesivos valores de direcciones
designan sucesivas unidades de memoria. En muchos ordenadores, la unidad puede ser un carcter o
una palabra (algunos han utilizado una resolucin de bit). Si la unidad es una palabra, entonces se puede
acceder a una gran suma de memoria utilizando una direccin de un tamao dado. Por otra parte, si la
unidad es un byte, se pueden direccionar caracteres individuales (p.ej. seleccionados durante la operacin
de memoria).
- Instrucciones: Las instrucciones mquina normalmente son fracciones o mltiplos de la longitud de
palabra de la arquitectura. Esta es una eleccin natural ya que las instrucciones y los datos normalmente
comparten el mismo subsistema de memoria.
3.

Bit: estado 1 o 0

4.

Nibble: grupo de 4 bits, (medio Byte)

5. Byte: grupo de 8 bits. Desde el punto de vista de la memoria un Byte es un nico espacio de memora
direccionable de tamao 8 bits.
6. Direccin: es la posicin de una unidad de datos dentro de la matriz de memoria y consiste en un
numero que identifica la localidad de una palabra (localizacin fsica) dentro de la memoria y es nica
para cada palabra almacenada en la memoria, se especifica en binario, o hexadecimal
Ejemplo: se tiene un bus de direcciones de n bits, y cada palabra dato contiene m bits. (n=4, m=8)

7. Capacidad: es la manera como se especifica cuantos bits se pueden almacenar en una memoria en
particular. (Numero total de datos que se pueden almacenar), se puede dar en bits en bytes. (n palabras
x m bits).
Ejemplos:
- una memoria de 8 palabras y 8 bits por palabra (8x8) tiene una capacidad de 64 bits o de 8 bytes.
- una memoria de 4096 palabras y 20 bits por palabra (4096x20) tiene una capacidad de 81920 bits.
Ejercicio: -Cual ser la capacidad de una memoria de 2Kx8?
2*(1024)*8= 16384 bits o 2048 Bytes
- Cul de las siguientes memorias almacena mas bits 5Mx8 o 1Mx16?

8. Densidad: es un trmino relacionado con la capacidad de una memoria y consiste en definir que una
memoria es ms densa que otra dado que tiene la capacidad mayor de almacenar mas bits en un
mismo espacio.
9. Tiempo de acceso: Corresponde al tiempo que tarda una memoria en acceder a la informacin
(medida de la velocidad de operacin. Tambin se puede decir que es el tiempo que se requiere para
una operacin de lectura. tacc = tiempo de recepcin de una direccin en la entrada y la disposicin de
los datos en la salida

El tiempo de acceso es el intervalo de tiempo entre el instante en el cual una unidad de control de
instruccin inicia una solicitud de datos o una solicitud para almacenar datos, y el instante en el cual los
datos son obtenidos o se inicia el almacenamiento.
El tiempo de acceso es igual al tiempo del ciclo ms el tiempo de latencia. El tiempo del ciclo corresponde al
opuesto de la frecuencia de reloj; por ejemplo, en un ordenador con una frecuencia de 200 MHz, el tiempo
del ciclo es de 5 ns (1/200*106) y el tiempo de latencia es el perodo de tiempo que conlleva el acceso a la
memoria. Se denominan latencia de una memoria RAM a los diferentes retardos producidos en el acceso a
los distintos componentes de esta ltima. Estos retardos influyen en el tiempo de acceso de la memoria por
parte de la CPU, el cual se mide en nanosegundos (10-9 s).
Tipos de latencias
Demora de CAS o latencia de CAS (CAS significa Sealizador de Direccionamiento en Columna):
es el nmero de ciclos de reloj que transcurre entre el envo del comando de lectura y la llegada de la
informacin. En otras palabras, es el tiempo necesario para acceder a una columna.
Tiempo de precarga de RAS (conocido como tRP; RAS significa Sealizador de Direccionamiento en
Fila): es el nmero de ciclos de reloj transcurridos entre dos instrucciones de RAS, es decir, entre dos
accesos a una fila.
Demora de RAS a CAS (a veces llamada tRCD): es el nmero de ciclos de reloj correspondiente al tiempo
de acceso de una fila a una columna.
Tiempo activo de RAS (a veces denominado tRAS): es el nmero de ciclos de reloj correspondiente al
tiempo de acceso a una fila.

10. Memoria volatil: es un tipo de memoria que requiere de aplicacin de energa elctrica para
mantener la informacin, si se corta el suministro de energa la informacin se borra automticamente.
Generalmente las memorias semiconductoras son voltiles
11. Memoria no volatil: es un tipo de memoria en la cual si se corta el suministro de energa la informacin
no se borra, sino que permanece almacenada por un tiempo prolongado. Generalmente las memorias
magnticas son no voltiles.
12. Memoria interna: es la memoria principal o memoria de trabajo del sistema, all se guardan las
instrucciones, y los datos sobre los cuales se est trabajando en la CPU, son de tipo semiconductor y
son rpidas aunque limitadas en capacidad.
13. Memoria secundaria: Llamada tambin memoria externa, es la memoria encargada de almacenar
grandes cantidades de informacin externa al sistema, es no voltil por ejemplo los discos magnticos.
14. Memoria cache: Es un tipo de memoria intermedia de alta velocidad que sirve como memoria de
respaldo de las memorias internas que son de menor velocidad que el procesador almacenado los
datos o instrucciones de usos frecuente del procesador. Los datos de programa son trasmitidos a la
cache cuando la CPU las necesita.
15. Memoria virtual es una tcnica de gestin de la memoria que permite que el sistema operativo
disponga, tanto para el software de usuario como para s mismo, de mayor cantidad de memoria
que la disponible fsicamente combinando la RAM del equipo con espacio temporal en el disco duro.
Cuando queda poca RAM, la memoria virtual mueve datos de la RAM a un espacio llamado archivo de
paginacin. Al mover datos al archivo de paginacin y desde l, se libera RAM para completar la tarea.
16. RWM: es un tipo de memora que se puede leer y escribir indistintamente con la misma facilidad.
17. ROM: (Read Only Memory), memoria de solo lectura, es un tipo de memoria no volatil que solo puede
escribirse una vez y los datos quedan almacenados en ella de forma permanente, pudindose solo
leerse, alguna veces se puede reescribir pero el proceso de escritura es mas complicada que el de
lectura. Normalmente se llama ROM mascara. A los programas grabados en una memoria ROM se les
llama FirmWare (software grabado en una memoria de solo lectura).
18. PROM: es un tipo de memoria en la cual se pueden escribir datos con ayuda de equipos
especializados.
19. OTP: One time programable, es un tipo de PROM, que se puede grabar una vez, y despus solo se
puede leer, son baratas y se usan para fabricacin en serie. El proceso de escritura es destructivo y
solo se puede realizar una vez.

20. EPROM: (Erasable Programable Read Only Memory), PROM borrable, es un tipo de memoria que se
puede volver a grabar si se borran los datos existentes en la matriz de memoria, Existen dos tipos las
UV-EPROM u las EEPROM, de acuerdo a la manera de borrado.

21. UV-EPROM: comn mente llamada EPROM, generalmente pose una ventana de cristal de cuarzo que
permite borrar la memoria usando luz ultravioleta, para posteriormente grabarla nuevamente, se puede
grabar varias veces pero es costosa
22. EEPROM: (Electrically Erasable Programable Read Only Memory), tambin llamada E2PROM, PROM
borrable elctricamente, es un tipo de memoria que se puede volver a grabar y borrar mediante el
control de un programa y un circuito programador adecuado mediante pulsos elctricos, es mas
econmica y mas rpida que la UV-EPROM.
23. FLASH: son memorias de lectura escritura de alta densidad, no voltiles, que se pueden grabar y borra
fcilmente. Son de alta velocidad y relativamente econmicas, se usan para programas de usuario.
24. BIOS: Es una memoria de solo lectura, secuencial porque ejecuta los programas que posee siguiendo
siempre el mismo orden y es no voltil, El contenido de esta memoria es fijo, Este FirmWare es grabado
en la memoria ROM, por el fabricante de la board, donde finalmente se instala el chip de memoria ROM
(BIOS), y no se puede modificar a travs de los mtodos habituales. La bios adems contienen el POST
(Power On Self Test) y el BOOTSTRAP.
El POST consiste en una rutina de chequeo de los componentes hardware, que incluye una
comprobacin del procesador, la tarjeta de video, verifica el estado de la memoria determinando la
cantidad existente (conteo de memoria), controla a las unidades de disco duro y algunos perifricos. Si
durante la ejecucin de esta rutina (POST), la misma encuentra algn error lo marcara mediante una
serie de beeps (codigo sonoro) y si el error se produce luego de ejecutado, el video la serie de beeps
ser acompaada por un mensaje en pantalla, determinando de esta manera la naturaleza del error.
Despus de efectuar la comprobacin POST, el programa de arranque BOOTSTRAP, Tambin es
llamado Bootstrap Loader (cargador de inicio), que comprobara el orden de booteo y verificara segn
el orden establecido en el SETUP y cargado en la memoria CMOS RAM, donde proceder a ir en
busca de la unidad que contenga los archivos que permiten la carga del sistema operativo.
25. CMOS-RAM: (Complementary Metal Oxido Semiconductor Random Access Memory), Es una memoria
alterna a la BIOS que posee 64 renglones, de 8 bits cada uno, de muy bajo consumo y recargable. Su
funcin es la de contener los datos declarados en el programa Setup, como la cantidad y tipo de discos,
y de unidades, orden de booteo, etc....Esta memoria es voltil y necesita ser alimentada por una pila
para mantener los datos que posee, cuando el equipo se encuentra apagado. A menudo la CMOS suele
confundirse con la propia BIOS, pero es si es una entidad de memoria diferente.
El SETUP hace posible generar los ajustes para la configuracin fsica del equipo. Las variables
modificadas mediante el uso del programa SETUP son almacenadas en la CMOS Para acceder al
SETUP, en el momento del arranque de la PC debemos presionar la tecla Supr o "f2" segun el mother.
26. SAM: memoria de acceso secuencial, es contraria a la RAM, es decir que el tiempo de acceso no
es contante sino que depende de cada localidad de la memoria. Para localizar un dato es necesario
recorrer toda la memoria.
27. FIFO: (First In- First Out): Primero que entra es el primero en salir, el primer datos que se escribe es
el primero que se lee, se usa en sistemas con velocidades diferentes por ejemplo el PC y la impresora,
tambin es llamada buffer o memoria intermedia.
28. LIFO: (Last In First Out): ultimo en entrar es el primero en salir, este tipo de memoria almacena
datos y luego los saca en orden inverso, el ultimo dato almacenado es el primero que se lee, tambin es
llamada pila Push down.
29. RAM: (Random Access Memory) memoria de acceso aleatorio, son memorias voltiles en las cuales
la localizacin fsica real de una palabra no afecta el tiempo que se tarda en leer dicha palabra en esa
localidad o escribir en ella, es decir el tiempo de acceso es igual para cualquier localidad de memoria.
30. SRAM: es un tipo de memoria RAM esttica en la cual los datos almacenados permanecen guardados
mientras que no se corte la fuente de energa si necesidad de reescribirlos peridicamente. Estn
compuestas por latch.
31. DRAM: es un tipo de memoria RAM dinmica en la cual los datos almacenados no permanecen
guardados aun si la fuente de energa esta activa, sino que necesitan ser reescritos peridicamente o
refrescados. Estn compuestas por condensadores.

SRAM Sincrnica: Este tipo de memoria tiene una entrada de reloj, la cual le permite operar en sincrona
con otros dispositivos. La ventaja de estas memorias viene proporcionada por lo que se podra llamar su
funcionamiento automtico, guiado por la seal de reloj, por lo que no es necesario ocuparse de generar las
seales de control.
32. Operaciones bsicas de una memoria: La funcin bsica de las memorias es almacenar informacin.
Sin embargo las memorias tienen la caracterstica especfica de permitir escribir o leer datos en su
interior. En la figura siguiente se observa la estructura bsica de una memoria de 1K de 4 bits, en la cual
se indican sus partes bsicas.

Figura 1. Esquema descriptivo de una Memoria

En la figura anterior la entrada de direcciones (A0 a A9), como su nombre lo indica, define la posicin a
escribir o leer dentro de la memoria, las entradas y salidas de datos definen los datos a escribir y leer
respectivamente, la entrada WE controla el tipo de operacin que la memoria debe hacer y la entrada
OE corresponde a la seal de habilitacin de la memoria, la cual habilita o deshabilita la memoria para
responder a las dems entradas.
Las operaciones bsicas que se pueden ejecutar sobre una memoria consisten en leer y almacenar
informacin mediante el uso del bus de datos y direcciones. Estas operaciones ocurren en un orden lgico,
el cual se indica a continuacin:
Apuntar a la direccin de memoria que se desea leer o escribir mediante el uso del bus de direcciones

Seleccin del tipo de operacin: Lectura o escritura.

Cargar los datos a almacenar (en el caso de una operacin de escritura)

Retener los datos de la memoria (en el caso de una operacin de lectura)

Habilitar o deshabilitar la memoria para una nueva operacin.

33. Mdulos de memoria: Los mdulos de memoria son tarjetas de circuito impreso que tienen soldados
integrados de memoria por una o ambas caras, logrando integrados de cientos o miles de Kilobits.
Adems de los chips de memoria, los mdulos poseen un integrado que permite la identificacin del
mismo ante el computador por medio de un protocolo de comunicacin.
34. Mdulos de Memoria RAM: Se utilizan como memoria de trabajo para el sistema operativo, los
programas y la mayora del software. Es all donde se cargan las instrucciones que ejecuta el
procesador y otras unidades de cmputo. La expresin memoria RAM se utiliza frecuentemente para
describir a los mdulos de memoria utilizados en los computadores personales y servidores.
La tecnologa de memoria RAM actual es sncrona es decir que usa una seal de sincronizacin para
realizar las funciones de lectura-escritura de manera que siempre esta sincronizada con un reloj del bus de
memoria, a diferencia de las antiguas memorias que eran asncronas. Las tecnologas sncronas, permiten
construir integrados que funcionen a una frecuencia mayor a 66 Mhz, en la actualidad han alcanzado 2666
Mhz.
35. Mdulo de Memoria SIMM: (Single In-line Memory Module) - mdulo de memoria en nica lnea. Los
contactos en ambas caras estn interconectados, poseen un bus de datos de 16 o 32 bits y almacenaba
hasta 64 megabytes. El primer formato que se hizo popular en los computadores personales tena 3.5"
de largo y usaba un conector de 32 pines. Un formato ms largo de 4.25", tenia 72 pines
36. Mdulo de Memoria DIMM: (Dual In-line Memory Module) - Mdulo de memoria dual en lnea, Los
contactos (o pines) estn separados en ambos lados Se caracterizan por tener un bus de datos de 64
bits.
37. Mdulo de Memoria SO-DIMM: (Small Outline DIMM) consisten en una versin compacta de los
mdulos DIMM y es usado en computadores porttiles.
38. Mdulo de Memoria SDR SDRAM: Single Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory
Memoria sncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en mdulos DIMM de 168
contactos. Fue utilizada en los Pentium II y en los Pentium III, as como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y
Duron. Los tipos disponibles son:
- PC66 de 66,6 MHz
- PC100 de 100 MHz
- PC133 de 133 MHz
39. Mdulo de Memoria DDR SDRAM: Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access
Memory.
Memoria sncrona, enva los datos dos veces por cada ciclo de reloj, de esta forma trabaja al doble de
velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en mdulos
DIMM de 184 contactos para computadores de escritorio y en mdulos de 144 contactos para porttiles.
Trabajan con 2,5 Voltios
Los tipos disponibles son:
- PC1600 o DDR 200: funciona a un mx de 200 MHz.
- PC2100 DDR 266 de 133 MHz a mx de 266,6 MHz.
- PC2700 DDR 333 de 166 MHz a un mx de 333,3 MHz.
- PC3200 DDR 400 de 200 MHz aun mx de 400 MHz.
- PC4500 o DDR 500: de 400 MHz a un mx de 500 MHz
40. Mdulo de Memoria DDR2 SDRAM: Double Data Rate type two Synchronous Dynamic RandomAccess Memory
Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR, que permiten mayor ancho de banda,
usando un reloj interno al doble de frecuencia, de esta forma puede transmitir dos veces ms informacin,
permitiendo que los bferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del ncleo, haciendo que
durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. Se presentan en mdulos DIMM de 240 pines
con una sola muesca para computadores de escritorio y en mdulos de 200 pines para porttiles.
Trabajan con 1,8 Voltios
Los tipos disponibles son:
- PC2-4200 o DDR2-533: funciona a un mx de 533,3 MHz.
- PC2-5300 o DDR2-667: funciona a un mx de 666,6 MHz.

PC2-6400 o DDR2-800: funciona a un mx de 800 MHz.

PC2-8600 o DDR2-1066: funciona a un mx de 1066,6 MHz.
PC2-9000 o DDR2-1200: funciona a un mx de 1200 MHz

41. Mdulo de Memoria DDR3 SDRAM: Double Data Rate type three Synchronous Dynamic RandomAccess Memory
Proporciona significantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una
disminucin del gasto global de consumo teniendo un consumo menor que las DDR2. Esto permite subir la
frecuencia de funcionamiento de una manera ms sencilla sin miedo a quemarla, llevndola al doble de la
velocidad de la memoria a la misma frecuencia.
Los mdulos DIMM DDR3 tienen 240 pines para computadores de escritorio y en mdulos de 200 pines
para porttiles, el mismo nmero que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son fsicamente incompatibles,
debido a la ubicacin diferente de la muesca.
Trabajan con 1,5 Voltios
Los tipos disponibles son:
- PC3-6400 o DDR3-800: funciona a un mx de 800 MHz.
- PC3-8500 o DDR3-1066: funciona a un mx de 1066,6 MHz.
- PC3-10600 o DDR3-1333: funciona a un mx de 1333,3 MHz.
- PC3-12800 o DDR3-1600: funciona a un mx de 1600 MHz.
- PC3-14900 o DDR3-1866: funciona a un mx de 1866,6 MHz.
- PC3-17000 o DDR3-2133: funciona a un mx de 2133,3 MHz.
- PC3-19200 o DDR3-2400: funciona a un mx de 2400 MHz.
- PC3-21300 o DD3-2666: funciona a un mx de 2666,6 MHz.

42. Mdulo de Memoria DDR4: es la nueva versin esperada para las memorias DDR; pero el cambio no
es exactamente como los anteriores. Estos dispositivos utilizan un buffer, a modo de memoria interna,
que es rellenado antes de mandar los datos al procesador. De esta forma esos datos se mandan todos
juntos al procesador. En las memorias DDR este buffer tenia un tamao de 2 bits, es decir, era capaz
de guardar la informacin de 2 bits antes de ser enviados. Para las memorias DDR2 es de 4 bits. Con
esto se consigue que las memorias DDR2 puedan enviar el doble de informacin utilizando la misma
frecuencia de funcionamiento. DDR3 vuelve a aumentar el tamao de este buffer y lo lleva hasta 8 bits.
En este caso se permite que exista otro modo de uso a 4 por si se quiere disminuir la latencia. Esto ha
provocado que una memoria DDR3 sea capaz de mover 4 veces ms datos que una DDR a la misma
frecuencia de funcionamiento. Sin embargo este paso no se toma en el estndar DDR4. Este tendr el
mismo tamao de buffer que las memorias DDR3, esos 8 bits. Por lo tanto las mejoras vendrn sobre
todo debidas a los aumentos en las frecuencias de funcionamiento. En concreto las velocidades que
se espera de las primeras DDR4 estarn justo por encima de las DDR3 ms rpidas. Con el paso del
tiempo esto se mejorar sin duda.
El voltaje, en las memorias DDR4, pasa de 1.5V a 1.2V. Esto significa una reduccin de mas o menos el
30% a la misma frecuencia de funcionamiento. Es un cambio muy importante y es uno de los puntos fuertes
de la memoria DDR4.

43. Mdulo de Memoria RIMM: (Rambus Inline Memory Module)- RDRAM (Rambus DRAM): Memoria
de gama alta basada en un protocolo propietario creado por la empresa Rambus, lo cual obliga a sus
compradores a pagar regalas en concepto de uso. Esto ha hecho que el mercado se decante por la
memoria DDR de uso libre, excepto algunos servidores de grandes prestaciones (Cray) y la consola
PlayStation 3. Se presenta en mdulos RIMM de 184 contactos.
TALLER
1. De acuerdo a lo visto en clase diga con sus propias palabras que es una memoria
2. Explique 5 caractersticas de cada una de
computador

los diferentes tipos de memoria interna que tiene un

3. Consulte cules son los diferentes tipos de latencia y explique cada uno mediante un ejemplo
4. Consulte en internet como se puede actualizar el firmware de la BIOS
5. Haga un cuadro comparativo con las caractersticas ms relevantes de los diferentes tipos de memorias
DDR
6. Se tiene Una memoria de 512MBytes diga
a) Que capacidad en bits tiene
b) Cuantas palabras se tienen si el tamao de palabra es de 8bits
c) De cuantos bits es el registro de direcciones y cuantas direcciones se tienen en total
7. Explique en que consiste el proceso de escritura en la memoria dada en la figura si se quiere almacenar
el dato binario correspondiente al @ en cdigo ascii, en la posicin de memoria 0xF.
8. Explique en que consiste el proceso de lectura en la memoria dada en la figura si se quiere extraer el
dato binario de la posicin de memoria 0xC, y diga a que carcter del cdigo ascii corresponde ese dato

9. consulte en internet sobre cuales son los principales fabricantes de memorias

10. consulte en internet cual es la capacidad de almacenamiento ms grande que manejan las memorias
RAM actuales.

11: Consulte en internet si se graba un dato en una memoria USB y se guarda sin volverla a conectar cual
ser el tiempo mximo de retencin de los datos sin que estos se pierdan
12. consulte: Cmo ingresar a la BIOS (Setup)? Cmo hacer un Clear al CMOS?